KR100679097B1 - Circuit for Electro Luminescence Cell And Electro Luminescence Pannel Using The Same - Google Patents

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    • A63SPORTS; GAMES; AMUSEMENTS
    • A63HTOYS, e.g. TOPS, DOLLS, HOOPS OR BUILDING BLOCKS
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    • AHUMAN NECESSITIES
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    • A63H1/06Tops with integral winding devices

Abstract

본 발명의 목적은 화소신호의 누설을 방지하여 비디오신호 또는 영상신호에 해당하는 화상이 열화 및 왜곡 없이 표시되게 하는 EL 셀 구동회로와 이를 이용한 EL 패널에 관한 것이다.An object of the present invention relates to an EL cell driving circuit and an EL panel using the same which prevent leakage of a pixel signal so that an image corresponding to a video signal or a video signal is displayed without deterioration and distortion.

본 발명의 실시 예에 따른 EL 셀 구동회로는 게이트 라인과 데이터 라인과의 교차부에 기저전압라인과 접속된 상태로 설치되어진 EL 셀; 상기 EL 셀, 공급전압라인 및 제1 노드 사이에서 제2 노드를 사이에 두고 전류 미러를 형성하는 제1 및 제2 스위치 소자; 상기 공급전압라인과 상기 제2 노드 사이에 접속되고, 상기 데이터 라인으로부터의 화소신호를 충전하여 그 충전되어진 화소신호를 상기 전류 미러에 인가하는 전압 충전 소자; 상기 게이트 라인 상의 신호에 응답하여 상기 데이터 라인 상의 화소신호를 상기 제1 노드를 경유하여 상기 전류 미러에 선택적으로 인가하는 제3 스위치 소자; 상기 게이트 라인 상의 신호에 응답하여 상기 제1 노드를 상기 전압 충전 소자에 선택적으로 접속시키는 제4 스위치 소자; 및 상기 게이트 라인과 상기 제3 스위치 소자 사이에 형성되고, 상기 게이트 라인으로부터 상기 제3 스위치 소자에 공급되어질 신호를 지연시키는 신호 지연 수단을 구비한다.An EL cell driving circuit according to an embodiment of the present invention comprises: an EL cell provided at a cross section of a gate line and a data line in a state of being connected to a base voltage line; First and second switch elements for forming a current mirror between the EL cell, the supply voltage line, and the first node with a second node therebetween; A voltage charging element connected between the supply voltage line and the second node to charge a pixel signal from the data line and apply the charged pixel signal to the current mirror; A third switch element for selectively applying a pixel signal on the data line to the current mirror via the first node in response to a signal on the gate line; A fourth switch element for selectively connecting said first node to said voltage charging element in response to a signal on said gate line; And signal delay means formed between the gate line and the third switch element and delaying a signal to be supplied from the gate line to the third switch element.

Description

엘렉트로 루미네센스 셀 구동회로와 이를 이용한 엘렉트로 루미네센스 패널{Circuit for Electro Luminescence Cell And Electro Luminescence Pannel Using The Same}Electroluminescence cell driving circuit and electroluminescence panel using the same {Circuit for Electro Luminescence Cell And Electro Luminescence Pannel Using The Same}

도 1 은 종래의 엘렉트로 루미네센스 셀을 구동하는 회로도.1 is a circuit diagram for driving a conventional electro luminescence cell.

도 2 는 본 발명의 실시 예에 따른 엘렉트로 루미네센스 셀의 구동 회로도.2 is a driving circuit diagram of an electro luminescence cell according to an embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

C1 : 캐패시터 ELC : EL 셀C1: Capacitor ELC: EL Cell

MP1 내지 MP4 : 제1 내지 제4 PMOS TFTMP1 to MP4: first to fourth PMOS TFTs

R1 : 저항 2 : 전류 미러R1: Resistor 2: Current Mirror

본 발명은 엘렉트로 루미네센스(Electro Luminescence; 이하 "EL"이라 함) 패널에 관한 것으로, 특히 EL 패널 상에 매트릭스 형태로 배열되어진 EL 셀들 각각을 구동하기 위한 EL 셀 구동회로와 이를 이용한 EL 패널에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electro luminescence (EL) panel, in particular an EL cell driving circuit for driving each of the EL cells arranged in a matrix form on the EL panel and an EL panel using the same. It is about.

통상의 EL 패널은 전기적 신호를 빛의 에너지로 변환함으로써 비디오(또는 영상) 신호에 상응하는 화상을 표시하게 된다. 이러한 EL 패널은 게이트 라인들 및 데이터 라인들의 교차부들 각각에 배열되어진 EL 셀들을 구비한다. EL 셀들 각각은 데이터 라인으로부터의 화소 신호에 응답하여 그 화소 신호의 크기에 상응하는 빛을 발생하게 된다. EL 셀 각각에 화소 신호를 안정되게 인가하기 위하여, EL 패널은 라인 단위로 순차적으로 스캔되게 되는 셀 구동회로들을 가지게 된다. 이들 EL 셀 구동회로들 각각은 게이트 라인 상의 제어신호에 응답하여 데이터 라인 상의 화소신호를 샘플링한 다음 프레임 기간 동안 홀딩하여 화소 신호가 EL 셀에 안정되게 인가되게 한다.A conventional EL panel displays an image corresponding to a video (or video) signal by converting an electrical signal into energy of light. This EL panel has EL cells arranged at each of the intersections of the gate lines and the data lines. Each of the EL cells generates light corresponding to the magnitude of the pixel signal in response to the pixel signal from the data line. In order to stably apply the pixel signal to each of the EL cells, the EL panel has cell driving circuits which are sequentially scanned in units of lines. Each of these EL cell driving circuits samples the pixel signal on the data line in response to a control signal on the gate line and then holds it for a frame period so that the pixel signal is stably applied to the EL cell.

이와 같은 화소신호의 샘플링 및 홀딩 동작을 수행하는 통상의 EL 셀 구동회로는 도 1에 도시된 바와 같이, 기저전압라인(GNDL)에 접속되어진 EL 셀(ELC), 제1 노드(N1) 및 공급전압라인(VDDL) 사이에 전류 미러를 형성하게 접속되어진 제1 및 제2 PMOS 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하 "TFT"라 함)(MP1,MP2)와, 이들 제1 및 제2 PMOS TFT(MP1,MP2)의 게이트 전극들이 공통적으로 접속되어진 제2 노드(N2)와 공급전압라인(VDDL) 사이에 접속되어진 캐패시터(C1)를 구비한다.As shown in FIG. 1, a typical EL cell driving circuit which performs the sampling and holding operation of such a pixel signal includes an EL cell ELC, a first node N1, and a supply connected to a ground voltage line GNDL. First and second PMOS thin film transistors (hereinafter referred to as "TFTs") MP1 and MP2 connected to form a current mirror between the voltage lines VDDL, and these first and second PMOS TFTs ( The capacitor C1 is connected between the second node N2 to which the gate electrodes of MP1 and MP2 are commonly connected and the supply voltage line VDDL.

캐패시터(C1)는 데이터 라인(DL)으로부터 화소신호가 인가될 때, 화소신호의 전압과 공급전압라인(VDDL) 상의 공급전압(VDD)과의 차이에 상응하는 차전압을 충전하여 그 차전압을 제1 및 제2 PMOS TFT(MP1,MP2)의 게이트 전극들에 공통적으로 공급한다. 제1 PMOS TFT(MP1)는 캐패시터(C1)에 충전되어진 차전압에 의해 턴-온됨으로써 공급전압라인(VDDL) 상의 공급전압(VDD)이 EL 셀(ELC)에 공급되게 한다. 이 때, 제1 PMOS TFT(MP1)는 화소신호의 전압레벨에 따라 자신의 채널 폭을 가변시켜 공급전압라인(VDDL)으로부터 EL 셀(ELC)에 공급되는 전류량이 조절되게 한다. 그러면, EL 셀(ELC)은 공급전압라인(VDDL)으로부터 제1 PMOS TFT(MP1)을 경유하여 인가되는 전류량에 상응하는 량의 빛을 발생하게 된다. 한편, 제2 PMOS TFT(MP2)는 데이터 라인(DL)으로부터 화소신호가 인가될 때, 공급전압라인(VDDL)으로부터 자신을 경유하여 데이터 라인(DL) 쪽으로 흐르는 전류량을 조절하여 제1 PMOS TFT(MP1)를 통해 EL 셀(ELC) 쪽으로 흐르게 될 전류량을 결정하게 된다. When the pixel signal is applied from the data line DL, the capacitor C1 charges a difference voltage corresponding to a difference between the voltage of the pixel signal and the supply voltage VDD on the supply voltage line VDDL to reduce the difference voltage. Commonly supplied to the gate electrodes of the first and second PMOS TFTs MP1 and MP2. The first PMOS TFT MP1 is turned on by the difference voltage charged in the capacitor C1 so that the supply voltage VDD on the supply voltage line VDDL is supplied to the EL cell ELC. At this time, the first PMOS TFT MP1 varies its channel width according to the voltage level of the pixel signal so that the amount of current supplied from the supply voltage line VDDL to the EL cell ELC is adjusted. Then, the EL cell ELC generates a light amount corresponding to the amount of current applied from the supply voltage line VDDL via the first PMOS TFT MP1. On the other hand, when the pixel signal is applied from the data line DL, the second PMOS TFT MP2 adjusts the amount of current flowing from the supply voltage line VDDL to the data line DL via the first PMOS TFT ( The amount of current to flow toward the EL cell ELC through MP1) is determined.

또한, 통상의 EL 셀 구동회로는 게이트 라인(GL) 상의 게이트 신호에 공통적으로 응답하는 제3 및 제4 PMOS TFT(MP3,MP4)를 추가로 구비한다.In addition, the conventional EL cell driving circuit further includes third and fourth PMOS TFTs MP3 and MP4 which commonly respond to gate signals on the gate lines GL.

제3 PMOS TFT(MP3)는 로우논리의 게이트신호가 게이트 라인(GL)으로부터 공급되는 기간에 턴-온되어 제1 노드(N1)에 접속되어진 제3 PMOS TFT(MP2)의 소오스 전극이 데이터 라인(DL)에 접속되게 한다. 다시 말하여, 제3 PMOS TFT(MP3)는 로우논리의 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인(DL) 상의 화소 신호를 제1 노드(N1) 쪽으로 전송하는 역할을 하게 된다. 제4 PMOS TFT(MP4)도 게이트 라인(GL)으로부터 로우논리의 게이트 신호가 자신의 게이트 전극 쪽으로 공급되는 기간에 턴-온되어 제1 및 제2 PMOS TFT(MP1,MP2)의 게이트 전극들과 캐패시터(C1)의 일측 단자가 접속되어진 제2 노드(N2)를 제1 노드(N1)를 경유하여 데이터 라인(DL)에 접속되게 한다. 다시 말하여, 제3 및 제4 PMOS TFT(MP3,MP4)는 게이트 라인(GL) 상의 게이트 신호가 로우논리를 유지하는 기간동안 턴-온 되어 화소신호가 제2 노드(N2) 및 공급전압라인(VDDL) 사이에 접속되어진 캐패시터(C1)에 충전되게 한다.The third PMOS TFT MP3 is turned on in a period in which a low logic gate signal is supplied from the gate line GL, so that the source electrode of the third PMOS TFT MP2 connected to the first node N1 is a data line. To the DL. In other words, the third PMOS TFT MP3 transmits the pixel signal on the data line DL toward the first node N1 in response to the low logic gate signal. The fourth PMOS TFT MP4 is also turned on during the period in which the low logic gate signal is supplied from the gate line GL toward the gate electrode thereof, and thus the gate electrodes of the first and second PMOS TFTs MP1 and MP2 are connected to each other. The second node N2 to which one terminal of the capacitor C1 is connected is connected to the data line DL via the first node N1. In other words, the third and fourth PMOS TFTs MP3 and MP4 are turned on during the period in which the gate signal on the gate line GL maintains low logic so that the pixel signal is turned on to the second node N2 and the supply voltage line. The capacitor C1 connected between the VDDLs is charged.

이러한 통상의 EL 셀 구동회로에서는, 게이트 라인(GL) 상의 게이트 신호가 로우논리에서 하이논리로 변화 될 때 제3 및 제4 PMOS TFT들(MP3,MP4) 모두가 동시 에 턴-오프 되어야만 캐피시터(C1)에 충전되어진 전압이 누설되지 않게 된다. 그러나, 게이트 라인(GL) 상의 게이트 신호가 로우논리에서 하이논리로 변화될 때에 제4 PMOS TFT(MP4) 보다 제3 PMOS TFT(MP3)가 먼저 턴-오프 되게 되면, 캐패시터(C1)의 일측 단자가 제4 및 제2 PMOS TFT(MP4,MP2)를 경유하여 공급전압라인(VDDL)에 접속되게 된다. 이로 인하여, 캐패시터(C1)에 충전되어진 전압은 공급전압(VDD)을 따라가게 된다. 다시 말하여, 캐패시터(C1)에 충전되어진 전압이 누설되게 된다. 이 결과, EL 셀(ELC)에서 발생되는 빛의 량이 화소신호의 전압레벨과는 달라지게 됨은 물론 이거니와 EL 패널에 의해 표시되는 화상이 열화 및/또는 왜곡 되게 된다.
In this conventional EL cell driving circuit, when the gate signal on the gate line GL is changed from low logic to high logic, both the third and fourth PMOS TFTs MP3 and MP4 must be turned off at the same time so that the capacitor ( The voltage charged in C1) does not leak. However, when the third PMOS TFT MP3 is turned off before the fourth PMOS TFT MP4 when the gate signal on the gate line GL is changed from low logic to high logic, one terminal of the capacitor C1 is turned off. Is connected to the supply voltage line VDDL via the fourth and second PMOS TFTs MP4 and MP2. As a result, the voltage charged in the capacitor C1 follows the supply voltage VDD. In other words, the voltage charged in the capacitor C1 leaks. As a result, the amount of light generated in the EL cell ELC is not only different from the voltage level of the pixel signal, but also the image displayed by the EL panel is deteriorated and / or distorted.

따라서, 본 발명의 목적은 화소신호의 누설을 방지하기에 적합한 EL 셀 구동회로를 제공함에 있다.It is therefore an object of the present invention to provide an EL cell driver circuit suitable for preventing leakage of pixel signals.

본 발명의 다른 목적은 비디오신호 또는 영상신호에 해당하는 화상을 열화 및 왜곡 없이 표시할 수 있는 EL 패널을 제공함에 있다.
Another object of the present invention is to provide an EL panel capable of displaying a video signal or an image corresponding to a video signal without deterioration and distortion.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 EL 셀 구동회로는 게이트 라인과 데이터 라인과의 교차부에 기저전압라인과 접속된 상태로 설치되어진 EL 셀; 상기 EL 셀, 공급전압라인 및 제1 노드 사이에서 제2 노드를 사이에 두고 전류 미러를 형성하는 제1 및 제2 스위치 소자; 상기 공급전압라인과 상기 제2 노드 사이에 접속되고, 상기 데이터 라인으로부터의 화소신호를 충전하여 그 충전되어진 화소신호를 상기 전류 미러에 인가하는 전압 충전 소자; 상기 게이트 라인 상의 신호에 응답하여 상기 데이터 라인 상의 화소신호를 상기 제1 노드를 경유하여 상기 전류 미러에 선택적으로 인가하는 제3 스위치 소자; 상기 게이트 라인 상의 신호에 응답하여 상기 제1 노드를 상기 전압 충전 소자에 선택적으로 접속시키는 제4 스위치 소자; 및 상기 게이트 라인과 상기 제3 스위치 소자 사이에 형성되고, 상기 게이트 라인으로부터 상기 제3 스위치 소자에 공급되어질 신호를 지연시키는 신호 지연 수단을 구비한다.
상기 신호 지연 수단은 상기 게이트 라인과 상기 제3 스위치 소자 사이에 접속되어진 저항을 구비한다.
상기 제3 스위치 소자는 상기 신호 지연 수단에 의해 상기 제4 스위치 소자보다 늦게 턴-오프 된다.
상기 제3 및 제4 스위치 소자는 상기 게이트 라인상의 신호가 로우 상태를 유지하는 동안 턴-온되어 상기 화소신호를 상기 전압 충전 소자에 공급되게 한다.
In order to achieve the above object, an EL cell driving circuit according to an embodiment of the present invention includes an EL cell provided in a state in which a base voltage line is connected to an intersection of a gate line and a data line; First and second switch elements for forming a current mirror between the EL cell, the supply voltage line, and the first node with a second node therebetween; A voltage charging element connected between the supply voltage line and the second node to charge a pixel signal from the data line and apply the charged pixel signal to the current mirror; A third switch element for selectively applying a pixel signal on the data line to the current mirror via the first node in response to a signal on the gate line; A fourth switch element for selectively connecting said first node to said voltage charging element in response to a signal on said gate line; And signal delay means formed between the gate line and the third switch element and delaying a signal to be supplied from the gate line to the third switch element.
The signal delay means has a resistor connected between the gate line and the third switch element.
The third switch element is turned off later than the fourth switch element by the signal delay means.
The third and fourth switch elements are turned on while the signal on the gate line remains low to supply the pixel signal to the voltage charging element.

본 발명의 실시 예에 따른 EL 패널은 게이트 라인과 데이터 라인과의 교차부에 기저전압라인과 접속된 상태로 설치되어진 EL 셀; 상기 EL 셀, 공급전압라인 및 제1 노드 사이에서 제2 노드를 사이에 두고 전류 미러를 형성하는 제1 및 제2 스위치 소자; 상기 공급전압라인과 상기 제2 노드 사이에 접속되고, 상기 데이터 라인으로부터의 화소신호를 충전하여 그 충전되어진 화소신호를 상기 전류 미러에 인가하는 전압 충전 소자; 상기 게이트 라인 상의 신호에 응답하여 상기 데이터 라인 상의 화소신호를 상기 제1 노드를 경유하여 상기 전류 미러에 선택적으로 인가하는 제3 스위치 소자; 상기 게이트 라인 상의 신호에 응답하여 상기 제1 노드를 상기 전압 충전 소자에 선택적으로 접속시키는 제4 스위치 소자; 및 상기 게이트 라인과 상기 제3 스위치 소자 사이에 형성되고, 상기 게이트 라인으로부터 상기 제3 스위치 소자에 공급되어질 신호를 지연시키는 신호 지연 수단을 구비하는 EL 셀 구동회로를 포함한다.An EL panel according to an embodiment of the present invention includes an EL cell provided at a cross section of a gate line and a data line while being connected to a base voltage line; First and second switch elements for forming a current mirror between the EL cell, the supply voltage line, and the first node with a second node therebetween; A voltage charging element connected between the supply voltage line and the second node to charge a pixel signal from the data line and apply the charged pixel signal to the current mirror; A third switch element for selectively applying a pixel signal on the data line to the current mirror via the first node in response to a signal on the gate line; A fourth switch element for selectively connecting said first node to said voltage charging element in response to a signal on said gate line; And an EL cell driving circuit formed between the gate line and the third switch element, and having signal delay means for delaying a signal to be supplied from the gate line to the third switch element.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention in addition to the above object will be apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부한 도 2를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 EL 셀 구동회로를 도시한다. 도 2에 도시된 EL 셀 구동회로는 기저전압라인(GNDL)에 접속되어진 EL 셀(ELC), 제1 노드(N1) 및 공급전압라인(VDDL) 사이에 전류 미러(2)를 형성하게 접속되어진 제1 및 제2 PMOS TFT(MP1,MP2)와, 이들 제1 및 제2 PMOS TFT(MP1,MP2)의 게이트 전극들이 공통적으로 접속되어진 제2 노드(N2)와 공급전압라인(VDDL) 사이에 접속되어진 캐패시터(C1)를 구비한다.2 shows an EL cell driving circuit according to an embodiment of the present invention. The EL cell driving circuit shown in FIG. 2 is connected to form a current mirror 2 between the EL cell ELC, the first node N1 and the supply voltage line VDDL connected to the base voltage line GNDL. Between the first and second PMOS TFTs MP1 and MP2 and between the second node N2 and the supply voltage line VDDL to which the gate electrodes of these first and second PMOS TFTs MP1 and MP2 are commonly connected. The capacitor C1 connected is provided.

캐패시터(C1)는 데이터 라인(DL)으로부터 화소신호가 인가될 때, 화소신호의 전압과 공급전압라인(VDDL) 상의 공급전압(VDD)과의 차이에 상응하는 차전압을 충전하여 그 차전압을 제1 및 제2 PMOS TFT(MP1,MP2)의 게이트 전극들에 공통적으로 공급한다. 제1 PMOS TFT(MP1)는 캐패시터(C1)에 충전되어진 차전압에 의해 턴-온됨으로써 공급전압라인(VDDL) 상의 공급전압(VDD)이 EL 셀(ELC)에 공급되게 한다. 이 때, 제1 PMOS TFT(MP1)는 화소신호의 전압레벨에 따라 자신의 채널 폭을 가변시켜 공급전압라인(VDDL)으로부터 EL 셀(ELC)에 공급되는 전류량이 조절되게 한다. 그러면, EL 셀(ELC)은 공급전압라인(VDDL)으로부터 제1 PMOS TFT(MP1)를 경유하여 인가되는 전류량에 상응하는 량의 빛을 발생하게 된다. 한편, 제2 PMOS TFT(MP2)는 데이터 라인(DL)으로부터 화소신호가 인가될 때, 공급전압라인(VDDL)으로부터 자신을 경유하여 데이터 라인(DL) 쪽으로 흐르는 전류량을 조절하여 제1 PMOS TFT(MP1)를 통해 EL 셀(ELC) 쪽으로 흐르게 될 전류량을 결정하게 된다. When the pixel signal is applied from the data line DL, the capacitor C1 charges a difference voltage corresponding to a difference between the voltage of the pixel signal and the supply voltage VDD on the supply voltage line VDDL to reduce the difference voltage. Commonly supplied to the gate electrodes of the first and second PMOS TFTs MP1 and MP2. The first PMOS TFT MP1 is turned on by the difference voltage charged in the capacitor C1 so that the supply voltage VDD on the supply voltage line VDDL is supplied to the EL cell ELC. At this time, the first PMOS TFT MP1 varies its channel width according to the voltage level of the pixel signal so that the amount of current supplied from the supply voltage line VDDL to the EL cell ELC is adjusted. Then, the EL cell ELC generates a light amount corresponding to the amount of current applied from the supply voltage line VDDL via the first PMOS TFT MP1. On the other hand, when the pixel signal is applied from the data line DL, the second PMOS TFT MP2 adjusts the amount of current flowing from the supply voltage line VDDL to the data line DL via the first PMOS TFT ( The amount of current to flow toward the EL cell ELC through MP1) is determined.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 EL 셀 구동회로는 게이트 라인(GL) 상의 게이트 신호에 공통적으로 응답하는 제3 및 제4 PMOS TFT(MP3,MP4)를 추가로 구비한다. 제3 PMOS TFT(MP3)는 로우논리의 게이트신호가 게이트 라인(GL)으로부터 공급되는 기간에 턴-온되어 제1 노드(N1)에 접속되어진 제3 PMOS TFT(MP2)의 소오스 전극이 데이터 라인(DL)에 접속되게 한다. 다시 말하여, 제3 PMOS TFT(MP3)는 로우논리의 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인(DL) 상의 화소 신호를 제1 노드(N1) 쪽으로 전송하는 역할을 하게 된다. 제4 PMOS TFT(MP4)도 게이트 라인(GL)으로부터 로우논리의 게이트 신호가 자신의 게이트 전극 쪽으로 공급되는 기간에 턴-온되어 제1 및 제2 PMOS TFT(MP1,MP2)의 게이트 전극들과 캐패시터(C1)의 일측 단자가 접속되어진 제2 노드(N2)를 제1 노드(N1)를 경유하여 데이터 라인(DL)에 접속되게 한다. 다시 말하여, 제3 및 제4 PMOS TFT(MP3,MP4)는 게이트 라인(GL) 상의 게이트 신호가 로우논리를 유지하는 기간에 턴-온 되어 화소신호가 제2 노드(N2) 및 공급전압라인(VDDL) 사이에 접속되어진 캐패시터(C1)에 충전되게 한다.Further, the EL cell driving circuit according to the embodiment of the present invention further includes third and fourth PMOS TFTs MP3 and MP4 which commonly respond to gate signals on the gate line GL. The third PMOS TFT MP3 is turned on in a period in which a low logic gate signal is supplied from the gate line GL, so that the source electrode of the third PMOS TFT MP2 connected to the first node N1 is a data line. To the DL. In other words, the third PMOS TFT MP3 transmits the pixel signal on the data line DL toward the first node N1 in response to the low logic gate signal. The fourth PMOS TFT MP4 is also turned on during the period in which the low logic gate signal is supplied from the gate line GL toward the gate electrode thereof, and thus the gate electrodes of the first and second PMOS TFTs MP1 and MP2 are connected to each other. The second node N2 to which one terminal of the capacitor C1 is connected is connected to the data line DL via the first node N1. In other words, the third and fourth PMOS TFTs MP3 and MP4 are turned on in the period in which the gate signal on the gate line GL maintains low logic so that the pixel signal is turned on to the second node N2 and the supply voltage line. The capacitor C1 connected between the VDDLs is charged.

나아가, 본 발명의 실시 예에 따른 EL 셀 구동회로는 게이트 라인(GL)과 제3 PMOS TFT(MP3)의 게이트 전극 사이에 접속되어진 저항(R1)을 추가로 구비한다. 이 저항(R1)은 게이트 라인(GL)으로부터 제3 PMOS TFT(MP3)의 게이트 전극 쪽으로 공급되어질 게이트 신호가 지연되게 한다. 이에 따라, 제3 PMOS TFT(MP3)는 게이트 신호가 로우논리에서 하이논리로 변화될 때에 제4 PMOS TFT(MP4) 보다 늦게 턴-오프 되게 된다. 따라서, 캐패시터(C1)에 충전되어진 전압이 게이트 신호의 하강에서 누설되지 않게 된다. 이 결과, EL 셀(ELC)은 화소신호의 전압레벨에 따른 량의 빛을 정확하게 발생할 수 있게 되고, 나아가 EL 패널이 비디오 신호(또는 영상신호)에 상응하는 화상을 열화 또는 왜곡 없이 표시할 수 있게 된다.Furthermore, the EL cell driving circuit according to the embodiment of the present invention further includes a resistor R1 connected between the gate line GL and the gate electrode of the third PMOS TFT MP3. This resistor R1 causes the gate signal to be supplied from the gate line GL to the gate electrode of the third PMOS TFT MP3 to be delayed. Accordingly, the third PMOS TFT MP3 is turned off later than the fourth PMOS TFT MP4 when the gate signal is changed from low logic to high logic. Therefore, the voltage charged in the capacitor C1 does not leak when the gate signal falls. As a result, the EL cell ELC can accurately generate an amount of light corresponding to the voltage level of the pixel signal, and furthermore, the EL panel can display an image corresponding to the video signal (or image signal) without deterioration or distortion. do.

게이트 신호의 지연을 위하여, 본 발명은 저항(R1) 뿐만 아니라 제3 PMOS TFT(MP3)의 게이트 전극과 기저전압라인(GNDL) 사이에 접속되는 제2 캐패시터를 추가로 구비할 수도 있다. 다시 말하여, 게이트 라인(GL)으로부터 제3 PMOS TFT(MP3)의 게이트 전극 쪽으로 인가되는 게이트신호를 지연시키기 위한 신호 지연 수단으로 저항(R1) 뿐만 아니라 다른 임피던스 소자들로 대치되거나 다른 임피던스 소자들을 더 구비할 수도 있다.In order to delay the gate signal, the present invention may further include a second capacitor connected between the gate electrode of the third PMOS TFT MP3 and the base voltage line GNDL as well as the resistor R1. In other words, the signal delay means for delaying the gate signal applied from the gate line GL toward the gate electrode of the third PMOS TFT MP3 is replaced by not only the resistor R1 but also other impedance elements or other impedance elements. It may be further provided.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 EL 셀 구동회로는 전류미러를 데이터 라인에 선택적으로 접속시키는 TFT가 자신을 충전용 캐패시터에 선택적으로 접속시키는 다른 TFT 보다 뒤늦게 턴-오프 되게 함으로써 충전용 캐패시터에 충전되어진 전압의 누설을 방지할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 EL 셀 구동회로는 EL 셀이 화소신호의 전압레벨에 상응하는 량만큼의 빛을 정확하게 발생하게 한다. 이 결과, 본 발명에 따른 EL 셀 구동회로는 EL 패널이 비디오 신호 또는 영상신호에 상응하는 화상을 왜곡 및/또는 열화 없이 정확하게 표시할 수 있게 한다.As described above, the EL cell driving circuit according to the present invention charges the charging capacitor by causing the TFT which selectively connects the current mirror to the data line to be turned off later than another TFT which selectively connects itself to the charging capacitor. It is possible to prevent leakage of a given voltage. Accordingly, the EL cell driving circuit according to the present invention causes the EL cell to accurately generate light in an amount corresponding to the voltage level of the pixel signal. As a result, the EL cell driving circuit according to the present invention enables the EL panel to accurately display an image corresponding to the video signal or the image signal without distortion and / or deterioration.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (5)

게이트 라인과 데이터 라인과의 교차부에 기저전압라인과 접속된 상태로 설치되어진 EL 셀;An EL cell provided in a state of being connected to a base voltage line at an intersection of the gate line and the data line; 상기 EL 셀, 공급전압라인 및 제1 노드 사이에서 제2 노드를 사이에 두고 전류 미러를 형성하는 제1 및 제2 스위치 소자;First and second switch elements for forming a current mirror between the EL cell, the supply voltage line, and the first node with a second node therebetween; 상기 공급전압라인과 상기 제2 노드 사이에 접속되고, 상기 데이터 라인으로부터의 화소신호를 충전하여 그 충전되어진 화소신호를 상기 전류 미러에 인가하는 전압 충전 소자;A voltage charging element connected between the supply voltage line and the second node to charge a pixel signal from the data line and apply the charged pixel signal to the current mirror; 상기 게이트 라인 상의 신호에 응답하여 상기 데이터 라인 상의 화소신호를 상기 제1 노드를 경유하여 상기 전류 미러에 선택적으로 인가하는 제3 스위치 소자;A third switch element for selectively applying a pixel signal on the data line to the current mirror via the first node in response to a signal on the gate line; 상기 게이트 라인 상의 신호에 응답하여 상기 제1 노드를 상기 전압 충전 소자에 선택적으로 접속시키는 제4 스위치 소자; 및A fourth switch element for selectively connecting said first node to said voltage charging element in response to a signal on said gate line; And 상기 게이트 라인과 상기 제3 스위치 소자 사이에 형성되고, 상기 게이트 라인으로부터 상기 제3 스위치 소자에 공급되어질 신호를 지연시키는 신호 지연 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 EL 셀 구동회로.And a signal delay means formed between said gate line and said third switch element, for delaying a signal to be supplied from said gate line to said third switch element. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 신호 지연 수단은 상기 게이트 라인과 상기 제3 스위치 소자 사이에 접속되어진 저항을 구비하는 것을 특징으로 하는 EL 셀 구동회로.And the signal delay means has a resistor connected between the gate line and the third switch element. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 제3 스위치 소자는 상기 신호 지연 수단에 의해 상기 제4 스위치 소자보다 늦게 턴-오프 되는 것을 특징으로 하는 EL 셀 구동회로.And the third switch element is turned off later than the fourth switch element by the signal delay means. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 제3 및 제4 스위치 소자는,The third and fourth switch elements, 상기 게이트 라인상의 신호가 로우 상태를 유지하는 동안 턴-온되어 상기 화소신호를 상기 전압 충전 소자에 공급되게 하는 것을 특징으로 하는 EL 셀 구동회로.And the pixel signal is supplied to the voltage charging element while being turned on while the signal on the gate line remains low. 게이트 라인과 데이터 라인과의 교차부에 기저전압라인과 접속된 상태로 설치되어진 EL 셀; 상기 EL 셀, 공급전압라인 및 제1 노드 사이에서 제2 노드를 사이에 두고 전류 미러를 형성하는 제1 및 제2 스위치 소자; 상기 공급전압라인과 상기 제2 노드 사이에 접속되고, 상기 데이터 라인으로부터의 화소신호를 충전하여 그 충전되어진 화소신호를 상기 전류 미러에 인가하는 전압 충전 소자; 상기 게이트 라인 상의 신호에 응답하여 상기 데이터 라인 상의 화소신호를 상기 제1 노드를 경유하여 상기 전류 미러에 선택적으로 인가하는 제3 스위치 소자; 상기 게이트 라인 상의 신호에 응답하여 상기 제1 노드를 상기 전압 충전 소자에 선택적으로 접속시키는 제4 스위치 소자; 및 상기 게이트 라인과 상기 제3 스위치 소자 사이에 형성되고, 상기 게이트 라인으로부터 상기 제3 스위치 소자에 공급되어질 신호를 지연시키는 신호 지연 수단을 구비하는 EL 셀 구동회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 EL 패널.An EL cell provided in a state of being connected to a base voltage line at an intersection of the gate line and the data line; First and second switch elements for forming a current mirror between the EL cell, the supply voltage line, and the first node with a second node therebetween; A voltage charging element connected between the supply voltage line and the second node to charge a pixel signal from the data line and apply the charged pixel signal to the current mirror; A third switch element for selectively applying a pixel signal on the data line to the current mirror via the first node in response to a signal on the gate line; A fourth switch element for selectively connecting said first node to said voltage charging element in response to a signal on said gate line; And an EL cell driving circuit formed between the gate line and the third switch element, and having signal delay means for delaying a signal to be supplied from the gate line to the third switch element. .
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