KR100716138B1

KR100716138B1 - 디비에스용 제로 아이에프 튜너의 에이지씨 회로

Info

Publication number: KR100716138B1
Application number: KR1020000069301A
Authority: KR
Inventors: 최석동
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2000-11-21
Filing date: 2000-11-21
Publication date: 2007-05-10
Also published as: KR20020039473A

Abstract

본 발명은 안테나로부터 입력되는 RF 신호의 세기에 따라 0~3.0V의 전압을 출력하는 QPSK IC와; 내부의 AGC 회로의 전체 구동 전압을 분할하여 이중 소정 레벨 미만의 전압만을 사용하며, 상기 QPSK IC로부터 소정 레벨 미만의 전압이 인가되면 구동되어 RF 신호를 조절하는 ZERO-IF IC와; 상기 QPSK IC로부터 출력되는 소정 레벨 이상의 전압으로만 구동되어 전류를 증폭시키는 트랜지스터와; 상기 트랜지스터의 제어에 따라 인가되는 전류의 세기에 따라 RF 신호를 조절하는 복수의 핀 다이오드를 포함하며, 상기 안테나로부터 입력되는 RF 신호의 세기에 따라 신호의 세기가 약할때는 상기 ZERO-IF IC를 동작시키고, 신호의 세기가 클때는 상기 핀 다이오드를 동작시켜 전체적으로 AGC를 분리하여 AGC범위를 넓히도록 하는 것을 특징으로 한다.

따라서 튜너의 크기가 소형화됨에 따라 RF 입력 세기가 셀 때 RF 입력 신호와 OSC 발진 신호가 서로 간섭 현상을 일으켜 풀링 현상이 발생하는 것을 차단할 수 있다.

AGC 회로, AGC 범위, 풀링 현상

Description

디비에스용 제로 아이에프 튜너의 에이지씨 회로{AGC CIRCUIT OF ZERO IF TUNER FOR DIRECT BROADCAST SATELLITE}

도 1은 종래의 디비에스용 제로 아이에프 튜너의 에이지씨 회로를 개략적으로 나타낸 블록 회로도

도 2는 본 발명에 따른 디비에스용 제로 아이에프 튜너의 에이지씨 회로를 개략적으로 나타낸 블록 회로도

<도면중 주요부분에 대한 부호의 설명>

100 : AGC 회로 110 : QPSK IC

120 : ZERO-IF IC D10~D20 : 핀 다이오드

Q10 : 트랜지스터

본 발명은 에이지씨(AGC;Auto Gain Control) 회로에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 튜너의 크기가 소형화됨에 따라 RF 입력 세기가 셀 때 RF 입력 신호와 발진기(OSC)의 발진 신호가 서로 간섭 현상을 일으켜 풀링 현상이 발생하는 것을 차단하도록 하는 디비에스용 제로 아이에프 튜너의 에이지씨 회로에 관한 것이다.
종래에는 RF 신호를 IF로 신호로 변환하는 싱글 컨버젼(Single conversion)방식을 사용하였다. 그런데 현재는 반도체 기술이 발전함에 따라 RF 신호에서 직접 베이스밴드(BaseBand)신호를 추출하는 직접 컨버젼(Direct Conversion)방식으로 변하고 있다. 다른 말로 IF 과정이 없다고 하여 제로 아이에프(ZERO-IF)방식이라고도 한다.

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일반적으로 디비에스(위성방송;Direct Broadcast Satellite)용 제로 아이에프 튜너의 에이지씨(이하 "AGC" 라 칭함)회로는 도 1에 도시된 바와 같이 QPSK IC(1)와, 제 1트랜지스터(Q1)와, ZERO-IF IC(2)와, 제 2트랜지스터(Q2)와, 복수의 핀 다이오드(D1~D3)로 구성된다.

QPSK IC(1)는 안테나(도시 생략)로부터 입력되는 RF 신호의 세기에 따라 0V~3.3V의 전압을 출력하고, 제 1트랜지스터(Q1)는 QPSK IC(1)로부터 출력되는 전압을 반전시키며, ZERO-IF IC(2)는 제 1트랜지스터(Q1)로부터 반전된 전압으로 구동되고, 이와 동시에 반전된 전압의 크기에 따라 제 2트랜지스터(Q2)로 구동 신호(AGC 전압)를 출력한다. 제 2트랜지스터(Q2)는 ZERO-IF IC(2)로부터 출력되는 구동 신호에 의해 구동되어 복수의 핀 다이오드(D1~D3)로 저항(R7)을 통해 전류를 인가한다. 여기에서 AGC 전압의 변화에 따라 저항값이 변화하는 복수의 핀 다이오드(D1~D3)에 의해 이를 통과한 RF 입력신호는 AGC 전압이 높을 때(인가 전류가 작을 때)는 저항값이 작아지고, AGC 전압이 낮을 때(인가 전류가 클 때)는 그 저항값이 커짐으로써 RF 신호의 세기가 조절되게 된다.

여기에서 제 1트랜지스터(Q1)를 구동하기 위해서는 제 1트랜지스터(Q1)의 베이스 전압이 0~5V까지 변화되어야만 되는데, QPSK IC(1)는 0~3.3V까지의 출력을 내지 못하고, 또한 ZERO-IF IC(2)는 1.5~3.5V까지의 AGC 범위를 갖기 때문에 전압의 범위를 0~3.3V로 입력하여 1.5~3.5V까지 출력하기 위해 제 1트랜지스터(Q1)를 사용하였다. 그리고 1.5V~3.5V의 전압을 이용하여 제 2트랜지스터(Q2)의 구동을 제어하여 복수의 핀 다이오드(D1~D3)에 흐르는 전류를 제어하였다.

그러나 이러한 종래의 AGC 회로는 QPSK IC로부터 출력되는 0V~3.3V의 전압으로 ZERO-IF IC의 1.5~3.5V의 전압 범위를 만족하여야 하며, 핀 다이오드를 제어하기 위해서는 AGC 그래프(RF 레벨/AGC 전압)의 기울기가 상당히 급격해서 AGC 전압의 작은 변화에 따른 RF 레벨의 변화가 커서 튜너의 편차가 크게 나타나는, 즉 제 1트랜지스터가 불안정하게 바이어스되어 있는 문제점이 있다.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 제 1트랜지스터를 제거하고, QPSK IC로부터 출력되는 전압의 동작 범위를 분리하여 0.5~2.2V까지의 전압으로는 ZERO-IF IC를 구동하며, 2.2~3.0V까지의 전압으로는 핀 다이오드를 구동함으로써 QPSK IC로 입력되는 RF 신호의 세기가 셀 때는 핀 다이오드의 AGC 특성을 사용하고, RF 신호의 세기가 약할 때는 ZERO-IF IC의 AGC 특성을 사용해서 전체적으로 AGC의 범위를 분리하여 넓은 범위의 AGC 범위를 갖도록 하는데 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은,

안테나로부터 입력되는 RF 신호의 세기에 따라 0~3.0V의 전압을 출력하는 QPSK IC와,

내부의 AGC 회로의 전체 구동 전압을 분할하여 이중 소정 레벨 미만의 전압만을 사용하며, 상기 QPSK IC로부터 소정 레벨 미만의 전압이 인가되면 구동되어 RF 신호를 조절하는 ZERO-IF IC와,

상기 QPSK IC로부터 출력되는 소정 레벨 이상의 전압으로만 구동되어 전류를 증폭시키는 트랜지스터와,

상기 트랜지스터의 제어에 따라 인가되는 전류의 세기에 따라 RF 신호를 조절하는 복수의 핀 다이오드를 포함하며,

상기 안테나로부터 입력되는 RF 신호의 세기에 따라 신호의 세기가 약할때는 상기 ZERO-IF IC를 동작시키고, 신호의 세기가 클때는 상기 핀 다이오드를 동작시켜 전체적으로 AGC를 분리하여 AGC범위를 넓히도록 하는 것을 특징으로 한다.

여기에서 상기 소정 레벨 미만의 전압은 0.5V이상~2.2V미만의 전압이고, 상기 소정 레벨 이상의 전압은 2.2V이상~3.3V이하의 전압이다.

이하 본 발명에 의한 디비에스용 제로 아이에프 튜너의 에이지씨 회로의 구성 및 작용을 도 2를 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.

도 2는 본 발명에 따른 디비에스용 제로 아이에프 튜너의 에이지씨 회로를 개략적으로 나타낸 블록 회로도이다.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 디비에스용 제로 아이에프 튜너의 에이지씨 회로(100)는 QPSK IC(110)와, ZERO-IF IC(120)와, 제 1트랜지스터(Q10)와, 복수의 핀 다이오드(D10~D20)로 구성된다.

먼저 QPSK IC(110)는 안테나를 통해 입력되는 RF 신호의 세기에 따라 0~3.3V 까지의 전압을 출력한다.

ZERO-IF IC(120)는 내부의 AGC 회로의 전체 구동 전압을 분할하여 이중 소정 레벨 미만의 전압만을 사용하며, QPSK IC(110)로부터 소정 레벨 미만의 전압이 인가되면 구동되어 RF 신호를 조절한다. 여기에서 상기 소정 레벨 미만의 전압은 0.5V이상~2.2V미만의 전압이다.

트랜지스터(Q10)는 QPSK IC(110)로부터 출력되는 소정 레벨 이상의 전압으로만 구동되어 전류를 증폭시킨다. 여기에서 소정 레벨 이상의 전압은 2.2V이상~3.3V이하의 전압이고, 또한 ZERO-IF IC(120)는 제 1트랜지스터(Q10)로 QPSK IC(110)로부터 출력되는 2.2이상~3.3V이하의 전압이 인가되면 구동을 정지한다.

핀 다이오드(D10~D30)는 트랜지스터(Q10)의 제어에 따라 인가되는 전류의 세기에 따라 RF 신호를 조절한다.

이하 본 발명에 따른 디비에스용 제로 아이에프 튜너의 에이지씨 회로의 작용을 도 2를 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.

VDD = 3.3V인 QPSK IC(110)의 AGC 출력은 0~3.3V을 갖는 PWM(Pulse width modulation) 파형이다. 이 PWM 파형이 R10과 C10의 LPF(Lowpass filter)를 통과하게 되면 DC성분의 전압이 된다.

이 전압이 RF 신호에서 베이스밴드(BaseBand)신호를 직접 추출하는 ZERO-IF IC(120)와 RF 신호를 제어하기 위한 핀 다이오드(D10~D30)를 제어한다.

먼저 안테나로 입력된 RF 신호의 세기가 약해 QPSK IC(110)에서 0~2.2V까지의 전압이 출력되면 ZERO-IF IC(120)가 구동되고, 트랜지스터(Q10)는 구동되지 않 는다. 그리하여 RF 신호의 세기가 약할때는 ZERO-IF IC(120)의 AGC 특성을 사용한다.

반대로 안테나로 입력된 RF 신호의 세기가 커서 QPSK IC(110)에서 2.2~3.0V까지의 전압이 출력되면 ZERO-IF IC(120)가 구동되지 않고, 트랜지스터(Q10)는 턴-온된다. 그러면 트랜지스터(Q10)는 정전압단의 전압(+5V)의 증폭하여 핀 다이오드(D10~D30)로 전류를 인가한다. 그리하여 RF 신호의 세기가 클때는 핀 다이오드(D10~D30)는 AGC 특성을 사용한다.

따라서 QPSK IC로부터 출력되는 전압의 동작 범위를 분리하여 0.5~2.2V까지의 전압으로는 ZERO-IF IC를 구동하며, 2.2~3.0V까지의 전압으로는 핀 다이오드를 구동함으로써 QPSK IC로 입력되는 RF 신호의 세기가 셀 때는 핀 다이오드의 AGC 특성을 사용하고, RF 신호의 세기가 약할 때는 ZERO-IF IC의 AGC 특성을 사용해서 전체적으로 AGC의 범위를 분리하여 넓은 범위의 AGC 범위를 갖는다.

상기에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 디비에스용 제로 아이에프 튜너의 에이지씨 회로에 의하면, QPSK IC로 입력되는 RF 신호의 세기가 셀 때는 핀 다이오드의 AGC 특성을 사용하고, RF 신호의 세기가 약할 때는 ZERO-IF IC의 AGC 특성을 사용해서 전체적으로 AGC의 범위를 분리함으로써 튜너가 넓은 범위의 AGC 범위를 가질 수 있다.

Claims

안테나로부터 입력되는 RF 신호의 세기에 따라 0~3.0V의 전압을 출력하는 QPSK IC와,

내부의 AGC 회로의 전체 구동 전압을 분할하여 이중 소정 레벨 미만의 전압만을 사용하며, 상기 QPSK IC로부터 소정 레벨 미만의 전압이 인가되면 구동되어 RF 신호를 조절하는 ZERO-IF IC와,

상기 QPSK IC로부터 출력되는 소정 레벨 이상의 전압으로만 구동되어 전류를 증폭시키는 트랜지스터와,

상기 트랜지스터의 제어에 따라 인가되는 전류의 세기에 따라 RF 신호를 조절하는 복수의 핀 다이오드를 포함하며,

상기 안테나로부터 입력되는 RF 신호의 세기에 따라 신호의 세기가 약할때는 상기 ZERO-IF IC를 동작시키고, 신호의 세기가 클때는 상기 핀 다이오드를 동작시켜 전체적으로 AGC를 분리하여 AGC범위를 넓히도록 하는 것을 특징으로 하는 디비에스용 제로 아이에프 튜너의 에이지씨 회로.
제 1 항에 있어서,

상기 소정 레벨 미만의 전압은 0.5V이상~2.2V미만의 전압인 것을 특징으로 하는 디비에스용 제로 아이에프 튜너의 에이지씨 회로.
제 1 항에 있어서,

상기 소정 레벨 이상의 전압은,

2.2V이상~3.3V이하의 전압인 것을 특징으로 하는 디비에스용 제로 아이에프 튜너의 에이지씨 회로.