KR100688816B1 - Scan Driver and Driving Method of Light Emitting Display Using the Same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 안정적으로 구동할 수 있도록 한 주사 구동부에 관한 것이다. The present invention relates to a scan driver which can be driven stably.
본 발명의 실시예에 의한 주사 구동부는 순차적으로 신호를 출력하는 쉬프트 레지스터들과, 상기 쉬프트 레지스터들의 출력신호에 대응하여 제 1전원 및 제 2전원 중 어느 하나의 전압을 주사선들로 공급하기 위한 버퍼들과, 상기 제 1전원 및 제 2전원 사이의 전압값을 가지는 제 3전원 및 제 4전원을 적어도 한번 상기 버퍼들로 공급하기 위한 제어회로를 구비한다. According to an exemplary embodiment of the present invention, a scan driver sequentially outputs a signal, and a buffer for supplying voltages to any one of a first power source and a second power source in response to an output signal of the shift registers. And a control circuit for supplying a third power supply and a fourth power supply having a voltage value between the first power supply and the second power supply to the buffers at least once.
이러한 구성에 의하여, 주사 구동부의 버퍼에 포함된 적어도 하나의 트랜지스터에 높은 드레인-소오스간 전압이 인가되더라도 대략 일정한 전압을 유지하도록 특성곡선을 제어하기 때문에 주사 구동부를 안정적으로 구동할 수 있다. With this configuration, the scan driver can be stably driven because the characteristic curve is controlled to maintain a substantially constant voltage even when a high drain-source voltage is applied to at least one transistor included in the buffer of the scan driver.
Description
도 1은 종래의 주사 구동부를 개략적으로 나타내는 도면.1 is a view schematically showing a conventional scan driver.
도 2는 도 1에 도시된 버퍼를 상세히 나타내는 회로도.FIG. 2 is a circuit diagram showing in detail the buffer shown in FIG.
도 3은 도 2에 도시된 트랜지스터의 특성곡선의 일례를 나타내는 도면.3 is a diagram showing an example of a characteristic curve of the transistor shown in FIG. 2;
도 4a 및 도 4b는 킹크전류 및/또는 누설전류 등에 의하여 화상 표시부에서 발생되는 불량을 나타내는 도면. 4A and 4B are diagrams showing a defect generated in the image display unit by kink current and / or leakage current or the like.
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 발광 표시장치를 나타내는 도면.5 is a view showing a light emitting display device according to an embodiment of the present invention;
도 6은 도 5에 도시된 주사 구동부를 나타내는 도면.FIG. 6 is a view showing a scan driver shown in FIG. 5; FIG.
도 7a 내지 도 7c는 도 5에 도시된 버퍼와 제어회로의 연결 구조를 나타내는 회로도.7A to 7C are circuit diagrams illustrating a connection structure between a buffer and a control circuit illustrated in FIG. 5.
도 8은 도 7a 내지 7c에 도시된 제어회로로 공급되는 제어신호를 나타내는 파형도. FIG. 8 is a waveform diagram showing a control signal supplied to the control circuit shown in FIGS. 7A to 7C.
도 9는 버퍼에 포함된 트랜지스터의 특성곡선이 변화되는 것을 나타내는 도면. 9 is a view showing that a characteristic curve of a transistor included in a buffer is changed.
도 10은 버퍼와 제어회로의 다른 실시예에 의한 연결구조를 나타내는 회로 도.10 is a circuit diagram showing a connection structure according to another embodiment of a buffer and a control circuit.
도 11은 버퍼와 제어회로의 또 다른 실시예에 의한 연결구조를 나타내는 회로도. 11 is a circuit diagram showing a connection structure according to another embodiment of a buffer and a control circuit.
도 12는 도 11에 도시된 제어회로로 공급되는 제어신호를 나타내는 파형도. 12 is a waveform diagram showing a control signal supplied to the control circuit shown in FIG.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
12 : 쉬프트 레지스터 블록 14 : 낸드 게이트 블록12: shift register block 14: NAND gate block
16 : 버퍼블록 110 : 주사 구동부16: buffer block 110: scan driver
121,122,123,124,12n,1121,1122,1123,1124,112n : 쉬프트 레지스터121,122,123,124,12n, 1121,1122,1123,1124,112n: Shift register
141,142,143,144,14n,1141,1142,1143,1144,114n : 낸드 게이트141,142,143,144,14n, 1141,1142,1143,1144,114n: NAND gate
161,162,163,164,16n,1161,1162,1163,1164,116n : 버퍼161,162,163,164,16n, 1161,1162,1163,1164,116n: buffer
118 : 제어회로 120 : 데이터 구동부118: control circuit 120: data driver
130 : 화상 표시부 140 : 화소130: image display unit 140: pixels
150 : 타이밍 제어부 200 : 제어신호 공급부150: timing controller 200: control signal supply unit
본 발명은 주사 구동부 및 이를 이용한 발광 표시장치와 그의 구동방법에 관한 것으로, 특히 안정적으로 구동할 수 있도록 한 주사 구동부 및 이를 이용한 발 광 표시장치와 그의 구동방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel) 및 발광 표시장치(Light Emitting Display) 등이 있다.Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. The flat panel display includes a liquid crystal display, a field emission display, a plasma display panel, a light emitting display, and the like.
평판표시장치 중 발광 표시장치는 다수의 발광소자를 구비하며, 발광소자는 전자와 정공의 재결합에 의하여 소정의 빛을 생성한다. 이러한, 발광 표시장치는 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 낮은 소비전력으로 구동되는 장점이 있다.Among flat panel display devices, the light emitting display device includes a plurality of light emitting devices, and the light emitting devices generate predetermined light by recombination of electrons and holes. Such a light emitting display device has an advantage in that it has a fast response speed and is driven with low power consumption.
도 1은 발광 표시장치에 사용되는 종래의 주사 구동부를 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a conventional scan driver used in a light emitting display device.
도 1을 참조하면, 종래의 주사 구동부(Scan Driver ; 10)는 쉬프트 레지스터 블럭(Shift Resister Block ; 12), 낸드 게이트 블록(Nand Gate Block ; 14) 및 버퍼 블록(Buffer Block ; 16)을 구비한다.Referring to FIG. 1, a
쉬프트 레지스터 블록(12)은 n(n은 자연수)개의 쉬프트 레지스터(121, 122,..., 12n)를 구비한다. 각각의 쉬프트 레지스터(121, 122,..., 12n)들은 클럭신호(CLK)와 클럭바 신호(CLKb)를 공급받는다. 클럭신호(CLK) 및 클럭바 신호(CLKb)를 공급받은 각각의 쉬프트 레지스터(121, 122,...,12n)들은 상위의 쉬프트 레지스터로부터 출력신호가 입력될 때 하위의 쉬프트 레지스터로 출력신호를 전달한다. 다시 말하여, 쉬프트 레지스터(121, 122,..., 12n)들은 상위의 출력신호가 하위의 쉬프트 레지스터로 쉬프트 되도록 접속된다. 여기서, 상위 및 하위는 신호의 흐름에 따른 순서를 나타낸다.The
낸드 게이트 블록(14)은 각각의 쉬프트 레지스터(121, 122,...,12n)의 출력단마다 설치되는 n개의 낸드 게이트(141, 142,...,14n)를 구비한다. 각각의 낸드 게이트(141, 142,...,14n)는 쉬프트 레지스터(121,122,...,12n)의 출력신호와 인에이블 신호(EN)(또는 인에이블바 신호(/EN))를 낸드 연산하여 버퍼 블록(16)으로 공급한다. 여기서, 쉬프트 레지스터(121, 122,...,12n)들로부터 순차적으로 출력신호가 공급되기 때문에 낸드 게이트(141, 142,...,14n)도 순차적으로 출력신호를 버퍼 블록(16)으로 공급한다. The NAND
버퍼 블록(16)은 각각의 낸드 게이트(141, 142,..., 14n)의 출력단마다 설치되는 n개의 버퍼(161, 162,...,16n)를 구비한다. 각각의 버퍼(161, 162,...,16n)는 자신에게 공급되는 출력신호를 제 1주사선(S1) 내지 제 n주사선(Sn)으로 순차적으로 공급한다. 여기서, 버퍼(161, 162,...,16n)들로부터 출력되는 출력신호는 주사신호로 이용된다.The
하지만, 이와 같이 구동되는 종래의 주사 구동부(10)는 공정편차 및/또는 고온에서 동작시에 소정의 킹크(Kink)전류 및/또는 누설전류가 발생되고, 이에 따라 주사 구동부(10)가 오동작하는 문제점이 발생된다. 이는 버퍼들(161, 162,..., 16n)에 사용되는 N-타입 트랜지스터 및 P-타입 트랜지스터의 누설전류 및/또는 킹크전류에 기인한다. 이를, 도 2를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.However, the
도 2는 도 1에 도시된 버퍼를 상세히 나타내는 도면이다. 여기서, 각각의 버퍼들(161,...,16n)들은 동일한 구조를 갖기 때문에 도 2에 도시된 버퍼는 제 1버퍼(161)로 가정하기로 한다. 버퍼(161)는 주사선(S)을 경유하여 다수의 화소들과 접속된다. 따라서, 버퍼(161,...,16n)들에 포함되는 트랜지스터들은 충분한 전류를 공급할 수 있도록 쉬프트 레지스터(121,...,12n) 및 낸드 게이트(141,...,14n)에 포함되는 트랜지스터들보다 큰 사이즈의 채널/길이(W/L)를 갖도록 형성된다. FIG. 2 is a diagram illustrating in detail the buffer illustrated in FIG. 1. Here, since each of the
도 2를 참조하면, 버퍼(161)는 N-타입 트랜지스터(16a,16b)와 P-타입 트랜지스터(16c,16d)로 구성되는 두단의 회로로 구성된다. 낸드 게이트(141)로부터 제 1전원전압(VVDD)이 공급될 때 제 1트랜지스터(16a) 및 제 4트랜지스터(16d)가 턴-온되어 주사선(S)으로 제 1전원전압(VVDD)이 공급된다. 그리고, 낸드 게이트(141)로부터 제 2전원전압(VVSS)이 공급될 때 제 3트랜지스터(16c) 및 제 2트랜지스터(16b)가 턴-온되어 주사선(S)으로 제 2전원전압(VVSS)이 공급된다. Referring to FIG. 2, the
여기서, 제 1전원전압(VVDD) 및 제 2전원전압(VVSS)이 소정의 전압차를 가지기 때문에 공정조건의 편차에 의하여 트랜지스터가 킹크(Kin) 영역에서 동작할 수 있고, 이 경우 주사 구동부(10)가 정지되는 문제점이 발생된다. 제 1트랜지스터(16a)가 공정조건에 의하여 도 3과 같은 특성곡선을 갖는다고 가정함과 동시에 제 1전원전압(VVDD)을 5V, 제 2전원전압(VVSS)을 -7V로 가정하여 이를 상세히 설명하기로 한다. Here, since the first power supply voltage VVDD and the second power supply voltage VVSS have a predetermined voltage difference, the transistor may operate in the king region due to the variation of the process conditions. In this case, the scan driver 10 ) Is a problem that is stopped. It is assumed that the
먼저, 낸드 게이트(141)로부터 제 1전원전압(VVDD)이 공급될 때 제 3트랜지스터(16c)가 턴-온된다. 제 3트랜지스터(16c)가 턴-온되면 제 1노드점(N1)의 전압 이 제 1전원전압(VVDD)의 전압값인 5V로 설정된다. 여기서, 제 1트랜지스터(16a)의 제 1단자는 제 1노드점(N1)에 접속되고, 제 2단자는 제 2전원전압(VVSS)에 접속되기 때문에 VDS는 12V로 설정된다. 이 경우, 도 3에 도시된 바와 같이 제 1트랜지스터(16a)는 전류가 급격히 증가되는 킹크영역에서 구동된다. 이와 같이 제 1트랜지스터(16a)가 킹크영역에서 구동되면 주사 구동부(10)가 정상적으로 구동되지 못하는 문제점이 발생된다. 특히, 주사 구동부(10)가 고온에서 구동하는 경우 온도에 의하여 트랜지스터들(16a 내지 16d)의 자체 전류(또는 누설전류)가 증가하여 주사 구동부(10)의 오동작이 더욱 심하게 나타난다. 실제로, 주사 구동부(10)에 오동작이 발생되면 도 4a 및 4b에 도시된 바와 같이 특정 수평라인 아래의 화면이 모두 불량으로 표시된다.First, when the first power supply voltage VVDD is supplied from the
따라서, 본 발명은 안정적으로 구동할 수 있도록 한 주사 구동부 및 이를 이용한 발광 표시장치와 그의 구동방법을 제공하는 것이다.
Accordingly, an aspect of the present invention is to provide a scan driver, a light emitting display device using the same, and a driving method thereof, which can stably drive the same.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 1측면은 순차적으로 신호를 출력하는 쉬프트 레지스터들과, 상기 쉬프트 레지스터들의 출력신호에 대응하여 제 1전원 및 제 2전원 중 어느 하나의 전압을 주사선들로 공급하기 위한 버퍼들과, 상기 제 1전원 및 제 2전원 사이의 전압값을 가지는 제 3전원 및 제 4전원을 적어도 한번 상기 버퍼들로 공급하기 위한 제어회로를 구비하는 주사 구동부를 제공한다. In order to achieve the above object, the first aspect of the present invention provides a shift register for sequentially outputting a signal and a voltage of any one of a first power supply and a second power supply in response to an output signal of the shift registers. A scan driver includes a buffer for supplying, and a control circuit for supplying a third power source and a fourth power source having a voltage value between the first power source and the second power source to the buffers at least once.
바람직하게, 상기 버퍼들과 상기 쉬프트 레지스터들 사이에 설치되는 낸드 게이트들을 더 구비한다. 상기 버퍼들 각각은 상기 제 1전원과 제 2전원 사이에 직렬로 접속되며 게이트단자가 상기 낸드 게이트들 중 어느 하나에 접속되는 제 1트랜지스터 및 제 3트랜지스터와, 상기 제 1전원과 제 2전원 사이에 직렬로 접속되며 게이트단자가 상기 제 1트랜지스터 및 제 3트랜지스터의 공통단자인 제 1노드점에 접속되는 제 2트랜지스터 및 제 4트랜지스터를 구비한다. Preferably, the device further includes NAND gates disposed between the buffers and the shift registers. Each of the buffers is connected in series between the first power supply and the second power supply, and a first transistor and a third transistor having a gate terminal connected to one of the NAND gates, and between the first power supply and the second power supply. And a second transistor and a fourth transistor connected in series to each other and having a gate terminal connected to a first node point, which is a common terminal of the first and third transistors.
본 발명의 제 2측면은 순차적으로 신호를 출력하는 쉬프트 레지스터들과, 상기 쉬프트 레지스터들 각각에 접속되어 상기 쉬프트 레지스터들의 출력신호를 주사선들로 공급하기 위한 버퍼들과, 상기 버퍼들과 전기적으로 접속되며 상기 버퍼들에 포함된 적어도 하나의 트랜지스터의 특성곡선을 제어하기 위한 제어회로를 구비하는 주사 구동부를 제공한다. A second aspect of the present invention provides shift registers for sequentially outputting signals, buffers connected to each of the shift registers to supply output signals of the shift registers to scan lines, and electrically connected to the buffers. And a scan driver including a control circuit for controlling a characteristic curve of at least one transistor included in the buffers.
바람직하게, 상기 버퍼들과 상기 쉬프트 레지스터들 사이에 설치되는 낸드 게이트들을 더 구비한다. 상기 제어회로는 상기 버퍼들에 포함된 적어도 하나의 트랜지스터에 문턱전압을 공급한다. Preferably, the device further includes NAND gates disposed between the buffers and the shift registers. The control circuit supplies a threshold voltage to at least one transistor included in the buffers.
본 발명의 제 3측면은 복수의 화소를 구비하는 화상 표시부와, 상기 화소들과 접속되는 데이터선을 구동시키기 위한 데이터 구동부와, 상기 화소들과 접속되는 주사선을 구동시키기 위하여 상기 제 1항 또는 제 7항에 기재된 상기 주사 구동부를 구비하는 발광 표시장치를 제공한다.A third aspect of the present invention provides an image display unit including a plurality of pixels, a data driver for driving data lines connected to the pixels, and a scan line connected with the pixels. A light emitting display device comprising the scan driver according to
본 발명의 제 4측면은 주사 구동부에 다수의 버퍼가 포함되는 발광 표시장치 의 구동방법에 있어서, 상기 버퍼들에 포함된 적어도 하나의 트랜지스터의 특성곡선을 제어하는 제 1단계와, 상기 주사 구동부의 쉬프트 레지스터에서 순차적으로 신호를 출력하는 제 2단계와, 상기 쉬프트 레지스터에 출력된 신호가 버퍼를 거쳐 주사선들로 순차적으로 공급되는 제 3단계를 포함하는 발광 표시장치의 구동방법을 제공한다. A fourth aspect of the present invention is a method of driving a light emitting display device including a plurality of buffers in a scan driver, the method comprising: controlling a characteristic curve of at least one transistor included in the buffers; A second method of sequentially outputting a signal from a shift register, and a third step of sequentially supplying signals output to the shift register to scan lines through a buffer, are provided.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시 예를 첨부된 도 5 내지 도 12를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention may be easily implemented by those skilled in the art with reference to FIGS. 5 to 12 as follows.
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.5 is a diagram illustrating a light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 발광 표시장치는 주사선들(S1 내지 Sn) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)의 교차영역에 형성된 화소들(140)을 포함하는 화상 표시부(130)와, 주사선들(S1 내지 Sn)을 구동하기 위한 주사 구동부(110)와, 데이터선들(D1 내지 Dm)을 구동하기 위한 데이터 구동부(120)와, 주사 구동부(110) 및 데이터 구동부(120)를 제어하기 위한 타이밍 제어부(150)를 구비한다.Referring to FIG. 5, a light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes an
화상 표시부(130)는 외부로부터 제 1전원(VDD) 및 제 2전원(VSS)을 공급받는다. 화상 표시부(130)로 공급된 제 1전원(VDD) 및 제 2전원(VSS)은 각각의 화소들(140)로 공급된다. 화소들(140)은 주사 구동부(110)로부터 주사신호가 공급될 때 데이터 구동부(120)로부터 공급되는 데이터신호에 대응되는 빛을 발생한다.The
타이밍 제어부(150)는 외부로부터 공급되는 동기신호들에 대응하여 데이터 구동제어신호(DCS) 및 주사 구동제어신호(SCS)를 생성한다. 타이밍 제어부(150)에서 생성된 데이터 구동제어신호(DCS)는 데이터 구동부(120)로 공급되고, 주사 구동제어신호(SCS)는 주사 구동부(110)로 공급된다. 그리고, 타이밍 제어부(150)는 외부로부터 공급되는 데이터(Data)를 데이터 구동부(120)로 공급한다.The
데이터 구동부(120)는 타이밍 제어부(150)로부터 데이터 구동제어신호(DCS)를 공급받는다. 데이터 구동제어신호(DCS)를 공급받은 데이터 구동부(120)는 데이터신호를 생성하고, 생성된 데이터신호를 데이터선들(D1 내지 Dm)로 공급한다.The
주사 구동부(110)는 타이밍 제어부(150)로부터 주사 구동제어신호(SCS)를 공급받는다. 주사 구동제어신호(SCS)를 공급받은 주사 구동부(110)는 주사신호를 생성하고, 생성된 주사신호를 주사선들(S1 내지 Sn)로 순차적으로 공급한다.The
도 6은 도 5에 도시된 주사 구동부를 상세히 나타내는 블록도이다.6 is a block diagram illustrating in detail the scan driver illustrated in FIG. 5.
도 6을 참조하면, 본 발명의 주사 구동부(110)는 쉬프트 레지스터 블록(112), 낸드 게이트 블록(114) 및 버퍼 블록(116)을 구비한다.Referring to FIG. 6, the
쉬프트 레지스터 블록(112)은 n(n은 자연수)개의 쉬프트 레지스터(1121, 1122,...,112n)를 구비한다. 각각의 쉬프트 레지스터(1121, 1122,...,112n)들은 클럭신호(CLK)와 클럭바 신호(CLKb)를 공급받는다. 클럭신호(CLK) 및 클럭바 신호(CLKb)를 공급받은 쉬프트 레지스터(1121, 1122,...,112n)들은 상위의 쉬프트 레지 스터로부터 출력신호가 입력될 때 하위의 쉬프트 레지스터로 출력신호를 전달한다.The
이를 상세히 설명하면, 먼저 타이밍 제어부(150)로부터 스타트펄스(SP)가 첫번째 쉬프트 레지스터(1121)로 공급된다. 스타트펄스(SP)를 공급받은 첫번째 쉬프트 레지스터(1121)는 출력신호를 생성하고, 생성된 출력신호를 첫번째 낸드 게이트(1141) 및 두번째 쉬프트 레지스터(1122)로 전달한다. 출력신호를 공급받은 두번째 쉬프트 레지스터(1122)는 출력신호를 생성하고, 생성된 출력신호를 두번째 낸드 게이트(1142) 및 세번째 쉬프트 레지스터(1123)로 전달한다. 실제로, 쉬프트 레지스터 블록(112)은 상술한 과정을 반복하면서 n번째 쉬프트 레지스터(112n)까지 출력신호를 순차적으로 전달한다. In detail, first, the start pulse SP is supplied from the
낸드 게이트 블록(114)은 각각의 쉬프트 레지스터(1121, 1122,...,112n)의 출력단마다 설치되는 n개의 낸드 게이트(1141, 1142,...,114n)를 구비한다. 각각의 낸드 게이트(1141, 1142,...,114n)는 쉬프트 레지스터(1121, 1122,...,112n)의 출력신호와 인에이블 신호(EN)(또는 인에이블바 신호(/EN))를 낸드 연산하여 버퍼 블록(1161)으로 공급한다. 여기서, 쉬프트 레지스터(1121, 1122, 112n)들로부터 순차적으로 출력신호가 공급되기 때문에 낸드 게이트(1141, 1142,...,114n)도 순차적으로 출력신호를 버퍼블록(116)으로 공급한다. The
버퍼 블록(116)은 각각의 낸드 게이트(1141, 1142,...,114n)의 출력단마다 설치되는 n개의 버퍼들(1161, 1162,...,116n)을 구비한다. 각각의 버퍼(1161, 1162,...,116n)들은 자신에게 공급되는 출력신호를 제 1주사선(S1) 내지 제 n주사선(Sn)으로 순차적으로 공급한다. 여기서, 버퍼(1161, 1162,...,116n)들로부터 출 력되는 출력신호가 주사신호로 이용된다. The
한편, 본 발명의 주사 구동부(110)는 버퍼 블록(116)에 포함된 버퍼들(1161, 1162,..., 116n)과 전기적으로 접속되는 제어회로(118)를 구비한다. 제어회로(118)는 버퍼들(1161, 1162,...,116n) 각각에 포함된 적어도 하나의 트랜지스터의 특성곡선을 제어하여 주사 구동부(110)가 안정적으로 구동될 수 있도록 한다. 여기서, 제어회로(118)는 주사 구동부(110)가 주사신호를 공급할 때 구동되지 않는다. 실제로, 제어회로(118)는 발광 표시장치가 출하되기 이전에 적어도 한번 동작하여 버퍼들(1161, 1162,...,116n)에 포함되는 트랜지스터들의 특성곡선을 제어하고, 그 외에는 사용되지 않는다.(실제로, 제어회로(118)는 버퍼들(1161, 1162,...,116n)에 포함된 적어도 하나의 트랜지스터를 문턱전압으로 구동시킨다.)Meanwhile, the
그리고, 발광 표시장치는 주사 구동부(110)의 내부 또는 외부에 설치되는 제어신호 공급부(200)를 더 구비한다. 제어신호 공급부(200)는 제어회로(118)가 구동될 수 있도록 적어도 하나의 제어신호를 공급한다. 이와 같은 제어신호 공급부(200)는 발광 표시장치에 착탈 가능하게 설치될 수 있다. 또한, 제어신호 공급부(200)는 발광 표시장치에 실장 가능하도록 설치될 수 있다. 예를 들어, 제어신호 공급부(200)는 타이밍 제어부(150)의 내부에 포함되도록 설치될 수 있다.The light emitting display device further includes a control
도 7a는 도 6에 도시된 제어회로 및 버퍼를 상세히 나타내는 회로도이다. 도 8은 제어신호 공급부에서 공급되는 제어신호의 실시예를 나타내는 도면이다. 여기서, 버퍼들(1161, 1162,...,116n)은 동일한 구조를 갖기 때문에 도 7a에서는 첫번째 버퍼(1161) 만을 도시하기로 한다.FIG. 7A is a circuit diagram illustrating in detail the control circuit and the buffer illustrated in FIG. 6. 8 is a diagram illustrating an embodiment of a control signal supplied from a control signal supply unit. Here, since the
버퍼는(1161)에 포함된 트랜지스터들은 충분한 전류를 공급할 수 있도록 쉬프트 레지스터(1121) 및 낸드 게이트(114)에 포함된 트랜지스터들보다 큰 사이즈의 채널/길이(W/L)를 갖도록 형성된다. 이와 같은 버퍼(1161)는 N-타입 트랜지스터(M1,M2)와 P-타입 트랜지스터(M3,M4)로 구성되는 두단의 회로로 구성된다. The buffer included in the
N-타입으로 형성된 제 1트랜지스터(M1)의 제 1단자(소오스단자 또는 드레인단자)는 제 2전원전압(VVSS)에 접속되고, 제 2단자(드레인단자 또는 소오스단자)는 제 1노드점(N1)에 접속된다. 그리고, 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자는 낸드 게이트(1141)의 출력단자에 접속된다. P-타입으로 형성된 제 3트랜지스터(M3)의 제 1단자는 제 1전원전압(VVDD)에 접속되고, 제 2단자는 제 1노드점(N1)에 접속된다. 그리고, 제 3트랜지스터(M3)의 게이트단자는 낸드 게이트(1141)의 출력단자에 접속된다. 이와 같은 제 1트랜지스터(M1) 및 제 3트랜지스터(M3)는 낸드 게이트(1141)로부터 제 1전원전압(VVDD)이 공급될 때 제 2전원전압(VVSS)을 제 1노드점(N1)으로 공급하고, 낸드 게이트(1141)로부터 제 2전원전압(VVSS)이 공급될 때 제 1전원전압(VVDD)을 제 1노드점(N1)으로 공급한다. 즉, 제 1트랜지스터(M1) 및 제 3트랜지스터(M3)는 인버터(1161a)(제 1인버터)의 역활을 하게 된다. The first terminal (source terminal or drain terminal) of the first transistor M1 formed of the N-type is connected to the second power supply voltage VVSS, and the second terminal (drain terminal or source terminal) is connected to the first node point ( N1). The gate terminal of the first transistor M1 is connected to the output terminal of the
N-타입으로 형성된 제 2트랜지스터(M2)의 제 1단자는 제 2전원전압(VVSS)에 접속되고, 제 2단자는 주사선(S)에 접속된다. 그리고, 제 2트랜지스터(M2)의 게이트단자는 제 1노드점(N1)에 접속된다. P-타입으로 형성된 제 4트랜지스터(M4)의 제 1단자는 제 1전원전압(VVDD)에 접속되고, 제 2단자는 주사선(S)에 접속된다. 그리고, 제 4트랜지스터(N4)의 게이트단자는 제 1노드점(N1)에 접속된다. 이와 같은 제 2트랜지스터(M2) 및 제 4트랜지스터(M4)는 제 1노드점(N1)에 제 1전원전압(VVDD)이 공급될 때 제 2전원전압(VVSS)을 주사선(S)으로 공급하고, 제 2전원전압(VVSS)이 공급될 때 제 1전원전압(VVDD)을 주사선(S)으로 공급한다. 즉, 제 2트랜지스터(M2) 및 제 4트랜지스터(M4)는 인버터(1161b)(제 2인버터)의 역활을 하게 된다. The first terminal of the second transistor M2 formed of the N-type is connected to the second power supply voltage VVSS, and the second terminal is connected to the scan line S. The gate terminal of the second transistor M2 is connected to the first node point N1. The first terminal of the fourth transistor M4 formed of the P-type is connected to the first power supply voltage VVDD, and the second terminal is connected to the scan line S. The gate terminal of the fourth transistor N4 is connected to the first node point N1. The second transistor M2 and the fourth transistor M4 supply the second power supply voltage VVSS to the scan line S when the first power supply voltage VVDD is supplied to the first node point N1. When the second power supply voltage VVSS is supplied, the first power supply voltage VVDD is supplied to the scan line S. That is, the second transistor M2 and the fourth transistor M4 serve as the
주사 구동부(100)가 정상적으로 구동될 때 버퍼(1161)는 낸드 게이트(1141)로부터 제 1전원전압(VVDD) 또는 제 2전원전압(VVSS)을 공급받는다. 낸드 게이트(1141)로부터 제 1전원전압(VVDD)이 공급될 때 제 1트랜지스터(M1) 및 제 4트랜지스터(M4)가 턴-온된다. 그러면, 주사선(S)으로 제 1전원전압(VVDD)이 공급된다.(화소들 오프전압) 그리고, 낸드 게이트(1141)로부터 제 2전원전압(VVSS)이 공급될 때 제 3트랜지스터(M3) 및 제 2트랜지스터(M2)가 턴-온되어 주사선(S)으로 제 2전원전압(VVSS)(주사신호)이 공급된다.(화소들 온전압) When the scan driver 100 is normally driven, the
한편, 제어회로(118)는 발광 표시장치가 출하되기 전에 적어도 한번 구동되어 버퍼(1161)에 포함된 트랜지스터들의 특성곡선을 제어한다. 즉, 제어회로(118)는 주사 구동부(110)가 정상적으로 구동될 때 동작하지 않는다.On the other hand, the
제어회로(118)는 제 3전원(V3)과 버퍼(1161)의 입력단 사이에 설치되어 제 1제어신호(CS1)에 의해 제어되는 제 5트랜지스터(M5)와, 제 4전원(V4)과 버퍼(1161)의 입력단 사이에 설치되어 제 2제어신호(CS2)에 의해 제어되는 제 6트랜지스터(M6)를 구비한다. 제 3전원(V3)은 버퍼(1161)에 포함된 N-타입 트랜지스터(M1,M2) 의 문턱전압에 대응되는 전압값을 갖는다. 예를 들어, 제 3전원(V3)은 1V 내지 4V 사이에 전압으로 설정될 수 있다. 제 4전원(V4)은 버퍼(1161)에 포함된 P-타입 트랜지스터(M3,M4)의 문턱전압에 대응되는 전압값을 갖는다. 예를 들어, 제 4전원(V4)은 -1V 내지 -4V 사이의 전압으로 설정될 수 있다.The
제어신호 공급부(200)는 발광 표시장치가 출하되기 전에 도 8과 같이 제 1제어신호(CS1) 및 제 2제어신호(CS2)를 공급한다. 여기서, 제 1제어신호(CS1) 및 제 2제어신호(CS2)는 서로 다른 시간에 공급된다. 그리고, 제 1제어신호(CS1) 및 제 2제어신호(CS2)는 적어도 한번 이상 공급된다.The control
제 1제어신호(CS1)가 공급되면 제 5트랜지스터(M5)가 턴-온된다. 제 5트랜지스터(M5)가 턴-온되면 제 3전원(V3)의 전압이 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자로 공급되어 제 1트랜지스터(M1)가 턴-온된다. 제 1트랜지스터(M1)가 턴-온되면 제 1노드점(N1)의 전압값(예를 들면 제 1전원전압(VVDD))과 제 2전원전압(VVSS)의 전압차이에 의하여 소정의 전류가 흐르게 된다. 여기서, 제 1트랜지스터(M1)가 문턱전압에서 구동되기 때문에 제 1트랜지스터(M1)는 소정의 캐리어 스트레스(Carrier Stress)를 받게 되고, 이에 따라 특성곡선이 대략 수평을 이루도록 변화된다.When the first control signal CS1 is supplied, the fifth transistor M5 is turned on. When the fifth transistor M5 is turned on, the voltage of the third power source V3 is supplied to the gate terminal of the first transistor M1 to turn on the first transistor M1. When the first transistor M1 is turned on, a predetermined current is increased by a voltage difference between the voltage value of the first node point N1 (for example, the first power supply voltage VVDD) and the second power supply voltage VVSS. Will flow. Here, since the first transistor M1 is driven at the threshold voltage, the first transistor M1 is subjected to a predetermined carrier stress, and thus the characteristic curve is changed to be substantially horizontal.
이를 상세히 설명하면, 먼저 초기상태에서 도 9와 같이 특정 트랜지스터는 VDS의 전압이 대략 -7.5V이상 인가되면 전류가 급격히 증가된다.(킹크전류) 이와 같이 VDS에 낮은 전압이 인가되었을 때 킹크전류가 흐르게 되면 주사 구동부(110)가 정상적으로 구동될 수 없다. 그러나, 트랜지스터에 문턱전압(여기서는 -4V라 가정한다)을 인하한 후 VDS에 -20V를 대략 10㎳의 시간동안 인가하게 되면 트랜지스터의 특성곡선에 대략 평행하게 변화된다. 그러면, 트랜지스터의 VDS의 전압이 대략 -18V로 설정되더라도 흐르는 전류는 거의 일정하게 유지된다. 이는 실험적으로 트랜지스터가 문턱전압 근방에서 구동될 때 캐리어의 충돌 등에 의하여 특성곡선이 변화되는 것으로 예측되고 있다. 그리고, 실험적으로 트랜지스터의 VDS의 전압을 -30V로 유지하여도 특성곡선은 VDS에 -20V를 인가한 경우와 거의 동일하게 설정된다. 이는 트랜지스터의 VDS의 전압값의 높은 낮음이 특성곡선에 거의 영향을 주지 않음을 의미한다. In detail, first, in the initial state, as shown in FIG. 9, when a voltage of VDS is applied to approximately -7.5V or more, the current rapidly increases (king current). If it flows, the
따라서, 제 1제어신호(CS1)가 공급될 때 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자로 문턱전압에 해당하는 제 3전압(V3)이 공급되면 제 1트랜지스터(M1)에 높은 VDS의 전압이 인가되더라도 급격히 전류가 변화되지 않도록 특성곡선이 변화된다. 이와 같이 제 1트랜지스터(M1)이 특성곡선이 변화되면 주사 구동부(110)를 안정적으로 구동할 수 있다. Therefore, when the third voltage V3 corresponding to the threshold voltage is supplied to the gate terminal of the first transistor M1 when the first control signal CS1 is supplied, a high VDS voltage is applied to the first transistor M1. Even though the characteristic curve is changed so that the current does not change suddenly. As such, when the characteristic curve of the first transistor M1 is changed, the
제 1제어신호(CS1)가 공급된 후 제 2제어신호(CS2)가 공급되면 제 6트랜지스터(M6)가 턴-온된다. 제 6트랜지스터(M6)가 턴-온되면 제 3트랜지스터(M3)의 게이트단자로 문턱전압에 해당하는 제 4전원(V4)의 전압값이 공급된다. 그러면, 제 3트랜지스터(M3)가 턴-온되고, 이에 따라 제 1노드점(N1)의 전압값(예를 들면 제 2전원전압(VVSS))과 제 1전원전압(VVSS)의 전압차이에 의하여 소정의 전류가 흐르게 된다. 여기서, 제 3트랜지스터(M3)가 문턱전압을 공급받기 때문에 제 3트랜지스터(M3)의 특성곡선은 도 9에 도시된 바와 같이 높은 VDS의 전압이 인가되더라도 급격 히 전류가 변화되지 않도록 특성곡선이 변화된다. 이와 같이 제 3트랜지스터(M3)의 특성곡선이 변화되면 주사 구동부(110)를 안정적으로 구동할 수 있다.When the second control signal CS2 is supplied after the first control signal CS1 is supplied, the sixth transistor M6 is turned on. When the sixth transistor M6 is turned on, the voltage value of the fourth power source V4 corresponding to the threshold voltage is supplied to the gate terminal of the third transistor M3. Then, the third transistor M3 is turned on, and accordingly, the voltage difference between the voltage value of the first node point N1 (for example, the second power supply voltage VVSS) and the first power supply voltage VVSS is different. By this, a predetermined current flows. Here, since the third transistor M3 is supplied with the threshold voltage, the characteristic curve of the third transistor M3 is changed so that the current does not change rapidly even when a high VDS voltage is applied as shown in FIG. 9. do. As such, when the characteristic curve of the third transistor M3 is changed, the
한편, 본 발명에서는 제 1트랜지스터(M1) 및 제 3트랜지스터(M3)의 특성곡선 만을 변화시킨다. 이와 같이 제 1트랜지스터(M1) 및 제 3트랜지스터(M3)의 특성곡선 만이 변화되더라도 제 2트랜지스터(M2) 및 제 4트랜지스터(M4)의 특성과 무관하게 어느정도의 신뢰성을 확보할 수 있다. Meanwhile, in the present invention, only the characteristic curves of the first transistor M1 and the third transistor M3 are changed. As such, even if only the characteristic curves of the first transistor M1 and the third transistor M3 are changed, a certain degree of reliability can be secured regardless of the characteristics of the second transistor M2 and the fourth transistor M4.
한편, 제어회로(118)에 포함된 제 5트랜지스터(M5)가 P-타입 트랜지스터로 도시되었고, 제 6트랜지스터(M6)가 N-타입 트랜지스터로 도시되었지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 실제로, 본 발명에서는 도 7b와 같이 제 5트랜지스터(M5) 및 제 6트랜지스터(M6)를 N-타입 트랜지스터로 형성할 수 있다. 그리고, 본 발명에서는 도 7c와 같이 제 5트랜지스터(M5) 및 제 6트랜지스터(M6)를 P-타입 트랜지스터로 형성할 수 있다. Meanwhile, although the fifth transistor M5 included in the
한편, 본 발명에서 제어회로(118)의 설치위치 및 구조를 다양한 형태로 변경될 수 있다. 이를 도 10 및 도 11을 참조하여 상세히 설명하리고 한다.Meanwhile, in the present invention, the installation position and the structure of the
도 10은 제어회로와 버퍼의 다른 실시예에 의한 접속구조를 나타내는 도면이다. 10 is a view showing a connection structure according to another embodiment of a control circuit and a buffer.
도 10을 참조하면, 제어회로(118)는 버퍼(1161)의 제 1노드점(N1)(제 1인버터(1161a)의 출력단자 및 제 2인버터(1161b)의 입력단자)에 전기적으로 접속된다. 이와 같은 제어회로(118)는 발광 표시장치가 출하되기 전에 적어도 한번 구동되어 버퍼(1161)에 포함된 제 2트랜지스터(M2) 및 제 4트랜지스터(M4)의 특성곡선을 제어한다. Referring to FIG. 10, the
제어회로(118)는 제 3전원(V3)과 제 1노드점(N1) 사이에 설치되어 제 1제어신호(CS1)에 의해 제어되는 제 5트랜지스터(M5)와, 제 4전원(V4)과 제 1노드점(N1) 사이에 설치되어 제 2제어신호(CS2)에 의해 제어되는 제 6트랜지스터(M6)를 구비한다. 제 3전원(V3)은 버퍼(1161)에 포함된 N-타입 트랜지스터(M1,M2)의 문턱전압에 대응되는 전압값을 갖는다. 제 4전원(V4)은 버퍼(1161)에 포함된 P-타입 트랜지스터(M3,M4)의 문턱전압에 대응되는 전압값을 갖는다. The
제어신호 공급부(200)는 발광 표시장치가 출하되기 전에 도 8과 같이 제 1제어신호(CS1) 및 제 2제어신호(CS2)를 공급한다. 여기서, 제 1제어신호(CS1) 및 제 2제어신호(CS2)는 서로 다른시간 동안 적어도 한번 이상 공급된다. The control
제 1제어신호(CS1)가 공급되면 제 5트랜지스터(M5)가 턴-온된다. 제 5트랜지스터(M5)가 턴-온되면 제 3전원(V3)의 전압이 제 2트랜지스터(M2)의 게이트단자로 공급되어 제 2트랜지스터(M2)가 턴-온된다. 제 2트랜지스터(M2)가 턴-온되면 제 4트랜지스터(M4)의 제 1단자 및 제 2단자 간의 전압차에 의하여 소정의 전류가 흐른다. 그러면, 제 2트랜지스터(M2)가 소정의 캐리어 스트레스를 받게되고, 이에 따라 제 2트랜지스터(M2)는 도 9에 도시된 바와 같이 높은 VDS의 전압이 인가되더라도 급격히 전류가 변화되지 않도록 특성곡선이 변화된다. 이와 같이 제 2트랜지스터(M2)의 특성곡선이 변화되면 주사 구동부(110)를 안정적으로 구동할 수 있다. When the first control signal CS1 is supplied, the fifth transistor M5 is turned on. When the fifth transistor M5 is turned on, the voltage of the third power source V3 is supplied to the gate terminal of the second transistor M2 to turn on the second transistor M2. When the second transistor M2 is turned on, a predetermined current flows due to a voltage difference between the first terminal and the second terminal of the fourth transistor M4. Then, the second transistor M2 receives a predetermined carrier stress, and accordingly, the characteristic curve of the second transistor M2 is changed so that the current does not change rapidly even when a high VDS voltage is applied as shown in FIG. 9. do. As such, when the characteristic curve of the second transistor M2 is changed, the
제 1제어신호(CS1)가 공급된 후 제 2제어신호(CS2)가 공급되면 제 6트랜지스 터(M6)가 턴-온된다. 제 6트랜지스터(M6)가 턴-온되면 제 4트랜지스터(M4)의 게이트단자로 문턱전압에 해당하는 제 4전원(V4)의 전압값이 공급된다. 그러면, 제 4트랜지스터(M4)가 턴-온되고, 이에 따라 제 4트랜지스터(M4)이 제 1단자 및 제 2단자간의 전압차에 의하여 소정의 전류가 흐른다. 여기서, 제 4트랜지스터(M4)가 문턱전압을 공급받기 때문에 제 4트랜지스터(M4)의 특성곡선은 도 9에 도시된 바와 같이 높은 VDS의 전압이 인가되더라도 급격히 전류가 변화되지 않도록 특성곡선이 변화된다. 이와 같이 제 4트랜지스터(M4)의 특성곡선이 변화되면 주사 구동부(110)를 안정적으로 구동할 수 있다.When the second control signal CS2 is supplied after the first control signal CS1 is supplied, the sixth transistor M6 is turned on. When the sixth transistor M6 is turned on, the voltage value of the fourth power source V4 corresponding to the threshold voltage is supplied to the gate terminal of the fourth transistor M4. Then, the fourth transistor M4 is turned on, so that a predetermined current flows in the fourth transistor M4 due to a voltage difference between the first terminal and the second terminal. Here, since the fourth transistor M4 is supplied with the threshold voltage, the characteristic curve of the fourth transistor M4 is changed so that the current does not change rapidly even when a high VDS voltage is applied as shown in FIG. 9. . As such, when the characteristic curve of the fourth transistor M4 is changed, the
한편, 본 발명의 다른 실시예에서는 제 2트랜지스터(M2) 및 제 4트랜지스터(M4)의 특성곡선 만을 변화시킨다. 이와 같이 제 2트랜지스터(M2) 및 제 4트랜지스터(M4)의 특성곡선 만이 변화되더라도 제 1트랜지스터(M1) 및 제 3트랜지스터(M3)의 특성과 무관하게 어느정도의 신뢰성을 확보할 수 있다. Meanwhile, in another embodiment of the present invention, only the characteristic curves of the second transistor M2 and the fourth transistor M4 are changed. As such, even if only the characteristic curves of the second transistor M2 and the fourth transistor M4 are changed, a certain degree of reliability can be secured regardless of the characteristics of the first transistor M1 and the third transistor M3.
도 11은 제어회로와 버퍼의 또 다른 실시예에 의한 접속구조를 나타내는 도면이다. 도 12는 도 11에 도시된 제어회로로 공급되는 제어신호를 나타내는 도면이다.11 is a view showing a connection structure according to another embodiment of a control circuit and a buffer. FIG. 12 is a diagram illustrating a control signal supplied to the control circuit shown in FIG. 11.
도 11을 참조하면, 제어회로(118)는 버퍼(1161)의 입력단 및 제 1노드점(N1)에 전기적으로 접속된다. 이와 같은 제어회로(118)는 발광 표시장치가 출하되기 전에 적어도 한번 구동되어 버퍼(1161)에 포함된 제 1트랜지스터(M1) 내지 제 4트랜지스터(M4)의 특성곡선을 제어한다. Referring to FIG. 11, the
이를 위해, 제어회로(118)는 버퍼(1161)의 입력단에 접속되어 제 1트랜지스터(M1) 및 제 3트랜지스터(M3)의 특성곡선을 제어하기 위한 제 1제어회로(118a)와, 제 2트랜지스터(M2) 및 제 4트랜지스터(M4)의 특성곡선을 제어하기 위한 제 2제어회로(118b)를 구비한다.To this end, the
제 1제어회로(118a)는 제 3전원(V3)과 입력단 사이에 설치되는 제 5트랜지스터(M5)와, 제 4전원(V4)과 입력단 사이에 설치되는 제 6트랜지스터(M6)를 구비한다. 제 2제어회로(118b)는 제 3전원(V3)과 제 1노드점(N1) 사이에 설치되는 제 7트랜지스터(M7)와, 제 4전원(V4)과 제 1노드점(N1) 사이에 설치되는 제 8트랜지스터(M8)를 구비한다. The
제어신호 공급부(200)는 발광 표시장치가 출하되기 전에 도 12와 같이 제 1제어신호(CS1) 내지 제 4제어신호(CS2)를 공급한다. 여기서, 제 1제어신호(CS1) 내지 제 4제어신호(CS2)는 서로 다른 시간동안 적어도 한번 이상 공급된다. The control
제 1제어신호(CS1)가 공급되면 제 5트랜지스터(M5)가 턴-온된다. 제 5트랜지스터(M5)가 턴-온되면 제 1트랜지스터(M1)의 문턱전압에 해당하는 제 3전원(V3)의 전압값이 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자로 공급된다. 그러면, 제 1트랜지스터(M1)가 턴-온되고, 이에 따라 제 1트랜지스터(M1)의 제 1단자 및 제 2단자간의 전압차에 의하여 소정의 전류가 흐른다. 여기서, 제 1트랜지스터(M1)가 문턱전압을 공급받기 때문에 제 1트랜지스터(M1)의 특성곡선은 도 9에 도시된 바와 같이 높은 VDS의 전압이 인가되더라도 급격히 전류가 변화되지 않도록 특성곡선이 변화된다. When the first control signal CS1 is supplied, the fifth transistor M5 is turned on. When the fifth transistor M5 is turned on, the voltage value of the third power supply V3 corresponding to the threshold voltage of the first transistor M1 is supplied to the gate terminal of the first transistor M1. Then, the first transistor M1 is turned on, so that a predetermined current flows due to the voltage difference between the first terminal and the second terminal of the first transistor M1. Here, since the first transistor M1 is supplied with a threshold voltage, the characteristic curve of the first transistor M1 is changed so that the current does not change rapidly even when a high VDS voltage is applied as shown in FIG. 9. .
제 2제어신호(CS2)가 공급되면 제 6트랜지스터(M6)가 턴-온된다. 제 6트랜지스터(M6)가 턴-온되면 제 3트랜지스터(M3)의 문턱전압에 해당하는 제 4전원(V4)의 전압값이 제 3트랜지스터(M3)의 게이트단자로 공급된다. 그러면, 제 3트랜지스터(M3)가 턴-온되고, 이에 따라 제 3트랜지스터(M3)의 제 1단자 및 제 2단자간의 전압차에 의하여 소정의 전류가 흐른다. 여기서, 제 3트랜지스터(M3)가 문턱전압을 공급받기 때문에 제 3트랜지스터(M3)의 특성곡선은 도 9에 도시된 바와 같이 높은 VDS의 전압이 인가되더라도 급격히 전류가 변화되지 않도록 특성곡선에 변화된다. When the second control signal CS2 is supplied, the sixth transistor M6 is turned on. When the sixth transistor M6 is turned on, the voltage value of the fourth power supply V4 corresponding to the threshold voltage of the third transistor M3 is supplied to the gate terminal of the third transistor M3. Then, the third transistor M3 is turned on, so that a predetermined current flows due to the voltage difference between the first terminal and the second terminal of the third transistor M3. Here, since the third transistor M3 is supplied with the threshold voltage, the characteristic curve of the third transistor M3 is changed in the characteristic curve so that the current does not change rapidly even when a high VDS voltage is applied as shown in FIG. 9. .
제 3제어신호(CS3)가 공급되면 제 7트랜지스터(M7)가 턴-온된다. 제 7트랜지스터(M7)가 턴-온되면 제 2트랜지스터(M2)의 문턱전압에 해당하는 제 3전원(V3)의 전압값이 제 2트랜지스터(M2)의 게이트단자로 공급된다. 그러면, 제 2트랜지스터(M2)가 턴-온되고, 이에 따라 제 2트랜지스터(M2)의 제 1단자 및 제 2단자 간의 전압차에 의하여 소정의 전류가 흐른다. 여기서, 제 2트랜지스터(M2)가 문턱전압을 공급받기 때문에 제 2트랜지스터(M2)의 특성곡선은 도 9에 도시된 바와 같은 높은 VDS 전압이 인가되더라도 급격히 전류가 변화되지 않도록 특성곡선이 변화된다. When the third control signal CS3 is supplied, the seventh transistor M7 is turned on. When the seventh transistor M7 is turned on, the voltage value of the third power supply V3 corresponding to the threshold voltage of the second transistor M2 is supplied to the gate terminal of the second transistor M2. Then, the second transistor M2 is turned on, so that a predetermined current flows due to the voltage difference between the first terminal and the second terminal of the second transistor M2. Here, since the second transistor M2 is supplied with the threshold voltage, the characteristic curve of the second transistor M2 is changed so that the current does not change rapidly even when a high VDS voltage as shown in FIG. 9 is applied.
제 4제어신호(CS4)가 공급되면 제 8트랜지스터(M8)가 턴-온된다. 제 8트랜지스터(M8)가 턴-온되면 제 4트랜지스터(M4)의 문턱전압에 해당하는 제 4전원(V4)의 전압값이 제 4트랜지스터(M4)의 게이트단자로 공급된다. 그러면, 제 4트랜지스터(M4)가 턴-온되고, 이에 따라 제 4트랜지스터(M4)의 제 1단자 및 제 2단자간의 전압차에 의하여 소정의 전류가 흐른다. 여기서, 제 4트랜지스터(M4)가 문턱전압 을 공급받기 때문에 제 4트랜지스터(M4)의 특성곡선은 도 9에 도시된 바와 같이 높은 VDS의 전압이 인가되더라도 급격히 전류가 변화되지 않도록 특성곡선이 변화된다. When the fourth control signal CS4 is supplied, the eighth transistor M8 is turned on. When the eighth transistor M8 is turned on, the voltage value of the fourth power supply V4 corresponding to the threshold voltage of the fourth transistor M4 is supplied to the gate terminal of the fourth transistor M4. Then, the fourth transistor M4 is turned on, and a predetermined current flows due to the voltage difference between the first terminal and the second terminal of the fourth transistor M4. Here, since the fourth transistor M4 is supplied with the threshold voltage, the characteristic curve of the fourth transistor M4 is changed so that the current does not change rapidly even when a high VDS voltage is applied as shown in FIG. 9. .
상기 발명의 상세한 설명과 도면은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 따라서, 이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.The above detailed description and drawings are merely exemplary of the present invention, which are used only for the purpose of illustrating the present invention and are not intended to limit the scope of the present invention as defined in the claims or the claims. Accordingly, those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical protection scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 주사 구동부 및 이를 이용한 발광 표시장치와 그의 구동방법에 의하면 주사 구동부의 버퍼에 포함된 적어도 하나의 트랜지스터에 높은 드레인-소오스간 전압이 인가되더라도 대략 일정한 전압을 유지하도록 특성곡선을 제어하기 때문에 주사 구동부를 안정적으로 구동할 수 있다. As described above, according to the scan driver, the light emitting display using the same, and a driving method thereof, the scan driver is substantially constant even if a high drain-source voltage is applied to at least one transistor included in the buffer of the scan driver. Since the characteristic curve is controlled to maintain the scan drive, the scan driver can be driven stably.
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