KR100700294B1 - Plasma processing apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 플라즈마 공정을 진행할 수 있도록 내부에 전극을 수용하며 진공을 형성하는 상, 하부 챔버; 상기 상, 하부 챔버 외측에 마련되어 플라즈마 공정을 수행할 수 있도록 RF 주파수 및 전원을 메칭 박스로 전달하는 RF 생성기; 상기 RF 생성기와 전기적으로 연결되어 플라즈마 공정에 필요한 적정 RF 주파수로 변환하는 메칭 박스; 상기 RF 생성기와 메칭 박스 사이에 마련되어 RF 생성기로부터의 RF 주파수 및 전원을 메칭 박스로 전달하는 커넥션 블록; 상기 RF 생성기에서 출력되는 신호 등을 받아 처리하는 커넥션 케이블;을 포함한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치를 제공한다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, comprising: upper and lower chambers accommodating electrodes therein to form a vacuum so as to perform a plasma process; An RF generator provided outside the upper and lower chambers to transfer an RF frequency and power to a matching box so as to perform a plasma process; A matching box electrically connected to the RF generator for converting into an appropriate RF frequency required for a plasma process; A connection block provided between the RF generator and a matching box to transfer RF frequency and power from the RF generator to a matching box; It provides a plasma processing apparatus comprising a; connection cable for receiving and processing the signal output from the RF generator.
플라즈마 처리장치, 메칭 박스, 커넥션 블록, RF 라인, 냉각용 PCW 라인, 통신라인Plasma Processor, Matching Box, Connection Block, RF Line, Cooling PCW Line, Communication Line
Description
도 1은 종래의 플라즈마 처리장치의 메칭 박스를 도시한 사시도이다.1 is a perspective view showing a matching box of a conventional plasma processing apparatus.
도 2는 본 발명의 플라즈마 처리장치의 메칭 박스를 도시한 사시도이다.2 is a perspective view showing a matching box of the plasma processing apparatus of the present invention.
도 3은 상기 플라즈마 처리장치의 메칭 박스를 도시한 측면도이다.3 is a side view illustrating a matching box of the plasma processing apparatus.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
110 : 상부 챔버 120 : 메칭 박스(Matching Box)110: upper chamber 120: matching box (Matching Box)
122, 148 : 커넥터 130 : RF 케이블122, 148: Connector 130: RF Cable
132 : 냉각용 PCW(Process Cooling Water) 케이블132: Process Cooling Water (PCW) Cable
140 : 커넥션 블록140: connection block
146 : 인터록크 스위치(Interlock switch)146: Interlock switch
본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus.
최근 컴퓨터, 텔레비젼 등 전자기기의 수요가 폭발적으로 증가함에 따라 이러한 전자기기에 필수적으로 사용되는 박판형 평판표시소자에 대한 수요도 함께 증가하고 있다. 상술한 평판표시소자(Flat Panel Display)로는 LCD(Liquid Crystal Dispaly), PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display) 등이 있으며, 평판표시소자의 제조에 있어서는 그 제조공정 상의 효율성을 위하여 취급되는 기판의 크기가 점진적으로 대형화되는 추세이다.Recently, as the demand for electronic devices such as computers and televisions has exploded, the demand for thin flat panel display devices which are essential for such electronic devices has also increased. The above-described flat panel display includes a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), a field emission display (FED), and the like. The size of the substrate is gradually increasing in size.
상술한 플라즈마 처리장치의 챔버 내부에 구비된 상부 전극에 고주파 전원이 인가되고, 하부 전극은 접지된다.The high frequency power is applied to the upper electrode provided in the chamber of the plasma processing apparatus, and the lower electrode is grounded.
종래의 플라즈마 처리장치에 RF 생성기와 전기적으로 연결되어 플라즈마 공정에 필요한 적정 RF 주파수로 변환하는 메칭 박스(20)는 도 1에 도시된 바와 같이 플라즈마 처리장치 상부 챔버(10)의 상부 영역에 설치되어 RF(고주파 전원) 라인(30)과 냉각용 PCW(Process Cooling Water) 라인(32)과 각종 케이블이 커넥터(34)로 하여금 접속되었다.
그러나, 상술한 메칭 박스(20)가 상부 챔버(10)에 설치될 경우 RF 라인(30)과 냉각용 PCW 라인(32)과 각종 라인이 상부 챔버(10)의 모서리 부분에서 절곡되어 단락에 노출되어 있으며, 메칭 박스(20)의 설치 또는 보수시 작업자는 상부 챔버(10)에 올라가서 작업해야 하므로 안전성의 문제와 상부 챔버(10)의 자체에도 오염이 발생되는 문제점이 있다.However, when the above-described
본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 작업자가 상부 챔버에 올라가지 않아도 용이하게 RF 라인과 냉각용 PCW 라인과 통신 라인을 커넥션 블록에 통해 메칭 박스에 접속시킴으로써, 작업의 편리성과 안전성 및 작업시간이 단축되며, 챔버의 상부 영역의 오염을 방지할 수 있게 한 플라 즈마 처리장치를 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems, the object of the operation is to easily connect the RF line and the cooling PCW line and the communication line to the matching box through the connection block, even if the operator does not go to the upper chamber, It is to provide a plasma processing apparatus that can reduce convenience, safety and working time, and prevent contamination of the upper region of the chamber.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 플라즈마 공정을 진행할 수 있도록 내부에 전극을 수용하며 진공을 형성하는 상, 하부 챔버; 상기 상, 하부 챔버 외측에 마련되어 플라즈마 공정을 수행할 수 있도록 RF 주파수 및 전원을 메칭 박스로 전달하는 RF 생성기; 상기 RF 생성기와 전기적으로 연결되어 플라즈마 공정에 필요한 적정 RF 주파수로 변환하는 메칭 박스; 상기 RF 생성기와 메칭 박스 사이에 마련되어 RF 생성기로부터의 RF 주파수 및 전원을 메칭 박스로 전달하는 커넥션 블록; 상기 RF 생성기에서 출력되는 신호 등을 받아 처리하는 커넥션 케이블;을 포함함으로써, 작업자가 RF 라인과 냉각용 PCW 라인과 통신 라인 등의 각종 라인을 메칭 박스에 접속시키고자 할 때 작업자가 상부 챔버에 올라가지 않고 연결할 수 있게 메칭 박스와 전기적으로 연결되어 전방으로 이격된 커넥션 블록에 각각의 라인을 커넥터에 의해 접속시키므로 바람직하다.In order to achieve the above object, the present invention, the upper and lower chambers for receiving an electrode therein to form a vacuum to proceed the plasma process; An RF generator provided outside the upper and lower chambers to transfer an RF frequency and power to a matching box so as to perform a plasma process; A matching box electrically connected to the RF generator for converting into an appropriate RF frequency required for a plasma process; A connection block provided between the RF generator and a matching box to transfer RF frequency and power from the RF generator to a matching box; A connection cable for receiving a signal output from the RF generator and processing the connection cable, and when the operator wants to connect various lines such as an RF line, a cooling PCW line and a communication line to a matching box, It is preferable to connect each line by means of a connector to a connection block which is electrically connected to the matching box so as to be connected without a distance.
또한 본 발명에서는 커넥션 블록에 냉각용 PCW(Process Cooling Water) 라인이 마련되며, 상기 커넥션 케이블에 냉각용 PCW 라인 케이블이 마련된다.In the present invention, the connection block is provided with a cooling process cooling water (PCW) line, the connection cable is provided with a cooling PCW line cable.
또한 본 발명에서는 커넥션 블록에 RF 라인이 더 마련되며, 상기 커넥션 케이블에 RF 라인 케이블이 더 마련된다.In addition, in the present invention, an RF line is further provided on the connection block, and an RF line cable is further provided on the connection cable.
또한 본 발명에서는 커넥션 블록에 통신 라인이 더 마련되며, 상기 커넥션 케이블에 통신 라인 케이블이 더 마련된다.In the present invention, a communication line is further provided in the connection block, and a communication line cable is further provided in the connection cable.
또한 본 발명에서는 커넥션 블록의 내부에 구비되어 커버의 개방에 따라 작동하여 고주파 전원을 차단하는 인터록크 스위치가 더 마련됨으로써, 커넥션 블록에 각종 케이블을 접속시키는 과정에서 커넥션 블록의 커버를 개방시키면 인터록크 스위치가 작동하여 고주파 전원을 차단함으로써 사고를 미연에 방지한다.In addition, the present invention is further provided with an interlock switch provided inside the connection block to operate according to the opening of the cover to cut off the high frequency power, so that when the cover of the connection block is opened in the process of connecting various cables to the connection block, the interlock The switch operates to cut off high frequency power supply to prevent accidents.
또한 본 발명에서의 인터록크 스위치는 마이크로 스위치 또는 근접 센서이다.In addition, the interlock switch in the present invention is a micro switch or a proximity sensor.
또한 본 발명에서의 인터록크 스위치는 소프트 웨어로 마련된다.In addition, the interlock switch in the present invention is provided in software.
이하, 본 발명의 플라즈마 처리장치의 메칭 박스를 첨부도면을 참조하여 일실시예를 들어 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a matching box of the plasma processing apparatus of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings by way of example.
본 발명의 바람직한 실시예의 플라즈마 처리장치는 도 2에 도시된 바와 같이 상부 챔버(110)와, 상기 상부 챔버(110) 외측에 마련되어 플라즈마 공정을 수행할 수 있도록 RF 주파수 및 전원을 메칭 박스(120)로 전달하는 RF 생성기(도면에 미도시)와, 상기 RF 생성기와 전기적으로 연결되어 플라즈마 공정에 필요한 적정 RF 주파수로 변환하는 메칭 박스(120)와, 상기 RF 생성기와 메칭 박스(120) 사이에 마련 되어 RF 생성기로부터의 RF 주파수 및 전원을 메칭 박스(120)로 전달하는 커넥션 블록(140)과, 상기 커넥션 블록(140)과 메칭 박스(120) 사이에 개입되어 이 메칭 박스(120)로 각종 신호 등이 전달되는 커넥션 케이블로 이루어진다.Plasma processing apparatus of a preferred embodiment of the present invention, as shown in Figure 2, the
상술한 메칭 박스(120)는 일측면에 커넥션 블록(140)의 이격 거리만큼 연장되는 RF 케이블(130)과 냉각용 PCW 케이블(132)과 통신 케이블 등의 각종 케이블의 일단이 전기적으로 연결될 수 있게 커넥터(122)가 구비된다.The
상술한 커넥션 블록(140)은 상부 챔버(110)의 상부 영역 또는 일측면에 거치될 수 있으며 내부가 중공인 몸체(142)와, 이 몸체(142)의 일측에 메칭 박스(120)에서 연결되는 RF 케이블(130)과 냉각용 PCW 케이블(132)과 통신 케이블 등의 커넥션 케이블의 타단이 접속되며, 타측에 RF 생성기로부터 RF 주파수 및 전원을 메칭 박스(120)로 전달하는 RF 라인(도면에 미도시)과 냉각용 PCW 라인(도면에 미도시)과 통신 라인(도면에 미도시) 등의 접속 라인을 접속시킬 수 있도록 구비된 커넥터(148)와 상술한 몸체(142)를 개폐하는 알루미늄 재질의 커버(144)로 이루어진다.The above-described
여기서, 상술한 커넥션 블록(140)의 몸체(142) 내부에 인터록크 스위치(146)가 마련되어 커버(144)를 개방하면 상술한 인터록크 스위치(146)가 작동하여 메칭 박스(120)에 인가되는 고주파 전원이 차단된다. 여기서, 상술한 인터록크 스위치(146)는 마이크로 스위치(도면에 미도시) 또는 근접 센서(도면에 미도시)와 이 근접 센서를 제어하는 제어부(도면에 미도시)로 이루어지며 상술한 마이크로 스위치는 커버에 의해 ON 상태를 유지하다 커버를 개방하면 OFF 상태가 되고, 근접 센서의 발광된 빛이 커버에 의해 ON 상태를 유지하다 커버가 개방되면 OFF 상태로 변환 하여 상술한 근접 센서와 전기적으로 연결된 제어부에 의해 고주파 전원의 차단 신호를 출력하는 것이다.Here, when the
또한, 상술한 커넥션 블록(140)의 커넥터(148)에는 메칭 박스(120)에서 연장된 각각의 커넥션 케이블과 동일한 RF 라인과 냉각용 PCW 라인과 통신 라인 등 각종 접속 라인이 삽입되어 접속된다.In addition, various connection lines such as RF lines, cooling PCW lines, and communication lines, such as connection cables extending from the
상술한 커넥션 케이블은 RF 케이블(130)과, 냉각용 PCW 케이블(132)과, 광통신 케이블과, 전원 공급 케이블 등이다.The above-mentioned connection cable is an
그러므로, 본 발명의 플라즈마 처리장치는 도 3에 도시된 바와 같이 메칭 박스(120)에 RF 생성기에서 연장되는 RF 라인과, 냉각용 PCW 라인과 각종 라인을 접속시키기 위해 사다리 등을 이용하여 상부 챔버(110)에 작업자가 올라가지 않고 용이하게 작업할 수 있도록 상부 챔버(110)의 일측면 또는 모서리 부분에서 각종 라인을 연결할 수 있는 커넥터(148)를 구비한 커넥션 블록(140)을 메칭 박스(120)에서 적정 길이의 커넥션 케이블에 의해 전기적으로 연결됨으로써 작업자는 직립한 상태에서 상술한 RF 라인과 냉각용 PCW 라인과 통신 라인을 커넥션 블록(140)에 접속시켜 작업이 용이하다.Therefore, the plasma processing apparatus of the present invention uses an upper chamber using a ladder or the like to connect the RF line extending from the RF generator to the matching
또한, 상술한 커넥션 블록(140)에 의해 RF 라인과, 냉각용 PCW 라인과 각종 라인의 접속시 절곡되지 않고 직진성을 유지하므로 단락 방지가 가능하다.In addition, since the
이와 같은 본 발명의 플라즈마 처리장치는 메칭 박스의 전방으로 소정 간격만큼 이격된 상부 챔버의 소정 부위에 커넥션 케이블에 의해 전기적으로 연결된 커 넥션 블록를 구비하여 이 커넥션 블록에 RF 라인과 냉각용 PCW 라인과 통신 라인등의 각종 라인을 커넥터에 의해 접속시킴으로써, 작업자는 상부 챔버에 올라가지 않고 직립 상태에서 작업이 가능하므로 편리성과 안전성 및 작업시간이 단축되며, 각종 케이블이 절곡되어 단락되는 것을 방지하고, 상부 챔버의 상부 영역의 오염을 방지할 수 있는 효과가 있다.Such a plasma processing apparatus of the present invention has a connection block electrically connected by a connection cable to a predetermined portion of the upper chamber spaced by a predetermined distance to the front of the matching box to communicate with the RF line and the cooling PCW line. By connecting various lines, such as lines, by the connector, the operator can work in the upright state without going up the upper chamber, thereby reducing the convenience, safety and working time, and preventing various cables from being bent and short-circuited. There is an effect that can prevent contamination of the upper region.
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040068064A KR100700294B1 (en) | 2004-08-27 | 2004-08-27 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040068064A KR100700294B1 (en) | 2004-08-27 | 2004-08-27 | Plasma processing apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060019398A KR20060019398A (en) | 2006-03-03 |
KR100700294B1 true KR100700294B1 (en) | 2007-03-29 |
Family
ID=37126798
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040068064A KR100700294B1 (en) | 2004-08-27 | 2004-08-27 | Plasma processing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100700294B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102451250B1 (en) * | 2020-12-22 | 2022-10-06 | 한국기초과학지원연구원 | Rf plasma ion source |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020066206A (en) * | 2001-02-09 | 2002-08-14 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | A plasma treatment apparatus |
KR20030002509A (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 삼성전자 주식회사 | RF power supply system and apparatus for manufacturing semiconductor device including the same |
JP2003273602A (en) | 2001-12-11 | 2003-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Phase adjusting method and apparatus, element separating and combining method and apparatus, and plasma processing apparatus |
-
2004
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020066206A (en) * | 2001-02-09 | 2002-08-14 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | A plasma treatment apparatus |
KR20030002509A (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 삼성전자 주식회사 | RF power supply system and apparatus for manufacturing semiconductor device including the same |
JP2003273602A (en) | 2001-12-11 | 2003-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Phase adjusting method and apparatus, element separating and combining method and apparatus, and plasma processing apparatus |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060019398A (en) | 2006-03-03 |
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