KR100688816B1 - Scan Driver and Driving Method of Light Emitting Display Using the Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 안정적으로 구동할 수 있도록 한 주사 구동부에 관한 것이다. The present invention relates to a scan driver which can be driven stably.

본 발명의 실시예에 의한 주사 구동부는 순차적으로 신호를 출력하는 쉬프트 레지스터들과, 상기 쉬프트 레지스터들의 출력신호에 대응하여 제 1전원 및 제 2전원 중 어느 하나의 전압을 주사선들로 공급하기 위한 버퍼들과, 상기 제 1전원 및 제 2전원 사이의 전압값을 가지는 제 3전원 및 제 4전원을 적어도 한번 상기 버퍼들로 공급하기 위한 제어회로를 구비한다. According to an exemplary embodiment of the present invention, a scan driver sequentially outputs a signal, and a buffer for supplying voltages to any one of a first power source and a second power source in response to an output signal of the shift registers. And a control circuit for supplying a third power supply and a fourth power supply having a voltage value between the first power supply and the second power supply to the buffers at least once.

이러한 구성에 의하여, 주사 구동부의 버퍼에 포함된 적어도 하나의 트랜지스터에 높은 드레인-소오스간 전압이 인가되더라도 대략 일정한 전압을 유지하도록 특성곡선을 제어하기 때문에 주사 구동부를 안정적으로 구동할 수 있다. With this configuration, the scan driver can be stably driven because the characteristic curve is controlled to maintain a substantially constant voltage even when a high drain-source voltage is applied to at least one transistor included in the buffer of the scan driver.

Description

주사 구동부 및 이를 이용한 발광 표시장치와 그의 구동방법{Scan Driver and Driving Method of Light Emitting Display Using the Same} Scan driver and light emitting display using same and driving method thereof {Scan Driver and Driving Method of Light Emitting Display Using the Same}             

도 1은 종래의 주사 구동부를 개략적으로 나타내는 도면.1 is a view schematically showing a conventional scan driver.

도 2는 도 1에 도시된 버퍼를 상세히 나타내는 회로도.FIG. 2 is a circuit diagram showing in detail the buffer shown in FIG.

도 3은 도 2에 도시된 트랜지스터의 특성곡선의 일례를 나타내는 도면.3 is a diagram showing an example of a characteristic curve of the transistor shown in FIG. 2;

도 4a 및 도 4b는 킹크전류 및/또는 누설전류 등에 의하여 화상 표시부에서 발생되는 불량을 나타내는 도면. 4A and 4B are diagrams showing a defect generated in the image display unit by kink current and / or leakage current or the like.

도 5는 본 발명의 실시예에 의한 발광 표시장치를 나타내는 도면.5 is a view showing a light emitting display device according to an embodiment of the present invention;

도 6은 도 5에 도시된 주사 구동부를 나타내는 도면.FIG. 6 is a view showing a scan driver shown in FIG. 5; FIG.

도 7a 내지 도 7c는 도 5에 도시된 버퍼와 제어회로의 연결 구조를 나타내는 회로도.7A to 7C are circuit diagrams illustrating a connection structure between a buffer and a control circuit illustrated in FIG. 5.

도 8은 도 7a 내지 7c에 도시된 제어회로로 공급되는 제어신호를 나타내는 파형도. FIG. 8 is a waveform diagram showing a control signal supplied to the control circuit shown in FIGS. 7A to 7C.

도 9는 버퍼에 포함된 트랜지스터의 특성곡선이 변화되는 것을 나타내는 도면. 9 is a view showing that a characteristic curve of a transistor included in a buffer is changed.

도 10은 버퍼와 제어회로의 다른 실시예에 의한 연결구조를 나타내는 회로 도.10 is a circuit diagram showing a connection structure according to another embodiment of a buffer and a control circuit.

도 11은 버퍼와 제어회로의 또 다른 실시예에 의한 연결구조를 나타내는 회로도. 11 is a circuit diagram showing a connection structure according to another embodiment of a buffer and a control circuit.

도 12는 도 11에 도시된 제어회로로 공급되는 제어신호를 나타내는 파형도. 12 is a waveform diagram showing a control signal supplied to the control circuit shown in FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

12 : 쉬프트 레지스터 블록 14 : 낸드 게이트 블록12: shift register block 14: NAND gate block

16 : 버퍼블록 110 : 주사 구동부16: buffer block 110: scan driver

121,122,123,124,12n,1121,1122,1123,1124,112n : 쉬프트 레지스터121,122,123,124,12n, 1121,1122,1123,1124,112n: Shift register

141,142,143,144,14n,1141,1142,1143,1144,114n : 낸드 게이트141,142,143,144,14n, 1141,1142,1143,1144,114n: NAND gate

161,162,163,164,16n,1161,1162,1163,1164,116n : 버퍼161,162,163,164,16n, 1161,1162,1163,1164,116n: buffer

118 : 제어회로 120 : 데이터 구동부118: control circuit 120: data driver

130 : 화상 표시부 140 : 화소130: image display unit 140: pixels

150 : 타이밍 제어부 200 : 제어신호 공급부150: timing controller 200: control signal supply unit

본 발명은 주사 구동부 및 이를 이용한 발광 표시장치와 그의 구동방법에 관한 것으로, 특히 안정적으로 구동할 수 있도록 한 주사 구동부 및 이를 이용한 발 광 표시장치와 그의 구동방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a scan driver, a light emitting display using the same, and a driving method thereof, and more particularly, to a scan driver capable of driving stably, a light emitting display using the same, and a driving method thereof.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel) 및 발광 표시장치(Light Emitting Display) 등이 있다.Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. The flat panel display includes a liquid crystal display, a field emission display, a plasma display panel, a light emitting display, and the like.

평판표시장치 중 발광 표시장치는 다수의 발광소자를 구비하며, 발광소자는 전자와 정공의 재결합에 의하여 소정의 빛을 생성한다. 이러한, 발광 표시장치는 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 낮은 소비전력으로 구동되는 장점이 있다.Among flat panel display devices, the light emitting display device includes a plurality of light emitting devices, and the light emitting devices generate predetermined light by recombination of electrons and holes. Such a light emitting display device has an advantage in that it has a fast response speed and is driven with low power consumption.

도 1은 발광 표시장치에 사용되는 종래의 주사 구동부를 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a conventional scan driver used in a light emitting display device.

도 1을 참조하면, 종래의 주사 구동부(Scan Driver ; 10)는 쉬프트 레지스터 블럭(Shift Resister Block ; 12), 낸드 게이트 블록(Nand Gate Block ; 14) 및 버퍼 블록(Buffer Block ; 16)을 구비한다.Referring to FIG. 1, a conventional scan driver 10 includes a shift register block 12, a nand gate block 14, and a buffer block 16. .

쉬프트 레지스터 블록(12)은 n(n은 자연수)개의 쉬프트 레지스터(121, 122,..., 12n)를 구비한다. 각각의 쉬프트 레지스터(121, 122,..., 12n)들은 클럭신호(CLK)와 클럭바 신호(CLKb)를 공급받는다. 클럭신호(CLK) 및 클럭바 신호(CLKb)를 공급받은 각각의 쉬프트 레지스터(121, 122,...,12n)들은 상위의 쉬프트 레지스터로부터 출력신호가 입력될 때 하위의 쉬프트 레지스터로 출력신호를 전달한다. 다시 말하여, 쉬프트 레지스터(121, 122,..., 12n)들은 상위의 출력신호가 하위의 쉬프트 레지스터로 쉬프트 되도록 접속된다. 여기서, 상위 및 하위는 신호의 흐름에 따른 순서를 나타낸다.The shift register block 12 includes n (n is a natural number) shift registers 121, 122, ..., 12n. Each shift register 121, 122, ..., 12n is supplied with a clock signal CLK and a clock bar signal CLKb. Each of the shift registers 121, 122, ..., 12n supplied with the clock signal CLK and the clock bar signal CLKb sends an output signal to the lower shift register when an output signal is input from the upper shift register. To pass. In other words, the shift registers 121, 122, ..., 12n are connected such that the upper output signal is shifted to the lower shift register. Here, the upper and lower represent the order according to the flow of the signal.

낸드 게이트 블록(14)은 각각의 쉬프트 레지스터(121, 122,...,12n)의 출력단마다 설치되는 n개의 낸드 게이트(141, 142,...,14n)를 구비한다. 각각의 낸드 게이트(141, 142,...,14n)는 쉬프트 레지스터(121,122,...,12n)의 출력신호와 인에이블 신호(EN)(또는 인에이블바 신호(/EN))를 낸드 연산하여 버퍼 블록(16)으로 공급한다. 여기서, 쉬프트 레지스터(121, 122,...,12n)들로부터 순차적으로 출력신호가 공급되기 때문에 낸드 게이트(141, 142,...,14n)도 순차적으로 출력신호를 버퍼 블록(16)으로 공급한다. The NAND gate block 14 includes n NAND gates 141, 142, ..., 14n provided for each output terminal of each of the shift registers 121, 122, ..., 12n. Each of the NAND gates 141, 142,..., And 14n NAND output signals of the shift registers 121, 122,..., And 12n and an enable signal EN (or an enable bar signal / EN). The operation is supplied to the buffer block 16. Here, since the output signals are sequentially supplied from the shift registers 121, 122,..., And 12n, the NAND gates 141, 142,..., 14n also sequentially output the output signals to the buffer block 16. Supply.

버퍼 블록(16)은 각각의 낸드 게이트(141, 142,..., 14n)의 출력단마다 설치되는 n개의 버퍼(161, 162,...,16n)를 구비한다. 각각의 버퍼(161, 162,...,16n)는 자신에게 공급되는 출력신호를 제 1주사선(S1) 내지 제 n주사선(Sn)으로 순차적으로 공급한다. 여기서, 버퍼(161, 162,...,16n)들로부터 출력되는 출력신호는 주사신호로 이용된다.The buffer block 16 has n buffers 161, 162, ..., 16n provided for each output terminal of each of the NAND gates 141, 142, ..., 14n. Each of the buffers 161, 162, ..., 16n sequentially supplies the output signal supplied thereto to the first scan line S1 to the nth scan line Sn. Here, an output signal output from the buffers 161, 162, ..., 16n is used as a scan signal.

하지만, 이와 같이 구동되는 종래의 주사 구동부(10)는 공정편차 및/또는 고온에서 동작시에 소정의 킹크(Kink)전류 및/또는 누설전류가 발생되고, 이에 따라 주사 구동부(10)가 오동작하는 문제점이 발생된다. 이는 버퍼들(161, 162,..., 16n)에 사용되는 N-타입 트랜지스터 및 P-타입 트랜지스터의 누설전류 및/또는 킹크전류에 기인한다. 이를, 도 2를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.However, the conventional scan driver 10 driven as described above generates a predetermined kink current and / or leakage current when operating at a process deviation and / or a high temperature, thereby causing the scan driver 10 to malfunction. Problems arise. This is due to the leakage current and / or kink current of the N-type transistor and the P-type transistor used in the buffers 161, 162, ..., 16n. This will be described in detail with reference to FIG. 2.

도 2는 도 1에 도시된 버퍼를 상세히 나타내는 도면이다. 여기서, 각각의 버퍼들(161,...,16n)들은 동일한 구조를 갖기 때문에 도 2에 도시된 버퍼는 제 1버퍼(161)로 가정하기로 한다. 버퍼(161)는 주사선(S)을 경유하여 다수의 화소들과 접속된다. 따라서, 버퍼(161,...,16n)들에 포함되는 트랜지스터들은 충분한 전류를 공급할 수 있도록 쉬프트 레지스터(121,...,12n) 및 낸드 게이트(141,...,14n)에 포함되는 트랜지스터들보다 큰 사이즈의 채널/길이(W/L)를 갖도록 형성된다. FIG. 2 is a diagram illustrating in detail the buffer illustrated in FIG. 1. Here, since each of the buffers 161,..., 16n has the same structure, it is assumed that the buffer shown in FIG. 2 is the first buffer 161. The buffer 161 is connected to the plurality of pixels via the scan line S. FIG. Thus, the transistors included in the buffers 161, ..., 16n are included in the shift registers 121, ..., 12n and the NAND gates 141, ..., 14n to supply sufficient current. It is formed to have a channel / length (W / L) of a larger size than the transistors.

도 2를 참조하면, 버퍼(161)는 N-타입 트랜지스터(16a,16b)와 P-타입 트랜지스터(16c,16d)로 구성되는 두단의 회로로 구성된다. 낸드 게이트(141)로부터 제 1전원전압(VVDD)이 공급될 때 제 1트랜지스터(16a) 및 제 4트랜지스터(16d)가 턴-온되어 주사선(S)으로 제 1전원전압(VVDD)이 공급된다. 그리고, 낸드 게이트(141)로부터 제 2전원전압(VVSS)이 공급될 때 제 3트랜지스터(16c) 및 제 2트랜지스터(16b)가 턴-온되어 주사선(S)으로 제 2전원전압(VVSS)이 공급된다. Referring to FIG. 2, the buffer 161 is composed of two stage circuits composed of the N-type transistors 16a and 16b and the P-type transistors 16c and 16d. When the first power supply voltage VVDD is supplied from the NAND gate 141, the first transistor 16a and the fourth transistor 16d are turned on to supply the first power supply voltage VVDD to the scan line S. FIG. . When the second power supply voltage VVSS is supplied from the NAND gate 141, the third transistor 16c and the second transistor 16b are turned on so that the second power supply voltage VVSS is turned to the scan line S. Supplied.

여기서, 제 1전원전압(VVDD) 및 제 2전원전압(VVSS)이 소정의 전압차를 가지기 때문에 공정조건의 편차에 의하여 트랜지스터가 킹크(Kin) 영역에서 동작할 수 있고, 이 경우 주사 구동부(10)가 정지되는 문제점이 발생된다. 제 1트랜지스터(16a)가 공정조건에 의하여 도 3과 같은 특성곡선을 갖는다고 가정함과 동시에 제 1전원전압(VVDD)을 5V, 제 2전원전압(VVSS)을 -7V로 가정하여 이를 상세히 설명하기로 한다. Here, since the first power supply voltage VVDD and the second power supply voltage VVSS have a predetermined voltage difference, the transistor may operate in the king region due to the variation of the process conditions. In this case, the scan driver 10 ) Is a problem that is stopped. It is assumed that the first transistor 16a has the characteristic curve as shown in FIG. 3 according to the process conditions, and it is described in detail by assuming that the first power supply voltage VVDD is 5V and the second power supply voltage VVSS is -7V. Let's do it.

먼저, 낸드 게이트(141)로부터 제 1전원전압(VVDD)이 공급될 때 제 3트랜지스터(16c)가 턴-온된다. 제 3트랜지스터(16c)가 턴-온되면 제 1노드점(N1)의 전압 이 제 1전원전압(VVDD)의 전압값인 5V로 설정된다. 여기서, 제 1트랜지스터(16a)의 제 1단자는 제 1노드점(N1)에 접속되고, 제 2단자는 제 2전원전압(VVSS)에 접속되기 때문에 VDS는 12V로 설정된다. 이 경우, 도 3에 도시된 바와 같이 제 1트랜지스터(16a)는 전류가 급격히 증가되는 킹크영역에서 구동된다. 이와 같이 제 1트랜지스터(16a)가 킹크영역에서 구동되면 주사 구동부(10)가 정상적으로 구동되지 못하는 문제점이 발생된다. 특히, 주사 구동부(10)가 고온에서 구동하는 경우 온도에 의하여 트랜지스터들(16a 내지 16d)의 자체 전류(또는 누설전류)가 증가하여 주사 구동부(10)의 오동작이 더욱 심하게 나타난다. 실제로, 주사 구동부(10)에 오동작이 발생되면 도 4a 및 4b에 도시된 바와 같이 특정 수평라인 아래의 화면이 모두 불량으로 표시된다.First, when the first power supply voltage VVDD is supplied from the NAND gate 141, the third transistor 16c is turned on. When the third transistor 16c is turned on, the voltage at the first node point N1 is set to 5V, which is a voltage value of the first power supply voltage VVDD. Here, the VDS is set to 12V because the first terminal of the first transistor 16a is connected to the first node point N1 and the second terminal is connected to the second power supply voltage VVSS. In this case, as shown in FIG. 3, the first transistor 16a is driven in the kink region in which the current is rapidly increased. As such, when the first transistor 16a is driven in the kink region, the scan driver 10 may not be normally driven. In particular, when the scan driver 10 is driven at a high temperature, the self-current (or leakage current) of the transistors 16a to 16d increases due to the temperature, thereby causing the malfunction of the scan driver 10 to be more severe. In fact, when a malfunction occurs in the scan driver 10, as shown in FIGS. 4A and 4B, all screens below a specific horizontal line are displayed as defective.

따라서, 본 발명은 안정적으로 구동할 수 있도록 한 주사 구동부 및 이를 이용한 발광 표시장치와 그의 구동방법을 제공하는 것이다.
Accordingly, an aspect of the present invention is to provide a scan driver, a light emitting display device using the same, and a driving method thereof, which can stably drive the same.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 1측면은 순차적으로 신호를 출력하는 쉬프트 레지스터들과, 상기 쉬프트 레지스터들의 출력신호에 대응하여 제 1전원 및 제 2전원 중 어느 하나의 전압을 주사선들로 공급하기 위한 버퍼들과, 상기 제 1전원 및 제 2전원 사이의 전압값을 가지는 제 3전원 및 제 4전원을 적어도 한번 상기 버퍼들로 공급하기 위한 제어회로를 구비하는 주사 구동부를 제공한다. In order to achieve the above object, the first aspect of the present invention provides a shift register for sequentially outputting a signal and a voltage of any one of a first power supply and a second power supply in response to an output signal of the shift registers. A scan driver includes a buffer for supplying, and a control circuit for supplying a third power source and a fourth power source having a voltage value between the first power source and the second power source to the buffers at least once.

바람직하게, 상기 버퍼들과 상기 쉬프트 레지스터들 사이에 설치되는 낸드 게이트들을 더 구비한다. 상기 버퍼들 각각은 상기 제 1전원과 제 2전원 사이에 직렬로 접속되며 게이트단자가 상기 낸드 게이트들 중 어느 하나에 접속되는 제 1트랜지스터 및 제 3트랜지스터와, 상기 제 1전원과 제 2전원 사이에 직렬로 접속되며 게이트단자가 상기 제 1트랜지스터 및 제 3트랜지스터의 공통단자인 제 1노드점에 접속되는 제 2트랜지스터 및 제 4트랜지스터를 구비한다. Preferably, the device further includes NAND gates disposed between the buffers and the shift registers. Each of the buffers is connected in series between the first power supply and the second power supply, and a first transistor and a third transistor having a gate terminal connected to one of the NAND gates, and between the first power supply and the second power supply. And a second transistor and a fourth transistor connected in series to each other and having a gate terminal connected to a first node point, which is a common terminal of the first and third transistors.

본 발명의 제 2측면은 순차적으로 신호를 출력하는 쉬프트 레지스터들과, 상기 쉬프트 레지스터들 각각에 접속되어 상기 쉬프트 레지스터들의 출력신호를 주사선들로 공급하기 위한 버퍼들과, 상기 버퍼들과 전기적으로 접속되며 상기 버퍼들에 포함된 적어도 하나의 트랜지스터의 특성곡선을 제어하기 위한 제어회로를 구비하는 주사 구동부를 제공한다. A second aspect of the present invention provides shift registers for sequentially outputting signals, buffers connected to each of the shift registers to supply output signals of the shift registers to scan lines, and electrically connected to the buffers. And a scan driver including a control circuit for controlling a characteristic curve of at least one transistor included in the buffers.

바람직하게, 상기 버퍼들과 상기 쉬프트 레지스터들 사이에 설치되는 낸드 게이트들을 더 구비한다. 상기 제어회로는 상기 버퍼들에 포함된 적어도 하나의 트랜지스터에 문턱전압을 공급한다. Preferably, the device further includes NAND gates disposed between the buffers and the shift registers. The control circuit supplies a threshold voltage to at least one transistor included in the buffers.

본 발명의 제 3측면은 복수의 화소를 구비하는 화상 표시부와, 상기 화소들과 접속되는 데이터선을 구동시키기 위한 데이터 구동부와, 상기 화소들과 접속되는 주사선을 구동시키기 위하여 상기 제 1항 또는 제 7항에 기재된 상기 주사 구동부를 구비하는 발광 표시장치를 제공한다.A third aspect of the present invention provides an image display unit including a plurality of pixels, a data driver for driving data lines connected to the pixels, and a scan line connected with the pixels. A light emitting display device comprising the scan driver according to claim 7 is provided.

본 발명의 제 4측면은 주사 구동부에 다수의 버퍼가 포함되는 발광 표시장치 의 구동방법에 있어서, 상기 버퍼들에 포함된 적어도 하나의 트랜지스터의 특성곡선을 제어하는 제 1단계와, 상기 주사 구동부의 쉬프트 레지스터에서 순차적으로 신호를 출력하는 제 2단계와, 상기 쉬프트 레지스터에 출력된 신호가 버퍼를 거쳐 주사선들로 순차적으로 공급되는 제 3단계를 포함하는 발광 표시장치의 구동방법을 제공한다. A fourth aspect of the present invention is a method of driving a light emitting display device including a plurality of buffers in a scan driver, the method comprising: controlling a characteristic curve of at least one transistor included in the buffers; A second method of sequentially outputting a signal from a shift register, and a third step of sequentially supplying signals output to the shift register to scan lines through a buffer, are provided.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시 예를 첨부된 도 5 내지 도 12를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention may be easily implemented by those skilled in the art with reference to FIGS. 5 to 12 as follows.

도 5는 본 발명의 실시예에 의한 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.5 is a diagram illustrating a light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 발광 표시장치는 주사선들(S1 내지 Sn) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)의 교차영역에 형성된 화소들(140)을 포함하는 화상 표시부(130)와, 주사선들(S1 내지 Sn)을 구동하기 위한 주사 구동부(110)와, 데이터선들(D1 내지 Dm)을 구동하기 위한 데이터 구동부(120)와, 주사 구동부(110) 및 데이터 구동부(120)를 제어하기 위한 타이밍 제어부(150)를 구비한다.Referring to FIG. 5, a light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes an image display unit 130 including pixels 140 formed at intersections of scan lines S1 to Sn and data lines D1 to Dm. And the scan driver 110 for driving the scan lines S1 to Sn, the data driver 120 for driving the data lines D1 to Dm, the scan driver 110 and the data driver 120. A timing controller 150 for controlling is provided.

화상 표시부(130)는 외부로부터 제 1전원(VDD) 및 제 2전원(VSS)을 공급받는다. 화상 표시부(130)로 공급된 제 1전원(VDD) 및 제 2전원(VSS)은 각각의 화소들(140)로 공급된다. 화소들(140)은 주사 구동부(110)로부터 주사신호가 공급될 때 데이터 구동부(120)로부터 공급되는 데이터신호에 대응되는 빛을 발생한다.The image display unit 130 receives the first power source VDD and the second power source VSS from the outside. The first power source VDD and the second power source VSS supplied to the image display unit 130 are supplied to the respective pixels 140. The pixels 140 generate light corresponding to the data signals supplied from the data driver 120 when the scan signals are supplied from the scan driver 110.

타이밍 제어부(150)는 외부로부터 공급되는 동기신호들에 대응하여 데이터 구동제어신호(DCS) 및 주사 구동제어신호(SCS)를 생성한다. 타이밍 제어부(150)에서 생성된 데이터 구동제어신호(DCS)는 데이터 구동부(120)로 공급되고, 주사 구동제어신호(SCS)는 주사 구동부(110)로 공급된다. 그리고, 타이밍 제어부(150)는 외부로부터 공급되는 데이터(Data)를 데이터 구동부(120)로 공급한다.The timing controller 150 generates a data drive control signal DCS and a scan drive control signal SCS in response to external synchronization signals. The data driving control signal DCS generated by the timing controller 150 is supplied to the data driver 120, and the scan driving control signal SCS is supplied to the scan driver 110. The timing controller 150 supplies the data Data supplied from the outside to the data driver 120.

데이터 구동부(120)는 타이밍 제어부(150)로부터 데이터 구동제어신호(DCS)를 공급받는다. 데이터 구동제어신호(DCS)를 공급받은 데이터 구동부(120)는 데이터신호를 생성하고, 생성된 데이터신호를 데이터선들(D1 내지 Dm)로 공급한다.The data driver 120 receives the data drive control signal DCS from the timing controller 150. The data driver 120 receiving the data driving control signal DCS generates a data signal and supplies the generated data signal to the data lines D1 to Dm.

주사 구동부(110)는 타이밍 제어부(150)로부터 주사 구동제어신호(SCS)를 공급받는다. 주사 구동제어신호(SCS)를 공급받은 주사 구동부(110)는 주사신호를 생성하고, 생성된 주사신호를 주사선들(S1 내지 Sn)로 순차적으로 공급한다.The scan driver 110 receives the scan driving control signal SCS from the timing controller 150. The scan driver 110 supplied with the scan driving control signal SCS generates a scan signal and sequentially supplies the generated scan signal to the scan lines S1 to Sn.

도 6은 도 5에 도시된 주사 구동부를 상세히 나타내는 블록도이다.6 is a block diagram illustrating in detail the scan driver illustrated in FIG. 5.

도 6을 참조하면, 본 발명의 주사 구동부(110)는 쉬프트 레지스터 블록(112), 낸드 게이트 블록(114) 및 버퍼 블록(116)을 구비한다.Referring to FIG. 6, the scan driver 110 of the present invention includes a shift register block 112, a NAND gate block 114, and a buffer block 116.

쉬프트 레지스터 블록(112)은 n(n은 자연수)개의 쉬프트 레지스터(1121, 1122,...,112n)를 구비한다. 각각의 쉬프트 레지스터(1121, 1122,...,112n)들은 클럭신호(CLK)와 클럭바 신호(CLKb)를 공급받는다. 클럭신호(CLK) 및 클럭바 신호(CLKb)를 공급받은 쉬프트 레지스터(1121, 1122,...,112n)들은 상위의 쉬프트 레지 스터로부터 출력신호가 입력될 때 하위의 쉬프트 레지스터로 출력신호를 전달한다.The shift register block 112 includes n (n is a natural number) shift registers 1121, 1122, ..., 112n. Each shift register 1121, 1122,..., 112n receives a clock signal CLK and a clock bar signal CLKb. The shift registers 1121, 1122, ..., 112n receiving the clock signal CLK and the clock bar signal CLKb transfer the output signal to the lower shift register when the output signal is input from the upper shift register. do.

이를 상세히 설명하면, 먼저 타이밍 제어부(150)로부터 스타트펄스(SP)가 첫번째 쉬프트 레지스터(1121)로 공급된다. 스타트펄스(SP)를 공급받은 첫번째 쉬프트 레지스터(1121)는 출력신호를 생성하고, 생성된 출력신호를 첫번째 낸드 게이트(1141) 및 두번째 쉬프트 레지스터(1122)로 전달한다. 출력신호를 공급받은 두번째 쉬프트 레지스터(1122)는 출력신호를 생성하고, 생성된 출력신호를 두번째 낸드 게이트(1142) 및 세번째 쉬프트 레지스터(1123)로 전달한다. 실제로, 쉬프트 레지스터 블록(112)은 상술한 과정을 반복하면서 n번째 쉬프트 레지스터(112n)까지 출력신호를 순차적으로 전달한다. In detail, first, the start pulse SP is supplied from the timing controller 150 to the first shift register 1121. The first shift register 1121 supplied with the start pulse SP generates an output signal and transfers the generated output signal to the first NAND gate 1141 and the second shift register 1122. The second shift register 1122 receiving the output signal generates an output signal and transfers the generated output signal to the second NAND gate 1142 and the third shift register 1123. In practice, the shift register block 112 sequentially transmits the output signal to the nth shift register 112n while repeating the above-described process.

낸드 게이트 블록(114)은 각각의 쉬프트 레지스터(1121, 1122,...,112n)의 출력단마다 설치되는 n개의 낸드 게이트(1141, 1142,...,114n)를 구비한다. 각각의 낸드 게이트(1141, 1142,...,114n)는 쉬프트 레지스터(1121, 1122,...,112n)의 출력신호와 인에이블 신호(EN)(또는 인에이블바 신호(/EN))를 낸드 연산하여 버퍼 블록(1161)으로 공급한다. 여기서, 쉬프트 레지스터(1121, 1122, 112n)들로부터 순차적으로 출력신호가 공급되기 때문에 낸드 게이트(1141, 1142,...,114n)도 순차적으로 출력신호를 버퍼블록(116)으로 공급한다. The NAND gate block 114 includes n NAND gates 1141, 1142,..., 114n provided for each output terminal of each of the shift registers 1121, 1122,..., 112n. Each NAND gate 1141, 1142,..., And 114n has an output signal of the shift registers 1121, 1122,..., 112n and an enable signal EN (or an enable bar signal / EN). NAND is supplied to the buffer block 1161. Here, since the output signals are sequentially supplied from the shift registers 1121, 1122, and 112n, the NAND gates 1141, 1142,..., 114n also sequentially supply the output signals to the buffer block 116.

버퍼 블록(116)은 각각의 낸드 게이트(1141, 1142,...,114n)의 출력단마다 설치되는 n개의 버퍼들(1161, 1162,...,116n)을 구비한다. 각각의 버퍼(1161, 1162,...,116n)들은 자신에게 공급되는 출력신호를 제 1주사선(S1) 내지 제 n주사선(Sn)으로 순차적으로 공급한다. 여기서, 버퍼(1161, 1162,...,116n)들로부터 출 력되는 출력신호가 주사신호로 이용된다. The buffer block 116 includes n buffers 1161, 1162,..., 116n installed at each output terminal of each of the NAND gates 1141, 1142,..., 114n. Each of the buffers 1161, 1162,..., 116n sequentially supplies an output signal supplied thereto to the first scan line S1 to the nth scan line Sn. Here, an output signal output from the buffers 1161, 1162, ..., 116n is used as a scan signal.

한편, 본 발명의 주사 구동부(110)는 버퍼 블록(116)에 포함된 버퍼들(1161, 1162,..., 116n)과 전기적으로 접속되는 제어회로(118)를 구비한다. 제어회로(118)는 버퍼들(1161, 1162,...,116n) 각각에 포함된 적어도 하나의 트랜지스터의 특성곡선을 제어하여 주사 구동부(110)가 안정적으로 구동될 수 있도록 한다. 여기서, 제어회로(118)는 주사 구동부(110)가 주사신호를 공급할 때 구동되지 않는다. 실제로, 제어회로(118)는 발광 표시장치가 출하되기 이전에 적어도 한번 동작하여 버퍼들(1161, 1162,...,116n)에 포함되는 트랜지스터들의 특성곡선을 제어하고, 그 외에는 사용되지 않는다.(실제로, 제어회로(118)는 버퍼들(1161, 1162,...,116n)에 포함된 적어도 하나의 트랜지스터를 문턱전압으로 구동시킨다.)Meanwhile, the scan driver 110 of the present invention includes a control circuit 118 electrically connected to the buffers 1161, 1162,..., 116n included in the buffer block 116. The control circuit 118 controls the characteristic curve of at least one transistor included in each of the buffers 1161, 1162,..., 116n so that the scan driver 110 can be stably driven. Here, the control circuit 118 is not driven when the scan driver 110 supplies the scan signal. In practice, the control circuit 118 operates at least once before the light emitting display device is shipped to control the characteristic curves of the transistors included in the buffers 1161, 1162,..., 116n, and are not otherwise used. (Actually, the control circuit 118 drives at least one transistor included in the buffers 1161, 1162, ..., 116n to a threshold voltage.)

그리고, 발광 표시장치는 주사 구동부(110)의 내부 또는 외부에 설치되는 제어신호 공급부(200)를 더 구비한다. 제어신호 공급부(200)는 제어회로(118)가 구동될 수 있도록 적어도 하나의 제어신호를 공급한다. 이와 같은 제어신호 공급부(200)는 발광 표시장치에 착탈 가능하게 설치될 수 있다. 또한, 제어신호 공급부(200)는 발광 표시장치에 실장 가능하도록 설치될 수 있다. 예를 들어, 제어신호 공급부(200)는 타이밍 제어부(150)의 내부에 포함되도록 설치될 수 있다.The light emitting display device further includes a control signal supply unit 200 installed inside or outside the scan driver 110. The control signal supply unit 200 supplies at least one control signal so that the control circuit 118 can be driven. The control signal supply unit 200 may be detachably installed in the light emitting display device. In addition, the control signal supply unit 200 may be installed to be mounted on the light emitting display device. For example, the control signal supply unit 200 may be installed to be included in the timing controller 150.

도 7a는 도 6에 도시된 제어회로 및 버퍼를 상세히 나타내는 회로도이다. 도 8은 제어신호 공급부에서 공급되는 제어신호의 실시예를 나타내는 도면이다. 여기서, 버퍼들(1161, 1162,...,116n)은 동일한 구조를 갖기 때문에 도 7a에서는 첫번째 버퍼(1161) 만을 도시하기로 한다.FIG. 7A is a circuit diagram illustrating in detail the control circuit and the buffer illustrated in FIG. 6. 8 is a diagram illustrating an embodiment of a control signal supplied from a control signal supply unit. Here, since the buffers 1161, 1162,..., 116n have the same structure, only the first buffer 1161 is shown in FIG. 7A.

버퍼는(1161)에 포함된 트랜지스터들은 충분한 전류를 공급할 수 있도록 쉬프트 레지스터(1121) 및 낸드 게이트(114)에 포함된 트랜지스터들보다 큰 사이즈의 채널/길이(W/L)를 갖도록 형성된다. 이와 같은 버퍼(1161)는 N-타입 트랜지스터(M1,M2)와 P-타입 트랜지스터(M3,M4)로 구성되는 두단의 회로로 구성된다. The buffer included in the buffer 1161 is formed to have a channel / length (W / L) of a larger size than the transistors included in the shift register 1121 and the NAND gate 114 to supply sufficient current. The buffer 1161 is composed of two stage circuits composed of the N-type transistors M1 and M2 and the P-type transistors M3 and M4.

N-타입으로 형성된 제 1트랜지스터(M1)의 제 1단자(소오스단자 또는 드레인단자)는 제 2전원전압(VVSS)에 접속되고, 제 2단자(드레인단자 또는 소오스단자)는 제 1노드점(N1)에 접속된다. 그리고, 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자는 낸드 게이트(1141)의 출력단자에 접속된다. P-타입으로 형성된 제 3트랜지스터(M3)의 제 1단자는 제 1전원전압(VVDD)에 접속되고, 제 2단자는 제 1노드점(N1)에 접속된다. 그리고, 제 3트랜지스터(M3)의 게이트단자는 낸드 게이트(1141)의 출력단자에 접속된다. 이와 같은 제 1트랜지스터(M1) 및 제 3트랜지스터(M3)는 낸드 게이트(1141)로부터 제 1전원전압(VVDD)이 공급될 때 제 2전원전압(VVSS)을 제 1노드점(N1)으로 공급하고, 낸드 게이트(1141)로부터 제 2전원전압(VVSS)이 공급될 때 제 1전원전압(VVDD)을 제 1노드점(N1)으로 공급한다. 즉, 제 1트랜지스터(M1) 및 제 3트랜지스터(M3)는 인버터(1161a)(제 1인버터)의 역활을 하게 된다. The first terminal (source terminal or drain terminal) of the first transistor M1 formed of the N-type is connected to the second power supply voltage VVSS, and the second terminal (drain terminal or source terminal) is connected to the first node point ( N1). The gate terminal of the first transistor M1 is connected to the output terminal of the NAND gate 1141. The first terminal of the third transistor M3 formed of the P-type is connected to the first power supply voltage VVDD, and the second terminal is connected to the first node point N1. The gate terminal of the third transistor M3 is connected to the output terminal of the NAND gate 1141. The first transistor M1 and the third transistor M3 supply the second power supply voltage VVSS to the first node point N1 when the first power supply voltage VVDD is supplied from the NAND gate 1141. When the second power supply voltage VVSS is supplied from the NAND gate 1141, the first power supply voltage VVDD is supplied to the first node point N1. That is, the first transistor M1 and the third transistor M3 play the role of the inverter 1161a (first inverter).

N-타입으로 형성된 제 2트랜지스터(M2)의 제 1단자는 제 2전원전압(VVSS)에 접속되고, 제 2단자는 주사선(S)에 접속된다. 그리고, 제 2트랜지스터(M2)의 게이트단자는 제 1노드점(N1)에 접속된다. P-타입으로 형성된 제 4트랜지스터(M4)의 제 1단자는 제 1전원전압(VVDD)에 접속되고, 제 2단자는 주사선(S)에 접속된다. 그리고, 제 4트랜지스터(N4)의 게이트단자는 제 1노드점(N1)에 접속된다. 이와 같은 제 2트랜지스터(M2) 및 제 4트랜지스터(M4)는 제 1노드점(N1)에 제 1전원전압(VVDD)이 공급될 때 제 2전원전압(VVSS)을 주사선(S)으로 공급하고, 제 2전원전압(VVSS)이 공급될 때 제 1전원전압(VVDD)을 주사선(S)으로 공급한다. 즉, 제 2트랜지스터(M2) 및 제 4트랜지스터(M4)는 인버터(1161b)(제 2인버터)의 역활을 하게 된다. The first terminal of the second transistor M2 formed of the N-type is connected to the second power supply voltage VVSS, and the second terminal is connected to the scan line S. The gate terminal of the second transistor M2 is connected to the first node point N1. The first terminal of the fourth transistor M4 formed of the P-type is connected to the first power supply voltage VVDD, and the second terminal is connected to the scan line S. The gate terminal of the fourth transistor N4 is connected to the first node point N1. The second transistor M2 and the fourth transistor M4 supply the second power supply voltage VVSS to the scan line S when the first power supply voltage VVDD is supplied to the first node point N1. When the second power supply voltage VVSS is supplied, the first power supply voltage VVDD is supplied to the scan line S. That is, the second transistor M2 and the fourth transistor M4 serve as the inverter 1161b (second inverter).

주사 구동부(100)가 정상적으로 구동될 때 버퍼(1161)는 낸드 게이트(1141)로부터 제 1전원전압(VVDD) 또는 제 2전원전압(VVSS)을 공급받는다. 낸드 게이트(1141)로부터 제 1전원전압(VVDD)이 공급될 때 제 1트랜지스터(M1) 및 제 4트랜지스터(M4)가 턴-온된다. 그러면, 주사선(S)으로 제 1전원전압(VVDD)이 공급된다.(화소들 오프전압) 그리고, 낸드 게이트(1141)로부터 제 2전원전압(VVSS)이 공급될 때 제 3트랜지스터(M3) 및 제 2트랜지스터(M2)가 턴-온되어 주사선(S)으로 제 2전원전압(VVSS)(주사신호)이 공급된다.(화소들 온전압) When the scan driver 100 is normally driven, the buffer 1161 receives the first power supply voltage VVDD or the second power supply voltage VVSS from the NAND gate 1141. When the first power supply voltage VVDD is supplied from the NAND gate 1141, the first transistor M1 and the fourth transistor M4 are turned on. Then, the first power supply voltage VVDD is supplied to the scan line S (pixel off voltage). When the second power supply voltage VVSS is supplied from the NAND gate 1141, the third transistor M3 and The second transistor M2 is turned on to supply the second power supply voltage VVSS (scanning signal) to the scan line S. (pixels on voltage)

한편, 제어회로(118)는 발광 표시장치가 출하되기 전에 적어도 한번 구동되어 버퍼(1161)에 포함된 트랜지스터들의 특성곡선을 제어한다. 즉, 제어회로(118)는 주사 구동부(110)가 정상적으로 구동될 때 동작하지 않는다.On the other hand, the control circuit 118 is driven at least once before the light emitting display device is shipped to control the characteristic curve of the transistors included in the buffer 1161. That is, the control circuit 118 does not operate when the scan driver 110 is normally driven.

제어회로(118)는 제 3전원(V3)과 버퍼(1161)의 입력단 사이에 설치되어 제 1제어신호(CS1)에 의해 제어되는 제 5트랜지스터(M5)와, 제 4전원(V4)과 버퍼(1161)의 입력단 사이에 설치되어 제 2제어신호(CS2)에 의해 제어되는 제 6트랜지스터(M6)를 구비한다. 제 3전원(V3)은 버퍼(1161)에 포함된 N-타입 트랜지스터(M1,M2) 의 문턱전압에 대응되는 전압값을 갖는다. 예를 들어, 제 3전원(V3)은 1V 내지 4V 사이에 전압으로 설정될 수 있다. 제 4전원(V4)은 버퍼(1161)에 포함된 P-타입 트랜지스터(M3,M4)의 문턱전압에 대응되는 전압값을 갖는다. 예를 들어, 제 4전원(V4)은 -1V 내지 -4V 사이의 전압으로 설정될 수 있다.The control circuit 118 is provided between the third power source V3 and the input terminal of the buffer 1161 and is controlled by the first control signal CS1, the fifth transistor M5, the fourth power source V4 and the buffer. A sixth transistor M6 is provided between the input terminals of 1161 and controlled by the second control signal CS2. The third power source V3 has a voltage value corresponding to the threshold voltages of the N-type transistors M1 and M2 included in the buffer 1161. For example, the third power source V3 may be set to a voltage between 1V and 4V. The fourth power source V4 has a voltage value corresponding to the threshold voltages of the P-type transistors M3 and M4 included in the buffer 1161. For example, the fourth power source V4 may be set to a voltage between -1V and -4V.

제어신호 공급부(200)는 발광 표시장치가 출하되기 전에 도 8과 같이 제 1제어신호(CS1) 및 제 2제어신호(CS2)를 공급한다. 여기서, 제 1제어신호(CS1) 및 제 2제어신호(CS2)는 서로 다른 시간에 공급된다. 그리고, 제 1제어신호(CS1) 및 제 2제어신호(CS2)는 적어도 한번 이상 공급된다.The control signal supply unit 200 supplies the first control signal CS1 and the second control signal CS2 as shown in FIG. 8 before the light emitting display device is shipped. Here, the first control signal CS1 and the second control signal CS2 are supplied at different times. The first control signal CS1 and the second control signal CS2 are supplied at least once.

제 1제어신호(CS1)가 공급되면 제 5트랜지스터(M5)가 턴-온된다. 제 5트랜지스터(M5)가 턴-온되면 제 3전원(V3)의 전압이 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자로 공급되어 제 1트랜지스터(M1)가 턴-온된다. 제 1트랜지스터(M1)가 턴-온되면 제 1노드점(N1)의 전압값(예를 들면 제 1전원전압(VVDD))과 제 2전원전압(VVSS)의 전압차이에 의하여 소정의 전류가 흐르게 된다. 여기서, 제 1트랜지스터(M1)가 문턱전압에서 구동되기 때문에 제 1트랜지스터(M1)는 소정의 캐리어 스트레스(Carrier Stress)를 받게 되고, 이에 따라 특성곡선이 대략 수평을 이루도록 변화된다.When the first control signal CS1 is supplied, the fifth transistor M5 is turned on. When the fifth transistor M5 is turned on, the voltage of the third power source V3 is supplied to the gate terminal of the first transistor M1 to turn on the first transistor M1. When the first transistor M1 is turned on, a predetermined current is increased by a voltage difference between the voltage value of the first node point N1 (for example, the first power supply voltage VVDD) and the second power supply voltage VVSS. Will flow. Here, since the first transistor M1 is driven at the threshold voltage, the first transistor M1 is subjected to a predetermined carrier stress, and thus the characteristic curve is changed to be substantially horizontal.

이를 상세히 설명하면, 먼저 초기상태에서 도 9와 같이 특정 트랜지스터는 VDS의 전압이 대략 -7.5V이상 인가되면 전류가 급격히 증가된다.(킹크전류) 이와 같이 VDS에 낮은 전압이 인가되었을 때 킹크전류가 흐르게 되면 주사 구동부(110)가 정상적으로 구동될 수 없다. 그러나, 트랜지스터에 문턱전압(여기서는 -4V라 가정한다)을 인하한 후 VDS에 -20V를 대략 10㎳의 시간동안 인가하게 되면 트랜지스터의 특성곡선에 대략 평행하게 변화된다. 그러면, 트랜지스터의 VDS의 전압이 대략 -18V로 설정되더라도 흐르는 전류는 거의 일정하게 유지된다. 이는 실험적으로 트랜지스터가 문턱전압 근방에서 구동될 때 캐리어의 충돌 등에 의하여 특성곡선이 변화되는 것으로 예측되고 있다. 그리고, 실험적으로 트랜지스터의 VDS의 전압을 -30V로 유지하여도 특성곡선은 VDS에 -20V를 인가한 경우와 거의 동일하게 설정된다. 이는 트랜지스터의 VDS의 전압값의 높은 낮음이 특성곡선에 거의 영향을 주지 않음을 의미한다. In detail, first, in the initial state, as shown in FIG. 9, when a voltage of VDS is applied to approximately -7.5V or more, the current rapidly increases (king current). If it flows, the scan driver 110 may not be driven normally. However, if the threshold voltage (assuming -4V in this case) is lowered to the transistor and then -20V is applied to VDS for about 10 ms, the transistor is changed to be substantially parallel to the characteristic curve of the transistor. Then, even though the voltage of the VDS of the transistor is set to approximately -18V, the flowing current remains almost constant. It is predicted that the characteristic curve is changed experimentally due to collision of carriers when the transistor is driven near the threshold voltage. In addition, even when the voltage of the VDS of the transistor is experimentally maintained at -30V, the characteristic curve is set substantially the same as when -20V is applied to the VDS. This means that the high low of the VDS of the transistor has little effect on the characteristic curve.

따라서, 제 1제어신호(CS1)가 공급될 때 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자로 문턱전압에 해당하는 제 3전압(V3)이 공급되면 제 1트랜지스터(M1)에 높은 VDS의 전압이 인가되더라도 급격히 전류가 변화되지 않도록 특성곡선이 변화된다. 이와 같이 제 1트랜지스터(M1)이 특성곡선이 변화되면 주사 구동부(110)를 안정적으로 구동할 수 있다. Therefore, when the third voltage V3 corresponding to the threshold voltage is supplied to the gate terminal of the first transistor M1 when the first control signal CS1 is supplied, a high VDS voltage is applied to the first transistor M1. Even though the characteristic curve is changed so that the current does not change suddenly. As such, when the characteristic curve of the first transistor M1 is changed, the scan driver 110 may be stably driven.

제 1제어신호(CS1)가 공급된 후 제 2제어신호(CS2)가 공급되면 제 6트랜지스터(M6)가 턴-온된다. 제 6트랜지스터(M6)가 턴-온되면 제 3트랜지스터(M3)의 게이트단자로 문턱전압에 해당하는 제 4전원(V4)의 전압값이 공급된다. 그러면, 제 3트랜지스터(M3)가 턴-온되고, 이에 따라 제 1노드점(N1)의 전압값(예를 들면 제 2전원전압(VVSS))과 제 1전원전압(VVSS)의 전압차이에 의하여 소정의 전류가 흐르게 된다. 여기서, 제 3트랜지스터(M3)가 문턱전압을 공급받기 때문에 제 3트랜지스터(M3)의 특성곡선은 도 9에 도시된 바와 같이 높은 VDS의 전압이 인가되더라도 급격 히 전류가 변화되지 않도록 특성곡선이 변화된다. 이와 같이 제 3트랜지스터(M3)의 특성곡선이 변화되면 주사 구동부(110)를 안정적으로 구동할 수 있다.When the second control signal CS2 is supplied after the first control signal CS1 is supplied, the sixth transistor M6 is turned on. When the sixth transistor M6 is turned on, the voltage value of the fourth power source V4 corresponding to the threshold voltage is supplied to the gate terminal of the third transistor M3. Then, the third transistor M3 is turned on, and accordingly, the voltage difference between the voltage value of the first node point N1 (for example, the second power supply voltage VVSS) and the first power supply voltage VVSS is different. By this, a predetermined current flows. Here, since the third transistor M3 is supplied with the threshold voltage, the characteristic curve of the third transistor M3 is changed so that the current does not change rapidly even when a high VDS voltage is applied as shown in FIG. 9. do. As such, when the characteristic curve of the third transistor M3 is changed, the scan driver 110 may be stably driven.

한편, 본 발명에서는 제 1트랜지스터(M1) 및 제 3트랜지스터(M3)의 특성곡선 만을 변화시킨다. 이와 같이 제 1트랜지스터(M1) 및 제 3트랜지스터(M3)의 특성곡선 만이 변화되더라도 제 2트랜지스터(M2) 및 제 4트랜지스터(M4)의 특성과 무관하게 어느정도의 신뢰성을 확보할 수 있다. Meanwhile, in the present invention, only the characteristic curves of the first transistor M1 and the third transistor M3 are changed. As such, even if only the characteristic curves of the first transistor M1 and the third transistor M3 are changed, a certain degree of reliability can be secured regardless of the characteristics of the second transistor M2 and the fourth transistor M4.

한편, 제어회로(118)에 포함된 제 5트랜지스터(M5)가 P-타입 트랜지스터로 도시되었고, 제 6트랜지스터(M6)가 N-타입 트랜지스터로 도시되었지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 실제로, 본 발명에서는 도 7b와 같이 제 5트랜지스터(M5) 및 제 6트랜지스터(M6)를 N-타입 트랜지스터로 형성할 수 있다. 그리고, 본 발명에서는 도 7c와 같이 제 5트랜지스터(M5) 및 제 6트랜지스터(M6)를 P-타입 트랜지스터로 형성할 수 있다. Meanwhile, although the fifth transistor M5 included in the control circuit 118 is illustrated as a P-type transistor, and the sixth transistor M6 is illustrated as an N-type transistor, the present invention is not limited thereto. In fact, in the present invention, as illustrated in FIG. 7B, the fifth transistor M5 and the sixth transistor M6 may be formed of an N-type transistor. In the present invention, as illustrated in FIG. 7C, the fifth transistor M5 and the sixth transistor M6 may be formed of a P-type transistor.

한편, 본 발명에서 제어회로(118)의 설치위치 및 구조를 다양한 형태로 변경될 수 있다. 이를 도 10 및 도 11을 참조하여 상세히 설명하리고 한다.Meanwhile, in the present invention, the installation position and the structure of the control circuit 118 may be changed in various forms. This will be described in detail with reference to FIGS. 10 and 11.

도 10은 제어회로와 버퍼의 다른 실시예에 의한 접속구조를 나타내는 도면이다. 10 is a view showing a connection structure according to another embodiment of a control circuit and a buffer.

도 10을 참조하면, 제어회로(118)는 버퍼(1161)의 제 1노드점(N1)(제 1인버터(1161a)의 출력단자 및 제 2인버터(1161b)의 입력단자)에 전기적으로 접속된다. 이와 같은 제어회로(118)는 발광 표시장치가 출하되기 전에 적어도 한번 구동되어 버퍼(1161)에 포함된 제 2트랜지스터(M2) 및 제 4트랜지스터(M4)의 특성곡선을 제어한다. Referring to FIG. 10, the control circuit 118 is electrically connected to the first node point N1 of the buffer 1161 (the output terminal of the first inverter 1161a and the input terminal of the second inverter 1161b). . The control circuit 118 is driven at least once before the light emitting display device is shipped to control the characteristic curves of the second transistor M2 and the fourth transistor M4 included in the buffer 1161.

제어회로(118)는 제 3전원(V3)과 제 1노드점(N1) 사이에 설치되어 제 1제어신호(CS1)에 의해 제어되는 제 5트랜지스터(M5)와, 제 4전원(V4)과 제 1노드점(N1) 사이에 설치되어 제 2제어신호(CS2)에 의해 제어되는 제 6트랜지스터(M6)를 구비한다. 제 3전원(V3)은 버퍼(1161)에 포함된 N-타입 트랜지스터(M1,M2)의 문턱전압에 대응되는 전압값을 갖는다. 제 4전원(V4)은 버퍼(1161)에 포함된 P-타입 트랜지스터(M3,M4)의 문턱전압에 대응되는 전압값을 갖는다. The control circuit 118 is provided between the third power source V3 and the first node point N1 and is controlled by the first control signal CS1, the fifth transistor M5, and the fourth power source V4. The sixth transistor M6 is disposed between the first node point N1 and controlled by the second control signal CS2. The third power supply V3 has a voltage value corresponding to the threshold voltages of the N-type transistors M1 and M2 included in the buffer 1161. The fourth power source V4 has a voltage value corresponding to the threshold voltages of the P-type transistors M3 and M4 included in the buffer 1161.

제어신호 공급부(200)는 발광 표시장치가 출하되기 전에 도 8과 같이 제 1제어신호(CS1) 및 제 2제어신호(CS2)를 공급한다. 여기서, 제 1제어신호(CS1) 및 제 2제어신호(CS2)는 서로 다른시간 동안 적어도 한번 이상 공급된다. The control signal supply unit 200 supplies the first control signal CS1 and the second control signal CS2 as shown in FIG. 8 before the light emitting display device is shipped. Here, the first control signal CS1 and the second control signal CS2 are supplied at least once for different times.

제 1제어신호(CS1)가 공급되면 제 5트랜지스터(M5)가 턴-온된다. 제 5트랜지스터(M5)가 턴-온되면 제 3전원(V3)의 전압이 제 2트랜지스터(M2)의 게이트단자로 공급되어 제 2트랜지스터(M2)가 턴-온된다. 제 2트랜지스터(M2)가 턴-온되면 제 4트랜지스터(M4)의 제 1단자 및 제 2단자 간의 전압차에 의하여 소정의 전류가 흐른다. 그러면, 제 2트랜지스터(M2)가 소정의 캐리어 스트레스를 받게되고, 이에 따라 제 2트랜지스터(M2)는 도 9에 도시된 바와 같이 높은 VDS의 전압이 인가되더라도 급격히 전류가 변화되지 않도록 특성곡선이 변화된다. 이와 같이 제 2트랜지스터(M2)의 특성곡선이 변화되면 주사 구동부(110)를 안정적으로 구동할 수 있다. When the first control signal CS1 is supplied, the fifth transistor M5 is turned on. When the fifth transistor M5 is turned on, the voltage of the third power source V3 is supplied to the gate terminal of the second transistor M2 to turn on the second transistor M2. When the second transistor M2 is turned on, a predetermined current flows due to a voltage difference between the first terminal and the second terminal of the fourth transistor M4. Then, the second transistor M2 receives a predetermined carrier stress, and accordingly, the characteristic curve of the second transistor M2 is changed so that the current does not change rapidly even when a high VDS voltage is applied as shown in FIG. 9. do. As such, when the characteristic curve of the second transistor M2 is changed, the scan driver 110 may be stably driven.

제 1제어신호(CS1)가 공급된 후 제 2제어신호(CS2)가 공급되면 제 6트랜지스 터(M6)가 턴-온된다. 제 6트랜지스터(M6)가 턴-온되면 제 4트랜지스터(M4)의 게이트단자로 문턱전압에 해당하는 제 4전원(V4)의 전압값이 공급된다. 그러면, 제 4트랜지스터(M4)가 턴-온되고, 이에 따라 제 4트랜지스터(M4)이 제 1단자 및 제 2단자간의 전압차에 의하여 소정의 전류가 흐른다. 여기서, 제 4트랜지스터(M4)가 문턱전압을 공급받기 때문에 제 4트랜지스터(M4)의 특성곡선은 도 9에 도시된 바와 같이 높은 VDS의 전압이 인가되더라도 급격히 전류가 변화되지 않도록 특성곡선이 변화된다. 이와 같이 제 4트랜지스터(M4)의 특성곡선이 변화되면 주사 구동부(110)를 안정적으로 구동할 수 있다.When the second control signal CS2 is supplied after the first control signal CS1 is supplied, the sixth transistor M6 is turned on. When the sixth transistor M6 is turned on, the voltage value of the fourth power source V4 corresponding to the threshold voltage is supplied to the gate terminal of the fourth transistor M4. Then, the fourth transistor M4 is turned on, so that a predetermined current flows in the fourth transistor M4 due to a voltage difference between the first terminal and the second terminal. Here, since the fourth transistor M4 is supplied with the threshold voltage, the characteristic curve of the fourth transistor M4 is changed so that the current does not change rapidly even when a high VDS voltage is applied as shown in FIG. 9. . As such, when the characteristic curve of the fourth transistor M4 is changed, the scan driver 110 may be stably driven.

한편, 본 발명의 다른 실시예에서는 제 2트랜지스터(M2) 및 제 4트랜지스터(M4)의 특성곡선 만을 변화시킨다. 이와 같이 제 2트랜지스터(M2) 및 제 4트랜지스터(M4)의 특성곡선 만이 변화되더라도 제 1트랜지스터(M1) 및 제 3트랜지스터(M3)의 특성과 무관하게 어느정도의 신뢰성을 확보할 수 있다. Meanwhile, in another embodiment of the present invention, only the characteristic curves of the second transistor M2 and the fourth transistor M4 are changed. As such, even if only the characteristic curves of the second transistor M2 and the fourth transistor M4 are changed, a certain degree of reliability can be secured regardless of the characteristics of the first transistor M1 and the third transistor M3.

도 11은 제어회로와 버퍼의 또 다른 실시예에 의한 접속구조를 나타내는 도면이다. 도 12는 도 11에 도시된 제어회로로 공급되는 제어신호를 나타내는 도면이다.11 is a view showing a connection structure according to another embodiment of a control circuit and a buffer. FIG. 12 is a diagram illustrating a control signal supplied to the control circuit shown in FIG. 11.

도 11을 참조하면, 제어회로(118)는 버퍼(1161)의 입력단 및 제 1노드점(N1)에 전기적으로 접속된다. 이와 같은 제어회로(118)는 발광 표시장치가 출하되기 전에 적어도 한번 구동되어 버퍼(1161)에 포함된 제 1트랜지스터(M1) 내지 제 4트랜지스터(M4)의 특성곡선을 제어한다. Referring to FIG. 11, the control circuit 118 is electrically connected to an input terminal of the buffer 1161 and the first node point N1. The control circuit 118 is driven at least once before the light emitting display device is shipped to control the characteristic curves of the first transistor M1 to the fourth transistor M4 included in the buffer 1161.

이를 위해, 제어회로(118)는 버퍼(1161)의 입력단에 접속되어 제 1트랜지스터(M1) 및 제 3트랜지스터(M3)의 특성곡선을 제어하기 위한 제 1제어회로(118a)와, 제 2트랜지스터(M2) 및 제 4트랜지스터(M4)의 특성곡선을 제어하기 위한 제 2제어회로(118b)를 구비한다.To this end, the control circuit 118 is connected to the input terminal of the buffer 1161 and the first control circuit 118a and the second transistor for controlling the characteristic curves of the first transistor M1 and the third transistor M3. A second control circuit 118b for controlling the characteristic curves of the M2 and the fourth transistor M4 is provided.

제 1제어회로(118a)는 제 3전원(V3)과 입력단 사이에 설치되는 제 5트랜지스터(M5)와, 제 4전원(V4)과 입력단 사이에 설치되는 제 6트랜지스터(M6)를 구비한다. 제 2제어회로(118b)는 제 3전원(V3)과 제 1노드점(N1) 사이에 설치되는 제 7트랜지스터(M7)와, 제 4전원(V4)과 제 1노드점(N1) 사이에 설치되는 제 8트랜지스터(M8)를 구비한다. The first control circuit 118a includes a fifth transistor M5 provided between the third power source V3 and the input terminal, and a sixth transistor M6 provided between the fourth power source V4 and the input terminal. The second control circuit 118b is provided between the seventh transistor M7 provided between the third power source V3 and the first node point N1, and between the fourth power source V4 and the first node point N1. Eighth transistor M8 is provided.

제어신호 공급부(200)는 발광 표시장치가 출하되기 전에 도 12와 같이 제 1제어신호(CS1) 내지 제 4제어신호(CS2)를 공급한다. 여기서, 제 1제어신호(CS1) 내지 제 4제어신호(CS2)는 서로 다른 시간동안 적어도 한번 이상 공급된다. The control signal supply unit 200 supplies the first control signal CS1 to the fourth control signal CS2 as shown in FIG. 12 before the light emitting display device is shipped. Here, the first control signal CS1 to the fourth control signal CS2 are supplied at least once during different times.

제 1제어신호(CS1)가 공급되면 제 5트랜지스터(M5)가 턴-온된다. 제 5트랜지스터(M5)가 턴-온되면 제 1트랜지스터(M1)의 문턱전압에 해당하는 제 3전원(V3)의 전압값이 제 1트랜지스터(M1)의 게이트단자로 공급된다. 그러면, 제 1트랜지스터(M1)가 턴-온되고, 이에 따라 제 1트랜지스터(M1)의 제 1단자 및 제 2단자간의 전압차에 의하여 소정의 전류가 흐른다. 여기서, 제 1트랜지스터(M1)가 문턱전압을 공급받기 때문에 제 1트랜지스터(M1)의 특성곡선은 도 9에 도시된 바와 같이 높은 VDS의 전압이 인가되더라도 급격히 전류가 변화되지 않도록 특성곡선이 변화된다. When the first control signal CS1 is supplied, the fifth transistor M5 is turned on. When the fifth transistor M5 is turned on, the voltage value of the third power supply V3 corresponding to the threshold voltage of the first transistor M1 is supplied to the gate terminal of the first transistor M1. Then, the first transistor M1 is turned on, so that a predetermined current flows due to the voltage difference between the first terminal and the second terminal of the first transistor M1. Here, since the first transistor M1 is supplied with a threshold voltage, the characteristic curve of the first transistor M1 is changed so that the current does not change rapidly even when a high VDS voltage is applied as shown in FIG. 9. .

제 2제어신호(CS2)가 공급되면 제 6트랜지스터(M6)가 턴-온된다. 제 6트랜지스터(M6)가 턴-온되면 제 3트랜지스터(M3)의 문턱전압에 해당하는 제 4전원(V4)의 전압값이 제 3트랜지스터(M3)의 게이트단자로 공급된다. 그러면, 제 3트랜지스터(M3)가 턴-온되고, 이에 따라 제 3트랜지스터(M3)의 제 1단자 및 제 2단자간의 전압차에 의하여 소정의 전류가 흐른다. 여기서, 제 3트랜지스터(M3)가 문턱전압을 공급받기 때문에 제 3트랜지스터(M3)의 특성곡선은 도 9에 도시된 바와 같이 높은 VDS의 전압이 인가되더라도 급격히 전류가 변화되지 않도록 특성곡선에 변화된다. When the second control signal CS2 is supplied, the sixth transistor M6 is turned on. When the sixth transistor M6 is turned on, the voltage value of the fourth power supply V4 corresponding to the threshold voltage of the third transistor M3 is supplied to the gate terminal of the third transistor M3. Then, the third transistor M3 is turned on, so that a predetermined current flows due to the voltage difference between the first terminal and the second terminal of the third transistor M3. Here, since the third transistor M3 is supplied with the threshold voltage, the characteristic curve of the third transistor M3 is changed in the characteristic curve so that the current does not change rapidly even when a high VDS voltage is applied as shown in FIG. 9. .

제 3제어신호(CS3)가 공급되면 제 7트랜지스터(M7)가 턴-온된다. 제 7트랜지스터(M7)가 턴-온되면 제 2트랜지스터(M2)의 문턱전압에 해당하는 제 3전원(V3)의 전압값이 제 2트랜지스터(M2)의 게이트단자로 공급된다. 그러면, 제 2트랜지스터(M2)가 턴-온되고, 이에 따라 제 2트랜지스터(M2)의 제 1단자 및 제 2단자 간의 전압차에 의하여 소정의 전류가 흐른다. 여기서, 제 2트랜지스터(M2)가 문턱전압을 공급받기 때문에 제 2트랜지스터(M2)의 특성곡선은 도 9에 도시된 바와 같은 높은 VDS 전압이 인가되더라도 급격히 전류가 변화되지 않도록 특성곡선이 변화된다. When the third control signal CS3 is supplied, the seventh transistor M7 is turned on. When the seventh transistor M7 is turned on, the voltage value of the third power supply V3 corresponding to the threshold voltage of the second transistor M2 is supplied to the gate terminal of the second transistor M2. Then, the second transistor M2 is turned on, so that a predetermined current flows due to the voltage difference between the first terminal and the second terminal of the second transistor M2. Here, since the second transistor M2 is supplied with the threshold voltage, the characteristic curve of the second transistor M2 is changed so that the current does not change rapidly even when a high VDS voltage as shown in FIG. 9 is applied.

제 4제어신호(CS4)가 공급되면 제 8트랜지스터(M8)가 턴-온된다. 제 8트랜지스터(M8)가 턴-온되면 제 4트랜지스터(M4)의 문턱전압에 해당하는 제 4전원(V4)의 전압값이 제 4트랜지스터(M4)의 게이트단자로 공급된다. 그러면, 제 4트랜지스터(M4)가 턴-온되고, 이에 따라 제 4트랜지스터(M4)의 제 1단자 및 제 2단자간의 전압차에 의하여 소정의 전류가 흐른다. 여기서, 제 4트랜지스터(M4)가 문턱전압 을 공급받기 때문에 제 4트랜지스터(M4)의 특성곡선은 도 9에 도시된 바와 같이 높은 VDS의 전압이 인가되더라도 급격히 전류가 변화되지 않도록 특성곡선이 변화된다. When the fourth control signal CS4 is supplied, the eighth transistor M8 is turned on. When the eighth transistor M8 is turned on, the voltage value of the fourth power supply V4 corresponding to the threshold voltage of the fourth transistor M4 is supplied to the gate terminal of the fourth transistor M4. Then, the fourth transistor M4 is turned on, and a predetermined current flows due to the voltage difference between the first terminal and the second terminal of the fourth transistor M4. Here, since the fourth transistor M4 is supplied with the threshold voltage, the characteristic curve of the fourth transistor M4 is changed so that the current does not change rapidly even when a high VDS voltage is applied as shown in FIG. 9. .

상기 발명의 상세한 설명과 도면은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 따라서, 이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.The above detailed description and drawings are merely exemplary of the present invention, which are used only for the purpose of illustrating the present invention and are not intended to limit the scope of the present invention as defined in the claims or the claims. Accordingly, those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical protection scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 주사 구동부 및 이를 이용한 발광 표시장치와 그의 구동방법에 의하면 주사 구동부의 버퍼에 포함된 적어도 하나의 트랜지스터에 높은 드레인-소오스간 전압이 인가되더라도 대략 일정한 전압을 유지하도록 특성곡선을 제어하기 때문에 주사 구동부를 안정적으로 구동할 수 있다. As described above, according to the scan driver, the light emitting display using the same, and a driving method thereof, the scan driver is substantially constant even if a high drain-source voltage is applied to at least one transistor included in the buffer of the scan driver. Since the characteristic curve is controlled to maintain the scan drive, the scan driver can be driven stably.

Claims (26)

순차적으로 신호를 출력하는 쉬프트 레지스터들과,Shift registers for sequentially outputting signals, 상기 쉬프트 레지스터들의 출력신호에 대응하여 제 1전원 및 제 2전원 중 어느 하나의 전압을 주사선들로 공급하기 위한 버퍼들과,Buffers for supplying a voltage to any one of a first power source and a second power source to scan lines in response to output signals of the shift registers 상기 제 1전원 및 제 2전원 사이의 전압값을 가지는 제 3전원 및 제 4전원을 적어도 한번 상기 버퍼들로 공급하기 위한 제어회로를 구비하는 주사 구동부. And a control circuit for supplying a third power supply and a fourth power supply having a voltage value between the first power supply and the second power supply to the buffers at least once. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 버퍼들과 상기 쉬프트 레지스터들 사이에 설치되는 낸드 게이트들을 더 구비하는 주사 구동부. And a NAND gate disposed between the buffers and the shift registers. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 버퍼들 각각은 Each of the buffers 상기 제 1전원과 제 2전원 사이에 직렬로 접속되며 게이트단자가 상기 낸드 게이트들 중 어느 하나에 접속되는 제 1트랜지스터 및 제 3트랜지스터와, A first transistor and a third transistor connected in series between the first power supply and the second power supply and having a gate terminal connected to any one of the NAND gates; 상기 제 1전원과 제 2전원 사이에 직렬로 접속되며 게이트단자가 상기 제 1트랜지스터 및 제 3트랜지스터의 공통단자인 제 1노드점에 접속되는 제 2트랜지스터 및 제 4트랜지스터를 구비하는 주사 구동부. And a second transistor and a fourth transistor connected in series between the first power supply and the second power supply, and having a gate terminal connected to a first node point which is a common terminal of the first transistor and the third transistor. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 제어회로는 The control circuit 상기 제 1트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 상기 제 3전원과 상기 제 1트랜지스터의 게이트단자 사이에 접속되며 외부로부터 공급되는 제 1제어신호에 대응하여 턴-온되는 제 5트랜지스터와, A fifth transistor connected between the third power source corresponding to the threshold voltage of the first transistor and the gate terminal of the first transistor and turned on in response to a first control signal supplied from the outside; 상기 제 3트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 상기 제 4전원과 상기 제 3트랜지스터의 게이트단자 사이에 접속되며 외부로부터 공급되는 제 2제어신호에 대응하여 턴-온되는 제 6트랜지스터를 구비하는 주사 구동부. And a sixth transistor connected between the fourth power source corresponding to the threshold voltage of the third transistor and the gate terminal of the third transistor and turned on in response to a second control signal supplied from the outside. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 제어회로는The control circuit 상기 제 2트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 상기 제 3전원과 상기 제 2트랜지스터의 게이트단자 사이에 접속되며 외부로부터 공급되는 제 1제어신호에 대응하여 턴-온되는 제 5트랜지스터와, A fifth transistor connected between the third power source corresponding to the threshold voltage of the second transistor and the gate terminal of the second transistor and turned on in response to a first control signal supplied from the outside; 상기 제 4트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 상기 제 4전원과 상기 제 4트랜지스터의 게이트단자 사이에 접속되며 외부로부터 공급되는 제 2제어신호에 대응하여 턴-온되는 제 6트랜지스터를 구비하는 주사 구동부.And a sixth transistor connected between the fourth power source corresponding to the threshold voltage of the fourth transistor and the gate terminal of the fourth transistor and turned on in response to a second control signal supplied from the outside. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 제어회로는The control circuit 상기 제 1트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 상기 제 3전원과 상기 제 1트랜지스터의 게이트단자 사이에 접속되며 외부로부터 공급되는 제 1제어신호에 대응하여 턴-온되는 제 5트랜지스터와, A fifth transistor connected between the third power source corresponding to the threshold voltage of the first transistor and the gate terminal of the first transistor and turned on in response to a first control signal supplied from the outside; 상기 제 3트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 상기 제 4전원과 상기 제 3트랜지스터의 게이트단자 사이에 접속되며 외부로부터 공급되는 제 2제어신호에 대응하여 턴-온되는 제 6트랜지스터와,A sixth transistor connected between the fourth power source corresponding to the threshold voltage of the third transistor and the gate terminal of the third transistor and turned on in response to a second control signal supplied from the outside; 상기 제 2트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 상기 제 3전원과 상기 제 2트랜지스터의 게이트단자 사이에 접속되며 외부로부터 공급되는 제 3제어신호에 대응하여 턴-온되는 제 7트랜지스터와, A seventh transistor connected between the third power source corresponding to the threshold voltage of the second transistor and the gate terminal of the second transistor and turned on in response to a third control signal supplied from the outside; 상기 제 4트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 상기 제 4전원과 상기 제 4트랜지스터의 게이트단자 사이에 접속되며 외부로부터 공급되는 제 4제어신호에 대응하여 턴-온되는 제 8트랜지스터를 구비하는 주사 구동부.And an eighth transistor connected between the fourth power source corresponding to the threshold voltage of the fourth transistor and the gate terminal of the fourth transistor and turned on in response to a fourth control signal supplied from the outside. 순차적으로 신호를 출력하는 쉬프트 레지스터들과,Shift registers for sequentially outputting signals, 상기 쉬프트 레지스터들 각각에 접속되어 상기 쉬프트 레지스터들의 출력신호를 주사선들로 공급하기 위한 버퍼들과,Buffers connected to each of the shift registers to supply output signals of the shift registers to scan lines; 상기 버퍼들과 전기적으로 접속되며 상기 버퍼들에 포함된 적어도 하나의 트랜지스터의 특성곡선을 제어하기 위한 제어회로를 구비하는 주사 구동부.And a control circuit electrically connected to the buffers and configured to control a characteristic curve of at least one transistor included in the buffers. 제 7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 버퍼들과 상기 쉬프트 레지스터들 사이에 설치되는 낸드 게이트들을 더 구비하는 주사 구동부. And a NAND gate disposed between the buffers and the shift registers. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제어회로는 상기 버퍼들에 포함된 적어도 하나의 트랜지스터에 문턱전압을 공급하는 주사 구동부. The control circuit is a scan driver for supplying a threshold voltage to at least one transistor included in the buffer. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 버퍼들 각각은 Each of the buffers 제 1전원과 제 2전원 사이에 직렬로 접속되며 게이트단자가 상기 낸드 게이트들 중 어느 하나에 접속되는 제 1트랜지스터 및 제 3트랜지스터와,A first transistor and a third transistor connected in series between a first power supply and a second power supply, the gate terminal of which is connected to one of the NAND gates; 상기 제 1전원과 제 2전원 사이에 직렬로 접속되며 게이트단자가 상기 제 1트랜지스터 및 제 3트랜지스터의 공통단자인 제 1노드점에 접속되는 제 2트랜지스터 및 제 4트랜지스터를 구비하는 주사 구동부. And a second transistor and a fourth transistor connected in series between the first power supply and the second power supply, and having a gate terminal connected to a first node point which is a common terminal of the first transistor and the third transistor. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제 1트랜지스터 및 제 2트랜지스터는 엔(N)-타입으로 설정되고, 상기 제 3트랜지스터 및 제 4트랜지스터는 피(P)-타입으로 설정되는 주사 구동부. And the first and second transistors are set to an N-type, and the third and fourth transistors are set to a P-type. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제어회로는 상기 제 1트랜지스터 및 제 3트랜지스터의 상기 특성곡선을 제어하는 주사 구동부. The control circuit is a scan driver for controlling the characteristic curve of the first transistor and the third transistor. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 제어회로는The control circuit 상기 제 1트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 제 3전원과 상기 제 1트랜지스터의 게이트단자 사이에 접속되며 외부로부터 공급되는 제 1제어신호에 대응하여 턴-온되는 제 5트랜지스터와, A fifth transistor connected between a third power source corresponding to the threshold voltage of the first transistor and a gate terminal of the first transistor and turned on in response to a first control signal supplied from the outside; 상기 제 3트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 제 4전원과 상기 제 3트랜지스터의 게이트단자 사이에 접속되며 외부로부터 공급되는 제 2제어신호에 대응하여 턴-온되는 제 6트랜지스터를 구비하는 주사 구동부. And a sixth transistor connected between a fourth power source corresponding to the threshold voltage of the third transistor and a gate terminal of the third transistor and turned on in response to a second control signal supplied from the outside. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제어회로는 상기 제 2트랜지스터 및 제 4트랜지스터의 상기 특성곡선을 제어하는 주사 구동부. The control circuit is a scan driver for controlling the characteristic curve of the second transistor and the fourth transistor. 제 14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 제어회로는The control circuit 상기 제 2트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 제 3전원과 상기 제 2트랜지스터의 게이트단자 사이에 접속되며 외부로부터 공급되는 제 1제어신호에 대응하여 턴-온되는 제 5트랜지스터와, A fifth transistor connected between a third power source corresponding to the threshold voltage of the second transistor and a gate terminal of the second transistor and turned on in response to a first control signal supplied from the outside; 상기 제 4트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 제 4전원과 상기 제 4트랜지스터의 게이트단자 사이에 접속되며 외부로부터 공급되는 제 2제어신호에 대응하여 턴-온되는 제 6트랜지스터를 구비하는 주사 구동부.And a sixth transistor connected between a fourth power source corresponding to the threshold voltage of the fourth transistor and a gate terminal of the fourth transistor and turned on in response to a second control signal supplied from the outside. 제 13항 또는 제 15항에 있어서,The method according to claim 13 or 15, 상기 제 1제어신호 및 제 2제어신호는 서로 다른 시간에 적어도 한번 이상 공급되어 상기 제 5트랜지스터 및 제 6트랜지스터를 턴-온시키는 주사 구동부.And the first control signal and the second control signal are supplied at least once at different times to turn on the fifth transistor and the sixth transistor. 제 13항 또는 제 15항에 있어서,The method according to claim 13 or 15, 상기 제 5트랜지스터 및 제 6트랜지스터 각각은 엔(N)-타입 및 피(P)-타입 중 어느 하나로 형성되는 주사 구동부.Each of the fifth transistor and the sixth transistor is formed of any one of an N-type and a P-type scan driver. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제어회로는 상기 제 1트랜지스터 내지 제 4트랜지스터의 상기 특성곡선을 제어하는 주사 구동부. The control circuit is a scan driver for controlling the characteristic curve of the first transistor to the fourth transistor. 제 18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 제어회로는The control circuit 상기 제 1트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 제 3전원과 상기 제 1트랜지스 터의 게이트단자 사이에 접속되며 외부로부터 공급되는 제 1제어신호에 대응하여 턴-온되는 제 5트랜지스터와, A fifth transistor connected between a third power source corresponding to the threshold voltage of the first transistor and a gate terminal of the first transistor and turned on in response to a first control signal supplied from the outside; 상기 제 3트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 제 4전원과 상기 제 3트랜지스터의 게이트단자 사이에 접속되며 외부로부터 공급되는 제 2제어신호에 대응하여 턴-온되는 제 6트랜지스터와,A sixth transistor connected between a fourth power source corresponding to the threshold voltage of the third transistor and a gate terminal of the third transistor and turned on in response to a second control signal supplied from the outside; 상기 제 2트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 상기 제 3전원과 상기 제 2트랜지스터의 게이트단자 사이에 접속되며 외부로부터 공급되는 제 3제어신호에 대응하여 턴-온되는 제 7트랜지스터와, A seventh transistor connected between the third power source corresponding to the threshold voltage of the second transistor and the gate terminal of the second transistor and turned on in response to a third control signal supplied from the outside; 상기 제 4트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 상기 제 4전원과 상기 제 4트랜지스터의 게이트단자 사이에 접속되며 외부로부터 공급되는 제 4제어신호에 대응하여 턴-온되는 제 8트랜지스터를 구비하는 주사 구동부.And an eighth transistor connected between the fourth power source corresponding to the threshold voltage of the fourth transistor and the gate terminal of the fourth transistor and turned on in response to a fourth control signal supplied from the outside. 제 19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 제 1제어신호 내지 제 4제어신호는 서로 다른 시간에 적어도 한번 이상 공급되어 상기 제 5트랜지스터 내지 제 8트랜지스터를 턴-온시키는 주사 구동부.The first to fourth control signals are supplied at least once at different times to turn on the fifth to eighth transistors. 제 19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 제 5트랜지스터 내지 제 8트랜지스터 각각은 엔(N)-타입 및 피(P)-타입 중 어느 하나로 형성되는 주사 구동부.Each of the fifth to eighth transistors is formed of any one of an N-type and a P-type. 복수의 화소를 구비하는 화상 표시부와,An image display unit including a plurality of pixels, 상기 화소들과 접속되는 데이터선을 구동시키기 위한 데이터 구동부와,A data driver for driving data lines connected to the pixels; 상기 화소들과 접속되는 주사선을 구동시키기 위하여 상기 제 1항 또는 제 7항에 기재된 상기 주사 구동부를 구비하는 발광 표시장치. A light emitting display device comprising the scan driver as claimed in claim 1 or 7 to drive scan lines connected to the pixels. 주사 구동부에 다수의 버퍼가 포함되는 발광 표시장치의 구동방법에 있어서,A driving method of a light emitting display device including a plurality of buffers in a scan driver, 상기 버퍼들에 포함된 적어도 하나의 트랜지스터의 특성곡선을 제어하는 제 1단계와,A first step of controlling a characteristic curve of at least one transistor included in the buffers; 상기 주사 구동부의 쉬프트 레지스터에서 순차적으로 신호를 출력하는 제 2단계와,A second step of sequentially outputting signals from the shift register of the scan driver; 상기 쉬프트 레지스터에 출력된 신호가 버퍼를 거쳐 주사선들로 순차적으로 공급되는 제 3단계를 포함하는 발광 표시장치의 구동방법. And a third step of sequentially supplying signals output to the shift register to scan lines through a buffer. 제 23항에 있어서,The method of claim 23, wherein 상기 제 1단계에서는 상기 트랜지스터에 문턱전압을 공급하는 발광 표시장치의 구동방법. And driving the threshold voltage to the transistor in the first step. 제 24항에 있어서,The method of claim 24, 상기 트랜지스터에 문턱전압을 공급하는 제 1단계는 상기 발광 표시장치가 출하되기 전에 적어도 한번 실행되고, 그 외에는 상기 제 2단계 및 제 3단계를 반 복하면서 상기 주사선들을 구동하는 발광 표시장치의 구동방법. The first step of supplying the threshold voltage to the transistor is performed at least once before the light emitting display device is shipped. Otherwise, the second and third steps are repeated to drive the scan lines. . 제 25항에 있어서,The method of claim 25, 외부로부터 공급되는 인에이블 신호와 상기 쉬프트 레지스터의 출력신호를 낸드연산하고, 낸드 연산하여 생성된 출력신호를 상기 버퍼로 공급하는 단계를 더 포함하는 발광 표시장치의 구동방법. NAND operation of the enable signal supplied from the outside and the output signal of the shift register, and supplying the output signal generated by the NAND operation to the buffer.
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