KR100733264B1

KR100733264B1 - 반도체 소자의 제조 방법

Info

Publication number: KR100733264B1
Application number: KR1020060074195A
Authority: KR
Inventors: 이채갑
Original assignee: 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date: 2006-08-07
Filing date: 2006-08-07
Publication date: 2007-06-28

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 이 방법은 웨이퍼의 제1면이 척과 마주보도록 상기 웨이퍼를 상기 척 위에 고정시키는 단계, 상기 척을 회전시키면서 기체를 상기 웨이퍼와 상기 척 사이에 흘려 상기 웨이퍼를 띄우는 단계, 상기 웨이퍼의 제1면의 뒷면인 제2면을 세정하는 단계, 상기 웨이퍼의 회전 속도 및 상기 척의 회전 속도를 측정하는 단계, 상기 웨이퍼의 회전 속도 및 상기 척의 회전 속도를 비교하는 단계, 그리고 상기 속도의 비교 결과에 따라 조정하는 단계를 포함한다. 따라서 웨이퍼의 뒷면을 세정할 때, 웨이퍼의 회전 속도를 측정하여 척의 회전 속도와 비교하고, 이에 따라 장비를 재정비함으로써 웨이퍼의 앞면으로 케미컬이 침투하는 것을 방지할 수 있다.

반도체 소자, 웨이퍼, 척, 회전 속도

Description

반도체 소자의 제조 방법{MAMUFATURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE}

도 1은 종래의 반도체 소자 제조 설비를 나타낸 도면이다.

도 2는 종래의 반도체 소자 제조 설비의 문제점을 설명하기 위한 도면이다.

도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 제조 설비를 나타낸 도면이다.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 제조 설비를 나타낸 도면이다.

본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼의 뒷면 세정 시 앞면의 오염을 방지하기 위한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.

도 1은 종래의 반도체 소자 제조 설비를 나타낸 도면이고, 도 2는 종래의 반도체 소자 제조 설비의 문제점을 설명하기 위한 도면이다.

도 1을 참조하면, 종래의 반도체 소자 제조 설비는 웨이퍼(40)를 회전시키기 위한 척(10), 웨이퍼(40)를 고정시키기 위한 고정핀(20), 노즐(30)을 포함한다.

이 설비를 이용하여 웨이퍼(40)의 뒷면(B)을 세정할 경우, 패턴이 이루어진 앞면(A)은 척(10)을 바라보며, 앞면(A) 패턴의 긁힘 및 이물질의 접근을 방지하기 위해 질소를 척(10) 내의 관(11)을 통하여 웨이퍼(40)와 척(10) 사이에 흘린다.

이때, 고정핀(20)이 불량인 경우, 웨이퍼(40)를 고정시키지 못하여 척(10)의 회전 속도와 웨이퍼(40)의 회전 속도 사이에 차가 발생하고, 이에 따라 뒷면(B) 세정액 등의 케미컬이 앞면(A)으로 침투한다. 따라서 도 2와 같이 웨이퍼(40)의 앞면(A)에 형성된 패턴이 케미컬의 영향으로 손상을 입어 반도체 소자의 신뢰성이 낮아진다.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 웨이퍼 뒷면의 세정 시 앞면의 패턴을 보호할 수 있는 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.

이러한 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 한 실시예에 따른 제조 방법은, 웨이퍼의 제1면이 척과 마주보도록 상기 웨이퍼를 상기 척 위에 고정시키는 단계, 상기 척을 회전시키면서 기체를 상기 웨이퍼와 상기 척 사이에 흘려 상기 웨이퍼를 띄우는 단계, 상기 웨이퍼의 제1면의 뒷면인 제2면을 세정하는 단계, 상기 웨이퍼의 회전 속도 및 상기 척의 회전 속도를 측정하는 단계, 상기 웨이퍼의 회전 속도 및 상기 척의 회전 속도를 비교하는 단계, 그리고 상기 속도의 비교 결과에 따라 조정하는 단계를 포함한다.

상기 웨이퍼의 회전 속도는 상기 웨이퍼의 노치를 기준으로 측정할 수 있다.

상기 웨이퍼의 회전 속도는 상기 웨이퍼의 상면에서 측정할 수 있다.

상기 웨이퍼의 회전 속도는 상기 웨이퍼의 측면에서 측정할 수 있다.

상기 회전 속도 비교 단계는, 목표 회전 속도에 대하여 상기 웨이퍼의 실제 회전 속도와 상기 웨이퍼의 한계 회전 속도를 비교하고, 상기 목표 회전 속도에 대하여 상기 척의 모터의 실제 회전 속도와 상기 척의 한계 회전 속도를 비교할 수 있다.

비교 결과에 따라 조정하는 단계는, 상기 비교 결과에 따라 에러가 발생하는 경우, 현재 웨이퍼의 세정 후, 다음 웨이퍼의 투입을 금지할 수 있다.

첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.

이제 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.

도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 제조 설비를 나타낸 도면이 고, 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 제조 설비를 나타낸 도면이다.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 설비는 웨이퍼(400)의 세정을 위한 것으로서, 회전척(100), 고정핀(200), 노즐(300) 및 RPM 미터(500)(revolution per minute meter)를 포함한다.

회전척(100)은 웨이퍼(400)를 회전시키기 위한 설비로서, 그 내부에 회전척(100)을 정해진 목표 회전 속도로 회전시키기 위한 모터(도시하지 않음)를 포함한다. 또한 회전척(100)은 척 상부로 질소 가스(N2)를 흘리기 위한 공급관(110)을 포함한다.

이러한 회전척(100) 상부에는 복수의 고정핀(200)이 위치하며, 복수의 고정핀(200)은 회전척(100) 상부에서 일정한 간격으로 이격되어 웨이퍼(400)를 회전척(100)에 고정시킨다. 이러한 웨이퍼(400)의 고정은 고정핀(200)을 연 후 웨이퍼(400)를 장착하고 다시 고정핀(200)을 닫음으로써 수행된다.

이때, 웨이퍼(400)의 뒷면(B)을 세정하기 위하여 이미 패턴이 형성되어 있는 앞면(A)이 회전척(100)과 마주보도록 웨이퍼(400)를 고정시킨다. 회전척(100)의 모터가 정해진 목표 회전 속도에 따라 회전을 시작하면, 회전척(100)에 고정되어 있는 웨이퍼(400)도 함께 회전하며, 공급된 질소 가스에 의해 웨이퍼(400)는 떠있게 된다.

노즐(300)은 회전척(100)의 상부로 기체 혹은 액체를 분사하며, 본 발명에서는 웨이퍼(400)의 세정액 또는 세정 가스를 분사하여 웨이퍼(400)의 뒷면(B)을 세 정한다.

회전척(100)과 웨이퍼(400)가 회전하며 웨이퍼(400)의 뒷면(B)을 식각하는 동안, RPM 미터(500)는 웨이퍼(400)의 회전 속도를 측정한다. 이때, 웨이퍼(400)의 회전 속도는 웨이퍼(400)의 노치(C)를 기준으로 측정되며, 도 3과 같이 웨이퍼(400)의 상측에서 웨이퍼(400)의 노치(C)를 기준으로 측정할 수 있으며, 도 4와 같이 RPM 미터(600)가 웨이퍼(400)의 측면에서 웨이퍼(400)의 노치(C)를 기준으로 측정할 수도 있다.

한편, 정해진 목표 회전 속도에 대한 회전척(100)의 모터의 실제 회전 속도 또한 측정하여 목표 회전 속도, 회전척(100)의 모터의 실제 회전 속도 및 웨이퍼(400)의 회전 속도를 비교한다.

각 목표 회전 속도에 대하여 회전척(100)의 모터 및 웨이퍼(400)의 한계 회전 속도가 정해져 있는 경우, 측정된 회전척(100)의 모터의 회전 속도 및 웨이퍼(400)의 회전 속도와 각각의 한계 회전 속도를 비교한다. 이때, 측정된 회전척(100)의 모터의 회전 속도 및 웨이퍼(400)의 회전 속도가 각각의 한계 회전 속도의 범위를 충족하지 않을 때에는 반도체 소자 제조 설비를 재정비한다.

즉, 진행 중인 웨이퍼(400)의 세정을 마친 후, 다음 웨이퍼(400)의 투입을 중지하고, 에러 발생 인지 및 장비의 점검(고정핀 점검 등) 등을 통하여 회전 속도를 맞춘다.

이와 같이, 본 발명에 의하면 웨이퍼의 뒷면을 세정할 때, 웨이퍼의 회전 속도 를 측정하여 척의 회전 속도와 비교하고, 이에 따라 장비를 재정비함으로써 웨이퍼의 앞면으로 케미컬이 침투하는 것을 방지할 수 있다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims

웨이퍼의 제1면이 척과 마주보도록 상기 웨이퍼를 상기 척 위에 고정시키는 단계,

상기 척을 회전시키면서 기체를 상기 웨이퍼와 상기 척 사이에 흘려 상기 웨이퍼를 띄우는 단계,

상기 웨이퍼의 제1면의 뒷면인 제2면을 세정하는 단계,

상기 웨이퍼의 회전 속도 및 상기 척의 회전 속도를 측정하는 단계,

상기 웨이퍼의 회전 속도 및 상기 척의 회전 속도를 비교하는 단계, 그리고

상기 속도의 비교 결과에 따라 설비를 조정하는 단계

를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
제1항에서,

상기 웨이퍼의 회전 속도는 상기 웨이퍼의 노치를 기준으로 측정하는 반도체 소자의 제조 방법.
제2항에서,

상기 웨이퍼의 회전 속도는 상기 웨이퍼의 상면에서 측정하는 반도체 소자의 제조 방법.
제2항에서,

상기 웨이퍼의 회전 속도는 상기 웨이퍼의 측면에서 측정하는 반도체 소자의 제조 방법.
제3항 또는 제4항에서,

상기 회전 속도 비교 단계는,

목표 회전 속도에 대하여 상기 웨이퍼의 실제 회전 속도와 상기 웨이퍼의 한계 회전 속도를 비교하고, 상기 목표 회전 속도에 대하여 상기 척의 모터의 실제 회전 속도와 상기 척의 한계 회전 속도를 비교하는 반도체 소자의 제조 방법.
제5항에서,

비교 결과에 따라 설비를 조정하는 단계는,

상기 비교 결과 에러가 발생하는 경우, 현재 웨이퍼의 세정 후, 다음 웨이퍼의 투입을 금지하는 반도체 소자의 제조 방법.