KR100705009B1 - 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법 - Google Patents

이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100705009B1
KR100705009B1 KR1020050114624A KR20050114624A KR100705009B1 KR 100705009 B1 KR100705009 B1 KR 100705009B1 KR 1020050114624 A KR1020050114624 A KR 1020050114624A KR 20050114624 A KR20050114624 A KR 20050114624A KR 100705009 B1 KR100705009 B1 KR 100705009B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
microlens
mold
forming
micro lens
image sensor
Prior art date
Application number
KR1020050114624A
Other languages
English (en)
Inventor
오영선
김영진
Original Assignee
매그나칩 반도체 유한회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 매그나칩 반도체 유한회사 filed Critical 매그나칩 반도체 유한회사
Priority to KR1020050114624A priority Critical patent/KR100705009B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100705009B1 publication Critical patent/KR100705009B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685Process for coatings or optical elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법에 관한 것으로, 특히, 몰드(mold)를 이용하여, 다양한 패턴의 마이크로 렌즈를 형성할 수 있는 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명에 의한 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법은, 상면에 구현하고자 하는 마이크로 렌즈의 패턴이 음각된 몰드를 형성하는 단계; 상기 몰드의 마이크로 렌즈의 패턴 내에 마이크로 렌즈 형성용 감광막을 매립하는 단계; 상기 마이크로 렌즈 형성용 감광막이 매립된 몰드의 상면을 반도체 기판과 압착하는 단계; 상기 결과물을 리플로우시킴과 동시에 경화시키는 단계; 및 상기 몰드를 제거하는 단계를 포함한다.
마이크로 렌즈, 몰드, 브릿지, 갭

Description

이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법{Method for Manufacturing Micro Lens in Image Sensor}
도 1은 종래기술에 따른 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법을 도시한 단면도.
도 2 내지 도 4는 종래기술에 따른 문제점을 설명하기 위한 단면도.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이미지 센서의 마이크로 렌즈의 형성방법을 설명하기 위한 공정별 단면도.
도 6은 비구면 렌즈를 나타내는 단면도.
도 7은 칼라 필터별로 다른 곡률을 갖는 마이크로 렌즈를 나타낸 단면도.
도 8은 마이크로 렌즈 간의 분리가 완전히 이루어지지 않은 상태를 나타내는 단면도.
도 9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이미지 센서의 마이크로 렌즈의 다른 형성방법을 설명하기 위한 단면도.
도 10a 내지 도 10e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이미지 센서의 마이크로 렌즈의 형성방법을 설명하기 위한 공정별 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
200: 반도체 기판 201: 마이크로 렌즈용 감광막
201a: 마이크로 렌즈 201b: 마이크로 렌즈용 감광막 패턴
202: 몰드 202a: 마이크로 렌즈 패턴
본 발명은 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법에 관한 것으로, 특히, 몰드(mold)를 이용하여, 종래기술에서는 구현할 수 없었던 다양한 형상의 마이크로 렌즈를 형성할 수 있는 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지 센서는 빛이 컬러 필터(color filter)를 통해 광 도전체에 들어오면 빛의 파장과 세기에 따라 광 도전체에서 발생한 전자-정공 쌍(electrion-hole pair; EHP)이 신호를 형성하여 출력부까지 전송하는 것으로, 그 방식에 따라 CCD(Charge Coupled Device) 이미지 센서와 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서로 구분된다.
이러한, 이미지 센서는 외부로부터 빛을 받아 광전하를 생성 및 축적하는 광감지 부분 상부에 칼라필터가 배열되어 있으며 칼라필터 어레이(color filter array: CFA) 는 레드(red), 그린(green), 및 블루(Blue) 의 3가지 칼라로 이루어지거나, 옐로우(yellow), 마젠타(magenta) 및 시안(cyan)의 3가지 칼라로 이루어진 다.
또한, 이미지 센서는 빛을 감지하는 광감지 부분과 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 로직회로 부분으로 구성되어 있고, 광감도를 높이기 위하여 전체 이미지 센서 소자에서 광감지 부분의 면적이 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하려는 노력이 진행되고 있지만, 근본적으로 로직회로 부분을 제거할 수 없기 때문에 제한된 면적하에서 이러한 노력에는 한계가 있다. 따라서 광감도를 높여주기 위하여 광감지 부분 이외의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 바꿔서 광감지 부분으로 모아주는 집광기술이 등장하였는데, 이러한 집광을 위하여 이미지 센서는 칼라필터 상에 마이크로 렌즈(micro lens)를 형성하는 방법을 사용하고 있다.
이하, 종래기술에 따른 이미지 센서의 마이크로 렌즈의 형성방법을 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1은 종래기술에 따른 이미지 센서의 마이크로 렌즈의 형성방법를 나타내는 단면도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 먼저, 반도체 기판(100) 상에, 마이크로 렌즈 형성용 감광막(도시안됨)을 코팅(coating)한 후, 이 감광막을 패터닝하여, 종축으로 직사각형 형태의 마이크로 렌즈 패턴(101)을 형성한다. 이때, 상기 마이크로 렌즈 패턴(101)은 아직 경화되지 않은 상태이다.
그런 다음, 상기 마이크로 렌즈 패턴(101)을 구면에 가깝도록 열이나 빛을 가하여 리플로우(reflow)시키면서 동시에, 경화시켜 원하는 형태의 마이크로 렌즈 (101a)를 얻는다.
그러나, 이러한 종래기술에 따른 이미지 센서의 마이크로 렌즈의 형성방법에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있다.
도 2 내지 도 4는 종래기술에 따른 문제점을 설명하기 위한 단면도이다.
우선, 상기 마이크로 렌즈(101a)의 형태를 구형에 가깝게 형성하기 위하여, 상기 마이크로 렌즈 형성용 감광막 물질의 유리전이온도(Tg) 이상으로 온도를 올려 리플로우시키는데, 이때, 상기 마이크로 렌즈(101a)에 중력과 표면장력이 작용하게 된다. 그러므로, 수직적으로 완전히 구형의 마이크로 렌즈(101a)을 만들면서, 수평적으로는 최대의 면적을 차지하는 마이크로 렌즈(101a)을 만들기 어려울 뿐만 아니라, 마이크로 렌즈(101a)의 형태를 마음대로 조절하는데 한계가 있다.
뿐만 아니라, 리플로우를 과도하게 시키면, 인접 픽셀(pixel)의 마이크로 렌즈(101a)들이 접촉하게 되고, 표면장력에 의하여 상기 인접한 마이크로 렌즈(101a)가 서로 붙어 하나의 형태로 합쳐지는 브릿지(bridge) 현상이 발생하는 문제가 있다.
따라서, 상기 마이크로 렌즈(101a)가 서로 붙지 않을 정도로만 리플로우 시켜야 하기 때문에, 도 2 에 도시한 바와 같이, 상기 마이크로 렌즈(101a) 사이에 갭(gap: 102)을 유지시켜줘야 한다. 그러나, 상기 갭(102) 영역으로, 입사하는 빛은 포토다이오드에 들어갈 수 없기 때문에, 입사하는 빛을 전부 받아들일 수 없어서 효율이 떨어지게 되고, 각 단위 픽셀 사이 영역에 빛의 입사가 제한되므로, 격자무늬 등의 문제점을 발생시킨다.
또한, 고화소 및 작은 크기의 이미지 센서를 만들기 위해서는 픽셀사이즈가 작아져야 하고, 이를 위해서는 단위 면적당 최대의 빛을 받아들일 수 있는 구조가 만들어져야 한다. 이때, 마이크로 렌즈 사이의 갭이 작을수록 단위면적당 받아들일 수 있는 빛의 양이 많아지기 때문에, 마이크로 렌즈 사이의 갭은 효과적인 집광의 저해요소로 작용하게 된다. 그러므로, 상기 마이크로 렌즈의 갭 사이즈를 감소시키거나, 마이크로 렌즈의 갭을 없애야 하지만, 전술한 바와 같이, 리플로우시키는 과정에서, 인접하는 마이크로 렌즈가 서로 붙을 수 있으므로, 상기 갭을 줄이는 데는 한계가 있다.
한편, 상기 마이크로 렌즈(101a)는 각 픽셀에 들어가는 빛을 효율적으로 모으는 기능을 한다. 그러나, 도 3에 도시한 바와 같이, 종래기술에 따른 통상적인 리플로우 방법에 의해 형성된 마이크로 렌즈(101a)는, 가운데 곡률이 보다 큰 렌즈를 형성할 수가 없다.
따라서, 입사하는 빛이 렌즈를 투과할 때 렌즈의 주변부를 통과한 빛이, 중심부를 통과한 빛보다 더 짧은 거리에 초점을 맺어, 중심부와 주변부의 초점 위치가 다르게 형성된다. 그러므로, 빛이 한점으로 모이지 않고 주변부로 흩어지게 되므로, 초점이 정확하게 맺히지 않는 문제점이 발생한다.
이에 따라, 중심부와 주변부로 입사되는 빛의 초점위치를 일치시킬 수 있는 비구면렌즈(도 6 참조)가 요구되지만, 종래기술에 따른 리플로우 방식으로는 상기 비구면 렌즈를 구현할 수가 없다.
게다가, 일반적으로 입사하는 빛은 색깔 즉, 파장에 따라 굴절률이 다르기 때문에, 도 4에 도시한 바와 같이, 레드(R), 그린(G), 블루(B) 각각의 컬러 필터별로 같은 곡률을 갖는 마이크로 렌즈(101a)를 형성할 경우, 각 마이크로 렌즈(101a)를 통과하는 빛의 굴절률이 다르므로, 입사되는 빛의 초점이 같은 위치에 맺지 않게 된다.
그러므로, 이를 극복하기 위하여, 칼라 필터별로 다른 곡률을 가지는 마이크로 렌즈(101a)를 구현해야 하지만, 이를 구현하기 위해서는, 각 곡률별로 패터닝을 다르게 해야 하므로, 레드(R), 그린(G), 블루(B) 칼라 필터의 경우 3단계의 마이크로 렌즈 패터닝 공정이 수반되어야 하므로, 전체 공정 수가 증가하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은, 몰드(mold)를 이용하여, 리플로우 방식으로 구현하기 힘든 형태의 마이크로 렌즈를 구현하고, 마이크로 렌즈의 형성 공정을 단순화하여 효율적인 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법을 제공하는 데에 있다.
삭제
삭제
삭제
삭제
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 2 실시예에 의한 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법은, 상면에 구현하고자 하는 마이크로 렌즈의 패턴이 음각된 몰드를 형성하는 단계; 상기 몰드의 마이크로 렌즈의 패턴 내에 마이크로 렌즈 형성용 감광막을 매립하는 단계; 상기 마이크로 렌즈 형성용 감광막이 매립된 몰드의 상면을 반도체 기판과 압착하는 단계; 상기 결과물을 리플로우시킴과 동시에 경화시키는 단계; 및 상기 몰드를 제거하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 몰드는, 투명재질의 퓨즈드 실리카로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 리플로우 및 경화시키는 단계는, UV 또는 열을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 몰드에 음각된 마이크로 렌즈의 패턴은, 구면 또는 비구면 형태인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 몰드에 음각된 각각의 마이크로 렌즈 패턴의 곡률은 서로 다른 것을 특징으로 한다.
이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
실시예 1
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법은, 도 5a에 도시한 바와 같이, 먼저, 몰드(202)를 제공하고, 상기 몰드(202)의 하면에 구현하고자 하는 마이크로 렌즈의 패턴(202a)을 복수개 음각하여 형성한다. 상기 몰드(200)는 투명재질의 퓨즈드 실리카(fused silica)로 이루어질 수 있다. 상기 퓨즈드 실리카로 이루어진 몰드(202)를 이용함으로써, 빛의 투과가 용이하게 되므로 후속적으로 수행되는 마이크로 렌즈(201a)의 경화가 쉽게 이루어지도록 할 수 있 다.
여기서, 상기 마이크로 렌즈의 패턴(202a)은, 도 5a에 도시한 바와 같이, 구면형태일 수도 있고, 비구면 형태일 수도 있다. 즉, 상기 마이크로 렌즈의 패턴(202a)을 비구면 형태로 형성함으로써, 도 6에 도시한 바와 같은, 비구면 렌즈를 한번에 형성할 수 있게 된다.
뿐만 아니라, 상기 몰드(202)에 음각된 각각의 마이크로 렌즈의 패턴(202a)은 서로 다른 곡률을 가질 수도 있으며, 이에 따라, 도 7에 도시한 바와 같이, 서로 다른 곡률을 가지는 마이크로 렌즈(201a)를 동시에 형성할 수 있게 되므로, 공정을 단순화할 수 있는 효과가 있다.
그런 다음, 반도체 기판(200) 상에 마이크로렌즈 형성용 감광막(201)을 형성한다. 상기 마이크로렌즈 형성용 감광막(201)은, 상기 반도체 기판(200) 표면에 고르게 코팅하여 형성하다.
다음으로, 도 5b에 도시한 바와 같이, 상기 마이크로렌즈 형성용 감광막(201) 상에, 상기 몰드(202)를 압착하여, 상기 몰드(202) 내의 마이크로 렌즈 패턴(202a)에 상기 마이크로 렌즈 형성용 감광막(201)이 완전히 매립되도록 한다. 여기서, 상기 마이크로 렌즈 형성용 감광막(201)은, 상기 반도체 기판(200)의 표면에 균일하게 코팅되어 있다가, 상기 몰드(202)를 누르는 힘과 기포압(vapor pressure)의 차이 등에 의하여, 상기 몰드(202) 내의 마이크로 렌즈 패턴(202a) 형태로 그 형상이 결정지어진다.
이때, 상기 마이크로 렌즈 형성용 감광막(201)의 점성(viscosity)이 높으면 상기 몰드(202)의 마이크로 렌즈 패턴(202a) 형태로 따라가기 어렵우므로, 가능한 낮은 점성을 갖는 감광막(201)을 이용하여 형성한다.
그런 다음, 도 5c에 도시한 바와 같이, 상기 결과물에 열 또는 UV를 가하여리플로우 시킴과 동시에 경화시킨다.
다음, 도 5d에 도시한 바와 같이, 상기 몰드(202)를 제거하여, 구현하고자 하는 형태로 경화된 마이크로 렌즈(201a)를 얻는다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에서는, 마이크로 렌즈의 패턴(202a)이 미리 형성된 상기 몰드(202)를, 마이크로 렌즈 형성용 감광막(201) 상에 압착시킨 상태에서 리플로우 공정을 수행함으로써, 상기 리플로우 공정시 온도에 따른 점성, 중력 및 표면 장력 등에 의한 마이크로 렌즈(201a)의 모양변화가 없고, 각각의 마이크로 렌즈(201a) 사이의 브릿지를 방지할 수 있으며, 갭이 없는 마이크로 렌즈(201a)의 구현이 가능하다. 그러므로, 리플로우에 의한 마이크로 렌즈(201a) 패턴의 변경이나 왜곡을 제어할 수 있는 장점이 있다.
여기서, 상기 몰드(202)를 압착할 때에, 상기 마이크로 렌즈 형성용 감광막(201)의 점성이 너무 낮을 경우에는, 상기 마이크로 렌즈용 감광막(201)이 상기 몰드(202)에 음각된 마이크로 렌즈의 패턴(202a)대로 완전하게 이동하지 못하여, 도8에 도시한 바와 같이, 마이크로 렌즈(201a)가 서로 완전히 분리되지 않을 수도 있다. 그러므로, 이럴 경우를 대비하여 상기 마이크로 렌즈 형성용 감광막(201)을 상기 반도체 기판(200)의 표면에 코팅 방식으로 형성하는 대신에, 이보다 더 치밀한 막을 얻을 수 있는 분사 방식으로 수행하여 형성할 수 있다.
한편, 도 9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이미지 센서의 마이크로 렌즈의다른 형성방법을 설명하기 위한 단면도이다.
상술한 바와 같이, 반도체 기판(200) 상에, 마이크로 렌즈 형성용 감광막(201)을 형성한 후, 도 9에 도시한 바와 같이, 상기 마이크로 렌즈 형성용 감광막(201)을 선택적으로 패터닝하여, 상기 몰드(202)에 음각된 각각의 마이크로 렌즈의 패턴(202a)과 대응하는 부분에 감광막 패턴(201b)을 형성한다. 그런 다음, 상기 결과물을 리플로우 및 경과시킨 후, 상기 몰드(202)를 제거하여, 구현하고자 하는 마이크로 렌즈(201a)를 형성할 수 있다. 이와 같이 하면, 상기 몰드(202) 압착시, 마이크로 렌즈(201a)가 서로 완전히 분리되지 않는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
이때, 본 발명의 제 1 실시예에 따라 형성된 이미지 센서의 마이크로 렌즈는, 상기 몰드(202)와 반도체 기판(200)과의 압착시, 상기 마이크로 렌즈 패턴(202a) 내에 기포(vapor; V)가 잔존하여, 마이크로 렌즈(201a)의 형태가 변형될 수도 있다.
따라서, 이러한 기포(V)를 제거하기 위해, 상기 몰드(202) 내에, 상기 몰드(202)의 마이크로 렌즈 패턴(202a)과 연결되는 에어 채널(air channel)을 형성해 줄 수 있다. 즉, 상기 몰드(202) 제작시, 마이크로 렌즈 패턴(202a) 및 이와 연결되는 에어 채널을 형성함으로써, 상기 에어 채널을 통하여 기포(V)가 빠져나갈 수 있게 유도하여, 기포에 의한 형태 변형이 없는 마이크로 렌즈(202a)를 형성하는 것이다.
실시예 2
도 10a 내지 도 10e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이미지 센서의 마이크로 렌즈의 형성방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법은, 도 10a에 도시한 바와 같이, 먼저, 몰드(202)를 제공하고, 상기 몰드(202)의 상면에 구현하고자하는 마이크로 렌즈의 패턴(202a)을 복수개 음각하여 형성한다. 상기 몰드(200)는 투명재질의 퓨즈드 실리카(fused silica)로 이루어질 수 있다. 상기 퓨즈드 실리카로 이루어진 몰드(202)를 이용함으로써, 빛의 투과가 용이하게 되므로 후속적으로 수행되는 마이크로 렌즈(201a)의 경화가 쉽게 이루어지도록 할 수 있다.
여기서, 상기 마이크로 렌즈의 패턴(202a)은, 도 10a에 도시한 바와 같이, 구면형태일 수도 있고, 비구면 형태일 수도 있다. 즉, 상기 마이크로 렌즈의 패턴(202a)을 비구면 형태로 형성함으로써, 도 6에 도시한 바와 같은, 비구면 렌즈를 한번에 형성할 수 있게 된다.
뿐만 아니라, 상기 몰드(202)에 음각된 각각의 마이크로 렌즈의 패턴(202a)의 곡률을 서로 다를 수도 있으며, 이에 따라, 도 7에 도시한 바와 같이, 서로 다른 곡률을 가지는 마이크로 렌즈(201a)를 동시에 형성할 수 있게 되므로, 공정을 단순화할 수 있는 효과가 있다.
다음, 상기 몰드(200)의 마이크로 렌즈 패턴(202a) 내에 마이크로 렌즈 형성 용 감광막(201)을 매립한다.
그런 다음, 도 10b 및 10c에 도시한 바와 같이, 상기 마이크로 렌즈 형성용 감광막(201)이 매립된 몰드(202)의 상면을 반도체 기판(200)과 압착한 후, 상기 결과물을 리플로우시킴과 동시에 경화시킨다.
여기서, 상기 몰드(202)의 상면에 음각된 마이크로 렌즈 패턴(202a) 내에, 상기 마이크로 렌즈 형성용 감광막(201)을 채워넣으면, 상기 마이크로 렌즈 패턴(202a)내에 존재하는 기포(V)가 위로 빠져나가게 된고, 이런 상태에서, 상기 반도체 기판(200)이 압착되기 때문에, 기포(V)가 제거된 마이크로 렌즈(201a)를 형성할 수 있다.
그 다음에, 도 10d에 도시한 바와 같이, 상기 몰드(202)를 제거하여 구현하고 자하는 패턴의 마이크로 렌즈(202a)를 형성한다.
그런 다음, 도 10f에 도시한 바와 같이, 상기 마이크로 렌즈(201a)가 형성된 반도체 기판(200)을 뒤집어, 그 위치를 바르게 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따르면, 본 발명의 제 1 실시예와 동일한 효과를 얻을 수 있으며, 제 1 실시예에서와 같이 기포를 제거하기 위한 에어 채널이 필요하지 않고, 마이크로 렌즈(201a) 사이의 브릿지 발생을 방지할 수 있는 장점이 있다.
이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 특허청구범위에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함되는 것으로 보아야 할 것이다.
앞에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법은, 구현하고자 하는 마이크로 렌즈의 패턴이 음각되어 있는 몰드와 마이크로 렌즈 형성용 감광막이 서로 압착되어 있는 상태에서, 리플로우시킴과 동시에 경화시켜, 마이크로 렌즈를 형성함으로써, 상기 리플로우시 온도에 따른 점성, 중력 및 표면 장력 등에 의한 모양 변화가 없고, 각각의 마이크로 렌즈 사이의 갭이 없는 마이크로 렌즈의 구현할 수 있는 효과가 있다. 또한, 리플로우에 의한 마이크로 렌즈패턴의 변경이나 왜곡을 제어할 수 있다.
또한, 집광효과가 뛰어난 비구면렌즈를 쉽게 구현할 수 있고, 각 색상별 위치에 따라 다른 곡률을 가지는 마이크로 렌즈의 패턴을 몰드에서 한번에 음각하여 형성할 수 있어, 각 색상별로 다른 곡률을 갖는 마이크로 렌즈를 한단계로 제조할 수 있어 공정을 단순화하는 장점이 있다.

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 상면에 구현하고자 하는 마이크로 렌즈의 패턴이 음각된 몰드를 형성하는 단계;
    상기 몰드의 마이크로 렌즈의 패턴 내에 마이크로 렌즈 형성용 감광막을 매립하는 단계;
    상기 마이크로 렌즈 형성용 감광막이 매립된 몰드의 상면을 반도체 기판과 압착하는 단계;
    상기 결과물을 리플로우시킴과 동시에 경화시키는 단계; 및
    상기 몰드를 제거하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 몰드는, 투명재질의 퓨즈드 실리카로 이루어진 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 리플로우 및 경화시키는 단계는, UV 또는 열을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 몰드에 음각된 마이크로 렌즈의 패턴은, 구면 또는 비구면 형태인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 몰드에 음각된 각각의 마이크로 렌즈 패턴의 곡률은 서로 다른 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법.
KR1020050114624A 2005-11-29 2005-11-29 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법 KR100705009B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050114624A KR100705009B1 (ko) 2005-11-29 2005-11-29 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050114624A KR100705009B1 (ko) 2005-11-29 2005-11-29 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100705009B1 true KR100705009B1 (ko) 2007-04-09

Family

ID=38161215

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050114624A KR100705009B1 (ko) 2005-11-29 2005-11-29 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100705009B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050010343A (ko) * 2003-07-19 2005-01-27 주식회사 옵토메카 이미지 센서 및 이미지 센서 제작방법과 이에 이용되는마이크로 광집속 소자 어레이 제작용 몰드

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050010343A (ko) * 2003-07-19 2005-01-27 주식회사 옵토메카 이미지 센서 및 이미지 센서 제작방법과 이에 이용되는마이크로 광집속 소자 어레이 제작용 몰드

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3007228B1 (en) Monolithic integration of plenoptic lenses on photosensor substrates
US7427799B2 (en) Complementary metal oxide semiconductor image sensor and method for fabricating the same
EP1389804B1 (en) CMOS image sensor using gradient index chip scale lenses
US20080290435A1 (en) Wafer level lens arrays for image sensor packages and the like, image sensor packages, and related methods
KR20100109401A (ko) 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법, 및 전자 기기
KR100835439B1 (ko) 이미지 센서 및 그의 제조방법
US10986293B2 (en) Solid-state imaging device including microlenses on a substrate and method of manufacturing the same
JP2013143431A (ja) 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法
KR100937657B1 (ko) 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR100705009B1 (ko) 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법
JP6911353B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
JP6311771B2 (ja) 固体撮像素子
JP3747682B2 (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
KR20070069253A (ko) 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법
JP4497076B2 (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
KR20100030795A (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100731094B1 (ko) 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
KR100731060B1 (ko) 이미지 센서 및 그의 제조방법
KR100734686B1 (ko) 씨모스 이미지 센서의 제조 방법
KR100731098B1 (ko) 이미지 센서 및 그의 제조방법
KR100720460B1 (ko) 이미지 센서 및 그의 제조방법
KR100791472B1 (ko) 이미지 센서의 마이크로 렌즈 및 그 제작방법
JP2000260970A (ja) 固体撮像素子およびその製造方法
KR100720493B1 (ko) 이미지 센서 및 그의 제조방법
KR100672685B1 (ko) 이미지 센서의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110330

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee