KR100726609B1 - Mask and manufacturing method therefor - Google Patents
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Abstract
마스크 및 그 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 노광 파장이 투과될 투영 기판 및 투영 기판 상에 형성된 알루미늄층, 텅스텐층 또는 다중실리콘층을 포함하여 형성된 차광 패턴을 포함하여 마스크가 구성될 수 있다. The mask and its manufacturing method are shown. According to the present invention, a mask may be configured including a projection substrate through which an exposure wavelength is transmitted and a light shielding pattern formed by including an aluminum layer, a tungsten layer, or a polysilicon layer formed on the projection substrate.
마스크, 크롬층, 중금속, 친환경, 투과율Mask, chrome layer, heavy metal, eco-friendly, transmittance
Description
도 1 및 도 2는 종래의 마스크(mask) 및 그 제조 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 단면도들이다. 1 and 2 are cross-sectional views schematically illustrating a conventional mask and a manufacturing method thereof.
도 3 및 도 4는 본 발명의 실시예에 의한 마스크 및 그 제조 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 단면도들이다.3 and 4 are cross-sectional views schematically illustrating a mask and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 리소그래피(lithography) 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 리소그래피 기술에서 사용되는 마스크를 친환경적인 물질을 이용하여 제조하는 방법에 관한 것이다. The present invention relates to lithography technology, and more particularly, to a method for manufacturing a mask used in the lithography technology using an environmentally friendly material.
리소그래피 기술은 반도체 소자 제조 과정과 같은 미세 패턴을 형성하는 데 사용되고 있다. 이러한 리소그래피 기술은 전사하고자 하는 패턴 형상이 형성된 마스크(mask)를 이용하여 노광 및 현상하여 설계된 패턴을 웨이퍼(wafer) 등에 전사하는 기술이다. 따라서, 리소그래피 과정에는 마스크가 제작이 필수적으로 선행되고 있다. Lithography techniques are used to form fine patterns, such as in semiconductor device manufacturing. Such lithography is a technique for transferring a pattern designed by exposure and development using a mask on which a pattern shape to be transferred is formed, to a wafer or the like. Therefore, the masking process is essentially preceded by the lithography process.
마스크는 노광 시 사용되는 노광 파장이 투과될 수 있는 투영 기판, 예컨대, 석영 기판 상에 노광 파장을 선택적으로 차광하기 위한 크롬(Cr) 패턴을 형성하여 제조되고 있다. The mask is manufactured by forming a chromium (Cr) pattern for selectively shielding an exposure wavelength on a projection substrate, for example, a quartz substrate, through which an exposure wavelength used during exposure can be transmitted.
도 1 및 도 2는 종래의 마스크(mask) 및 그 제조 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 단면도들이다. 1 and 2 are cross-sectional views schematically illustrating a conventional mask and a manufacturing method thereof.
도 1을 참조하면, 종래의 마스크 제조 방법은 석영 기판(10) 상에 차광층으로 크롬층(20)을 형성하고, 크롬층(20) 상에 마스크용 레지스트 패턴(resist pattern: 30)을 형성한다. Referring to FIG. 1, a conventional mask manufacturing method forms a
도 2를 참조하면, 레지스트 패턴(30)에 의해 노출되는 크롬층(20) 부분을 선택적으로 식각 제거하여 노광 파장이 투과될 투광 영역을 여는 크롬 패턴(25)을 형성한다. Referring to FIG. 2, a portion of the
이와 같이 형성되는 마스크 제조 과정은 크롬 패턴(20)을 사용하므로 크롬 또는 크롬 화합물의 배출을 수반하게 된다. 크롬은 중금속으로 이를 사용하는 공정이 안정하지 못하여 별도의 처리 시설이 요구되고 있다. 크롬 화합물은 크롬에 비해 더 해로워 별도의 처리 시설이 갖춰져야 한다. 특히, 수도권에서는 환경적인 요인으로 이러한 크롬의 배출 및 사용이 규제되고 있다. 따라서, 수도권에서 마스크 팹(FAB)의 설치 및 운영이 실질적으로 매우 어렵다. Since the mask manufacturing process formed as described above uses the
따라서, 무해한 물질을 사용하여 보다 안전하고 환경 친화적인 공정을 적용하여 마스크를 제조하는 방법의 개발이 요구되고 있다. Therefore, there is a need for the development of a method for manufacturing a mask by applying a safer and environmentally friendly process using a harmless material.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 보다 안전하고 환경 친화적인 물질 을 차광층으로 이용하는 마스크 및 그 제조 방법을 제시하는 데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a mask using a safer and environmentally friendly material as a light shielding layer and a method of manufacturing the same.
상기의 기술적 과제를 위한 본 발명의 일 실시예는, 노광 파장이 투과될 투영 기판; 및 상기 투영 기판 상에 형성된 무크롬 차광 패턴을 포함하여 구성되는 리소그래피용 마스크를 제시한다. One embodiment of the present invention for the above technical problem, a projection substrate to which the exposure wavelength is to be transmitted; And a chromium-free light shielding pattern formed on the projection substrate.
상기 차광 패턴은 알루미늄층, 텅스텐층 또는 다중실리콘층을 포함하여 형성된 것일 수 있다. The light blocking pattern may be formed including an aluminum layer, a tungsten layer, or a polysilicon layer.
상기 차광 패턴은 대략 0.1㎛ 두께에서 상기 노광 파장에 대해 2% 이하의 투과율을 가지는 것일 수 있다. The light blocking pattern may have a transmittance of about 2% or less with respect to the exposure wavelength at a thickness of about 0.1 μm.
상기의 기술적 과제를 위한 본 발명의 다른 실시예는,Another embodiment of the present invention for the above technical problem,
노광 파장이 투과될 투영 기판을 도입하는 단계;Introducing a projection substrate through which the exposure wavelength will be transmitted;
상기 기판 상에 무크롬 차광층을 형성하는 단계;Forming a chromium-free light shielding layer on the substrate;
상기 차광층 상에 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및Forming a resist pattern on the light blocking layer; And
상기 레지스트 패턴에 의해 노출된 상기 차광층 부분을 선택적으로 식각하여 차광층 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 수행되는 마스크 제조 방법을 제시한다. And forming a light shielding layer pattern by selectively etching the portion of the light shielding layer exposed by the resist pattern.
본 발명에 따르면, 무크롬 차광층 패턴을 가지는 마스크 및 그 제조 방법을 제시할 수 있다. According to the present invention, a mask having a chromium-free light shielding layer pattern and a method of manufacturing the same can be provided.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 실시예에서는 노광 파장을 가려주는, 즉, 차광하는 역할을 할 수 있는 다른 안전한 물질을 크롬(Cr) 대신 사용함으로써, 무크롬 차광 패턴을 구현한 다. 이에 따라, 안전 및 환경 친화적인 공정을 이용하여 마스크를 제조할 수 있고, 또한, 적기에 반도체 회사에 마스크를 납품할 수 있도록 수도권 내에 마스크 팹을 세울 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 크롬을 대신 할 물질로 알루미늄(Al)층, 텅스텐(W) 또는 다중실리콘(Si)층을 제시한다. 이러한 층들을 기존 반도체 기술로 쉽게 증착할 수 있으며 광의 차단 기능 등 기본적인 기능은 크롬과 실질적으로 차이가 없다. 그럼에도 불구하고, 차광층의 두께가 대략 0.1㎛ 정도일 때, 노광 파장에 대해 2% 이상의 투과율을 나타내는 경우는 노광 이미지(image)에 영향을 줄 수 있으므로 배제한다. In an embodiment of the present invention, a chromium-free light shielding pattern is realized by using another safe material instead of chromium (Cr), which masks an exposure wavelength, that is, serves to shield light. Accordingly, a mask can be manufactured using a safe and environmentally friendly process, and a mask fab can be built in the metropolitan area so that the mask can be delivered to a semiconductor company in a timely manner. In an embodiment of the present invention, an aluminum (Al) layer, tungsten (W) or polysilicon (Si) layer is proposed as a material to replace chromium. These layers can be easily deposited using existing semiconductor technology, and the basic functions, such as blocking light, are virtually unchanged from chromium. Nevertheless, when the thickness of the light shielding layer is about 0.1 μm, the case of showing a transmittance of 2% or more with respect to the exposure wavelength is excluded because it may affect the exposed image.
도 3 및 도 4는 본 발명의 실시예에 의한 마스크(mask) 및 그 제조 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 단면도들이다. 3 and 4 are cross-sectional views schematically illustrating a mask and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 마스크 제조 방법은 노광 파장이 투영될 석영 기판(100) 상에 무크롬 패턴을 위한 차광층(200)을 형성한다. 이러한 차광층(200)은 알루미늄(Al)층, 텅스텐(W) 또는 다중실리콘(Si)층을 증착하여 형성될 수 있다. 이때, 차광층(200)은 대략 0.1㎛ 두께로 형성될 수 있으며, 이때 상기 노광 파장에 대해 2% 이하의 투과율을 가질 수 있다. 그럼에도 불구하고, 차광층(200)은 노광 파장 및 마스크 공정 등을 고려하여 그 두께가 미세하게 줄거나 또는 두꺼워질 수 있다. 이후에, 차광층(300) 상에 마스크용 레지스트 패턴(resist pattern: 300)을 전자빔 리소그래피 과정 등을 이용하여 형성한다. Referring to FIG. 3, the mask manufacturing method according to the embodiment of the present invention forms a
도 4를 참조하면, 레지스트 패턴(300)에 의해 노출되는 차광층(200) 부분을 선택적으로 식각 제거하여 노광 파장이 투과될 투광 영역을 여는 무크롬 차광 패턴 (250)을 형성한다.Referring to FIG. 4, a portion of the
상술한 본 발명에 따르면, 마스크를 제조할 때, 차광층으로 종래의 크롬에 비해 무해한 물질을 사용하여 무크롬 차광 패턴을 형성하므로, 보다 안전하고 환경 친화적인 공정을 제시할 수 있다. 따라서, 크롬 배출을 위한 추가 처리 시설 비용이 절약될 수 있다. 또한, 적기에 반도체 회사에 납품이 가능하도록 수도권 내에 마스크 팹을 만들고 운영할 수 있다.According to the present invention described above, when manufacturing a mask, since the light-shielding layer to form a chromium-free light shielding pattern using a harmless material compared to the conventional chromium, it is possible to present a safer and environmentally friendly process. Thus, additional treatment plant costs for chromium emissions can be saved. In addition, mask fabs can be created and operated in the Seoul metropolitan area to ensure timely delivery to semiconductor companies.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예들을 통하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명은 여러 형태로 변형될 수 있다. Although the present invention has been described through specific embodiments, the present invention may be modified in various forms by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention.
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2004
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