KR100673529B1 - Substrate encap process - Google Patents

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KR100673529B1
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두산디앤디 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판에 박판을 인캡하는 공정에 관한 것으로서, 기판이 놓여진 발열판위에 로봇암상면에 안착시킨 박판을 소정간격(D1) 이격된 상태로 위치시키는 제 1 공정, 상기 로봇암상면의 상기 박판을 챔버의 어느 양면에 각각 설치된 수평이동가능한 집게부로 집고 상기 로봇암을 챔버에서 빼내어 주는 제 2 공정, 상기 발열판을 상기 박판과 미소간격(D2)까지 상승시키고, 펌프를 가동하여 상기 챔버를 진공상태로 형성시키는 제 3 공정과 상기 일측의 집게부의 그립을 열어 상기 챔버방향으로 수평이동시킨 후, 타측의 집게부의 그립을 상기 타측 챔버방향으로 수평이동시키는 제 4 공정으로 이루어진 기판 인캡 공정을 제공한다.The present invention relates to a process of encapsulating a thin plate on a substrate, the first step of placing the thin plate seated on the robot arm upper surface on the heating plate on which the substrate is placed at a predetermined distance (D1), the thin plate of the upper surface of the robot arm In the second step of picking up the horizontally movable tongs respectively installed on either side of the chamber and lifting the robot arm out of the chamber, the heating plate is raised to the thin plate and the minute gap D2, and the pump is operated to vacuum the chamber. It provides a substrate encap process comprising a third step of forming and a fourth step of opening the grip of the tongs of one side and horizontally moving in the chamber direction, and then horizontally moving the grips of the other tongs in the chamber direction.

기판 인캡 공정, 기판, 박판Substrate Encap Process, Substrate, Sheet

Description

기판 인캡 공정 {SUBSTRATE ENCAP PROCESS}Substrate Encap Process {SUBSTRATE ENCAP PROCESS}

도 1은 본 발명의 일실시례에 의한 챔버내에서 작동되는 제 1 공정에 대한 개략 측단면도이다.1 is a schematic side cross-sectional view of a first process operated in a chamber according to one embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일실시례에 의한 제 2 공정에 대한 개략 측단면도이다.2 is a schematic side cross-sectional view of a second process according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일실시례에 의한 제 3 공정에 대한 개략 측단면도이다. 3 is a schematic side cross-sectional view of a third process according to an embodiment of the present invention.

도 4a~4c는 본 발명의 일실시례에 의한 제 4 공정에 대한 개략 측단면도이다. 4A to 4C are schematic side cross-sectional views of a fourth process according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 기판에 박판을 인캡하는 모습을 보인 개략도이다.5 is a schematic view showing a state of encapsulating a thin plate on a substrate according to an embodiment of the present invention.

도 6a~b는 본 발명의 다른 일실시례에 의한 챔버내에서 작동되는 제 4 공정에 대한 개략 측면도이다.6A-B are schematic side views of a fourth process operated in a chamber in accordance with another embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 다른 일실시례에 따른 기판에 박판을 인캡하는 모습을 보인 개략도이다. Figure 7 is a schematic diagram showing the appearance of encapsulating a thin plate on a substrate according to another embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10 : 기판(substrate) 20 : 박판10: substrate 20: thin plate

30 : 로봇암(robot arm) 40 : 집게부30: robot arm 40: tongs

50 : 발열판 52 : 발열판 지지대50: heating plate 52: heating plate support

본 발명은 기판에 박판을 인캡하는 공정에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 기존인캡하는 공정상의 문제점들을 해결하여 개선된 기판인캡공정에 관한 것이다. The present invention relates to a process for encapsulating a thin plate on a substrate, and more particularly, to an improved substrate encapsulation process by solving the problems of the existing encapsulation process.

최근 정보 통신 기술의 비약적인 발전과 시장의 팽창에 따라 디스플레이 소자로서 평판표시소자(Flat Panel Display)가 각광받고 있다. 이러한 평판표시소자로는 액정 표시소자(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 소자(Plasma Display Panel), 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diodes) 등이 대표적이다.Recently, with the rapid development of information and communication technology and the expansion of the market, a flat panel display has been spotlighted as a display device. Such flat panel displays include liquid crystal displays, plasma display panels, organic light emitting diodes, and the like.

그중에 유기발광소자는 빠른 응답속도, 기존의 액정표시소자 보다 낮은 소비 전력, 경량성, 별도의 백라이트(back light) 장치가 필요없으므로 초 박형으로 만들 수 있는 점, 고휘도 등의 매우 좋은 장점을 가지고 있어서 차세대 디스플레이 소자로서 각광받고 있다.  Among them, organic light emitting diodes have very good advantages such as fast response speed, lower power consumption than conventional liquid crystal display devices, light weight, no need for a separate back light device, and thus can be made ultra thin and high brightness. It is attracting attention as a next generation display device.

이러한 유기발광소자는 기판 위에 양극 막, 유기 박막, 음극 막을 입혀서 양극과 음극사이에 전압을 걸어줌으로서 적당한 에너지의 차이가 유기 박막에 형성되어 자발광하는 원리이다. 즉, 주입되는 전자와 정공(hole)이 재결합하며 남는 여기 에너지가 빛으로 발생되는 것이다. 이때 유기 물질의 도판트의 양에 따라 발생하는 빛의 파장을 조절할 수 있으므로 풀 칼라(full color)의 구현이 가능하다. 그리고, 생산성 향상 및 디스플레이의 대형화로 인해 디스플레이 제작에 사용되는 유리 기 판이 점차적으로 대형화되는 추세이다.The organic light emitting device is a principle that self-luminescence is formed by applying a voltage difference between the anode and the cathode by applying an anode film, an organic thin film, and a cathode film on a substrate to form an organic energy thin film. That is, the excitation energy left by recombination of injected electrons and holes is generated as light. In this case, since the wavelength of light generated according to the amount of the dopant of the organic material may be adjusted, full color may be realized. In addition, glass substrates used for manufacturing displays are gradually becoming larger due to productivity improvement and larger displays.

유기발광소자의 자세한 구조는 기판 상에 양극(anode), 정공 주입층(hole injection layer), 정공 운송층(hole transfer layer), 발광층(emitting layer), 전자 운송층(eletron transfer layer), 전자 주입층(eletron injection layer), 음극(cathode)이 순서대로 적층되어 형성된다. 여기에서 양극으로는 면저항이 작고 투과성이 좋은 ITO(Indium Tin Oxide)이 주로 사용된다. 그리고 유기 박막은 발광 효율을 높이기 위하여 정공 주입층, 정공 운송층, 발광층, 전자 운송층, 전자 주입층의 다층으로 구성되며, 발광층으로 사용되는 유기물질은 Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, TCTA 등이다. 또한 음극으로는 LiF-Al 금속막이 사용된다. 그리고 유기 박막이 공기 중의 수분과 산소에 매우 약하므로 소자의 수명(life time)을 증가시키기 위해 봉합하는 얇은 박막이 최상부에 형성된다.The detailed structure of the organic light emitting device is an anode, a hole injection layer, a hole transfer layer, an emitting layer, an electron transfer layer, an electron injection on the substrate A layer (eletron injection layer), a cathode (cathode) is formed by stacking in order. In this case, ITO (Indium Tin Oxide) having a small sheet resistance and good permeability is mainly used as the anode. And an organic thin film is composed of a hole injection layer, a hole transport layer, light emitting layer, an electron transport layer, the electron injection layer, the multi-layer to increase the light emitting efficiency, an organic material used for the light emitting layer is Alq 3, TPD, PBD, m-MTDATA, TCTA. As the cathode, a LiF-Al metal film is used. In addition, since the organic thin film is very weak against moisture and oxygen in the air, a thin thin film is formed on the top to increase the life time of the device.

상기 종래의 EL 유리기판에 박판을 형성하는 방법으로는, 진공챔버인 UV(Ultra Violet) 챔버내에서, 기판을 발열판위에 안착시키는 공정, 열 프레싱(heat pressing)하는 공정 및 UV 접착제를 도포하는 공정 및 박판을 인캡(Encap)하는 방법이 행하여 져 왔다. As a method of forming a thin plate on the conventional EL glass substrate, a process of seating a substrate on a heating plate in a vacuum chamber (Ultra Violet) chamber, a process of heat pressing, and a process of applying a UV adhesive And a method of encaping a thin plate has been performed.

여기서, 상기와 같은 인캡하는 방법을 이용할 때에는 챔버에 프레싱을 할 수 있는 장비 등이 필요하여 생산공정이 복잡하며, 기판에 대한 비용이 비싸지는 문제점이 있었다. In this case, when using the encapsulation method as described above, equipment for pressing the chamber is required, and thus the production process is complicated, and the cost for the substrate is high.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 박판이 기판 중심부에서 부터 좌우 차례로 밀착될 수 있는 특징이 있는 기판 인캡 공정을 제공한다. An object of the present invention to provide a substrate encapsulation process characterized in that the thin plate can be in close contact from the center of the substrate in order to solve the above problems.

전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판이 놓여진 발열판위에 로봇암상면에 안착시킨 박판을 소정간격(D1) 이격된 상태로 위치시키는 제 1 공정, 상기 로봇암상면의 상기 박판을 챔버의 어느 양면에 각각 설치된 수평이동가능한 집게부로 집고 상기 로봇암을 챔버에서 빼내어 주는 제 2 공정, 상기 발열판을 상기 박판과 미소간격(D2)까지 상승시키고, 펌프를 가동하여 상기 챔버를 진공상태로 형성시키는 제 3 공정 및 상기 일측의 집게부의 그립을 열어 상기 챔버방향으로 수평이동시킨후, 타측의 집게부의 그립을 상기 챔버방향으로 수평이동시키는 제 4 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 인캡 공정을 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention, the first step of placing the thin plate seated on the robot arm upper surface on the heating plate on which the substrate is placed at a predetermined interval (D1) spaced, the thin plate of the robot arm upper surface of the chamber A second step of picking up the horizontally movable tongs respectively installed on both sides and removing the robot arm from the chamber, raising the heating plate to the thin plate and the minute gap D2, and operating a pump to form the chamber in a vacuum state; And a fourth step of horizontally moving the grips of the other side to the chamber direction by opening the grips of the tongs of the one side and horizontally moving the grips of the other side.

여기서, 상기 제 1 공정의 소정간격(D1)은 상기 박판이 상기 발열판위의 기판의 상면에서 50 내지 90mm 떨어진 게 구성하는 것이 바람직하다. Here, the predetermined interval (D1) of the first step is preferably configured such that the thin plate is 50 to 90mm away from the upper surface of the substrate on the heating plate.

그리고, 상기 제 3 공정의 상기 발열판을 상승시켜 상기 기판과 상기 박판사이의 미소간격(D2)이 1 내지 11mm가 되도록 한다. Then, the heating plate of the third process is raised so that the minute spacing D2 between the substrate and the thin plate is 1 to 11 mm.

또한, 전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 한 형태에 의하면, 기판이 놓여진 발열판위에 로봇암상면에 안착시킨 박판을 소정간격(D1) 이격된 상태로 위치시키는 제 1 공정, 상기 로봇암상면의 상기 박판을 챔버의 어느 양면에 각각 설치된 수평이동가능한 집게부로 집고 상기 로봇암을 챔버에서 빼내어 주는 제 2 공 정, 상기 발열판을 상기 박판과 미소간격(D2)까지 상승시키고, 펌프를 가동하여 상기 챔버를 진공상태로 형성시키는 제 3 공정 및 상기 집게부 각각을 동시에 상기 챔버방향으로 수평이동시키는 제 4 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 인캡 공정을 제공한다. In addition, according to one aspect of the present invention for achieving the above object, the first step of placing the thin plate seated on the robot arm upper surface on the heating plate on which the substrate is placed in a state spaced apart by a predetermined interval (D1), the robot arm upper surface In the second process of picking up the thin plate with horizontally movable tongs respectively installed on either side of the chamber and lifting the robot arm out of the chamber, the heating plate is raised to the thin plate and the minute interval D2, and a pump is operated to operate the chamber. It provides a substrate encapsulation process comprising a third step of forming a vacuum in the vacuum and a fourth step of horizontally moving each of the tongs portion in the chamber direction at the same time.

여기서, 상기 제 1 공정의 소정간격(D1)은 상기 박판이 상기 발열판위의 기판의 상면에서 50 내지 90mm 떨어진 게 구성하는 것이 바람직하다.Here, the predetermined interval (D1) of the first step is preferably configured such that the thin plate is 50 to 90mm away from the upper surface of the substrate on the heating plate.

또한, 상기 제 3 공정의 상기 발열판을 상승시켜 상기 기판과 상기 박판사이의 미소간격(D2)이 1 내지 11mm가 되도록 한다.In addition, the heating plate of the third process is raised so that the minute spacing D2 between the substrate and the thin plate is 1 to 11 mm.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예의 구성 및 작동을 상세하게 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration and operation of the specific embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 일실시례에 의한 챔버내에서 작동되는 제 1 공정에 대한 개략 측단면도이다. 이에 도시된 바와 같이, 기판(10)을 박판(20)으로 인캡(Encap)하기 위해 로봇암(30)에 상기 박판(20)을 챔버(미도시)내로 들여온다. 이때, 상기 기판과 상기 박판사이의 소정간격(D1)은 약 50 내지 90mm 떨어지게 하는 것이 바람직 하다. 이 때, 상기 챔버(미도시)의 어느 양면에 수평이동 가능한 그립(40b)과 그립지지대(40a)로 이루어진 집게부(40)가 제 2 공정을 위해 준비되고 있다.1 is a schematic side cross-sectional view of a first process operated in a chamber according to one embodiment of the present invention. As shown in the drawing, the thin plate 20 is brought into a chamber (not shown) in the robot arm 30 to encap the substrate 10 into the thin plate 20. At this time, the predetermined distance (D1) between the substrate and the thin plate is preferably about 50 to 90mm apart. At this time, tongs 40 made of a horizontally movable grip 40b and a grip support 40a on either side of the chamber (not shown) are prepared for the second process.

도 2는 본 발명의 일실시례에 의한 제 2 공정에 대한 개략 측단면도이다. 상기 제 2 공정에서는, 상기 로봇암(30)상면의 상기 박판(20)을 챔버(미도시)의 어느 양면에 각각 설치된 수평이동가능한 집게부(40)로 집고 상기 로봇암(30)을 상기 챔 버(미도시)에서 빼내어 준다.2 is a schematic side cross-sectional view of a second process according to an embodiment of the present invention. In the second step, the thin plate 20 on the upper surface of the robot arm 30 is picked up by horizontally movable tongs 40 provided on either side of a chamber (not shown), and the robot arm 30 is held by the chamber. Pull out from burrs (not shown).

도 3은 본 발명에 의한 제 3 공정에 대한 개략 측단면도이다. 상기 제 3 공정에서는, 상기 기판(10)이 안착되어 있는 상기 발열판(50)을 상기 박판(20)과 미소간격(D2)까지 상승시키고, 펌프(미도시)를 가동하여 상기 챔버내의 공기를 빼내어 상기 챔버를 진공상태로 만들게 된다. 여기서는, 상기 발열판(50)은 축(shaft)형태인 발열판 지지대(52)에 의하여 받쳐지게 되고, 상기 챔버(미도시)에서 상하운동하게 설치되어 있어, 상기 발열판(50)이 상승하게 된다. 이 때, 상기 발열판(50)위에 안착된 상기 기판(10)과 상기 박판(20)사이의 미소간격(D2)이 1mm~11mm가 되도록 발열판을 상승시키는 것이 바람직하다. 3 is a schematic side cross-sectional view of a third process according to the present invention. In the third step, the heating plate 50 on which the substrate 10 is seated is raised to the thin plate 20 and the minute gap D2, and a pump (not shown) is operated to draw out air in the chamber. The chamber is vacuumed. Here, the heating plate 50 is supported by the heating plate support 52 in the form of a shaft (shaft) is installed in the chamber (not shown) to move up and down, the heating plate 50 is raised. At this time, it is preferable to raise the heating plate such that the minute spacing D2 between the substrate 10 and the thin plate 20 seated on the heating plate 50 becomes 1 mm to 11 mm.

도 4a~4c는 본 발명에 의한 제 4 공정에 대한 개략 측단면도이다. 상기 제 4 공정에서는, 상기 일측의 집게부(40)의 그립(40b)을 열어 상기 챔버방향으로 수평이동시킨후, 타측의 집게부(40)의 그립(40b)을 상기 타측의 챔버방향으로 수평이동시킨다. 도 4a는 상기 일측의 집게부(40)를 열면, 상기 박판(20)이 약 0.7mm정도이므로, 매우 얇으므로 그 중심부가 중력에 의해 처짐현상이 발생해 상기 기판에 접하게 된다. 여기서, 상기 그립(40b)을 연 상기 일측의 집게부(40)를 챔버방향으로 수평이동시키면, 도 4b에서 처럼 기판(10)의 중심부에서 한 쪽 끝으로 밀착되게 된다. 이후, 상기 타측의 집게부(40)의 그립(42)을 열고, 타측의 챔버방향으로 수평이동시키면, 도4c처럼 기판의 중심부에서 다른 쪽 끝으로 밀착이 일어나게 되므로써, 상기 기판(10)에 상기 박판(20)의 인캡하는 공정이 완성된다.4A-4C are schematic side cross-sectional views of a fourth process according to the present invention. In the fourth step, the grip 40b of the forceps 40 on the one side is opened and horizontally moved in the chamber direction, and then the grip 40b of the forceps 40 on the other side is horizontal in the chamber direction of the other side. Move it. 4A shows that the thin plate 20 is about 0.7 mm when the tong portion 40 of the one side is opened, so that the thin plate 20 is very thin so that its center portion sags due to gravity and comes into contact with the substrate. In this case, when the grip unit 40 having the grip 40b opened is horizontally moved in the chamber direction, the grip 40b is brought into close contact with one end at the center of the substrate 10 as shown in FIG. 4B. Thereafter, when the grip 42 of the other side clamping part 40 is opened and horizontally moved in the direction of the chamber on the other side, adhesion occurs from the center of the substrate to the other end as shown in FIG. The process of encapsulating the thin plate 20 is completed.

도 5는 상기 제 4 공정 에서, 상기 박판(20)이 상기 기판에 밀착되는 모습을 개략적으로 다시 보여주고 있다.FIG. 5 schematically shows again that the thin plate 20 is in close contact with the substrate in the fourth process.

도 6a~b는 본 발명의 제 4 공정의 다른 일실시례에 의한 개략 측면도이다.6A and 6B are schematic side views according to another embodiment of the fourth process of the present invention.

상기 집게부(40) 각각에 그립(42)을 동시에 열어 각각의 상기 챔버(미도시)방향으로 수평이동시키는 공정으로, 상기 집게부(40)의 각각의 그립(42)을 동시에 열면, 상기 박판(20)이 상기 기판(10)의 중심부가 처짐현상이 발생하고 상기 기판에 접하게 된다. 상기 각각의 집게부(40)를 각각의 챔버로 수평이동시키면, 중심부의 좌우로 밀착되게 된다. In the process of opening the grips 42 on each of the tongs 40 at the same time to move horizontally in the direction of each chamber (not shown), when each grip 42 of the tongs 40 is opened at the same time, the thin plate The central portion of the substrate 10 sags and contacts the substrate 20. When the tongs 40 are horizontally moved to the respective chambers, they are brought into close contact with the left and right of the center.

도 7은 본 발명의 제 4 공정의 다른 일실시례에 따라 상기 박판(20)이 상기 기판에 박판을 인캡하는 모습을 보인 개략도이다.7 is a schematic view showing the thin plate 20 to encapsulate the thin plate on the substrate according to another embodiment of the fourth process of the present invention.

본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었고, 이는 예시적인 것에 불과하며 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, which are merely exemplary and various modifications and equivalent other embodiments may be made by those skilled in the art.

본 발명에 따른 상기의 기판 인캡 공정에 따르면, 종래의 직접 모든 면을 같이 덮는 과정이 아니므로, 종래 인캡과정에 비해 밀착성이 현저히 좋아지는 효과도 있다. According to the substrate encapsulation process according to the present invention, since it is not a process of directly covering all conventional surfaces together, the adhesiveness is remarkably improved as compared with the conventional encapsulation process.

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Claims (6)

로봇암을 이용하여 기판이 놓여진 발열판 위에 접착제가 도포된 박판을 소정간격(D1) 이격된 상태로 위치시키는 제 1 공정;A first step of placing a thin plate coated with an adhesive on a heating plate on which a substrate is placed in a state spaced apart by a predetermined interval D1 using a robot arm; 상기 로봇암상면의 상기 박판을 챔버의 어느 양면에 각각 설치된 수평이동가능한 집게부로 집고 상기 로봇암을 챔버에서 빼내어 주는 제 2 공정;A second step of picking up the thin plates of the upper surface of the robot arm with horizontally movable tongs respectively provided on either side of the chamber and removing the robot arm from the chamber; 상기 발열판을 상기 박판과 미소간격(D2)까지 상승시키고, 펌프를 가동하여 상기 챔버를 진공상태로 형성시키는 제 3 공정;A third step of raising the heating plate to the thin plate and the minute gap D2 and operating a pump to form the chamber in a vacuum state; 상기 일측의 집게부의 그립을 열어 상기 챔버방향으로 수평이동시킨 후, 타측의 집게부의 그립을 상기 타측 챔버방향으로 수평이동시키는 제 4 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 인캡 공정.And a fourth step of opening the grip of the tongs of one side and horizontally moving it in the chamber direction, and then horizontally moving the grip of the other of the tongs in the direction of the other chamber. 상기 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 1 공정의 소정간격(D1)은 상기 박판이 상기 발열판위의 기판의 상면에서 50 내지 90mm 떨어진 것을 특징으로 하는 기판 인캡 공정.The predetermined interval (D1) of the first step is a substrate encapsulation process, characterized in that the thin plate is 50 to 90mm away from the upper surface of the substrate on the heating plate. 상기 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제 3 공정의 상기 발열판을 상승시켜 상기 기판과 상기 박판사이의 미소간격(D2)이 1 내지 11mm가 되도록 한 것을 특징으로 하는 기판 인캡 공정.And raising the heat generating plate of the third process so that a small gap D2 between the substrate and the thin plate is 1 to 11 mm. 로봇암을 이용하여 기판이 놓여진 발열판 위에 접착제가 도포된 박판을 소정간격(D1) 이격된 상태로 위치시키는 제 1 공정;A first step of placing a thin plate coated with an adhesive on a heating plate on which a substrate is placed in a state spaced apart by a predetermined interval D1 using a robot arm; 상기 로봇암상면의 상기 박판을 챔버의 어느 양면에 각각 설치된 수평이동가능한 집게부로 집고 상기 로봇암을 챔버에서 빼내어 주는 제 2 공정;A second step of picking up the thin plates of the upper surface of the robot arm with horizontally movable tongs respectively provided on either side of the chamber and removing the robot arm from the chamber; 상기 발열판을 상기 박판과 미소간격(D2)까지 상승시키고, 펌프를 가동하여 상기 챔버를 진공상태로 형성시키는 제 3 공정;A third step of raising the heating plate to the thin plate and the minute gap D2 and operating a pump to form the chamber in a vacuum state; 상기 집게부 각각을 동시에 상기 챔버방향으로 수평이동시키는 제 4 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 인캡 공정.And a fourth process of horizontally moving each of the tongs in the chamber direction. 상기 제 4 항에 있어서, The method according to claim 4, 상기 제 1 공정의 소정간격(D1)은 상기 박판이 상기 발열판위의 기판의 상면에서 50 내지 90mm 떨어진 것을 특징으로 하는 기판 인캡 공정.The predetermined interval (D1) of the first step is a substrate encapsulation process, characterized in that the thin plate is 50 to 90mm away from the upper surface of the substrate on the heating plate. 상기 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제 3 공정의 상기 발열판을 상승시켜 상기 기판과 상기 박판사이의 미소간격(D2)이 1 내지 11mm가 되도록 한 것을 특징으로 하는 기판 인캡 공정.And raising the heat generating plate of the third process so that a small gap D2 between the substrate and the thin plate is 1 to 11 mm.
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