KR100663424B1 - Current blocking type complex coupled laser diode - Google Patents

Current blocking type complex coupled laser diode Download PDF

Info

Publication number
KR100663424B1
KR100663424B1 KR1020050010815A KR20050010815A KR100663424B1 KR 100663424 B1 KR100663424 B1 KR 100663424B1 KR 1020050010815 A KR1020050010815 A KR 1020050010815A KR 20050010815 A KR20050010815 A KR 20050010815A KR 100663424 B1 KR100663424 B1 KR 100663424B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor layer
type semiconductor
active layer
type
grating
Prior art date
Application number
KR1020050010815A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060089995A (en
Inventor
박성수
강중구
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050010815A priority Critical patent/KR100663424B1/en
Publication of KR20060089995A publication Critical patent/KR20060089995A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100663424B1 publication Critical patent/KR100663424B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 전류 차단형 복합 격자를 갖는 레이저 다이오드는, n형의 불순물을 함유하는 n형 반도체층과; 상기 n형 반도체층 상에 적층되며, 단일 모드의 광을 발진하는 활성층과; 상기 활성층 상에 적층되며, p형의 불순물을 함유하는 p형 반도체층과; 상기 p형 반도체층 내에 광 전파축을 따라 주기적으로 배치된 n형의 불순물을 함유하는 격자를 포함하며, 상기 격자의 밴드갭 에너지는 상기 활성층의 발진 파장에 해당하는 에너지보다 작고, 상기 p형 반도체층의 밴드갭 에너지는 상기 활성층의 발진 파장에 해당하는 에너지보다 크다.A laser diode having a current blocking complex lattice according to the present invention comprises: an n-type semiconductor layer containing n-type impurities; An active layer stacked on the n-type semiconductor layer and emitting light in a single mode; A p-type semiconductor layer stacked on the active layer and containing p-type impurities; A lattice containing n-type impurities periodically disposed along an optical propagation axis in the p-type semiconductor layer, wherein a band gap energy of the lattice is less than an energy corresponding to an oscillation wavelength of the active layer, and the p-type semiconductor layer The bandgap energy of is greater than the energy corresponding to the oscillation wavelength of the active layer.

전류 차단, 복합 결합, 레이저 다이오드, 격자, 밴드갭 에너지Current blocking, complex coupling, laser diodes, gratings, bandgap energy

Description

전류 차단형 복합 결합 방식의 레이저 다이오드{CURRENT BLOCKING TYPE COMPLEX COUPLED LASER DIODE} CURRENT BLOCKING TYPE COMPLEX COUPLED LASER DIODE}             

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전류 차단형 복합 결합 방식의 레이저 다이오드를 나타내는 도면.1 is a view showing a laser diode of the current-blocking complex coupling method according to a preferred embodiment of the present invention.

본 발명은 단일 모드 레이저 다이오드(single mode laser diode)에 관한 것으로서, 특히 전류 차단형 복합 결합(current blocking type complex coupled) 방식의 레이저 다이오드에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a single mode laser diode, and more particularly to a laser diode of a current blocking type complex coupled method.

통신용으로 사용되는 레이저 다이오드는 광섬유(optical fiber)를 통과할 때 발생하는 색분산(chromatic dispersion)에 의한 신호 왜곡(signal distortion) 현상을 막기 위해 단일 모드 발진이 요구되는 경우가 많다. 통신용 레이저 다이오드에서는 통상적으로 격자(grating)를 이용하여 단일 모드를 구현하는데, 이러한 격자의 종류에 따라 레이저 다이오드의 동작 특성, 단일 모드 수율(single mode yield), 반사광에 대한 내성 등이 달라지게 된다. Laser diodes used for communications often require single-mode oscillation to prevent signal distortion due to chromatic dispersion that occurs when passing through optical fibers. Communication laser diodes typically implement a single mode using a grating, and according to the type of the grating, the operating characteristics, single mode yield, and resistance to reflected light of the laser diode vary.

통상적인 분포귀환 레이저 다이오드(distributed feedback laser diode: DFB-LD)는 서로 다른 굴절률들을 갖는 두 종류의 성분들을 주기적으로 교번하여 배치한 굴절률 격자(refractive index grating)를 구비함으로써 단일 모드를 구현하지만, 이러한 형태의 분포귀환 레이저 다이오드는 SMSR(side mode suppression ratio)이 절단면들(cleaved facet) 및 굴절률 격자의 위치에 대한 의존도가 크다는 심각한 문제점을 갖고 있다. Conventional distributed feedback laser diodes (DFB-LDs) implement a single mode by having a refractive index grating that periodically alternates two kinds of components with different refractive indices. The distributed feedback laser diode of the type has a serious problem that the side mode suppression ratio (SMSR) is highly dependent on the cleaved facet and the position of the refractive index grating.

이러한 굴절률 격자를 구비한 분포귀환 레이저 다이오드의 문제점을 해결하기 위해 여러가지 방법들이 제안되고 있으며, 그 중에 하나로서 광을 흡수하는 성분들과 광을 흡수하지 않는 성분들을 주기적으로 교번하여 배치한 이득 격자(gain grating)가 공지된 바 있다. In order to solve the problem of the distributed feedback laser diode having the refractive index grating, various methods have been proposed, and one of them is a gain grating which alternately arranges components that absorb light and components that do not absorb light ( gain grating).

또한 이러한 이득 격자의 개량된 형태로서, 전류 인가를 위한 전극(electrode)과 광 발진을 위한 활성층(active layer) 사이의 반도체층에 전류를 차단하는 기능을 하는 복수의 성분들을 주기적으로 이격되게 배치함으로써, 상기 활성층 내에 가상의 이득 격자(virtual gain grating)를 형성하는 방법이 공지된 바 있다. Also, as an improved form of this gain grating, by periodically disposing a plurality of components having a function of blocking current in a semiconductor layer between an electrode for current application and an active layer for photo oscillation. A method of forming a virtual gain grating in the active layer has been known.

카즈미어스키(Kazmierski) 등에 의해 발명되어 특허등록된 미국특허번호 제5,821,570호{Semiconductor structure having a virtual diffraction grating}는, n형 반도체 기판(semiconductor substrate) 상에 n형 반도체층(semiconductor layer), 활성층 및 p형 반도체층을 차례로 적층하고, 상기 p형 반도체층 내에 상기 활성층의 길이 방향을 따라 주기적으로 배치된 다수의 성분들로 구성되며 상기 n형 반도체층과 동일한 재질을 갖는 격자를 형성하는 방법을 개시하고 있다. 상기 격자는 상기 활성층으로 주입되는 전류를 공간적으로 변조하며(spatial modulation), 이러한 변조된 전류는 상기 활성층 내 캐리어들(carrier)의 밀도 변화를 야기하고, 이는 결과적으로 이득의 공간적 변조를 야기한다. 즉, 상기 활성층 내에 가상의 이득 격자가 생성된다. 또한, 상기 격자의 굴절률은 상기 제2 반도체층의 굴절률과 다르기 때문에, 상기 격자는 굴절률 격자로서 기능한다. US Patent No. 5,821,570, which was invented and patented by Kazmierski et al., Has a n-type semiconductor layer, an active layer, and an n-type semiconductor layer on an n-type semiconductor substrate. Laminating a p-type semiconductor layer in turn, and disclosed in the p-type semiconductor layer to form a grating composed of a plurality of components periodically arranged along the length direction of the active layer and having the same material as the n-type semiconductor layer Doing. The grating spatially modulates the current injected into the active layer, and this modulated current causes a change in density of carriers in the active layer, which in turn results in a spatial modulation of the gain. That is, a virtual gain grating is created in the active layer. Further, since the refractive index of the grating is different from that of the second semiconductor layer, the grating functions as a refractive index grating.

이와 같이, 이득 격자와 굴절률 격자를 복합적으로 사용하는 방식을 복합 결합 방식이라고 하고, 특히 위 특허와 같이 전류를 선택적으로 차단하여 활성층 내에 이득 격자를 형성하는 방식을 전류 차단형 복합 결합 방식이라고 칭한다. As described above, a method of using a gain grating and a refractive index grating in combination is called a composite coupling method, and a method of forming a gain grating in an active layer by selectively blocking current as described above is called a current blocking type complex coupling method.

그러나, 상술한 바와 같은 종래의 전류 차단형 복합 결합 방식의 레이저 다이오드는 전류 확산(current spreading)으로 인해 이득 주름(gain corrugation) 효과가 저하되고, 이득 결합 계수(gain coupling coefficient)

Figure 112005006973172-pat00001
를 크게 하는 것이 어렵다는 문제점이 있다. However, as described above, the conventional current-blocking type complex coupling type laser diode has a reduced gain corrugation effect due to current spreading, and a gain coupling coefficient.
Figure 112005006973172-pat00001
There is a problem that it is difficult to enlarge.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 단일 모드 수율을 증가시키고, 반사광에 대한 민감도(reflection sensitivity)를 최소화하며, 이득 결합 계수를 최대화할 수 있는 전류 차단형 복합 결합 방식의 레이저 다이오드를 제공함에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to increase single mode yield, minimize reflection sensitivity to reflected light, and maximize current coupling coefficients. It is to provide a laser diode of the type complex coupling method.

상기한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 전류 차단형 복합 격자를 갖는 레이저 다이오드는, n형의 불순물을 함유하는 n형 반도체층과; 상기 n형 반도체층 상에 적층되며, 단일 모드의 광을 발진하는 활성층과; 상기 활성층 상에 적층되며, p형의 불순물을 함유하는 p형 반도체층과; 상기 p형 반도체층 내에 광 전파축을 따라 주기적으로 배치된 n형의 불순물을 함유하는 격자를 포함하며, 상기 격자의 밴드갭 에너지는 상기 활성층의 발진 파장에 해당하는 에너지보다 작고, 상기 p형 반도체층의 밴드갭 에너지는 상기 활성층의 발진 파장에 해당하는 에너지보다 크다.
In order to solve the above problems, a laser diode having a current blocking complex grating according to the present invention comprises: an n-type semiconductor layer containing n-type impurities; An active layer stacked on the n-type semiconductor layer and emitting light in a single mode; A p-type semiconductor layer stacked on the active layer and containing p-type impurities; A lattice containing n-type impurities periodically disposed along an optical propagation axis in the p-type semiconductor layer, wherein a band gap energy of the lattice is less than an energy corresponding to an oscillation wavelength of the active layer, and the p-type semiconductor layer The bandgap energy of is greater than the energy corresponding to the oscillation wavelength of the active layer.

이하에서는 첨부도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능, 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 모호하지 않게 하기 위하여 생략한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention; In describing the present invention, detailed descriptions of related well-known functions or configurations are omitted in order not to obscure the subject matter of the present invention.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전류 차단형 복합 결합 방식의 레이저 다이오드를 나타내는 도면이다. 상기 레이저 다이오드(100)는 기판(120)과, 하부 전극(lower electrode, 110)과, n형 반도체층(130)과, 활성층(140)과, p형 반도체층(150)과, 격자(160)와, 상부 전극(170)을 포함한다. 1 is a view showing a laser diode of the current-blocking complex coupling method according to a preferred embodiment of the present invention. The laser diode 100 includes a substrate 120, a lower electrode 110, an n-type semiconductor layer 130, an active layer 140, a p-type semiconductor layer 150, and a grating 160. ) And an upper electrode 170.

상기 기판(120)은 n형 InP 계열의 화합물 반도체 재질로 이루어진다. The substrate 120 is made of an n-type InP-based compound semiconductor material.

상기 하부 전극(110)은 상기 기판(120)의 밑에 적층되며, 접지(ground)와 연 결되고, Ti, Pt, Au 등과 같은 도전성의 금속 재질로 이루어진다. The lower electrode 110 is stacked below the substrate 120, is connected to ground, and is made of a conductive metal material such as Ti, Pt, Au, or the like.

상기 n형 반도체층(130)은 상기 기판(120) 위에 적층되며, n형 InGaAsP 계열의 화합물 반도체 재질로 이루어진다. The n-type semiconductor layer 130 is stacked on the substrate 120 and is made of an n-type InGaAsP-based compound semiconductor material.

상기 활성층(140)은 상기 n형 반도체층(130) 위에 적층되며, 전류 주입에 따라 광 이득을 발생시키는 InGaAsP/InGaAsP 재질의 양자 우물 구조(quantum well structure)를 갖는다. The active layer 140 is stacked on the n-type semiconductor layer 130 and has a quantum well structure made of InGaAsP / InGaAsP material that generates an optical gain according to current injection.

상기 p형 반도체층(150)은 상기 활성층(140) 위에 적층되며, 상기 n형 반도체층(130)과 함께 상기 활성층(140)에서 발진된 광을 상기 활성층(140) 내에 가두어두는 기능과, 상기 n형 반도체층(130)과 함께 p-n 접합(p-n junction)을 형성하는 기능을 하고, p형 InGaAsP 계열의 화합물 반도체 재질로 이루어진다. The p-type semiconductor layer 150 is stacked on the active layer 140, and together with the n-type semiconductor layer 130, the function to trap the light emitted from the active layer 140 in the active layer 140, and It functions to form a pn junction with the n-type semiconductor layer 130, and is made of a p-type InGaAsP-based compound semiconductor material.

상기 상부 전극(upper electrode, 170)은 상기 p형 반도체층(150) 위에 적층되며, 전류(I)가 인가되고, Ti, Pt, Au 등과 같은 도전성의 금속 재질로 이루어진다. The upper electrode 170 is stacked on the p-type semiconductor layer 150, the current I is applied, and is made of a conductive metal material such as Ti, Pt, Au, or the like.

상기 격자(160)는 상기 p형 반도체층(150) 내에 광 전파축(light propagation axis)을 따라(다르게 말해서, 상기 활성층(140)의 길이 방향을 따라) 주기적으로 배치된 성분들로 이루어지며, n형 InGaAsP 계열의 화합물 반도체 재질로 이루어진다. 즉, 상기 격자(160)는 상기 p형 반도체층(150)에 상기 활성층(140)과 이격되도록 매설된다(embedded). 상기 격자(160)는 기설정된 격자 주기(grating period, Λ)를 가지며, 상기 활성층(140)은 상기 격자 주기에 의해 결정되는 발진 파장을 갖는다. 상기 격자(160)는 상기 활성층(140)으로 주입되는 전류를 공간적으 로 변조하며, 이러한 변조된 전류는 상기 활성층(140) 내 캐리어들(carrier)의 밀도 변화를 야기하고, 이는 결과적으로 이득의 공간적 변조를 야기한다. 즉, 상기 활성층(140) 내에 가상의 이득 격자가 생성된다. 또한, 상기 격자(160)의 굴절률은 상기 p형 반도체층(150)의 굴절률과 다르기 때문에, 상기 격자(160)는 굴절률 격자로서 기능한다. The grating 160 is formed of components periodically disposed in the p-type semiconductor layer 150 along a light propagation axis (in other words, along the longitudinal direction of the active layer 140), It is made of a compound semiconductor material of n-type InGaAsP series. That is, the grating 160 is embedded in the p-type semiconductor layer 150 to be spaced apart from the active layer 140. The grating 160 has a predetermined grating period Λ, and the active layer 140 has an oscillation wavelength determined by the grating period. The grating 160 spatially modulates the current injected into the active layer 140, and this modulated current causes a change in the density of carriers in the active layer 140, resulting in gain Cause spatial modulation. That is, a virtual gain grating is generated in the active layer 140. In addition, since the refractive index of the grating 160 is different from that of the p-type semiconductor layer 150, the grating 160 functions as a refractive index grating.

상기 격자(160)의 밴드갭 에너지 Eg는 상기 활성층(140)의 발진 파장에 해당하는 에너지 Eλ보다 기설정된 차이 Δ1만큼 작고, 상기 p형 반도체층(150)의 밴드갭 에너지 Ep는 상기 활성층(140)의 발진 파장에 해당하는 에너지 Eλ보다 기설정된 차이 Δ2만큼 작다. 즉,

Figure 112005006973172-pat00002
및
Figure 112005006973172-pat00003
의 관계식들이 성립한다. 상기 에너지 차이 Δ1 및 Δ2는 5~100meV로 하는 것이 바람직하다. 이러한 조건을 만족함으로써, 종래에 비하여 이득 결합 계수
Figure 112005006973172-pat00004
는 증가하고, 굴절률 결합 계수
Figure 112005006973172-pat00005
는 감소하게 된다. 이와 같이, 이득 결합 계수 및 굴절률 결합 계수의 비
Figure 112005006973172-pat00006
가 증가될 경우에 절단면들의 위치에 대한 의존도가 감소함으로써, 단일 모드 수율이 높아지고 반사광에 대한 민감도가 감소하게 된다. The bandgap energy E g of the grating 160 is smaller than the energy E λ corresponding to the oscillation wavelength of the active layer 140 by a predetermined difference Δ 1 , and the band gap energy E p of the p-type semiconductor layer 150 is The energy E λ corresponding to the oscillation wavelength of the active layer 140 is smaller by a predetermined difference Δ 2 . In other words,
Figure 112005006973172-pat00002
And
Figure 112005006973172-pat00003
Relations are established. It is preferable that the said energy difference (DELTA) 1 and (DELTA) 2 shall be 5-100 meV. By satisfying these conditions, the gain coupling coefficient is compared with the conventional one.
Figure 112005006973172-pat00004
Is increased, and the refractive index coupling coefficient
Figure 112005006973172-pat00005
Will decrease. As such, the ratio of the gain coupling coefficient and the refractive index coupling coefficient
Figure 112005006973172-pat00006
When is increased, the dependence on the position of the cutting planes is reduced, thereby increasing single mode yield and decreasing sensitivity to reflected light.

이러한 이득 결합 계수의 증가에 대해 살펴보면 아래와 같다. 상기 활성층(140)에서 발진된 광은 상대적으로 밴드갭 에너지가 큰 상기 p형 반도체층(150)을 손실없이 통과하고, 상대적으로 밴드갭 에너지가 작은 상기 격자(160)에서는 광흡수에 의한 손실을 겪게 된다. 이러한 광흡수 손실은 상기 가상 이득 격자에 의한 이득의 차이와 합쳐져서 결과적으로 이득 결합 계수를 크게 증가시킨다. The increase in the gain coupling coefficient is as follows. Light oscillated in the active layer 140 passes through the p-type semiconductor layer 150 having a relatively large band gap energy without loss, and loss due to light absorption in the lattice 160 having a relatively small band gap energy. Will suffer. This light absorption loss is combined with the difference in gain by the virtual gain grating, resulting in a large increase in the gain coupling coefficient.

다음으로, 굴절률 결합 계수의 감소에 대해 살펴보면 아래와 같다. 상기 격자(160)에서 흡수된 광은 상기 p형 반도체층(150)의 밴드갭 에너지 차이에 의해 형성된 양자 우물 내에 캐리어들(전자-정공 쌍)을 생성하게 되고, 상기 캐리어들은 열전자 방출(thermionic-emission)에 의해 상기 양자 우물에서 빠져 나가게 된다. 종래의 경우에, 상기 양자 우물이 깊어서 캐리어들이 상기 양자 우물에서 빠져나가는 시간이 오래 걸리므로 캐리어들이 상기 양자 우물에 갇히는 현상이 발생하고, 이러한 현상은 상기 흡수된 광의 세기가 강할 경우에 흡수 포화(absorption saturation) 현상을 야기하였다. 본 발명의 경우에, 상기 격자(160)와 상기 p형 반도체층(150)간의 밴드갭 에너지 차이는 10~200meV 이내에서 최소화되어 있으므로, 이러한 흡수 포화 현상이 크게 완화되고, 이러한 조건에서 상기 격자(160)와 상기 p형 반도체층(150)간의 굴절률 차이는 종래보다 감소되므로, 굴절률 결합 계수는 감소된다. Next, the reduction of the refractive index coupling coefficient is as follows. Light absorbed by the grating 160 generates carriers (electron-hole pairs) in quantum wells formed by the band gap energy difference of the p-type semiconductor layer 150, and the carriers are thermoionic- emission) to exit the quantum well. In the conventional case, since the quantum well is deep, it takes a long time for the carriers to leave the quantum well, so that carriers are trapped in the quantum well, and this phenomenon is caused by absorption saturation when the intensity of the absorbed light is strong. absorption saturation). In the case of the present invention, since the band gap energy difference between the grating 160 and the p-type semiconductor layer 150 is minimized within 10 ~ 200meV, such absorption saturation phenomenon is greatly alleviated, and in this condition the grating ( Since the refractive index difference between the 160 and the p-type semiconductor layer 150 is smaller than in the related art, the refractive index coupling coefficient is reduced.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 전류 차단형 복합 결합 방식의 레이저 다이오드는 상대적으로 작은 밴드갭 에너지를 갖는 격자와 상대적으로 큰 밴드갭 에너지를 갖는 p형 반도체층을 포함함으로써, 아래와 같은 이점들을 갖는다. As described above, the current cut-off complex-coupled laser diode according to the present invention has the following advantages by including a lattice having a relatively small bandgap energy and a p-type semiconductor layer having a relatively large bandgap energy. .                     

첫 째, 전류 차단에 의한 이득 차이와 격자에서의 광흡수 손실이 합쳐져서 이득 결합 계수를 크게 증가시킬 수 있다는 이점이 있다. First, there is an advantage that the gain coupling coefficient can be greatly increased by combining the gain difference due to the current blocking and the light absorption loss in the grating.

둘 째, 격자와 p형 반도체층간의 밴드갭 에너지 차이를 최소화하여 캐리어들이 양자 우물에서 쉽게 빠져나갈 수 있으므로, 흡수 포화 현상에 의한 출력광의 킹크(kink) 발생률을 크게 감소시킬 수 있다는 이점이 있다. Second, since the carriers can easily escape from the quantum well by minimizing the band gap energy difference between the lattice and the p-type semiconductor layer, there is an advantage that can significantly reduce the occurrence of kink of the output light due to absorption saturation phenomenon.

셋 째, 이와 같이, 이득 결합 계수 및 굴절률 결합 계수의 비를 증가시킴으로써, 절단면들의 위치에 대한 의존도를 감소시키고, 단일 모드 수율을 향상시키며, 반사광에 대한 민감도를 감소시킬 수 있다는 이점이 있다. Third, as such, by increasing the ratio of the gain coupling coefficient and the refractive index coupling coefficient, there is an advantage that the dependency on the positions of the cutting planes can be reduced, the single mode yield can be improved, and the sensitivity to the reflected light can be reduced.

Claims (3)

단일 모드 레이저 다이오드에 있어서, In the single mode laser diode, n형의 불순물을 함유하는 n형 반도체층과;an n-type semiconductor layer containing n-type impurities; 상기 n형 반도체층 상에 적층되며, 단일 모드의 광을 발진하는 활성층과;An active layer stacked on the n-type semiconductor layer and emitting light in a single mode; 상기 활성층 상에 적층되며, p형의 불순물을 함유하는 p형 반도체층과;A p-type semiconductor layer stacked on the active layer and containing p-type impurities; 상기 활성층과 이격되도록 상기 p형 반도체층 내에 매설되며, 광 전파축을 따라 주기적으로 배치된 n형의 불순물을 함유하는 격자를 포함하며, A lattice embedded in the p-type semiconductor layer to be spaced apart from the active layer, the lattice containing n-type impurities periodically disposed along an optical propagation axis, 상기 격자의 밴드갭 에너지는 상기 활성층의 발진 파장에 해당하는 에너지보다 작고, 상기 p형 반도체층의 밴드갭 에너지는 상기 활성층의 발진 파장에 해당하는 에너지보다 큰 것을 특징으로 하는 전류 차단형 복합 결합 방식의 레이저 다이오드.The bandgap energy of the grating is less than the energy corresponding to the oscillation wavelength of the active layer, the bandgap energy of the p-type semiconductor layer is larger than the energy corresponding to the oscillation wavelength of the active layer, characterized in that Laser diode. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 n형 격자의 밴드갭 에너지와 상기 활성층의 발진 파장에 해당하는 에너지 사이의 차이는 5~100meV임을 특징으로 하는 전류 차단형 복합 결합 방식의 레이저 다이오드.The difference between the bandgap energy of the n-type grating and the energy corresponding to the oscillation wavelength of the active layer is 5 ~ 100 meV laser diode of the current blocking type combined coupling method. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 p형 반도체층의 밴드갭 에너지와 활성층의 발진 파장에 해당하는 에너지 사이의 차이는 5~100meV임을 특징으로 하는 전류 차단형 복합 결합 방식의 레이저 다이오드.And a difference between the bandgap energy of the p-type semiconductor layer and the energy corresponding to the oscillation wavelength of the active layer is 5 to 100 meV.
KR1020050010815A 2005-02-04 2005-02-04 Current blocking type complex coupled laser diode KR100663424B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050010815A KR100663424B1 (en) 2005-02-04 2005-02-04 Current blocking type complex coupled laser diode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050010815A KR100663424B1 (en) 2005-02-04 2005-02-04 Current blocking type complex coupled laser diode

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060089995A KR20060089995A (en) 2006-08-10
KR100663424B1 true KR100663424B1 (en) 2007-01-02

Family

ID=37571410

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050010815A KR100663424B1 (en) 2005-02-04 2005-02-04 Current blocking type complex coupled laser diode

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100663424B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060089995A (en) 2006-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10305250B2 (en) III-Nitride nanowire array monolithic photonic integrated circuit on (001)silicon operating at near-infrared wavelengths
JP5717726B2 (en) DFB laser diode with lateral coupling for high output power
KR101344477B1 (en) Semiconductor optical device and method for manufacturing the same
US20080253421A1 (en) High-Power Semiconductor Laser
KR20100057043A (en) Optoelectronic component
Song et al. High-power broad-band superluminescent diode with low spectral modulation at 1.5-μm wavelength
US5805627A (en) Laser diode and optical communications system using such laser diode
US7460576B2 (en) Semiconductor optical amplifier
CA2370588A1 (en) Semiconductor laser module and semiconductor laser device having light feedback function
JP5243901B2 (en) Coaxial type semiconductor optical module
US6661828B2 (en) Semiconductor laser device
US6603785B2 (en) Semiconductor laser device
US6925103B2 (en) Gain-coupled DFB laser diode
US7711016B2 (en) Semiconductor laser with side mode suppression
JP2006203100A (en) Semiconductor laser and light transmitter module
KR100663424B1 (en) Current blocking type complex coupled laser diode
JP4243506B2 (en) Semiconductor laser and optical module using the same
JP4278985B2 (en) Method and apparatus for improving the efficiency of a photoelectron emission source device
JP2009016878A (en) Semiconductor laser and optical module using the same
US6807212B2 (en) Semiconductor laser
JPH0365029B2 (en)
Zhu et al. Widely Tunable 1.3 μm InGaAlAs/InP DBR Laser
Zhu et al. Widely Tunable 1.3 um InGaAlAs/InP DBR Laser
KR20060025168A (en) Method and apparatus for suppression of spatial-hole burning in second or higher order dfb laser
Pasquariello et al. InP-based waveguide photodetector with integrated photon multiplication

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee