KR100677981B1 - Rapid thermal processing apparatus - Google Patents

Rapid thermal processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR100677981B1
KR100677981B1 KR1020040114676A KR20040114676A KR100677981B1 KR 100677981 B1 KR100677981 B1 KR 100677981B1 KR 1020040114676 A KR1020040114676 A KR 1020040114676A KR 20040114676 A KR20040114676 A KR 20040114676A KR 100677981 B1 KR100677981 B1 KR 100677981B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
pyrometer
temperature
base
heat treatment
Prior art date
Application number
KR1020040114676A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060075778A (en
Inventor
변기열
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020040114676A priority Critical patent/KR100677981B1/en
Publication of KR20060075778A publication Critical patent/KR20060075778A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100677981B1 publication Critical patent/KR100677981B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment

Abstract

본 발명의 급속 열처리 장치는 그 공정챔버(10)가 본체(11)의 하우징(13) 내측에 장착된 베이스(14)와, 로딩된 웨이퍼(W)에 인접하여 상기 웨이퍼(W)의 일정부분의 복사세기를 검출하는 고온계(32)와, 상기 고온계(32)가 검출한 복사세기에 따라 광신호를 방출하는 온도 프로브(31)로 각각 구성된 복수의 온도센서로 구성되어, 상기 공정 챔버(10)내에 로딩된 웨이퍼의 여러 부분의 온도를 감지하도록 상기 베이스(14)의 내측에 설치된 감지부(30)를 포함하며, 고온계(32)가 베이스(14)에 회전가능하게 설치한 것이 특징으로, 베이스(14)를 구동수단(60)의 회전축(62)에 연결하여 구성함으로서, 베이스(14)의 내부에 설치된 고온계(32)가 회전된다. 또한 본 발명은 가스 유입구(70)를 고온계(32)에 인접하게 형성함으로서, 공정챔버(10)내의 가스의 흐름이 균일하게 된다.In the rapid heat treatment apparatus of the present invention, the process chamber 10 has a base 14 mounted inside the housing 13 of the main body 11 and a portion of the wafer W adjacent to the loaded wafer W. And a plurality of temperature sensors each composed of a pyrometer 32 for detecting the radiation intensity of the radiation probe and a temperature probe 31 for emitting an optical signal according to the radiation intensity detected by the pyrometer 32. Including a sensing unit 30 installed inside the base 14 to sense the temperature of the various portions of the wafer loaded in the), characterized in that the pyrometer 32 is rotatably installed on the base 14, By connecting the base 14 to the rotating shaft 62 of the drive means 60, the pyrometer 32 installed inside the base 14 is rotated. In addition, the present invention forms the gas inlet 70 adjacent to the pyrometer 32, so that the flow of the gas in the process chamber 10 is uniform.

본 발명에 의하면, 고온계가 회전하므로서 웨이퍼내의 불균일한 온도구배로 인하여 웨이퍼가 뒤틀리더라도 고온계와 웨이퍼와의 프로빙 간격이 벌어지는 것을 최소화함으로서, 웨에퍼의 온도를 가능한한 정확하게 측정할 수 있고, 챔버내의 가스흐름을 균일하게 하여 급속 열처리 공정이 보다 효과적으로 진행되는 효과를 가진다.According to the present invention, the temperature of the wafer is measured as accurately as possible by minimizing the probing interval between the pyrometer and the wafer even if the wafer is warped due to the non-uniform temperature gradient in the wafer as the pyrometer rotates. By uniformizing the gas flow within the rapid heat treatment process has an effect that proceeds more effectively.

Description

급속 열처리 장치{RAPID THERMAL PROCESSING APPARATUS}Rapid Heat Treatment Equipment {RAPID THERMAL PROCESSING APPARATUS}

도 1은 종래의 급속 열처리 장치의 구성을 나타내는 개략도이고,1 is a schematic view showing the configuration of a conventional rapid heat treatment apparatus,

도 2는 도 1의 장치의 온도 제어 블록도이고,2 is a temperature control block diagram of the apparatus of FIG. 1,

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.Figure 3 is a schematic diagram showing the configuration of a rapid heat treatment apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10 : 공정 챔버 11 : 본체10 process chamber 11 body

12 : 웨이퍼 포트 14 : 베이스12 wafer port 14 base

15 : 실린더 16 : 에지링15 cylinder 16: edge ring

20 : 램프 어레이 21 : 램프20 lamp array 21 lamp

22 : 쿼츠 윈도우 어셈블리 30 : 감지부22: quartz window assembly 30: detector

31 : 온도 프로브 32 : 고온계31: temperature probe 32: pyrometer

60 : 구동수단 62 : 회전축60: drive means 62: rotating shaft

70 : 가스 유입구70 gas inlet

본 발명은 급속 열처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼가 회전하면서 뒤틀리는 것과, 고온계와 웨이퍼와의 프로빙 간격이 벌어지는 것을 최소화하여 웨이퍼의 온도를 가능한 정확하게 측정할 수 있는 급속 열처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a rapid heat treatment apparatus, and more particularly, to a rapid heat treatment apparatus capable of measuring the temperature of a wafer as accurately as possible by minimizing twisting while the semiconductor wafer rotates and probing interval between the pyrometer and the wafer. .

잘 알려진 바와 같이, 반도체 소자를 제조하는 공정에는 여러 열처리 기술이 사용된다. 예를 들면, 실리콘 기판을 산화시켜 실리콘 산화막(SiO2)으로 만들어 절연층, 에칭 마스크 또는 트랜지스터용 게이트 산화막으로 사용할 경우, 여러 가지 방법으로 형성된 박막의 어닐링(annealing) 공정 및 BPSG(borophosphosilicate glass)막과 같은 유동성 막의 평탄화를 위한 리플로우(reflow) 공정등과 같이 여러 가지 목적으로 열처리 공정이 사용되고 있다.As is well known, various heat treatment techniques are used in the process of manufacturing semiconductor devices. For example, when a silicon substrate is oxidized to a silicon oxide film (SiO 2 ) and used as an insulating layer, an etching mask, or a gate oxide film for a transistor, annealing of a thin film formed by various methods and a borophosphosilicate glass (BPSG) film Heat treatment processes are used for various purposes, such as a reflow process for planarization of a flowable film.

이와 같은 열처리 공정에 사용되는 반도체 소자가 점점 고집적화됨에 따라 소자의 크기가 작아지게 되어 이전의 공정에서 받은 열적 버겟(thermal budget)을 줄이기 위해 매엽식 급속 열처리 장치(Rapid Thermal Processing;RTP) 장치가 이용되고 있다.As semiconductor devices used in such heat treatment processes are increasingly integrated, the size of the devices becomes smaller, and thus, a rapid thermal processing (RTP) device is used to reduce the thermal budget received in the previous process. It is becoming.

급속 열처리 장치는 기존의 확산로에서 수행하던 다양한 공정을 대부분 수행할 수 있으며, 가열과 냉각이 웨이퍼에서 고속으로 이루어지므로, 초고집적 회로(VLSI) 공정에 적합한 불순물 재확산과 확산로 벽면으로부터 방출되는 오염등을 방지할 수 있는 장점이 있다.The rapid heat treatment apparatus can perform most of the various processes performed in the conventional diffusion furnace, and since the heating and cooling is performed at a high speed on the wafer, impurities are diffused and diffused from the wall of the diffusion furnace suitable for the VLSI process. There is an advantage to prevent contamination.

도 1에는 전형적인 급속 열처리 장치의 구성을 도시하고 있고, 도 2에는 도 1 장치의 온도 제어를 나타내고 있다. 도시된 바와 같이, 종래의 급속 열처리 장치는 웨이퍼(W)가 로딩되어 공정이 진행되는 공정 챔버(10)와, 웨이퍼(W)를 가열하는 램프 어레이(20)와, 웨이퍼(W)의 각 부분의 온도를 감지하는 감지부(30) 및 감지부(30)로부터 감지된 온도측정값(t1, ....., t4)을 감지하여 램프 어레이(20)를 제어하는 온도제어부(40)를 포함하고 있다.The structure of a typical rapid heat processing apparatus is shown in FIG. 1, and the temperature control of the apparatus of FIG. 1 is shown in FIG. As shown, the conventional rapid heat treatment apparatus includes a process chamber 10 in which a wafer W is loaded and a process is performed, a lamp array 20 for heating the wafer W, and each part of the wafer W. As shown in FIG. The temperature controller 40 for controlling the lamp array 20 by sensing the temperature sensor of the sensing unit 30 and the temperature measurement value (t 1 , ....., t 4 ) detected from the sensing unit 30. ) Is included.

공정챔버(10)는 본체(11)의 일측에 웨이퍼(W)가 로딩/언로딩되는 웨이퍼 포트(12)를 형성하고, 본체(11)의 하측에는 하우징(13)의 내측에 장착되며 웨이퍼(W)를 냉각시키기 위한 냉각수가 공급되는 스테인레스 스틸 재질의 베이스(14)가 설치된다.The process chamber 10 forms a wafer port 12 in which the wafer W is loaded / unloaded on one side of the main body 11, and is mounted inside the housing 13 below the main body 11 and the wafer ( A base 14 made of stainless steel, to which cooling water for cooling W) is supplied, is installed.

베이스(14)의 내측에는 감지부(30)가 설치되며, 상측면에는 감지부(30)가 온도를 측정함에 있어서 온도측정의 정확성을 향상시키기 위해 리플렉터(reflector:미도시)가 형성된다.The sensing unit 30 is installed inside the base 14, and a reflector (not shown) is formed on the upper side of the sensing unit 30 to improve the accuracy of the temperature measurement.

하우징(13)과 베이스(14)의 사이에는 실리더(15)가 회전가능하게 설치되며, 실린더(15)의 상단에는 로딩된 웨이퍼를 지지하는 에지링(16)이 결합된다.The cylinder 15 is rotatably installed between the housing 13 and the base 14, and an edge ring 16 supporting the loaded wafer is coupled to the upper end of the cylinder 15.

램프 어레이(20)는 방사상의 다수의 존(zone)으로 배열된 복수의 램프(21)로 이루어지며, 하측에 쿼츠 윈도우 어셈블리(22;quartz window assembly)가 구비되며, 멀티존 램프 드라이버(50)로부터 각각의 존마다 분리하여 램프(21)에 전압을 공급받는다.The lamp array 20 includes a plurality of lamps 21 arranged in a plurality of radial zones, and a quartz window assembly 22 is provided at a lower side thereof, and the multi-zone lamp driver 50 is provided. The voltage is supplied to the lamp 21 separately from each zone.

감지부(30)는 복수의 온도센서(TS1, ...., TS4)로 이루어지며, 베이스(14)의 중심으로부터 위치를 달리하여 분포됨으로써 공정챔버(10)내에 로딩된 웨이퍼(W)의 여러부분의 온도를 감지한다.The sensing unit 30 includes a plurality of temperature sensors TS1,..., TS4, and is distributed in different positions from the center of the base 14 so that the sensing unit 30 of the wafer W loaded in the process chamber 10 may be formed. Sensing the temperature of various parts

각각의 온도센서(TS1, ..., TS4)는 온도 프로브(31; fiber optic probe)와 고온계(pyrometer; 미도시)로 구성되고, 고온계는 베이스(14) 내측에 설치되어 인접하는 웨이퍼(W)의 일정부분의 복사 세기를 추출하며, 온도 프로브(31)는 고온계가 검출한 복사세기를 광신호로 방출하여 이로부터 온도를 측정한다.Each of the temperature sensors TS1, ..., TS4 is composed of a temperature probe 31 (fiber optic probe) and a pyrometer (not shown), and the pyrometer is installed inside the base 14 and adjacent wafers W The radiation intensity of a predetermined portion of) is extracted, and the temperature probe 31 emits the radiation intensity detected by the pyrometer as an optical signal and measures the temperature therefrom.

제어부(40)는 감지부(30)의 각각의 온도센서로부터 측정된 온도 측정값과 미리 설정된 공정의 온도조적을 서로 비교하여 멀티존 램프 드라이버(50)로 제어함으로써 웨이퍼(W)가 설정된 공정의 온도조건을 만족하도록 한다.The controller 40 compares the temperature measurement values measured by the respective temperature sensors of the sensing unit 30 with the temperature control of the preset process and controls the multi-zone lamp driver 50 to control the wafer W. Ensure that the temperature conditions are met.

하지만, 상술한 바와 같은 종래의 급속 열처리 장치는 웨이퍼(W)내의 균일한 온도 측정을 위하여 램프 업(ramp up)시, 웨이퍼가 90rpm 정도로 회전하고 있기 때문에, 측정하고자 하는 지점의 온도를 정확하게 측정하기가 어렵고, 이전공정에서의 열적 버겟(thermal budget) 때문에 회전하는 웨이퍼상의 온도상승이 불균일할 경우, 웨이퍼가 뒤틀리는 현상(waper warping)으로 인하여 고온계와 웨이퍼와의 프로빙 간격이 벌어지게 되어 부정확한 온도를 검출하게 되며, 이로 인한 포켓 에러(pocket error)가 빈번하게 발생하는 문제가 있었다.However, in the conventional rapid heat treatment apparatus as described above, since the wafer rotates about 90 rpm when ramping up for uniform temperature measurement in the wafer W, it is possible to accurately measure the temperature at the point to be measured. If the temperature rise on the rotating wafer is uneven due to the thermal budget of the previous process, the warping of the wafer causes a probing gap between the pyrometer and the wafer, resulting in an incorrect temperature. There was a problem that a pocket error occurs frequently.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼가 회전하면서 뒤틀리는 것과, 고온계와 웨이퍼와의 프로빙 간격이 벌어지는 것을 최소화하여 웨이퍼의 온도를 가능한 정확하게 측정할 수 있고, 챔버내의 가스 흐름을 균일하게 할 수 있는 급속 열처리 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to minimize the warping and rotation of the semiconductor wafer and the probing interval between the pyrometer and the wafer to minimize the temperature of the wafer as accurately as possible. It is to provide a rapid heat treatment apparatus capable of making the gas flow in the chamber uniform.

이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명의 급속 열처리 장치는 웨이퍼가 로딩되어 공정이 진행되는 공정챔버와, 로딩된 상기 웨이퍼를 가열하는 램프 어레이와, 상기 웨이퍼의 각 부분의 온도를 감지하는 감지부 및 상기 감지부로 부터 감지된 온도측정값을 감지하여 급속 열처리 장치에 있어서, 본체의 하우징 내측에 회전가능하게 설치된 베이스와, 상기 베이스를 구동하는 구동수단을 포함하되, 상기 감지부는 로딩된 웨이퍼에 인접하여 상기 웨이퍼의 일정부분의 복사세기를 검출하는 고온계와, 상기 고온계가 검출한 복사세기에 따라 광신호를 방출하는 온도 프로브로 각각 구성된 복수의 온도센서로 구성되어, 상기 공정 챔버내에 로딩된 웨이퍼의 여러 부분의 온도를 감지하도록 상기 베이스의 내측에 설치되며, 상기 로딩된 웨이퍼가 뒤틀리더라도 상기 고온계가 회전함으로서, 상기 고온계와 상기 웨이퍼와의 프로빙 간격이 벌어지지 않게 된다.
본 발명에 의하면, 고온계가 회전하므로서 웨이퍼내의 불균일한 온도구배로 인하여 웨이퍼가 뒤틀리더라도 고온계와 웨이퍼와의 프로빙 간격이 벌어지는 것을 최소화함으로서, 웨에퍼의 온도를 가능한한 정확하게 측정할 수 있고, 챔버내의 가스흐름을 균일하게 하여 급속 열처리 공정이 보다 효과적으로 진행되는 효과를 가진다.The rapid heat treatment apparatus of the present invention for realizing such an object includes a process chamber in which a wafer is loaded and a process is performed, a lamp array for heating the loaded wafer, a sensing unit for sensing a temperature of each part of the wafer; In the rapid heat treatment apparatus for sensing the temperature measurement value detected by the sensing unit, the rapid heat treatment apparatus, comprising a base rotatably installed inside the housing of the main body, and a driving means for driving the base, the sensing unit is adjacent to the loaded wafer It consists of a plurality of temperature sensors each consisting of a pyrometer for detecting a radiation intensity of a portion of the wafer, and a temperature probe for emitting an optical signal according to the radiation strength detected by the pyrometer, Installed inside the base to sense the temperature of the part, the loaded wafer is warped Also by the pyrometer is rotated, the probe distance from the said pyrometer and the wafer does not happen.
According to the present invention, the temperature of the wafer is measured as accurately as possible by minimizing the probing interval between the pyrometer and the wafer even if the wafer is warped due to the non-uniform temperature gradient in the wafer as the pyrometer rotates. By uniformizing the gas flow within the rapid heat treatment process has an effect that proceeds more effectively.

삭제delete

이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 급속 열처리 장치를 나타내는 것으로, 종래와 동일한 구성에는 동일한 참조부호를 병기하였다. 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 급속 열처리 장치에 있어서, 공정챔버(10)는 본체(11)의 하우징(13) 내측에 장착된 베이스(14)와, 로딩된 웨이퍼(W)에 인접하여 상기 웨이퍼(W)의 일정부분의 복사세기를 검출하는 고온계(32)와, 상기 고온계(32)가 검출한 복사세기에 따라 광신호를 방출하는 온도 프로브(31)로 각각 구성된 복수의 온도센서로 구성되어, 상기 공정 챔버(10)내에 로딩된 웨이퍼의 여러 부분의 온도를 감지하도록 상기 베이스(14)의 내측에 설치된 감지부(30)를 포함한다.Figure 3 shows a rapid heat treatment apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, the same reference numerals are given in the same configuration as in the prior art. As shown in FIG. 3, in the rapid heat treatment apparatus of the present invention, the process chamber 10 is adjacent to the base 14 mounted inside the housing 13 of the main body 11 and the loaded wafer W. As shown in FIG. And a plurality of temperature sensors each comprising a pyrometer 32 for detecting a radiation intensity of a predetermined portion of the wafer W, and a temperature probe 31 for emitting an optical signal according to the radiation intensity detected by the pyrometer 32. And a sensing unit 30 installed inside the base 14 to sense temperatures of various portions of the wafer loaded in the process chamber 10.

본 발명의 급속 열처리 장치의 특징은 고온계(32)가 베이스(14)에 회전가능하게 설치한 것으로, 베이스(14)를 구동수단(60)의 회전축(62)에 연결하여 구성함으로서, 베이스(14)의 내부에 설치된 고온계(32)가 회전된다. 또한 본 발명은 가스 유입구(70)를 고온계(32)에 인접하게 형성함으로서, 공정챔버(10)내의 가스의 흐름이 균일하게 된다.A feature of the rapid heat treatment apparatus of the present invention is that the pyrometer 32 is rotatably installed on the base 14, and the base 14 is connected to the rotating shaft 62 of the driving means 60, thereby forming the base 14. The pyrometer 32 installed inside the) is rotated. In addition, the present invention forms the gas inlet 70 adjacent to the pyrometer 32, so that the flow of the gas in the process chamber 10 is uniform.

이상과 같은 본 발명의 급속 열처리 장치의 프로세스로서 중요한 점은 다음과 같다.The important point as a process of the rapid heat processing apparatus of this invention as mentioned above is as follows.

급속 열처리 장치의 프로세스를 진행하는 데 필요한 규정 및 제어 데이터는 Bare, Hy, Epi와 같은 웨이퍼의 형태에 따라 구분되는 바, 이러한 웨이퍼의 형태에 따라 온도를 검출하기 위해서는 고온계의 간격을 구분하여 파이로미터 프로빙 사이트(pyrometer probing site)를 결정해야 하고, 또한 정확한 온도의 측정을 위하여 측정지점이 아닌 부분에서의 빛이 파이로미터로 입사되는 양을 균일하게 하여야 하고, 온도 측정 회수를 증가시킨다. 더구나 본 발명의 특징적 사항으로서 웨이퍼의 회전대신에 고온계와 웨이퍼와의 프로빙 간격이 벌어지는 것을 방지하고자 고온계를 회전하는 것이다. The regulation and control data necessary for the process of rapid heat treatment apparatus are classified according to the types of wafers such as Bare, Hy, and Epi. The pyrometer probing site must be determined, and the amount of light incident on the pyrometer at the non-measurement point must be uniform for accurate temperature measurements, increasing the number of temperature measurements. Moreover, as a feature of the present invention, the pyrometer is rotated to prevent the probing interval between the pyrometer and the wafer from being widened instead of the rotation of the wafer.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 급속 열처리 장치는 고온계가 회전하므로서 웨이퍼내의 불균일한 온도구배로 인하여 웨이퍼가 뒤틀리더라도 고온계와 웨이퍼와의 프로빙 간격이 벌어지는 것을 최소화함으로서, 웨에퍼의 온도를 가능한한 정확하게 측정할 수 있고, 챔버내의 가스흐름을 균일하게 하여 급속 열처리 공정이 보다 효과적으로 진행되는 효과를 가진다.As described above, the rapid heat treatment apparatus according to the present invention minimizes the probing interval between the pyrometer and the wafer even if the wafer is warped due to the non-uniform temperature gradient in the wafer due to the rotation of the pyrometer, thereby reducing the temperature of the wafer. It is possible to measure as accurately as possible, and to make the gas flow in the chamber uniform, so that the rapid heat treatment process proceeds more effectively.

이상에 설명한 것은 본 발명에 따른 하나의 실시예에 불과한 것으로, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is only one embodiment according to the present invention, and the present invention is not limited to the above embodiment, and as claimed in the following claims, without departing from the gist of the present invention, the field to which the present invention belongs. Anyone skilled in the art will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

Claims (2)

웨이퍼가 로딩되어 공정이 진행되는 공정챔버와, 로딩된 상기 웨이퍼를 가열하는 램프 어레이와, 상기 웨이퍼의 각 부분의 온도를 감지하는 감지부 및 상기 감지부로 부터 감지된 온도측정값을 감지하여 급속 열처리 장치에 있어서,Rapid heat treatment by sensing a process chamber in which a wafer is loaded and processing, a lamp array for heating the loaded wafer, a sensing unit for sensing a temperature of each portion of the wafer, and a temperature measurement value detected from the sensing unit In the apparatus, 본체의 하우징 내측에 회전가능하게 설치된 베이스와,A base rotatably installed inside the housing of the main body, 상기 베이스를 구동하는 구동수단을 포함하되,Including drive means for driving the base, 상기 감지부는 로딩된 웨이퍼에 인접하여 상기 웨이퍼의 일정부분의 복사세기를 검출하는 고온계와, 상기 고온계가 검출한 복사세기에 따라 광신호를 방출하는 온도 프로브로 각각 구성된 복수의 온도센서로 구성되어, 상기 공정 챔버내에 로딩된 웨이퍼의 여러 부분의 온도를 감지하도록 상기 베이스의 내측에 설치되며,The sensing unit is composed of a plurality of temperature sensors each composed of a pyrometer for detecting a radiation intensity of a predetermined portion of the wafer adjacent to the loaded wafer, and a temperature probe for emitting an optical signal according to the radiation intensity detected by the pyrometer, Installed inside the base to sense the temperature of the various parts of the wafer loaded into the process chamber, 상기 로딩된 웨이퍼가 뒤틀리더라도 상기 고온계가 회전함으로서, 상기 고온계와 상기 웨이퍼와의 프로빙 간격이 벌어지지 않게 되는Even if the loaded wafer is warped, the pyrometer is rotated so that the probing interval between the pyrometer and the wafer does not open. 급속 열처리 장치.Rapid heat treatment device. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 공정챔버는 가스 유입구를 상기 고온계에 인접하게 형성한 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.The process chamber is a rapid heat treatment apparatus, characterized in that the gas inlet formed adjacent to the pyrometer.
KR1020040114676A 2004-12-29 2004-12-29 Rapid thermal processing apparatus KR100677981B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040114676A KR100677981B1 (en) 2004-12-29 2004-12-29 Rapid thermal processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040114676A KR100677981B1 (en) 2004-12-29 2004-12-29 Rapid thermal processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060075778A KR20060075778A (en) 2006-07-04
KR100677981B1 true KR100677981B1 (en) 2007-02-02

Family

ID=37168274

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040114676A KR100677981B1 (en) 2004-12-29 2004-12-29 Rapid thermal processing apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100677981B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160085823A (en) * 2013-11-12 2016-07-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Pyrometer background elimination

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160085823A (en) * 2013-11-12 2016-07-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Pyrometer background elimination
KR102416963B1 (en) 2013-11-12 2022-07-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Pyrometer background elimination

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060075778A (en) 2006-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6204484B1 (en) System for measuring the temperature of a semiconductor wafer during thermal processing
KR101047089B1 (en) Film forming apparatus and method comprising temperature and emissivity / pattern compensation
KR101624217B1 (en) Apparatus including heating source reflective filter for pyrometry
KR101047088B1 (en) Device temperature control and pattern compensation device method
CN103151290B (en) In order to the apparatus and method at treatment chamber inner support, location and rotary plate
US9449858B2 (en) Transparent reflector plate for rapid thermal processing chamber
US6188044B1 (en) High-performance energy transfer system and method for thermal processing applications
US9403251B2 (en) Minimal contact edge ring for rapid thermal processing
EP1930707A2 (en) Optical path improvement, focus length change compensation, and stray light reduction for temperature measurement system of rtp tool
JP4527449B2 (en) Cylinder for heat treatment chamber
KR100677981B1 (en) Rapid thermal processing apparatus
US20090277894A1 (en) Method for reducing stray light in a rapid thermal processing chamber by polarization
JP2001313269A (en) Heat treating apparatus
US20030027364A1 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method
KR100432135B1 (en) Rapid thermal processing apparatus
JP2002208591A (en) Heat treatment apparatus
JP2004047911A (en) Heat treatment apparatus
KR101379149B1 (en) Temperature measuring device, heat treatment device for wafer and method of heat treatment of wafer
KR20050036305A (en) Rapid thermal processing apparatus
JP3151022B2 (en) Heat treatment equipment
JP2008218698A (en) Heat treatment apparatus
TWI545654B (en) Transparent reflector plate for rapid thermal processing chamber
KR20050019545A (en) Rapid Thermal Processing Apparatus
JP3388627B2 (en) Heat treatment apparatus and heat treatment method
EP1241459A1 (en) A method and device for determining the process temperature of a product surface, particularly of a semiconductor wafer surface

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20091224

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee