KR100675729B1 - Stack package using flexible substrate - Google Patents

Stack package using flexible substrate Download PDF

Info

Publication number
KR100675729B1
KR100675729B1 KR1020000061238A KR20000061238A KR100675729B1 KR 100675729 B1 KR100675729 B1 KR 100675729B1 KR 1020000061238 A KR1020000061238 A KR 1020000061238A KR 20000061238 A KR20000061238 A KR 20000061238A KR 100675729 B1 KR100675729 B1 KR 100675729B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chip
bonding region
tab
bonded
flexible substrate
Prior art date
Application number
KR1020000061238A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20020030891A (en
Inventor
이관재
강인구
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020000061238A priority Critical patent/KR100675729B1/en
Publication of KR20020030891A publication Critical patent/KR20020030891A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100675729B1 publication Critical patent/KR100675729B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/105Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1047Details of electrical connections between containers
    • H01L2225/107Indirect electrical connections, e.g. via an interposer, a flexible substrate, using TAB

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

본 발명은 플랙서블 기판을 이용한 적층 패키지에 관한 것으로, 하나의 플랙서블 기판에 플립 칩 본딩된 반도체 칩과 탭 본딩된 반도체 칩을 적층하여 구현된 적층 패키지를 제공한다. 즉, 제 1 탭 본딩 영역과, 상기 제 1 탭 본딩 영역과 연결되며 소정의 간격을 두고 서로 마주보게 접혀진 제 2 탭 본딩 영역과, 상기 제 1 탭 본딩 영역과 제 2 탭 본딩 영역이 연결된 방향과 수직한 방향의 상기 제 1 탭 본딩 영역에 연결되며 제 2 탭 본딩 영역과 마주보게 접혀진 플립 칩 본딩 영역을 갖는 플랙서블 기판과; 접혀진 상기 제 1 탭 본딩 영역과 제 2 본딩 영역 사이의 상기 제 1 탭 본딩 영역에 탭 본딩된 제 1 칩과; 상기 제 2 탭 본딩 영역에 탭 본딩된 제 2 칩으로, 배면이 상기 제 1 칩의 배면에 부착되는 제 2 칩과; 상기 플랙서블 기판의 플립 칩 영역에 플립 칩 본딩된 제 3 칩으로, 배면이 제 2 칩이 플립 칩 본딩된 제 2 탭 본딩 영역의 반대면에 부착되는 제 3 칩; 및 상기 제 3 칩이 본딩된 플립 칩 본딩 영역의 반대면에 형성된 복수개의 외부접속단자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플랙서블 기판을 이용한 적층 패키지를 제공한다.The present invention relates to a stack package using a flexible substrate, and provides a stack package implemented by stacking flip chip bonded semiconductor chips and tab bonded semiconductor chips on a single flexible substrate. That is, a first tab bonding region, a second tab bonding region connected to the first tab bonding region and folded to face each other at a predetermined interval, and a direction in which the first tab bonding region and the second tab bonding region are connected to each other. A flexible substrate having a flip chip bonding region connected to the first tab bonding region in a vertical direction and folded to face the second tab bonding region; A first chip tab bonded to the first tab bonding region between the folded first tab bonding region and the second bonding region; A second chip tab-bonded to the second tab bonding region, the second chip having a rear surface attached to the rear surface of the first chip; A third chip flip-chip bonded to a flip chip region of the flexible substrate, the third chip having a rear surface attached to an opposite surface of the second tab bonding region to which the second chip is flip chip bonded; And a plurality of external connection terminals formed on opposite surfaces of the flip chip bonding region in which the third chip is bonded.

플랙서블 기판, 테이프 배선기판, 적층, 멀티 칩, 패키지Flexible Board, Tape Wiring Board, Stacked, Multi Chip, Package

Description

플랙서블 기판을 이용한 적층 패키지{Stack package using flexible substrate}Stack package using flexible substrate {Stack package using flexible substrate}

도 1은 본 발명에 따른 플랙서블 기판을 이용한 적층 패키지를 펼쳐놓은 사시도,1 is a perspective view showing the laminated package using a flexible substrate according to the present invention,

도 2는 도 1의 2-2선 단면도,2 is a cross-sectional view taken along line 2-2 of FIG. 1;

도 3은 플랙서블 기판 스트립에 반도체 칩들이 실장된 상태를 보여주는 평면도이다.3 is a plan view illustrating a semiconductor chip mounted on a flexible substrate strip.

* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *Description of the main parts of the drawing

10 : 플랙서블 기판 12 : 제 1 탭 본딩 영역10: flexible substrate 12: first tab bonding region

14 : 제 2 탭 본딩 영역 16 : 플립 칩 본딩 영역14 second tab bonding region 16 flip chip bonding region

20 : 제 1 칩 30 : 제 2 칩20: first chip 30: second chip

40 : 제 3 칩 52, 54, 56 : 성형수지40: third chip 52, 54, 56: molding resin

60 : 솔더 범프 72 : 제 1 접착제60: solder bump 72: first adhesive

74 : 제 2 접착제 100 : 적층 패키지74: second adhesive 100: laminated package

본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 하나의 플랙서블 기판에 플립 칩 본딩된 반도체 칩과 탭 본딩된 반도체 칩을 적층하여 구현된 플랙서블 기판을 이용한 적층 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor package, and more particularly, to a stack package using a flexible substrate implemented by stacking a flip chip bonded semiconductor chip and a tab bonded semiconductor chip on a single flexible substrate.

일반적인 반도체 웨이퍼(semiconductor wafer)는 평면이기 때문에, 한 평면내에 반도체 소자의 집적도를 향상시키는 데 한계가 있다. 또한 집적도를 향상시키는 데도 많은 설비투자가 필요한 실정이다. 따라서, 현재 반도체 패키지의 고집적화를 위하여 많은 회사들 및 학계에서 고밀도 3차원 칩, 3차원 패키지의 적층 방법을 연구하고 있다. 즉, 반도체 웨이퍼를 개별 반도체 소자로 절삭한 이후에 집적도를 높이는 방법을 연구하고 있다.Since a typical semiconductor wafer is a plane, there is a limit to improving the integration degree of a semiconductor device in one plane. In addition, a lot of facility investment is required to improve the density. Therefore, many companies and academia are investigating stacking method of high density 3D chip and 3D package for high integration of semiconductor package. That is, a method of increasing the degree of integration after cutting a semiconductor wafer into individual semiconductor devices is being studied.

복수개의 단위 패키지를 3차원으로 적층하여 제조된 3차원 적층 패키지는 고집적화를 이룰 수 있는 반면에, 두께가 두꺼워 반도체 제품의 경박단소화에 대한 대응성이 떨어지는 문제점을 안고 있다.The three-dimensional stacked package manufactured by stacking a plurality of unit packages in three dimensions may achieve high integration, but has a problem in that the thickness thereof is inferior to light and thin shortening of a semiconductor product.

복수개의 반도체 소자를 3차원으로 적층하여 제조된 3차원 적층 칩 패키지는 고집적화를 이룰 수 있는 동시에 반도체 제품의 경박단소화에 대한 대응성도 뛰어나다. 일반적으로 반도체 칩 위에 반도체 칩을 적층하는 칩 온 칩 구조로 구현되는데, 전기적 연결을 위해 사용되는 본딩 와이어 사이의 상호 간섭과 아래에 배치되는 반도체 칩의 활성면의 손상 가능성이 상존하고 있다. 적층 칩 상호간의 칩 크기에 제약이 문제가 되고 있다. 예를 들면, 동일한 크기의 반도체 칩을 적층하는 경우, 와이어 본딩이 곤란한 수준으로 반도체 칩의 크기가 차이나는 경우 및 각 반도체 칩의 전극 패드 배열이 센터 패드와 에지 패드로 상이한 경우 등 다양한 반 도체 칩을 적용하는데 있어 문제가 되고 있다.The three-dimensional stacked chip package manufactured by stacking a plurality of semiconductor devices in three dimensions can achieve high integration and excellent response to light and thin reduction of semiconductor products. In general, a chip-on-chip structure in which semiconductor chips are stacked on a semiconductor chip is implemented, and mutual interference between bonding wires used for electrical connection and potential damage of an active surface of a semiconductor chip disposed below exist. Constraints in chip size between stacked chips have become a problem. For example, in the case of stacking semiconductor chips of the same size, a variety of semiconductor chips, such as the difference in the size of the semiconductor chip due to the difficulty of wire bonding and the electrode pad arrangement of each semiconductor chip is different from the center pad and the edge pad There is a problem in applying it.

그리고, 반도체 소자를 기판에 플립 칩 본딩 했을 때, 반도체 제품의 두께를 최소화할 수 있다. 그러나, 플립 칩 본딩 방법으로 반도체 소자를 3차원으로 적층하는 데는 한계가 있다. 즉, 하나의(첫 번째) 반도체 소자를 기판에 플립 칩 본딩한 이후에 두 번째 반도체 소자를 첫 번째 반도체 소자에 3차원으로 적층할 수 있는 있지만, 첫 번째 반도체 소자와 두 번째 반도체 소자를 전기적으로 연결하는 것이 용이하지 않다.When the semiconductor device is flip chip bonded to the substrate, the thickness of the semiconductor product may be minimized. However, there is a limit to stacking semiconductor elements in three dimensions by a flip chip bonding method. That is, after flip chip bonding of one (first) semiconductor device to a substrate, the second semiconductor device can be stacked three-dimensionally on the first semiconductor device, but the first and second semiconductor devices are electrically It is not easy to connect.

따라서, 본 발명의 목적은 반도체 칩 크기에 무관하게 적층 패키지를 구현하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to implement a stacked package regardless of the semiconductor chip size.

본 발명의 다른 목적은 플립 칩 본딩된 반도체 칩과 탭 본딩된 반도체 칩을 적층하여 적층 패키지를 구현하는 데 있다.Another object of the present invention is to implement a stack package by stacking a flip chip bonded semiconductor chip and a tab bonded semiconductor chip.

상기 목적을 달성하기 위하여, 플랙서블 기판을 이용한 적층 패키지로서, 제 1 탭 본딩 영역과, 상기 제 1 탭 본딩 영역과 연결되며 소정의 간격을 두고 서로 마주보게 접혀진 제 2 탭 본딩 영역과, 상기 제 1 탭 본딩 영역과 제 2 탭 본딩 영역이 연결된 방향과 수직한 방향의 상기 제 1 탭 본딩 영역에 연결되며 제 2 탭 본딩 영역과 마주보게 접혀진 플립 칩 본딩 영역을 갖는 플랙서블 기판과; 접혀진 상기 제 1 탭 본딩 영역과 제 2 본딩 영역 사이의 상기 제 1 탭 본딩 영역에 탭 본딩된 제 1 칩과; 상기 제 2 탭 본딩 영역에 탭 본딩된 제 2 칩으로, 배면이 상기 제 1 칩의 배면에 부착되는 제 2 칩과; 상기 플랙서블 기판의 플립 칩 영역에 플립 칩 본딩된 제 3 칩으로, 배면이 제 2 칩이 플립 칩 본딩된 제 2 탭 본딩 영역의 반대면에 부착되는 제 3 칩; 및 상기 제 3 칩이 본딩된 플립 칩 본딩 영역의 반대면에 형성된 복수개의 외부접속단자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플랙서블 기판을 이용한 적층 패키지를 제공한다.In order to achieve the above object, a laminated package using a flexible substrate, a first tab bonding region, a second tab bonding region connected to the first tab bonding region and folded to face each other at a predetermined interval, A flexible substrate having a flip chip bonding region connected to the first tab bonding region in a direction perpendicular to the direction in which the first tab bonding region and the second tab bonding region are connected, and folded to face the second tab bonding region; A first chip tab bonded to the first tab bonding region between the folded first tab bonding region and the second bonding region; A second chip tab-bonded to the second tab bonding region, the second chip having a rear surface attached to the rear surface of the first chip; A third chip flip-chip bonded to a flip chip region of the flexible substrate, the third chip having a rear surface attached to an opposite surface of the second tab bonding region to which the second chip is flip chip bonded; And a plurality of external connection terminals formed on opposite surfaces of the flip chip bonding region in which the third chip is bonded.

본 발명에 따른 적층 패키지에 있어서, 제 1 및 제 2 칩의 탭 본딩된 영역과 제 3 칩의 플립 칩 본딩된 영역은 각기 액상의 수지로 덮여져 외부환경으로부터 보호된다.In the laminated package according to the present invention, the tab bonded regions of the first and second chips and the flip chip bonded regions of the third chip are each covered with a liquid resin to be protected from the external environment.

그리고, 플랙서블 기판의 접혀지는 부분에 유연성을 증가시키기 위하여 슬롯을 형성할 수도 있다.In addition, a slot may be formed in the folded portion of the flexible substrate to increase flexibility.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 플랙서블 기판(10; flexible substrate)을 이용한 적층 패키지(100)를 펼쳐놓은 사시도이다. 도 2는 도 1의 2-2선 단면도이다. 그리고, 도 3은 플랙서블 기판 스트립(10a)에 반도체 칩들(20, 30, 40)이 실장된 상태를 보여주는 평면도이다.FIG. 1 is a perspective view showing an unfolded stack package 100 using a flexible substrate 10 according to the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line 2-2 of FIG. 1. 3 is a plan view illustrating a state in which semiconductor chips 20, 30, and 40 are mounted on the flexible substrate strip 10a.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 적층 패키지(100)는 플랙서블 기판(10)과, 플랙서블 기판(10)에 3층으로 적층된 반도체 칩들(20, 30, 40) 및 솔더 범프들(60)로 구성된다.1 to 3, the stack package 100 includes a flexible substrate 10, semiconductor chips 20, 30, 40, and solder bumps 60 stacked in three layers on the flexible substrate 10. It is composed of

플랙서블 기판(10)은 제 1 탭 본딩 영역(12)과, 제 1 탭 본딩 영역(12)과 연 결되며 소정의 간격을 두고 서로 마주보게 접혀진 제 2 탭 본딩 영역(14)과, 제 1 탭 본딩 영역(12)과 제 2 탭 본딩 영역(14)이 연결된 방향과 수직한 방향의 제 1 탭 본딩 영역(12)에 연결되며 제 2 탭 본딩 영역(14)과 마주보게 접혀진 플립 칩 본딩 영역(16)을 갖는다. 즉, 플랙서블 기판(10)은 제 1 탭 본딩 영역(12)을 중심으로 일측에는 제 2 탭 본딩 영역(14)이 연결되고, 제 2 탭 본딩 영역(14)과 수직한 방향으로 제 1 탭 본딩 영역(12)에 플립 칩 본딩 영역(16)이 연결되기 때문에, 펼쳐 놓으면 도 1에 도시된 바와 같이 기역자 형상을 갖는다.The flexible substrate 10 may include a first tab bonding region 12, a second tab bonding region 14 connected to the first tab bonding region 12 and folded to face each other at a predetermined interval, and the first tab bonding region 12. A flip chip bonding region connected to the first tab bonding region 12 in a direction perpendicular to the direction in which the tab bonding region 12 and the second tab bonding region 14 are connected and folded to face the second tab bonding region 14. Has 16. That is, in the flexible substrate 10, the second tab bonding region 14 is connected to one side of the first tab bonding region 12, and the first tab is perpendicular to the second tab bonding region 14. Since the flip chip bonding region 16 is connected to the bonding region 12, the flip chip bonding region 16 has a cross-sectional shape as shown in FIG.

제 1 칩(20)은 접혀진 제 1 탭 본딩 영역(12)과 제 2 탭 본딩 영역(14) 사이의 제 1 탭 본딩 영역(12)의 탭 리드(15a)에 탭 본딩되며, 제 2 칩(30)은 제 2 탭 본딩 영역의 탭 리드(15b)에 탭 본딩되며, 배면이 제 1 칩(20)의 배면에 제 1 접착제(72)를 개재하여 부착된다. 제 1 및 제 2 칩(20, 30)의 탭 본딩된 부분은 액상의 성형수지(52, 54)로 각기 덮여져 외부환경으로부터 보호된다.The first chip 20 is tab bonded to the tab lead 15a of the first tab bonding region 12 between the folded first tab bonding region 12 and the second tab bonding region 14, and the second chip ( 30 is tab bonded to the tab lead 15b of the second tab bonding region, the back surface of which is attached to the back surface of the first chip 20 via the first adhesive 72. The tab bonded portions of the first and second chips 20, 30 are covered with liquid molding resins 52, 54, respectively, to protect them from the external environment.

제 3 칩(40)은 플립 칩 본딩 영역(16)의 범프 패드(15c)에 플립 칩 본딩되며, 배면이 제 2 칩(30)이 탭 본딩된 제 2 탭 본딩 영역(14)의 반대면에 제 2 접착제(74)를 개재하여 부착된다. 제 3 칩(40)의 플립 칩 본딩된 부분은 액상의 성형수지(56)로 덮여져 외부환경으로부터 보호되며, 액상의 성형수지는 언더필(underfill) 방법으로 충진된다.The third chip 40 is flip chip bonded to the bump pad 15c of the flip chip bonding region 16, and the back side of the third chip 40 is opposite to the second tab bonding region 14 in which the second chip 30 is tab bonded. It adheres through the 2nd adhesive agent 74. FIG. The flip chip bonded portion of the third chip 40 is covered with a liquid molding resin 56 to be protected from the external environment, and the liquid molding resin is filled by an underfill method.

그리고, 외부접속단자용 솔더 범프들(60)은 제 3 칩(40)이 본딩된 플립 칩 영역(16)의 반면에 형성된 구조를 가지며, 플랙서블 기판의 배선 패턴(15)을 통하여 제 1 내지 제 3 칩(20, 30, 40)과 전기적 접속을 이룬다. In addition, the solder bumps 60 for the external connection terminal have a structure formed on the flip chip region 16 to which the third chip 40 is bonded, and the first to second through the wiring pattern 15 of the flexible substrate. The third chip 20, 30, 40 makes an electrical connection.                     

본 발명의 실시예에 따른 적층 패키지(100)를 좀더 상세하게 설명하면, 플랙서블 기판(10)은 폴리이미드 테이프(13; polyimide tape)와, 폴리이미드 테이프(13)의 일면에 사진석판술(photolithography)에 의해 형성된 배선 패턴(15)으로 구성된다. 즉, 폴리이미드 테이프(13)의 일면에 구리박막(Cu foil)을 부착한 상태에서 구리박막을 사진석판술을 이용하여 패터닝하여 탭 본딩을 위한 탭 리드(15a, 15b)와, 플립 칩 본딩을 위한 범프 패드(15c)를 포함한 배선 패턴(15)을 형성한다. 플랙서블 기판(10)은 기역자 형상으로 형성되며, 서로 이웃하는 제 1 및 제 2 탭 본딩 영역(12, 14)의 중심 부분에 탭 리드(15a, 15b)가 노출될 수 있도록 윈도우(19)가 형성되어 있다. 배선 패턴(15)의 일부분 즉 솔더 범프(60)가 형성될 원판 형상의 솔더 범프 패드(15d)가 노출될 수 있도록 폴리이미드 테이프(13)를 관통하여 접속 구멍(17)이 형성되어 있으며, 접속 구멍(17)은 플립 칩 본딩 영역(16)에 형성된다. 그리고, 제 1 및 제 2 탭 본딩 영역(12, 14) 사이와 제 1 탭 본딩 영역(12)과 플립 칩 본딩 영역(16) 사이의 배선 패턴(15e; 이하, '공유 배선 패턴'이라 한다)은 공유할 수 있도록 형성되며, 플래서블 기판(10)의 절곡되는 부분의 유연성을 증가시키기 위해서 복수개의 슬롯(18)을 형성할 수도 있다.Referring to the laminated package 100 according to an embodiment of the present invention in more detail, the flexible substrate 10 is a polyimide tape 13 and a photolithography on one surface of the polyimide tape 13 and a wiring pattern 15 formed by photolithography. In other words, the copper foil is patterned by photolithography in a state where a copper foil is attached to one surface of the polyimide tape 13, and the tab leads 15a and 15b for tap bonding and flip chip bonding are formed. The wiring pattern 15 including the bump pads 15c for forming is formed. The flexible substrate 10 is formed in a transverse shape, and the window 19 is exposed so that the tab leads 15a and 15b are exposed at the center portions of the first and second tab bonding regions 12 and 14 adjacent to each other. Formed. A connection hole 17 is formed through the polyimide tape 13 to expose a portion of the wiring pattern 15, that is, a disc shaped solder bump pad 15d on which the solder bumps 60 are to be formed. Holes 17 are formed in flip chip bonding region 16. And a wiring pattern 15e (hereinafter, referred to as a shared wiring pattern) between the first and second tab bonding regions 12 and 14 and between the first tab bonding region 12 and the flip chip bonding region 16. May be formed to be shared, and a plurality of slots 18 may be formed to increase flexibility of the bent portion of the flexible substrate 10.

한편, 플랙서블 기판(10)은 도 3에 도시된 바와 같이, 복수개의 적층 패키지(100)를 함께 제조할 수 있도록 스트립(10a) 형태로 제공되며, 2행×n렬로(n:자연수) 제 1 내지 제 3 칩들(20, 30, 40)을 실장할 수 있도록 배선 패턴(15)을 포함한 윈도우(19)가 형성된다. 이때, 플랙서블 기판 스트립(10a)은, 1렬과 3렬에는 제 1 및 제 2 칩들(20, 30)이 탭 본딩되고 2렬에는 제 3 칩들(40)이 플립 칩 본딩된 플랙서블 기판 부분을 단위로 스트립 형태로 형성된다. 그리고, 플랙서블 기판 스트립(10a)에서 1렬과 1행2렬의 제 1 내지 제 3 칩들(20, 30, 40)이 본딩된 영역을 절개하여 하나의 적층 패키지로 제조하고, 3렬과 2행2렬의 제 1 내지 제 3 칩들이 본딩된 영역을 절개하여 또 하나의 적층 패키지로 제조하게 된다. 반대로 1렬과 2행2렬, 3렬과 1행2렬의 제 1 내지 제 3 칩들이 본딩된 영역을 절개하여 적층 패키지로 제조할 수도 있다. 한편, 도 3에서 점선으로 표시된 부분이 하나의 적층 패키지로 제조된 단위 플랙서블 기판(10)을 가리킨다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 3, the flexible substrate 10 is provided in the form of a strip 10a so as to manufacture a plurality of stacked packages 100 together, and is formed in two rows by n rows (n: natural number). A window 19 including the wiring pattern 15 is formed to mount the first to third chips 20, 30, and 40. In this case, the flexible substrate strip 10a may be tab bonded to the first and second chips 20 and 30 in the first and third rows, and flip chip bonded to the third chips 40 in the second row. It is formed in the form of a strip in units. Then, the flexible substrate strip 10a is cut into an area in which the first to third chips 20, 30, and 40 are bonded to each other and manufactured as a single stacked package, and is formed in three rows and two rows. The first to third chips of the second row are cut to form another stacked package. On the contrary, the first and third chips bonded in one row, two rows, two rows, and three rows and one row may be cut to form a stacked package. Meanwhile, a portion indicated by a dotted line in FIG. 3 indicates the unit flexible substrate 10 made of one stacked package.

이와 같은 구조를 갖는 적층 패키지(100)의 제조 단계를 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.The manufacturing steps of the laminated package 100 having such a structure will be described with reference to FIGS. 1 to 3 as follows.

먼저, 도 3에 도시된 바와 같이 플랙서블 기판 스트립(10a)을 준비하는 단계로부터 출발한다. 즉, 2행×n렬의 플랙서블 기판 스트립(10a)에 있어서, (3m-1)렬(m: 자연수)에는 제 3 칩(40)이 플립 칩 본딩되고, 나머지 렬에는 제 1 및 제 2 칩(20, 30)이 탭 본딩된 플랙서블 기판 스트립(10a)을 준비한다. 한편, 탭 본딩 방법 및 플립 칩 본딩 방법은 본 발명이 속하는 기술분야에서 널리 알려진 기술이기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.First, starting from preparing a flexible substrate strip 10a as shown in FIG. That is, in the two-row × n-column flexible substrate strip 10a, the third chip 40 is flip-chip bonded to the (3m−1) -column (m: natural number), and the first and second are to the remaining columns. The chips 20 and 30 prepare a tab bonded flexible substrate strip 10a. Meanwhile, since the tab bonding method and the flip chip bonding method are well known in the art to which the present invention pertains, a detailed description thereof will be omitted.

다음으로, 플랙서블 기판 스트립(10a)을 적층 패키지(100)로 제조할 수 있도록 단위 플랙서블 기판(10)으로 분리하는 단계가 진행된다. 즉, 2행×3렬을 단위로 하여 두 개의 단위 플랙서블 기판(10)을 분리한다. 도 3에서 점선으로 도시된 부분이 하나의 단위 플랙서블 기판(10)을 가리킨다.Next, a step of separating the flexible substrate strip 10a into the unit flexible substrate 10 may be performed to manufacture the laminated package 100. That is, the two unit flexible substrates 10 are separated in units of two rows by three rows. In FIG. 3, a portion indicated by a dotted line indicates one unit flexible substrate 10.

다음으로, 제 1 칩(20)의 상부면 즉, 배면에 제 1 접착제(72)를 개재한 상태 에서 제 2 칩(30)을 접어서 제 1 칩(20)의 배면에 부착한다. 계속해서 제 3 칩(40)의 상부면 즉, 배면에 제 2 접착제(74)를 개재한 상태에서 접혀진 제 2 칩(30)의 제 2 탭 본딩 영역(14)을 제 3 칩(40)의 배면에 부착한다. 여기서, 제 1 및 제 2 접착제(72, 74)로는 비전도성 접착제를 사용하는 것이 바람직하다.Next, the second chip 30 is folded and attached to the rear surface of the first chip 20 in the state where the first adhesive 72 is interposed between the upper surface of the first chip 20, that is, the rear surface. Subsequently, the second tab bonding region 14 of the second chip 30 that is folded while the second adhesive 74 is interposed between the upper surface of the third chip 40, that is, the back surface of the third chip 40 may be formed. Attach to the back. Here, it is preferable to use a nonconductive adhesive as the first and second adhesives 72 and 74.

마지막으로, 제 3 칩(40) 아래의 플립 칩 본딩 영역의 접속 구멍(17)에 솔더 범프(60)와 같은 금속 범프를 형성함으로써, 적층 패키지(100)의 제조 공정은 완료된다. 즉, 접속 구멍(17)을 통하여 노출되는 솔더 범프 패드(15d)에 플럭스(flux)를 도포한 후 구형의 솔더 볼을 올리고 리플로우시킴으로써 솔더 범프 패드(15d)에 접속된 솔더 범프(60)를 형성한다. 솔더 범프(60) 대신에 니켈(Ni) 또는 금(Au) 도금 범프와 같은 금속 범프를 형성할 수도 있다.Finally, by forming a metal bump such as solder bump 60 in the connection hole 17 of the flip chip bonding region under the third chip 40, the manufacturing process of the laminated package 100 is completed. That is, after applying flux to the solder bump pad 15d exposed through the connection hole 17, the solder bump 60 connected to the solder bump pad 15d is raised by raising and reflowing a spherical solder ball. Form. Instead of the solder bumps 60, metal bumps such as nickel (Ni) or gold (Au) plating bumps may be formed.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.On the other hand, the embodiments of the present invention disclosed in the specification and drawings are merely presented specific examples to aid understanding, and are not intended to limit the scope of the present invention. In addition to the embodiments disclosed herein, it is apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention may be implemented.

따라서, 본 발명의 구조를 따르면 서로 다른 접속 방식 예컨대 탭 본딩 방식과 플립 칩 본딩 방식으로 접속된 반도체 칩을 적층하여 적층 패키지로 구현할 수 있다. 특히, 플랙서블 기판에 탭 본딩 및 플립 칩 본딩된 반도체 칩 부분을 접어서 적층 패키지를 구현하기 때문에, 반도체 칩 크기에 무관하게 적층 패키지를 구현할 수 있다.Accordingly, according to the structure of the present invention, semiconductor chips connected by different connection methods such as tap bonding and flip chip bonding may be stacked to implement a stacked package. In particular, since the stack package is implemented by folding the tab bonded and flip chip bonded semiconductor chip portions onto the flexible substrate, the stack package may be implemented regardless of the size of the semiconductor chip.

그리고, 적층 패키지 제조를 위한 플랙서블 기판이 스트립 형태로 제공되기 때문에, 연속작업으로 적층 패키지의 제조가 가능하여 제조 공정 시간을 단축할 수 있고, 적층 패키지 제조 공정의 자동화가 가능하다.In addition, since the flexible substrate for manufacturing the laminated package is provided in the form of a strip, the manufacturing of the laminated package can be performed in a continuous operation, thereby reducing the manufacturing process time and allowing the automation of the laminated package manufacturing process.

Claims (3)

플랙서블 기판을 이용한 적층 패키지로서,A laminated package using a flexible substrate, 제 1 탭 본딩 영역과, 상기 제 1 탭 본딩 영역과 연결되며 소정의 간격을 두고 서로 마주보게 접혀진 제 2 탭 본딩 영역과, 상기 제 1 탭 본딩 영역과 제 2 탭 본딩 영역이 연결된 방향과 수직한 방향의 상기 제 1 탭 본딩 영역에 연결되며 상기 제 2 탭 본딩 영역과 마주보게 접혀진 플립 칩 본딩 영역을 갖는 플랙서블 기판과;A first tab bonding region, a second tab bonding region connected to the first tab bonding region and folded to face each other at a predetermined interval, and perpendicular to a direction in which the first tab bonding region and the second tab bonding region are connected to each other; A flexible substrate having a flip chip bonding region connected to the first tab bonding region in a direction and folded to face the second tab bonding region; 접혀진 상기 제 1 탭 본딩 영역과 제 2 본딩 영역 사이의 상기 제 1 탭 본딩 영역에 탭 본딩된 제 1 칩과;A first chip tab bonded to the first tab bonding region between the folded first tab bonding region and the second bonding region; 상기 제 2 탭 본딩 영역에 탭 본딩되며, 배면이 상기 제 1 칩의 배면에 부착되는 제 2 칩과;A second chip tab-bonded to the second tab bonding region and having a rear surface attached to the rear surface of the first chip; 상기 플랙서블 기판의 플립 칩 영역에 플립 칩 본딩되며, 배면이 상기 제 2 칩이 플립 칩 본딩된 상기 제 2 탭 본딩 영역의 반대면에 부착되는 제 3 칩; 및A third chip flip-chip bonded to a flip chip region of the flexible substrate and having a rear surface attached to an opposite surface of the second tab bonding region to which the second chip is flip chip bonded; And 상기 제 3 칩이 본딩된 상기 플립 칩 본딩 영역의 반대면에 형성된 복수개의 외부접속단자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플랙서블 기판을 이용한 적층 패키지.And a plurality of external connection terminals formed on opposite surfaces of the flip chip bonding region in which the third chip is bonded. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 칩의 탭 본딩된 영역과 제 3 칩의 플립 칩 본딩된 영역은 각기 액상의 수지로 덮여진 것을 특징으로 하는 플랙서블 기판을 이용한 적층 패키지.The stack package of claim 1, wherein the tab bonded regions of the first and second chips and the flip chip bonded regions of the third chip are each covered with a liquid resin. 제 1항에 있어서, 상기 플랙서블 기판의 접혀지는 부분에 유연성을 증가시키기 위한 슬롯이 형성된 것을 특징으로 하는 플랙서블 기판을 적층 패키지.The stack package of claim 1, wherein a slot for increasing flexibility is formed in a folded portion of the flexible substrate.
KR1020000061238A 2000-10-18 2000-10-18 Stack package using flexible substrate KR100675729B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000061238A KR100675729B1 (en) 2000-10-18 2000-10-18 Stack package using flexible substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000061238A KR100675729B1 (en) 2000-10-18 2000-10-18 Stack package using flexible substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020030891A KR20020030891A (en) 2002-04-26
KR100675729B1 true KR100675729B1 (en) 2007-02-01

Family

ID=19694072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000061238A KR100675729B1 (en) 2000-10-18 2000-10-18 Stack package using flexible substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100675729B1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100876889B1 (en) 2007-06-26 2009-01-07 주식회사 하이닉스반도체 Semiconductor package, and multi-chip semiconductor package using the semiconductor package
CN103715184A (en) * 2013-12-24 2014-04-09 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 Three-dimensional multi-chip storage system packaging structure based on flexible base board and manufacturing method thereof
KR101709397B1 (en) 2015-05-20 2017-02-23 한국광기술원 Silk composition and flexible led using the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5776797A (en) * 1995-12-22 1998-07-07 Fairchild Space And Defense Corporation Three-dimensional flexible assembly of integrated circuits

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5776797A (en) * 1995-12-22 1998-07-07 Fairchild Space And Defense Corporation Three-dimensional flexible assembly of integrated circuits

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020030891A (en) 2002-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7998792B2 (en) Semiconductor device assemblies, electronic devices including the same and assembly methods
JP4361670B2 (en) Semiconductor element stack, semiconductor element stack manufacturing method, and semiconductor device
US8076770B2 (en) Semiconductor device including a first land on the wiring substrate and a second land on the sealing portion
US7355274B2 (en) Semiconductor package, manufacturing method thereof and IC chip
KR101895019B1 (en) Stackable molded microelectronic packages with area array unit connectors
US8164189B2 (en) Multi-chip semiconductor device
KR19990006158A (en) Ball grid array package
US10354978B1 (en) Stacked package including exterior conductive element and a manufacturing method of the same
US5559305A (en) Semiconductor package having adjacently arranged semiconductor chips
KR100618542B1 (en) Method for manufacturing stack package
KR100675729B1 (en) Stack package using flexible substrate
KR101345035B1 (en) Semiconductor package and fabricating method thereof
US11616017B2 (en) Integrated circuit package structure, integrated circuit package unit and associated packaging method
US11670600B2 (en) Panel level metal wall grids array for integrated circuit packaging
KR20050027384A (en) Chip size package having rerouting pad and stack thereof
CN214542219U (en) Flip chip package structure
JP2001118954A (en) Semiconductor device
US20220077053A1 (en) Integrated circuit package structure, integrated circuit package unit and associated packaging method
KR20240074215A (en) Semiconductor package
KR100633884B1 (en) Manufacturing method of semiconductor package
JPH07283274A (en) Semiconductor device and junction seat
KR20000072995A (en) Stack type semiconductor chip package and manufacturing method thereof
KR20010073751A (en) Stack package
KR20070052911A (en) Stack type package
KR20030073860A (en) method for manufacturing stacked chip package

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100114

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee