KR100684874B1 - Mass Flow Controller and Method Operating it - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조에 많이 사용되는 질량 유량 제어기(mass flow controller)에 관한 것으로, 본 발명의 질량 유량 제어기는 유입구과 유출구를 갖는 그리고 메인공정 처리시에 가스가 흐르는 메인유로와, 상기 메인유로의 양단에 연결되어 퍼지공정 처리시에만 가스가 흐르는 퍼지유로를 갖는 몸체; 상기 메인유로상에 설치되어 상기 메인유로상의 가스 유량을 감지하여 제공하는 센서; 상기 메인유로로 흐르는 가스 유량을 제어하는 컨트롤 밸브; 상기 퍼지유로에 설치되는 개폐 밸브; 및 상기 센서에서 제공되는 가스 유량 및 제공되는 유압 데이터에 대응되도록 상기 컨트롤 밸브를 조절하고, 퍼지공정 처리시에는 상기 개폐밸브를 개방하는 조절 신호를 제공하는 제어부를 포함한다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mass flow controller that is widely used in semiconductor manufacturing. The mass flow controller of the present invention has an inlet and an outlet and a main flow path through which gas flows during the main process, and both ends of the main flow path. A body having a purge flow path connected to the gas flow only during the purge process; A sensor installed on the main flow path for sensing and providing a gas flow rate on the main flow path; A control valve controlling a flow rate of gas flowing into the main channel; An on / off valve installed in the purge passage; And a control unit for adjusting the control valve so as to correspond to the gas flow rate and the hydraulic data provided from the sensor, and providing a control signal for opening the on / off valve during the purge process.

Description

질량 유량 제어기 및 그것의 동작방법{Mass Flow Controller and Method Operating it}Mass Flow Controller and Method of Operation

도 1은 2개의 질량 유량 제어기가 설치된 가스 공급 라인을 보여주는 도면;1 shows a gas supply line with two mass flow controllers;

도 2는 본 발명의 바람직한 실시에에 따른 질량 유량 제어기를 설명하기 위한 개략적인 단면도;2 is a schematic cross-sectional view for explaining a mass flow controller according to a preferred embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 바람직한 실시에에 따른 질량 유량 제어기의 동작방법을 설명하기 위한 플로우챠트;3 is a flowchart for explaining a method of operating a mass flow controller according to a preferred embodiment of the present invention;

도 4a는 본 발명의 바람직한 실시에에 따른 질량 유량 제어기에서 메인유로로의 가스 흐름을 보여주는 도면;4A shows a gas flow from a mass flow controller to a main flow in accordance with a preferred embodiment of the present invention;

도 4b는 본 발명의 바람직한 실시에에 따른 질량 유량 제어기에서 퍼지유로로의 가스 흐름을 보여주는 도면이다. Figure 4b is a view showing the gas flow from the mass flow controller to the purge passage in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

110 : 몸체110: body

112 : 메인유로112: main euro

116 : 퍼지유로116: purge euro

120 : 센서120: sensor

130 : 컨트롤밸브130: control valve

140 : 개폐밸브140: on-off valve

150 : 오리피스150: orifice

본 발명은 반도체 제조 장비(semiconductor processing equipment)에 관한 것으로서, 구체적으로는 질량 유량 제어기(mass flow controller)및 그것의 동작방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor processing equipment, and more particularly, to a mass flow controller and a method of operating the same.

메탈 콘텍(Metal Contact;MC), 비아(via) 공정을 진행하는 공정설비는 폴리머 데포션(polymer Deposition)으로 인한 품질 저하 및 설비 가동률 저하를 방지하기 위해 정기적으로(85시간) 공정챔버를 퍼지하는 PM을 실시하고 있다. Process equipment that performs metal contact (MC) and via processes purges the process chamber regularly (85 hours) in order to prevent quality degradation due to polymer deposition and equipment utilization. PM is performed.

도 1에 도시된 바와 같이, 공정설비(10)에서는 산소(O2)가스를 공정처리용과 공정챔버(18) 퍼지용으로 사용하고 있으며, 공정처리에 사용되는 산소가스의 용량은 20sccm이하로 아주 작은 양이 사용되고, 폴리머 제거를 위한 퍼지(청소나 기타의 목적으로 밸브를 열어서 많은 유량을 흘려보냄)에 사용되는 산소가스의 용량은 500sccm이상으로 아주 많은 양이 사용된다. 따라서, 동일한 산소가스를 가지고 공정에 사용되는 용량과 퍼지에 사용되는 용량의 차이로 인해 부득이하게 두 개로 질량유량제어기(14,16)를 사용하고 있는 실정이다. As shown in FIG. 1, in the process facility 10, oxygen (O 2) gas is used for the process treatment and the process chamber 18 purge, and the capacity of the oxygen gas used for the process process is very small, 20 sccm or less. The amount is used, and the amount of oxygen gas used to purge the polymer (open the valve for cleaning or other purposes to flow a large flow rate) is very large amount of more than 500sccm. Therefore, two mass flow controllers 14 and 16 are inevitably used due to the difference between the capacity used for the process and the capacity used for the purge with the same oxygen gas.

상술한 바와 같이, 공정처리와 퍼지에 동일한 가스를 사용하는 반도체 공정 설비에서는 공정처리 모드시에 가스 유량을 제어하는 질량유량제어기(14)와 퍼지공 정 모드시에 가스 유량을 제어하는 질량유량제어기(16)를 함께 사용하여야 하기 때문에, 각각의 용도에 적합한 질량유량제어기를 구성하여야 하는 불편함이 있었으며, 이로 인해 장비 구성에 따른 비용이 많이 소요되는 문제점이 있었다. As described above, in the semiconductor processing equipment using the same gas for the process and purge, the mass flow controller 14 for controlling the gas flow rate in the process processing mode and the mass flow controller for controlling the gas flow rate in the purge process mode. Since (16) must be used together, there was an inconvenience in configuring a mass flow controller suitable for each use, and therefore, there was a problem in that the cost of the equipment configuration was high.

본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 메인공정 모드에서 필요한 미세용량 제어와, 퍼지공정 모드에서 필요한 대용량 제어가 가능한 새로운 형태의 질량 유량 제어기 및 그것의 동작방법을 제공하는데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a conventional problem, and an object thereof is to provide a new type of mass flow controller capable of controlling the microcapacity required in the main process mode, and the large-capacity control required in the purge process mode, and an operation method thereof. have.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 질량 유량 제어기는 유입구과 유출구를 갖는 그리고 메인공정 처리시에 가스가 흐르는 메인유로와, 상기 메인유로의 양단에 연결되어 퍼지공정 처리시에만 가스가 흐르는 퍼지유로를 갖는 몸체; 상기 메인유로상에 설치되어 상기 메인유로상의 가스 유량을 감지하여 제공하는 센서; 상기 메인유로로 흐르는 가스 유량을 제어하는 컨트롤 밸브; 상기 퍼지유로에 설치되는 개폐 밸브; 및 상기 센서에서 제공되는 가스 유량 및 제공되는 유압 데이터에 대응되도록 상기 컨트롤 밸브를 조절하고, 퍼지공정 처리시에는 상기 개폐밸브를 개방하는 조절 신호를 제공하는 제어부를 포함한다.The mass flow controller of the present invention for achieving the above object has a main flow passage having an inlet and an outlet and a gas flowing in the main process, and a purge flow in which the gas flows only during the purge process, connected to both ends of the main flow path. Having a body; A sensor installed on the main flow path for sensing and providing a gas flow rate on the main flow path; A control valve controlling a flow rate of gas flowing into the main channel; An on / off valve installed in the purge passage; And a control unit for adjusting the control valve so as to correspond to the gas flow rate and the hydraulic data provided from the sensor, and providing a control signal for opening the on / off valve during the purge process.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 질량 유량 제어기는 상기 퍼지유로로 일정한 가스유량이 흐르도록 상기 퍼지에 설치되는 오리피스를 더 포함한다.In an embodiment of the present invention, the mass flow controller further includes an orifice installed in the purge so that a constant gas flow rate flows into the purge flow path.

본 발명의 질량 유량 제어기의 동작방법은 퍼지공정 모드 또는 메인공정 모 드를 설정하는 단계 인지 확인하는 단계; 퍼지공정 모드 상태이면, 상기 메인유로를 닫고 상기 퍼지유로를 개방하여 정량의 가스가 흐르도록 하는 단계; 메인공정 모드 상태이면, 상기 퍼지유로를 닫고 상기 메인유로상의 유량을 체크하여, 그 체크된 유량값을 기설정된 유량값과 비교해서 상기 메인유로상으로 기설정된 유량값이 흐르도록 메인유로에 설치된 컨트롤밸브를 제어하는 단계를 포함한다.The operation method of the mass flow controller of the present invention comprises the steps of: setting a purge process mode or a main process mode; Closing the main flow path and opening the purge flow to allow a quantity of gas to flow when in a purge process mode; In the main process mode, the purge flow path is closed and the flow rate on the main flow path is checked, and the control is installed in the main flow path so that the predetermined flow rate value flows on the main flow path by comparing the checked flow rate value with a preset flow rate value. Controlling the valve.

예컨대, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. For example, the embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. These examples are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of the elements in the drawings and the like are exaggerated to emphasize a clearer description.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 2 내지 도 4b에 의거하여 상세히 설명한다. 또, 상기 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4B. In addition, in the drawings, the same reference numerals are denoted together for components that perform the same function.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 질량 유량 제어기를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 질량 유량 제어기의 동작방법을 설명하기 위한 플로우챠트이다. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a mass flow controller according to a preferred embodiment of the present invention. 3 is a flowchart illustrating a method of operating a mass flow controller according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 질량 유량 제어기(100)는 바이패스부(114)를 갖는 메인유로(112)와 상기 메인유로(112)를 우회하는 퍼지유로(116)를 갖는 몸체(110)를 갖는다. 상기 메인유로(112)에는 가스 질량 유량을 감지하는 센서(120)와, 상기 메인유로로 흐르는 가스의 유량을 제어하는 컨트롤밸브(130)(예를 들면, 솔레노 이드 밸브)가 설치되며, 상기 퍼지유로(116)에는 개폐밸브(140)와, 퍼지유로로 일정량 이상의 가스가 흐르지 않도록 가스 흐름양을 제한하는 역할을 하는 오리피스(orifice)(150)가 설치된다. 상기 컨트롤밸브(130)와 개폐밸브(140)는 제어부(160)에 의해 제어되는데, 제어부(160)는 기설정된 값과 센서(120)에서 감지된 값을 비교하여 그 비교 결과에 따라 컨트롤 밸브(130)를 조절하게 된다. 그리고, 퍼지공정 모드의 경우, 상기 제어부(160)는 상기 컨트롤밸브(130)를 닫고 상기 개폐밸브(140)를 개방하여, 상기 퍼지유로를 통해 많은 양의 가스(대략 퍼지 공정의 경우 1000-2000sccm)가 흐르도록 한다.2 and 3, the mass flow controller 100 has a main body 112 having a bypass portion 114 and a body 110 having a purge flow passage 116 bypassing the main flow passage 112. Has The main flow path 112 is provided with a sensor 120 for sensing a gas mass flow rate, and a control valve 130 (for example, a solenoid valve) for controlling the flow rate of the gas flowing into the main flow path. The purge flow passage 116 is provided with an on-off valve 140 and an orifice 150 that limits the amount of gas flow so that a predetermined amount or more of gas does not flow into the purge flow passage. The control valve 130 and the opening and closing valve 140 is controlled by the controller 160, the control unit 160 compares the preset value and the value detected by the sensor 120 and the control valve (according to the comparison result) 130). And, in the purge process mode, the control unit 160 closes the control valve 130 and opens the on-off valve 140, a large amount of gas through the purge passage (1000-2000sccm in the case of the purge process ) Flows.

상기 메인유로(112)에는 바이패스부(114)가 상기 몸체의 유입구에 인접하게 위치되며, 샘플튜브(115)는 상기 메인유로(112)와 연결된다. 구체적으로, 샘플튜브(115)는 상기 바이패스부(114)의 유입단과 인접하는 부분과 바이패스부의 유출단과 인접하는 부분 사이를 연결하며, 상기 바이패스부(114)를 통과하는 기체를 샘플링한다. The main passage 112 has a bypass portion 114 located adjacent to the inlet of the body, the sample tube 115 is connected to the main passage 112. Specifically, the sample tube 115 is connected between the portion adjacent to the inlet end of the bypass portion 114 and the portion adjacent to the outlet end of the bypass portion, and samples the gas passing through the bypass portion 114. .

상기 센서(120)는 금속제 등으로 이루어지는 상기 샘플튜브(115)에 감겨져 설치되는 감지코일을 포함한다. 상기 센서(120)는 전압이 인가되면 자기발명 저항체에 의해 가열이 되어, 샘플튜브(115)를 통해 흐르는 가스의 흐름에 따라 감지코일의 양측에서 발생하는 온도차를 감지하여 그 값을 제어부(160)로 출력한다. The sensor 120 includes a sensing coil wound and installed on the sample tube 115 made of metal or the like. The sensor 120 is heated by a magnetic invention resistor when a voltage is applied, detects the temperature difference generated at both sides of the sensing coil in accordance with the flow of gas flowing through the sample tube 115, the controller 160 controls the value Will output

상기 컨트롤밸브(130)는 센서(120)로부터 입력되는 가스 흐름에 의한 온도차의 값을 토대로 질량유량 제어기를 통해서 흐르는 가스의 실제 질량 유량을 측정하는 제어부(160)의 제어에 따라 가스의 유량을 조절하게 된다. The control valve 130 adjusts the flow rate of the gas according to the control of the controller 160 for measuring the actual mass flow rate of the gas flowing through the mass flow controller based on the value of the temperature difference by the gas flow input from the sensor 120 Done.

상기 개폐밸브(140)는 상기 제어부(160)로부터의 제어신호에 의해 상기 퍼지유로(116)를 개폐하며, 상기 퍼지유로(116)로 흐르는 가스는 상기 오리피스(150)에 의해 정량이 흐르게 된다. The open / close valve 140 opens and closes the purge flow path 116 according to a control signal from the control unit 160, and the gas flowing into the purge flow path 116 flows by the orifice 150.

상기 제어부(160)는 메인공정 모드인지 퍼지공정인지를 파악하고(s10), 메인공정인 경우에는 개폐밸브를 닫은 상태에서 메인유로상으로 기설정된 유량이 흐르도록 컨트롤밸브(130)를 조절하게 된다(s30). 만약, 퍼지공정 모드로 변경되면, 상기 메인유로를 닫고, 가스가 퍼지유로를 통해 흐르도록 개폐밸브(140)를 오픈하게 된다(s20). The controller 160 determines whether the main process mode or the purge process (s10), and in the case of the main process, adjusts the control valve 130 so that a predetermined flow rate flows on the main flow path in a state in which the open / close valve is closed. (s30). If it is changed to the purge process mode, the main passage is closed, and the on / off valve 140 is opened to allow gas to flow through the purge passage (S20).

예컨대, 반도체 공정에서 산소가스가 메인공정과 퍼지공정에 모두 사용되는 경우, 메인공정 모드에서는 적은 유량(예를 들어 5내지20sccm)의 산소가스를 공급해야하고, 챔버퍼지를 위한 퍼지공정 모드에서는 많은 유량(예를 들어 1000내지 2000sccm)의 산소가스를 공급해야 된다. 기존에는 질량 유량 제어기를 따로 따로 설치하여 사용해야 하지만, 본 발명의 질량 유량 제어기는 하나만으로 메인공정에 필요한 미세용량 제어와 퍼지공정에 필요한 대용량 제어가 가능하다. 참고적으로, 질량 유량 제어기가 제어 가능한 유체의 질량 유량의 최대값(full scale)은 바이패스부(120)의 용량에 따라 결정됨으로, 본 발명에서는 상기 바이패스부의 최대값이 약 5-20sccm인 것을 사용할 수 있으며, 상기 오리피스의 유량은 1000 내지 2000sccm인 것을 사용할 수 있다.For example, when oxygen gas is used in both the main process and the purge process in the semiconductor process, a small flow rate (for example, 5 to 20 sccm) of the oxygen gas must be supplied in the main process mode, and in the purge process mode for the chamber purge, Oxygen gas must be supplied at a flow rate (eg 1000 to 2000 sccm). Conventionally, the mass flow controller must be separately installed and used, but the mass flow controller of the present invention is capable of controlling the microcapacity required for the main process and the large capacity control required for the purge process. For reference, the maximum value of the mass flow rate of the fluid that can be controlled by the mass flow controller (full scale) is determined according to the capacity of the bypass unit 120. In the present invention, the maximum value of the bypass unit is about 5-20 sccm. It may be used, the flow rate of the orifice may be used that is 1000 to 2000sccm.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 메인공정 모드에서의 가스 흐름은 메인유로(112)를 통해 흐르고, 퍼지공정 모드에서의 가스 흐름은 퍼지유로(116)를 통해 흐 르게 된다. 퍼지공정 모드에서는 정밀도를 요하지 않으므로 오리피스(150)를 설치하여 가스가 일정량 이상으로 흐르지 않도록 하였다. 4A and 4B, the gas flow in the main process mode flows through the main flow path 112, and the gas flow in the purge process mode flows through the purge flow path 116. Since the precision is not required in the purge process mode, the orifice 150 is installed to prevent the gas from flowing over a predetermined amount.

이상에서, 본 발명에 따른 질량 유량 제어기의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다. In the above, the configuration and operation of the mass flow controller according to the present invention is shown in accordance with the above description and drawings, but this is merely an example, and various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Of course.

이와 같은 본 발명에 의하면, 본 발명에 따른 질량 유량 제어기는 하나의 질량 유량 제어기를 사용하여 일반적인 메인공정 모드에서 필요한 미세용량 제어와, 퍼지공정 모드에서 필요한 대용량 제어가 가능함으로, 제조비용을 절감할 수 있다.
According to the present invention, the mass flow controller according to the present invention is capable of controlling the microcapacity required in the general main process mode and the large capacity control required in the purge process mode by using one mass flow controller, thereby reducing manufacturing costs. Can be.

Claims (3)

반도체 제조에 사용되는 가스의 유량을 조절하는 질량 유량 제어기에 있어서:In a mass flow controller that regulates the flow rate of gas used in semiconductor manufacturing: 유입구과 유출구를 갖는 그리고 메인공정 처리시에 가스가 흐르는 메인유로와, 상기 메인유로의 양단에 연결되어 퍼지공정 처리시에만 가스가 흐르는 퍼지유로를 갖는 몸체;A body having an inlet and an outlet and a main flow path through which gas flows during the main process processing, and a purge flow path connected to both ends of the main flow path and flowing gas only during the purge process processing; 상기 메인유로상에 설치되어 상기 메인유로상의 가스 유량을 감지하여 제공하는 센서; A sensor installed on the main flow path for sensing and providing a gas flow rate on the main flow path; 상기 메인유로로 흐르는 가스 유량을 제어하는 컨트롤 밸브; A control valve controlling a flow rate of gas flowing into the main channel; 상기 퍼지유로에 설치되는 개폐 밸브;An on / off valve installed in the purge passage; 상기 센서에서 제공되는 가스 유량 및 제공되는 유압 데이터에 대응되도록 상기 컨트롤 밸브를 조절하고, 퍼지공정 처리시에는 상기 개폐밸브를 개방하는 조절 신호를 제공하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 사용되는 질량 유량 제어기.And controlling the control valve to correspond to the gas flow rate and the hydraulic data provided from the sensor, and providing a control signal for opening the on / off valve during the purge process. Mass flow controller. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유량 제어기는The flow controller 상기 퍼지유로로 일정한 가스유량이 흐르도록 상기 퍼지에 설치되는 오리피스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 사용되는 질량 유량 제어기.And a orifice installed in the purge so that a constant gas flow rate flows into the purge flow path. 메인공정 모드에 사용되는 메인유로와, 퍼지공정 모드에 사용되는 퍼지유로를 갖는 질량유량 제어기의 동작방법에 있어서:In a method of operating a mass flow controller having a main flow path used in the main process mode and a purge flow path used in the purge process mode: 퍼지공정 모드 또는 메인공정 모드를 설정하는 단계 인지 확인하는 단계;Determining whether to set a purge process mode or a main process mode; 퍼지공정 모드 상태이면, 상기 메인유로를 닫고 상기 퍼지유로를 개방하여 정량의 가스가 흐르도록 하는 단계;Closing the main flow path and opening the purge flow to allow a quantity of gas to flow when in a purge process mode; 메인공정 모드 상태이면, 상기 퍼지유로를 닫고 상기 메인유로상의 유량을 체크하여, 그 체크된 유량값을 기설정된 유량값과 비교해서 상기 메인유로상으로 기설정된 유량값이 흐르도록 메인유로에 설치된 컨트롤밸브를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징을 하는 질량 유량 제어기의 동작방법.In the main process mode, the purge flow path is closed and the flow rate on the main flow path is checked, and the control is installed in the main flow path so that the predetermined flow rate value flows on the main flow path by comparing the checked flow rate value with a preset flow rate value. And controlling the valve.
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