KR100687335B1 - Liquid crystal display and manufacturing method therefor - Google Patents

Liquid crystal display and manufacturing method therefor Download PDF

Info

Publication number
KR100687335B1
KR100687335B1 KR1020030017036A KR20030017036A KR100687335B1 KR 100687335 B1 KR100687335 B1 KR 100687335B1 KR 1020030017036 A KR1020030017036 A KR 1020030017036A KR 20030017036 A KR20030017036 A KR 20030017036A KR 100687335 B1 KR100687335 B1 KR 100687335B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
layer
substrate
alignment
crystal display
Prior art date
Application number
KR1020030017036A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20040082493A (en
Inventor
이준호
옥도영
Original Assignee
비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 filed Critical 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority to KR1020030017036A priority Critical patent/KR100687335B1/en
Publication of KR20040082493A publication Critical patent/KR20040082493A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100687335B1 publication Critical patent/KR100687335B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512Light shielding layers, e.g. black matrix
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133357Planarisation layers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222Colour filters incorporated in the active matrix substrate
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)

Abstract

본 발명은 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 제 1 절연기판의 상부에 형성된 서브컬러필터 및 블랙매트릭스와, 상기 서브컬러필터 및 블랙매트릭스 상부를 덮어 평탄화시키는 제 1 평탄화막과, 상기 제 1 평탄화막의 상부에 형성되어 한쪽에서 액정층에 전압을 인가하는 공통전극과, 엠보싱 형상의 표면을 갖는 제 1 배향막을 구비하는 제 1 기판; 상기 제 1 기판에 대향되게 배치된 제 2 기판으로서, 제 2 절연기판의 상부에 형성된 스위칭소자와, 상기 스위칭소자와 연결되어 다른 한쪽에서 상기 액정층에 전압을 인가하는 화소전극과, 상기 스위칭소자와 화소전극을 덮어 평탄화시키는 제 2 평탄화막과, 엠보싱 형상의 표면을 갖는 제 2 배향막을 구비하는 제 2 기판; 및 상기 제 1 기판과 제 2 기판의 가장자리에 구비되는 실란트에 의해 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 봉인된 액정층;을 포함하며, 상기 제 1 배향막과 제 2 배향막은 그 가장자리에서 상기 액정층을 봉인하기 위한 실란트와 오버랩되지 않도록 상기 실란트 형성 영역 이전 까지만 형성된 것을 특징으로 한다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same; a subcolor filter and a black matrix formed on an upper portion of a first insulating substrate; A first substrate formed on the first planarization film and having a common electrode for applying a voltage to the liquid crystal layer on one side thereof, and a first alignment film having an embossed surface; A second substrate disposed opposite the first substrate, the switching element formed on the second insulating substrate, a pixel electrode connected to the switching element to apply a voltage to the liquid crystal layer on the other side, and the switching element And a second planarization film covering and planarizing the pixel electrode, and a second substrate including a second alignment film having an embossed surface; And a liquid crystal layer sealed between the first substrate and the second substrate by sealants provided at edges of the first substrate and the second substrate, wherein the first alignment layer and the second alignment layer have the liquid crystal at their edges. It is characterized in that it is formed only before the sealant forming region so as not to overlap with the sealant for sealing the layer.

Description

액정표시소자 및 그 제조방법{Liquid crystal display and manufacturing method therefor} Liquid crystal display and manufacturing method therefor {Liquid crystal display and manufacturing method therefor}             

도 1은 종래기술에 따른 액정표시소자를 설명하기 위한 단면도.1 is a cross-sectional view for explaining a liquid crystal display device according to the prior art.

도 2는 본 발명에 따른 액정표시소자 및 그 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도.Figure 2 is a process cross-sectional view for explaining a liquid crystal display device and a manufacturing method according to the present invention.

(도면의 주요부분에 대한 부호설명)(Code description of main parts of drawing)

100 : 하판 120 : 하부유리기판100: lower plate 120: lower glass substrate

140 : 박막트랜지스터 160 : 화소전극140: thin film transistor 160: pixel electrode

180 : 평탄화층 190 : 배향막180 planarization layer 190 alignment layer

200 : 상판 220 : 상부유리기판200: top plate 220: upper glass substrate

240 : 서브컬러필터 260 : 평탄화층240: sub-color filter 260: planarization layer

280 : 공통전극 290 : 배향막280: common electrode 290: alignment layer

300 : 실란트 400 : 액정층300: sealant 400: liquid crystal layer

본 발명은 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 액정층내의 분술물 이온으로 인한 화면표시 불량 또는 그 열화를 방지하기 위한 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same for preventing the display display defect or degradation thereof due to the ion ions in the liquid crystal layer.

도 1을 참조하여 종래의 액정표시소자를 설명하면 다음과 같다.Referring to FIG. 1, a conventional liquid crystal display device will be described.

도 1에 도시된 액정표시소자는 여러 종류의 소자들이 형성된 두장의 기판(10)(20)이 서로 대응되게 배열되어 있고, 상기 두 장의 기판(10)(20)사이에 액정층(40)이 끼워진 형태로 위치하고 있다.In the liquid crystal display shown in FIG. 1, two substrates 10 and 20 on which various kinds of elements are formed are arranged to correspond to each other, and a liquid crystal layer 40 is disposed between the two substrates 10 and 20. It is located in a fitted form.

상기 액정표시소자의 하부유리기판(10)은 스위칭 역할을 하는 박막트랜지스터(14)와, 상기 박막트랜지스터(14)로부터 신호를 인가받고 상기 액정층(40)으로 전압을 인가하는 다른 한쪽의 전극역할을 하는 화소전극(16), 그리고 상기 박막트랜지스터(14)와 화소전극(16)을 덮는 평탄화막(18)과 하부배향막(19)으로 구성되어 있다.The lower glass substrate 10 of the liquid crystal display element serves as a thin film transistor 14 which serves as a switching role, and the other electrode which receives a signal from the thin film transistor 14 and applies a voltage to the liquid crystal layer 40. And a planarization film 18 and a lower alignment film 19 covering the thin film transistor 14 and the pixel electrode 16.

또한, 상부유리기판(20)에는 색을 구현하는 서브컬러필터(24)와 블랙매트릭스(25)가 형성되어 있으며, 상기 서브컬러필터(24)와 상기 블랙매트릭스(25) 상부에는 표면을 평탄화하기 위한 평탄화막(26)이 형성되어 있다. 상기 평탄화막(26) 상부에는 액정층(40)에 전압을 인가하는 한쪽전극의 역할을 하는 공통전극(28)과 상부배향막(29)이 순차적으로 형성되어 있다.In addition, the upper glass substrate 20 is formed with a sub color filter 24 and a black matrix 25 for implementing colors, and to planarize a surface on the sub color filter 24 and the black matrix 25. The planarization film 26 for this is formed. The common electrode 28 and the upper alignment layer 29, which serve as one electrode for applying a voltage to the liquid crystal layer 40, are sequentially formed on the planarization layer 26.

여기서, 상기 상부배향막(29)의 가장자리에는 실란트(30)가 형성되는 낮은 단차부분(A)이 형성되어 있다.Here, a low stepped portion A in which the sealant 30 is formed is formed at the edge of the upper alignment layer 29.

그리고, 상기 상부기판(20)과 하부기판(10)의 사이에 주입되는 액정(40)의 누설을 방지하기 위해, 그 가장자리에 실란트(30)를 형성하여 봉인한다. In order to prevent leakage of the liquid crystal 40 injected between the upper substrate 20 and the lower substrate 10, a sealant 30 is formed at the edge thereof and sealed.

여기서, 상기 상부기판(20)과 하부기판(10)의 가장자리에서 상기 상하부 배향막(29)(19)과 상기 실란트(30)는 서로 오버랩되는 구조를 갖는다.The upper and lower alignment layers 29 and 19 and the sealant 30 overlap each other at the edges of the upper substrate 20 and the lower substrate 10.

그러나, 이러한 종래의 액정표시소자에서는 배향막의 표면 또는 내부에 불순물 이온이 잔류하여 액정층의 유지율(hold ratio)을 저하시키고 이는 액정배열을 변화시켜 무라(Mura) 즉, 화면표시불량을 발생시키는 문제점이 있다.However, in such a conventional liquid crystal display device, impurity ions remain on the surface or inside of the alignment layer to lower the hold ratio of the liquid crystal layer, which changes the liquid crystal array, thereby causing Mura, that is, a screen display defect. There is this.

또한, 액정주입구의 봉인에 이용되는 실란트로부터 뽑아진 수지열경화성 실리콘 결합제가 유리기판과 완전히 반응하지 않아 발생된 불순물이온은 액티브영역내로 확산하여 액정층의 유지율을 저하시키고 이는 액정배열을 변화시켜 무라를 발생시키는 문제점이 있다.In addition, the resin thermosetting silicone binder extracted from the sealant used to seal the liquid crystal inlet does not completely react with the glass substrate, so that impurity ions generated are diffused into the active region, thereby lowering the retention of the liquid crystal layer. There is a problem that occurs.

또한, 실란트가 형성되는 낮은 단차부분인 상부배향막 가장자리에는 불순물이온이 집중적으로 모여있게 되어 액정층의 유지율을 저하시키고 이는 액정배열을 변화시켜 무라를 발생시키는 문제점이 있다.In addition, the impurity ions are concentrated at the edge of the upper alignment layer, which is a low stepped portion where the sealant is formed, thereby lowering the retention of the liquid crystal layer, which causes a problem of changing the liquid crystal array.

따라서, 본 발명은 상기 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 배향막의 표면 또는 내부에 불순물 이온이 잔류하지 않도록 함으로써 화면표시불량을 방지할 수 있는 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems of the prior art, and to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same that can prevent screen display defects by preventing impurity ions from remaining on or inside the alignment layer. The purpose is.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시소자는, 제 1 절연기판의 상부에 형성된 서브컬러필터 및 블랙매트릭스와, 상기 서브컬러필터 및 블랙매트릭스 상부를 덮어 평탄화시키는 제 1 평탄화막과, 상기 제 1 평탄화막의 상부에 형성되어 한쪽에서 액정층에 전압을 인가하는 공통전극과, 엠보싱 형상의 표면을 갖는 제 1 배향막을 구비하는 제 1 기판; 상기 제 1 기판에 대향되게 배치된 제 2 기판으로서, 제 2 절연기판의 상부에 형성된 스위칭소자와, 상기 스위칭소자와 연결되어 다른 한쪽에서 상기 액정층에 전압을 인가하는 화소전극과, 상기 스위칭소자와 화소전극을 덮어 평탄화시키는 제 2 평탄화막과, 엠보싱 형상의 표면을 갖는 제 2 배향막을 구비하는 제 2 기판; 및 상기 제 1 기판과 제 2 기판의 가장자리에 구비되는 실란트에 의해 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 봉인된 액정층;을 포함하며, 상기 제 1 배향막과 제 2 배향막은 그 가장자리에서 상기 액정층을 봉인하기 위한 실란트와 오버랩되지 않도록 상기 실란트 형성 영역 이전 까지만 형성된 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device including: a subcolor filter and a black matrix formed on an upper portion of a first insulating substrate, a first planarization film covering and planarizing an upper portion of the subcolor filter and a black matrix; A first substrate formed on the first planarization film and having a common electrode for applying a voltage to the liquid crystal layer on one side thereof, and a first alignment film having an embossed surface; A second substrate disposed opposite the first substrate, the switching element formed on the second insulating substrate, a pixel electrode connected to the switching element to apply a voltage to the liquid crystal layer on the other side, and the switching element And a second planarization film covering and planarizing the pixel electrode, and a second substrate including a second alignment film having an embossed surface; And a liquid crystal layer sealed between the first substrate and the second substrate by sealants provided at edges of the first substrate and the second substrate, wherein the first alignment layer and the second alignment layer have the liquid crystal at their edges. It is characterized in that it is formed only before the sealant forming region so as not to overlap with the sealant for sealing the layer.

또한, 본 발명에 따른 액정표시소자의 제조방법은 제 1 절연기판의 상부에 서브컬러필터 및 블랙매트릭스를 형성하는 단계; 상기 서브컬러필터 및 블랙매트릭스 상부에 제 1 평탄화막을 형성하는 단계; 상기 제 1 평탄화막의 상부에 한쪽에서 액정층에 전압을 인가하기 위한 공통전극을 형성하는 단계; 상기 공통전극 상부에 실란트와 오버랩되지 않도록 상기 실란트 형성 영역 이전까지 엠보싱 형상의 표면을 갖는 제 1 배향막을 형성하는 단계; 상기 제 1 절연기판에 대향되게 배치된 제 2 절연기판의 상부에 스위칭소자를 형성하는 단계; 상기 스위칭소자와 연결되어 다른 한쪽에서 액정층에 전압을 인가하기 위한 화소전극을 형성하는 단계; 상기 스위칭소자와 화소전극의 상부에 제 2 평탄화막을 형성하는 단계; 상기 제 2 평탄화막 상부에 실란트와 오버랩되지 않도록 상기 실란트 형성 영역 이전까지 엠보싱 형상의 표면을 갖는 도전성의 제 2 배향막을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 절연기판과 제 2 절연기판 사이에 상기 제 1 절연기판과 제 2 절연기판의 가장자리에 구비되는 실란트를 봉지제로 이용해서 액정층을 주입하는 단계;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다. In addition, the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the present invention comprises the steps of forming a sub-color filter and a black matrix on the first insulating substrate; Forming a first planarization layer on the sub-color filter and the black matrix; Forming a common electrode on one side of the first planarization layer to apply a voltage to the liquid crystal layer; Forming a first alignment layer on the common electrode, the first alignment layer having an embossed surface until the sealant forming region so as not to overlap with the sealant; Forming a switching device on an upper portion of the second insulating substrate disposed to face the first insulating substrate; Forming a pixel electrode connected to the switching element to apply a voltage to the liquid crystal layer on the other side; Forming a second planarization layer on the switching element and the pixel electrode; Forming a conductive second alignment layer having an embossed surface before the sealant forming region so as not to overlap with the sealant on the second planarization film; And injecting a liquid crystal layer between the first insulating substrate and the second insulating substrate using a sealant provided at edges of the first insulating substrate and the second insulating substrate as an encapsulant.

(실시예)(Example)

이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 액정표시소자 및 그 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same according to the present invention.

도 2를 참조하여 본 발명에 따른 액정표시소자 및 그 제조방법을 설명하면 다음과 같다.Referring to FIG. 2, a liquid crystal display and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described.

본 발명에 따른 액정표시소자는 여러 종류의 소자들이 형성된 두장의 상하부기판(200)(100)이 서로 대응되게 배열되어 있고, 상기 두 장의 기판(100)(200)사이에 액정층(400)이 끼워진 형태로 위치하고 있다.In the liquid crystal display according to the present invention, two upper and lower substrates 200 and 100 having various kinds of elements are arranged to correspond to each other, and the liquid crystal layer 400 is disposed between the two substrates 100 and 200. It is located in a fitted form.

상기 상부기판(200)은 컬러필터와 블랙매트릭스가 구성된 컬러필터 기판이고, 상기 하부기판(100)은 박막트랜지스터와 화소전극이 구성된 어레이기판이다.The upper substrate 200 is a color filter substrate composed of a color filter and a black matrix, and the lower substrate 100 is an array substrate composed of a thin film transistor and a pixel electrode.

먼저, 어레이기판(100)을 설명하면, 하부절연기판(120)상에 박막트랜지스터(140)를 형성하고 상기 박막트랜지스터(140)의 드레인전극(미도시)과 연결되는 화소전극(160)을 형성한 후 상기 결과물의 상부에 표면을 평탄화하기 위해 투명한 유기물질을 도포하여 평탄화막(180)을 형성한다.First, referring to the array substrate 100, the thin film transistor 140 is formed on the lower insulating substrate 120, and the pixel electrode 160 connected to the drain electrode (not shown) of the thin film transistor 140 is formed. After that, a planarization layer 180 is formed by applying a transparent organic material to planarize the surface of the resultant.

이때, 상기 화소전극(160)은 인듐-틴-옥사이드(Indium-Tin-Oxide : ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명전도성 금속을 사용한다.In this case, the pixel electrode 160 uses a transparent conductive metal having a relatively high transmittance of light, such as indium tin oxide (ITO).

또한, 상기 평탄화막(180)은 후속의 배향막과의 계면에서 1㎛ 이상의 깊이를 갖는 엠보싱 형상의 표면을 갖는다. 여기서, 상기 엠보싱 형상의 깊이는 엠보싱의 오목한 부위의 꼭지점과 볼록한 부위의 꼭지점 간의 높이 차를 나타내며, 이하에서사용되는 동일한 표현은 모두 같은 의미를 갖는다. In addition, the planarization film 180 has an embossed surface having a depth of 1 μm or more at an interface with a subsequent alignment film. Here, the depth of the embossed shape represents the height difference between the vertex of the concave portion and the convex portion of the embossed portion, the same expression used below all have the same meaning.

그 다음, 상기 평탄화막(180)의 상부에 폴리이미드(polyimid)와 같은 투명한 고분자물질을 도포하여 배향막(190)을 형성한다. 상기 배향막(190)은, 도시된 바와 같이, 상기 액정층을 봉인하기 위한 실란트(300)와 오버랩되지 않도록 상기 실란트(300) 이전 까지만 형성하며 소정방향으로 러빙방향(rubbing direction)이 정의되어 액정의 배향특성을 결정한다.Next, an alignment layer 190 is formed by coating a transparent polymer material such as polyimide on the planarization layer 180. As illustrated, the alignment layer 190 is formed only before the sealant 300 so as not to overlap with the sealant 300 for sealing the liquid crystal layer, and a rubbing direction is defined in a predetermined direction so that the alignment layer 190 The orientation characteristic is determined.

이때, 상기 배향막(190)은 액정층과의 계면과 상기 배향막(190)의 계면에서 1㎛ 이상의 깊이를 갖는 엠보싱 형상의 표면을 갖는다. 상기 배향막(190)은 도전성이기 때문에 액정내의 불순물 이온을 캡쳐하여 액정내에서의 부유를 방지한다. 여기서, 상기 배향막(190)이 도전 특성을 나타내는 것은 배향막을 구성하는 고분자막 내에 알칼리 금속 이온과 같은 전도성 도펀트가 함유됨으로써 가능해진다. In this case, the alignment layer 190 has an embossed surface having a depth of 1 μm or more at the interface with the liquid crystal layer and the interface of the alignment layer 190. Since the alignment layer 190 is conductive, impurity ions in the liquid crystal are captured to prevent floating in the liquid crystal. Here, the alignment film 190 can exhibit conductive properties by containing a conductive dopant such as an alkali metal ion in the polymer film constituting the alignment film.

또한, 상기 배향막(190)을 형성하기 전에 자외선을 이용한 세정공정을 추가로 수행할 수도 있으며, 상기 배향막(190)의 러빙 후에 전기적 세정공정을 수행할 수도 있다.In addition, before the alignment layer 190 is formed, a cleaning process using ultraviolet rays may be further performed, and an electrical cleaning process may be performed after the rubbing of the alignment layer 190.

여기서, 상기 배향막(190), 상기 평탄화막(180) 및 상기 화소전극(160)의 두께 합이 700Å 이하의 얇은 두께로 형성되도록 하여 불순물이온의 캡쳐를 원만하게 한다.Here, the sum of the thicknesses of the alignment layer 190, the planarization layer 180, and the pixel electrode 160 is formed to have a thin thickness of 700 μm or less, thereby facilitating the capture of impurity ions.

그 다음, 상기 배향막(190)이 형성된 투명한 하부절연기판(120)의 하부에 하부 편광판(미도시)이 형성된다. Next, a lower polarizer (not shown) is formed under the transparent lower insulating substrate 120 on which the alignment layer 190 is formed.

이어서, 컬러필터기판(200)을 설명하면, 상부절연기판(220)상에는 상기 화소전극(160)에 대응하여 서브컬러필터(적,녹,청)(240)를 형성하고, 상기 화소전극(160)사이에 대응하는 영역에 블랙매트릭스(250)를 형성한 후 상기 결과물의 상부에 표면을 평탄화하기 위해 투명한 유기물질을 도포하여 평탄화막(over coating film)(260)을 형성한다.Next, referring to the color filter substrate 200, a sub color filter (red, green, blue) 240 is formed on the upper insulating substrate 220 to correspond to the pixel electrode 160, and the pixel electrode 160 is formed. After forming the black matrix 250 in the region corresponding to the ()) to form a planarization film (over coating film) 260 by applying a transparent organic material on the top of the resultant to planarize the surface.

상기 블랙매트릭스는 1㎛ 이상의 깊이를 갖는 엠보싱 형상의 표면을 갖는다.The black matrix has an embossed surface having a depth of 1 μm or more.

그 다음, 상기 평탄화막(260)상에 공통전극(280)을 형성한 후 폴리이미드(polyimid)와 같은 투명한 고분자물질을 도포하여 배향막(290)을 형성한다. 상기 배향막(290)은 소정방향으로 러빙방향이 정의되어 액정의 배향특성을 결정한다.Next, after forming the common electrode 280 on the planarization layer 260, an alignment layer 290 is formed by coating a transparent polymer material such as polyimide. The alignment layer 290 has a rubbing direction defined in a predetermined direction to determine the alignment characteristic of the liquid crystal.

이때, 상기 배향막(290)은 액정층과 접하는 계면에서 1㎛ 이상의 깊이를 갖는 엠보싱 형상의 표면을 가지며, 또한 상기 배향막(290)의 가장자리에서 상기 액정층을 봉인하기 위한 실란트(300)와 오버랩되지 않도록 상기 실란트(300) 이전 까지만 형성함으로써, 종래의 상대적으로 단차가 낮은 부분인 배향막 가장자리로 인해 발생하던 세정공정시 불순물 이온이 집중할 가능성을 원천적으로 방지하게 되어 화면불량을 방지하게 된다. In this case, the alignment layer 290 has an embossed surface having a depth of 1 μm or more at an interface in contact with the liquid crystal layer, and does not overlap with the sealant 300 for sealing the liquid crystal layer at the edge of the alignment layer 290. By only forming the sealant 300 before the sealant 300, the possibility of concentration of impurity ions during the cleaning process, which is caused by the edge of the alignment layer, which is a relatively low level of the conventional step, is prevented.

삭제delete

또한, 상기 배향막(290)과 블랙매트릭스(250)는 도전성이기 때문에 공통전극(280)과 배향막(290)은 전기적으로 접촉하며 액정층내 불순물 이온을 캡쳐하여 액정내에서의 부유를 방지함으로써 화면품위를 향상시키게 된다. 여기서, 상기 배향막(290)이 도전 특성을 나타내는 것은 배향막을 구성하는 고분자막 내에 알칼리 금속 이온과 같은 전도성 도펀트가 함유됨으로써 가능해진다. In addition, since the alignment layer 290 and the black matrix 250 are conductive, the common electrode 280 and the alignment layer 290 electrically contact each other and capture impurity ions in the liquid crystal layer to prevent floating in the liquid crystal. Will be improved. In this case, the alignment film 290 exhibits conductive properties by containing a conductive dopant such as an alkali metal ion in the polymer film constituting the alignment film.

여기서, 상기 배향막(290), 상기 평탄화막(260) 및 상기 공통전극(280)의 두 께 합이 700Å 이하의 얇은 두께로 형성되도록 함으로써 불순물이온의 캡쳐를 원만하게 한다.Here, the sum of the thicknesses of the alignment layer 290, the planarization layer 260, and the common electrode 280 is formed to have a thin thickness of 700 μm or less, thereby smoothly capturing impurity ions.

또한, 상기 배향막(290)을 형성하기 전에 자외선을 이용한 세정공정을 추가로 수행할 수도 있으며, 상기 배향막(290)의 러빙 후에 전기적 세정공정을 수행할 수도 있다.In addition, before the alignment layer 290 is formed, a cleaning process using ultraviolet rays may be further performed, and an electrical cleaning process may be performed after the rubbing of the alignment layer 290.

이어서, 상기 배향막(290)이 형성된 상부절연기판(220)의 상부에 상부 편광판(미도시)이 형성된다.Subsequently, an upper polarizer (not shown) is formed on the upper insulating substrate 220 on which the alignment layer 290 is formed.

그 다음, 상부기판(200)과 하부기판(100) 사이에 액정을 주입하여 액정층(400)을 형성한 후 이를 봉인하기 위한 실란트(300)를 형성한다.Next, a liquid crystal is injected between the upper substrate 200 and the lower substrate 100 to form the liquid crystal layer 400 and then sealant 300 is formed to seal the liquid crystal layer 400.

이때, 열경화성 수지를 이용한 주입구를 봉합할때에는 액정을 주입한 후 상하부기판의 열결화성 수지 주입구를 자외선 조사하여 봉합할 수 도 있다.In this case, when the injection hole using the thermosetting resin is sealed, the liquid crystal may be injected and then sealed by UV irradiation of the thermosetting resin injection hole of the upper and lower substrates.

상술한 바와 같이, 본 발명은 상하부 배향막을 도전성 물질로 형성하되, 상하부배향막을 액정층을 봉인하기 위한 실란트와 오버랩되지 않도록 상기 실란트 이전 까지만 형성함으로써, 실란트와 배향막간의 오버랩에 지역에서의 불순물 집중을 방지하고 배향막의 표면 또는 내부에 불순물 이온이 잔류하지 않도록 함으로써 화면표시불량을 개선할 수 있다. As described above, the present invention forms the upper and lower alignment layers with a conductive material, but forms the upper and lower alignment layers only before the sealant so as not to overlap with the sealant for sealing the liquid crystal layer, thereby concentrating impurities in the region in the overlap between the sealant and the alignment layer. It is possible to improve display defects by preventing impurities and remaining impurity ions on the surface or inside of the alignment layer.

또한, 전극 일부를 배향막에 직접 콘택 또는 전기인가함으로써, 전극이 절연막으로 배향막과 절연되는 경우 보다 화면불량(무라)을 억제할 수 있다는 효과가 있다.Further, by directly contacting or applying a portion of the electrode to the alignment film, there is an effect that the screen defect (mura) can be suppressed more than when the electrode is insulated from the alignment film with the insulating film.

또한, 자외선 조사에 의한 수지의 경화시켜 액정주입구를 봉합함으로써 불순물 이온을 줄여 화면불량을 억제할 수 있다는 효과가 있다. In addition, there is an effect that the screen defect can be suppressed by reducing impurity ions by curing the resin by ultraviolet irradiation and sealing the liquid crystal inlet.                     

한편, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.On the other hand, the present invention is not limited to the above-described specific preferred embodiments, and various changes can be made by those skilled in the art without departing from the gist of the invention claimed in the claims. will be.

Claims (25)

제 1 절연기판의 상부에 형성된 서브컬러필터 및 블랙매트릭스와, 상기 서브컬러필터 및 블랙매트릭스 상부를 덮어 평탄화시키는 제 1 평탄화막과, 상기 제 1 평탄화막의 상부에 형성되어 한쪽에서 액정층에 전압을 인가하는 공통전극과, 엠보싱 형상의 표면을 갖는 제 1 배향막을 구비하는 제 1 기판;A sub-color filter and a black matrix formed on the first insulating substrate, a first planarization film covering and flattening the sub-color filter and the black matrix, and a voltage formed on the liquid crystal layer from one side of the first planarization film. A first substrate having a common electrode to be applied and a first alignment film having an embossed surface; 상기 제 1 기판에 대향되게 배치된 제 2 기판으로서, 제 2 절연기판의 상부에 형성된 스위칭소자와, 상기 스위칭소자와 연결되어 다른 한쪽에서 상기 액정층에 전압을 인가하는 화소전극과, 상기 스위칭소자와 화소전극을 덮어 평탄화시키는 제 2 평탄화막과, 엠보싱 형상의 표면을 갖는 제 2 배향막을 구비하는 제 2 기판; 및 A second substrate disposed opposite the first substrate, the switching element formed on the second insulating substrate, a pixel electrode connected to the switching element to apply a voltage to the liquid crystal layer on the other side, and the switching element And a second planarization film covering and planarizing the pixel electrode, and a second substrate including a second alignment film having an embossed surface; And 상기 제 1 기판과 제 2 기판의 가장자리에 구비되는 실란트에 의해 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 봉인된 액정층;을 포함하며, And a liquid crystal layer sealed between the first substrate and the second substrate by sealants provided at edges of the first substrate and the second substrate. 상기 제 1 배향막과 제 2 배향막은 그 가장자리에서 상기 액정층을 봉인하기 위한 실란트와 오버랩되지 않도록 상기 실란트 형성 영역 이전 까지만 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.And the first alignment layer and the second alignment layer are formed only before the sealant forming region so as not to overlap the sealant for sealing the liquid crystal layer at the edge thereof. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 배향막은 도전성 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자. The liquid crystal display device of claim 1, wherein the first and second alignment layers are formed of a conductive material. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 배향막의 엠보싱 형상은 상기 액정층과의 계면에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the embossed shape of the first alignment layer is formed at an interface with the liquid crystal layer. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 배향막의 엠보싱 형상은 상기 액정층과의 계면 및 상기 제 2 평탄화막과의 계면에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the embossed shape of the second alignment layer is formed at an interface with the liquid crystal layer and at an interface with the second planarization film. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기판의 블랙매트릭스는 도전성 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자. The liquid crystal display device of claim 1, wherein the black matrix of the first substrate is formed of a conductive material. 제 1 항에 있어서, 상기 블랙매트릭스는 엠보싱 형상의 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the black matrix has an embossed surface. 제 1 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 엠보싱 형상은 엠보싱의 오목한 부위의 꼭지점과 볼록한 부위의 꼭지점 간의 높이 차가 적어도 1㎛ 인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.The liquid crystal display device according to claim 1 or 8, wherein the embossed shape has a height difference of at least 1 µm between a vertex of a concave portion of the embossed portion and a vertex of the convex portion. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 평탄화막은 상기 제 2 배향막과의 계면에 엠보 싱 형상을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the second planarization film has an embossed shape at an interface with the second alignment film. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 배향막, 상기 제 1 평탄화막 및 상기 공통전극의 두께 합이 700Å 이하의 얇은 두께인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the sum of the thicknesses of the first alignment layer, the first planarization layer, and the common electrode is a thin thickness of 700 GPa or less. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 배향막, 상기 제 2 평탄화막 및 상기 화소전극의 두께 합이 700Å 이하의 얇은 두께인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the sum of the thicknesses of the second alignment film, the second planarization film, and the pixel electrode is a thin thickness of 700 m or less. 제 1 절연기판의 상부에 서브컬러필터 및 블랙매트릭스를 형성하는 단계; Forming a sub-color filter and a black matrix on the first insulating substrate; 상기 서브컬러필터 및 블랙매트릭스 상부에 제 1 평탄화막을 형성하는 단계; Forming a first planarization layer on the sub-color filter and the black matrix; 상기 제 1 평탄화막의 상부에 한쪽에서 액정층에 전압을 인가하기 위한 공통전극을 형성하는 단계;Forming a common electrode on one side of the first planarization layer to apply a voltage to the liquid crystal layer; 상기 공통전극 상부에 실란트와 오버랩되지 않도록 상기 실란트 형성 영역 이전까지 엠보싱 형상의 표면을 갖는 제 1 배향막을 형성하는 단계; Forming a first alignment layer on the common electrode, the first alignment layer having an embossed surface until the sealant forming region so as not to overlap with the sealant; 상기 제 1 절연기판에 대향되게 배치된 제 2 절연기판의 상부에 스위칭소자를 형성하는 단계;Forming a switching device on an upper portion of the second insulating substrate disposed to face the first insulating substrate; 상기 스위칭소자와 연결되어 다른 한쪽에서 액정층에 전압을 인가하기 위한 화소전극을 형성하는 단계;Forming a pixel electrode connected to the switching element to apply a voltage to the liquid crystal layer on the other side; 상기 스위칭소자와 화소전극의 상부에 제 2 평탄화막을 형성하는 단계;Forming a second planarization layer on the switching element and the pixel electrode; 상기 제 2 평탄화막 상부에 실란트와 오버랩되지 않도록 상기 실란트 형성 영역 이전까지 엠보싱 형상의 표면을 갖는 제 2 배향막을 형성하는 단계; 및Forming a second alignment layer on the second planarization layer, the second alignment layer having an embossed surface until the sealant forming region so as not to overlap with the sealant; And 상기 제 1 절연기판과 제 2 절연기판 사이에 상기 제 1 절연기판과 제 2 절연기판의 가장자리에 구비되는 실란트를 봉지제로 이용해서 액정층을 주입하는 단계;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.Injecting a liquid crystal layer between the first insulating substrate and the second insulating substrate using a sealant provided at edges of the first insulating substrate and the second insulating substrate as an encapsulant; Method of manufacturing the device. 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 배향막을 형성하기 전에 자외선을 이용한 세정공정을 수행하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.The method of claim 13, further comprising performing a cleaning process using ultraviolet rays before forming the first and second alignment layers. 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 배향막의 러빙 후에 전기적 세정공정을 수행하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.The method of claim 13, further comprising performing an electrical cleaning process after rubbing the first and second alignment layers. 삭제delete 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 배향막은 도전성 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.The method of claim 13, wherein the first and second alignment layers are formed of a conductive material. 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 배향막의 엠보싱 형상은 상기 액정층과의 계 면에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.The method of claim 13, wherein the embossed shape of the first alignment layer is formed on an interface with the liquid crystal layer. 제 13 항에 있어서, 상기 제 2 배향막의 엠보싱 형상은 상기 액정층과의 계면 및 상기 제 2 평탄화막과의 계면에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.The method of claim 13, wherein the embossed shape of the second alignment layer is formed at an interface with the liquid crystal layer and at an interface with the second planarization film. 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 절연기판의 블랙매트릭스는 도전성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.The method of claim 13, wherein the black matrix of the first insulating substrate is formed of a conductive material. 제 13 항에 있어서, 상기 블랙매트릭스는 엠보싱 형상의 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.The method of claim 13, wherein the black matrix has an embossed surface. 제 13 항 또는 제 21 항에 있어서, 상기 엠보싱 형상은 엠보싱의 오목한 부위의 꼭지점과 볼록한 부위의 꼭지점 간의 높이 차가 적어도 1㎛ 인 것을 특징으로 하는 액정표시방법.22. The liquid crystal display method according to claim 13 or 21, wherein the embossed shape has a height difference of at least 1 [mu] m between the vertex of the concave portion and the convex portion of the embossed portion. 제 13 항에 있어서, 상기 제 2 평탄화막은 상기 제 2 배향막과의 계면에 엠보싱 형상을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.The method of claim 13, wherein the second planarization film has an embossed shape at an interface with the second alignment film. 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 배향막, 상기 제 1 평탄화막 및 상기 공통전극의 두께 합이 700Å 이하의 얇은 두께인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제 조방법.The method of claim 13, wherein the sum of the thicknesses of the first alignment layer, the first planarization layer, and the common electrode is a thin thickness of 700 m3 or less. 제 13 항에 있어서, 상기 제 2 배향막, 상기 제 2 평탄화막 및 상기 화소전극의 두께 합이 700Å 이하의 얇은 두께인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.The method of claim 13, wherein the sum of the thicknesses of the second alignment layer, the second planarization layer, and the pixel electrode is a thin thickness of 700 m3 or less.
KR1020030017036A 2003-03-19 2003-03-19 Liquid crystal display and manufacturing method therefor KR100687335B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030017036A KR100687335B1 (en) 2003-03-19 2003-03-19 Liquid crystal display and manufacturing method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030017036A KR100687335B1 (en) 2003-03-19 2003-03-19 Liquid crystal display and manufacturing method therefor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040082493A KR20040082493A (en) 2004-09-30
KR100687335B1 true KR100687335B1 (en) 2007-02-27

Family

ID=37366270

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030017036A KR100687335B1 (en) 2003-03-19 2003-03-19 Liquid crystal display and manufacturing method therefor

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100687335B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101348760B1 (en) * 2007-01-20 2014-01-08 삼성디스플레이 주식회사 Liquid crystal display panel having ion trap structure and liquid crystal display

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040082493A (en) 2004-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100427500B1 (en) Liquid crystal display unit and process for fabrication thereof
US9417485B2 (en) Liquid crystal display device
US6801293B1 (en) Method for manufacturing an in-plane electric field mode liquid crystal element
US20110156039A1 (en) Display apparatus and method for manufacturing the same
US20220004050A1 (en) Display module and assembling method thereof
KR101274715B1 (en) Thin film transistor substrate and method of fabricating the same
US20080062363A1 (en) Process and structure of liquid crystal panel with one drop fill
KR101007207B1 (en) Manufacturing of liquid crystal display device substrate
KR100687335B1 (en) Liquid crystal display and manufacturing method therefor
US11347092B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US11073719B2 (en) Liquid crystal display panel and method for fabricating same
CN107918232A (en) A kind of display base plate and display device
TW589498B (en) Structure of liquid crystal display
US20040201812A1 (en) Structure of liquid crystal display
CN114035362B (en) Liquid crystal display panel and display device
KR100710150B1 (en) Liquid crystal display device
KR20080051231A (en) Liquid crystal display panel
KR100675929B1 (en) Method of manufacturing a color filter substrate of a fringe field switching mode liquid crystal display device
KR20070055196A (en) Thin film transistor substrate, color filter substrate and liquid crystal display having the same
KR20080060397A (en) Liquid crystal display device
KR101108338B1 (en) Liquid crystal display and fabricating method thereof
JP5492326B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
KR100632729B1 (en) Method for liquid crystal display panel
KR20040107029A (en) Liquid crystal display panel and method for manufacturing the same
KR20040034977A (en) liquid crystal panel including step compensated pattern

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130107

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140116

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150116

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170119

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180118

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200128

Year of fee payment: 14