KR100711546B1 - 모발 처리기 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 모발의 퍼머넌트 웨이브 촉진을 위한 모발 처리기를 제공함에 의해 달성되게 되는데, 이 모발 처리기는 피시술자의 두부 주위로 회전되면서 모발 처리를 촉진시키게한 것으로서, 지주체와, 이 지주체의 일단에 음이온발생요소를 내장한 하우징과, 하우징의 전방에 적어도 하나이상 설치되어 음이온발생요소로부터 발생되는 음이온의 이송을 유도 안내하는 관로를 제공함과 동시에 자유로이 굴신하면서 그 조정위치를 유지케한 벨로스 튜브형의 암들 및 벨로스 튜브형의 암들 각 단부에 음이온발생요소로부터 발생된 음이온을 암들을 통해 피시술자에게 조사시키는 음이온조사요소들을 갖추어서, 열원 없이 상온에서 모발 처리를 효과적으로 이룰 수 있게 된다.

Description

모발 처리기{A hair processing device}
도 1은 본 발명 모발 처리기의 전체적인 구성을 보여 주는 측단면도.
도 2는 본 발명 모발 처리기의 요부를 확대하여 보여 주는 단면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 :지주체 12 :음이온발생요소
14 :기계실 16 :하우징
18 :암 20 :음이온조사요소
본 발명은 모발의 퍼머넌트 웨이브 촉진을 위한 모발 처리기에 관한 것으로, 특히 열원 없이 상온에서 모발 처리를 효과적으로 이룰 수 있는 모발 처리기에 관한 것이다.
모발의 퍼먼넌트 웨이브 촉진을 위한 모발 처리기는 현재까지 여러가지가 개발되어 사용되고 있는데, 그러한 모발 처리기는 통상 열원을 이용하고 있다. 더 상세하게는 피시술자의 모발을 로트등을 이용해 소정의 형태로 세팅한 후 그 세팅된 모발에 성형 촉진제를 도포시키고, 그리고 이와같은 상태에서 피시술자의 두부 주위에 가열요소를 이용해 가열하거나 또는 그 가열요소를 피시술자 주위로 공전시키면서 소기의 모발처리를 이루게 하고 있는 것이다.
그런데 이렇게 열원을 이용한 모발 처리기에서는 모발에 직접적으로 열원을 가해 촉진제의 침투성을 활성화하여 모발의 처리성에서는 효과를 얻었으나, 모발에 열원이 연속적이고 반복적으로 가해지는 것에 의하여 모발이 손상되는 주 요인이 되고 있는 것이다.
또 모발의 시술시 고열의 열원이 가해져 특히 하절기 피시술자들에게 많은 불편을 주고 있었으며, 시술후 모발의 성형 촉진제로 인한 악취 제거를 위해 중화제등을 이용해 탈취를 행하는 것으로 약제로 인한 모발의 손상은 물론이고 그 악취의 제거가 용이하지 않아 심한 경우에는 두통을 호소하는등 모발 처리에 많은 문제점이 따르고 있는 것이다.
본 발명은 상기와 같은 사정을 고려하여 이루어진 것으로, 그 목적은 음이온을 이용한 모발 처리 촉진 조사요소들을 자유로이 굴신하는 벨로스 튜브형의 암들을 이용해 조사환경을 다각적으로 조절할 수 있게 함으로서, 모발 처리를 보다 효과적으로 이루고 상온에서 모발 처리를 촉진시키어 시술성 향상과 살균 및 탈취를 이루어 위생성은 물론이고 모발의 보호가 우수한 모발 처리기를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 지주체와 하우징의 사이에 모발 처리 촉진을 위한 조사요사의 조사환경을 다각적으로 조절할 수 있게 한 관절부를 갖추어서 다양한 체 격조건의 피시술자들에 보다 효과적으로 조사시키어 모발 처리성을 향상시킨 모발 처리기를 제공함에 있다.
이러한 본 발명의 목적은 모발의 퍼머넌트 웨이브 촉진을 위한 모발 처리기를 제공함에 의해 달성되게 되는데, 이 모발 처리기는 피시술자의 두부 주위로 회전되면서 모발 처리를 촉진시키게한 것으로서, 지주체와, 이 지주체의 일단에 음이온발생요소를 내장한 하우징과, 하우징의 전방에 적어도 하나이상 설치되어 음이온발생요소로부터 발생되는 음이온의 이송을 유도 안내하는 관로를 제공함과 동시에 자유로이 굴신하면서 그 조정위치를 유지케한 벨로스 튜브형의 암들 및 벨로스 튜브형의 암 각 단부에 음이온발생요소로부터 발생된 음이온을 암들을 통해 피시술자에게 조사시키는 음이온조사요소들을 갖추어서, 열원 없이 상온에서 모발 처리를 효과적으로 이룰 수 있게 된다.
다음 본 발명의 일 실시예를 도면에 의거하여 구체적으로 설명하겠다. 도 1및 도 2에는 본 발명에 따른 모발 처리기가 상세히 도시되어 있다.
본 발명 모발 처리기의 핵심적인 기술은 별도의 열원 없이 음이온을 이용해 피시술자의 두부 주위에서 모발을 전기적 물질교류로 소기의 처리를 촉진시키게하는 것으로서, 본 발명 모발 처리기는 크게 나누워 지주체(10)와, 이 지주체(10)의 상단에 음이온발생요소(12)등의 내장품들이 설치되는 기계실(14)을 제공하는 하우징(16), 그리고 하우징(16)의 전방에는 적어도 하나이상 설치되어 상기 음이온발생요소(12)로부터 발생되는 음이온의 이송을 유도 안내하는 관로를 제공함과 동시에 자유로이 굴신하면서 그 조정위치를 유지케한 벨로스 튜브형의 암들(18) 및 이 벨로스 튜브형의 암들(18) 각 단부에 음이온발생요소(12)로부터 발생된 음이온을 상기 암들(18)을 통해 피시술자에게 조사시키는 음이온조사요소들(20)을 갖추어 구성된다.
또 음이온발생요소(12)는 송풍팬(12a)와 음이온발생체(12b)로 구성되어 있다. 여기서, 음이온은 전기적 물질교류 작용을 이루어 모발의 성형 촉진제를 활성화는 물론 모발의 세포 활성화로 모발의 처리 촉진효과를 시키고, 그리고 혈액의 정화작용, 저항력 증가로 먼지제거 또는 살균, 즉 세균이나 오염된 입자들을 중화 제거시키는 작용을 이루며, 정전기 감소현상은 물론이고 보습이 우수하여 모발의 보호 효과를 기대할 수 있을 것이다.
그리고 음이온조사요소들(20)은 측면에서 보아 소정의 원호를 가지고 피시술자의 두부 주위를 따라 인접되는 만곡의 중공형 판체로 이루어지는 몸체를 가지고 있고, 피시술자와 대향하는 면에 음이온조사공(20a)들이 구비되어 있다.
본 발명 모발 처리기의 지주체(10)는 모발 처리기의 설치를 위한 지지구조로 서 도면에서는 스탠드형의 경우를 보이고 있는데, 이렇게 스탠드형의 경우는 지주체(10)의 하단에 삼각대형으로 다리들(11)을 갖추고 있고, 벽괘형의 경우에서는 지주체(10)의 하단에 건축물의 벽면에 부착식으로 설치시키는 브래킷을 갖출 수 있을 것이다.
또 본 발명은 지주체(10)와 하우징(16)의 사이에 관절부(13)를 갖추어 하우징(16)의 입설 각도, 즉 음이온조사요소(20)의 조사 위치를 시술에 적합한 각도로 조절하여 사용할 수 있게 하였다. 더 상세하게는 모발 처리 촉진을 위한 음이온조사요소(20)의 조사환경을 다각적으로 조절할 수 있게 한 관절부(13)를 갖추어서 다양한 체격조건의 피시술자들에 보다 효과적으로 조사시키어 모발 처리성을 향상시키게 될 것이다.
본 발명은 음이온을 이용한 모발 처리 촉진 조사요소들을 자유로이 굴신하는 벨로스 튜브형의 암들을 이용해 조사환경을 다각적으로 조절할 수 있게 함으로서, 모발 처리를 보다 효과적으로 이루고 상온에서 모발 처리를 촉진시키어 시술성 향상과 살균 및 탈취를 이루어 위생성은 물론이고 모발의 보호가 우수한 효과가 있다.
또 본 발명은 지주체와 하우징의 사이에 모발 처리 촉진을 위한 조사요사의 조사환경을 다각적으로 조절할 수 있게 한 관절부를 갖추어서 다양한 체격조건의 피시술자들에 보다 효과적으로 조사시키어 모발 처리성을 향상시키는 이점도 있다.
이상에서와 같이 본 발명의 일 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명은 이 에 국한되지 않고 청구범위에 기재된 범위내에서 변경이 가능할 것이다.

Claims (3)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 피시술자의 두부 주위에서 모발 처리를 촉진시키게한 것으로서,
    지주체와;
    상기 지주체의 일단에 송풍팬과 음이온발생체로 이루어진 음이온발생요소를 내장한 하우징;
    상기 하우징의 전방에 적어도 하나이상 설치되어 상기 음이온발생요소로부터 발생되는 음이온의 이송을 유도 안내하는 관로를 제공함과 동시에 자유로이 굴신하면서 그 조정위치를 유지케한 벨로스 튜브형의 암들;
    상기 벨로스 튜브형의 암들 각 단부에 상기 음이온발생요소로부터 발생된 음이온을 상기 암들을 통해 피시술자에게 조사시키는 음이온조사요소들 및;
    상기 지주체와 하우징의 사이에 갖추어져 상기 음이온조사요소의 조사 위치를 시술에 적합한 각도로 조절하는 관절부;
    를 갖추어서 된 것을 특징으로 하는 모발 처리기.
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1020050031863 *
2002674820000 *

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