KR100694727B1 - 포토마스크 및 그 제작 방법 및 패턴 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

마스크 데이터(2)에서의 마스크 패턴을 형성하기 위한 데이터(패턴 데이터)(21)를 8각 형상으로 한다. 전자선식 마스크 묘화 장치의 경우, 해상력이 높기 때문에, 이와 같이 예를 들면 8 각형 등의 보다 많은 정점을 갖는 다각형의 패턴 데이터를 요한다. 이러한 패턴 데이터를 이용함으로써, 원형에 가까운(원형 근사의) 개구부인 마스크 패턴(22)을 갖는 포토마스크(3)가 얻어진다. 이에 의해, 작은 피치라도 레지스트의 막 감소나 컨택트홀 등의 실패턴간에서의 단선 등의 디바이스 제조상의 문제점을 발생시키지 않도록 레지스트 패턴을 형성하고, 또한, 근접 효과 보정으로부터 마스크 제조 프로세스의 성분을 배제하여 근접 효과 보정을 단순화함으로써, 소기의 극미세의 실패턴을 용이하고 또한 정확하게 형성하는 것을 가능하게 한다.
마스크 패턴, 실패턴, 마스크 묘화 장치, 근접 효과 보정, 마스크 제조 프로세스

Description

포토마스크 및 그 제작 방법 및 패턴 형성 방법{PHOTOMASK AND ITS PRODUCTION METHOD, AND PATTERN FORMING METHOD}
본 발명은, 반도체 장치나 액정의 제조 등에 이용하는 포토마스크 및 그 제작 방법 및 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 고집적화에 따른, 리소그래피로 형성하는 패턴의 미세화가 진행되고 있다. 그 중에서도, 보다 작은 피치의 컨택트홀을 형성하는 것이 곤란하게 되어 있다. 현상 기술을 이용하여, 작은 피치의 컨택트홀을 형성하기 위해서는, 마스크 데이터 혹은 설계 데이터에 바이어스를 걸어 사각형의 마스크 패턴을 형성하고, 그 마스크를 웨이퍼에 전사한다고 하는 방법이 이용되고 있다. 예를 들면, 조명 조건을 개구율(NA)=0.7, σ=0.7로 한 ArF 노광 장치에서 240㎚ 피치, 120㎚ 직경의 컨택트홀을 형성하기 위해서는, 마스크 상에서 160㎚ 정도의 사각형 패턴으로 되며, 약 40㎚ 정도의 바이어스를 걸어야만 패턴을 안정적으로 형성할 수 있다.
이 방법을 이용하면, 컨택트홀 패턴은 형성되지만, 차광부의 광 강도가 높아져, 레지스트의 막 감소나 단선 등의 장해가 발생하게 되는 경우가 있다.
또한 통상적으로, 마스크를 제작할 때에는, 광 근접 효과의 영향을 고려하여 마스크 상에 바이어스를 건다(광 근접 효과 보정: OPC(Optical Proximity Correction)). 이 보정값은, 광의 근접 효과의 영향, 에칭 근접 효과의 영향, 마스크 제조 프로세스에서의 패턴 형상의 영향 등을 고려하여 바이어스를 넣어야만 한다. 그 때, 마스크 제조 프로세스에 차이가 발생하면, 근접 효과 보정의 값에도 변화가 생긴다. 즉 마스크 제조 프로세스를 변화시키면, 그에 수반하여 재차 최적의 근접 효과 보정값을 산출할 필요가 있어, 근접 효과의 보정이 복잡화되고, 또한 매우 많은 공정수가 필요로 된다.
따라서 본 발명은, 작은 피치라도 레지스트의 막 감소나 컨택트홀 등의 실패턴간에서의 단선 등의 디바이스 제조 상의 문제점을 발생시키지 않도록 레지스트 패턴을 형성하고, 또한, 근접 효과 보정으로부터 마스크 제조 프로세스의 성분을 배제하여 근접 효과 보정을 단순화함으로써, 소기의 극미세의 실패턴을 용이하고 또한 정확하게 형성하는 것을 가능하게 하는 포토마스크 및 그 제작 방법 및 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
<발명의 개시>
본 발명의 포토마스크의 제작 방법은, 마스크 패턴을 구비한 포토마스크의 제작 방법으로서, 상기 마스크 패턴은, 외형의 적어도 일부분이 곡선 형상으로 되어 이루어지는 실패턴을 형성하기 위한 것으로, 상기 실패턴의 상기 곡선에 대응하는 상기 마스크 패턴의 외형 부분을 곡선 근사할 수 있는 다각 선분을 이용하여 상기 외형 부분을 곡선 근사하여, 상기 마스크 패턴을 형성한다.
본 발명의 포토마스크는, 마스크 패턴을 구비한 포토마스크로서, 상기 마스크 패턴은, 외형의 적어도 일부분이 곡선 형상으로 되어 이루어지는 실패턴을 형성하기 위한 것으로, 상기 실패턴의 상기 곡선에 대응하는 외형 부분이 곡선 근사로 되어 이루어진다.
본 발명의 패턴 형성 방법은, 외형의 적어도 일부분이 곡선 형상으로 되어 이루어지는 실패턴을 형성하는 방법으로서, 상기 실패턴의 상기 곡선에 대응하는 외형 부분이 곡선 근사로 되어 이루어지는 마스크 패턴을 갖는 포토마스크를 이용하여, 상기 마스크 패턴을 노광 전사하여 상기 실패턴을 형성한다.
여기서, 상기 실패턴을 원 형상 또는 타원 형상으로 하는 경우에는, 이에 대응하여 상기 마스크 패턴을 원형 근사 또는 타원형 근사로 한다.
또한, 상기 실패턴이 그 각(角)부분이 곡선 형상으로 되어 이루어지는 외형인 경우에는, 이것에 대응하여 상기 마스크 패턴을 그 각부분을 곡선 근사한다.
도 1의 (A)는 종래의 컨택트홀을 형성할 때의 마스크 이미지를 도시하는 개략 평면도.
도 1의 (B)는 도 1의 (A)의 마스크 이미지의 시뮬레이션으로부터 유도한 광 강도의 등고선도.
도 2의 (A)는 본 발명에 따라, 마스크 패턴을 더 다각 형상으로 하였을 때의 마스크 이미지를 도시하는 개략 평면도.
도 2의 (B)는 도 1의 (A)의 마스크 이미지의 시뮬레이션으로부터 유도한 광 강도의 등고선도.
도 3은 컨택트홀을 형성하기 위한 마스크 패턴을 4각형과 8각형으로 근사할 때의, 광 강도의 콘트라스트와 홀 직경과의 관계를 도시하는 특성도.
도 4A는 전자선을 이용한 마스크 묘화 장치를 사용하여 포토마스크를 제작할 때의 데이터 이미지를 도시하는 개략 평면도.
도 4B는 도 4A의 마스크 데이터를 이용하여 제작한 마스크 이미지를 도시하는 개략 평면도.
도 5A는 i선 등을 이용한 레이저식의 마스크 묘화 장치를 사용하여 포토마스크를 제작할 때의 데이터 이미지를 도시하는 개략 평면도.
도 5B는 도 5A의 마스크 데이터를 이용하여 제작한 마스크 이미지를 도시하는 개략 평면도.
도 6A는 포토마스크의 이미지를 도시하는 개략 평면도.
도 6B는 도 6A의 포토마스크를 이용하여 형성하였을 때의 웨이퍼 상에서의 레지스트 패턴의 이미지를 도시하는 개략 평면도.
도 7은 포토마스크 상의 마스크 패턴의 홀 직경과 웨이퍼 상의 컨택트홀의 홀 직경과의 관계를 도시하는 특성도.
도 8은 포토마스크 상의 부분에 따라 마스크 패턴을 변화시킨 일례를 도시하는 개략 평면도.
도 9는 포토마스크 상의 부분에 따라 마스크 패턴을 변화시킨 다른 예를 도시하는 개략 평면도.
도 10은 예를 들면 메모리 소자의 캐패시터에 대응한 실패턴을 형성하는 경 우의 포토마스크를 도시하는 개략 평면도.
도 11A는 포토마스크를 제작할 때의 데이터 이미지를 도시하는 개략 평면도.
도 11B는 도 11A의 마스크 데이터를 이용하여 제작한 마스크 이미지를 도시하는 개략 평면도.
도 12A는 전자선식 마스크 묘화 장치에 의한 사각형의 마스크 패턴을 갖는 포토마스크의 이미지를 도시하는 개략 평면도.
도 12B는 전자선식 마스크 묘화 장치에 의한 원형 근사의 마스크 패턴을 갖는 포토마스크의 이미지를 도시하는 개략 평면도.
도 13A는 레이저식 마스크 묘화 장치에 의한 사각형의 마스크 패턴을 갖는 포토마스크의 이미지를 도시하는 개략 평면도.
도 13B는 레이저식 마스크 묘화 장치에 의한 원형 근사의 마스크 패턴을 갖는 포토마스크의 이미지를 각각 도시하는 개략 평면도.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
-본 발명의 기본 골자-
상술한 문제점, 즉 실패턴 형성 시에 레지스트의 막 감소나 단선이 발생하는 것, 및 마스크 제조 프로세스마다 의존하여 최적의 근접 효과 보정을 행할 필요가 있는 것은, 컨택트홀과 같이 외형이 원 형상 또는 타원 형상의 실패턴을 형성할 때에 현재화된다. 이것을 일반화하여 고찰하면, 외형의 적어도 일부분이 곡선 형상으로 되어 이루어지는 극미세의 실패턴을 형성할 때에, 마스크 패턴의 해당 부분에 대응하는 개소를 복수의 선분(다각 선분)으로 근사하여 형성할 필요가 있는 것에 기인하여 발생하는 문제인 것으로 간주할 수 있다.
본 발명자는, 애초에 포토마스크의 마스크 패턴을 형성하기 위한 마스크 데이터의 단계에서 상기의 다각 선분에 의한 근사(다각 근사)를 하여, 마스크 패턴의 해당 부분에 대응하는 개소를 곡선 근사(경우에 따라 다르지만, 예를 들면 형성하는 실패턴이 원형의 것이면 6각형, 8각형 또는 그 이상)로 하는 것, 즉 곡선 형상을 갖는 실패턴에 대응하여 곡선 근사된 마스크 패턴을 갖는 포토마스크를 이용하면, 상기의 문제를 해결할 수 있는 것에 착안하였다. 그리고, 마스크 패턴의 외형을 곡선 근사하기 위한 다각 근사는, 다시 말하면, 실패턴의 곡선에 대응하는 마스크 패턴의 외형 부분을 곡선 근사할 수 있는 방법이며, 이것은 마스크 패턴의 형상은 원래부터, 마스크 패턴 묘화의 양태나 각종 조건 등에 따라 서로 다르다. 따라서, 이들 형상이나 다양한 조건 등에 따른 개별 구체적인 다각 근사에 의해, 소기의 마스크 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 전자 빔을 이용한 원형 패턴 묘화의 노광 장치로서, 중심 위치 및 반경의 정보로부터 원형 패턴을 묘화하는 기술이 일본 특개소 60-136225호 공보에 개시되어 있다. 그러나 이러한 단순한 방법에서는, 최근과 같은 미세 패턴을 실제로 형성하는 것은 매우 곤란하여, 현실적으로 원하는 미세 패턴을 형성하는 요청에 응하기 위해, 본 발명이 이루어진 경위가 있다. 즉, 실제로 미세한 원형의 실패턴을 형성하기 위해서는, 본 발명과 같이, 형성해야 할 형상이나 마스크 패턴 묘화의 양태, 각종 조건 등에 적합시킨 근사 패턴, 이 경우에는 원형 근사의 마스크 패턴을 형성하는 것이 필수이다.
이하, 상기의 기술 사상의 구체적인 근거에 대하여 상술한다.
도 1의 (A), 도 1의 (B), 도 2의 (A), 도 2의 (B), 도 3은 본 발명의 원리를 설명하기 위한 도면이다. 도 1의 (A)는 종래의 컨택트홀을 형성할 때의 마스크 이미지를 도시하는 개략 평면도이고, 도 1의 (B)는 그 시뮬레이션으로부터 유도한 광 강도의 등고선도이다.
포토마스크(101)의 각 마스크 패턴(111)은, 컨택트홀을 형성하기 위한 개구부로서, 피치 180㎚이고 1변 130㎚인 4각 형상으로 되어 있다. 조명 조건은 NA=0.7이고 σ=2/3 윤대이다. 차광부는 참조 부호 112로 표시되며, 웨이퍼 상에 레지스트가 남는 부분에 대응한다.
도 1의 (B)에서, 참조 부호 113은 시뮬레이션으로부터 구한 광 강도 중에서 가장 강도가 큰 개소, 참조 부호 114는 가장 강도가 작은 개소이다. 이 결과를 보면, 참조 부호 113의 부분은 광 강도가 커지고 있지만, 참조 부호 114의 부분도 광 강도가 커지고 있어, 광 강도의 콘트라스트는 상대적으로 저하되고 있는 것을 알 수 있다.
도 2의 (A)는, 본 발명에 따라, 마스크 패턴을 더 다각 형상으로 하였을 때의 마스크 이미지를 도시하는 개략 평면도이고, 도 2의 (B)는 그 시뮬레이션으로부터 유도한 광 강도의 등고선도이다. 포토마스크(1)의 마스크 패턴(11)은, 컨택트홀을 형성하기 위한 개구부로서, 피치 180㎚이며 직경 140㎚인 8각 형상으로 되어 있다. 조명 조건은 NA=0.7이고 σ=2/3 윤대(輪帶)이다. 차광부는 참조 부호 12로 표시되며, 웨이퍼 상에 레지스트가 남는 부분에 대응한다.
도 2의 (B)에서, 참조 부호 13은 시뮬레이션으로부터 구한 광 강도 중에서 가장 강도가 큰 개소, 참조 부호 14는 가장 강도가 작은 개소이다. 이 결과와 도 1의 (B)의 결과를 비교해 보면, 참조 부호 13의 부분의 광 강도는 약간 작아져 있지만, 참조 부호 14의 부분도 광 강도도 작아져 있어, 광 강도의 콘트라스트는 도 2의 (B)쪽이 커져 있는 것을 알 수 있다.
도 3은 컨택트홀을 형성하기 위한 마스크 패턴을 4각형과 8각형으로 근사하였을 때의, 광 강도의 콘트라스트와 홀 직경과의 관계를 도시하는 특성도이다.
마스크 패턴은 피치 180㎚이고 조명 조건은 NA=0.7이며 σ=2/3 윤대이다. 이 결과를 보면, 4각형보다 8각형으로 마스크 패턴을 원형 근사한 쪽이 보다 콘트라스트가 커지는 것을 알 수 있다. 즉, 종래에서는 개구시킬 수 없었던 협피치의 컨택트홀을 개구시키는 것이 가능하게 된다. 이 시뮬레이션 결과는, 8각형으로 근사하고 있지만, 더 많은 정점을 갖는 다각형으로 근사하여, 원형(곡선의 외형)에 가급적으로 가깝게 하는 것이 바람직하다.
또한, 마스크 패턴을 거의 원형으로 하면, 마스크 묘화 장치나 제조 프로세스에 기인한 패턴의 라운딩의 차이가 보이지 않게 되어, 근접 효과 보정 중에서 마스크 기인의 파라미터를 제거하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 마스크 제조 프로세스를 변화시켜도, 근접 효과 보정값을 변경할 필요가 없어져, 공정수를 작게 하는 것이 가능하게 된다.
-발명의 구체적인 다양한 실시 형태-
(실시 형태 1)
본 발명의 실시 형태 1을 도 4A 및 도 4B에 도시한다. 실시 형태 1에서는, 전자선식 마스크 묘화 장치를 이용하여 마스크 패턴을 형성하여, 포토마스크를 제작한다. 도 4A는 전자선을 이용한 마스크 묘화 장치를 사용하여 포토마스크를 제작할 때의 데이터 이미지를 도시하는 개략 평면도이고, 도 4B는 그 마스크 데이터를 이용하여 제작한 마스크 이미지를 도시하는 개략 평면도이다.
데이터 이미지에서는, 마스크 데이터(2)에서의 마스크 패턴을 형성하기 위한데이터(패턴 데이터)(21)를 8각 형상으로 하였다. 전자선식 마스크 묘화 장치의 경우, 해상력이 높기 때문에, 이와 같이 예를 들면 8각형 등의 보다 많은 정점을 갖는 다각형의 패턴 데이터를 요한다. 이러한 패턴 데이터를 이용함으로써, 원형에 가까운(원형 근사의) 개구부인 마스크 패턴(22)을 갖는 포토마스크(3)가 얻어진다.
(실시 형태 2)
본 발명의 실시 형태 2를 도 5A, 도 5B에 도시한다. 실시 형태 2에서는, 레이저식의 마스크 묘화 장치를 이용하여 마스크 패턴을 형성하여, 포토마스크를 제작한다. 도 5A는, i선 등을 이용한 레이저식의 마스크 묘화 장치를 사용하여 포토마스크를 제작할 때의 데이터 이미지를 도시하는 개략 평면도이고, 도 5B는 이 마스크 데이터를 이용하여 제작한 마스크 이미지를 도시하는 개략 평면도이다.
데이터 이미지에서는, 마스크 데이터(4)에서의 마스크 패턴을 형성하기 위한 데이터(패턴 데이터)(23)를 8각 형상으로 하였다. 레이저식 마스크 묘화 장치의 경우, 해상력이 그다지 높지 않기 때문에, 예를 들면 6각형 등의 비교적 적은 정점을 갖는 다각형의 패턴 데이터를 이용해도, 원형에 가까운(원형 근사의) 개구부인 마스크 패턴(24)을 갖는 포토마스크(5)가 얻어진다.
(실시 형태 3)
본 발명의 실시 형태 3을 도 6A, 도 6B에 도시한다. 실시 형태 3에서는, 원형 근사의 마스크 패턴을 갖는 포토마스크에 의해, 컨택트홀의 실패턴을 형성한다. 도 6A는 포토마스크의 이미지를 도시하는 개략 평면도이고, 도 6B는 이 포토마스크를 이용하여 형성하였을 때의 웨이퍼 상에서의 레지스트 패턴의 이미지를 도시하는 개략 평면도이다.
여기서는, 피치 180㎚, 홀 직경 100㎚의 마스크 패턴(25)을 갖는 포토마스크(6)를 이용하여, NA=0.7, σ=2/3 윤대의 조명 조건으로 노광하였다. 통상의 사각형의 마스크 패턴에서는 개구하지 않은 레지스트도, 원형 근사의 개구부인 마스크 패턴(25)을 갖는 포토마스크(6)를 이용함으로써, 웨이퍼(7) 상의 레지스트(15)에 소기의 원 형상의 레지스트 패턴(26)이 형성된다.
(실시 형태 4)
본 발명의 실시 형태 4를 도 7에 도시한다. 도 7은 포토마스크 상의 마스크 패턴의 홀 직경과 웨이퍼 상의 컨택트홀의 홀 직경의 관계를 도시하는 특성도이다. 횡축에 마스크 패턴의 홀 직경을, 종축에 컨택트홀의 홀 직경을 각각 나타낸다.
여기서는, 피치 220㎚, 홀 직경 120㎚의 마스크 패턴을, NA=0.7, σ=2/3 윤대의 조명 조건으로 웨이퍼에 노광 전사하였다. 사각형의 마스크 패턴을 갖는 포 토마스크와, 원형 근사의 마스크 패턴을 갖는 포토마스크에서는, 마스크 패턴의 홀 직경과 컨택트홀의 홀 직경과의 관계를 나타내는 직선의 기울기에 명백한 상위가 나타난다. 이것은, 원형 근사의 마스크 패턴쪽이 프로세스 마진이 크다는 것을 나타내고 있다.
(실시 형태 5)
본 발명의 실시 형태 5를 도 8에 도시한다. 실시 형태 5에서는, 포토마스크 상의 부분에 따라 마스크 패턴을 변화시킨 일례를 나타낸다.
여기서는, 포토마스크(8) 상에서의 협피치의 개소만의 마스크 패턴(27)을 원형 근사로 형성하고, 비교적 소한 개소에는 4각형의 마스크 패턴(28)을 형성한다. 즉, 특히 마스크 패턴의 형성이 어려운 개소에만, 이러한 원형 근사의 마스크 패턴(27)을 적용한다고 하는 것이다. 이러한 방법을 이용하면, 불필요한 마스크 데이터를 크게 하는 것을 방지하는 것이 가능하게 된다.
(실시 형태 6)
본 발명의 실시 형태 6을 도 9에 도시한다. 실시 형태 6에서는, 포토마스크 상의 부분에 따라 마스크 패턴을 변화시킨 다른 예를 나타낸다.
여기서는, 포토마스크(9) 상에서의 비교적 소한 개소만의 마스크 패턴(29)을 원형 근사로 형성하고, 협피치의 개소에는 4각형의 마스크 패턴(30)을 형성한다. 특히 소한 마스크 패턴의 치수 안정성이 필요한 때에 이용하면 효과적인 예이다. 소한 마스크 패턴에만 원형 근사를 적용하기 때문에, 그 데이터량도 통상의 데이터량과 크게 변화되지 않는다.
(실시 형태 7)
본 발명의 실시 형태 7을 도 10에 도시한다. 실시 형태 7에서는, 예를 들면 메모리 소자의 캐패시터에 대응한 실패턴을 형성하는 경우의 포토마스크를 나타낸다.
여기서는, 마스크 패턴(31)을 타원 근사로 하여 이루어지는 포토마스크(10)를 이용한다. 이 포토마스크(10)를 제작할 때에는, 바이어스를 거는 것에 의해, 보다 협피치의 마스크 패턴을 얻는 것이 가능하게 된다.
(실시 형태 8)
본 발명의 실시 형태 8을 도 11A, 도 11B에 도시한다. 실시 형태 8에서는, 예를 들면 로직 디바이스의 벌크 배선과 같은 실패턴을 형성하기 위한 포토마스크를 제작한다. 도 11A는 포토마스크를 제작할 때의 데이터 이미지를 도시하는 개략 평면도이고, 도 11B는 이 마스크 데이터를 이용하여 제작한 마스크 이미지를 도시하는 개략 평면도이다.
여기서, 마스크 데이터(41) 상, 각 패턴 데이터(32)의 각 부위를 다각형으로 근사함으로써, 포토마스크(42) 상에서 원형에 가까운 단부를 갖는 마스크 패턴(33)을 형성하는 것이 가능하게 된다. 이러한 마스크 패턴을 이용하면, 프로세스 마진이 넓은 안정된 레지스트 패턴을 얻는 것이 가능하게 된다.
(실시 형태 9)
본 발명의 실시 형태 9를 도 12A, 도 12B, 도 13A, 도 13B에 도시한다. 실시 형태 9에서는, 전자선식 마스크 묘화 장치와 레이저식 마스크 묘화 장치에 의해 형성되는 마스크 패턴 형상을 비교하였다. 도 12A는 전자선식 마스크 묘화 장치에 의한 사각형의 마스크 패턴을 갖는 포토마스크, 도 12B는 전자선식 마스크 묘화 장치에 의한 원형 근사의 마스크 패턴을 갖는 포토마스크, 도 13A는 레이저식 마스크 묘화 장치에 의한 사각형의 마스크 패턴을 갖는 포토마스크, 도 13B는 레이저식 마스크 묘화 장치에 의한 원형 근사의 마스크 패턴을 갖는 포토마스크의 이미지를 각각 도시하는 개략 평면도이다.
사각형의 마스크 패턴에서는, 묘화 장치에 의해 형상의 차이가 나타난다. 여기서는, 도 12A의 포토마스크(43)의 마스크 패턴(34)에 비해, 도 13A의 포토마스크(44)의 마스크 패턴(35)쪽이 각 부위가 둥글게 형성되어 있다. 이 형상의 차이가 근접 효과 보정값의 상위에 반영된다. 한편, 원형의 마스크 패턴에서는, 양 묘화 장치 모두 원형 근사로 패턴 형상에 차이는 생기지 않는다. 즉, 도 12B의 포토마스크(45)의 마스크 패턴(36)과, 도 13B의 포토마스크(46)의 마스크 패턴(37)은, 거의 동일한 원형 근사로 되어 있다. 따라서, 컨택트홀을 형성하기 위한 마스크 패턴을 사각형이 아니라 원형 근사로 함으로써, 근접 효과 보정의 값에 차이가 발생하지 않게 되어, 마스크 제조 프로세스를 변화시켜도, 근접 효과 보정값을 변경할 필요가 없다.
이상 설명한 바와 같이, 원형 근사나 타원형 근사의 마스크 패턴에 의해 컨택트홀을 형성하면, 협피치의 레지스트 패턴을 안정적으로 형성할 수 있는 것을 알 수 있다. 또한, 원형 근사의 마스크 패턴이면 근접 효과의 마스크 프로세스 기인의 요소를 생략하는 것이 가능하게 된다.
또한, 이상 설명한 다양한 실시 형태에서는, 통상의 근접 효과 보정을 병용하는 것도 가능하다.
본 발명에 따르면, 작은 피치라도 레지스트의 막 감소나 컨택트홀 등의 실패턴간에서의 단선 등의 디바이스 제조상의 문제점을 발생시키지 않도록 레지스트 패턴을 형성하고, 또한, 근접 효과 보정으로부터 마스크 제조 프로세스의 성분을 배제하여 근접 효과 보정을 단순화함으로써, 소기의 극미세의 실패턴을 용이하고 또한 정확하게 형성하는 것이 가능하게 된다.

Claims (9)

  1. 마스크 패턴을 구비한 포토마스크의 제작 방법으로서,
    상기 마스크 패턴은, 외형의 적어도 일부분이 곡선 형상으로 되어 이루어지는 실패턴을 형성하기 위한 것으로,
    상기 실패턴의 상기 곡선에 대응하는 상기 마스크 패턴의 외형 부분을 곡선 근사할 수 있는 다각 선분을 갖는 패턴 데이터를 작성하고, 해당 패턴 데이터를 이용하여 상기 외형 부분을 곡선 근사하여, 상기 마스크 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제작 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 실패턴이 원 형상 또는 타원 형상이고, 이것에 대응하여 상기 마스크 패턴을 원형 근사 또는 타원형 근사로 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제작 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 실패턴이 그 각부분이 곡선 형상으로 되어 이루어지는 외형이고, 이것에 대응하여 상기 마스크 패턴을 그 각부분이 곡선 근사로 되어 이루어지는 외형으로 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제작 방법.
  4. 마스크 패턴을 구비한 포토마스크로서,
    상기 마스크 패턴은, 외형의 적어도 일부분이 곡선 형상으로 되어 이루어지는 실패턴을 형성하기 위한 것이고, 상기 실패턴의 상기 곡선에 대응하는 외형 부분이, 다각 선분을 갖는 패턴 데이터에 의해 곡선 근사로 되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 실패턴이 원 형상 또는 타원 형상이고, 이것에 대응하여 상기 마스크 패턴이 원형 근사 또는 타원형 근사로 되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 실패턴이 그 각부분이 곡선 형상으로 되어 이루어지는 외형이고, 이것에 대응하여 상기 마스크 패턴이 그 각부분이 곡선 근사로 되어 이루어지는 외형인 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  7. 외형의 적어도 일부분이 곡선 형상으로 되어 이루어지는 실패턴을 형성하는 방법으로서,
    상기 실패턴의 상기 곡선에 대응하는 외형 부분이, 다각 선분을 갖는 패턴 데이터에 의해 곡선 근사로 되어 이루어지는 마스크 패턴을 갖는 포토마스크를 이용하여, 상기 마스크 패턴을 노광 전사하여 상기 실패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 실패턴이 원 형상 또는 타원 형상이고, 이것에 대응하여 상기 마스크 패턴이 원형 근사 또는 타원형 근사로 되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 실패턴이 그 각부분이 곡선 형상으로 되어 이루어지는 외형이고, 이것에 대응하여 상기 마스크 패턴이 그 각부분이 곡선 근사로 되어 이루어지는 외형인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
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