KR100682921B1 - Semiconductor probe having piezoresistor with vertical PN junction - Google Patents

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Abstract

수직 PN접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침이 개시된다. 개시된 수직 PN 접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침은, 기판의 일측에서 연장된 캔티레버의 자유단에 형성된 팁과, 상기 캔티레버의 일면 상에 형성되어서 상기 캔티레버의 수직변형에 따라 저항이 변하는 수직 PN접합구조의 압전저항센서를 구비한다. 상기 PN접합 압전저항센서는: 상기 캔티레버의 일면에서 상기 캔티레버의 길이방향으로 n형불순물로 도핑된 n형 영역과, 상기 n형 영역의 표면에서 p형 불순물로 도핑된 p형 영역으로 이루어진 PN 접합구조를 구비한다. Disclosed is a semiconductor probe having a piezo-resistive sensor with a vertical PN junction structure. The semiconductor probe having the piezoelectric resistance sensor of the disclosed vertical PN junction structure has a tip formed at a free end of the cantilever extending from one side of the substrate, and is formed on one surface of the cantilever so that the resistance varies according to the vertical deformation of the cantilever. A piezoelectric resistance sensor having a PN junction structure is provided. The PN junction piezoelectric resistance sensor may include: a PN junction including a n-type region doped with n-type impurities in a length direction of the cantilever on one surface of the cantilever, and a p-type region doped with p-type impurities on the surface of the n-type region. It has a structure.

Description

수직 ＰＮ접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침{Semiconductor probe having piezoresistor with vertical PN junction}Semiconductor probe with piezoresistor with vertical PN junction

도 1은 종래의 압전저항센서를 구비한 SPM 탐침의 구조를 나타낸 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional SPM probe with a piezoelectric resistance sensor.

도 2는 도 1의 캔티레버의 상면을 도시한 평면도이다.FIG. 2 is a plan view illustrating an upper surface of the cantilever of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 탐침을 간략히 나타낸 단면도이다. 3 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor probe in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 평면도이다. 4 is a plan view of FIG. 3.

도 5는 본 발명에 따른 압전저항센서에서의 전류의 흐름을 설명하는 도면이다. 5 is a view for explaining the flow of current in the piezoelectric resistance sensor according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호설명** Description of Signs of Major Parts of Drawings *

110: 기판 120: 캔티레버110: substrate 120: cantilever

122: 팁 13O: 압전저항센서122: tip 13O: piezoresistive sensor

131: n 형 영역 132: p 형 영역131: n-type region 132: p-type region

133: 절연층 134~137: 도전성 플러그133: insulating layer 134 to 137: conductive plug

139; 연결부재 140: 전극 패드139; Connecting member 140: electrode pad

144: 배선 160: 전류계144: wiring 160: ammeter

본 발명은 반도체 탐침의 캔티레버의 수직변형을 측정하는 수직 PN접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor probe having a piezo-resistive sensor with a vertical PN junction structure for measuring the vertical deformation of the cantilever of the semiconductor probe.

오늘날 휴대용 통신 단말기, 전자 수첩등 소형 제품에 대한 수요가 증가함에 따라 초소형 고집적 비휘발성 기록매체의 필요성이 증가하고 있다. 기존의 하드 디스크는 소형화가 용이하지 아니하며, 플래쉬 메모리(flash memory)는 고집적도를 달성하기 어려우므로 이에 대한 대안으로 주사 탐침(Scanning probe)을 이용한 정보 저장 장치가 연구되고 있다. Today, as the demand for small products such as portable communication terminals and electronic notebooks increases, the necessity of ultra-compact high density nonvolatile recording media increases. Existing hard disks are not easy to miniaturize, and since flash memory is difficult to achieve high integration, an information storage device using a scanning probe has been studied as an alternative.

탐침은 여러 SPM(Scanning Probe Microscopy)기술에 이용된다. 예를 들어, 탐침과 시료 사이에 인가되는 전압차이에 따라 흐르는 전류를 검출하여 정보를 재생하는 주사관통현미경(Scanning Tunneling Microscope; STM), 탐침과 시료 사이의 원자적 힘을 이용하는 원자간력 현미경(Atomic Force Microscope; AFM), 시료의 자기장과 자화된 탐침간의 힘을 이용하는 자기력 현미경(Magnetic Force Microscope; MFM), 가시광선의 파장에 의한 해상도 한계를 개선한 근접장 주사 광학 현미경(Scanning Near-Field Optical Microscope; SNOM), 시료와 탐침간의 정전력을 이용한 정전력 현미경(Electrostatic Force Microscope;EFM) 등에 이용된다.Probes are used in many scanning probe microscopy (SPM) technologies. For example, a scanning tunneling microscope (STM) that detects a current flowing according to a voltage difference applied between a probe and a sample and reproduces information, and an atomic force microscope using atomic force between the probe and the sample ( Atomic Force Microscope (AFM), Magnetic Force Microscope (MFM) using the force between the magnetic field of the sample and the magnetized probe, Scanning Near-Field Optical Microscope with improved resolution limit due to the wavelength of visible light; SNOM), Electrostatic Force Microscope (EFM) using electrostatic force between sample and probe.

도 1은 종래의 압전저항센서를 구비한 SPM 탐침의 구조를 나타낸 단면도이며, 도 2는 도 1의 캔티레버의 상면을 도시한 평면도이다. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional SPM probe with a piezoelectric resistance sensor, Figure 2 is a plan view showing the top surface of the cantilever of FIG.

도 1 및 도 2를 함께 참조하면, 기판(10)의 일측으로부터 연장된 캔티레버(20)의 단에는 소정 형상의 팁(22)이 형성되어 있다. 캔티레버(20)의 일면에는 U자형의 압전저항을 측정하는 압전저항센서(30)가 형성되어 있다. 압전저항센서(30)의 양단은 각각 기판(10) 상의 전극패드(40)에 연결되어 있다. 상기 압전저항센서(30)는 상기 팁(22)이 저장매체 또는 표면 형상을 측정하는 대상물 등에 콘택시 캔티레버(20)의 수직 변형을 검출한다. 미도시된 전류계는 상기 압전저항센서(30)에 흐르는 저항의 변화(△R)를 측정한다. 상기 압전저항센서(30)의 감도는 저항의 변화율(△R/R0)에 좌우된다. 즉, 압전저항센서(30)의 저항변화(△R)가 일정하다면 오리지널 저항(R0)의 크기에 좌우된다. 종래의 탐침에서는 압전저항센서(30)가 폭이 좁은 캔티레버(20)의 일면에 U자형으로 형성되므로, 압전저항센서(30)의 폭(W)이 좁으며, 그 깊이도 낮으므로 자체의 저항(R0)이 커진다. 이에 따라서 압전저항센서(30)의 감도가 떨어지며, 제작이 어려운 문제가 발생된다. 1 and 2 together, a tip 22 having a predetermined shape is formed at the end of the cantilever 20 extending from one side of the substrate 10. On one surface of the cantilever 20, a piezoelectric resistance sensor 30 for measuring a U-shaped piezoelectric resistance is formed. Both ends of the piezoelectric resistance sensor 30 are connected to the electrode pads 40 on the substrate 10, respectively. The piezoelectric resistance sensor 30 detects the vertical deformation of the cantilever 20 when the tip 22 contacts the storage medium or the object on which the surface shape is measured. An ammeter not shown measures the change ΔR of the resistance flowing through the piezoelectric resistance sensor 30. The sensitivity of the piezoelectric resistance sensor 30 depends on the rate of change of resistance ΔR / R 0 . That is, if the resistance change ΔR of the piezoelectric resistance sensor 30 is constant, it depends on the size of the original resistor R 0 . In the conventional probe, since the piezoelectric resistance sensor 30 is formed in a U-shape on one surface of the narrow cantilever 20, the width W of the piezoelectric resistance sensor 30 is narrow and its depth is low so that its resistance is low. (R 0 ) becomes large. Accordingly, the sensitivity of the piezoelectric resistance sensor 30 is lowered, which causes a problem of difficulty in manufacturing.

본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 오리지널 저항의 크기를 감소시키고, 압전저항센서를 용이하게 제작할 수 있는 수직 PN접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침.을 제공하는 것이다. The technical problem to be achieved by the present invention is to improve the above-described problems of the prior art, a semiconductor probe having a piezo-resistive sensor of the vertical PN junction structure that can reduce the size of the original resistance, and can easily produce a piezo-resistive sensor To provide.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 수직 PN접합구조의 압전저항 센서를 구비한 반도체 탐침은: In order to achieve the above technical problem, a semiconductor probe having a piezoelectric resistance sensor having a vertical PN junction structure according to the present invention is:

기판의 일측에서 연장된 캔티레버;A cantilever extended from one side of the substrate;

상기 캔티레버의 자유단에 형성된 팁; 및A tip formed at the free end of the cantilever; And

상기 캔티레버의 일면 상에 형성되어서 상기 캔티레버의 수직변형에 따라 저항이 변하는 수직 PN접합구조의 압전저항센서;를 구비하는 것을 특징으로 한다. And a piezoelectric resistance sensor formed on one surface of the cantilever and having a vertical PN junction structure in which resistance is changed according to a vertical deformation of the cantilever.

상기 PN접합 압전저항센서는: The PN junction piezoresistive sensor is:

캔티레버의 일면에서 캔티레버의 길이방향으로 n형불순물로 도핑된 n형 영역; 상기 n형 영역의 표면에서 p형 불순물로 도핑된 p형 영역; An n-type region doped with n-type impurities in one longitudinal direction of the cantilever on one surface of the cantilever; A p-type region doped with a p-type impurity on the surface of the n-type region;

상기 캔티레버의 표면에서 상기 p형 영역에 서로 이격되게 연결되며, 상기 팁으로부터 형성된 제1 및 제2 도전성 플러그;First and second conductive plugs spaced apart from each other on the p-type region on the surface of the cantilever and formed from the tip;

상기 캔티레버의 표면에서 상기 n형 영역에서 상기 팁으로부터 각각 이격되게 형성된 제3 및 제4 도전성 플러그;Third and fourth conductive plugs formed on the surface of the cantilever and spaced apart from the tip in the n-type region;

상기 제1 도전성 플러그 및 상기 제3 도전성 플러그를 전기적으로 연결하는 연결부재; 및A connection member electrically connecting the first conductive plug and the third conductive plug; And

상기 제2 및 제4 도전성 플러그와 각각 전기적으로 연결된 전극패드;를 구비하는 것이 바람직하다. Preferably, the electrode pads are electrically connected to the second and fourth conductive plugs, respectively.

상기 p형 영역은, 붕소로 하이도핑될 수 있다. The p-type region may be high doped with boron.

상기 PN 접합 압전저항센서는 상기 캔티레버의 길이방향으로 형성된다. The PN junction piezoresistive sensor is formed in the longitudinal direction of the cantilever.

상기 제4 도전성 플러그 및 상기 제2 도전성 플러그에는 각각 양의 전압 및 음의 전압이 인가된다. A positive voltage and a negative voltage are applied to the fourth conductive plug and the second conductive plug, respectively.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 수직 PN접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침.을 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다. Hereinafter, a semiconductor probe having a piezoelectric resistance sensor of a vertical PN junction structure according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this process, the thicknesses of layers or regions illustrated in the drawings are exaggerated for clarity.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 탐침을 간략히 나타낸 단면도이며, 도 4는 도 3의 평면도이다. 3 is a cross-sectional view schematically illustrating a semiconductor probe according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a plan view of FIG. 3.

도 3 내지 도 4를 함께 참조하면, 실리콘 기판(110)의 일측으로부터 연장된 캔티레버(120)의 단에는 소정 형상의 팁(122)이 형성되어 있다. 캔티레버(120)의 일면에는 압전저항을 측정하는 압전저항센서(130)가 형성되어 있다. 상기 압전저항센서(130)는 상기 팁(122)이 저장매체 등에 콘택시 캔티레버(120)의 수직 변형에 따라 저항이 변하게 되며, 이에 따라서 수직변형이 검출된다. 이러한 저항의 변화는 전류계(160)로 측정될 수 있다. 3 to 4, a tip 122 having a predetermined shape is formed at the end of the cantilever 120 extending from one side of the silicon substrate 110. On one surface of the cantilever 120, a piezoelectric resistance sensor 130 for measuring piezoelectric resistance is formed. When the tip 122 contacts the storage medium or the like, the piezoelectric resistance sensor 130 changes resistance in accordance with the vertical deformation of the cantilever 120. Accordingly, the vertical deformation is detected. This change in resistance can be measured with an ammeter 160.

압전저항센서(130)는 캔티레버(120)의 표면에 형성된다. 즉, 실리콘 기판(110)의 (100)면에 n형 불순물, 예컨대 P를 도핑하여 n형 영역(131)을 소정 제1깊이(H1)로 형성하고, 이어서, 상기 n형 영역(131)에 상기 제1깊이(도 5의 H1) 보다 얕게 제2깊이(도 5의 H2)로 p형 불순물, 예컨대 B를 고농도, 예컨대 1019 원자/㎤ 이상으로 도핑하여 p형 영역(132)을 형성한다. 이때 n형 영역(131) 및 p형 영역(132)의 길이방향이 <110> 방향으로 형성한다. 상기 p형 영역(132)은 상기 n형 영역(131)보다 <110> 방향에서 짧게 형성되며, 따라서 p형 영역(132) 뿐만 아니라 n 형 영역(131)도 기판(110)에서 노출되게 형성한다. The piezoelectric resistance sensor 130 is formed on the surface of the cantilever 120. That is, an n-type impurity, such as P, is doped on the (100) surface of the silicon substrate 110 to form an n-type region 131 to a predetermined first depth H1, and then to the n-type region 131. A p-type impurity, such as B, is doped at a high concentration, such as 10 19 atoms / cm 3 or more, to a second depth (H2 in FIG. 5) to be shallower than the first depth (H1 in FIG. 5) to form the p-type region 132. . At this time, the longitudinal direction of the n-type region 131 and the p-type region 132 is formed in the <110> direction. The p-type region 132 is formed to be shorter in the <110> direction than the n-type region 131, so that not only the p-type region 132 but also the n-type region 131 are formed to be exposed on the substrate 110. .

상기 기판(110)의 표면에는 절연층(133), 예컨대 SiO2 층이 형성되어 있으며, 절연층(133)에는 상기 n형 영역(131) 및 p형 영역(132)을 노출시키는 홀이 각각 2개씩 형성되어 있다. 상기 홀 상에는 각각 도전성 플러그들(131,132,133,134)가 형성된다. 상기 팁(122)과 가까운 부분의 도전성 플러그(131,132)는 도전성 연결부재(139)에 의해 서로 전기적으로 연결되어서 전류의 도선 역할을 한다. An insulating layer 133, for example, an SiO 2 layer, is formed on the surface of the substrate 110, and the holes for exposing the n-type region 131 and the p-type region 132 are each formed in the insulating layer 133. It is formed one by one. Conductive plugs 131, 132, 133, and 134 are formed on the holes, respectively. The conductive plugs 131 and 132 in a portion close to the tip 122 are electrically connected to each other by the conductive connecting member 139 to serve as conductors of current.

상기 압전저항센서(130)의 두 개의 도전성 플러그(136, 137)은 각각 배선(144)를 통해서 전극패드(140)에 연결되어 있다. Two conductive plugs 136 and 137 of the piezo-resistive sensor 130 are connected to the electrode pad 140 through wires 144, respectively.

도 5는 본 발명에 따른 압전저항센서에서의 전류의 흐름을 설명하는 도면이다. 5 is a view for explaining the flow of current in the piezoelectric resistance sensor according to the present invention.

도 5를 참조하면, 압전저항센서(130)의 n형 영역(131) 및 p형 영역(132)은 PN 접합, 특히 수직으로 PN접합을 이루고 있다. 이러한 PN 접합을 구비한 압전저항센서(130)는, 도전성 플러그(137)로부터 양의 전압이 입력되어서 n형 영역(131)을 거쳐서, 도전성 플러그(134)로 흐른다. 이어서, 연결부재(139)로 p형 영역(132)의 도전성 플러그(132)로 흐르며, p형 영역(132)의 타단에 연결된 도전성 플러그(136)으로 흐른다. 도전성 플러그(136)은 음의 전압에 연결된다. Referring to FIG. 5, the n-type region 131 and the p-type region 132 of the piezoelectric resistance sensor 130 form a PN junction, particularly a vertical PN junction. The piezoelectric resistance sensor 130 having such a PN junction receives a positive voltage from the conductive plug 137 and flows through the n-type region 131 to the conductive plug 134. Subsequently, the connection member 139 flows to the conductive plug 132 of the p-type region 132 and flows to the conductive plug 136 connected to the other end of the p-type region 132. Conductive plug 136 is connected to a negative voltage.

캔티레버(120)를 지지하는 지지부 상에는 전극패드(140)가 형성되어 있으며, 전극패드(140) 및 기판(110)(지지부) 사이에는 절연층(142)이 개재된다. An electrode pad 140 is formed on a support part supporting the cantilever 120, and an insulating layer 142 is interposed between the electrode pad 140 and the substrate 110 (support part).

본 발명의 실시예에 따른 수직 PN 접합을 구비한 반도체 탐침의 작용을 도면 을 참조하여 상세하게 설명한다. The operation of the semiconductor probe with vertical PN junction according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

먼저, 전극패드(140)에 소정의 전압을 인가한다. 이때 도전성 플러그(137)에는 양의 전압, 도전성 플러그(136)에는 음의 전압을 인가한다. 그러면, 전류는 도 5에 도시된 바와 같이 수직으로 U자형으로 흐른다. 이때 전극패드(140)에 연결된 전류계(160)의 전류를 읽으면 압전저항센서(130)에서의 저항의 변화(△R)를 측정할 수 있다. 이 저항변화로부터 캔티레버(120)의 수직변형을 읽으며, 이 수직변형은 팁(122)이 접촉하는 면의 고도를 가리킨다. First, a predetermined voltage is applied to the electrode pad 140. At this time, a positive voltage is applied to the conductive plug 137 and a negative voltage is applied to the conductive plug 136. Then, the current flows in a U-shape vertically as shown in FIG. In this case, when the current of the ammeter 160 connected to the electrode pad 140 is read, the change in resistance ΔR of the piezoelectric resistance sensor 130 may be measured. The vertical deformation of the cantilever 120 is read from this resistance change, and this vertical deformation indicates the altitude of the surface where the tip 122 contacts.

본 발명에 따른 압전저항센서(130)는 종래의 압전저항센서(30)에 비해서 좁은 영역에서도 사용할 수 있으며, 종래의 압전저항센서(30)의 폭(W) 보다 넓게 형성할 수 있다. 따라서 제작이 용이하며, 원래의 저항(R0)을 작게 설계할 수 있으므로 저항 측정 감도(△R/R0)가 향상된다. The piezoelectric resistance sensor 130 according to the present invention can be used even in a narrow area as compared with the conventional piezoelectric resistance sensor 30, it can be formed wider than the width (W) of the conventional piezoelectric resistance sensor 30. Therefore, it is easy to manufacture, and since the original resistance (R 0 ) can be designed small, the resistance measurement sensitivity (ΔR / R 0 ) is improved.

또한, 본 발명에 따른 압전 저항센서(130)는 콘택형 SPM 탐침에 적용시 기존의 캔티레버의 변위를 측정하는 레이저 광원 및 레이저 수광부 대신에 캔티레버에 인티그레이션할 수 있어서, 좁은 공간에 반도체 탐침을 형성할 수 있다. In addition, the piezo-resistive sensor 130 according to the present invention can be integrated in the cantilever instead of the laser light source and the laser light receiver for measuring the displacement of the conventional cantilever when applied to the contact type SPM probe, thereby forming a semiconductor probe in a narrow space. Can be.

본 발명의 수직 PN접합 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침에 따르면, 캔티레버의 수직변형을 감지하는 감도가 향상된다. 또한, PN접합 압전자항센서가 차지하는 폭이 좁으므로 기존의 캔티레버에 형성이 용이하고, 기존의 캔티레버의 수직변형을 측정하는 레이저 광원 및 수광부를 대체할 수 있게 된다. According to the semiconductor probe with the vertical PN junction piezoresistive sensor of the present invention, the sensitivity for detecting the vertical deformation of the cantilever is improved. In addition, since the width occupied by the PN junction piezoelectric terminus sensor is narrow, it is easy to form the existing cantilever, and it is possible to replace the laser light source and the light receiving unit for measuring the vertical deformation of the conventional cantilever.                     

본 발명은 도면을 참조하여 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 한해서 정해져야 할 것이다. Although the present invention has been described with reference to the embodiments with reference to the drawings, this is merely exemplary, it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined only by the appended claims.

Claims (5)

기판의 일측에서 연장된 캔티레버;A cantilever extended from one side of the substrate; 상기 캔티레버의 자유단에 형성된 팁;A tip formed at the free end of the cantilever; 상기 캔티레버의 일면 상에 형성되어서 상기 캔티레버의 수직변형에 따라 저항이 변하는 수직 PN접합구조의 압전저항센서;를 구비하며, And a piezoelectric resistance sensor formed on one surface of the cantilever and having a vertical PN junction structure in which resistance changes according to a vertical deformation of the cantilever. 상기 PN 접합 압전저항센서는 상기 캔티레버의 길이방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 수직 PN접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침.The PN junction piezoelectric resistance sensor is a semiconductor probe having a piezoelectric resistance sensor having a vertical PN junction structure, characterized in that formed in the longitudinal direction of the cantilever. 제 1 항에 있어서, 상기 PN접합 압전저항센서는, The piezoelectric resistance sensor of claim 1, wherein 상기 캔티레버의 일면에서 n형불순물로 도핑된 n형 영역; 상기 n형 영역의 표면에서 p형 불순물로 도핑된 p형 영역; An n-type region doped with n-type impurities on one surface of the cantilever; A p-type region doped with a p-type impurity on the surface of the n-type region; 상기 캔티레버의 표면에서 상기 p형 영역에 서로 이격되게 연결되며, 상기 팁으로부터 형성된 제1 및 제2 도전성 플러그;First and second conductive plugs spaced apart from each other on the p-type region on the surface of the cantilever and formed from the tip; 상기 캔티레버의 표면에서 상기 n형 영역에서 상기 팁으로부터 각각 이격되게 형성된 제3 및 제4 도전성 플러그;Third and fourth conductive plugs formed on the surface of the cantilever and spaced apart from the tip in the n-type region; 상기 제1 도전성 플러그 및 상기 제3 도전성 플러그를 전기적으로 연결하는 연결부재; 및A connection member electrically connecting the first conductive plug and the third conductive plug; And 상기 제2 및 제4 도전성 플러그와 각각 전기적으로 연결된 전극패드;를 구비하는 것을 특징으로 하는 수직 PN접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침.And a electrode pad electrically connected to the second and fourth conductive plugs, respectively. The semiconductor probe having a piezoelectric resistance sensor having a vertical PN junction structure. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 p형 영역은, 붕소로 도핑된 것을 특징으로 하는 수직 PN접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침.The p-type region is a semiconductor probe having a piezoelectric resistance sensor of the vertical PN junction structure, characterized in that doped with boron. 삭제delete 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 제4 도전성 플러그 및 상기 제2 도전성 플러그에는 각각 양의 전압 및 음의 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 수직 PN접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침.A positive electrode and a negative voltage are applied to the fourth conductive plug and the second conductive plug, respectively. The semiconductor probe having a piezoelectric resistance sensor having a vertical PN junction structure.
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