KR100727022B1 - Organic light emitting diode for emitting ultra violet ray and manufacturing method thereof - Google Patents

Organic light emitting diode for emitting ultra violet ray and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR100727022B1
KR100727022B1 KR1020050078504A KR20050078504A KR100727022B1 KR 100727022 B1 KR100727022 B1 KR 100727022B1 KR 1020050078504 A KR1020050078504 A KR 1020050078504A KR 20050078504 A KR20050078504 A KR 20050078504A KR 100727022 B1 KR100727022 B1 KR 100727022B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
ultraviolet light
inorganic compound
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020050078504A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20070024036A (en
Inventor
이민호
Original Assignee
주식회사 메디아나전자
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 메디아나전자 filed Critical 주식회사 메디아나전자
Priority to KR1020050078504A priority Critical patent/KR100727022B1/en
Publication of KR20070024036A publication Critical patent/KR20070024036A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100727022B1 publication Critical patent/KR100727022B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent

Abstract

본 발명은 자외선 발광을 위한 유기발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판 위에 형성된 기판 위에 형성된 제 1 전극층, 상기 제 1 전극층 위에 형성된 정공주입층, 상기 정공주입층 위에 형성된 정공수송층, 상기 정공수송층 위에 형성되는 제 1 무기화합물층, 상기 제 1 무기화합물층 위에 형성되는 버퍼층과 상기 버퍼층 위에 형성되는 제 2 무기화합물층을 포함하는 자외선 발광층, 상기 자외선 발광층 위에 형성된 전자수송층; 및 상기 전자수송층 위에 형성된 제 2 전극층을 포함하고, 백색-BLU 및 세정을 위한 광원으로 적합한 효과가 있다.The present invention relates to an organic light emitting device for ultraviolet light emission and a method of manufacturing the same, the first electrode layer formed on the substrate formed on the substrate, the hole injection layer formed on the first electrode layer, the hole transport layer formed on the hole injection layer, the hole transport layer An ultraviolet light emitting layer including a first inorganic compound layer formed thereon, a buffer layer formed on the first inorganic compound layer, and a second inorganic compound layer formed on the buffer layer, and an electron transport layer formed on the ultraviolet light emitting layer; And a second electrode layer formed on the electron transport layer and having a white-BLU and a light source for cleaning.

자외선 발광, 버퍼층, 우물구조, 무기화합물, 유기화합물, 금속-절연층-반도체(MIS) UV light emission, buffer layer, well structure, inorganic compound, organic compound, metal-insulation layer-semiconductor (MIS)

Description

자외선 발광을 위한 유기발광소자 및 그 제조방법{Organic light emitting diode for emitting ultra violet ray and manufacturing method thereof}Organic light emitting diode for emitting ultraviolet light and manufacturing method thereof

도 1은 종래의 유기발광소자의 구조도이다.1 is a structural diagram of a conventional organic light emitting device.

도 2는 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 유기발광소자의 구조도이다2 is a structural diagram of an organic light emitting device for ultraviolet light emission according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 발광층의 구조도이다.3 is a structural diagram of a light emitting layer for ultraviolet light emission according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 발광층의 또 다른 구조도이다.4 is another structural diagram of a light emitting layer for ultraviolet light emission according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

1 : 기판 2 : 제 1 전극층1 substrate 2 first electrode layer

3 : 정공 주입층 4 : 정공 수송층3: hole injection layer 4: hole transport layer

5 : 발광층 6 : 전자수송층5: light emitting layer 6: electron transport layer

7 : 제 2 전극층 100 : 자외선 발광층7: second electrode layer 100: ultraviolet light emitting layer

101a , 101b, 101c : 무기화합물층101a, 101b, 101c: inorganic compound layer

102 : 버퍼층102: buffer layer

103 : 절연층 104 : 박막금속층103: insulating layer 104: thin film metal layer

105 : 버퍼층105: buffer layer

본 발명은 자외선 발광을 위한 유기발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 자외선 발광을 위하여, 무기화합물층과 유기 또는 무기 화합물층의 버퍼층을 구비하여 양자우물구조, 또는 금속-절연테-반도체 구조를 갖는 자외선 발광층으로 이루어진 유기발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device for ultraviolet light emission, and to a method of manufacturing the same, and more particularly, for the ultraviolet light emission, having an inorganic compound layer and a buffer layer of an organic or inorganic compound layer quantum well structure, or metal-insulating frame-semiconductor An organic light emitting device having an ultraviolet light emitting layer having a structure and a method of manufacturing the same.

유기발광다이오드는 바람직한 특성으로 인하여 삼색광(적색, 청색, 녹색)을 기본으로 하는 디스플레이소자로의 적용에 적합하다. Organic light emitting diodes are suitable for application to display devices based on tricolor light (red, blue, green) due to their desirable properties.

또한 유기발광다이오드는 그 제작 방법이 용이하며, 발광특성 및 효율 등이 좋아 향후, 조명 및 타 분야의 광원으로 적용이 가능하다. In addition, the organic light emitting diode is easy to manufacture the method, and the light emitting characteristics and efficiency is good, it can be applied as a light source in the future lighting and other fields.

도 1은 일반적인 가시광선의 파장을 발광하기 위한 유기발광소자의 기본 구조를 도시한다. 1 shows a basic structure of an organic light emitting device for emitting a wavelength of a general visible light.

상기 가시광 영역의 파장 발광을 위한 유기발광소자는 기판(1) 위에 형성된 제 1 전극층(2), 상기 제 1 전극층 위에 형성된 정공주입층(3), 상기 정공주입층(3) 위에 형성된 정공수송층(4), 상기 정공수송층(4) 위에 형성된 가시광 영역의 파장을 발광하기 위한 발광층(5), 상기 발광층(5) 위에 형성된 전자수송층(6) 및 상기 전자수송층(6) 위에 형성된 제 2 전극층(7)을 포함한다. The organic light emitting diode for emitting light in the visible region includes a first electrode layer 2 formed on the substrate 1, a hole injection layer 3 formed on the first electrode layer, and a hole transport layer formed on the hole injection layer 3. 4), a light emitting layer 5 for emitting a wavelength of a visible light region formed on the hole transport layer 4, an electron transport layer 6 formed on the light emitting layer 5 and a second electrode layer 7 formed on the electron transport layer 6 ).

그런데, 광의 자외선 영역은 백색광을 위한 형광체의 여기 광원, 검출을 위한 형광체의 여기 광원, 살균 및 소독을 위한 광원 등으로 적용된다. By the way, the ultraviolet region of the light is applied to the excitation light source of the phosphor for white light, the excitation light source of the phosphor for detection, the light source for sterilization and disinfection.

이때 주로 사용되는 LED, LD 및 기타 광원은 점광원으로서 넓은 면적의 발광을 위해서는 상기 점광원의 어레이 형태의 배열을 통하여 형성할 수 있으나, 소자 의 열방출 특성, 패키징 특성 등의 문제로 인하여 넓은 면적을 위한 광원의 제작이 어려운 상태이다.At this time, mainly used LED, LD and other light sources can be formed through the arrangement of the array of the point light source to emit a large area as a point light source, but a large area due to problems such as heat emission characteristics, packaging characteristics of the device It is difficult to produce a light source for the.

종래 기술인 미국특허 5,898,185 에 의하면 무기물과 유기물을 동시에 적용한 하이브리드 LED 및 그 제조 방법이 개시되어 있다. According to the prior art US Patent 5,898, 185 discloses a hybrid LED and a method of manufacturing the same applied to inorganic and organic materials at the same time.

그러나 상기 미국 특허는 제작된 LED 소자에 유기물을 코팅하여 발광하는 방식으로 기본적인 구조는 LED이므로 면광원으로서 적용이 어려운 문제점이 있다.However, the US patent has a problem in that it is difficult to apply as a surface light source because the basic structure is an LED by emitting an organic material coated on the produced LED device.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 그 목적은 정공수송층 위에 형성된 무기화합물층, 상기 무기화합물층 위에 버퍼층, 상기 버퍼층 위에 형성되는 동종 또는 이종의 무기화합물층을 포함하여 자외선 파장을 여기하는 유기발광소자의 발광층의 구조 및 그 형성 방법을 제공하는 것이다.The present invention has been proposed to solve the above problems, and an object thereof is to excite ultraviolet wavelengths including an inorganic compound layer formed on a hole transport layer, a buffer layer on the inorganic compound layer, and a homogeneous or heterogeneous inorganic compound layer formed on the buffer layer. It is to provide a structure of the light emitting layer of the organic light emitting device and a method of forming the same.

상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 유기발광소자는 기판 위에 형성된 기판 위에 형성된 제 1 전극층, 상기 제 1 전극층 위에 형성된 정공주입층, 상기 정공주입층 위에 형성된 정공수송층, 상기 정공수송층 위에 형성되는 제 1 무기화합물층, 상기 제 1 무기화합물층 위에 형성되는 버퍼층과 상기 버퍼층 위에 형성되는 제 2 무기화합물층을 포함하는 자외선 발광층, 상기 자외선 발광층 위에 형성된 전자수송층; 및 상기 전자수송층 위에 형성된 제 2 전극층을 포함한다.The organic light emitting device for ultraviolet light emission according to the present invention for achieving the above object is a first electrode layer formed on a substrate formed on a substrate, a hole injection layer formed on the first electrode layer, a hole transport layer formed on the hole injection layer, the An ultraviolet light emitting layer including a first inorganic compound layer formed on the hole transport layer, a buffer layer formed on the first inorganic compound layer, and a second inorganic compound layer formed on the buffer layer, and an electron transport layer formed on the ultraviolet light emitting layer; And a second electrode layer formed on the electron transport layer.

또한, 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 유기발광소자에 있어서, 상기 자 외선 발광층을 구성하는 상기 제 1 무기화합물층과 상기 제 2 무기화합물층은 동종 또는 이종의 무기화합물인 것을 특징으로 한다.In addition, in the organic light emitting device for ultraviolet light emission according to the present invention, the first inorganic compound layer and the second inorganic compound layer constituting the ultraviolet light emitting layer is characterized in that the same or different types of inorganic compounds.

또한, 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 유기발광소자에 있어서, 상기 자외선 발광층을 구성하는 상기 무기화합물층은 밴드갭 에너지가 3.0~6.5eV 인 3족과 5족, 또는 2족과 4족의 화합물로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the organic light emitting device for ultraviolet light emission according to the present invention, the inorganic compound layer constituting the ultraviolet light emitting layer is a compound of group 3 and 5, or group 2 and 4 having a bandgap energy of 3.0 ~ 6.5eV It is characterized in that the configuration.

또한, 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 유기발광소자에 있어서, 상기 버퍼층은 상기 무기화합물보다 밴드갭 에너지가 작은 유기화합물로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the organic light emitting device for ultraviolet light emission according to the present invention, the buffer layer is characterized in that the organic compound having a bandgap energy is smaller than the inorganic compound.

또한, 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 유기발광소자에 있어서, 상기 버퍼층은 N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine (TPD), N, N`-di(naphthalene-1-yl)-N,N`-diphenyl-benzidine (alpha-NPD), copper phthalocyanine (CuPc), N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine (alpha-NPB), N,N'-Di(naphthalen-2-yl)-N,N'-diphenyl-benzine (beta-NPB), 4,4',4''-Tris(N-(naphthylen-1-yl)-N-phenylamino)triphenylamine (1-TNATA), 4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP, DCPB), 4,4',4"-Tris(N,N-diphenyl-amino)-triphenylamine (TDATA), Titanium(IV) oxide phthalocyanine (TiOPc), 1,3,5-tris(phenyl-2-benzimidazolyl)-benzene 또는 2,2',2"-(1,3,5-benzenetryl)tris(1-phenyl)-1H-benzimid-azol (TBPI), 4,4',4"-Trismethyl-triphenylamine (TTA), 4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine (MTDATA) 에서 선택되는 것을 특징으로 하는 것이다.In addition, in the organic light emitting device for ultraviolet light emission according to the present invention, the buffer layer is N, N'-Bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis- (phenyl) -benzidine (TPD), N, N `-di (naphthalene-1-yl) -N, N`-diphenyl-benzidine (alpha-NPD), copper phthalocyanine (CuPc), N, N'-Bis (naphthalen-1-yl) -N, N'- bis (phenyl) benzidine (alpha-NPB), N, N'-Di (naphthalen-2-yl) -N, N'-diphenyl-benzine (beta-NPB), 4,4 ', 4' '-Tris ( N- (naphthylen-1-yl) -N-phenylamino) triphenylamine (1-TNATA), 4,4'-Bis (carbazol-9-yl) biphenyl (CBP, DCPB), 4,4 ', 4 "-Tris (N, N-diphenyl-amino) -triphenylamine (TDATA), Titanium (IV) oxide phthalocyanine (TiOPc), 1,3,5-tris (phenyl-2-benzimidazolyl) -benzene or 2,2 ', 2 "- (1,3,5-benzenetryl) tris (1-phenyl) -1H-benzimid-azol (TBPI), 4,4 ', 4 "-Trismethyl-triphenylamine (TTA), 4,4', 4" -Tris ( N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamine (MTDATA).

또한, 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 유기발광소자에 있어서, 상기 무기화합물층은 GaN, BN, AlN, MgS, ZnS, MgSe, AlGaN, AlInGaP, InGaN에서 선택되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the organic light emitting device for ultraviolet light emission according to the present invention, the inorganic compound layer is characterized in that selected from GaN, BN, AlN, MgS, ZnS, MgSe, AlGaN, AlInGaP, InGaN.

또한, 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 유기발광소자에 있어서, 상기 무기화합물층과 버퍼층은 반복되어 상기 자외선 발광층이 형성되는 것을 특징으로 한다.Further, in the organic light emitting device for ultraviolet light emission according to the present invention, the inorganic compound layer and the buffer layer is characterized in that the ultraviolet light emitting layer is formed.

한편, 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 또 다른 유기발광소자는 기판 위에 형성된 제 1 전극층, 상기 제 1 전극층 위에 형성된 정공주입층, 상기 정공주입층 위에 형성된 정공수송층, 상기 정공수송층 위에 형성되는 무기화합물층, 상기 무기화합물층 위에 형성되는 절연층, 상기 절연층 위에 형성되는 박막형태의 금속 전극을 포함하는 자외선 발광층, 상기 자외선 발광층 위에 형성된 전자수송층 및 상기 전자수송층 위에 형성된 제 2 전극층을 포함한다.Meanwhile, another organic light emitting diode for ultraviolet light emission according to the present invention includes a first electrode layer formed on a substrate, a hole injection layer formed on the first electrode layer, a hole transport layer formed on the hole injection layer, and an inorganic compound layer formed on the hole transport layer. And an ultraviolet light emitting layer including an insulating layer formed on the inorganic compound layer, a thin film metal electrode formed on the insulating layer, an electron transport layer formed on the ultraviolet light emitting layer, and a second electrode layer formed on the electron transport layer.

또한, 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 유기발광소자에 있어서, 상기 자외선 발광층은 상기 무기화합물층, 상기 절연층, 상기 금속 전극이 버퍼층을 추가로 개재하고 반복하여 형성되는 것을 특징으로 하는 것이다.In addition, in the organic light emitting device for ultraviolet light emission according to the present invention, the ultraviolet light emitting layer is characterized in that the inorganic compound layer, the insulating layer, the metal electrode is formed repeatedly through an additional buffer layer.

또한, 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 유기발광소자에 있어서, 상기 버퍼층은 LiF, CsF, MgF2, CaF2, LiO2, NaF, NaCl, KCl, K2O, RbCl, Cs2O, 또는 N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine (TPD), N, N`-di(naphthalene-1-yl)-N,N`-diphenyl-benzidine (alpha-NPD), copper phthalocyanine (CuPc), N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine (alpha-NPB), N,N'-Di(naphthalen-2-yl)-N,N'-diphenyl-benzine (beta-NPB), 4,4',4''-Tris(N-(naphthylen-1-yl)-N-phenylamino)triphenylamine (1-TNATA), 4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP, DCPB), 4,4',4"-Tris(N,N-diphenyl-amino)-triphenylamine (TDATA), Titanium(IV) oxide phthalocyanine (TiOPc), 1,3,5-tris(phenyl-2-benzimidazolyl)-benzene 또는 2,2',2"-(1,3,5-benzenetryl)tris(1-phenyl)-1H-benzimid-azol (TBPI), 4,4',4"-Trismethyl-triphenylamine (TTA), 4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine (MTDATA)에서 선택되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the organic light emitting device for ultraviolet light emission according to the present invention, the buffer layer is LiF, CsF, MgF 2 , CaF 2 , LiO 2 , NaF, NaCl, KCl, K 2 O, RbCl, Cs 2 O, or N , N'-Bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis- (phenyl) -benzidine (TPD), N, N`-di (naphthalene-1-yl) -N, N`-diphenyl-benzidine ( alpha-NPD), copper phthalocyanine (CuPc), N, N'-Bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine (alpha-NPB), N, N'-Di (naphthalen- 2-yl) -N, N'-diphenyl-benzine (beta-NPB), 4,4 ', 4''-Tris (N- (naphthylen-1-yl) -N-phenylamino) triphenylamine (1-TNATA) , 4,4'-Bis (carbazol-9-yl) biphenyl (CBP, DCPB), 4,4 ', 4 "-Tris (N, N-diphenyl-amino) -triphenylamine (TDATA), Titanium (IV) oxide phthalocyanine (TiOPc), 1,3,5-tris (phenyl-2-benzimidazolyl) -benzene or 2,2 ', 2 "-(1,3,5-benzenetryl) tris (1-phenyl) -1H-benzimid- selected from azol (TBPI), 4,4 ', 4 "-Trismethyl-triphenylamine (TTA), 4,4', 4" -Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamine (MTDATA) It is characterized by.

또한, 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 유기발광소자에 있어서, 상기 버퍼층의 두께는 10nm를 넘지 않는 것을 특징으로 한다.In addition, in the organic light emitting device for ultraviolet light emission according to the present invention, the buffer layer is characterized in that the thickness does not exceed 10nm.

또한, 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 유기발광소자에 있어서, 상기 절연층은 LiF, CsF, MgF2, CaF2, LiO2, NaF, NaCl, KCl, K2O, RbCl, Cs2O 군 중에서 선택되며 바람직하게는 알칼리 금속과 플루오렌의 화합물로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the organic light emitting device for ultraviolet light emission according to the present invention, the insulating layer is LiF, CsF, MgF 2 , CaF 2 , LiO 2 , NaF, NaCl, KCl, K 2 O, RbCl, Cs 2 O group And is preferably composed of a compound of an alkali metal and fluorene.

또한, 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 유기발광소자에 있어서, 상기 박막형태의 금속은 Al, Ag, 리튬알루미늄합금, 마그네슘은합금으로서 100Å 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 한다.In addition, in the organic light emitting device for ultraviolet light emission according to the present invention, the thin metal is characterized in that the Al, Ag, lithium aluminum alloy, magnesium silver alloy having a thickness of less than 100Å.

또한, 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 유기발광소자에 있어서, 자외선광 을 백색광으로 변환하기 위하여 상기 기판의 하부면에 도포되는 R, G, B 형광체 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the organic light emitting device for emitting ultraviolet light according to the present invention, characterized in that it further comprises at least one of R, G, B phosphor applied to the lower surface of the substrate to convert the ultraviolet light into white light. .

한편, 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 유기발광소자의 제조방법은 기판 위에 제 1 전극층을 형성하는 단계, 상기 제 1전극층 위에 정공주입층을 형성하는 단계, 상기 정공주입층 위에 정공수송층을 형성하는 단계, 상기 정공수송층 위에 무기화합물층과 그 사이에 형성되는 버퍼층을 포함하는 자외선 발광층을 형성하는 단계, 상기 자외선 발광층 위에 전자수송층을 형성하는 단계 및 상기 전자수송층 위에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.On the other hand, the method of manufacturing an organic light emitting device for ultraviolet light emission according to the present invention comprises the steps of forming a first electrode layer on the substrate, forming a hole injection layer on the first electrode layer, forming a hole transport layer on the hole injection layer Forming an ultraviolet light emitting layer including an inorganic compound layer on the hole transport layer and a buffer layer formed therebetween; forming an electron transporting layer on the ultraviolet light emitting layer; and forming a second electrode layer on the electron transporting layer. .

또한, 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 유기발광소자의 또 다른 제조방법은, 기판 위에 제 1 전극층을 형성하는 단계, 상기 제 1전극층 위에 정공주입층을 형성하는 단계, 상기 정공주입층 위에 정공수송층을 형성하는 단계, 상기 정공수송층 위에 무기화합물층과 상기 무기화합물층 위에 절연층과, 상기 절연층 위에 박막형태의 금속 전극을 포함하는 자외선 발광층을 형성하는 단계, 상기 자외선 발광층 위에 전자수송층을 형성하는 단계 및 상기 전자수송층 위에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.In addition, another method of manufacturing an organic light emitting device for ultraviolet light according to the present invention comprises the steps of: forming a first electrode layer on the substrate, forming a hole injection layer on the first electrode layer, a hole transport layer on the hole injection layer Forming an ultraviolet light emitting layer including an inorganic compound layer on the hole transport layer, an insulating layer on the inorganic compound layer, and a thin metal electrode on the insulating layer, and forming an electron transport layer on the ultraviolet light emitting layer; And forming a second electrode layer on the electron transport layer.

또한, 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 유기발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 무기화합물층은 제 1 무기화합물층, 상기 제 1 무기화합물층 위에 형성되는 유기화합물의 버퍼층과 상기 버퍼층 위에 형성되는 제 2 무기화합물층을 포함하는 것을 특징으로 한다.Further, in the method of manufacturing an organic light emitting device for ultraviolet light emission according to the present invention, the inorganic compound layer is a first inorganic compound layer, a buffer layer of an organic compound formed on the first inorganic compound layer and a second inorganic compound layer formed on the buffer layer Characterized in that it comprises a.

또한, 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 유기발광소자의 제조방법에 있어 서, 상기 기판의 하부면에 R, G, B 형광체 중 적어도 어느 하나를 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the method of manufacturing an organic light emitting device for ultraviolet light emission according to the present invention, characterized in that it further comprises the step of applying at least one of the R, G, B phosphor on the lower surface of the substrate.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도2는 본 발명의 목적을 이루기 위한 자외선 발광층을 포함하는 유기발광다이오드의 개략도이다. 2 is a schematic view of an organic light emitting diode including an ultraviolet light emitting layer for achieving the object of the present invention.

본 발명의 목적을 이루기 위하여, 본 발명에 따른 유기발광소자의 발광층(100)의 개략적 구조는 도 2의 (a)에 도시된 구성에서, 기판(1) 위에 형성된 제 1 전극층(2), 상기 제 1 전극층 위에 형성된 정공주입층(3), 상기 정공주입층(3) 위에 형성된 정공수송층(4), 상기 정공수송층(4) 위에 형성되는 자외선 발광층(100)이 형성되며 및 상기 자외선 발광층(100) 위에 형성된 전자수송층(6) 및 상기 전자수송층(6) 위에 형성된 제 2 전극층(7)을 포함한다.In order to achieve the object of the present invention, the schematic structure of the light emitting layer 100 of the organic light emitting device according to the present invention, in the configuration shown in Figure 2 (a), the first electrode layer (2) formed on the substrate 1, the A hole injection layer 3 formed on the first electrode layer, a hole transport layer 4 formed on the hole injection layer 3, an ultraviolet light emitting layer 100 formed on the hole transport layer 4, and the ultraviolet light emitting layer 100 ) And a second electrode layer 7 formed on the electron transport layer 6.

또한, 상기 자외선 발광층(100)의 상세 구성은 도2의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 정공수송층 위에 형성되는 무기화합물층(101a), 상기 무기화합물층(101a) 위에 형성되는 버퍼층(102)과 상기 버퍼층(102) 위에 형성되는 무기화합물층(101b)을 포함하는 것을 특징으로 한다.  In addition, the detailed configuration of the ultraviolet light emitting layer 100, as shown in Figure 2 (b), the inorganic compound layer 101a formed on the hole transport layer, the buffer layer 102 formed on the inorganic compound layer 101a and It characterized in that it comprises an inorganic compound layer (101b) formed on the buffer layer (102).

여기에서, 상기 무기화합물층(101a)과 상기 무기화합물층(101b)은 동종 또는 이종의 무기화합물로 구성될 수 있다. Here, the inorganic compound layer 101a and the inorganic compound layer 101b may be composed of the same kind or different kinds of inorganic compounds.

상기 자외선 발광층(100)을 구성하는 무기화합물은 밴드갭 에너지가 3.0~6.5eV 인 3족과 5족, 또는 2족과 4족의 화합물로 구성된다. The inorganic compound constituting the ultraviolet light emitting layer 100 is composed of Group 3 and 5, or Group 2 and 4 compounds having a bandgap energy of 3.0 to 6.5 eV.

특히, 상기 무기 화합물로서 바람직하게 GaN, BN, AlN, MgS, ZnS, MgSe, AlGaN, AlInGaP, InGaN 군중에서 선택된다. In particular, the inorganic compound is preferably selected from GaN, BN, AlN, MgS, ZnS, MgSe, AlGaN, AlInGaP, InGaN crowd.

또한, 상기 버퍼층(102)으로는 상기 무기화합물보다 밴드갭 에너지가 작은 유기화합물로 구성된다. In addition, the buffer layer 102 is composed of an organic compound having a band gap energy smaller than that of the inorganic compound.

특히, 상기 유기화합물은 바람직하게 N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine (TPD), N, N`-di(naphthalene-1-yl)-N,N`-diphenyl-benzidine (alpha-NPD), copper phthalocyanine (CuPc), N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine (alpha-NPB), N,N'-Di(naphthalen-2-yl)-N,N'-diphenyl-benzine (beta-NPB), 4,4',4''-Tris(N-(naphthylen-1-yl)-N-phenylamino)triphenylamine (1-TNATA), 4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP, DCPB), 4,4',4"-Tris(N,N-diphenyl-amino)-triphenylamine (TDATA), Titanium(IV) oxide phthalocyanine (TiOPc), 1,3,5-tris(phenyl-2-benzimidazolyl)-benzene 또는 2,2',2"-(1,3,5-benzenetryl)tris(1-phenyl)-1H-benzimid-azol (TBPI), 4,4',4"-Trismethyl-triphenylamine (TTA), 4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine (MTDATA) 군중에서 선택된다. In particular, the organic compound is preferably N, N'-Bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis- (phenyl) -benzidine (TPD), N, N`-di (naphthalene-1-yl)- N, N`-diphenyl-benzidine (alpha-NPD), copper phthalocyanine (CuPc), N, N'-Bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine (alpha-NPB), N, N'-Di (naphthalen-2-yl) -N, N'-diphenyl-benzine (beta-NPB), 4,4 ', 4' '-Tris (N- (naphthylen-1-yl) -N -phenylamino) triphenylamine (1-TNATA), 4,4'-Bis (carbazol-9-yl) biphenyl (CBP, DCPB), 4,4 ', 4 "-Tris (N, N-diphenyl-amino) -triphenylamine (TDATA), Titanium (IV) oxide phthalocyanine (TiOPc), 1,3,5-tris (phenyl-2-benzimidazolyl) -benzene or 2,2 ', 2 "-(1,3,5-benzenetryl) tris ( 1-phenyl) -1H-benzimid-azol (TBPI), 4,4 ', 4 "-Trismethyl-triphenylamine (TTA), 4,4', 4" -Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino ) -triphenylamine (MTDATA) is chosen from the crowd.

도3은 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 자외선 발광층의 일 실시예에 따른 구조도이다.3 is a structural diagram according to an embodiment of an ultraviolet light emitting layer for ultraviolet light emission according to the present invention.

도 3을 참조하면, 자외선 발광층을 이루는 상기 정공수송층(4) 위에 형성되는 제 1 무기화합물층(101a)은 Ⅲ-Ⅴ족 무기화합물로 이루어지고, 버퍼층(102) 위에 형성되는 또 다른 제 2 무기화합물층(102b)도 동종인 Ⅲ-Ⅴ족 무기화합물을 포 함하며, 도2의 (b)에 도시된 구조를 반복하여 자외선 발광층(100)을 구성할 수 있다. Referring to FIG. 3, the first inorganic compound layer 101a formed on the hole transport layer 4 constituting the ultraviolet light emitting layer is made of a group III-V inorganic compound and another second inorganic compound layer formed on the buffer layer 102. Reference numeral 102b also includes the same group III-V inorganic compound, and the ultraviolet light emitting layer 100 may be configured by repeating the structure shown in FIG.

여기서, 상기 제 1, 제 2 무기화합물은 3족-5족, 또는 2족-4족의 화합물 중에서 동종 또는 이종의 화합물을 선택할 수 있음은 상술한 바와 같다.Herein, the first and second inorganic compounds may be selected from the same or different compounds among the Group 3-Group 5 or the Group 2-Group 4 compounds as described above.

상기 자외선을 발광하는 유기발광소자의 자외선 발광층(100)의 구성은 상대적으로 큰 밴드갭 에너지를 갖는 무기화합물(101a, 101b)과 상대적으로 낮은 밴드갭 에너지를 갖는 유기화합물의 버퍼층(102)의 반복된 접합 구조로서 이는 다수의 양자 우물(quantum well) 구조를 형성한다. The structure of the ultraviolet light emitting layer 100 of the organic light emitting device that emits ultraviolet light is repeated of the inorganic compound (101a, 101b) having a relatively large bandgap energy and the buffer layer 102 of the organic compound having a relatively low bandgap energy Junction structure, which forms a plurality of quantum well structures.

양극(2)에서 주입되는 정공과 음극(7)에서 주입되는 전자는 양자 우물구조에 축척되어 다수의 정공과 전자를 상기 발광층(100) 내부에 포함하여 발광 시 그 재결합 효율을 향상시켜 결국 그 특성을 향상시킨다. The holes injected from the anode 2 and the electrons injected from the cathode 7 are accumulated in the quantum well structure to include a plurality of holes and electrons in the light emitting layer 100 to improve the recombination efficiency during light emission, and thus the characteristics thereof. To improve.

한편, 본 발명에 따른 또 다른 구조의 발광층의 구성을 도 4에 나타내었다. On the other hand, the configuration of the light emitting layer of another structure according to the present invention is shown in FIG.

도 4는 본 발명에 따른 자외선 발광을 위한 자외선 발광층(100)의 또 다른 구조도이다.4 is another structural diagram of the ultraviolet light emitting layer 100 for ultraviolet light emission according to the present invention.

자외선을 발광하는 유기발광소자의 자외선 발광층(100)의 구성은 도4의 (a)에 도시된 바와 같이 상기 정공수송층(4) 위에 형성되는 무기화합물층(101c), 상기 무기화합물층(101c) 위에 형성되는 절연층(103), 상기 절연층(103) 위에 형성되는 박막형태의 금속 전극(104)을 포함한다. The ultraviolet light emitting layer 100 of the organic light emitting device emitting ultraviolet light is formed on the inorganic compound layer 101c and the inorganic compound layer 101c formed on the hole transport layer 4 as shown in FIG. The insulating layer 103 is formed, and the metal electrode 104 in the form of a thin film formed on the insulating layer 103 is included.

상기 절연층(103)은 바람직하게 알칼리 금속과 플루오렌의 화합물로 구성된다. The insulating layer 103 is preferably composed of a compound of an alkali metal and fluorene.

상기 절연층(103)은 LiF, CsF, MgF2, CaF2, LiO2, NaF, NaCl, KCl, K2O, RbCl, Cs2O 군 중에서 선택되며 바람직하게 알칼리 금속과 플루오렌의 화합물로 구성된다. The insulating layer 103 is selected from the group of LiF, CsF, MgF 2 , CaF 2 , LiO 2 , NaF, NaCl, KCl, K 2 O, RbCl, Cs 2 O and is preferably composed of a compound of alkali metal and fluorene do.

박막형태의 금속 전극(104)은 Al, Ag, 리튬알루미늄합금, 마그네슘은합금 등으로서 100Å 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 한다.The metal electrode 104 in the form of a thin film is Al, Ag, lithium aluminum alloy, magnesium silver alloy, or the like, and has a thickness of 100 GPa or less.

도4의 (a)에 도시된 상기 구조는 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor, MIS) 구조로서 상기 무기화합물층(101c)과 금속박막(104)사이에 절연층(103)이 삽입된 형태로서 이는 금속과 무기화합물의 페르미준위를 낮추고 이로 인하여 전도대와 가전자대의 에너지 준위를 동반 하락 시킨다. The structure shown in FIG. 4A is a metal-insulator-semiconductor (MIS) structure, and an insulating layer 103 is inserted between the inorganic compound layer 101c and the metal thin film 104. In a reduced form, it lowers the Fermi level of metals and inorganic compounds, thereby lowering the energy levels of the conduction and valence bands.

이로 인하여 제 1 전극(2)과 제 2 전극(7)에서 주입되는 정공과 전자의 이동은 더욱 가속되며, 이로 인한 정공과 전자의 농도를 발광층(100) 내부에서 향상시킨다. As a result, the movement of holes and electrons injected from the first electrode 2 and the second electrode 7 is further accelerated, thereby improving the concentration of holes and electrons in the light emitting layer 100.

도4의 (b)에 도시된 구조는 상기 금속-절연층-반도체(MIS) 구조가 복수개가 연결되어 포함된 자외선 발광층(100)이 형성되는 경우를 도시한다.4B illustrates a case in which the ultraviolet light emitting layer 100 including the plurality of metal-insulating layer-semiconductor (MIS) structures are connected to each other is formed.

도4의 (b)에 도시된 구조에서 추가된 버퍼층(105)은 이전 형성된 발광층(100)의 반도체면과 상기 반도체 면 위에 형성되는 다른 발광층(100)의 금속층(104)과의 접합력 향상 및 캐리어 주입 효율 향상을 위한 버퍼층이다.The buffer layer 105 added in the structure shown in FIG. 4B improves the bonding strength and carrier between the semiconductor surface of the previously formed light emitting layer 100 and the metal layer 104 of another light emitting layer 100 formed on the semiconductor surface. A buffer layer for improving the injection efficiency.

여기에서, 상기 버퍼층(105)은 도2, 3에 도시된 양자 우물구조의 형성을 위한 버퍼층(102)과 동종인 유기화합물로 구성될 수 있으며, 또한 상술한 절연층 (103)을 위한 구성 요소에서 선택될 수도 있다. Here, the buffer layer 105 may be composed of an organic compound of the same kind as the buffer layer 102 for forming the quantum well structure shown in FIGS. 2 and 3, and also in the components for the insulating layer 103 described above. It may be chosen.

상기 금속-절연층-반도체 구조가 복수개 연결 형성된 자외선 발광층(100)에 있어서 상기 버퍼층(105)의 두께는 10nm를 넘지 않는 범위가 바람직하다. In the ultraviolet light emitting layer 100 in which a plurality of metal-insulating layer-semiconductor structures are connected, the thickness of the buffer layer 105 is preferably within a range not exceeding 10 nm.

한편, 상기 자외선 영역에서 발광하는 유기발광소자의 제조 방법에 있어서, 유기발광소자를 구성하는 자외선 발광층(100)의 구성에서 상기 무기화합물층(101c) 대신에 도2에 도시된 바와 같이 무기화합물(101a), 버퍼층(102), 무기화합물(101b)을 배치하는 구성에 의하여, 상기 금속-절연층-반도체(MIS) 구조는 양자우물구조를 동시에 형성할 수 있다.Meanwhile, in the method of manufacturing an organic light emitting device that emits light in the ultraviolet region, the inorganic compound 101a as shown in FIG. 2 instead of the inorganic compound layer 101c in the structure of the ultraviolet light emitting layer 100 constituting the organic light emitting device. ), The buffer layer 102 and the inorganic compound 101b can be arranged so that the metal-insulating layer-semiconductor (MIS) structure can simultaneously form a quantum well structure.

이때, 상기 무기화합물층은 제 1 무기화합물층(101a), 상기 제 1 무기화합물층 위에 형성되는 유기 화합물로 이루어지는 버퍼층(102), 상기 버퍼층(102) 위에 형성되는 제 2 무기화합물층(101b)으로 구성된다.In this case, the inorganic compound layer includes a first inorganic compound layer 101a, a buffer layer 102 made of an organic compound formed on the first inorganic compound layer, and a second inorganic compound layer 101b formed on the buffer layer 102.

상기 구조는 유기발광소자를 구성하는 자외선 발광층(100)의 구조로서 UV 발광 및 그 특성향상을 위한 구조로 효율을 제고할 수 있을 것이다. The structure is a structure of the ultraviolet light emitting layer 100 constituting the organic light emitting device will be able to improve the efficiency as a structure for improving the UV light emission and its characteristics.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 자외선 발광을 위한 유기발광소자와 그 제조방법은 백색-BLU 및 세정을 위한 광원으로 적합한 효과가 있다.As described above, the organic light emitting device for ultraviolet light emission and the method of manufacturing the same according to the present invention have a white-BLU and a light source for cleaning.

이상에서 본 발명은 기재된 구체적인 실시예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the specific embodiments described, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications belong to the appended claims. .

Claims (18)

기판 위에 형성된 제 1 전극층;A first electrode layer formed on the substrate; 상기 제 1 전극층 위에 형성된 정공주입층;A hole injection layer formed on the first electrode layer; 상기 정공주입층 위에 형성된 정공수송층;A hole transport layer formed on the hole injection layer; 상기 정공수송층 위에 형성되는 제 1 무기화합물층, 상기 제 1 무기화합물층 위에 형성되는 버퍼층과 상기 버퍼층 위에 형성되는 제 2 무기화합물층을 포함하는 자외선 발광층;An ultraviolet light emitting layer including a first inorganic compound layer formed on the hole transport layer, a buffer layer formed on the first inorganic compound layer, and a second inorganic compound layer formed on the buffer layer; 상기 자외선 발광층 위에 형성된 전자수송층; 및 An electron transport layer formed on the ultraviolet light emitting layer; And 상기 전자수송층 위에 형성된 제 2 전극층을 포함하는 자외선 발광을 위한 유기발광소자.An organic light emitting device for ultraviolet light emission comprising a second electrode layer formed on the electron transport layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 자외선 발광층을 구성하는 상기 제 1 무기화합물층과 상기 제 2 무기화합물층은 동종 또는 이종의 무기화합물인 것을 특징으로 하는 자외선 발광을 위한 유기 발광 소자.The first inorganic compound layer and the second inorganic compound layer constituting the ultraviolet light emitting layer is an organic light emitting device for ultraviolet light, characterized in that the inorganic compound of the same or different types. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 자외선 발광층을 구성하는 상기 무기화합물층은 밴드갭 에너지가 3.0~6.5eV 인 3족과 5족, 또는 2족과 4족의 화합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 자외선 발광을 위한 유기발광소자.The inorganic compound layer constituting the ultraviolet light emitting layer is an organic light emitting device for ultraviolet light emission, characterized in that composed of a compound of Group 3 and 5, or Group 2 and 4 having a band gap energy of 3.0 ~ 6.5eV. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 버퍼층은 상기 무기화합물보다 밴드갭 에너지가 작은 유기화합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 자외선 발광을 위한 유기발광소자.The buffer layer is an organic light emitting device for ultraviolet light, characterized in that consisting of an organic compound having a band gap energy less than the inorganic compound. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 버퍼층은 N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine (TPD), N, N`-di(naphthalene-1-yl)-N,N`-diphenyl-benzidine (alpha-NPD), copper phthalocyanine (CuPc), N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine (alpha-NPB), N,N'-Di(naphthalen-2-yl)-N,N'-diphenyl-benzine (beta-NPB), 4,4',4''-Tris(N-(naphthylen-1-yl)-N-phenylamino)triphenylamine (1-TNATA), 4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP, DCPB), 4,4',4"-Tris(N,N-diphenyl-amino)-triphenylamine (TDATA), Titanium(IV) oxide phthalocyanine (TiOPc), 1,3,5-tris(phenyl-2-benzimidazolyl)-benzene 또는 2,2',2"-(1,3,5-benzenetryl)tris(1-phenyl)-1H-benzimid-azol (TBPI), 4,4',4"-Trismethyl-triphenylamine (TTA), 4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine (MTDATA) 에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자외선 발광을 위한 유기발광소자.The buffer layer is N, N'-Bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis- (phenyl) -benzidine (TPD), N, N`-di (naphthalene-1-yl) -N, N`- diphenyl-benzidine (alpha-NPD), copper phthalocyanine (CuPc), N, N'-Bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine (alpha-NPB), N, N'- Di (naphthalen-2-yl) -N, N'-diphenyl-benzine (beta-NPB), 4,4 ', 4' '-Tris (N- (naphthylen-1-yl) -N-phenylamino) triphenylamine ( 1-TNATA), 4,4'-Bis (carbazol-9-yl) biphenyl (CBP, DCPB), 4,4 ', 4 "-Tris (N, N-diphenyl-amino) -triphenylamine (TDATA), Titanium (IV) oxide phthalocyanine (TiOPc), 1,3,5-tris (phenyl-2-benzimidazolyl) -benzene or 2,2 ', 2 "-(1,3,5-benzenetryl) tris (1-phenyl)- 1H-benzimid-azol (TBPI), 4,4 ', 4 "-Trismethyl-triphenylamine (TTA), 4,4', 4" -Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamine (MTDATA The organic light emitting device for ultraviolet light characterized in that it is selected from. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 무기화합물층은 GaN, BN, AlN, MgS, ZnS, MgSe, AlGaN, AlInGaP, InGaN에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자외선 발광을 위한 유기발광소자.The inorganic compound layer is an organic light emitting device for ultraviolet light emission, characterized in that selected from GaN, BN, AlN, MgS, ZnS, MgSe, AlGaN, AlInGaP, InGaN. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 무기화합물층과 버퍼층은 반복되어 상기 자외선 발광층이 형성되는 것을 특징으로 하는 자외선 발광을 위한 유기발광소자.The inorganic compound layer and the buffer layer is repeated the organic light emitting device for ultraviolet light, characterized in that the ultraviolet light emitting layer is formed. 기판 위에 형성된 제 1 전극층;A first electrode layer formed on the substrate; 상기 제 1 전극층 위에 형성된 정공주입층;A hole injection layer formed on the first electrode layer; 상기 정공주입층 위에 형성된 정공수송층;A hole transport layer formed on the hole injection layer; 상기 정공수송층 위에 형성되는 무기화합물층, 상기 무기화합물층 위에 형성되는 절연층, 상기 절연층 위에 형성되는 박막형태의 금속 전극을 포함하는 자외선 발광층;An ultraviolet light emitting layer including an inorganic compound layer formed on the hole transport layer, an insulating layer formed on the inorganic compound layer, and a metal electrode in a thin film form formed on the insulating layer; 상기 자외선 발광층 위에 형성된 전자수송층; 및 An electron transport layer formed on the ultraviolet light emitting layer; And 상기 전자수송층 위에 형성된 제 2 전극층을 포함하는 자외선 발광을 위한 유기발광소자.An organic light emitting device for ultraviolet light emission comprising a second electrode layer formed on the electron transport layer. 제 8 항에 있어서, The method of claim 8, 상기 자외선 발광층은 상기 무기화합물층, 상기 절연층, 상기 금속 전극이 버퍼층을 추가로 개재하고 반복하여 형성되는 것을 특징으로 하는 자외선 발광을 위한 유기발광소자.The ultraviolet light emitting layer is an organic light emitting device for ultraviolet light emission, characterized in that the inorganic compound layer, the insulating layer, the metal electrode is formed repeatedly through an additional buffer layer. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 버퍼층은 LiF, CsF, MgF2, CaF2, LiO2, NaF, NaCl, KCl, K2O, RbCl, Cs2O, 또는 N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine (TPD), N, N`-di(naphthalene-1-yl)-N,N`-diphenyl-benzidine (alpha-NPD), copper phthalocyanine (CuPc), N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine (alpha-NPB), N,N'-Di(naphthalen-2-yl)-N,N'-diphenyl-benzine (beta-NPB), 4,4',4''-Tris(N-(naphthylen-1-yl)-N-phenylamino)triphenylamine (1-TNATA), 4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP, DCPB), 4,4',4"-Tris(N,N-diphenyl-amino)-triphenylamine (TDATA), Titanium(IV) oxide phthalocyanine (TiOPc), 1,3,5-tris(phenyl-2-benzimidazolyl)-benzene 또는 2,2',2"-(1,3,5-benzenetryl)tris(1-phenyl)-1H-benzimid-azol (TBPI), 4,4',4"-Trismethyl-triphenylamine (TTA), 4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine (MTDATA)에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자외선 발광을 위한 유기발광소자.The buffer layer is LiF, CsF, MgF 2 , CaF 2 , LiO 2 , NaF, NaCl, KCl, K 2 O, RbCl, Cs 2 O, or N, N'-Bis (3-methylphenyl) -N, N'- bis- (phenyl) -benzidine (TPD), N, N`-di (naphthalene-1-yl) -N, N`-diphenyl-benzidine (alpha-NPD), copper phthalocyanine (CuPc), N, N'- Bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine (alpha-NPB), N, N'-Di (naphthalen-2-yl) -N, N'-diphenyl-benzine (beta- NPB), 4,4 ', 4''-Tris (N- (naphthylen-1-yl) -N-phenylamino) triphenylamine (1-TNATA), 4,4'-Bis (carbazol-9-yl) biphenyl ( CBP, DCPB), 4,4 ', 4 "-Tris (N, N-diphenyl-amino) -triphenylamine (TDATA), Titanium (IV) oxide phthalocyanine (TiOPc), 1,3,5-tris (phenyl-2 -benzimidazolyl) -benzene or 2,2 ', 2 "-(1,3,5-benzenetryl) tris (1-phenyl) -1H-benzimid-azol (TBPI), 4,4', 4" -Trismethyl-triphenylamine (TTA), 4,4 ', 4 "-Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamine (MTDATA) is an organic light emitting device for ultraviolet light characterized in that it is selected. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 버퍼층의 두께는 10nm를 넘지 않는 것을 특징으로 하는 자외선 발광을 위한 유기발광소자.The thickness of the buffer layer is an organic light emitting device for ultraviolet light, characterized in that not more than 10nm. 제 8 항에 있어서, The method of claim 8, 상기 절연층은 LiF, CsF, MgF2, CaF2, LiO2, NaF, NaCl, KCl, K2O, RbCl, Cs2O 군 중에서 선택되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 자외선 발광을 위한 유기발광소자.The insulating layer is an organic light emitting device for UV light, characterized in that selected from LiF, CsF, MgF 2 , CaF 2 , LiO 2 , NaF, NaCl, KCl, K 2 O, RbCl, Cs 2 O group. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 박막형태의 금속은 Al, Ag, 리튬알루미늄합금, 마그네슘은합금으로서 100Å 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 자외선 발광을 위한 유기발광소자.The thin film metal is Al, Ag, lithium aluminum alloy, magnesium silver alloy, the organic light emitting device for ultraviolet light, characterized in that having a thickness of less than 100Å. 제 1 항 또는 제 8 항에 있어서,The method according to claim 1 or 8, 자외선광을 백색광으로 변환하기 위하여 상기 기판의 하부면에 도포되는 R, G, B 형광체 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광을 위한 유기발광소자. The organic light emitting device for ultraviolet light emission, characterized in that it further comprises at least one of R, G, B phosphor applied to the lower surface of the substrate to convert the ultraviolet light into white light. 기판 위에 제 1 전극층을 형성하는 단계;Forming a first electrode layer on the substrate; 상기 제 1전극층 위에 정공주입층을 형성하는 단계;Forming a hole injection layer on the first electrode layer; 상기 정공주입층 위에 정공수송층을 형성하는 단계;Forming a hole transport layer on the hole injection layer; 상기 정공수송층 위에 무기화합물층과 그 사이에 형성되는 버퍼층을 포함하는 자외선 발광층을 형성하는 단계;Forming an ultraviolet light emitting layer on the hole transport layer, the ultraviolet light emitting layer including an inorganic compound layer and a buffer layer formed therebetween; 상기 자외선 발광층 위에 전자수송층을 형성하는 단계; 및 Forming an electron transport layer on the ultraviolet light emitting layer; And 상기 전자수송층 위에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 자외선 발광을 위한 유기발광소자의 제조방법. The method of manufacturing an organic light emitting device for ultraviolet light emission comprising the step of forming a second electrode layer on the electron transport layer. 기판 위에 제 1 전극층을 형성하는 단계;Forming a first electrode layer on the substrate; 상기 제 1전극층 위에 정공주입층을 형성하는 단계;Forming a hole injection layer on the first electrode layer; 상기 정공주입층 위에 정공수송층을 형성하는 단계;Forming a hole transport layer on the hole injection layer; 상기 정공수송층 위에 무기화합물층과 상기 무기화합물층 위에 절연층과, 상기 절연층 위에 박막형태의 금속 전극을 포함하는 자외선 발광층을 형성하는 단계;Forming an ultraviolet light emitting layer including an inorganic compound layer on the hole transport layer, an insulating layer on the inorganic compound layer, and a metal electrode in a thin film form on the insulating layer; 상기 자외선 발광층 위에 전자수송층을 형성하는 단계; 및 Forming an electron transport layer on the ultraviolet light emitting layer; And 상기 전자수송층 위에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 자외선 발광을 위한 유기발광소자의 제조방법. The method of manufacturing an organic light emitting device for ultraviolet light emission comprising the step of forming a second electrode layer on the electron transport layer. 제 16 항에 있어서, The method of claim 16, 상기 무기화합물층은 제 1 무기화합물층, 상기 제 1 무기화합물층 위에 형성되는 유기화합물의 버퍼층과 상기 버퍼층 위에 형성되는 제 2 무기화합물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광을 위한 유기발광소자의 제조방법.The inorganic compound layer may include a first inorganic compound layer, a buffer layer of an organic compound formed on the first inorganic compound layer, and a second inorganic compound layer formed on the buffer layer. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,The method according to claim 15 or 16, 상기 기판의 하부면에 R, G, B 형광체 중 적어도 어느 하나를 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광을 위한 유기발광소자의 제조방법.The method of manufacturing an organic light emitting device for ultraviolet light emission further comprising the step of applying at least one of R, G, B phosphor on the lower surface of the substrate.
KR1020050078504A 2005-08-25 2005-08-25 Organic light emitting diode for emitting ultra violet ray and manufacturing method thereof KR100727022B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050078504A KR100727022B1 (en) 2005-08-25 2005-08-25 Organic light emitting diode for emitting ultra violet ray and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050078504A KR100727022B1 (en) 2005-08-25 2005-08-25 Organic light emitting diode for emitting ultra violet ray and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070024036A KR20070024036A (en) 2007-03-02
KR100727022B1 true KR100727022B1 (en) 2007-06-12

Family

ID=38098813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050078504A KR100727022B1 (en) 2005-08-25 2005-08-25 Organic light emitting diode for emitting ultra violet ray and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100727022B1 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE602005003425T2 (en) 2004-10-11 2008-10-02 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Organic electroluminescent device and its production method
KR101398242B1 (en) * 2007-09-21 2014-05-23 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Device
KR20090092051A (en) 2008-02-26 2009-08-31 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting diode and fabrication method for the same
KR102083980B1 (en) 2013-06-25 2020-03-04 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting device for image and security pattern output, and display panel comprising the same
KR102331369B1 (en) * 2015-10-28 2021-11-26 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5898185A (en) 1997-01-24 1999-04-27 International Business Machines Corporation Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5898185A (en) 1997-01-24 1999-04-27 International Business Machines Corporation Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070024036A (en) 2007-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101135541B1 (en) Organic light emitting diode device
US20040046495A1 (en) Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same
KR102027523B1 (en) Organic light emitting diode and organic light emittind display device having the same
JP2004047469A (en) Organic light emitting diode device
JP2006332049A (en) Stacked oled structure
KR100727022B1 (en) Organic light emitting diode for emitting ultra violet ray and manufacturing method thereof
JP2004006165A (en) Organic electroluminescent element
KR20070045997A (en) Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device
WO2011030450A1 (en) Organic light-emitting element
JP2005150084A (en) White organic electroluminescent element
US10784458B1 (en) Organic light-emitting diode with enhanced light-emitting efficiency and color purity
KR102027516B1 (en) Organic light emitting diode and organic light emittind display device having the same
JP2004152700A (en) Organic light emitting element and its manufacturing method
JP2005026210A (en) Organic el element
US10700303B1 (en) Organic light-emitting diode
JP2007265637A (en) Organic electroluminescence element
JP2007180376A (en) Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device
KR102027518B1 (en) Organic light emitting diode and organic light emittind display device having the same
KR102027512B1 (en) Organic light emitting diode and organic light emittind display device having the same
KR101428821B1 (en) Organic electroluminescent device
JP2005150082A (en) White organic electroluminescent element
Kovác et al. Advanced light emitting devices for optoelectronic applications
US11864401B2 (en) Light emitting device and lighting device comprising resonance auxiliary layer
KR102150870B1 (en) Organic light emitting diode and organic light emittind display device having the same
KR20070083268A (en) Organic light emitting diode for emitting ultra violet ray and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee