KR100711833B1 - Alloy target and method for manufacturing ti-al-si alloy target by mechanical alloying and spark plasma sintering - Google Patents

Alloy target and method for manufacturing ti-al-si alloy target by mechanical alloying and spark plasma sintering Download PDF

Info

Publication number
KR100711833B1
KR100711833B1 KR1020060000987A KR20060000987A KR100711833B1 KR 100711833 B1 KR100711833 B1 KR 100711833B1 KR 1020060000987 A KR1020060000987 A KR 1020060000987A KR 20060000987 A KR20060000987 A KR 20060000987A KR 100711833 B1 KR100711833 B1 KR 100711833B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
powder
raw material
material powder
target
elements
Prior art date
Application number
KR1020060000987A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김성완
김상권
문경일
조용기
Original Assignee
한국생산기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국생산기술연구원 filed Critical 한국생산기술연구원
Priority to KR1020060000987A priority Critical patent/KR100711833B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100711833B1 publication Critical patent/KR100711833B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C21/00Alloys based on aluminium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy

Abstract

본 발명은 타겟 제조공정 및 그 제품에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고속용 가공공구에 사용되는 스퍼터링이나 아크 이온 플레이팅용 타겟 개발을 위한 나노 구조 코팅용 타겟 제조공정 및 그 제품에 관한 것이다.The present invention relates to a target manufacturing process and a product thereof, and more particularly to a target manufacturing process for nano-structure coating for the development of a target for sputtering or arc ion plating used in high-speed processing tool and its product.

이를 위해, 원료 분말과 볼을 일정 비율의 장입비로 혼합한 후 기계적 합금화 공정을 수행하여 원료 분말 내부에 Ti, Al, Si 원소를 일정하게 분포시키는 동시에 분말 내부의 결정립을 나노 크기로 미세 입자화하고, 미세 입자화한 원료 분말을 투입한 후, 스파크 플라즈마 소결공정을 수행하여 원료 분말 내부에 Ti, Al, Si 원소를 일정하게 분포시키는 동시에 분말 내부의 결정립을 나노 크기로 미세 입자화한 상태의 소결체를 형성하여 타겟을 제조하는 것을 특징으로 한다.To this end, the raw material powder and balls are mixed at a predetermined ratio of charge ratio, and then mechanical alloying process is performed to uniformly distribute Ti, Al, and Si elements in the raw powder, and to finely granulate the grains in the powder to nano size. After the finely granulated raw material powder is added, the spark plasma sintering process is performed to uniformly distribute Ti, Al, and Si elements in the raw material powder, and to sinter the finely grained particles to nano size. Forming the to form a target.

상기한 구성에 따라, 기계적 합금화 공정과 스파크 플라즈마 소결공정을 통해 원료 분말 내부의 결정립을 나노 크기로 미세 입자화할 수 있고 분말을 균일한 크기로 확보할 수 있으며, 원료 분말 내부에 Ti, Al, Si 합금 원소를 균일하게 분포할 수 있게 됨으로써, 물성이 우수한 Ti-Al-Si 합금 소결체를 제조하여 고속용 가공공구의 차세대 나노 구조 코팅 재료로 사용할 수 있는 효과가 있다.According to the above configuration, through the mechanical alloying process and the spark plasma sintering process, the grains inside the raw material powder can be finely granulated to nano size, and the powder can be secured to a uniform size, and the Ti, Al, Si inside the raw material powder can be obtained. By uniformly distributing the alloying elements, the Ti-Al-Si alloy sintered body having excellent physical properties can be manufactured and used as a next-generation nanostructure coating material of a high speed processing tool.

나노, 타겟, 기계적 합금화법, 스파크 플라즈마 소결법, Ti-Al-Si 합금계. Nano, target, mechanical alloying method, spark plasma sintering method, Ti-Al-Si alloy system.

Description

나노 구조 코팅용 타겟 제조공정 및 그 제품{Alloy target and method for manufacturing Ti-Al-Si alloy target by Mechanical Alloying and Spark Plasma Sintering}Alloy target and method for manufacturing Ti-Al-Si alloy target by Mechanical Alloying and Spark Plasma Sintering}

도 1은 종래 기술에 따른 스퍼터링 공정과 아크 공정이 복합된 코팅 시스템을 개략적으로 도시한 단면도,1 is a cross-sectional view schematically showing a coating system in which a sputtering process and an arc process are combined according to the prior art;

도 2는 본 발명에 따른 기계적 합금화 공정을 위한 볼밀의 구조를 도시한 단면도,2 is a cross-sectional view showing the structure of a ball mill for a mechanical alloying process according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 기계적 합금화 공정을 거친 분말 내 합금 원소의 분포를 나타낸 사진,Figure 3 is a photograph showing the distribution of alloying elements in the powder subjected to the mechanical alloying process according to the present invention,

도 4는 본 발명에 따른 기계적 합금화 공정을 거친 분말의 미세구조를 나타낸 사진,Figure 4 is a photograph showing the microstructure of the powder subjected to the mechanical alloying process according to the present invention,

도 5는 본 발명에 따른 스파크 플라즈마 소결공정을 위한 장치 구조를 도시한 개략도,5 is a schematic diagram showing an apparatus structure for a spark plasma sintering process according to the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 스파크 플라즈마 소결공정을 통해 제조된 소결체의 미세구조를 나타낸 사진,Figure 6 is a photograph showing the microstructure of the sintered body manufactured by the spark plasma sintering process according to the present invention,

도 7은 본 발명에 따른 스파크 플라즈마 소결공정시 소결체의 수축 정도를 나타낸 그래프.Figure 7 is a graph showing the degree of shrinkage of the sintered body during the spark plasma sintering process according to the present invention.

본 발명은 타겟 제조공정 및 그 제품에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고속용 가공공구에 사용되는 스퍼터링이나 아크 이온 플레이팅용 타겟 개발을 위한 나노 구조 코팅용 타겟 제조공정 및 그 제품에 관한 것이다.The present invention relates to a target manufacturing process and a product thereof, and more particularly to a target manufacturing process for nano-structure coating for the development of a target for sputtering or arc ion plating used in high-speed processing tool and its product.

일반적으로, 스퍼터링(sputtering)법은 에너지를 갖는 입자가 타겟(target)에 충돌하면 타겟으로부터 원자 또는 분자가 튀어 나와 기판 표면에 박막을 형성하는 것을 말한다. 이 원리는 타겟을 (-)극, 기판을 (+)극으로 하고 1~2Torr 정도의 Ar분위기에서 고전압을 걸어주면 (-)극 근처의 Ar가스는 이온화해서 Ar+로 되어 (-)극에 충돌한다. 이 이온충격에 의해서 튀어나온 분자 또는 원자가 (+)극의 기판에 붙어서 박막이 형성되는 것이다.In general, the sputtering method refers to the formation of a thin film on the surface of an substrate when atoms with energy collide with a target, and atoms or molecules come out of the target. The principle is that if the target is applied to the (-) pole and the substrate is the (+) pole, and a high voltage is applied in an Ar atmosphere of 1 to 2 Torr, the Ar gas near the (-) pole is ionized and becomes Ar + , Crash. Molecules or atoms protruding by the ion bombardment are attached to the substrate of the (+) electrode to form a thin film.

아크 이온 플레이팅도 비슷한 원리에 의해 박막을 형성시키는 방법으로서, 플라즈마 영역이 아닌 아크영역에서 타겟 물질을 활성화 시키게 된다. 이처럼, 타겟 물질로부터 스퍼터링 또는 아크 이온 플레이팅되어 박막이 형성된 기판 물질의 표면은 금색 또는 은색 등과 같은 장식색을 띄게 되며, 높은 경도와 우수한 물성을 통해 내식성, 내마모성 등의 특성을 갖게 된다.Arc ion plating is a method of forming a thin film by a similar principle, and activates the target material in the arc region, not the plasma region. As such, the surface of the substrate material on which the thin film is formed by sputtering or arc ion plating from the target material has a decorative color such as gold or silver, and has characteristics such as corrosion resistance and wear resistance through high hardness and excellent physical properties.

한편, 최근 들어 자동차, 조선, 전자를 비롯한 다양한 제조업에 있어서 절삭가공의 고속도화, 고능률화가 절실히 요구되고 있다. 이러한 요구의 핵심은 고속가 공 기술에 있으며, 생산성 향상에 따라 기업의 경쟁력을 강화시켜 주고 있다.On the other hand, in recent years in various manufacturing industries, including automobiles, shipbuilding, electronics, high speed and high efficiency of the cutting process is urgently required. The key to this demand lies in high-speed processing technology, which enhances the company's competitiveness as productivity increases.

이에 대응하기 위한 고속가공용 절삭공구로 내구성, 내식성이 우수한 고성능 코팅막을 도입하는 추세이다.In order to cope with this, a cutting tool for high-speed machining is a trend to introduce a high-performance coating film having excellent durability and corrosion resistance.

특히, 고속가공에 의한 한 예로, 고열(700∼ 800℃)이 발생하며, 빠른 이송속도가 특징이다. 고성능 코팅막의 특성은 고속가공시 발생하는 고열에서도 견딜 수 있어야 하고(우수한 내산화성), 고속가공에서 흔히 발생하는 정밀한 날끝의 칩핑 현상이 발생하지 않아야 하며(양호한 인성), 내마멸성이 향상된(우수한 경도) 코팅막 개발이 필수적이다.In particular, as an example by high-speed processing, high heat (700 ~ 800 ℃) occurs, it is characterized by a high feed rate. The characteristics of the high-performance coating film must be able to withstand the high temperatures generated during high-speed processing (excellent oxidation resistance), avoid the precise chip tip phenomenon common in high-speed processing (good toughness), and improve the wear resistance (excellent hardness). Coating film development is essential.

이러한 고속 가공용 공구의 수명향상을 위한 최적 코팅층으로 TiAlN이 선호되고 있으며, 특히 최근에는 TiAlN의 미세구조를 나노화시킴으로써, 특성을 극대화하기 위한 연구가 진행 중이다. 상기한, 나노 구조의 코팅막 형성에 있어 중요한 것은 결정립 미세화와 열적으로 불안정한 나노 구조를 안정하게 만드는 것이다. 이를 위해 선진국에서는 TiAlN에 B, Si, Cr등을 첨가함으로써, 석출상을 효과적으로 분산시켜 열적 안정성을 향상시키려는 연구가 계속하여 진행중에 있다.TiAlN is preferred as an optimal coating layer for improving the lifespan of such a high speed machining tool. In particular, in recent years, research has been conducted to maximize the characteristics by nanoning the microstructure of TiAlN. The above-mentioned, important in forming the nanostructured coating film is to make the crystallization of the crystal grains and the thermally unstable nanostructures stable. To this end, in the developed countries, studies are being made to improve thermal stability by effectively dispersing the precipitated phase by adding B, Si, Cr, etc. to TiAlN.

상기와 같은 특징을 갖는 코팅층 형성을 위해 최근까지 사용된 스퍼터 타겟은 도 1에서 도시한 바와 같이, TiAl 합금으로 구성된 타겟과 Si 또는 Cr 타겟을 복합적으로 활용하는 공정이 이용되었다.As the sputter target used until recently to form a coating layer having the above characteristics, as shown in FIG. 1, a process using a SiAl or Cr target in combination with a target composed of a TiAl alloy was used.

그러나, 상기한 종래의 타겟 제조공정은 챔버 내에 두 종류 이상의 타겟을 설치하므로, 나노 구조 코팅을 위한 최적 공정의 결정이 복잡해지는 문제점이 있다.However, the above-described conventional target manufacturing process has a problem in that the determination of the optimal process for nanostructure coating is complicated because two or more types of targets are installed in the chamber.

즉, 상기와 같은 종래의 타겟 제조공정을 통해 제조된 타겟을 이용하여 스퍼터링을 수행할 경우, 도 1과 같은 복잡한 형태의 스퍼터와 아크 코팅 시스템에 TiAl 타겟과 Si 타겟을 따로 설치하여 코팅을 수행해야 하는 어려움이 있다.That is, when sputtering is performed using a target manufactured by the conventional target manufacturing process as described above, coating must be performed by separately installing the TiAl target and the Si target in the sputtering and arc coating systems of the complicated shape as shown in FIG. 1. There is a difficulty.

결국, 스퍼터링 공정과 아크 공정을 따로 결정하여야 하고, 분위기를 두 공정에 맞게 설정해야 하며, 각각에서 나오는 코팅 물질량에 따라 공정변수를 변경해야 하는 어려움이 따르게 된다.As a result, the sputtering process and the arc process have to be determined separately, the atmosphere has to be set according to the two processes, and the difficulty of changing the process parameters according to the amount of coating material from each comes with the difficulty.

한편, 국내에서는 고급 타겟 소재를 외국에서 수입하고 있는 실정에 있는데 이는 타겟의 특징이 합금 성분을 균일하게 분산시켜야 하고, 높은 순도와 밀도, 더 작은 결정립 크기 및 균일한 크기 분포, 균일한 미세구조와 조성 분포 등 최종 제품의 특성을 향상시키기 위한 여러 가지 조건을 요구하기 때문이다.On the other hand, in Korea, high-quality target materials are imported from foreign countries. The characteristics of the target are that the alloy components must be uniformly dispersed, and high purity and density, smaller grain size and uniform size distribution, uniform microstructure and This is because a variety of conditions are required to improve the properties of the final product, such as composition distribution.

상기의 조건을 만족시키기 가장 좋은 방법으로 분말 야금법을 들 수 있는데, Ti-Al 합금계의 경우 Al계에 가까울수록 Al내에서의 Ti 고용도가 적고 냉각 구간이 길어, 균일하게 분산된 합금계를 얻기 힘들다는 문제가 있다.Powder metallurgy is the best method to satisfy the above conditions. In the case of Ti-Al alloy system, the closer to Al system, the smaller the Ti solid solubility in Al and the longer the cooling period. There is a problem that is difficult to obtain.

특히, Al3Ti는 합금 성분들로 이루어져 있어 급냉법으로도 정확한 합금을 만들기가 힘든 실정에 있고, 또한 상기한 합금계에 Si가 포함되면 합금 조성이 더 복잡하여 일반적인 주조 방법으로는 균일한 합금의 제조가 불가능하게 되는 문제도 있다.In particular, since Al 3 Ti is composed of alloying elements, it is difficult to make an accurate alloy even by a quenching method. Also, when Si is included in the alloy system, the alloy composition is more complicated, so that the general casting method is uniform. There is also a problem in that the manufacture of the resin becomes impossible.

본 발명은 전술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으 로, 기계적 합금화 공정과 스파크 플라즈마 소결공정을 통해 결정립이 미세하고 균일하며 물성이 우수한 Ti-Al-Si 합금계 타겟을 제조할 수 있도록 한 나노 구조 코팅용 타겟 제조방법 및 그 제품을 제공하는 데 있다.The present invention has been made to solve the conventional problems as described above, through the mechanical alloying process and the spark plasma sintering process can produce a Ti-Al-Si alloy-based target having fine grain, uniform and excellent physical properties. The present invention provides a method for producing a target for nanostructure coating and a product thereof.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 나노 구조 코팅용 타겟 제조방법은, 고속가공공구의 수명 향상을 위한 스퍼터링에 이용되는 타겟 제조 공정에 있어서, 원료 분말과 소정 크기의 볼을 일정 비율의 장입비로 혼합한 후 기계적 합금화 공정을 수행하여 원료 분말 내부에 Ti, Al, Si 원소를 일정하게 분포시키는 동시에 분말 내부의 결정립을 나노 크기로 미세 입자화하는 단계와; 상기 미세 입자화단계를 거친 원료 분말을 투입한 후, 스파크 플라즈마 소결공정을 수행하여 원료 분말 내부에 Ti, Al, Si 원소를 일정하게 분포시키는 동시에 분말 내부의 결정립을 나노 크기로 미세 입자화한 상태의 소결체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the method for manufacturing a target for nanostructure coating of the present invention for achieving the above object, in the target manufacturing process used for sputtering for improving the life of a high-speed processing tool, the raw material powder and a ball of a predetermined size are charged at a predetermined ratio. Performing a mechanical alloying process after mixing in a ratio to uniformly distribute Ti, Al, and Si elements in the raw material powder and at the same time finely granulate the grains in the powder to nano size; After inputting the raw material powder after the fine granulation step, the spark plasma sintering process is performed to uniformly distribute Ti, Al, and Si elements in the raw material powder, and at the same time, finely granulate the crystal grains in the powder to nano size. It characterized by comprising a step of forming a sintered body of.

또한, 본 발명의 나노 구조 코팅용 타겟은 고속가공공구의 수명 향상을 위한 스퍼터링에 이용되는 타겟에 있어서, 원료 분말과 소정 크기의 볼을 일정 비율의 장입비로 혼합한 후 기계적 합금화 공정을 수행하여 원료 분말 내부에 Ti, Al, Si 원소를 일정하게 분포시키는 동시에 분말 내부의 결정립을 나노 크기로 미세 입자화하고, 상기 미세 입자화한 원료 분말을 투입한 후, 스파크 플라즈마 소결공정을 수행하여 원료 분말 내부에 Ti, Al, Si 원소를 일정하게 분포시키는 동시에 분말 내부의 결정립을 나노 크기로 미세 입자화한 상태의 소결체를 형성하여 제조되는 것을 특징으로 한다.In addition, the target for nano-structure coating of the present invention is a target used for sputtering to improve the life of a high-speed processing tool, the raw material powder and a predetermined size of the ball by mixing a predetermined ratio of charge ratio and then performing a mechanical alloying process While uniformly distributing Ti, Al, and Si elements in the powder, and finely granulating the crystal grains in the powder to nano size, injecting the finely granulated raw powder, and performing a spark plasma sintering process, It is characterized in that it is produced by uniformly distributing the elements of Ti, Al, Si, and forming a sintered body in a state in which the grains inside the powder are finely granulated to a nano size.

본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.When described in detail with reference to the accompanying drawings a preferred embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 7은 본 발명의 나노 구조 코팅용 타겟 제조방법 및 그 제품에 대한 것으로, 먼저 나노 구조 코팅용 타겟 제조방법은 나노 입자화단계와 소결체 형성단계로 구성된다.2 to 7 are directed to a method for producing a target for nano-structure coating and the product of the present invention, first, the method for producing a target for nano-structure coating is composed of a nano-particle granulation step and a sintered body forming step.

설명하면, 나노 입자화단계에서는 원료 분말과 소정 크기의 볼을 일정 비율의 장입비로 혼합한 후 기계적 합금화 공정을 수행하여 원료 분말 내부에 Ti, Al, Si 원소를 일정하게 분포시키는 동시에 분말 내부의 결정립을 나노 크기로 미세 입자화하게 된다.In other words, in the nano-particulation step, the raw material powder and the ball having a predetermined size are mixed at a predetermined ratio of charge ratio, and then a mechanical alloying process is performed to uniformly distribute Ti, Al, and Si elements in the raw material powder and simultaneously crystal grains in the powder Is finely granulated to nano size.

여기서, 상기한 기계적 합금화 공정(기계적 합금화법:Mechanical Alloying, MA)에 대해 간단하게 설명하면, 분말 상태의 시편을 볼과 함께 일정크기의 용기에 넣고 기계적인 힘으로 합금화를 일으키는 방법으로, 고상에서 모든 반응이 이루어지게 됨으로써, 합금화가 거의 힘든 조성 사이에도 합금화가 가능하며 고용도가 거의 없는 산화물 및 탄화물의 분산에도 최적의 공정이다.Here, the mechanical alloying process (Mechanical Alloying (MA)) described above is briefly described, in which a powdered specimen is put together with a ball into a container of a certain size and alloyed by a mechanical force. All the reactions are performed, which makes it possible to alloy even between alloying compositions that are difficult to alloy, and is an optimal process for dispersing oxides and carbides with little solid solution.

또한, 내부에 충분한 에너지에 의해 결정립의 미세화가 가능하여 나노미터 미만의 결정립 크기(grain size)를 갖는 분말을 생산할 수 있다.In addition, it is possible to refine the grains by sufficient energy therein to produce a powder having a grain size of less than nanometers.

상기와 같은 기계적 합금화 공정을 통한 나노 입자화단계를 도 2를 통해 보다 상세하게 설명하면, 원료 분말과 볼을 중량 대비 1:50~1:100의 비율로 볼밀에 혼합한 후, 상기 볼밀을 질소나 수소 분위기로 유지시켜 200~300rpm의 속도로 10~100시간 회전 구동시킨다.Referring to the nano-particle granulation step through the mechanical alloying process as described above in more detail with reference to Figure 2, after mixing the ball powder in a ratio of 1:50 ~ 1: 100 by weight of the raw material powder and the ball, the ball mill nitrogen B. It is maintained in a hydrogen atmosphere and driven to rotate for 10-100 hours at a speed of 200-300 rpm.

이때, 상기 볼의 크기는 3/16inch~6/16inch 의 것을 사용하게 되는데, 그 이유는 볼의 크기가 2/16 inch 이하인 경우, 볼밀 내부에 충분한 에너지를 공급하지 못하여 원료 분말 내부의 결정립 미세화 효과가 감소되고, 볼의 크기가 7/16 inch 이상인 경우, 중량 대비 볼의 양이 적고, 볼의 크기가 큰 영향에 의해 입자 크기 감소에 좋지 않은 영향을 미치게 되기 때문이다.At this time, the size of the ball is to use the 3 / 16inch ~ 6 / 16inch, the reason is that when the size of the ball is 2/16 inch or less, it is not possible to supply enough energy to the inside of the ball mill grain refinement effect inside the raw material powder This is because when the size of the ball is reduced to 7/16 inch or more, the amount of the ball is small compared to the weight, and the size of the ball has a great influence on the particle size reduction.

계속해서, 소결체 형성단계에서는 나노 입자화단계를 거친 원료 분말을 투입한 후, 스파크 플라즈마 소결공정을 수행하여 원료 분말 내부에 Ti, Al, Si 원소를 일정하게 분포시키는 동시에 분말 내부의 결정립을 나노 크기로 미세 입자화한 상태의 소결체를 형성하게 된다.Subsequently, in the sintered body forming step, the raw material powder subjected to the nano-granulation step is added, and then a spark plasma sintering process is performed to uniformly distribute Ti, Al, and Si elements in the raw material powder, and to simultaneously crystallize the grains in the powder. The fine sintered compact is formed.

여기서, 상기한 스파크 플라즈마 소결공정(스파크 플라즈마 소결법:Spark Plasma Sintering, SPS)에 대해 간단하게 설명하면, 일정 압력하에 놓여있는 분말에 전류를 가하여 분말 입자 사이에 플라즈마를 발생시킴으로써, 표면을 활성화시켜 낮은 온도에서 분말을 빠르게 소결하는 방법이다.Here, the above-described spark plasma sintering process (Spark Plasma Sintering, SPS) will be described briefly. By applying an electric current to a powder placed under a constant pressure to generate a plasma between the powder particles, the surface is activated and lowered. This is a method of rapidly sintering a powder at a temperature.

이러한, 상기 스파크 플라즈마 소결공정은 플라즈마 발생에 따른 강력한 분말 표면 활성화에 의해 소결이 어려운 고온재료나 산화물의 소결이 용이하고, 또한 낮은 온도에서 빠른 소결이 가능하기 때문에, 나노 구조 물질이나 비정질 물질 등의 구조를 유지한체 소결하게 된다.The spark plasma sintering process is easy to sinter high-temperature materials or oxides that are difficult to sinter by strong powder surface activation due to plasma generation, and also enables rapid sintering at low temperatures. The structure is maintained and sintered.

상기와 같은 스파크 플라즈마 소결공정을 통한 소결체 형성단계를 도 5를 통해 보다 상세하게 설명하면, 제조하고자 하는 소결체의 크기에 따라 입자화한 원료 분말을 지그 사이에 투입한 후, 소결 압력을 가하는 동시에 높은 전류 밀도의 DC펄스 전류를 가하여 상기 원료 분말 사이에 플라즈마를 발생시키고 표면을 활성화시켜 소결체를 제조하게 된다.When the sintered body forming step through the spark plasma sintering process as described above is described in more detail with reference to FIG. 5, the raw material powder granulated according to the size of the sintered body to be manufactured is put between the jig and the sintering pressure is applied at the same time. By applying a DC pulse current of the current density to generate a plasma between the raw material powder and to activate the surface to produce a sintered body.

한편, 상기한 나노 구조 코팅용 타겟 제조방법을 통해 제조되는 타겟은, 상기한 기계적 합금화 공정과 스파크 플라즈마 소결공정을 순차적으로 수행하여 원료 분말 내부에 Ti, Al, Si 원소를 일정하게 분포시키고, 분말 내부의 결정립을 나노 크기로 미세 입자화한 상태로 소결체(타겟)를 제조하게 된다.On the other hand, the target produced by the method for producing a target for nanostructure coating, the mechanical alloying process and the spark plasma sintering process is sequentially performed to uniformly distribute Ti, Al, Si elements in the raw material powder, powder The sintered compact (target) is manufactured in the state which the internal crystal grain was made into the microparticles | fine-particles.

이때, 상기한 원료 분말 내부의 결정립 크기는 도 4 및 도 6과 같이 기계적 합금화 공정 이 후와 스파크 플라즈마 소결공정 이 후 모두 20㎚ 미만으로 형성하고, 원료 분말의 크기는 10㎛ 미만으로 균일하게 형성한다.At this time, the grain size inside the raw material powder is formed to less than 20nm both after the mechanical alloying process and after the spark plasma sintering process as shown in Figure 4 and 6, the size of the raw material powder is uniformly formed to less than 10㎛ do.

여기서, 상기 소결체에 조성되는 Ti, Al, Si 원소의 중량비는 각각 Ti: 47~10wt%와, Al: 50~80wt%와, Si: 3~10wt%로 조성된다.Here, the weight ratio of Ti, Al, and Si elements of the sintered compact is composed of Ti: 47 to 10 wt%, Al: 50 to 80 wt%, and Si: 3 to 10 wt%.

이와 같이 구성된 본 발명의 작용 및 효과를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation and effect of the present invention configured as described in detail as follows.

본 발명의 나노 구조 코팅용 타겟 제조방법을 통해 타겟을 제조하기 위해서는, 먼저 도 2와 같은 볼밀 내부에 원료 분말과 볼을 1:50의 비율로 혼합한 후, 200rpm의 속도로 20시간 이상 회전 구동시킨다.In order to manufacture the target through the method for manufacturing a target for nanostructure coating of the present invention, first, the raw powder and the ball are mixed in a ratio of 1:50 in the ball mill as shown in FIG. 2, and then rotated at a speed of 200 rpm for 20 hours or more. Let's do it.

도 3은 상기와 같은 회전 구동을 통한 원료 분말 내부의 합금 원소 분포를 나타낸 SEM사진으로, 5시간 밀링공정까지 균일하지 않던 Ti, Al, Si 합금 원소들이 20시간 이 후에는 분말 내부에 균일하게 분포하는 것을 확인할 수 있다.Figure 3 is a SEM photograph showing the distribution of alloy elements in the raw material powder through the rotational drive as described above, Ti, Al, Si alloy elements that were not uniform until the milling process 5 hours evenly distributed within the powder after 20 hours You can see that.

또한, 20시간 이후 제조된 분말의 구조는 도 4와 같이 20㎚ 미만의 크기를 갖게 되며, 분말 크기도 10㎛의 크기로 일정한 구형의 형태를 나타냄을 알 수 있다.In addition, the structure of the powder produced after 20 hours has a size of less than 20nm as shown in Figure 4, it can be seen that the powder size also shows a constant spherical shape with a size of 10㎛.

따라서, 상기한 기계적 합금화 공정을 통해 원료 분말 내부에 Ti, Al, Si 합금 원소를 균일하게 분포할 수 있고, 분말 내부의 결정립 크기를 20㎚ 미만의 나노 크기로 미세 입자화할 수 있으며, 분말 자체의 크기도 10㎛로 일정하게 확보할 수 있는 것이다.Therefore, through the above mechanical alloying process, Ti, Al, Si alloy elements can be uniformly distributed in the raw material powder, and the grain size in the powder can be finely granulated to a nano size of less than 20 nm, and the powder itself The size can also be secured at a constant 10㎛.

이처럼, 나노 구조의 분말을 제조한 후, 이 분말을 성형하는 공정은 일반적으로 합금의 녹는점의 2/3가 되는 온도에서 행해지게 된다.As such, after the nanostructured powder is produced, the step of molding the powder is generally performed at a temperature that is two thirds of the melting point of the alloy.

그러나, 상기와 같은 방법을 통해 성형을 하게 되면, Ti-Al-Si 합금계의 성형 온도는 1000℃ 이상 올라가게 되고, 이와 같이 높은 온도와 일정 압력하에서 소결이 행해질 경우, 준안정 상태인 나노 구조는 결정립 성장에 의해 사라지게 된다. 또한, 수평방향으로 큰 성형체를 열간 압축법(Hot Pressing)과 같이 일방향 압력하에서 소결시킬 경우, 압력의 불균일한 분포에 의해 시편 내의 균일한 밀도를 얻는 것이 어렵게 된다.However, when forming through the above method, the forming temperature of the Ti-Al-Si alloy system is raised to 1000 ℃ or more, when the sintering is performed under such a high temperature and a constant pressure, the nanostructure in a metastable state Disappears due to grain growth. In addition, when sintering a large molded body in the horizontal direction under one-way pressure, such as hot pressing (Hot Pressing), it is difficult to obtain a uniform density in the specimen due to the uneven distribution of pressure.

따라서, 압력을 등방으로 만들어주는 등방 압축법 (Hot Isostatic Pressing)이 많이 사용되며, 더 나아가 소결시간을 최소화하거나 소결 온도를 낮출 수 있는 대표적인 소결법인 스파크 플라즈마 소결공정을 이용하여 분말을 소결 성형하는 것이다.Therefore, Hot Isostatic Pressing is widely used to make the pressure isotropic. Furthermore, the powder is sintered by using the spark plasma sintering process, which is a representative sintering method that can minimize the sintering time or lower the sintering temperature. .

이처럼 분말을 소결하기 위해서는 도 5와 같이 지그 사이에 원하는 크기의 소결체에 필요한 최적 분말량을 넣고 압력을 가한체 높은 전류 밀도의 DC펄스 전류를 가하게 된다. 따라서, 분말 사이에 플라즈마가 발생되어 표면을 활성화시킴으로써, 짧은 시간 내에 분말의 소결을 수행할 수 있는 것이다.In order to sinter the powder, as shown in FIG. 5, the optimum amount of powder required for the sintered compact of a desired size is put between the jig and a DC pulse current of high current density is applied under pressure. Therefore, plasma is generated between the powders to activate the surface, so that the powder can be sintered in a short time.

도 6은 상기한 공정을 통해 소결된 소결체의 미세구조를 나타낸 사진으로, 분말 내부의 결정립 크기는 20㎚ 미만의 나노 크기로 미세 입자화되고, 분말 자체의 크기도 10㎛로 일정하게 확보되며, 특히 원료 분말 내부에 Ti, Al, Si 합금 원소가 균일하게 분포됨을 알 수 있다.6 is a photograph showing the microstructure of the sintered body sintered through the above process, the grain size inside the powder is finely granulated to a nano size of less than 20nm, and the size of the powder itself is constantly secured to 10㎛, In particular, it can be seen that the Ti, Al, Si alloy elements are uniformly distributed in the raw material powder.

이때, 상기와 같이 소결 성형되는 소결체는 플라즈마를 발생시켜 온도를 올리면서 소결시키는 동안 소결체의 수축 정도를 관찰하고 더 이상의 수축이 관찰되지 않는 지점을 최적 소결지점으로 결정하게 된다.At this time, the sintered body sintered as described above is to generate a plasma to observe the shrinkage of the sintered body during sintering while raising the temperature and determine the point where no further shrinkage is observed as the optimum sintering point.

그 이유는 소결 수축이 더 이상 발생하지 않게 된 후에, 계속하여 플라즈마를 발생시키게 되면 과도한 열 발생에 의한 합금 분말이 액상화되어 조직의 불균도가 높아지게 되기 때문이다. 따라서, 소결체의 수축이 더 이상 관찰되지 않을 때에 도 7의 그래프와 같이 99% 이상의 최적 소결 밀도를 갖는 소결체를 얻을 수 있는 것이다.The reason is that after the sintering shrinkage no longer occurs, the continuous generation of plasma causes the alloy powder due to excessive heat to be liquefied, resulting in higher unevenness of the structure. Therefore, when the shrinkage of the sintered compact is no longer observed, a sintered compact having an optimum sintered density of 99% or more can be obtained as shown in the graph of FIG.

한편, 본 발명은 상기한 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.On the other hand, the present invention has been described in detail only with respect to the specific examples described above it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, it is natural that such variations and modifications belong to the appended claims. .

이상에서와 같이 본 발명은 기계적 합금화공정과 스파크 플라즈마 소결공정을 통해 원료 분말 내부의 결정립을 나노 크기로 미세 입자화할 수 있고 분말을 균일한 크기로 확보할 수 있으며, 특히 원료 분말 내부에 Ti, Al, Si 합금 원소를 균일하게 분포할 수 있게 된다. 따라서, 물성이 우수한 Ti-Al-Si 합금 소결체를 제조하여 고속용 가공공구의 차세대 나노 구조 코팅 재료로 사용할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention can finely granulate the grains in the raw material powder to nano size through the mechanical alloying process and the spark plasma sintering process, and ensure the powder in a uniform size, in particular, Ti, Al in the raw material powder. The Si alloy element can be uniformly distributed. Therefore, the Ti-Al-Si alloy sintered body having excellent physical properties can be manufactured and used as a next-generation nanostructure coating material of a high speed processing tool.

더욱이, 종래와 같이 TiAl 타겟과 Si 타겟을 따로 설치하여 코팅하는 방식이 아니라, Si를 TiAl 합금 내에 균일하게 분포시켜 한 개의 타겟으로 나노 복합 구조를 형성함으로써, 제조에 필요한 일련의 공정을 간소화 및 단순화시킬 수 있는 효과도 있다.Moreover, instead of installing and coating the TiAl target and the Si target separately as in the prior art, Si is uniformly distributed in the TiAl alloy to form a nanocomposite structure with one target, thereby simplifying and simplifying a series of processes required for manufacturing. There are also effects that can be made.

Claims (8)

삭제delete 고속가공공구의 수명 향상을 위한 스퍼터링에 이용될 수 있게, 원료 분말과 볼을 일정 비율의 장입비로 혼합한 후 기계적 합금화 공정을 수행하여 원료 분말 내부에 다수의 원소를 일정하게 분포시키는 동시에 분말 내부의 결정립을 미세 입자화하는 단계와, 상기 미세 입자화단계를 거친 원료 분말을 투입한 후, 스파크 플라즈마 소결공정을 수행하여 원료 분말 내부에 상기한 다수의 원소를 일정하게 분포시키는 동시에 분말 내부의 결정립을 미세 입자화한 상태의 소결체를 형성하는 단계를 포함하여 제조되는 타겟 제조공정에 있어서,In order to be used for the sputtering to improve the service life of the high speed processing tool, the raw material powder and the ball are mixed at a charging ratio, and then a mechanical alloying process is performed to uniformly distribute a plurality of elements inside the raw material powder, Finely granulating the grains, and inputting the raw material powder subjected to the fine granulating step, and then performing a spark plasma sintering process to uniformly distribute the plurality of elements in the raw material powder and simultaneously to form the crystal grains in the powder. In the target manufacturing process including the step of forming a sintered compact in a fine granulated state, 상기 입자화단계에서는,In the granulation step, 원료 분말 내부에 Ti, Al, Si 원소를 일정하게 분포시키는 동시에 분말 내부의 결정립을 나노 크기로 미세 입자화할 수 있도록 원료 분말과 볼을 중량 대비 1:50~1:100의 비율로 볼밀에 혼합한 후, 상기 볼밀을 질소나 수소 분위기로 유지시켜 200~300rpm의 속도로 10~100시간 회전 구동시키는 것을 특징으로 하는 나노 구조 코팅용 타겟 제조공정.In order to uniformly distribute Ti, Al, and Si elements in the raw powder, and to finely grain the grains in the powder, the raw powder and the ball are mixed in a ball mill at a ratio of 1:50 to 1: 100 by weight. After, the ball mill is maintained in a nitrogen or hydrogen atmosphere to drive the nano-structure coating target manufacturing process, characterized in that for 10 to 100 hours rotational drive at a speed of 200 ~ 300rpm. 제 2항에 있어서, 상기 볼의 크기는 3/16inch~6/16inch 의 것을 사용함을 특징으로 하는 나노 구조 코팅용 타겟 제조공정.According to claim 2, The size of the ball nano-structure coating target manufacturing process, characterized in that using the 3/16 inch ~ 6/16 inch. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 고속가공공구의 수명 향상을 위한 스퍼터링에 이용될 수 있게, 원료 분말과 볼을 일정 비율의 장입비로 혼합한 후 기계적 합금화 공정을 수행하여 원료 분말 내부에 다수의 원소를 일정하게 분포시키는 동시에 분말 내부의 결정립을 미세 입자화하고, 상기 미세 입자화한 원료 분말을 투입한 후, 스파크 플라즈마 소결공정을 수행하여 원료 분말 내부에 상기한 다수의 원소를 일정하게 분포시키는 동시에 분말 내부의 결정립을 미세 입자화한 상태의 소결체를 형성하여 제조되는 타겟에 있어서,In order to be used for the sputtering to improve the service life of the high speed processing tool, the raw material powder and the ball are mixed at a charging ratio, and then a mechanical alloying process is performed to uniformly distribute a plurality of elements inside the raw material powder, After finely granulating the grains, and inputting the finely granulated raw powder, a spark plasma sintering process was performed to uniformly distribute the plurality of elements in the raw powder and at the same time to finely grain the crystal grains in the powder. In the target formed by forming the sintered compact of the state, 기계적 합금화 공정 이 후에, 원료 분말 내부에는 Ti, Al, Si 원소를 일정하게 분포시키되 상기 원료 분말의 크기를 10㎛ 미만으로 형성하고, 원료 분말 내부의 결정립 크기는 20㎚ 미만의 나노 크기로 형성하며;After the mechanical alloying process, Ti, Al, and Si elements are uniformly distributed in the raw powder, but the raw powder is formed to have a size of less than 10 μm, and the grain size of the raw powder is formed to a nano size of less than 20 nm. ; 스파크 플라즈마 소결공정 이 후에, 원료 분말 내부에는 Ti, Al, Si 원소를 일정하게 분포시키되 상기 원료 분말의 크기를 10㎛ 미만으로 형성하고, 원료 분말 내부의 결정립 크기는 20㎚ 미만의 나노 크기로 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 구조 코팅용 타겟.After the spark plasma sintering process, Ti, Al, Si elements are uniformly distributed in the raw material powder, but the raw powder is formed in a size less than 10 μm, and the grain size in the raw material powder is formed in a nano size of less than 20 nm. Target for nano-structure coating, characterized in that. 제 7항에 있어서, 상기 소결체에 조성되는 Ti, Al, Si 원소의 중량비는 각각 Ti: 47~10wt%와, Al: 50~80wt%와, Si: 3~10wt%로 조성됨을 특징으로 하는 나노 구조 코팅용 타겟.According to claim 7, wherein the weight ratio of Ti, Al, Si elements in the sintered compact is characterized in that the composition of Ti: 47 ~ 10wt%, Al: 50 ~ 80wt%, Si: 3 ~ 10wt% Targets for structural coatings.
KR1020060000987A 2006-01-04 2006-01-04 Alloy target and method for manufacturing ti-al-si alloy target by mechanical alloying and spark plasma sintering KR100711833B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060000987A KR100711833B1 (en) 2006-01-04 2006-01-04 Alloy target and method for manufacturing ti-al-si alloy target by mechanical alloying and spark plasma sintering

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060000987A KR100711833B1 (en) 2006-01-04 2006-01-04 Alloy target and method for manufacturing ti-al-si alloy target by mechanical alloying and spark plasma sintering

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100711833B1 true KR100711833B1 (en) 2007-05-02

Family

ID=38269151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060000987A KR100711833B1 (en) 2006-01-04 2006-01-04 Alloy target and method for manufacturing ti-al-si alloy target by mechanical alloying and spark plasma sintering

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100711833B1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010081064A1 (en) * 2009-01-12 2010-07-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for preparing znal target
WO2016068635A1 (en) * 2014-10-30 2016-05-06 한국생산기술연구원 Amorphous film and method for fabricating nano-structured film comprising nitrogen
CN108914082A (en) * 2018-06-20 2018-11-30 太原理工大学 A kind of surface treatment method of austenitic stainless steel
CN113981388A (en) * 2021-10-25 2022-01-28 北京安泰六九新材料科技有限公司 Preparation method of high-density TiAl and TiAlMe target material

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02247379A (en) * 1989-03-22 1990-10-03 Hitachi Metals Ltd Production of silicide target
JPH11279752A (en) * 1998-03-27 1999-10-12 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Production of sputtering target for phase transition-type optical recording
JP2000256836A (en) * 1999-03-04 2000-09-19 Japan Energy Corp Tungsten target for sputtering and its production
KR20020006492A (en) * 2000-07-12 2002-01-19 마스다 노부유키 Aluminum composite powder, the manufacturing method of that, aluminum composite material, the parts of spent fuel storage system and the manufacturing method of that

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02247379A (en) * 1989-03-22 1990-10-03 Hitachi Metals Ltd Production of silicide target
JPH11279752A (en) * 1998-03-27 1999-10-12 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Production of sputtering target for phase transition-type optical recording
JP2000256836A (en) * 1999-03-04 2000-09-19 Japan Energy Corp Tungsten target for sputtering and its production
KR20020006492A (en) * 2000-07-12 2002-01-19 마스다 노부유키 Aluminum composite powder, the manufacturing method of that, aluminum composite material, the parts of spent fuel storage system and the manufacturing method of that

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010081064A1 (en) * 2009-01-12 2010-07-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for preparing znal target
WO2016068635A1 (en) * 2014-10-30 2016-05-06 한국생산기술연구원 Amorphous film and method for fabricating nano-structured film comprising nitrogen
CN108914082A (en) * 2018-06-20 2018-11-30 太原理工大学 A kind of surface treatment method of austenitic stainless steel
CN113981388A (en) * 2021-10-25 2022-01-28 北京安泰六九新材料科技有限公司 Preparation method of high-density TiAl and TiAlMe target material

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6719630B2 (en) Sputtering target manufacturing method
JP5968479B2 (en) Method for forming a sputtering target
EP1813694B1 (en) Sputtering target for production of metallic glass film and process for producing the same
TWI299364B (en) Fabrication of b/c/n/o doped sputtering targets
TWI510656B (en) Particle dispersive sputtering target for inorganic particles
TWI493064B (en) Sb-Te based alloy sintered body sputtering target
KR101376074B1 (en) Polycrystalline alloy having glass forming ability, method of fabricating the same, alloy target for sputtering and method of fabricating the same
WO2005012591A1 (en) Sputtering target and method for production thereof
JP2006299396A (en) Solid-solution powder and its producing method; ceramic using the solid-solution powder and its producing method; cermet powder including the solid-solution powder and its producing method; and cermet using the cermet powder and its producing method
CN102071346A (en) Method for preparing compact nanocrystalline WC-Co hard alloy block material with small grain size
KR100784992B1 (en) Alloy target and method for manufacturing alloy target by mechanical alloying and sintering
US20130017137A1 (en) Lanthanum hexaboride sintered body, target and lanthanum hexaboride film each comprising same, and process for production of the sintered body
KR100711833B1 (en) Alloy target and method for manufacturing ti-al-si alloy target by mechanical alloying and spark plasma sintering
KR20030092071A (en) Manganese alloy sputtering target and method for producing the same
Shahbudin et al. A review of metal injection molding-process, optimization, defects and microwave sintering on WC-Co cemented carbide
WO2011136246A1 (en) Electrode to be used in discharge surface treatment, and process for production thereof
TW200946692A (en) Sb-te alloy powder for sintering, process for production of the powder, and sintered target
Ji et al. Bulk FeAl nanostructured materials obtained by spray forming and spark plasma sintering
Jahangiri et al. Influence of Milling Media on the mechanical alloyed W-0.5 wt. Ti powder alloy
CN104928539A (en) Vanadium-aluminium-silicon ternary alloy target material and preparation method thereof
TWI438295B (en) Fine grained, non banded, refractory metal sputtering targets with a uniformly random crystallographic orientation, method for making such film, and thin film based devices and products made therefrom
Yin et al. Nanostructured metal coatings via cold spray
KR20040026503A (en) Process for Manufacturing Copper Matrix Composite Sheets Reinforced with High Volume Fraction of Tungsten
KR101808437B1 (en) Fe-based alloy for metal injection molding and manufacturing method of the same
KR20120029891A (en) The alloy powder and method for manufacturing mo-cu alloy powder and the alloy target and method for manufacturing mo-cu alloy target by mechanical-alloying and spark plasma sintering and the mo-cu alloy coating layer manufacturing by mo-cu alloy target

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120420

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee