KR100731736B1 - 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법 - Google Patents

리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100731736B1
KR100731736B1 KR1020060016110A KR20060016110A KR100731736B1 KR 100731736 B1 KR100731736 B1 KR 100731736B1 KR 1020060016110 A KR1020060016110 A KR 1020060016110A KR 20060016110 A KR20060016110 A KR 20060016110A KR 100731736 B1 KR100731736 B1 KR 100731736B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mold
fine pattern
substrate
roller
pair
Prior art date
Application number
KR1020060016110A
Other languages
English (en)
Inventor
이홍희
서순민
최세진
Original Assignee
주식회사 미뉴타텍
재단법인서울대학교산학협력재단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 미뉴타텍, 재단법인서울대학교산학협력재단 filed Critical 주식회사 미뉴타텍
Priority to KR1020060016110A priority Critical patent/KR100731736B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100731736B1 publication Critical patent/KR100731736B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2012—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image using liquid photohardening compositions, e.g. for the production of reliefs such as flexographic plates or stamps

Abstract

본 발명은 필름 형태에서의 공정이 가능한 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용하는 박막 전이 기법을 통해 기판 상에 미세 패턴을 형성할 수 있도록 한다는 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 구부림 가능한 정도의 유연성과 탄성을 가지며 기판 상에 형성하고자 하는 미세 패턴에 대응하는 역상의 패턴이 형성된 리지플렉스 몰드와 고분자의 미세 패턴 물질이 형성된 기판을 서로 대향하는 위치로 정렬시킨 후 일정 간격만큼 이격되어 설치된 한쌍의 실린더형 가압 롤러와 한쌍의 실린더형 냉각 롤러를 이용하는 롤링 방식의 박막 전이 패터닝 기법을 적용함으로써, 기판 상에 목표 단차를 갖는 100㎚ 이하의 미세 패턴을 고정밀하게 형성할 수 있고, 대면적 기판에서도 효과적으로 적용할 수 있으며, 또한 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 연속적인 고분자 패터닝 후 미세 패턴의 냉각 시점까지 리지플렉스 몰드와 고분자와의 접촉 상태를 그대로 유지해 줌으로써, 고온 공정에서 형성된 미세 패턴이 흘러내리는 현상을 확실하게 방지할 수 있는 것이다.

Description

리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법{METHOD FOR FORMING MICRO-PATTERN ON SUBSTRATE BY USING RIGIFLEX MOLD AND ROLLER}
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따라 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용하여 기판 상에 미세 패턴을 형성하는 과정을 설명하기 위한 개략적인 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 미세 패턴의 형성을 위해 제작한 유연성을 갖는 PUA 몰드를 구부린 상태에서 그 일부를 촬상한 사진,
도 3은 임프린트 공정이 적용되는 유동성을 갖는 고분자의 공정 조건을 설명하기 위해 도시한 도면,
도 4는 본 발명에 따라 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용하여 500㎚의 고분자 미세 패턴을 형성한 실험 결과의 SEM 사진,
도 5는 본 발명에 따라 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용하여 70㎚의 간격을 가지고 높이가 90㎚인 고분자의 미세 패턴을 형성한 실험 결과의 SEM 사진.
＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞
102 : 기판
104 : 리지플렉스 몰드
106a, 106b : 실린더형 가압 롤러
106a1, 108a1 : 완충막
108a, 108b : 실린더형 냉각 롤러
본 발명은 기판(예를 들면, 실리콘 기판, 세라믹 기판, 금속층, 고분자층 등) 상에 고분자의 미세 패턴을 형성하는 기법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유연성을 갖는 리지플렉스 몰드(rigiflex mold)와 롤러를 이용하여 기판 상에 금속 또는 무기물 및 유기물 박막의 미세 패턴을 형성하는데 적합한 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
잘 알려진 바와 같이, 나노 임프린트 기술은 기판 상에 미세 패턴을 형성하기 위한 것으로, 현재까지 알려진 바로는 4인치 웨이퍼 사이즈의 공정에 주로 적용되고 있으며, 이러한 기술은 전면에 걸쳐 압력을 가하는 방식이다[W. Zhang and S. Y. Chou, Appl. Phys. Lett., 79(6), 845(2001) : 이하 참고문헌1이라 함].
상기한 참고문헌1의 방식은 하나의 웨이퍼에만 공정이 가능하고, 대면적으로 제작할 경우 패턴 형성을 위한 장치가 상대적으로 커져야 하기 때문에 웨이퍼 이상 크기의 공정 적용에는 불가능하다는 문제가 있으며, 또한 패터닝 후 기판으로부터 몰드를 떼어낼 때 하드 몰드 또는 고분자 패턴에 손상이 발생하게 되는 문제가 있다.
상기한 참고문헌1의 문제점을 개선하기 위하여, 하드 몰드를 가지고 외부에서 롤러로 압력을 국부적으로 가하는 방식이 H. Tan, A. Gilbertson and S. Y. Chou, J. Vac. Sci. Technol. B., 16(6), 3926(1998)[이하, 참고문헌2라 함]에서 제안되었다.
그러나, 상기한 참고문헌2의 방식은 하드 몰드에 국부적으로 압력이 가해지기 때문에 몰드 손상의 위험이 커 제작 후 만들어지는 패턴의 높이가 마스터에 비해 상대적으로 매우 낮아지게 되는 문제가 있다. 이러한 참고문헌2의 방법은 기판의 온도를 50 내지 70℃ 정도로 유지하며, 이를 위해 롤러 내에 있는 램프를 이용하여 온도를 유리전이 온도 이상으로 올려주는 방식을 이용하는데, 이 방식의 경우 기판 온도와 램프 온도에 따라 고분자의 거동이 결정되기 때문에 패터닝 이후의 유리전이 온도 이상의 고분자의 거동을 조절하기가 어렵다는 문제가 있다.
즉, 참고문헌2에서는 두 가지 방식을 제안하고 있는데, 첫 번째 방법은 롤러에 하드 몰드를 부착하여 임프린트하는 방식이고, 두 번째 방법은 판 상의 하드 몰드를 롤러로 누르는 방식이다.
상기한 참고문헌2의 첫 번째 방법의 경우 수백 나노미터 정도의 금속 패턴을 컴팩트 디스크에 제작한 후 실린더에 구부려 뜨린 후 붙였는데, 이러한 방식은 우선 몰드의 제작이 어렵다는 근본적인 문제가 있으며, 또한 복제된 패턴의 모양을 원판과 동일하게 만들기가 어렵다는 문제가 있다.
즉, 참고문헌2의 첫 번째 방법은, 문헌에서 개시하고 있는 바와 같이 패터닝은 가능하지만, 고분자가 패터닝된 이후에 온도에 의해 고분자가 무너져 버리기 때문에 온도나 압력, 스캔 속도 등의 공정 조건을 맞추기가 대단히 어렵다는 문제가 있으며, 설혹 공정 조건을 맞추더라도 원판 몰드에 비해 단차가 매우 낮아지게 되 는 문제점을 가질 수밖에 없다.
다시 말해, 참고문헌2에서 개시하고 있는 실험 결과의 AFM 이미지(사진)를 보더라도 원판의 역상에 비해 단차 재현성이 상당히 떨어진다는 것을 쉽게 알 수 있으며, 이것은 결국 고분자 가열 후 고분자가 흘러내리는 결함을 해결하지 못하고 있음을 명백하게 보여주고 있다. 따라서, 참고문헌2의 첫 번째 방법은 고온 임프린트 방식이라기보다는 상온 임프린트 방식에 가깝다고 볼 수 있다.
한편, 참고문헌2의 두 번째 방법은 판 상의 하드 몰드를 고분자 위에 접촉시키고 롤러를 이용하여 하드 몰드에 부분적으로 압력을 가해주는 방식이다. 여기에서, 롤러 자체는 부분적으로 압력을 가해 주지만 몰드가 하드 몰드이기 때문에 실제로 가해지는 압력은 기판 전체에 미치게 된다.
따라서, 참고문헌2의 두 번째 방법은 일반적인 나노 임프린트 방식과 동일하지만 패터닝을 위해 고압을 가해줄 경우 몰드가 부서질 수도 있으며, 이러한 문제로 인해 몰드에 압력을 높게 가하기가 힘들기 때문에 패턴의 단차가 원판에 비해 낮아지게 되는 문제점을 갖는다. 또한, 이러한 방법은 공기 중에서 공정을 실시할 경우 공기가 빠져나가지 못하게 됨으로써 버블이 생기게 되는 문제를 갖는다.
한편, 소프트 몰드(예컨대, PDMS)를 사용하는 경우에는 PDMS의 모듈러스가 낮기 때문에 임프린트 방식에는 적합지 않으며 압력에 의한 몰드의 변형을 가져올 수 있다. 따라서, 이 방법의 경우 용액 상태의 고분자에만 적용이 가능하며 몰드의 특성상 몰드의 처짐 및 기타 문제점들이 발생하게 된다.
다른 한편, 기판에 고분자 패턴을 형성하는 방법으로는 여러 가지가 있는데, 이 중에서 주로 사용하는 기술로는 감광성 물질을 사용하여 원하는 부분만을 선택적으로 드러내는 방법이 잘 알려져 있으며, 이 이외에 기판 위에 고분자를 코팅한 후에 몰드를 사용하여 형상을 만들어내는 여러 가지 기술(비전통적 방식)을 사용하기도 한다.
이러한 비전통적 방식에서의 종래 기술은 하드 몰드를 이용하여 기판을 직접 임프린트하는 방식인 것으로, 기판의 크기와 동일한 하드 몰드를 준비하여 높은 온도와 높은 압력으로 기판을 직접 임프린트하는 방식이다.
그러나, 상기한 방식은 하드 몰드를 사용하기 때문에 단위 면적당 압력이 높아 대면적으로 하고자 할 경우 면적에 비례하여 더 많은 압력을 주어야만 하는 문제가 있으며, 이것은 결국 패터닝하고자 하는 면적이 넓으면 넓을수록 고압을 가해 주어야만 하는 문제로 귀착된다. 이것은 결국 고압의 발생을 위해 장비의 설비가 더욱 커져야만 하는 문제와 이로 인한 비용이 대폭적으로 증가하는 문제를 초래할 수밖에 없으며, 또한 패턴의 모양에 따라 기판에 가해지는 부분압들이 달라지기 때문에 기판의 특정 부분에 고압이 걸릴 경우 몰드가 파손되는 등의 문제를 야기시킬 수 있다.
실제로, 임프린트 장치의 경우 수 센티미터 크기의 상당히 높은 압력을 필요로 하며, 이를 위해 고압 고압의 공정 조건에서 이루어지고 있다. 따라서, 사용화를 위해 많은 연구가 이루어지고는 있으나 온도가 높을 경우 압력의 조절이 기술적으로 쉽지 않아 실제 공정에서는 거의 사용되지 못하고 있는 실정이다.
또한, 하드 몰드를 실린더 타입으로 제작하는 것을 고려해 볼 수 있으나, 이 러한 방식의 경우 실제 공정에 사용하기 위해서는 실린더에 패턴을 만들어야 하는데, 수십 나노미터에서 수백 나노미터까지의 미세 패턴을 실린더와 같은 곡면 위에 만든다는 것은 현재의 기술로서는 거의 불가능한 현실이다. 따라서, 대부분의 미세 패턴은 평판 몰들에 제작하여 사용하고 있는 실정이다.
더욱이, 수많은 노력을 통해 실린더 위에 패턴을 만든다고 하더라도 높은 온도에서 형성된 고분자 패턴이 패터닝 후에 흘러내리게 되는 문제가 있어 패턴의 재현성이 현저하게 떨어져 원판과 다른 형상으로 형성되기 때문에 미세 패턴에서의 고분자 성형은 현실적으로 불가능하다고 할 수밖에 없는 실정이다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 필름 형태에서의 공정이 가능한 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용하는 박막 전이 기법을 통해 기판 상에 미세 패턴을 형성할 수 있는 미세 패턴 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 필름 형태에서의 공정이 가능한 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용하는 연속적인 박막 전이 기법을 통해 대면적의 기판 상에 미세 패턴을 형성할 수 있는 미세 패턴 형성 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 필름 형태에서의 공정이 가능한 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용하는 박막 전이 기법을 통해 기판 상에 100㎚ 이하의 미세 패턴을 형성할 수 있는 미세 패턴 형성 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 연속적인 고분 자 패터닝 후 미세 패턴의 냉각 시점까지 리지플렉스 몰드와 고분자와의 접촉을 유지해 줌으로써 미세 패턴의 흘러내림을 방지할 수 있는 미세 패턴 형성 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 임의의 패턴 면을 갖는 몰드를 이용하는 임프린트 기법으로 기판 상에 목표로 하는 미세 패턴을 형성하는 방법으로서, 구부림 가능한 정도의 유연성 및 탄성과 미세 패턴 형성이 가능한 정도의 강도를 가지며, 상기 미세 패턴에 대응하는 역상의 패턴이 형성된 리지플렉스 몰드를 준비하는 과정과, 상기 기판 상에 미세 패턴 물질을 형성하는 과정과, 상기 리지플렉스 몰드와 상기 기판을 대향하도록 정렬시키는 과정과, 한쌍의 실린더형 가압 롤러를 이용하는 롤링 방식으로 상기 대향 정렬된 리지플렉스 몰드와 기판을 접촉시키고, 상기 리지플렉스 몰드와 상기 한쌍의 실린더형 가압 롤러 사이에 압력 분산용의 완충막을 게재하여 상기 한쌍의 실린더형 가압롤러를 회전하여 상기 리지플렉스 몰드와 기판을 전진시키면서 상기 리지플렉스 몰드를 상기 기판에 순차 연속적으로 가압 접촉시킴으로써, 상기 미세 패턴 물질을 패터닝하는 과정을 포함하는 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 상기 및 기타 목적과 여러 가지 장점은 이 기술분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 하기에 기술되는 본 발명의 바람직한 실시 예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명한다.
먼저, 본 발명의 핵심 기술사상은, 기판 상에 형성하고자 하는 미세 패턴에 대응하는 역상의 패턴이 형성된 리지플렉스 몰드와 고분자의 미세 패턴 물질이 형성된 기판을 서로 대향하는 위치로 정렬시킨 후 일정 간격만큼 이격되어 설치된 두 개의 롤러쌍, 즉 한쌍의 실린더형 가압 롤러와 한쌍의 실린더형 냉각 롤러를 이용하는 롤링 방식의 박막 전이 패터닝 기법으로 기판 상에 목표로 하는 미세 패턴, 예컨대 100㎚ 이하의 미세 패턴을 형성한다는 것으로, 이러한 기술적 수단을 통해 본 발명에서 목적으로 하는 바를 쉽게 달성할 수 있다. 여기에서, 리지플렉스 몰드는 구부림 가능한 정도의 유연성과 탄성(rubbery)을 갖는 몰드이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따라 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용하여 기판 상에 미세 패턴을 형성하는 과정을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 먼저 유리전이온도 이상에서 유동성을 갖는 고분자 물질이 형성된 기판(102), 일 예로서 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(302) 상에 고분자의 미세 패턴 물질(304)이 형성되는 형태의 기판을 준비한다. 여기에서, 기판 상에 형성되는 고분자의 미세 패턴 물질로는 노보락, 감광성 고분자(PR), PS(polystyrene), PMMA(polymethylmethacrylate), PVA(polyvinyl alcohol), PVP(polyvinyl pyrrolidone), PVPh((poly(4-vinylphenol)) 등을 이용할 수 있다.
다음에, 구부림 가능한 정도의 유연성(flexible)을 가지며, 기판(102) 상에 형성하고자 하는 미세 패턴에 대응하는 역상의 패턴이 형성된 리지플렉스 몰드(104)를 준비한다. 예컨대, 평판 마스터 몰드에 PUA(polyurethane acrylate) 액체를 떨어뜨린 후 그 위에 PET 필름을 덮어서 마스터와 반대 모양의 레플리카 몰드를 얻어내는데, 이와 같이 만들어진 필름 형태의 PUA 몰드는 플렉시블하기 때문에 상당한 정도의 유연성을 가지며, 또한 모듈러스가 상대적으로 크기 때문에 미세 패턴의 형성을 위한 임프린트 공정으로의 적용에 매우 적합하다. 일 예로서, 도 2에 사진으로 도시된 바와 같이, PUA 몰드는 구부림 가능한 정도의 충분한 유연성과 탄성(rubbery)을 갖는다.
여기에서, 리지플렉스 몰드(104)로는 유연성을 가지며 자외선(UV) 경화가 가능한 물질 또는 테프론(teflon) 계통의 물질, 예컨대 polyurethane acrylate(PUA) 몰드 등을 이용할 수 있으며, 이러한 리지플렉스 몰드(104)는 SAM(self assembled monolayer) 물질을 이용하여 그 패턴 면의 표면 에너지를 기 설정된 레벨로 저하시키거나 혹은 플로린(fiuorine) 계열의 물질을 리지플렉스 몰드의 패턴 면에 증착 또는 코팅하여 그 표면 에너지를 기 설정된 레벨로 저하시켜 사용할 수도 있다. 이것은 리지플렉스 몰드(104)를 기판의 미세 패턴 물질에 가압 접촉시킨 후 분리시킬 때 리지플렉스 몰드가 미세 패턴 물질로부터 잘 분리되도록(즉, 리지플렉스 몰드가 미세 패턴 물질에 접착되는 않도록) 하기 위해서인데, 이러한 표면 에너지 저하 방법은 미세 패턴 물질의 종류 및 몰드의 종류에 대응하여 선택적으로 사용하는 것이 바람직할 것이다.
이어서, 준비된 기판(102)의 미세 패턴 물질 면과 리지플렉스 몰드(104)의 패턴 면이 서로 대향하도록 목표 위치에 정렬시킨 후 준비된 임프린팅 장치의 입구 측에 배치시킨다.
여기에서, 본 발명에 따른 미세 패턴 형성을 위해 사용되는 임프린팅 장치는 한쌍의 실린더형 가압 롤러(106a, 106b)와 이에 일정간격 만큼 이격되어 위치하는 한쌍의 실린더형 냉각 롤러(108a, 108b)를 포함한다. 따라서, 대향 정렬된 리지플렉스 몰드(104)와 기판(102)은 한쌍의 실린더형 가압 롤러(106a, 106b) 측으로 진입 및 진행하여 가압 접촉됨으로써, 기판 상에 형성된 고분자의 미세 패턴 물질이 패터닝(리지플렉스 몰드의 패턴 전이에 따른 패터닝)되고, 한쌍의 실린더형 가압 롤러(106a, 106b)를 지난 이후에도 접촉 상태를 그대로 유지하면서 한쌍의 실린더형 냉각 롤러(108a, 108b) 측으로 진행하게 된다.
이때, 리지플렉스 몰드(104)가 구부러질 수 있는 정도의 유연성을 갖기 때문에 몰드 위에 가해지는 불균일한 압력에도 충분하게 견딜 수 있으며, 무엇보다도 이러한 압력 구배에고 몰드가 깨지지 않는다는 장점을 갖는다(참고문헌3 : Yoo P. J., Choi S. J., Kim j. h., Sub D. C., Back S. J., Kim T. W., Lee H. H., Chem. Mater., 16, 5000(2004)). 따라서, 본 발명에서는 이와 같은 유연한 성질을 이용하여 평판 몰드에서 떼어낸 후 롤링 방식에 적용할 수가 있다. 또한, 본 발명에서는 리지플렉스 몰드 자체가 구부러질 수 있기 때문에 특정한 형태에 구애받지 않고 사용할 수가 있다.
또한, 대향 정렬된 리지플렉스 몰드(104)와 기판(102)을 한쌍의 실린더형 가압 롤러(106a, 106b)로 집입시켜 가압 접촉시키기 전에 리지플렉스 몰드(104)와 실린더형 가압 롤러(106a) 사이에 리지플렉스 몰드(104)에 가해지는 압력을 분산시키기 위한 완충막, 예컨대 리지플렉스 몰드와 거의 동일한 크기를 갖는 완충판(예컨대, PDMS 등)을 삽입하는 것이 필요한데, 이것은 필름 형태의 리지플렉스 몰드에 균일한 압력이 가해지도록 하기 위해서이다.
여기에서, 한쌍의 실린더형 가압 롤러(106a, 106b) 중 어느 하나가 상하 방향으로 이동 가능하도록 설치되어 압력을 발생하게 되는데, 이러한 압력 발생 수단으로는 공압 또는 유압 등을 이용할 수 있으며, 완충막으로는, 예를 들면 PDMS 등을 이용할 수 있다.
상기와는 달리, 일 예로서 도 1에 도시된 바와 같이, 리지플렉스 몰드와 거의 동일한 사이즈를 갖는 완충막을 리지플렉스 몰드(104)와 실린더형 가압 롤러(106a)와 실린더형 냉각 롤러(108a) 사이에 삽입하지 않고, PDMS 등과 같은 완충막(106a1, 108a1)(일명, 코팅막)을 실린더형 가압 롤러(106a)와 실린더형 냉각 롤러(108a)의 표면에 코팅하는 방식으로 채용할 수 있음은 물론이다.
더욱이, 한쌍의 실린더형 가압 롤러(106a, 106b) 중 어느 하나인 실린더형 가압 롤러(106a 또는 106b)의 내부에는 기판 상에 형성된 고분자의 미세 패턴 물질이 박막 전이에 의한 유동성을 가질 수 있도록 유리전이온도 이상으로 온도 조건을 설정하기 위한 가열 수단이 구비되어 있으며, 이러한 가열 수단은 도시 생략된 임프린트 장치의 제어 시스템으로부터의 온도 제어에 따라 공정 온도를 맞추게 된다. 즉, 본 발명은 리지플렉스 몰드가 실린더형 가압 롤러로 유입되면서 압력이 가해져 고온(유리전이온도 이상) 고압의 조건에서 고분자의 미세 패턴을 성형하게 된다.
한편, 한쌍의 실린더형 가압 롤러(106a, 106b)를 통해 가압 접촉된 리지플렉스 몰드(104)와 기판(102)은 접촉 상태를 그대로 유지하면서 앞으로 진행되어 한쌍의 실린더형 가압 롤러(106a, 106b)로부터 일정 간격만큼 이격되어 설치된 한쌍의 실린더형 냉각 롤러(108a, 108b)로 진행하게 되는데, 이때 한쌍의 실린더형 가압 롤러(106a, 106b)와 한쌍의 실린더형 냉각 롤러(108a, 108b) 사이에 있는 리지플렉스 몰드(104)와 기판(102)은 기체압을 상측 또는 하측에서 가해주는 방식으로 서로 밀접한 접촉 상태를 유지하도록 하거나 혹은 그 중간에 한쌍의 유지 롤러를 삽입하여 밀접한 접촉 상태를 유지하도록 할 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 고분자의 미세 패턴 물질이 유동성을 갖기는 하지만, 롤러를 이용한 순차 연속적인 패터닝 후 몰드와 기판이 바로 분리시키는 전술한 종래 방법에서와 같이 기판 상의 패터닝된 미세 패턴이 흘러내리는 문제를 근본적으로 해결할 수 있다.
다음에, 냉각 부분을 구성하는 한쌍의 실린더형 냉각 롤러(108a, 108b)는, 한쌍의 실린더형 가압 롤러(106a, 106b)로부터 일정간격 만큼 이격되어 설치되는데, 한쌍의 실린더형 냉각 롤러(108a, 108b) 중 어느 하나에는 기판(102)을 일정 온도(예컨대, 유리 전이 온도) 이하로 냉각시켜 주기 위한 냉각 수단이 구비되어 있다. 물론, 한쌍의 실린더형 가압 롤러(106a, 106b)를 지나간 리지플렉스 몰드(104)와 기판(102)이 자연스럽게 유리전이온도 이하로 내려갈 수 있는 환경(조건)이라면, 한쌍의 실린더형 냉각 롤러(108a, 108b) 중의 어느 하나에 굳이 냉각 수단을 구비할 필요가 없을 것이다.
따라서, 한쌍의 실린더형 가압 롤러(106a, 106b)를 통해 유리전이온도 이상으로 상승된 리지플렉스 몰드(104)와 기판(102)이 한쌍의 실린더형 냉각 롤러(108a, 108b)를 지나가면서 일정 온도 이하로 냉각되며, 한쌍의 실린더형 냉각 롤러(108a, 108b)를 빠져나간 리지플렉스 몰드(104)와 기판(102)은 자연스럽게 분리( 탈거)되는데, 이것은 리지플렉스 몰드(104)의 양측 종단의 지지 포인트를 기판(102)의 양측 종단의 지지 포인트보다 다소 높게 위치시킴으로써 실현할 수 있다.
즉, 본 발명에 따르면, 구부림이 가능한 정도의 유연성과 탄성을 갖는 리지플렉스 몰드와 두 쌍의 롤러(가압 롤러쌍과 냉각 롤러쌍)를 이용하는 간단한 공정의 연속하는 박막 전이 기법을 통해 기판 상에 목표로 하는 미세 패턴, 예컨대 100㎚ 이하의 미세 패턴을 고정밀하게 형성할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 전체에 압력을 가하지 않고 수평적으로 일부에만 압력을 가하기 때문에 몰드 및 기판에서의 어떠한 손상도 방지할 수 있으며, 가압 롤러를 이용하는 롤링 방식을 채택함으로써 대면적 기판으로의 적용을 효과적으로 실현할 수 있다.
한편, 본 발명의 바람직한 실시 예에서는 단지 하나의 리지플렉스 몰드를 이용하여 기판 상에 미세 패턴을 형성하는 것으로 하여 설명하였으나, 이와는 달리 동일한 형태의 몰드를 다수 개 준비하고, 하나의 기판에 대한 패터닝 공정이 끝난 후 다른 몰드가 약간의 시간차를 두고 공정에 자동 투입되도록 임프린트 장치를 자동화 기기로 구성함으로써, 다수의 기판들에 대한 연속적인 패터닝을 실현할 수 있음은 물론이다.
잘 알려진 바와 같이, 패턴 형성을 위한 임프린트 공정에서 빈 채널에 유동성을 가지는 고분자는 다음과 같은 수학식1을 만족하게 된다.
Figure 112006012189977-pat00001
상기한 수학식 1에서 η(T)는 온도에 따른 고분자의 점도를, T는 온도를, P(t)는 압력을, h는 최종 고분자의 두께를, h0는 초기 고분자의 두께를, Seff는 유효 패턴 사이즈를 각각 나타낸다.
따라서, 도 3에 도시된 바와 같이 PUA 몰드(308)는 처음 들어가는 부분(즉, 한쌍의 실린더형 가압 롤러 측으로 들어가는 부분)부터 PDMS가 맞닿는 부분까지 압력이 가해지게 되고, 그 길이를 L이라고 하고 롤러의 속도를 V라고 할 때, 압력이 가해지는 총 시간은 L/V이 된다. 도 3에 있어서, 참조번호 306은 PET 필름을 나타낸다.
이러한 총 시간을 수학식 1과 비교할 때 맞닿는 시간이 시간 t보다 클 경우 고분자가 채널을 채울 수 있게 되는데, 그렇기 때문에 아래의 수학식2와 같이 조건이 충족될 때 기판에서의 패터닝이 성립된다.
Figure 112006012189977-pat00002
[실험 예]
본 발명의 발명자들은 본 발명에 따라 유연성과 탄성을 갖는 리지플렉스 몰드와 가압 롤러를 이용하는 박막 전이 기법을 통해 기판 상에 미세 패턴을 형성하는 실험을 실시하였는데, 고분자로는 분자량 44,000의 폴리스티렌을 사용하였으며, 온도는 140℃, 실린더형 롤러의 속도는 대략 5㎝/min, 압력은 100bar, 샘플은 300㎚ 두께로 코팅하였고, 맞닿는 부분의 넓이는 대략 3㎜로 하였다.
여기에서, 500㎚의 간격과 높이를 가지는 패턴의 고분자에 압력이 가해지는 시간은 3.2초 정도로, 분자량 58,000의 폴리스티렌이 142℃에서 점도가 1×105Pa·s를 갖는다고 가정할 때, 걸리는 시간이 1.94초로 이보다 작기 때문에 패턴을 형성하기에 충분한 시간임을 알 수 있다. 이때, 더 넓은 면적을 채우기 위해서는 상대적으로 더 높은 온도와 높은 압력을 가하거나 혹은 롤러의 속도를 느리게 하는 공정 조건의 변화를 통해 쉽게 실현할 수 있다.
도 4는 본 발명에 따라 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용하여 500㎚의 고분자 미세 패턴을 형성한 실험 결과의 SEM 사진이다.
도 4a는 마스터 몰드의 모양을 촬상한 사진이고, 도 4b는 마스터 몰드와 동일한 모양의 고분자 패턴을 성형한 결과를 촬상한 사진이며, 도 4c 및 4d는 각각 다른 크기를 갖는 패턴을 기판 상에 형성하여 다양한 각도에서 촬상한 사진으로서, 본 발명의 발명자들은 이러한 실험을 통해 유연성과 탄성을 갖는 몰드와 롤러를 이용하는 롤링 방식의 박막 전이 기법을 통해 기판 상에 몰드 패턴과 거의 동일한 높이를 갖는 고분자 패턴을 성형할 수 있음을 분명하게 알 수 있었다.
도 5는 본 발명에 따라 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용하여 70㎚의 간격을 가지고 높이가 90㎚인 고분자의 미세 패턴을 형성한 실험 결과의 SEM 사진이다.
도 5a는 120㎚의 높이를 갖는 마스터 몰드의 사진이며 사진의 안쪽 확대 부 분은 이 몰드를 가지고 만들어낸 PUA 몰드의 단면으로서, PUA 몰드가 경화되면서 단차가 낮아져 90㎚의 높이를 가짐을 알 수 있다. 또한, 도 5b는 5a에 도시된 PUA 몰드를 이용하여 기판 상에 고분자 패턴을 성형한 결과를 촬상한 사진이다.
따라서, 본 발명의 발명자들은 이러한 실험 결과를 통해 PUA 몰드와 롤러를 이용하는 롤링 방식의 박막 전이 기법을 통해 기판 상에 PUA 몰드 패턴과 거의 동일한 높이를 갖는 고분자 패턴을 성형할 수 있음을 분명하게 알 수 있었다.
이상의 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예들을 제시하여 설명하였으나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함을 것을 쉽게 알 수 있을 것이다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 구부림 가능한 정도의 유연성과 탄성을 가지며 기판 상에 형성하고자 하는 미세 패턴에 대응하는 역상의 패턴이 형성된 리지플렉스 몰드와 고분자의 미세 패턴 물질이 형성된 기판을 서로 대향하는 위치로 정렬시킨 후 일정 간격만큼 이격되어 설치된 두 개의 롤러쌍, 즉 한 쌍의 실린더형 가압 롤러와 한 쌍의 실린더형 냉각 롤러를 이용하는 롤링 방식의 박막 전이 패터닝 기법을 적용함으로써, 기판 상에 목표 단차를 갖는 100㎚ 이하의 미세 패턴을 고정밀하게 형성할 수 있다.
또한, 본 발명은 필름 형태에서의 공정이 가능한 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용하는 연속적인 박막 전이 기법을 적용함으로써, 대면적의 기판 상에도 미세 패 턴을 효과적으로 형성할 수 있다.
더욱이, 본 발명은 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 연속적인 고분자 패터닝 후 미세 패턴의 냉각 시점까지 리지플렉스 몰드와 고분자와의 접촉 상태를 그대로 유지해 줌으로써, 고온 공정에서 형성된 미세 패턴이 흘러내리는 현상을 확실하게 방지할 수 있다.

Claims (17)

  1. 임의의 패턴 면을 갖는 몰드를 이용하는 임프린트 기법으로 기판 상에 목표로 하는 미세 패턴을 형성하는 방법으로서,
    구부림 가능한 정도의 유연성 및 탄성과 미세 패턴 형성이 가능한 정도의 강도를 가지며, 상기 미세 패턴에 대응하는 역상의 패턴이 형성된 리지플렉스 몰드를 준비하는 과정과,
    상기 기판 상에 미세 패턴 물질을 형성하는 과정과,
    상기 리지플렉스 몰드와 상기 기판을 대향하도록 정렬시키는 과정과,
    한쌍의 실린더형 가압 롤러를 이용하는 롤링 방식으로 상기 대향 정렬된 리지플렉스 몰드와 기판을 접촉시키고, 상기 리지플렉스 몰드와 상기 한쌍의 실린더형 가압 롤러 사이에 압력 분산용의 완충막을 게재하여 상기 한쌍의 실린더형 가압롤러를 회전하여 상기 리지플렉스 몰드와 기판을 전진시키면서 상기 리지플렉스 몰드를 상기 기판에 순차 연속적으로 가압 접촉시킴으로써, 상기 미세 패턴 물질을 패터닝하는 과정
    을 포함하는 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 방법은, 상기 리지플렉스 몰드와 기판이 접촉을 유지하는 상태에서 한쌍의 실린더형 냉각 롤러를 통해 상기 기판 상에 형성된 미세 패턴을 냉각시키는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 한쌍의 실린더형 냉각 롤러 중 어느 하나의 롤러 내부에 냉각 수단이 구비되는 것을 특징으로 하는 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 한쌍의 실린더형 가압 롤러 중 어느 하나의 롤러 내부에 가열 수단이 포함되는 것을 특징으로 하는 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 방법은, 상기 한쌍의 실린더형 가압 롤러와 상기 한쌍의 실린더형 냉각 롤러 사이에서의 상기 리지플렉스 몰드와 기판과의 접촉 상태를 기체압을 이용하여 유지하는 것을 특징으로 하는 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 방법은, 상기 한쌍의 실린더형 가압 롤러와 상기 한쌍의 실린더형 냉각 롤러 사이에서의 상기 리지플렉스 몰드와 기판과의 접촉 상태를 한쌍의 롤러를 이 용하여 유지하는 것을 특징으로 하는 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 완충막은, 상기 리지플렉스 몰드에 대응하는 크기로 상기 리지플렉스 몰드와 상기 한쌍의 실린더형 가압 롤러 중 어느 하나 사이에 삽입되는 완충판인 것을 특징으로 하는 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 완충막은, PDMS인 것을 특징으로 하는 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 완충막은, 상기 한쌍의 실린더형 가압 롤러 중 어느 하나의 표면에 코팅된 코팅막인 것을 특징으로 하는 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 완충막은, PDMS인 것을 특징으로 하는 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리지플렉스 몰드는, 유연성을 가지며 자외선(UV) 경화가 가능한 물질 또는 테프론(teflon) 계통의 물질인 것을 특징으로 하는 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리지플렉스 몰드는, polyurethane acrylate(PUA) 몰드인 것을 특징으로 하는 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  13. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방법은, SAM 물질을 이용하여 상기 리지플렉스 몰드의 패턴 면의 표면 에너지를 기 설정된 레벨로 저하시키는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  14. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방법은, 플로린(fiuorine) 계열의 물질을 상기 리지플렉스 몰드의 패턴 면에 증착 또는 코팅하여 그 표면 에너지를 기 설정된 레벨로 저하시키는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  15. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 미세 패턴 물질은, 유리전이온도 이상에서 유동성을 갖는 고분자인 것을 특징으로 하는 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 고분자는, 노보락, PR, PS, PMMA, PVA, PVP, PVPh 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  17. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 상에 형성되는 상기 미세 패턴은, 100㎚ 이하의 미세 패턴인 것을 특징으로 하는 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법.
KR1020060016110A 2006-02-20 2006-02-20 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법 KR100731736B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060016110A KR100731736B1 (ko) 2006-02-20 2006-02-20 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060016110A KR100731736B1 (ko) 2006-02-20 2006-02-20 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100731736B1 true KR100731736B1 (ko) 2007-06-25

Family

ID=38373247

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060016110A KR100731736B1 (ko) 2006-02-20 2006-02-20 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100731736B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101041498B1 (ko) * 2007-09-21 2011-06-16 주식회사 에이앤피 테크 압축성형방법
KR20150069759A (ko) * 2013-12-16 2015-06-24 엘지디스플레이 주식회사 롤 몰드 및 그 제조 방법
EP3456506A4 (en) * 2016-05-09 2019-12-11 Dexerials Corporation REPLICA MASTER FORM, METHOD FOR PRODUCING A REPLICA MASTER FORM, ARTICLES AND METHOD FOR PRODUCING A BODY TO BE FORMED
KR20200116694A (ko) * 2019-04-02 2020-10-13 서울과학기술대학교 산학협력단 패턴 필름의 형성 방법 및 상기 방법에 의해 형성된 패턴 필름
EP3988282A1 (en) * 2016-05-09 2022-04-27 Dexerials Corporation Replica master mold and article

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09189917A (ja) * 1995-11-09 1997-07-22 Canon Inc 液晶素子用の基板、液晶素子、それらの製造方法および装置
KR20040033088A (ko) * 2002-10-11 2004-04-21 강신일 미세형상 구조물의 연속 성형방법 및 그 미세형상의성형을 위한 스탬퍼 제조방법 그리고 그 스탬퍼
KR20050078280A (ko) * 2004-01-29 2005-08-05 주식회사 미뉴타텍 고분자 몰드를 이용한 미세 패턴 형성 방법
KR20060011777A (ko) * 2004-07-29 2006-02-03 후지쯔 가부시끼가이샤 성형 재료 전사 방법, 기판 구조체

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09189917A (ja) * 1995-11-09 1997-07-22 Canon Inc 液晶素子用の基板、液晶素子、それらの製造方法および装置
KR20040033088A (ko) * 2002-10-11 2004-04-21 강신일 미세형상 구조물의 연속 성형방법 및 그 미세형상의성형을 위한 스탬퍼 제조방법 그리고 그 스탬퍼
KR20050078280A (ko) * 2004-01-29 2005-08-05 주식회사 미뉴타텍 고분자 몰드를 이용한 미세 패턴 형성 방법
KR20060011777A (ko) * 2004-07-29 2006-02-03 후지쯔 가부시끼가이샤 성형 재료 전사 방법, 기판 구조체

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101041498B1 (ko) * 2007-09-21 2011-06-16 주식회사 에이앤피 테크 압축성형방법
KR20150069759A (ko) * 2013-12-16 2015-06-24 엘지디스플레이 주식회사 롤 몰드 및 그 제조 방법
KR102148476B1 (ko) 2013-12-16 2020-08-26 엘지디스플레이 주식회사 롤 몰드 및 그 제조 방법
EP3456506A4 (en) * 2016-05-09 2019-12-11 Dexerials Corporation REPLICA MASTER FORM, METHOD FOR PRODUCING A REPLICA MASTER FORM, ARTICLES AND METHOD FOR PRODUCING A BODY TO BE FORMED
EP3988282A1 (en) * 2016-05-09 2022-04-27 Dexerials Corporation Replica master mold and article
KR20200116694A (ko) * 2019-04-02 2020-10-13 서울과학기술대학교 산학협력단 패턴 필름의 형성 방법 및 상기 방법에 의해 형성된 패턴 필름
KR102244646B1 (ko) 2019-04-02 2021-04-23 서울과학기술대학교 산학협력단 패턴 필름의 형성 방법 및 상기 방법에 의해 형성된 패턴 필름

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Ahn et al. High‐speed roll‐to‐roll nanoimprint lithography on flexible plastic substrates
JP5239014B2 (ja) ナノインプリンティング装置及び方法
US9227361B2 (en) Imprint lithography template
Lan et al. Nanoimprint lithography
US7997890B2 (en) Device and method for lithography
Lee et al. Nano-scale patterning using the roll typed UV-nanoimprint lithography tool
CN101990470B (zh) 大面积辊子对辊子的刻印平版印刷
Youn et al. Prototype development of a roller imprint system and its application to large area polymer replication for a microstructured optical device
TWI333131B (en) Imprint lithography
JP6720199B2 (ja) 別個の基板ｉｉをテクスチャリングするための方法
KR100731736B1 (ko) 리지플렉스 몰드와 롤러를 이용한 미세 패턴 형성 방법
TW200848956A (en) Devices and methods for pattern generation by ink lithography
JP2010076219A (ja) ナノインプリントによる基板の加工方法
CN101271269A (zh) 纳米压印设备及方法
JP2012501084A (ja) 改良型ナノインプリント方法
JP2007073696A (ja) パターン形成方法、パターン形成装置およびパターン形成ずみフィルム
KR101015065B1 (ko) 나노임프린트 리소그래피를 이용한 기판상의 금속선 패터닝방법
Park et al. Nanoscale patterning with the double-layered soft cylindrical stamps by means of UV-nanoimprint lithography
Asif et al. Comparison of UV-curable materials for high-resolution polymer nanoimprint stamps
KR101049218B1 (ko) 적용 가압력 제거를 이용한 미세 패턴 형성 방법
Kim et al. Development of a very large-area ultraviolet imprint lithography process
KR100533903B1 (ko) 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법
Haatainen et al. Imprinted 50 nm features fabricated by step and stamp UV imprinting
Zhao et al. Fabrication of multi-dimensional colloid crystals on raised surfaces via reversal nanoimprint lithography
Hocheng et al. Electromagnetic force-assisted imprint technology for fabrication of submicron-structure

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130619

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140619

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150608

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160620

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170524

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190614

Year of fee payment: 13