KR100715112B1 - 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 금속 흡수층이 있는 2층 구조의 고흡수율 비냉각형 적외선 센서에 관한 것이다.
본 발명의 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 및 그 제조방법은 Si 웨이퍼 위에 형성된 버퍼층, 상기 버퍼층 위에 증착된 반사금속층 및 앵커(anchor)가 연결된 전극으로 구성된 하부층; 상기 전극에 연결된 앵커에 의해 지지되는 센서층, 상기 센서층 위에 형성된 금속 흡수층으로 구성된 상부층; 및 상기 하부층과 상부층 사이에 형성된 에어갭으로 구성되는 단위 픽셀로 이루어진 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서와 Si 웨이퍼 상에 버퍼층을 증착하는 제 1단계; 상기 버퍼층 위에 반사금속층 및 전극을 패터닝 하는 제 2단계; 상기 패터닝된 버퍼층 위에 희생층을 형성하는 제 3단계; 상기 희생층 위에 센서층을 형성하는 제 4단계; 상기 센서층위에 전극까지 연결될 수 있도록 비아 홀을 형성하는 제 5단계; 상기 비아 홀에 콘택을 형성하여 전극을 패터닝하는 제 6단계; 상기 전극이 형성된 센서층에 캔틸레버부를 형성하는 제 7단계; 상기 희생층을 제거하여 에어 갭을 형성하는 제 8단계; 및 상기 제 1단계 내지 제 8단계에 의해 형성된 적외선 센서의 단위 픽셀 최상부층에 금속 흡수층을 형성하는 제 9단계를 포함하여 이루어지는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서의 제조방법임에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 및 그 제조방법은 비정질 실리콘으로 이루어진 볼로미터를 사용하여 에어 갭에서 공명흡수되도록 하는 단 순한 2층 구조의 적외선 센서를 제공함으로써 별도의 집광렌즈 없이도 적외선 중심파장에서의 흡수율이 95% 이상이 되도록 하는 고흡수율의 적외선 센서를 제공한다.
적외선 센서, 볼로미터, 흡수면적, 비정질 실리콘
Description
도 1은 본 발명에 의한 적외선 센서의 단위 픽셀을 나타낸 개념도.
도 2는 본 발명에 의한 적외선 센서 단위 픽셀의 단면도.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명에 의한 적외선 센서의 제조방법을 나타낸 공정단면도.
도 4는 본 발명에 의한 적외선 센서의 적외선 흡수율을 나타낸 그래프.
((도면의 주요부분에 대한 부호의 설명))
1. Si 웨이퍼 2. 버퍼층
3. 반사금속층 4. 전극
5. 센서층 6. 금속 흡수층
7. 절연 컷 8. 캔틸레버부
9. 에어갭 10. 희생층
11. 비아 홀
본 발명은 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 금속 흡수층, 센서층을 포함하여 이루어진 상부층과 반사금속층, 전극을 포함하여 이루어진 하부층이 λ/4 에어 갭층으로 분리된 2층 구조의 볼로미터 단위 픽셀로 이루어진 고흡수율의 비냉각형 적외선 센서에 관한 것이다.
적외선 센서는 작동 원리에 따라 크게 양자형(photon)과 열형(thermal)으로 나눌 수 있는데, 양자형은 주로 반도체 재료로서 특성은 좋으나 액체 질소 온도(-193℃)에서 작용한다는 단점이 있는 반면에, 열형 재료들은 반도체에 비해 성능은 다소 떨어지지만 상온에서 동작한다는 장점이 있다. 따라서 냉각이 필요한 양자형 재료들은 주로 군수용의 목적으로 연구되고 있으며, 비냉각형인 열형 재료들은 민수용으로 주로 사용되고 있다.
그리고 이 열형 적외선 센서는 일반적으로 볼로미터(Bolometer), 열전쌍(Thermocouple), 초전기(Pyroelectric)형의 3가지 형태로 나눌 수 있다. 초전기 센서는 검출력은 좋지만 생산량이 제한적이고, 볼로미터와 열전쌍은 초전기형보다는 검출력이 낮지만 검출기 회로와 함께 실리콘 웨이퍼 상에 모노리딕으로 제조되므로 생산성이 좋기 때문에 민수용으로 널리 개발되고 있다. 이 중에서 볼로미터형 적외선 센서는 물체에서 방사되는 적외선을 흡수하여 열에너지로 바뀔 때 그로 인한 온도상승으로 전기저항이 변화하는 것을 측정한다. 종래의 볼로미터는 미 국특허 제5,300,915호에 도시된 것과 같이 통상적으로 부상된 검출레벨과 이를 지지하는 지지레벨 및 하부레벨로 이루어져 있다. 그러나 검출레벨에 지지역할을 하는 지지레벨이 함께 형성되어 있어서 적외선을 흡수하는 전체면적이 줄어들게 되므로 최대의 흡수면적(fill factor)을 얻을 수 없었다.
이에 따라 한국공개특허 제2000-0007216호, 한국공개특허 제2000-0046517호, 한국등록특허 제10-0299642호 및 미국특허 제6,448,557호에서는 적외선 반사층이 존재하는 3층 구조의 볼로미터형 적외선 센서를 개시하였고, 미국특허 제5,367,167호에서는 큰 도전 통로를 가지는 셀 어레이를 기술하였으며, 미국특허 제6,441,374호에서는 열 분리 구조를 가지며 흡수율이 높은 적외선 센서에 대해 개시하는 등 적외선 센서의 감도 및 흡수면적을 높이기 위한 연구가 계속 진행되고 있다.
그러나, 상기와 같은 종래의 연구들은 전기적 성질 및 열적 성질에 의존하는 것으로서, 적외선 분광학적인 접근을 통한 고흡수율을 가지는 적외선 센서의 구조 설계에 관한 연구에는 미흡한 실정이다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 금속 흡수층과 볼로미터 센서층을 포함하여 이루어진 상부층과 반사금속층이 증착된 하부층 및 상기 상부층과 하부층 사이에서 반사된 적외선을 공명흡수하는 에어 갭으로 이루어진 2층 구조의 적외선 센서 단위 픽셀을 설계하여 적외선 중심파장에서 95% 이상의 고흡수율을 가지는 비냉각형 적외선 센서를 제공함 에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 Si 웨이퍼, 상기 Si 웨이퍼 위에 형성된 버퍼층, 상기 버퍼층 위에 증착된 반사금속층 및 앵커(anchor)가 연결된 전극으로 구성된 하부층; 상기 전극에 연결된 앵커에 의해 지지되는 센서층, 상기 센서층 위에 형성된 금속 흡수층으로 구성된 상부층; 및 상기 하부층과 상부층 사이에 형성된 에어갭으로 구성되는 단위 픽셀로 이루어진 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 및 그 제조방법에 의해 달성된다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 명세서에 첨부된 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
먼저, 도 1은 본 발명에 의한 적외선 센서의 단위 픽셀을 나타낸 개념도이고, 도 2는 도 1에서 나타낸 본 발명에 의한 적외선 센서 단위 픽셀의 단면도이다.
본 발명에 의한 적외선 센서는 8×8의 어레이를 가지는 볼로미터형의 비냉각형 적외선 센서로서 그 단위픽셀은 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이 하부층(100)과 상부층(200) 및 상부층(200)에서 흡수된 적외선을 공명흡수하도록 하는 에어 갭(9)으로 이루어진 2층 구조의 캔틸레버 구조를 가지고 있다.
먼저, 본 발명에 의한 적외선 센서의 단위픽셀을 구성하는 하부층(100)은 Si 웨이퍼(1)와 상기 Si 웨이퍼(1) 위에 응력(stress)을 완화시키기 위하여 형성된 버 퍼층(2)이 있는데, 이 버퍼층은 SiNx를 포함하는 물질로 이루어지며 Si 웨이퍼의 상위면 뿐만 아니라 아랫면에도 증착할 수 있다. 그리고, 상기 버퍼층(2) 위에는 반사금속층(3)과 전극(4)이 패터닝 되는데, 반사금속층(3)은 티타늄 또는 알루미늄으로 이루어지며 증착되는 두께는 적외선이 99%이상 반사되도록 하는 유효두께로서, 티타늄의 경우는 2000∼5000Å, 알루미늄은 500∼10000Å의 두께로 증착된다.
또한 전극(4)은 알루미늄을 포함하는 금속으로 이루어지는데 이 전극은 앵커(anchor)로 연결되어 상부층(200)의 전극(4)에도 연결되면서 동시에 상부층(200)을 지지할 수 있도록 되어 있다.
다음, 상부층(200)은 센서층(5) 및 그 위에 형성된 금속 흡수층(6)으로 이루어 지는데, 하부층(100)의 전극(4)에 연결된 앵커에 의해 지지되면서 상부층(200)에 형성되는 전극(4)과 콘택을 형하여 연결될 수 있도록 한다. 또 상부층에는 열절연을 위한 절연 컷(7)과 캔틸레버부(8)가 형성되어 있다. 상기 센서층(5)은 도핑된 비정질 실리콘, 산화 바나듐 또는 산화티타늄의 재질로 이루어지며, 상기 도핑된 비정질 실리콘층은 N형 또는 P형 도핑된 비정질 실리콘으로서 그 두께는 0.2±0.02㎛로 증착된다. 이 때 도핑된 비정질 실리콘은 비저항 100±10Ω·㎝ 범위인 것으로 한다. 그리고 산화 바나듐의 경우에는 멤브레인층과 함께 다양한 모양으로 센서층(5)을 구성하며 전극이 형성된 위치 등에 따라 형성조건이 변화될 수 있다. 그리고 상기 금속 흡수층(6)은 적외선을 흡수하는 층으로서 티타늄으로 이루어지며 그 두께는 적외선이 최대의 흡수율을 가지는 60±10Å으로 한다.
그 다음, 상기 하부층(100)과 상부층(200) 사이에는 에어 갭(9)이 있어서, 상기 상부층(200) 볼로미터에서 적외선이 흡수되면 하부층(100)의 반사금속층(3)에 의해 반사되고 그 다음 흡수층에서 재흡수가 일어나도록 한다. 이 때 상기 에어갭(9)은 금속 흡수층(6)에서부터 반사금속층(3)까지의 거리가 λ/4(λ:적외선의 파장)가 되도록 설계하며 본 발명에서는 1.5±0.2㎛의 높이가 되도록 한다.
그리고, 본 발명의 적외선 센서의 단위 픽셀에 대한 열시상수(Thermal Time Constant)는 2.5msec 내외이며, 바람직하게는 2 내지 5msec이다.
다음, 도 3a 내지 도 3h는 본 발명에 의한 적외선 센서의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.
본 발명에 의한 적외선 센서를 제조하는 방법은 다음의 단계들로 이루어진다.
Si 웨이퍼(1) 상에 버퍼층(2)을 증착하는 제 1단계(미도시)와 상기 버퍼층(2) 위에 반사금속층(3) 및 전극(4)을 패터닝 하는 제 2단계(도 3a)가 이루어지는데, 이 때 반사금속층(3)과 전극(4)을 패터닝 하기 전에 단위 픽셀을 절연시켜 분리시키기 위한 SiO2 분리막을 형성하고, BOE(Buffered Oxide Etch, 이하 BOE라 함) 공정을 수행한다. 이 때 BOE 공정은 SiO2 식각시 사용되며 NH4F와 HF가 혼합된 화학 물질을 사용한다. HF는 산화물의 식각에 직접 관여하며 NH4F는 식각률(Etch Rate)을 조정하여 균일성(Uniformity)을 좋게 하는 완충 용액의 역할을 하여 주로 웨이퍼 표면의 유기물 제거 등 세정 물질로 사용되며 금속 식각 용액의 일부가 되 기도 한다.
그 다음 제 3단계는 상기 패터닝된 버퍼층(2) 위에 희생층(10)을 형성하는 공정으로서(도 3b), 상기의 희생층(10)은 폴리이미드(polyimide)를 포함하는 재질로 이루어지며 스핀 코팅법에 의하여 도포된다. 희생층(10)이 형성된 후 스텝 커버리지(step coverage)를 풀어주기 위하여 SOP(Spin-on-polymer) 공정을 더 포함할 수도 있다.
다음, 상기 희생층(10) 위에 스퍼터링(Sputtering)법에 의하여 센서층(5)을 형성하고(제 4단계, 도 3c), 상기 센서층(5) 위에 전극(4)까지 연결될 수 있도록 비아 홀(11)을 형성하는 제 5단계(도 3d)가 수행된다. 이 때 비아 홀(11)은 CF4, CHF4 또는 Ar을 이용한 플라즈마 식각법에 의해 이루어진다. 다음, 열절연을 위한 절연 컷(7)을 형성하고 마스크의 백결함을 수정하기 위해 리프트 오프(Lift off)법 공정을 더 수행할 수 있다(미도시). 리프트 오프법이란 마스크의 백결함을 수정하는 수단으로서, 레지스트를 도포하고, 스폿 모양의 자외선으로 수정부분을 조사하고 현상하여 레지스트를 제거한 후에 크롬 등의 차광막을 증착하여, 레지스트와 함께 비수정부분의 금속을 제거하는 방법을 말한다.
그 다음은 제 6단계로서 상기 비아 홀(11)에 콘택을 형성하여 전극(4)을 패터닝하고(도 3e), 상기 전극(4)이 형성된 센서층(5)에 캔틸레버부(8)를 형성하는 제 7단계(도 3f), O2 플라즈마 애싱 공정 등에 의하여 상기 희생층(10)을 제거하여 에어 갭(9)을 형성하는 제 8단계(도 3g) 공정으로 수행되며, 마지막으로 상기 제 1 단계 내지 제 8단계에 의해 형성된 적외선 센서의 단위 픽셀 최상부층에 1Å 단위까지 제어가 가능한 열증착법(Thermal Evaporation) 또는 스퍼터링(Sputtering)법에 의해 금속 흡수층(6)을 형성하는 제 9단계(도 3h)를 포함하여 이루어진다. 여기에서 최상부층인 금속 흡수층(6)을 마지막에 형성하는 이유는 이전 제조 단계에서 전극 등을 형성할 때 발생한 스텝 커버리지를 줄이기 위한 것이다.
또한 본 발명에 의한 적외선 센서의 단위 픽셀은 다음의 다른 실시예를 통하여 제조될 수도 있다.
<다른 실시예>
Si 웨이퍼(1) 상에 버퍼층(2)을 증착하고(제 1단계), 상기 버퍼층(2) 위에 반사금속층(3) 및 전극(4)을 패터닝한 다음(제 2단계), 상기 패터닝된 버퍼층(2) 위에 희생층(10)을 형성한다(제 3단계). 그리고, 상기 희생층(10) 위에 센서층(5)을 형성하고(제 4단계), 상기 센서층(5)위에 전극(4)까지 연결될 수 있도록 비아 홀(11)을 형성하여(제 5단계) 상기 발명의 구성에서 기술한 제 1단계에서 제 5단계의 공정을 동일하게 수행한다.
다음, 상기 비아 홀(11)이 형성된 센서층(5) 위에 티타늄을 포함하는 금속 흡수층(6)을 형성하고(제 6a단계), 상기 비아 홀(11) 주변만 선택적으로 식각하여 금속 흡수층(6)을 제거한다(제 7a단계). 이 때, 상기 금속 흡수층(6)을 부분적으로 식각하는 공정은 47%의 불산(HF)과 탈이온수를 1:100의 부피비로 혼합한 용액을 사용하여 비아 홀(11) 주변의 금속 흡수층(6)을 선택적으로 제거하게 된다.
그 다음, 상기 비아 홀(11)에 콘택을 형성하여 전극(4)을 패터닝하고(제 8a 단계), 상기 전극(4)이 형성된 센서층(5)에 캔틸레버부(8)를 형성한(제 9a단계) 다음, 상기 희생층(10)을 제거하여 에어 갭(9)을 형성하는 단계(제 10a단계)로 제조될 수 있다.
그 다음, 도 4는 본 발명에 의한 적외선 센서의 적외선 흡수율을 측정하여 나타낸 그래프로서, 8∼12㎛인 적외선 중심파장에서의 흡수율이 95% 이상임을 알 수 있다.
상세히 설명된 본 발명에 의하여 본 발명의 특징부를 포함하는 변화들 및 변형들이 당해 기술 분야에서 숙련된 보통의 사람들에게 명백히 쉬워질 것임이 자명하다. 본 발명의 그러한 변형들의 범위는 본 발명의 특징부를 포함하는 당해 기술 분야에 숙련된 통상의 지식을 가진 자들의 범위 내에 있으며, 그러한 변형들은 본 발명의 청구항의 범위 내에 있는 것으로 간주된다.
따라서, 본 발명의 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 및 그 제조방법은 비정질 실리콘을 포함하는 재질로 이루어진 볼로미터형 2층 구조의 적외선 센서를 제공함으로써 적외선 중심 파장에서의 흡수율이 95% 이상이 되도록 하는 적외선 센서를 비교적 간단한 공정을 통해 제조할 수 있다는 장점이 있고, 산업용 검사 장비 뿐만 아니라 온도 분해능이 작은 정밀 측정 장비로도 활용할 수 있는 효과가 있다.
Claims (29)
- Si 웨이퍼, 상기 Si 웨이퍼 위에 형성된 버퍼층, 상기 버퍼층 위에 증착된 반사금속층 및 앵커(anchor)가 연결된 전극을 포함하여 구성된 하부층;상기 전극에 연결된 앵커에 의해 지지되는 센서층, 상기 센서층 위에 형성된 금속 흡수층을 포함하여 구성된 상부층; 및상기 하부층과 상부층 사이에 형성된 에어갭을 포함하여 구성되는 단위 픽셀로 이루어지며,상기 상부층에는 열 절연을 위한 절연 컷이 형성되어 있음을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 상부층에는 캔틸레버부가 형성되어 있음을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 적외선 센서의 단위픽셀을 이루는 각 층의 열시상수(Thermal Time Constant)는 2.5 내지 5msec임을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 버퍼층은 SiNx를 포함하는 물질로 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 반사금속층은 티타늄 또는 알루미늄으로 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
- 제 7항에 있어서,상기 티타늄으로 이루어진 반사금속층은 2000 내지 5000Å의 두께로 증착됨을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
- 제 7항에 있어서,상기 알루미늄으로 이루어진 반사금속층은 500 내지 10000Å의 두께로 증착됨을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 센서층은 도핑된 비정질 실리콘, 산화 바나듐 및 산화 티타늄 중 어느 하나의 재질로 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
- 제 10항에 있어서,상기 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어진 센서층은 0.2±0.02㎛의 두께로 형 성됨을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
- 제 10항에 있어서,상기 도핑된 비정질 실리콘은 비저항이 100±10Ω·㎝임을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 에어갭의 높이는 1.5±0.2㎛임을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 금속 흡수층은 티타늄으로 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 금속 흡수층은 60±10Å의 두께로 증착됨을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
- Si 웨이퍼 상에 버퍼층을 증착하는 제 1단계;상기 버퍼층 위에 반사금속층 및 전극을 패터닝하는 제 2단계;상기 패터닝된 버퍼층 위에 희생층을 형성하는 제 3단계;상기 희생층 위에 센서층을 형성하는 제 4단계;상기 센서층 위에 전극까지 연결될 수 있도록 비아 홀을 형성하고, 열 절연을 위한 절연 컷을 형성하는 제 5단계;상기 비아 홀에 콘택을 형성하여 전극을 패터닝하는 제 6단계;상기 전극이 형성된 센서층에 캔틸레버부를 형성하는 제 7단계;상기 희생층을 제거하여 에어 갭을 형성하는 제 8단계; 및상기 제 1단계 내지 제 8단계에 의해 형성된 적외선 센서의 단위 픽셀 최상부층에 금속 흡수층을 형성하는 제 9단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서의 제조방법.
- 삭제
- 제 16항에 있어서,상기 제 5단계와 제 6단계 사이에 마스크의 백결함을 수정하기 위해 리프트 오프법을 더 포함함을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서의 제조방법.
- 제 16항 또는 제 18항에 있어서,상기 금속 흡수층을 형성하는 제 9단계는 열증착법 또는 스퍼터링법에 의해 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서의 제조방법.
- Si 웨이퍼 상에 버퍼층을 증착하는 제 1단계;상기 버퍼층 위에 반사금속층 및 전극을 패터닝 하는 제 2단계;상기 패터닝된 버퍼층 위에 희생층을 형성하는 제 3단계;상기 희생층 위에 센서층을 형성하는 제 4단계;상기 센서층 위에 전극까지 연결될 수 있도록 비아 홀을 형성하는 제 5단계;상기 비아 홀이 형성된 센서층 위에 금속 흡수층을 형성하는 제 6a단계;상기 비아 홀의 주변만 선택적으로 식각하여 금속 흡수층을 제거하는 제 7a 단계;상기 비아 홀에 콘택을 형성하여 전극을 패터닝하는 제 8a단계;상기 전극이 형성된 센서층에 캔틸레버부를 형성하는 제 9a단계; 및상기 희생층을 제거하여 에어 갭을 형성하는 제 10a단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서의 제조방법.
- 제 20항에 있어서,상기 금속 흡수층을 부분적으로 식각하는 제 7a단계는 47% 불산과 탈이온수가 1:100 부피비로 혼합된 용액으로 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서의 제조방법.
- 제 16항 또는 제 20항에 있어서,상기 제 1단계와 제 2단계 사이에 단위 픽셀 사이의 절연을 위해 SiO2 분리막을 형성하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서의 제조방법.
- 제 22항에 있어서,상기 분리막을 형성하는 단계는 BOE(Buffered Oxide Etch) 공정을 더 포함함을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서의 제조방법.
- 제 16항 또는 제 20항에 있어서,상기 제 3단계의 희생층을 형성하는 단계는 SOP(Spin-on-polymer) 공정을 더 포함함을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서의 제조방법.
- 제 16항 또는 제 20항에 있어서,상기 제 3단계의 희생층은 폴리이미드를 포함하는 재질로 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서의 제조방법.
- 제 16항 또는 제 20항에 있어서,상기 희생층은 스핀 코팅법에 의하여 도포됨을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서의 제조방법.
- 제 16항 또는 제 20항에 있어서,상기 제 4단계의 센서층은 스퍼터링법에 의하여 증착됨을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서의 제조방법.
- 제 16항 또는 제 20항에 있어서,상기 비아 홀을 형성하는 제 5단계는 CF4, CHF4 또는 Ar을 이용한 플라즈마 식각법에 의해 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서의 제조방법.
- 제 16항 또는 제 20항에 있어서,상기 희생층을 제거하는 단계는 O2 플라즈마 애싱 공정에 의해 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서의 제조방법.
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