KR100684581B1 - pointing device - Google Patents

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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

본 발명은 포인팅 입력장치(pointing input device)에 관한 것으로, 특히 포인팅 입력장치에 구성하는 이미지 감지소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pointing input device and, more particularly, to an image sensing device constituting a pointing input device.

이미지 감지소자로 충격에 약한 고가의 센서 반도체 소자를 사용하는 대신 빛을 받으면 광전류를 유발하여 위치를 신호화하는 센서 박막트랜지스터(sensor-TFT)를 사용하여, 상기 포인팅 입력장치에 구성함으로써 보다 저렴하고 충격에 강한 제품을 생산할 수 있다.


Instead of using an expensive sensor semiconductor device that is susceptible to shock as an image sensing device, it is cheaper to configure the pointing input device by using a sensor thin film transistor (sensor-TFT) which induces a photocurrent to signal a position when light is received. It can produce shock-resistant products.


Description

포인팅 장치{pointing device} Pointing device             

도 1은 종래의 포인팅 장치를 도시한 도면이고,1 is a view showing a conventional pointing device,

도 2는 본 발명에 따른 광 감지소자의 일부 화소를 도시한 평면도이고,2 is a plan view showing some pixels of the photosensitive device according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 광 감지소자를 이용한 이미지 검출방법을 도시한 단면도이고,3 is a cross-sectional view showing an image detection method using a photosensitive device according to the present invention;

도 4a 내지 도 4d는 도 2의 Ⅲ-Ⅲ를 따라 절단하여 공정순서에 따라 도시한 단면도이다.
4A through 4D are cross-sectional views taken along line III-III of FIG. 2 and shown in a process sequence.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

120 : 스위칭 드레인 전극 122 : 센서 드레인 전극  120: switching drain electrode 122: sensor drain electrode

139 : 배광장치 150 : 광감지 어레이 기판  139: light distribution device 150: photosensitive array substrate

T : 스위칭 박막트랜지스터 S : 센서 박막트랜지스터   T: Switching Thin Film Transistor S: Sensor Thin Film Transistor

C : 스토리지 커패시터 W : 윈도우
C: storage capacitor W: window

본 발명은 포인팅 입력장치에 관한 것으로, 특히 이미지 감지소자로서 센서 박막트랜지스터를 이용한 포인트 입력장치(point input device)에 관한 것이다.The present invention relates to a pointing input device, and more particularly, to a point input device using a sensor thin film transistor as an image sensing device.

포인트 입력장치는 위치를 알리는 소정의 수단(예를 들면 볼)을 구비하여, 광 또는 전극을 이용하여 위치를 감지하고 이를 반도체 센서에 전달하여 신호화하는 방법을 이용하여 이미지를 화면으로 출력하는 장치이다.The point input device is provided with a predetermined means (for example, a ball) for indicating a position, and outputs an image to a screen by using a method of sensing a position using light or an electrode and transmitting the signal to a semiconductor sensor for signaling. to be.

대표적인 포인트 입력장치로는 휴대용 컴퓨터에 구비되는 트랙볼(track ball)이나 볼 마우스(ball mouse)등을 들 수 있으며, 이들 포인팅 입력장치들은 모두 볼을 이용하여 위치정보를 발생하고 이를 컴퓨터 시스템에 출력한다. Representative point input devices include a track ball or a ball mouse provided in a portable computer. All of these pointing input devices generate position information using a ball and output it to a computer system. .

좀더 상세히 설명하면, 상기 트랙볼이나 마우스 볼을 굴리면 상기 마우스의 회전방향에 따라 연속적으로 회전바가 움직이게 되며, 이러한 회전바의 일 측에 위치하고, 광을 반사하고 흡수하는 영역으로 나뉘어진 소정의 수단에 광을 조사하여, 상기 회전바의 움직임에 따라 반사되는 빛을 센서 반도체에서 감지하여, 감지된 빛의 강도에 따라 서로 다른 신호 파형을 만들게 된다.In more detail, when the track ball or the mouse ball is rolled, the rotation bar continuously moves according to the rotation direction of the mouse. The light is located on one side of the rotation bar and is divided into an area that reflects and absorbs light. By detecting the light reflected by the movement of the rotation bar in the sensor semiconductor, to create a different signal waveform according to the intensity of the detected light.

상기 신호파형은 외부의 논리회로를 통해 판단되어 위치정보화 되고, 컴퓨터 시스템은 이러한 위치정보를 받아들여서 이에 대응하여 화상표시 장치의 화면상 커서를 이동하거나 이미지를 구현 하도록 한다.The signal waveform is determined by an external logic circuit to be position information, and the computer system receives the position information and correspondingly moves the cursor on the screen of the image display device or implements an image.

또 다른 방법은 상기 트랙볼이나 마우스볼에 직접 패턴을 제작하여 상기 패턴에 따라 달라지는 신호 파형을 검출하여 위치정보를 얻는 것이다.Another method is to produce a pattern directly on the track ball or the mouse ball to detect a signal waveform that depends on the pattern to obtain position information.

이에 대해서는 이하, 도 1을 참조하여 자세히 설명한다. This will be described below in detail with reference to FIG. 1.                         

도 1은 종래의 포인팅 장치를 도시한 도면이다.1 is a view showing a conventional pointing device.

도시한 바와 같이, 포인팅장치(31)는 반사패턴(A)이 구성된 볼(33)과, 상기 볼의 반사패턴(A)에서 반사된 빛을 검출하는 센서 반도체소자로 구성된 광검출 기판(35)과, 상기 볼을 비추는 포토다이오드(photo - diode)(37)와, 상기 센서 반도체에 만들어진 신호를 받아 위치를 감지하는 마이크로 컴퓨터(micro computer)(39)로 이루어진다.As shown in the drawing, the pointing device 31 includes a ball 33 having a reflection pattern A, and a photodetecting substrate 35 including a sensor semiconductor element for detecting light reflected from the reflection pattern A of the ball. And a photo-diode 37 for illuminating the ball, and a micro computer 39 for sensing a position by receiving a signal generated by the sensor semiconductor.

상기 볼(33)표면의 반사패턴(A)의 형상과 크기는 불규칙하며, 볼의 구르는 위치에 따라 상기 불규칙한 면적을 가지는 패턴들에 의해 조사된 빛의 강도가 달리지게 되므로 볼(33)의 구르는 위치를 감지하기 쉬워진다. Since the shape and size of the reflective pattern A on the surface of the ball 33 are irregular, the intensity of the light irradiated by the patterns having the irregular area varies depending on the rolling position of the ball 33. The location becomes easier to detect.

이때, 상기 발광 다이오드(37)는 서로 평행하지 않은 제 1 측과 제 2 측에 위치하여 상기 볼의 표면을 비추게 된다. At this time, the light emitting diodes 37 are positioned on the first and second sides that are not parallel to each other to illuminate the surface of the ball.

상기 제 1 측과 제 2 측에서 상기 볼(33)의 반사패턴(A)에 의해 반사된 빛은 서로 다른 강도를 가지며, 이러한 빛은 반도체소자인 광 감지센서에 의해 감지되어 광전류를 유발하게 되고, 이러한 광전류는 상기 마이크로 컴퓨터(39)로 전달된다.The light reflected by the reflective pattern A of the ball 33 on the first side and the second side has different intensities, and the light is detected by a photo sensor which is a semiconductor device to induce a photocurrent. This photocurrent is delivered to the microcomputer 39.

상기 마이크로 컴퓨터(39)는 상기 광검출 기판(35)에 구성된 반도체 센서에서 입력된 신호를 디지털 신호화하여 컴퓨터(41)로 출력한다. 결과적으로 상기 컴퓨터(41)의 표시장치에는 상기 볼이 움직이는 방향대로 이미지가 표현된다.The microcomputer 39 digitalizes a signal input from a semiconductor sensor configured on the photodetecting substrate 35 and outputs the signal to the computer 41. As a result, an image is displayed on the display device of the computer 41 in the direction in which the ball moves.

이와 같은 방법으로 포인팅장치를 구성할 수 있다.In this way, the pointing device can be configured.

그러나, 전술한 바와 같은 구성은 이미지를 감지하는 수단으로 반도체 소자를 구성하여 사용하므로 공정 상 매우 복잡함은 물론 제조비용이 상당히 높은 단점 을 가지고 있으며 또한, 기판으로 사용되는 실리콘 웨이퍼(Si wafer)가 충격에 쉽게 파손되는 단점이 있다.
However, the above-described configuration has a disadvantage in that the semiconductor device is used as a means for sensing an image, and thus the manufacturing cost is very complicated and the manufacturing cost is very high. Also, the silicon wafer used as the substrate is impacted. There is a disadvantage in that it is easily broken.

전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 제조가격이 저렴하고 충격에 강한 소자를 사용한 포인팅 입력장치를 제조하는데 그 목적이 있다.
The present invention for solving the problems described above is to manufacture a pointing input device using a low cost and strong impact element manufacturing.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 포인팅 입력장치는, 화소가 정의된 광 감지 기판과; 상기 화소의 제 1 모서리에 설치되는 센서 박막트랜지스터와; 상기 제 1 모서리와 대각선 방향의 상기 화소의 제 2 모서리에 설치되는 스위칭 박막트랜지스터와; 상기 스위칭 박막 트랜지스터와 대향하는 상기 화소의 일변에 상기 센서 박막 트랜지스터와 인접하여 설치되는 윈도우 영역과; 상기 화소 상에 상기 윈도우 영역, 상기 센서 박막 트랜지스터, 및 상기 스위칭 박막 트랜지스터와 인접하며, 불투명 도전성 금속으로 형성되는 스토리지 캐패시터와; 표면에 반사패턴이 구성된 피사체와; 상기 광 감지 기판과 연결되고, 상기 광 감지기판에서 출력된 광전류를 입력받아 이미지 신호를 컴퓨터에 전달하는 논리회로;를 포함한다.A pointing input device according to the present invention for achieving the above object comprises: a photosensitive substrate on which pixels are defined; A sensor thin film transistor disposed at a first corner of the pixel; A switching thin film transistor disposed at a second corner of the pixel in a diagonal direction with the first corner; A window region provided adjacent to the sensor thin film transistor on one side of the pixel facing the switching thin film transistor; A storage capacitor adjacent to the window region, the sensor thin film transistor, and the switching thin film transistor on the pixel and formed of an opaque conductive metal; A subject having a reflection pattern formed on a surface thereof; And a logic circuit connected to the photosensitive substrate and receiving the photocurrent output from the photodetector plate and transferring the image signal to a computer.

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상기 센서 박막트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극과 광전류를 유발하는 액티브층을 포함한다.The sensor thin film transistor includes a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, and an active layer for inducing a photocurrent.

상기 액티브층은 수소를 포함하는 비정질실리콘으로 구성하는 것을 특징으로 한다.The active layer is characterized by consisting of amorphous silicon containing hydrogen.

상기 스위칭 박막트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극과 액티브층을 포함한다.The switching thin film transistor includes a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, and an active layer.

이때, 스위칭 박막트랜지스터의 상부에 구성되고 빛을 막아주는 차폐막을 더욱 포함한다.At this time, the switching thin film transistor further comprises a shielding film configured to block light.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세히 설명한다.
Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration of the present invention.

-- 실시예 --Example

본 실시예는 이미지 감지소자로 박막트랜지스터형 광 감지소자를 이용하여 포인팅 입력장치를 구성하는 방법을 제안한다.The present embodiment proposes a method of configuring a pointing input device using a thin film transistor type photosensitive device as an image sensing device.

상기 박막트랜지스터형 광 감지소자에 포함되는 센서 박막트랜지스터는 제 1, 제 2, 제 3 전극과 액티브채널(active channel)로 구성되며, 상기 액티브 채널은 빛을 받으면 광전류를 유발하는 특성을 가진다.The sensor thin film transistor included in the thin film transistor type photosensitive device includes a first channel, a second electrode, a third electrode, and an active channel, and the active channel has a characteristic of inducing a photocurrent upon receiving light.

이하, 도 2를 참조하여 자세히 설명한다.Hereinafter, a detailed description will be given with reference to FIG. 2.

도 2는 박막트랜지스터형 광 감지소자의 일부 화소를 도시한 확대 평면도이다.2 is an enlarged plan view illustrating some pixels of a thin film transistor type photosensitive device.

도시한 바와 같이, 박막트랜지스터형 광 감지소자는 빛을 받아들이는 윈도우(W)와, 상기 윈도우(W)를 통해 출사하여 피사체(미도시)에 반사된 빛을 감지하여 전류를 발생하는 센서 박막트랜지스터(S)와, 상기 센서 박막트랜지스터에서 발생한 광 전류를 저장하는 스토리지-커패시터(C)와, 상기 스토리지-커패시터(C)에 저장된 신호를 외부의 논리회로(logic circuit)에 전달하도록 하는 스위칭 박막트랜지스터(T)로 구성된다.As shown, the thin film transistor type photodetector includes a window W receiving light and a sensor thin film transistor generating current by sensing light reflected from a subject (not shown) emitted through the window W. (S), a storage capacitor (C) for storing the optical current generated in the sensor thin film transistor, and a switching thin film transistor for transmitting a signal stored in the storage capacitor (C) to an external logic circuit. It consists of (T).

상기 스위칭소자(T)는 스위칭 게이트전극(114)과 스위칭 소스전극(118) 및 스위칭 드레인전극(120)으로 구성되며, 상기 센서 박막트랜지스터(T)는 센서 게이트전극(116)과 센서 소스전극(124)및 센서 드레인전극(122)으로 구성된다.The switching device T includes a switching gate electrode 114, a switching source electrode 118, and a switching drain electrode 120. The sensor thin film transistor T includes a sensor gate electrode 116 and a sensor source electrode ( 124 and the sensor drain electrode 122.

상기 스토리지-커패시터(C)는 스토리지 제 1 전극(140)과 스토리지 제 2 전극(141)으로 구성된다.The storage capacitor C includes a storage first electrode 140 and a storage second electrode 141.

상기 센서 박막트랜지스터(S)와 스위칭소자(T)는 동시에 구성되며, 상기 두 소자의 액티브채널(126,128)은 비정질 실리콘(a-Si:H)을 이용하여 형성한다.The sensor thin film transistor S and the switching device T are configured simultaneously, and the active channels 126 and 128 of the two devices are formed using amorphous silicon (a-Si: H).

상기 비정질 실리콘은 실리콘에 수소이온이 결합된 구조로서, 실리콘과 수소는 결합력이 약하기 때문에, 빛을 받으면 상기 수소이온은 실리콘으로부터 쉽게 떨어져 나와 여기 된다.The amorphous silicon is a structure in which hydrogen ions are bonded to silicon, and since silicon and hydrogen have a weak bonding force, the hydrogen ions are easily separated from the silicon when excited by light.

따라서, 상기 비정질 실리콘의 표면은 상기 여기된 수소이온에 의해 광전류가 흐르게 된다.Therefore, the photocurrent flows on the surface of the amorphous silicon by the excited hydrogen ions.

이와 같은 원리를 이용하여 본 발명에 따른 광센서를 구성할 수 있다. 이하, 도 3을 참조하여 센서 박막트랜지스터를 이용한 본 발명에 따른 포인팅 입력장치의 동작특성을 알아본다.Using this principle it is possible to configure the optical sensor according to the present invention. Hereinafter, an operation characteristic of the pointing input device according to the present invention using the sensor thin film transistor will be described with reference to FIG. 3.

도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ`를 따라 절단한 단면을 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along line III-III ′ of FIG. 2.

본 발명에 따른 포인팅 입력장치는 크게, 광원인 배광장치(139)와 상기 배광장치 상부에 형성된 센서 박막트랜지스터(T)와 스위칭 박막트랜지스터(S)와 스토리지 커패시터(C)와 윈도우(W)가 구성된 센서 어레이기판(150)과 상기 센서 어레이기판(150)의 상부를 움직이는 피사체(123)로 구성한다.The pointing input device according to the present invention includes a light distribution device 139 which is a light source, a sensor thin film transistor T, a switching thin film transistor S, a storage capacitor C, and a window W formed on the light distribution device. The sensor array substrate 150 and the upper portion of the sensor array substrate 150 are composed of a moving object 123.

도시하지는 않았지만, 상기 스위칭 박막트랜지스터(T)와 연결되고, 상기 스 위칭 박막트랜지스터(T)로 부터 전하의 형태인 이미지정보를 읽어들여 위치를 감지하는 논리회로(미도시)가 구성된다.Although not shown, a logic circuit (not shown) connected to the switching thin film transistor T and sensing position by reading image information in the form of electric charge from the switching thin film transistor T is configured.

상기 센서 어레이기판(150)은 전술한 바와 같은 윈도우(W)와 센서 박막트랜지스터(S)와 스위칭 박막트랜지스터(T)와 스토리지-커패시터(C)가 구성된 화소가 매트릭스 형태(matrix type)로 구성된 것이다.The sensor array substrate 150 includes a matrix in which the window W, the sensor thin film transistor S, the switching thin film transistor T, and the storage-capacitor C are formed as described above. .

상기 윈도우(W)는 화소의 임의의 위치에 구성되며, 기판(111)의 하부에 구성된 배광장치(back-light)(139)로 부터 출사한 빛은 상기 윈도우(W)를 통해 출사하게 된다.The window W is formed at an arbitrary position of the pixel, and the light emitted from the back-light 139 configured under the substrate 111 is emitted through the window W.

상기 스위칭 드레인 전극(120)과 상기 센서 드레인 전극(122)은 상기 스토리지-커패시터(C)를 구성하는 제 2 전극(141)의 양측에 동시에 구성되어, 상기 센서 드레인전극(122)은 상기 센서 박막트랜지스터(S)에서 발생한 광전류(photo-current)를 상기 스토리지-커패시터(C)로 축적하는 역할을 한다. The switching drain electrode 120 and the sensor drain electrode 122 are simultaneously configured on both sides of the second electrode 141 constituting the storage capacitor C, and the sensor drain electrode 122 is formed of the sensor thin film. The photo-current generated in the transistor S is accumulated in the storage capacitor C.

상기 스위칭소자의 드레인전극(122)은 상기 스토리지-커패시터(C)에 축적된 전하를 외부의 논리회로(미도시)에 출력하는 역할을 한다.The drain electrode 122 of the switching device outputs the charge accumulated in the storage capacitor C to an external logic circuit (not shown).

이때, 실시간의 움직임을 검출하는 알고리즘을 적용하여 상기, 볼 또는 손가락과 같은 피사체의 움직임에 따른 이미지를 화면상에 보이도록 할 수 있다.In this case, an algorithm for detecting real-time movement may be applied to display an image according to the movement of the subject such as the ball or the finger on the screen.

이하, 도 4a 내지 도 4d를 참조하여 본 발명에 따른 광감지 소자의 제조공정을 간략히 설명한다. (본 실시예에서는 역 스태거드형 박막트랜지스터를 예를 들어 설명한다.)Hereinafter, a manufacturing process of the photosensitive device according to the present invention will be briefly described with reference to FIGS. 4A to 4D. (In this embodiment, an inverted staggered thin film transistor will be described as an example.)

먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이 기판(111) 상에 불투명한 도전성금속을 증 착하고 패턴하여, 스위칭 게이트전극(114)과 센서 게이트전극(116)을 형성함과 동시에 스토리지 제 1 전극(140)을 형성한다.First, as illustrated in FIG. 4A, an opaque conductive metal is deposited and patterned on the substrate 111 to form the switching gate electrode 114 and the sensor gate electrode 116, and at the same time, the storage first electrode 140. To form.

다음으로, 상기 스토리지 제 1 전극(140)이 구성된 기판(111)의 전면에 질화실리콘(SiNx)과 산화실리콘(SiO2)등이 포함된 무기절연물질 또는 벤조-사이클로-부텐(BCB)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)등이 포함된 유기절연물질 중 선택된 하나를 증착 또는 도포하여 제 1 절연층(143)을 형성하고 연속하여, 비정질 실리콘(a-Si;H)을 증착하여 반도체층(125)을 형성한다.Next, an inorganic insulating material or benzo-cyclo-butene (BCB) including silicon nitride (SiN x ), silicon oxide (SiO 2 ), and the like on the entire surface of the substrate 111 including the storage first electrode 140. A first insulating layer 143 is formed by depositing or applying a selected one of an organic insulating material containing an acrylic resin or the like, and subsequently, depositing amorphous silicon (a-Si; H) to form a semiconductor. Form layer 125.

다음으로, 반도체층(125)의 상부에 n+ 또는 p+의 불순물이 도핑된 불순물 반도체층(129)을 형성한다.Next, an impurity semiconductor layer 129 doped with an n + or p + impurity is formed on the semiconductor layer 125.

다음으로 도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 반도체층과 불순물 반도체층을 동시에 패턴하여, 상기 스위칭 게이트전극(114) 상부와 상기 센서 게이트전극(116)의 상부에 각각 아일랜드 형태의 스위칭 액티브층(126)과 센서 액티브층(128)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 4B, the semiconductor layer and the impurity semiconductor layer are simultaneously patterned to form island-type switching active layers 126 on the switching gate electrode 114 and the sensor gate electrode 116, respectively. ) And the sensor active layer 128 are formed.

다음으로 도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 액티브층이 구성된 기판의 전면에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)등의 도전성 금속을 증착하고 패턴하여, 스위칭 소스 및 스위칭 드레인 전극(118, 120)과, 센서 소스 및 센서 드레인 전극(124, 122)과, 상기 스위칭 드레인 전극(120)과 상기 센서 드레인 전극(122)에 연결되고, 상기 스토리지 제 1 전극(140)과는 상기 절연층(143)을 사이에 두고 평면적으로 겹쳐진 스토리지 제 2 전극(141)을 형성한다. Next, as illustrated in FIG. 4C, a conductive metal such as chromium (Cr), molybdenum (Mo), tungsten (W), and the like is deposited and patterned on the entire surface of the substrate on which the active layer is formed. 118 and 120, the sensor source and sensor drain electrodes 124 and 122, the switching drain electrode 120 and the sensor drain electrode 122, and the storage first electrode 140 and the insulation. The storage second electrode 141 overlapping the planar layer with the layer 143 interposed therebetween.                     

이와 같은 방법으로, 비로소 스위칭 박막트랜지스터(T)와 스토리지- 커패시터(C)와 윈도우(W)와 센서 박막트랜지스터(S)를 구성할 수 있다.In this way, the switching thin film transistor T, the storage-capacitor C, the window W, and the sensor thin film transistor S can be configured.

다음으로, 도 4d에 도시한 바와 같이, 상기 각 전극이 구성된 기판(111)의 전면에 전술한 절연물질을 증착 또는 도포하여 제 2 절연층(145)을 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 4D, the second insulating layer 145 is formed by depositing or applying the above-described insulating material on the entire surface of the substrate 111 having the electrodes.

다음으로, 상기 제 2 절연층(145)상에 불투명 금속 또는 고분자 물질을 증착 또는 도포한 후 패턴하여, 상기 스위칭 박막트랜지스터(T)의 액티브층(126)상에 차폐막(shield layer)(147)을 형성한다.Next, an opaque metal or polymer material is deposited or coated on the second insulating layer 145 and then patterned to form a shielding layer 147 on the active layer 126 of the switching thin film transistor T. To form.

상기 스위칭 박막트랜지스터(T)의 액티브층(126)을 빛으로부터 차폐하는 이유는 빛에 의해 형성된 광전류의 발생을 방지하기 위함이다.The reason for shielding the active layer 126 of the switching thin film transistor T from light is to prevent the generation of photocurrent formed by the light.

왜냐하면, 상기 광전류는 상기 스위칭 박막트랜지스터(T)에서 오프전류로 작용하기 때문에 스위칭소자의 동작특성을 저하하는 원인이 된다.Because the photocurrent acts as an off current in the switching thin film transistor T, it causes a deterioration of operating characteristics of the switching element.

전술한 바와 같은 방법으로 본 발명에 따른 포인팅 입력장치의 광 감지소자를 제작할 수 있다.
As described above, the photosensitive device of the pointing input device according to the present invention can be manufactured.

따라서, 본 발명은 포인팅 입력장치에 구성되는 광감지 소자로 비교적 공정이 간단한 센서 박막트랜지스터를 사용하기 때문에 제조비용을 절감할 수 있고, 기판을 웨이퍼가 아닌 비교적 강도가 높은 유리로 사용하기 때문에 충격에 매우 강한 장점이 있으므로, 제품의 수율을 개선하는 효과가 있다.Therefore, the present invention can reduce the manufacturing cost by using a sensor thin film transistor having a relatively simple process as a light sensing element configured in the pointing input device, and because the substrate is used as a glass of relatively high strength rather than a wafer, Since there is a very strong advantage, there is an effect to improve the yield of the product.

Claims (5)

화소가 정의된 광 감지 기판과;A photosensitive substrate on which pixels are defined; 상기 화소의 제 1 모서리에 설치되는 센서 박막트랜지스터와;A sensor thin film transistor disposed at a first corner of the pixel; 상기 제 1 모서리와 대각선 방향의 상기 화소의 제 2 모서리에 설치되는 스위칭 박막트랜지스터와;A switching thin film transistor disposed at a second corner of the pixel in a diagonal direction with the first corner; 상기 스위칭 박막 트랜지스터와 대향하는 상기 화소의 일변에 상기 센서 박막 트랜지스터와 인접하여 설치되는 윈도우 영역과;A window region provided adjacent to the sensor thin film transistor on one side of the pixel facing the switching thin film transistor; 상기 화소 상에 상기 윈도우 영역, 상기 센서 박막 트랜지스터, 및 상기 스위칭 박막 트랜지스터와 인접하며, 불투명 도전성 금속으로 형성되는 스토리지 캐패시터와;A storage capacitor adjacent to the window region, the sensor thin film transistor, and the switching thin film transistor on the pixel and formed of an opaque conductive metal; 표면에 반사패턴이 구성된 피사체와;A subject having a reflection pattern formed on a surface thereof; 상기 광 감지 기판과 연결되고, 상기 광 감지기판에서 출력된 광전류를 입력받아 이미지 신호를 컴퓨터에 전달하는 논리회로;A logic circuit connected to the photosensitive substrate and receiving an optical current output from the photodetector plate and transferring an image signal to a computer; 를 포함하는 포인팅 입력장치..Pointing input device comprising a .. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 센서 박막트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극과 광전류를 유발하는 액티브층을 포함하는 포인팅 입력장치.The sensor thin film transistor includes a gate electrode, a source electrode, a drain electrode and a pointing input device including an active layer for inducing a photocurrent. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 액티브층은 수소를 포함하는 비정질실리콘으로 구성한 포인팅 입력장치.The active layer is a pointing input device consisting of amorphous silicon containing hydrogen. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스위칭 박막트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극과 액티브층을 포함하는 포인팅 입력장치.The switching thin film transistor includes a gate electrode, a source electrode, a drain electrode and an active layer. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 스위칭 박막트랜지스터의 상부에 구성되고 빛을 막아주는 차폐막을 더욱 포함하는 포인팅 입력장치.And a shielding layer formed on the switching thin film transistor and blocking light.
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