KR100696579B1 - 유기 전계 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 데이터 라인들의 일부 영역이 기판 위에 순차적으로 적층된 애노드전극층 및 절연층으로 이루어지는 유기 전계 발광 소자에 관한 관한 것이다. 애노드전극층들 및 이와 교차하는 캐소드전극층들을 포함하는 유기 전계 발광 소자는 복수의 데이터 라인들을 포함한다. 상기 데이터 라인들은 상기 애노드전극층들에 각기 연결된다. 여기서, 상기 각 데이터 라인들 중 일부 영역은 기판 위에 순차적으로 적층된 인듐주석산화물층 및 절연층으로 이루어진다. 상기 유기 전계 발광 소자에서 각 데이터 라인들 중 실링 영역에 해당하는 영역이 인듐주석산화물층 위에 형성된 절연층을 포함하므로, 수분 등이 셀캡의 내부로 침투하지 못한다.
유기 전계 발광 소자, 데이터 라인, 절연층

Description

유기 전계 발광 소자{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE}
도 1a는 종래의 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 1b는 도 1a의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 데이터 라인을 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 3a는 도 2의 A 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 3b는 도 3a의 Ⅱ-Ⅱ', Ⅲ-Ⅲ' 또는 Ⅵ-Ⅵ' 라인을 따라 절단한 데이터 라인을 도시한 단면도이다.
도 3c는 도 3a의 Ⅳ-Ⅳ' 또는 Ⅴ-Ⅴ' 라인을 따라 절단한 데이터 라인을 도시한 단면도이다.
본 발명은 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 데이터 라인들의 일부 영역이 기판 위에 순차적으로 적층된 인듐주석산화물층 및 절연층으로 이루어지는 유기 전계 발광 소자에 관한 관한 것이다.
상기 유기 전계 발광 소자는 소정 전압이 인가되는 경우 소정 파장의 빛을 자체적으로 발생시키는 소자이다.
도 1a는 종래의 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 데이터 라인을 도시한 단면도이다.
도 1a를 참조하면, 종래의 유기 전계 발광 소자는 셀부(100), 데이터 라인들(108) 및 스캔 라인들(110a 및 110b)을 포함한다.
셀부(100)는 애노드전극층들(102) 및 이와 교차하는 캐소드전극층들(104)을 포함한다.
애노드전극층들(102)과 캐소드전극층들(104)이 교차하는 발광 영역들에는 복수의 픽셀들(106)이 형성된다.
데이터 라인들(108)은 애노드전극층들(102)에 각기 연결되며, 집적회로칩(미도시)으로부터 전송되는 데이터 신호들을 애노드전극층들(102)에 제공한다.
또한, 각 데이터 라인들(108)은 도 1b에 도시된 바와 같이 기판(120) 위에 순차적으로 적층된 인듐주석산화물층(Indium Tin Oxide Film, 122, ITO층) 및 보조전극층, 예를 들어 몰리브덴층(124)로 이루어진다.
스캔 라인들(110a 및 110b)은 캐소드전극층들(104)에 각기 연결되며, 상기 집적회로칩으로부터 전송되는 스캔 신호들을 캐소드전극층들(104)에 제공한다.
실링 영역(112)은 실링제, 예를 들어 실런트(sealant)가 도포되는 영역이다.
상세하게는, 셀캡이 실링 영역(112)에서 상기 실링제를 통하여 기판(120)과 결합된다.
그 결과, 셀부(100)가 실링(sealing)된다.
요컨대, 종래의 유기 전계 발광 소자에서 각 데이터 라인들(108)은 기판(120) 위에 순차적으로 적층된 ITO층(122) 및 보조전극층(124)으로 이루어진다. 여기서, 보조전극층(124)은 몰리브덴(Mo)으로 이루어진다.
이 경우, 보조전극층(124)이 도 1b에 도시된 바와 같이 ITO층(122)의 상부에 형성되므로, ITO층(122)과 보조전극층(124) 사이에 수분이 침투할 수 있다.
그 결과, ITO층(122) 및 보조전극층(124)이 산화될 수 있었다.
또한, 상기 셀캡과 기판(120)이 실링 영역(112)에서 결합된 경우, 데이터 라인들(108)에 포함된 보조전극층(124)이 수분 등의 침투를 방지하지 못하므로, 데이터 라인들(108)을 통하여 수분 등이 상기 셀캡의 내부로 침투할 수 있었다.
그 결과, 픽셀들(106)에 불량이 발생될 수 있었다.
그러므로, 산화 및 수분 등의 침투를 방지할 수 있는 데이터 라인들을 포함하는 유기 전계 발광 소자가 요구된다.
본 발명의 목적은 데이터 라인들의 산화 및 셀캡의 내부로 침투할 수 있는 수분 등을 방지할 수 있는 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 애노드전극층들 및 이와 교차하는 캐소드전극층들을 포함하는 유기 전계 발광 소자는 복수의 데이터 라인들을 포함한다. 상기 데이터 라인들은 상기 애노드전극층들에 각기 연결된다. 여기서, 상기 각 데이터 라인들 중 제 1 부분은 순차적으로 적층된 인듐주석산화물층 및 절연층으로 이루어진다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자에서 각 데이터 라인들 중 실링 영역에 해당하는 영역이 ITO층 위에 형성된 절연층을 포함하므로, 수분 등이 셀캡의 내부로 침투하지 못한다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 각 데이터 라인들 중 제 2 부분은 보조전극층이 ITO층을 덮으므로, 상기 ITO층 및 보조전극층이 산화되지 않는다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 바람직한 실시예들을 자세히 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 셀부(200), 데이터 라인들(208) 및 스캔 라인들(210a 및 210b)을 포함한다.
셀부(200)는 애노드전극층들(202) 및 이와 교차하는 캐소드전극층들(204)을 포함한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 각 애노드전극층들(202)은 인듐주석산화물층(Indium Tin Oxide Film, 202, ITO층)으로 이루어진다.
애노드전극층들(202)과 캐소드전극층들(204)이 교차하는 발광 영역들에는 복수의 픽셀들(206)이 형성된다.
각 픽셀들(206)은 기판 위에 순차적으로 적층된 애노드전극층(202), 유기물층 및 캐소드전극층(204)으로 이루어진다.
여기서, 상기 유기물층은 애노드전극층(202) 위에 순차적으로 적층된 정공수송층(Hole Transporting Layer, HTL), 발광층(Emitting Layer, EML) 및 전자수송층(Electron Transporting Layer, ETL)을 포함한다.
데이터 라인들(208)은 애노드전극층들(202)에 각기 연결되며, 집적회로칩(미도시)으로부터 전송되는 데이터 신호들을 애노드전극층들(202)에 제공한다.
스캔 라인들(210a 및 210b)은 캐소드전극층들(204)에 각기 연결되며, 상기 집적회로칩으로부터 전송되는 스캔 신호들을 캐소드전극층들(204)에 제공한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 스캔 라인들은 캐소드전극층들에 일방향으로 연결될 수도 있다.
실링 영역(212)은 실링제, 예를 들어 실런트(sealant)가 도포되는 영역이다.
상세하게는, 셀캡이 실링 영역(212)에서 상기 실링제를 통하여 상기 기판과 결합된다.
그 결과, 셀부(200)가 실링(sealing)된다.
도 3a는 도 2의 A 영역을 확대하여 도시한 평면도이고, 도 3b는 도 3a의 Ⅱ-Ⅱ', Ⅲ-Ⅲ' 또는 Ⅵ-Ⅵ' 라인을 따라 절단한 데이터 라인을 도시한 단면도이다. 또한, 도 3c는 도 3a의 Ⅳ-Ⅳ' 또는 Ⅴ-Ⅴ' 라인을 따라 절단한 데이터 라인을 도 시한 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 각 데이터 라인들(208)은 영역별로 다른 구성 요소들로 이루어진다.
각 데이터 라인들(208) 중 실링 영역(212)에 해당하는 영역은 2개의 영역으로 분리된다.
상세하게는, 각 데이터 라인들(208)에서 실링 영역(212)에 해당하는 영역 중 일부는 도 3c에 도시된 바와 같이 기판(300) 위에 순차적으로 적층된 ITO층(302) 및 절연층(306)으로 이루어진다.
예를 들어, 실링 영역(212) 중 ③ 영역은 순차적으로 적층된 ITO층(302) 및 절연층(306)으로 이루어진다.
여기서, 절연층(306)은 수분 등의 침투를 방지할 수 있다.
상세하게는, 상기 셀캡이 실링 영역(212)에서 기판(300)과 결합한 때, 절연층(306)에 의해 수분 등이 상기 셀캡의 내부로 침투하지 못한다.
그 결과, 픽셀들(206)이 수분 등으로부터 보호된다.
또한, 절연층(306)의 투과율이 금속으로 이루어진 보조전극층보다 우수하므로, 기판(300)과 상기 셀캡이 더 강하게 결합될 수 있다.
상세하게는, 기판(300)과 상기 셀캡은 실링 영역(212)에 상기 실링제를 도포한 후, 상기 실링제에 UV를 조사하여 상기 실링제를 경화시킴에 의해 결합된다.
이 경우, 상기 UV가 기판(300) 및 데이터 라인들(208)을 통하여 상기 실링제에 조사되므로, 데이터 라인들(208)의 투과율이 우수할 수록 상기 실링제가 더 잘 경화된다.
따라서, 데이터 라인들(208)이 금속으로 이루어진 보조전극층 대신 절연층(306)을 포함하는 경우, 기판(300)과 상기 셀캡이 더 잘 결합된다.
반면에, 각 데이터 라인들(208)에서 실링 영역(212)에 해당하는 영역 중 나머지 영역, 즉 ② 영역은 도 3b에 도시된 바와 같이 기판(300) 위에 적층된 ITO층(302) 및 ITO층(302)을 덮는 보조전극층(304)으로 이루어진다.
본 발명의 일 실시예에 따른 보조전극층(304)은 금속, 예를 들어 몰리브덴(Mo)으로 이루어진다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자에서, 각 데이터 라인들 중 실링 영역에 해당하는 전 영역은 기판 위에 순차적으로 적층된 ITO층 및 절연층으로 이루어질 수 있다.
다만, 실링 영역(212) 중 ② 영역을 ITO층(302) 및 보조전극층(304)으로 형성하는 경우, 데이터 라인들(208)의 저항이 더 작아질 수 있다.
데이터 라인들(208) 중 ① 영역은 도 3b에 도시된 바와 같이 기판(300) 위에 적층된 ITO층(302) 및 ITO층(302)을 덮는 보조전극층(304)으로 이루어진다.
데이터 라인들(208) 중 ④ 영역은 도 3c에 도시된 바와 같이 기판(300) 위에 순차적으로 적층된 ITO층(302) 및 절연층(306)으로 이루어진다.
그 결과, 기판(300)과 상기 셀캡의 얼라인의 오차가 보정된다.
상세하게는, 기판(300)과 상기 셀캡이 실링 영역(212)에서 정확하게 결합되지 못하고, 실링 영역(212)의 일부와 ④ 영역의 일부에서 결합될 수 있다.
이 경우, 데이터 라인들(208) 중 ④ 영역이 기판(300) 위에 순차적으로 적층된 ITO층(302)과 절연층(306)으로 이루어지므로, 수분 등이 상기 셀캡의 내부로 침투할 수 없다.
즉, ④ 영역은 기판(300)과 상기 셀캡의 얼라인의 부정확함에 의해 발생할 수 있는 오류를 보정하는 역할을 한다.
데이터 라인들(208) 중 ⑤ 영역은 도 3b에 도시된 바와 같이 기판(300) 위에 적층된 ITO층(302) 및 ITO층(302)을 덮는 보조전극층(304)으로 이루어진다.
여기서, 보조전극층(304)이 ITO층(302)을 덮으므로, 수분 등이 ITO층(302)과 보조전극층(304) 사이에 침투하지 못한다.
그 결과, ITO층(302) 및 보조전극층(304)이 산화되지 않는다.
요컨대, 본 발명의 유기 전계 발광 소자에서 데이터 라인들(208) 중 ③ 및 ④ 영역은 종래의 유기 전계 발광 소자에서의 데이터 라인들과 달리 ITO층(302) 및 절연층(306)으로 이루어진다.
그러므로, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 종래의 유기 전계 발광 소자와 달리 셀부(200)로 수분 등이 침투하지 못한다.
또한, 본 발명의 유기 전계 발광 소자에서 데이터 라인들(208) 중 ⑤ 영역은 종래의 유기 전계 발광 소자에서의 데이터 라인들과 달리 ITO층(302) 및 이를 덮는 보조전극층(304)로 이루어진다.
그러므로, 본 발명의 유기 전계 발광 소자에서는 종래의 유기 전계 발광 소자에서와 달리 ITO층(302)과 보조전극층(304)이 산화되지 않는다.
상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자에서 각 데이터 라인들 중 실링 영역에 해당하는 영역이 ITO층 위에 형성된 절연층을 포함하므로, 수분 등이 셀캡의 내부로 침투하지 못하는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 각 데이터 라인들 중 일부 영역에서 보조전극층이 ITO층을 덮으므로, 상기 ITO층 및 보조전극층이 산화되지 않는 장점이 있다.

Claims (9)

  1. 애노드전극층들 및 이와 교차하는 캐소드전극층들을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 있어서,
    상기 애노드전극층에 연결되는 데이터 라인을 포함하되,
    상기 데이터 라인은 순차적으로 적층된 인듐주석산화물층 및 절연층으로 이루어진 제 1 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 부분은 실링제가 도포되는 실링 영역에 위치되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 데이터 라인은 인듐주석산화물층 및 상기 인듐주석산화물층을 덮는 보조전극층으로 이루어진 제 2 부분을 포함하되,
    상기 제 2 부분은 상기 실링 영역에서 상기 제 1 부분과 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 보조전극층은 몰리브덴으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 부분은 상기 실링 영역의 외부 영역에 더 위치되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 라인은 상기 제 1 부분과 연결된 제 2 부분을 포함하되,
    상기 제 2 부분은 인듐주석산화물층 및 상기 인듐주석산화물층을 덮는 보조전극층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 보조전극층은 몰리브덴으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 부분은 실링제가 도포되는 실링 영역에 위치되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 부분은 상기 실링 영역의 외부 영역에 더 위치되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
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