KR100666503B1 - 가스 절연 개폐장치의 에폭시 주입구형 부분 방전 검출 센서 - Google Patents

Abstract

본 발명은 가스 절연 개폐장치의 에폭시 주입구형 부분 방전 검출 센서에 관한 것으로, GIS(가스 절연 개폐장치) 스페이서(Spacer)의 에폭시 주입구에 설치되어 GIS 내부에서 발생된 부분 방전 UHF(초고주파) 신호를 감지하는 패치 안테나(Patch Antenna)가 구비되고, 상기 패치 안테나가 수용되고 외관은 노출에 의한 외부 잡음을 최소화하기 위한 금속 차폐재로 구성되며, 상기 패치 안테나를 고정시키기 위한 절연체가 금속 차폐재 내부에 채워진 가스 절연 개폐장치의 에폭시 주입구형 부분 방전 검출 센서에 있어서, 상기 패치 안테나는 5pC의 부분 방전신호를 검출하는 것으로서, 안테나의 길이가 주파수의 함수로서 1/4파장(λ/4)에 비례하고, 금속 케이스의 크기 및 금속 케이스와 안테나에서 형성되는 자기장의 커플링을 고려하여 설계된 모노폴형 패치 안테나, 또는 안테나의 길이가 주파수의 함수로서 반파장(λ/2)에 비례하고, 무지향성 방사특성을 갖는 다이폴형 패치 안테나인 에폭시 주입구형 부분 방전 검출 센서로서, 가스 절연 개폐장치의 부분 방전을 진단하여 검출해내는 고감도의 초고주파 센서이다.

가스 절연, 개폐장치, 불화유황, 부분 방전, 검출 센서, 초고주파, 광대역

Description

가스 절연 개폐장치의 에폭시 주입구형 부분 방전 검출 센서{Epoxy Injection Hole Sensor for Diagnosis Partial Discharge of Gas-Insulated Switchgear}

도 1a는 일반적인 가스 절연 개폐장치 내부의 외함 고정 돌출부에 의한 부분 방전 발생시에 내부 전계 및 내부 현상을 나타낸 도면이다.

도 1b는 전형적인 부분 방전에 의한 전류 펄스를 나타낸 그래프이다.

도 2는 가스 절연 개폐장치(GIS) 내부의 전자파 진행 및 전달 상태를 나타낸 도면이다.

도 3은 GIS 내부의 전자파 발생과 진행경로 및 검출방법을 예시한 도면이다.

도 4a 내지 도 4d는 스파이럴 선형 안테나를 예시한 도면이다.

도 5a는 스파이럴 평판을 나타낸 것이고, 도 5b는 슬롯 안테나를 예시한 것이다.

도 6a는 평면형 대수 주기 안테나를 나타낸 것이고, 도 6b는 도선형 대수 주기 안테나를 예시한 것이다.

도 7a는 사다리꼴 톱날 평면형 대수 주기 안테나를 나타낸 것이고, 도 7b는 사다리꼴 톱날 도선형 대수 주기 안테나를 예시한 것이다.

도 8은 본 발명의 일 실시예로서 에폭시 주입구형 센서의 구조를 나타낸 도면이다.

도 9a 내지 도 9d는 다양하게 제작된 모노폴형 패치 안테나를 예시한 도면이다.

도 10은 모노폴형 패치 안테나의 RL(반사손실) 계산값과 측정값을 비교한 그래프이다.

도 11은 모노폴형 패치 안테나의 이득을 나타낸 그래프이다.

도 12a 내지 도 12d는 다양하게 제작된 다이폴형 패치 안테나를 예시한 도면이다.

도 13은 다이폴형 패치 안테나의 RL(반사손실) 계산값과 측정값을 비교한 그래프이다.

도 14는 다이폴형 패치 안테나의 이득을 나타낸 그래프이다.

도 15a 및 도 15b는 제작된 에폭시 주입구형 센서를 나타낸 도면이다.

도 16a는 모노폴형 센서들의 RL값을 비교한 그래프이고, 도 16b는 다이폴형 센서들의 RL값을 비교한 그래프이다.

도 17은 패트 다이폴 패치 안테나의 RL 변화값을 나타낸 그래프이다.

도 18a는 실제 규모의 GIS 에폭시 주입구를 나타낸 도면이고, 도 18b는 특성시험을 위하여 제작된 에폭시 주입구를 나타낸 도면이다.

도 19a는 실제 GIS 에폭시 주입구이고, 도 19b는 특성시험을 위하여 제작된 에폭시 주입구를 나타낸 도면이다.

도 20은 에폭시 주입구형 센서의 시험장치를 나타낸 구성도이다.

도 21a 내지 도 21h는 배리어(Barrier) 에폭시 주입구형 센서의 RL값을 나타낸 그래프이다.

도 22a 내지 도 22h는 배리어 에폭시 주입구형 센서의 주파수 응답 특성을 비교한 그래프이다.

도 23a 내지 도 23h는 에폭시 주입구형 센서의 부분 방전신호 측정 파형을 나타낸 그래프이다.

본 발명은 가스 절연 개폐장치의 에폭시 주입구형 부분 방전 검출 센서에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 전력설비로서 사용되는 SF₆(불화유황) 가스 절연 개폐장치의 부분 방전을 진단하여 검출해내는 고감도의 초고주파 센서에 관한 것이다.

SF₆ 가스 절연 개폐장치(Gas-Insulated Switchgear, GIS)는 우수한 절연내력, 차단성능과 신뢰성이 높은 전력설비로서, 고장이 발생하면 그 파급효과에 의한 경제적 손실이 매우 크다. 현재 GIS 사고를 예방하기 위한 기술개발 및 노력이 꾸준히 진행되고 있고, 유럽이나 일본 등 극소수 국가에서 현장 적용기술이 제시되어 적용되고 있다. 그러나 최신 기술로서는 기술의 장벽이 높을 뿐만 아니라, 실제 현장적용에는 다소 미흡한 부분이 있기 때문에 적용이 보편화되어 있지 않은 실정이다.

종래에 일본에서는 전력설비로서, 계통 최고 전압인 500kV에서 1,000kV로 격상시키기 위하여 시험용 3상 변전소 1개소를 건설하여 1996년부터 장기간 동안 시험 운전을 하고 있다. 해당 업체가 개발한 1,000kV 변압기 및 GIS의 시험 운전 과정에서 운전 사고가 발생하여 이러한 기기들의 성능에 대한 검증 및 보완작업이 꾸준히 이루어지고 있다. 더욱이 수많은 연구기관들이 GIS의 내부결함을 검출해 내기 위하여 다양한 방법들이 적용 및 제시되고 있다.

한편, 영국이나 일본의 경우에는 UHF(Ultra High Frequency, 초고주파) 진단기술 중심으로 발전하였고, 스웨덴이나 노르웨이 등에서는 음향신호 진단기술 중심으로 연구가 진행되고 있다.

이와 같이 현장적용에 적합한 기술들을 선정하기 위한 기술검증 노력이 CIGRE(국제전력기술회의)를 중심으로 집중적인 연구가 이루어졌고, 그 결과 CIGRE 전문 분과 그룹에서는 전기적 방법으로는 UHF 진단법을, 기계적 방법으로는 음향신호 진단법을 병행할 것을 추천하고 있다.

특히 영국의 DMS(Diagnostic Monitering System)사는 UHF 기술을 최초로 개발한 회사로서, 1980년대 초부터 연구를 시작하여 1988년부터 영국에서 신설되는 모든 GIS는 UHF 센서를 내장시키는 것을 표준 사양화하였다. 이러한 기술추세를 감안할 때, 부분 방전으로 인하여 발생하는 UHF 대역의 신호를 측정하여 GIS 내부 의 상태를 항상 감시할 수 있는 진단 기술이 절실히 요구되고 있는 실정이다.

불화유황(SF₆)으로 절연된 GIS 내부에서 부분 방전이 발생되면 부분 방전 펄스는 수 ns 정도의 가파른 상승 시간을 가진 펄스로 수 백 ㎒에서 수 ㎓에 이르는 주파수 성분을 포함하고 있는 것으로 알려져 있다.　 GIS 내부 결함에 의해 발생된 전자파 신호는 복잡한 공진 및 반사, 감쇠 현상을 수반하며 GIS 내부를 전파하게 된다. 내부에서 전파되는 전자파 신호는 UHF 대역에서 반응하는 센서를 GIS 내에 장착하거나 외부에 장착하여 검출할 수 있으며, 이를 UHF 부분 방전 검출기법(UHF Method)라고 한다.

종래에 도 1a는 GIS 내부 외함 고정 돌출부에 의하여 부분 방전이 발생하였을 때에 내부 전계 및 내부 현상을 도식화한 것이고, 도 1b는 전형적인 전류 펄스 파형을 나타낸 것이다. GIS 내부에서 부분 방전이 발생하면 GIS 내부에는 도 1b에서와 같이, 수십 ps의 매우 빠른 상승 시간을 갖는 과도전류(transient electric current)가 흐르게 된다. 이때 전류펄스를 가우시안(Gaussian) 형태의 펄스라 가정하고, 펄스폭이 1ns라고 하면 전류펄스의 주파수 분포는 DC에서 1GHz 대역까지 분포하게 되며, 이때의 전류펄스로 인해 20GHz에 이르는 전자파(electromagnetic wave)가 방사(radiation)된다. 여기서 방사되는 전자파의 파워(power, P_EM)와 주파수(f_EM)는 각각 전류펄스의 크기(i_t) 및 전류펄스의 상승, 그리고 하강부에서의 전류 변화율(

)에 따라 결정된다.

상기와 같이 부분 방전 전류에 의해 방사된 초고주파 신호는 내부 도체를 따 라 파장이 다른 주파수의 형태로 전파(propagation)되고, 또한 반사(reflection)로 인해 전자파는 분산(dispersion)되어 전파되면서 신호 사이에 간섭이 일어나 지연(delay)되거나 유전율이 다른 매질(예로, 스페이서)을 만나면서 감쇠(attenuation)되어 전파된다.

GIS 챔버 구조는 UHF 신호 전달을 위한 저 손실 도파관(waveguide)으로 작용하는 동축 전극형태의 급전선(transmission line)으로 가정할 수 있으므로, 만일 스페이서나 불연속점이 없다면 0.5m 반경을 가진 도파관의 경우에 1GHz 신호의 전달 손실은 이론적으로는 3-5dB/km에 불과하다. 그러나 GIS 내부의 복잡한 구조와 수많은 불연속점들에 의한 반사현상이 반복되어 발생된 신호는 2dB/m정도의 감쇠와 공진현상이 발생하게 된다.

이러한 결함으로 발생된 UHF신호는 GIS 챔버 내부를 전파하면서 신호 중에서 각 모드(mode)별로 차단 주파수 이하에 해당하는 부분은 급격히 감쇠한다. 신호는 빛의 속도에 가까운 속도로 동축 전극형태의 급전선을 따라 전파되며 스페이서를 통과할 때는 속도가

로 감소된다. 여기서

는 스페이서 절연체(에폭시)의 비유전율이다. GIS 내부 구조의 불균일에 의해 UHF 신호는 복잡한 형태의 반사를 일으키며, 이에 의한 효과는 이론적으로 분석될 수 없지만 크게 단순화시켜 표현할 수 있다.

도 2는 GIS 내부의 전자파 진행 및 전달 상태를 나타낸 것으로, GIS 내부에서 발생된 전자파는 부분 방전이 발생한 지점에서부터 시작하여 SF₆ 가스와 동축 전 극형태의 급전선을 따라 진행된다. 진행 중인 전자파는 금속 외함, 스페이서 및 점검창에 도달하게 되는데, 전자기 이론에 의하면 전자파는 완전 도체의 경우에 있어서 모든 계의 성분들이 도체 내부 영역에서 0이 되어야 한다는 조건이 있다. 따라서 GIS 외함에 도달한 전자파는 투과되지 못하고 전반사가 이루어져 GIS 내부에 존재하게 된다.

스페이서로 진행된 전자파는 SF₆ 가스와 유전율이 다른 매질(스페이서)을 통과하게 되므로 유전율의 차이에 의해 일부는 반사되고, 일부는 투과된다. 반사된 전자파는 투과되기 전에 베이(bay)의 GIS 내부에 존재하며 스페이서를 투과한 전자파는 다음 베이 GIS의 내부에 존재하거나 공기 중으로 방사된다. 부분 방전으로 인하여 발생된 전자파는 스페이서를 통과할 때마다 반사와 투과를 반복하면서 전자파 에너지가 감소하게 되며, 결국 감쇠되어 소멸된다

전자파 검출에 의한 부분 방전 측정법은 부분 방전에 의한 초광대역(Ultra Wide Bandwidth, UWB) 전자파(Electro-Magnetic Wave, EM Wave) 신호를 초고주파 대역(300MHz ~ 3GHz)에서 검출하는 방법으로 외부 잡음에 의한 영향이 적어 현장에서의 부분 방전 측정 감도가 우수하여 결과적으로 결함 위치 판별이 가능하다.

초고주파 센서는 GIS 점검창(Maintenance hall or Window)에 부착하는 내장형과 개방형 스페이서(Barrier) 또는 폐쇄형 스페이서에 부착하는 외장형으로 분류될 수 있으며, 각각의 특성은 설계하는 안테나의 형태와 재료의 재질에 따라 다르다. 개발 초기에 사용된 초고주파 센서는 용량성 분압기(capacitive coupler)의 원리를 이용하여 단일 디스크(disk) 형태의 검출부를 갖는 구조이고, 단일 주파수 대역에서의 공진(resonance)원리를 이용하여 전자파를 검출하였다. 이러한 단일 디스크 형태의 초고주파 센서는 검출 대역폭이 좁은 협대역(narrow bandwidth; Δf ≪ 1.5f_c, f_c; 중심주파수) 센서로서 부분 방전에 의한 방사 전자파의 주파수 분석에 한계가 있으며, 구조적으로 검출부인 금속 디스크가 점검창 내부의 SF₆ 가스 중에 그대로 노출되어 있어 고전계(高電界)가 인가될 경우에 검출부인 금속 디스크에서의 절연파괴 위험도 제기되었다.

이러한 문제점을 해결하기 위하여 초광대역(ultra wide-bandwidth; Δf > 1.5f_c) 또는 주파수 비의존성(Frequency independent) 패치(Patch) 형태의 안테나를 초고주파 센서로 이용하는 연구들이 활발히 진행되고 있다.

상기와 같이 부분 방전 전류에 의해 방사된 초고주파 신호가 GIS 도파관을 따라 진행하다가 점검창에 도달하면 진행하던 매질이 다르므로 유전율의 차이에 의해 일부는 반사되며 일부는 투과된다. 반사된 전자파는 GIS 내부에 존재하고 투과된 전자파는 공기 중으로 방사된다.

결국, GIS 내부의 어떤 결함으로 인하여 발생된 부분 방전 신호들 중에서 전자파 신호는 GIS 내부 구조를 전송매체로 하여 진행하면서 스페이서나 점검창을 통과하여 공기 중으로 방사된 전자파 신호는 외장형 UHF 센서를 통해 검출할 수 있으며, 반사된 일부 전자파는 내장형 UHF 센서로 검출할 수 있다. 도 3은 전자파의 발생, 진행 및 검출 경로를 나타낸 것이다.

본 발명은 상기 초광대역 센서로서 가스 절연 개폐장치의 스페이서의 에폭시 주입구에 설치되는 에폭시 주입구형 센서를 제공하기 위한 것이 목적이다.

더욱이 본 발명은 에폭시 주입구형 센서에 장착되는 다양한 형태 및 성능을 갖는 패치 안테나를 제공하기 위한 것이 다른 목적이다.

본 발명에 따른 목적을 달성하기 위하여, GIS(가스 절연 개폐장치) 스페이서(Spacer)의 에폭시 주입구에 설치되어 GIS 내부에서 발생된 부분 방전 UHF(초고주파) 신호를 감지하는 패치 안테나(Patch Antenna)가 구비되고, 상기 패치 안테나가 수용되고 외관은 노출에 의한 외부 잡음을 최소화하기 위한 금속 차폐재로 구성되며, 상기 패치 안테나를 고정시키기 위한 절연체가 금속 차폐재 내부에 채워진 가스 절연 개폐장치의 에폭시 주입구형 부분 방전 검출 센서에 있어서,

상기 패치 안테나는 5pC의 부분 방전신호를 검출하는 것으로서,

금속 케이스의 크기와 금속 케이스와 안테나에서 형성되는 자기장의 커플링을 고려하여 설계된 모노폴형 패치 안테나, 또는

안테나의 길이가 주파수의 함수로서 반파장(λ/2)에 비례하고, 무지향성 방사특성을 갖는 다이폴형 패치 안테나 중에서 어느 하나가 적용된 가스 절연 개폐장치의 에폭시 주입구형 부분 방전 검출 센서를 제공한 것이 특징이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 가스 절연 개폐장치의 에폭시 주입구형 부분 방전 검출 센서에 관하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.

먼저, 본 발명에서는 실제 규모, 예를 들어, 362kV급 목업(Mock-up) GIS에 적용할 수 있는 다양한 형태의 에폭시 주입구형 UHF 센서로서 362kV급 GIS에 적용할 수 있도록 설계하여 제작 및 그 성능을 시험하였다. 더욱이 에폭시 주입구형 센서에 내장되는 패치 안테나는 광대역 안테나 소자를 이용하여 설계하였고, 3차원 고주파 전자기장 해석 툴을 이용하여 센서의 특성을 확인하였다. 해당하는 센서마다 다양한 종류의 패치 안테나를 설계하여 그 형태에 따른 센서의 반사손실(Return Loss, RL) 특성을 비교하였고, 또한 실제 규모로 제작된 362kV급 GIS 목업 센서를 설치하여 IEC 60270에 의한 5pC의 부분 방전(Partial Discharge, PD) 신호에 대한 센서들의 검출 주파수 특성과 최대출력(Peak Power)을 측정하여 비교함으로서, 각 특성들에 대한 상호 연관성 및 설치 구조에 가장 적합한 패치 안테나의 형태를 선정 및 적용한 것이다.

한편, 본 발명의 에폭시 주입구형 센서의 설계에 응용된 대역폭이 40 : 1 이상인 등각 스파이럴(Log-Spiral) 패치 안테나와 대수 주기(Log-Periodic) 패치 안테나 등에 대한 기본적인 특성과 설계 요소들에 대하여도 설명한다.

통상적으로 광대역 안테나(Broadband antenna)는 대역폭의 범위가 넓은 안테나를 의미하지만, '광대역'이라는 용어는 대역폭의 상대적인 척도이므로 여러 가지 조건에 따라 변하게 된다. 대역폭은 동작 주파수의 상한값(f_u)과 하한값(f_L)의 비 로 나타낸다. 중심 주파수(또는 설계주파수)를 f_C 라고 하면 중심 주파수에 대한 대역폭 B_p 는 다음의 수학식과 같다.

[수학식 1]

상기 대역폭 B_p 은 또한 비율 B_r 로 정의되며 다음의 수학식과 같다.

[수학식 2]

협대역 안테나들의 대역폭은 수학식 1을 사용하여 백분율로 표현하는 반면에, 광대역 안테나들은 수학식 2를 사용하여 비율로 인용된다.

만약, 안테나의 임피던스와 패턴이 대략 한 옥타브(f_U/f_L = 2) 또는 그 이상에 대해 크게 변하지 않는다면, 광대역 안테나로 분류된다.

그러나 GIS에 적용되는 UHF 센서는 초고주파 대역(300MHz ∼ 3GHz)을 포함하는 범위에서 1GHz 이상의 주파수 대역에 대해 전자파 신호를 검출할 수 있어야 하므로, 대역폭이 40 : 1 이상인 초광대역(Ultra Wide Band, UWB)의 안테나가 요구된다.

등각 스파이럴(Log-Spiral) 안테나는 도체면이 각도로 표현되는 기하학적 구조이다. 따라서 광대역 안테나를 설계하는데 사용될 수 있는 형태에 대한 어떤 요 구조건도 만족시킬 수 있다. 표면을 따라 곡선은 무한히 길기 때문에, 유한한 길이인 경우에는 길이를 정할 필요가 있다. 최저 동작 주파수는 전체의 길이가 파장과 같을 때이다. 최적의 동작 주파수보다 높은 주파수에서는 방사 패턴과 임피던스 특성은 주파수와 무관하다.

럼시(Rumsey)가 도입하고 엘리엇(Elliott)이 단순화시킨 광대역 안테나의 해석법은 구 좌표계(r, θ, φ)에서 가장 설명이 잘 될 수 있도록 다음의 가정이 뒤 따른다.

1. 안테나는 원점에 무한히 접근해 가는 두 단자를 갖고 있다.

2. 안테나 단자는 각각 θ = 0, π 축과 대칭으로 놓여 있다.

3. 안테나는 완전 도체로서 무한균일 등방성 매질로 둘러싸여 있다.

상기 가정에 의하여 안테나 도체면이나 가장자리는 다음 수학식과 같이 곡선으로 잘 표현될 수 있다

[수학식 3]

여기서, r은 도체면 또는 가장자리의 거리이며, 수학식 3의 일반해는 다음의 수학식과 같다.

[수학식 4]

등각 스파이럴 곡선은 수학식 4의 도함수를 다음과 같이 놓으면 유도될 수 있다.

[수학식 5]

여기서, A는 상수, δ는 Dirac 델타 함수이다. 수학식 5를 사용하면, 수학식 4는

[수학식 6]

가 된다. 여기서 A는

[수학식 7]

이고, 파장으로 표현하면 수학식 6은 다음과 같이 쓸 수 있다.

[수학식 8]

여기서 φ₁ 은

[수학식 9]

이다. 수학식 6의 또 다른 형태는 다음과 같다.

[수학식 10]

여기서, 1/a는 나선의 확장비이고, ψ는 도 4a에 나타나 있는 것처럼 방사거리 ρ와 나선의 접선이 이루는 각이다. 그리고 수학식 8로부터 파장의 변화는 무한대 구조의 패턴을 단지 회전시키는 것에 불과한 φ₀ 의 변화와 같다는 것이 분명하다. 따라서 안테나의 길이에 의해서 정해지는 범위 내에서 비슷한 특성들을 유한한 구조에서 알 수 있다.

동일한 결과를 수학식 10을 조사하여 얻을 수 있다. C₀ 에 의하여 주파수를 대수적 (lnf)으로 증가시키는 것은 C₀tanψ에 의하여 구조를 회전시키는 것과 같다. 결과적으로 방사패턴은 회전될 뿐 변동되지 않는다. 그러므로 주파수로부터 독립적인 안테나를 얻게 된다.

더욱이 스파이럴의 전체 길이 L은

[수학식 11]

에 의하여 계산할 수 있고, 이것은 수학식 8을 사용하면,

[수학식 12]

와 같다. 여기서 ρ₀와 ρ₁은 스파이럴의 내측과 외측의 반경이다.

서로 다른 형태의 안테나 시스템을 만들기 위해서 나선의 다양한 구조가 사용되고 있다. 상기 수학식 6에서 φ₀가 0과 π이면 선형 스파이럴 안테나는 도 4b의 형태가 되고, 도 4c 및 도 4d의 구조는

일 때이다. 이외에 여러 가지 구성이 가능하다.

그리고 P라고 표시한 등각 금속 표면은 수학식 6을 사용하여 가장자리 곡선을 다음과 같이 표현함으로써 가능하다.

[수학식 13]

[수학식 14]

여기에서,

과 K는 각각

[수학식 15]

[수학식 16]

이다.

도체 표면의 가장자리로서 명시된 2개의 곡선은 상대편 쪽으로 확대하거나 각도 δ만큼 회전시키면 똑같은 모양이 된다. 확대나 회전은 도 5에서와 같이 유한한 폭을 갖는 도체 소자 P에도 적용된다. 상대편 소자 Q는 다음의 수학식으로 표현될 수 있다.

[수학식 17]

여기서, 여기에서,

과

는 각각

[수학식 18]

[수학식 19]

이고, 여기서

는

[수학식 20]

이다.

두 개의 도체 P와 Q로 구성된 시스템은 도 5a에 나타낸 것과 같이 평형 시스템을 이룬다. 유한 구조의 길이는 도체의 중앙선을 따라 나선 모양을 하고 있는 고정 길이 L₀ 로서 나타낸다. 안테나 전체 구조는 회전각 δ, 도체의 길이 L₀ , 나 선 확장율

, 단자의 길이 ρ₂ 로서 나타낸다. 또한 각 도체는 종단에서 정합이 잘 되도록 도 5a의 점선으로 표시된 것처럼 끝에서 테이퍼져 있다.

도 5b는 큰 도체 평면 위에 스파이럴 슬롯이 있는 구조이며, 또한 종단 정합을 위해 테이퍼져 있다. 슬롯 안테나는 전체적으로 평형을 유지하기 위하여 평형형 동축 급전으로 용이하게 급전이 이루어지기 때문에 가장 실용적이다.

양호한 방사특성을 갖는 스파이럴 슬롯 안테나는 1/2∼3바퀴로 만들 수 있다. 최적의 설계치는 전체 길이가 1파장 또는 그 이상이 되는 1.25∼1.5바퀴 정도가 된다. 확장비는 한바퀴 당 10을 초과하지 않아야 한다. 방사 패턴은 단일 빔이 안테나 면과 직각인 양방향으로 최대가 되고, 무한 구조로 정해지는 방향으로는 0이 되어야 한다. 방사되는 전파는 사용 가능한 대역폭에서 주엽의 축 부근에 원형 편파로 방사된다. 끝 부분을 절단하면 빔 폭은 패턴의 회전으로 인하여 주파수에 따라 변화한다.

그러나 일반적으로 안테나 폭을 좀 더 넓게 하고 나선의 간격을 좀 더 가깝게 만든 슬롯 안테나는 주파수에 따른 빔 폭의 변화가 작은 매끄럽고 더 일정한 방사패턴을 갖는다. 대칭 구성인 경우에는 방사 패턴의 지향성도 기울지 않고 역시 대칭이 된다.

주파수 변화에 대하여 독립적인 또 다른 안테나로서 더하멜(DuHamel)과 이스벨(Isbell)이 소개한 대수 주기(Log-Periodic) 구조는 안테나의 구조 전체를 전적으로 각도만으로는 표현할 수 없기 때문에 완전하게 주파수에 대하여 독립적이라고 할 수는 없다.

도 6a에 있는 평판형 대수 주기 안테나 평면의 전류 분포는 도체 상에서 전계가 거리에 따라 매우 급격히 감쇠하는데, 이것은 전류가 대부분 도체 가장자리나 그 부근에 집중한다는 것을 의미한다. 따라서 도 6b와 같은 선형 안테나를 만들기 위하여 도체 평면의 가장자리로 이루어진 형태와 동일한 구조의 선형 안테나를 만들어 실험한 결과, 그 성능은 도 6a와 거의 동일한 것으로 나타났다. 따라서 선형 구조는 평판형 보다 구조적으로 단순하고, 가벼우며, 경제적이면서 풍압에 잘 견디는 특징을 갖게 된다. 양쪽 소자를 구부려서 V자 형태로 만든 같은 평면 구조가 아닌 형태도 널리 이용된다.

도 6에서 평판의 가장자리나 선을 곧게 펴서 곡선을 직선이 되게 하면 도 7과 같은 사다리꼴의 톱날형 대수 주기 구조가 된다. 이렇게 단순화된 구조는 특성을 저하시키지 않으면서도 제작이 다소 편리하다. 대수 주기 어레이 구조를 포함하여 형태는 특이하지만 실용적인 대수 주기 안테나가 많이 있다. 도 7의 구조에서 톱날이 동일한 주기로 이루어졌다면 대수 주기의 크기 비는

[수학식 21]

과 같으며, 또한 안테나 슬롯의 폭은

[수학식 22]

와 같다. τ는 크기 비를 나타내는데, 만일 f₁ 과 f₂ 가 1주기만큼 떨어져 있다면 τ는 주파수와 다음과 같은 관계를 갖는다.

[수학식 23]

도 7b에 있는 안테나에서 α, β, τ 및 χ에 의하여 결정되는 특성에 관한 폭 넓은 연구들이 이루어졌다. 일반적으로 이들 구조는 평판형 및 원추형 구조와 성능은 거의 비슷하다. 차이점은 대수 주기 구조는 원형 편파대신에 직선 편파라는 것이 큰 차이점이다.

본 발명에 적용되는 에폭시 주입구형 센서의 구조로서, 도 8은 GIS 외관이 금속으로 차폐된 폐쇄형 스페이서의 에폭시 주입구에 설치되는 형태로 GIS 내부 결함에 의하여 발생되는 부분 방전신호를 센서에 내장되어 있는 패치 안테나를 통하여 감지하는 안테나형 센서이다. 노출에 의한 외부 잡음 영향을 최소화하기 위하여 외관은 금속으로 차폐되어 있고, 내부에는 패치 안테나(Patch Antenna)가 내장되어 있으며, 이를 고정시키기 위한 절연체(Insulator)로 채워져 있다.

도 8은 에폭시 주입구형 센서의 기본적인 구조이고, 센서의 특성을 좌우하는 설계요소는 다음과 같다.

1. 패치 안테나의 구조

2. 에폭시 주입구와 패치 안테나 사이의 거리(H)

3. 내부 절연체의 비유전율(ε_r)

따라서 이들 구성 요소들을 적절히 조절함으로써 원하는 주파수대역에서 최적화된 센서를 설계할 수 있다.

그러나 에폭시 주입구형 센서는 크기가 매우 작아 내장되는 패치 안테나의 크기도 매우 작아진다. 패치 안테나의 주파수 특성은 안테나의 크기에 비례하기 때문에 패치 안테나의 적절한 설계가 요구된다. 더욱이 에폭시 주입구형 센서는 실제 규모 362kV급 GIS를 기준으로 설계된 것으로, 내부 패치 안테나의 크기 제한으로 모노폴형(Monopole Type)과 다이폴형(Dipole Type)의 센서로 설계되는 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 에폭시 주입구형 센서에 내장되는 패치 안테나는 크기가 매우 작으므로 수 GHz대의 높은 주파수 특성을 나타낸다. 따라서 GIS에 센서를 적용하기 위해서는 안테나의 높은 주파수 특성을 낮추어야 한다. 이를 위하여 기존 다이폴 형태의 패치 안테나 구조에 덧붙여, 모노폴 형태의 패치 안테나를 설계한 것이다.

이와 같은 크기에 대하여 모노폴 형태의 패치 안테나의 1/4파장(λ/4)이 다이폴 패치 안테나의 1/2파장(λ/2) 보다 같은 길이에 대해 낮은 주파수에서 좋은 RL 성능을 갖기 때문이다. 본 발명에서는 모노폴형 패치 안테나와 다이폴형 패치 안테나 각각 4종의 패치 안테나에 대한 적용 가능성을 제시하였다.

먼저, 모노폴형 패치 안테나는 금속 케이스의 크기와 금속 케이스와 안테나에서 형서되는 자기장의 커플링(Coupling)을 고려하여 구조를 설계하였으며, 도 9a는 다이아몬드 형태의 모노폴 패치 안테나이고, 도 9b는 금속 케이스와의 커플링을 줄이기 위하여 다이아몬드의 옆면을 테이퍼(Taper) 처리한 것이다. 도 9c와 도 9d는 프랙탈(Fractal, 언제나 부분이 전체를 닮는 자기 유사성(self-similarity)과 소수(小數)차원을 특징으로 갖는 형상) 구조로서 작은 크기에서 낮은 주파수 특성을 갖도록 설계하였고, 특히 도 9d는 안테나의 성능을 높이기 위하여 150Ω의 임피던스로 정합하였다.

도 10은 모노폴형 패치 안테나의 RL(Return Loss, RL) 측정 결과이며, 도 11은 이들의 이득을 나타낸 것이다. DC∼2GHz 사이에서 패치 안테나의 RL은 전체적으로 1.5GHz 부근에서 -3∼-10dB의 성능을 보이고 있으며, 테이퍼 처리된 다이아몬드(Tapered Diamond) 패치 안테나가 가장 고른 이득을 나타냄을 알 수 있다.

한편, 도 12는 외장형태의 다이폴 패치 안테나를 나타낸 것으로, 기본적인 다이폴 패치 안테나를 제외하고, 너비와 길이가 동일한 변형된 패트 다이폴 패치 안테나(W=L)와, 패트 다이폴 패치 안테나를 2소자로 배열한 형태로서 두 쌍의 패트 다이폴(Four-square) 패치 안테나, 그리고 광대역 안테나 소자로서 한 쌍의 평면형 대수 주기 패치 안테나와 등각 스파이럴 패치 안테나를 설계 및 제작한 것이다.

더욱이 도 12e는 패트 다이폴 패치 안테나의 제작을 위한 기판의 크기와 패트 다이폴의 파라미터들을 나타낸 것으로, 다이폴의 너비와 길이는 동일하다. 즉 다이폴은 정사각형의 형태를 취하고 있다. 상기 패트 다이폴 패치 안테나의 다이폴 너비(W)가 16mm이고, 길이(L)가 16mm이며, 다이폴 사이의 간격(d)이 2mm인 것이 바람직하다. 기판 크기는 너비(SW)가 25mm이고, 길이(SL)가 39mm로서 직사각형의 형태이다.

또한 도 12f는 한 쌍의 평면형 대수 주기 패치 안테나의 제작을 위한 기판의 크기와 다이폴의 파라미터들을 나타낸 것으로, 상기 한 쌍의 평면형 대수 주기 패치 안테나의 슬롯 폭

로서 0.80이고, 기판 크기는 너비(SW) 25mm에 길이(SL) 39mm로서 직사각형의 형태이며, 기판의 두께는 1.5mm이다.

그리고 안테나 톱날 내측의 길이(L₀)는 16.2mm이고, 톱날 외측의 길이(L₁)는 19.5mm이며, 기판의 비유전율 ε_r은 4.4(FR4)이고, 중심 단자 거리는 2mm인 것이 바람직하다.

다이폴형 패치 안테나들의 측정된 RL은 도 13과 같다. 패치 안테나의 RL은 전체적으로 1.2∼2GHz 사이에서 -5dB이하의 좋은 성능을 나타내었고, 특히 두 쌍의 패트 다이폴 패치 안테나가 가장 넓은 대역폭을 나타냈다. 300∼500MHz 사이의 공진은 케이블과의 결합에 의한 손실로 보였다.

도 14는 0.5∼2GHz 사이에서의 패치 안테나의 이득이다. 전체적으로 1∼2GHz 사이에서 고른 이득분포를 나타내고, 패트 다이폴 패치 안테나는 0.5∼1GHz에서 17.5dBi의 높은 이득을 나타내는 것으로 계산되었으나 다른 나머지 패치 안테나는 0dBi 이하의 낮은 이득을 나타냄을 알 수 있다. 패트 다이폴 패치 안테나의 이 득은 후처리 과정 중에서 발생된 오류로 판별되었다.

본 발명에 따르면, 에폭시 주입구형 센서는 362kV GIS용으로 설계하였고, 센서의 외관은 금속으로 차폐되어 있다. 도 15는 제작된 에폭시 주입구형 센서이며, 모노폴(Monopole)형과 다이폴(Dipole)형의 케이스를 각각 다르게 제작하였다. 센서는 스페이서의 에폭시 주입구에 설치되고 볼트로 고정된다. 에폭시 주입구의 크기에 따라 센서의 크기가 결정되므로, 센서의 검출주파수 대역을 낮추고, 검출감도를 높이기 위하여 볼트 구멍을 제외한 나머지 공간을 최대한 활용하여 센서를 설계하여야 한다.

에폭시 주입구형 센서도 외관이 금속으로 차폐되어 있으므로, 일반적인 안테나의 자유공간(free space) 상태와는 다른 RL을 나타낸다. 도 16a 및 도 16b는 각각의 패치 안테나가 내장된 에폭시 주입구형 센서의 RL을 측정한 결과이다. 모노폴형 센서의 RL을 비교해 보면, 0.5∼2GHz 대역에서 다이아몬드 패치 안테나가 내장된 센서가 1.5GHz 대역 부근에서 가장 낮은 RL을 보이므로, 모노폴형 센서 중에서 가장 높은 출력을 낼 것으로 여겨진다.

다이폴형 패치 안테나가 장착된 센서는 패트 다이폴 패치 안테나, 두 쌍의 패트 다이폴(Four-square) 패치 안테나, 한 쌍의 평면형 대수 주기 패치 안테나가 내장된 센서가 1∼2GHz에서 넓은 대역폭(bandwidth)과 낮은 RL을 갖는다.

에폭시 주입구형 센서에 장착되는 패치 안테나는 센서의 금속 케이스와의 결합과 내부 절연체의 비유전율에 의해 RL이 변화하게 된다. 센서가 스페이서 에폭시 주입구에 설치되면, 에폭시 구멍의 크기와 비유전율에 의해 2차적인 RL 변화가 발생하게 된다. 도 17은 에폭시 주입구형 센서에 내장되는 패치안테나 중에서 패트 다이폴형 패치 안테나의 RL 변화를 예로서 나타낸 것이다.

상기 프리 스페이스(Free space)는 자유공간에서의 패트 다이폴 패치 안테나의 RL이고, 케이스 실드(Case shield)는 패치 안테나가 센서 케이스에 내장되고 절연체로 채워졌을 때, 즉 패트 다이폴 센서의 RL이며, 스페이서 위의 케이스 실드(Case shield on spacer)는 스페이서의 에폭시 주입구에 센서가 설치되었을 때의 RL이다. 자유공간 상의 패치 안테나는 센서에 내장된 후에 케이스와의 자기장 결합과 절연체의 비유전율에 의해 1∼2GHz에서 RL이 매우 향상되었으며, 스페이서에 설치된 후에는 에폭시 주입구를 감싸고 있는 금속과의 결합으로 공진대역에서 많은 리플(ripple)이 발생한다. 또한 에폭시 절연체에 의해 공진은 50∼100MHz 정도 낮은 대역으로 이동한다.

한편, 본 발명에 따른 에폭시 주입구형 센서에 관하여 특성시험을 위한 장치들이 구비되는 데, 이에 대하여 설명한다.

우선, 센서의 특성 시험은 크게 3가지로 분류될 수 있다. 첫 번째는 센서 자체의 성능을 평가할 수 있는 반사손실(Return Loss, RL) 측정이고, 두 번째는 센서의 검출주파수 대역(500MHz∼1.5GHz)에서의 응답특성, 그리고 세 번째로 센서의 검출감도(Sensitivity) 및 출력(Peak Power) 측정이다.

상기 반사손실의 경우에는 센서 자체의 RL과 센서가 GIS에 설치되었을 때의 RL이 다르기 때문에 최종적인 센서의 RL 성능을 평가하기 위해서는 센서가 GIS에 설치된 상태에서 측정해야 한다. 또한 센서의 주파수 응답특성 및 출력을 측정하 기 위해서는 일정한 부분 방전신호를 낼 수 있는 방전원이 필요하다. CIGRE에서는 전자파로 측정되는 시스템의 경우에 5pC의 겉보기 방전량을 측정할 수 있어야 한다고 권고하고 있다. 따라서 5pC의 겉보기 방전량을 발생시키기 위하여 부분 방전 발생장치(PD-Cell)를 제작하였다. 부분 방전 발생장치의 제작은 CIGRE의 권고안에 따라 방전량(5pC)이 지속적으로 발생하여야 하며 GIS에서 발생될 수 있는 방전의 형태를 고려하여 도 18a와 같이 제작하였다.

그리고 도 18b는 제작된 부분 방전 발생장치를 IEC60270에 의한 5pC의 겉보기 방전량을 측정한 그래프이다. 부분 방전 발생장치의 내부에는 금속이물(ball-type)을 넣고, 내부 압력은 0.5MPa의 SF6 가스를 넣어 실제 GIS의 압력과 동일하게 적용하였다. 주파수 응답특성은 GIS 내부의 부분 방전신호에 대한 센서의 주파수 스펙트럼을 측정한 후에 채널파워(Channel Power)를 계산함으로서 비교할 수 있다. 채널파워는 센서의 검출주파수 대역(500MHz∼1.5GHz)에서의 평균파워(Average Power)로서 다음 수학식에 의해 구할 수 있다.

[수학식 26]

여기서, CP = 채널파워(Channel power, dBm)이고, CHBW = 채널 대역폭(Channel bandwidth, kHz)이며, RBW = 측정에 사용된 분해도 대역폭(Resolution bandwidth) in kHz이고, k_n = RBW에 사용된 노이즈 대역폭(noise bandwidth)의 교정 인자이며, N = 채널의 픽셀(pixel) 수이고, P_i = dBm을 픽셀 i로 대체한 레벨(Level)이며, a_i(RRC) = 픽셀 i에 대한 RRC 필터의 감쇠(attenuation)이다.

본 발명에서 제작된 GIS 스페이서(Barrier) 에폭시 주입구형 센서에 적용된 패치 안테나, 즉 다이폴형 4종(패트 다이폴, 두 쌍의 패트 다이폴, 한 쌍의 대수 주기, 등각 스파이럴)과 모노폴형 4종(다이아몬드, 테이퍼 처리된 다이아몬드, 프랙탈, 프랙탈 다이아몬드)의 반사손실과 주파수 응답특성 및 출력을 측정하기 위하여 도 19b와 같이 도 19a의 실제 GIS의 에폭시 주입구와 동일한 크기의 모형을 제작하였다.

상기 제작된 에폭시 주입구용 센서의 RL 및 주파수 응답특성, 부분 방전 검출감도를 측정하기 위하여 도 20과 같은 실험 장치를 구성하였다. 안정된 부분 방전을 발생시키기 위하여 부분 방전 발생장치에 약 10kV의 교류전압을 인가하면서 IEC60270형 부분 방전 검출기(DDX8003, Hipotronics)를 이용하여 3-5pC 크기의 방전을 확인하였다. 부분 방전 발생장치는 도 20에서, 길이 약 6m의 단일 도체형 362kV GIS 챔버(Chamber) 한쪽 끝의 바닥 중앙에 설치하였고, 부분 방전신호를 검출하기 위한 에폭시 주입구용 센서는 근처의 스페이서에 설치하였다.

도 21a 내지 도 21h는 에폭시 주입구용 센서에 적용된 패치 안테나, 즉 다이폴형 4종(패트 다이폴, 두 쌍의 패트 다이폴, 한 쌍의 대수 주기, 등각 스파이럴)과 모노폴형 4종(다이아몬드, 프랙탈, 프랙탈 다이아몬드, 테이퍼 처리된 다이아몬드)을 스페이서(Barrier) 에폭시 주입구에 설치하여 네트워크 분석기(8753D, HP)로 측정한 RL 결과이다. 센서의 RL은 스페이서의 에폭시 주입구에 밀착되는 부분에서 많은 공진현상이 발생하며, 이러한 센서의 RL은 에폭시 주입구의 크기와 재질에 의해 변하게 된다. 따라서 에폭시 주입구용 센서를 설계하기 위해서는 우선적으로 에폭시 주입구의 크기와 에폭시의 비유전율을 고려하는 것이 바람직하다.

도 22a 내지 도 22h의 결과에서, 검출주파수 대역(500MHz∼1.5GHz)에서 다이폴형의 패트 다이폴과 두 쌍의 패트 다이폴, 한 쌍의 대수 주기 패치 안테나가 적용된 센서가 다른 센서에 비해 우수한 RL 특성을 갖는다.

다음은 에폭시 주입구용 센서의 주파수 분포 특성을 비교하면, 도 23a 내지 도 23h는 5pC 부분 방전신호에 대한 에폭시 주입구용 센서의 주파수 응답특성을 스펙트럼 분석기(FSP7, Rohde-Schwarz)로 측정한 결과이다. 에폭시 주입구형 스페이서(Barrier)에 의하여 외부로 방출되는 전도특성과 차단주파수의 특성이 바뀌게 된다. 그러나 이러한 조건에서도 센서의 기본적인 특징인 미소 부분 방전을 측정할 수 있어야 한다.

도 23a 내지 도 23h의 결과에서 다이폴형 패치 안테나가 적용된 센서의 경우에는 800MHz∼2.0GHz 대역에서 부분 방전신호에 대한 응답특성을 보이고 있다. 이는 에폭시 주입구형 센서의 RL 특성에 영향도 있지만, 에폭시 주입구의 작은 크기로 인해 전파모드가 낮은 주파수 영역을 차단함으로써 발생된 결과이다.

표 1은 500MHz∼1.5GHz 대역에서 센서의 채널파워(Channel Power)를 비교한 결과이다. 표 1의 결과로부터 다이폴형 및 모노폴형 8종의 센서 중에서 RL 성능이 우수한 패트 다이폴 센서가 채널 파워 또한 다른 센서에 비해 높은 값을 가짐을 확 인할 수 있다.

[표 1]

종 류	Ch Power (dBm)	비 고
Fat-Dipole	-46.00
Four-Square	-50.00
Log-Periodic	-49.52
Log-Spiral	-49.35
Fractal-Diamond	-59.77
Tapered-Diamond	-60.68
Fractal	-57.86
Diamond	-50.66

도 23a 내지 도 23h는 5pC 부분 방전신호에 대하여 각각의 에폭시 주입구용 센서에서 검출된 신호를 오실로스코프(TDS-7404, Tektronix)로 측정한 결과이다.

5pC 부분 방전신호에 대한 센서의 최대 출력을 계산하여 표 2에 나타냈다. 표 2의 결과로부터 패트 다이폴과 한 쌍의 대수 주기 패치 안테나가 적용된 센서가 다른 센서에 비해 높은 출력을 보였다.

[표 2]

종 류	첨두전력 (Peak Power)		비 고
	(㎼)	(dBm)
Fat-Dipole	1.69	-27.7
Four-Square	1.34	-28.7
Log-Periodic	1.62	-27.9
Log-Spiral	1.54	-28.2
Fractal-Diamond	0.08	-41.0
Tapered-Diamond	0.03	-45.2
Fractal	0.12	-39.2
Diamond	0.12	-39.2

더욱이 본 발명의 에폭시 주입구형 센서는 전계(E-field) 진행 방향(GIS 방향 기준; Z축 방향)에 대하여, 패트 다이폴 패치 안테나와 한 쌍의 평면형 대수 주기 패치 안테나는 직선 편파(Liner Polarization) 특성을 갖는다.

이상의 설명에서 본 발명은 특정의 실시 예와 관련하여 도시 및 설명하였지만, 특허청구범위에 의해 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 개조 및 변화가 가능하다는 것을 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.

상술한 바와 같이 본 발명의 가스 절연 개폐장치의 에폭시 주입구형 부분 방전 검출 센서는 GIS 스페이서의 에폭시 주입구에 500MHz ∼ 1.5GHz의 검출주파수 대역에서 가장 우수한 반사손실을 갖도록 설치되고, 실제 규모급 GIS에 적용할 수 있는 다양한 형태의 패치 안테나를 에폭시 주입구형 센서에 적용하여 5pC의 부분 방전신호에 대하여 센서의 검출 주파수 특성과 최대 출력을 측정하여 비교함으로서, 각 특성들에 대한 상호 연관성 및 설치 구조에 가장 적합한 패치 안테나의 선정할 수 있도록 한 것이다. 더욱이 GIS에 적용할 수 있는 다양한 종류의 센서를 개발하는데 필요한 기본적인 특성들에 대해 전산모사(Computer Simulation)와 실험을 통하여 상관관계들을 정립한 것이다.

Claims (8)

1. 삭제
2. 삭제
3. GIS(가스 절연 개폐장치) 스페이서(Spacer)에 설치되어 GIS 내부에서 발생된 부분 방전 UHF(초고주파) 신호를 감지하는 패치 안테나(Patch Antenna)를 포함하는 부분 방전 검출 센서에 있어서,

   상기 패치 안테나는 부분 방전신호를 검출하는 것으로서,

   안테나의 길이가 주파수의 함수로서 반파장(λ/2)에 비례하고, 무지향성 방사 특성과 전계진행 방향(GIS 방향 기준, Z축 방향)에 대하여 직선 편파특성을 갖는 다이폴형 패치 안테나로서 너비와 길이가 동일한 변형된 패트 다이폴 패치 안테나, 두 쌍의 패트 다이폴(Four-square) 패치 안테나, 한 쌍의 평면형 대수 주기 패치 안테나 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가스 절연 개폐장치의 에폭시 주입구형 부분 방전 검출 센서.
4. 삭제
5. 제3항에 있어서,

   상기 한 쌍의 평면형 대수 주기 패치 안테나의 슬롯 폭

   

   로서 0.80이고, 기판 크기는 각각 너비(SW)가 20-30mm에 길이(SL)가 30-50mm이며, 기판의 두께는 1-2mm이고, 안테나 톱날 내측의 길이(L₀)는 10-20mm이며, 톱날의 외측의 길이(L₁)는 10-30mm이고, 기판의 비유전율 ε_r은 4.0-5.0(FR4)이며, 중심 단자 거리는 1-3mm인 것을 특징으로 하는 가스 절연 개폐장치의 에폭시 주입구형 부분 방전 검출 센서.
6. 제3항 또는 제5항에 있어서,

   상기 패치 안테나는 기판 또는 내부 절연체 중 어느 하나 이상의 비유전율(ε_r)에 의하여 검출 감도 특성이 변화되는 것을 특징으로 하는 가스 절연 개폐장치의 에폭시 주입구형 부분 방전 검출 센서.
7. 삭제
8. 삭제

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