KR100662611B1 - 바이어스 스위칭과 출력 버퍼의 멀티플렉싱을 이용한이중대역 전압제어 발진기 - Google Patents

바이어스 스위칭과 출력 버퍼의 멀티플렉싱을 이용한이중대역 전압제어 발진기 Download PDF

Info

Publication number
KR100662611B1
KR100662611B1 KR1020050008613A KR20050008613A KR100662611B1 KR 100662611 B1 KR100662611 B1 KR 100662611B1 KR 1020050008613 A KR1020050008613 A KR 1020050008613A KR 20050008613 A KR20050008613 A KR 20050008613A KR 100662611 B1 KR100662611 B1 KR 100662611B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage controlled
controlled oscillator
voltage
buffer
bias
Prior art date
Application number
KR1020050008613A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060087783A (ko
Inventor
이흥배
이성수
임진업
최중호
전상윤
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050008613A priority Critical patent/KR100662611B1/ko
Priority to US11/288,212 priority patent/US7414490B2/en
Publication of KR20060087783A publication Critical patent/KR20060087783A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100662611B1 publication Critical patent/KR100662611B1/ko

Links

Images

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
    • A01G—HORTICULTURE; CULTIVATION OF VEGETABLES, FLOWERS, RICE, FRUIT, VINES, HOPS OR SEAWEED; FORESTRY; WATERING
    • A01G31/00—Soilless cultivation, e.g. hydroponics
    • A01G31/02—Special apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1228—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more field effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
    • H03B5/1209—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier having two current paths operating in a differential manner and a current source or degeneration circuit in common to both paths, e.g. a long-tailed pair.
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
    • H03B5/1212—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
    • H03B5/1215—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair the current source or degeneration circuit being in common to both transistors of the pair, e.g. a cross-coupled long-tailed pair
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P60/00—Technologies relating to agriculture, livestock or agroalimentary industries
    • Y02P60/20—Reduction of greenhouse gas [GHG] emissions in agriculture, e.g. CO2
    • Y02P60/21—Dinitrogen oxide [N2O], e.g. using aquaponics, hydroponics or efficiency measures

Landscapes

  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental Sciences (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

바이어스 스위칭과 출력 버퍼의 멀티플렉싱을 이용한 이중대역 전압제어 발진기가 개시된다. 본 발명에 따른 바이어스 스위칭과 출력 버퍼의 멀티플렉싱을 이용한 이중대역 전압제어 발진기는 전원전압을 공급하는 전원공급부, 소정 튜닝 전압에 제어에 의해 서로 다른 발진주파수를 출력하는 복수의 전압제어 발진부, 전압제어 발진부룰 구동하기 위한 구동전압을 생성하여 전압제어 발진부에 인가하는 복수의 바이어스부 및 상기 복수의 전압제어 발진부에서 출력되는 발진주파수를 선택적으로 출력하는 복수의 버퍼를 포함한다. 바이어스 스위칭과 버퍼의 멀티플렉싱을 통해 이중대역 전압제어 발진기를 구현함으로써 출력 주파수 간의 간섭현상이 제거되고, 이에 따라 위상 잡음 특성이 향상되는 장점이 있다.
이중대역 전압제어 발진기, 바이어스, 위상잡음, 간섭현상, 버퍼

Description

바이어스 스위칭과 출력 버퍼의 멀티플렉싱을 이용한 이중대역 전압제어 발진기{The dual-band voltage controlled oscillator using bias switching and multiplexing of output buffer}
도 1은 종래의 이중대역 전압제어 발진기들에 대한 도면,
도 2는 본 발명에 따른 바이어스 스위칭과 출력 버퍼의 멀티플렉싱을 이용한이중대역 전압제어 발진기의 구성을 도시한 도면,
도 3은 도 2의 제1 버퍼 및 제2 버퍼의 일실시예를 도시한 도면,
도 4는 제1 전압제어 발진기의 출력을 선택한 경우 제2 전압제어 발진기의 영향을 측정한 도면, 그리고
도 5는 제2 전압제어 발진부의 출력을 선택한 경우 제1 전압제어 발진부의 영향을 측정한 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명 *
200: 이중대역 전압제어 발진기 210: 전원공급부
220a, 220b: 제1, 제2 바이어스부
230a, 230b: 제1, 제2 전압제어 발진부
240a, 240b: 제1, 제2 버퍼
본 발명은 이중대역 전압제어 발진기에 관한 것으로 보다 상세하게는 바이어스 스위칭과 출력 버퍼의 멀티플렉싱을 이용하여 발진기 간의 간섭을 줄이고, 위상잡음 특성을 향상시킨 이중대역 전압제어 발진기에 관한 것이다.
무선통신 서비스가 발달해 나아감에 따라 현재 상용 서비스중인 디지탈 휴대용 전화기 및 PCS와 더불어 차세대의 WLL 및 IMT-2000과 같은 무선통신서비스가 향후 서비스될 예정이다. 이 차세대 무선통신 서비스는 화상전송과 같은 고용량 데이터의 처리 능력과 같이 여러 가지 기능이 요구되고 있다.
이 무선통신서비스는 각기 서로 상이한 주파수 대역, 예를 들면 디지탈 휴대용 전화기는 800MHz 대역을, PCS는 1.9GHz 대역을, IMT-2000은 1.8∼2.1GHz 대역을, 차세대 무선 통신서비스는 2.2GHz 대역을 사용한다.
이 차세대 무선 통신 시스템의 RF 송수신부는 상술한 무선통신서비스에서 사용되는 무선 주파수(RF)를 제공하는 전압제어 발진기를 가지는 것은 당연하다. 전압제어 발진기(Voltage Controlled Oscillator)는 발진주파수가 입력제어전압에 의해서 직선적으로 변화하는 발진기를 말한다.
종래의 이중대역 전압제어 발진기에 대해 살펴보면 다음과 같다. 도 1은 종래의 이중대역 전압제어 발진기들의 구조를 도시한 도면이다. 먼저, 도 1a는 크로스-커플드(cross-coupled) 차동 증폭기 회로에서 공통의 소스 단자는 출력 주파수의 2배 주파수 성분을 가지는 점을 이용한 이중대역 전압제어 발진기의 구조를 도 시한 도면이다. 이러한 이중대역 전압 발진기는 공통의 소스 단자(A 노드)로부터 얻어지는 출력신호의 크기가 작을 뿐 아니라 주파수 사이의 간섭으로 인해 위상잡음 특성이 저하되는 문제점이 있다.
도 1b에 도시된 이중대역 전압제어 발진기는 6GHz의 전압제어 발진기를 이용하여 6GHZ 및 이를 분주한 3GHz의 주파수 성분을 발생시킨다. 이러한 구조는 믹서 및 노치 필터 등 추가적인 회로가 요구되어 칩의 전체 면적이 커지는 단점이 있다.
이외에도, LC 탱크의 인덕터 및 커패시터에 대해 어레이(array)를 사용하고, 이를 스위치를 통해 조절함으로써 이중대역 주파수를 구현하는 방법이 있다. 이러한 방법을 이용해 발진주파수의 두 배의 주파수를 얻기 위해서는 인덕터 및 커패시터의 값이 큰 폭으로 변하고, 모스(MOS) 스위치가 추가되어야 하므로, LC 탱크의 공진특성을 구현하기 어려워진다. 또한, 인덕터 및 커패시터의 추가로 인해 칩 면적이 커지는 단점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 CMOS 공정을 이용하여 이중대역 발진기를 하나의 칩으로 고밀도 집적화시켜 구현하는 동시에, 바이어스 스위칭과 출력 버퍼의 멀티플렉싱을 이용하여 이중대역 발진기 간의 간섭을 줄이고, 위상잡음 특성을 향상시킬 수 있도록 한 이중대역 발진기를 제공하기 위함이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 바이어스 스위칭과 출력 버퍼의 멀티플렉싱을 이용한 이중대역 전압제어 발진기는 전원전압을 공급하는 전원공급부; 위상 고정 루프로부터 인가되는 튜닝 전압의 제어에 의해 서로 다른 발진주파수를 출력하는 복수의 전압제어 발진부; 상기 전원 공급부로부터 상기 전압제어 발진부를 구동하기 위한 구동전압을 생성하여 상기 전압제어 발진부에 인가하는 복수의 바이어스부; 및 상기 전원 공급부로부터 상기 복수의 전압제어 발진부에서 출력되는 발진주파수를 선택적으로 출력하는 복수의 버퍼;를 포함하는 것이 바람직하다.
여기서, 복수의 전압제어 발진부는, 2GHz의 발진주파수를 출력하는 제1 전압제어 발진부와, 5GHz의 발진주파수를 출력하는 제2 전압제어 발진부;를 포함하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 튜닝 전압은, 버렉터 튜닝 전압인 것이 바람직하다.
여기서, 상기 복수의 바이어스부는, 상기 제1 전압제어 발진부의 구동을 제어하는 제1 바이어스부와, 상기 제2 전압제어 발진부의 구동을 제어하는 제2 바이어스부;를 포함하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 제1 바이어스부 및 상기 제2 바이어스부는, 상기 전원공급부로부터 제1 논리레벨의 전원이 인가되면 도통되고, 상기 전원공급부로부터 제2 논리레벨의 전원이 인가되면 차단되는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 복수의 버퍼는, 상기 전원공급부로부터 제1 논리레벨의 전압이 인가되면, 도통되어 상기 제1 전압제어 발진부에서 생성된 발진주파수를 출력하는 제1 버퍼와, 상기 전원공급부로부터 제1 논리레벨의 전압이 인가되면, 도통되어 상기 제2 전압제어 발진부에서 생성된 발진주파수를 출력하는 제2 버퍼;를 포함하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 제1 버퍼가 도통되면 상기 제2 버퍼는 차단되고, 상기 제2 버퍼가 도통되면 상기 제1 버퍼는 차단되는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 전원공급부, 상기 복수의 전압제어 발진부, 상기 복수의 바이어스부 및 상기 복수의 버퍼는 CMOS 공정을 이용하여 하나의 칩(chip) 상에 구현되는 것이 바람직하다.
도 2는 본 발명에 따른 바이어스 스위칭과 출력 버퍼의 멀티플렉싱을 이용한이중대역 전압제어 발진기의 구성을 도시한 도면이다. 도 2를 참조하면, 본 이중대역 전압제어 발진기(200)는 전원공급부(210), 제1 바이어스부(220a) 및 제2 바이어스부(220b)로 이루어진 복수의 바이어스부, 제1 전압제어 발진부(230a) 및 제2 전압제어 발진부(230b)로 이루어진 복수의 전압제어 발진부, 및 제1 버퍼(240a) 및 제2 버퍼(240b)로 이루어진 복수의 버퍼를 포함한다.
전원공급부(210)는 제1, 제2 바이어스부(220a,220b) 및 제1, 제2 버퍼(240a, 240b)에 소정 레벨의 전압을 공급하여 제1, 제2 바이어스부(220a, 220b) 및 제1, 제2 버퍼(240a, 240b)를 구동시킨다.
복수의 바이어스부는 제1 바이어스부(220a)와 제2 바이어스부(220b)로 이루어진다. 전원공급부(210)로부터 제1 바이어스부(220a)에 하이-레벨(High-Level)의 전압이 인가되면, 제1 바이어스부(220a)는 제1 전압제어 발진부(230a)를 구동시키기 위한 구동전압을 제1 전압제어 발진부(230a)에 공급한다. 또한, 제1 바이어스부 (220a)에 로우-레벨(Low-Level)의 전압이 인가되면, 제1 바이어스부(220a)는 턴-오 프되어 제1 전압제어 발진부(230a)에 구동전압을 공급하지 않는다.
제2 바이어스부(220b)의 역할은 제1 바이어스부(220a)와 동일하다. 즉, 제2 바이어스부 (220b)에 하이-레벨의 전압이 인가되면, 제2 바이어스부(220b)는 제2 전압제어 발진부(230b)를 구동시키기 위한 구동전압을 제2 전압제어 발진부(230b)에 공급한다. 또한, 제2 바이어스부 (220b)에 로우-레벨의 전압이 인가되면, 턴-오프되어 제2 바이어스부(220b)는 제2 전압제어 발진부(230b)에 구동전압을 공급하지 않는다.
제1 전압제어 발진부(230a) 및 제2 전압제어 발진부(230b)는 위상 고정 루프(Phase Locked Loop, 미도시)로부터 인가되는 버렉터 튜닝 전압(Vc)의 제어에 의해 각각 서로 다른 주파수를 발진한다. 본 실시예에서 제1 전압제어 발진부(230a)는 중심주파수가 2GHz인 주파수를 발진하고, 제2 전압제어 발진부(230b)는 중심주파수가 5GHz인 주파수를 발진한다. 그러나, 각각의 전압제어 발진부(230a, 230b)에서 발진되는 주파수가 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 버퍼(240a) 및 제2 버퍼(240b)는 제1 전압제어 발진부(230a)와 제2 전압제어 발진부(230b)의 출력을 선택적으로 출력한다. 즉, 전원전압 공급부(210)로부터 제1 버퍼(240a)에 하이-레벨의 전압이 인가되면, 제1 버퍼(240a)는 턴-온되어, 제1 전압제어 발진부(230a)에서 발진된 주파수를 출력한다. 본 실시예에서 하이-레벨의 전압 크기는 대략 1.8[V]이다.
이 때, 제2 버퍼(240b)에는 로우-레벨의 전압이 인가되며, 이에 따라, 제2 버퍼(240b)는 턴-오프된다. 본 실시예에서 로우-레벨의 전압 크기는 대략 0[V]이 다. 즉, 복수의 버퍼(240a, 240b)에 의해 제1 전압제어 발진부(230a) 및 제2 전압제어 발진부(230b)의 발진 주파수가 선택적으로 출력된다.
도 3은 도 2의 제1 버퍼 및 제2 버퍼의 일실시예를 도시한 블럭도이다. 도 3을 참조하면, 전원공급부(210)로부터 제2 버퍼(240b)의 a 단자에 하이-레벨인 1.8[V]의 전압이 인가되면, b 단자는 0[V]가 된다. 이에 따라, 제2 버퍼(240b)의 노드 C2와 D2에는 소정 크기의 바이어스 전압이 인가된다. 따라서, 제2 버퍼(240b)는 턴-온되어 제2 전압제어 발진부(230b)에서 생성된 5GHz의 발진주파수를 출력하게 된다. 한편, 전원공급부(210)로부터 제1 버퍼(240a)의 a 단자에 1.8[V]의 전압이 인가되면 노드 C1과 D1에는 0[V]의 전압이 걸린다. 따라서, 제1 버퍼(240a)는 턴-오프되어 동작하지 않게 된다. 도 3에서, VOM과 VOP는 버퍼의 최종 출력, VIP1, VIM1은 제1 버퍼(240a)에 입력되는 제1 전압제어 발진부(230a)의 출력, VIP2, VIM2는 제2 버퍼(240b)에 입력되는 제2 전압제어 발진부(230b)의 출력을 나타낸다.
표 1은 본 발명에 따른 이중대역 전압제어 발진기에서 측정된 튜닝 레인지 및 위상 잡음의 특성을 나타낸다.
제1 전압제어 발진부 제2 전압제어 발진부
중심 주파수 2.004 GHz 4.548 GHz
위상 잡음 -115.2 dBc/Hz -109 dBc/Hz
튜닝 레인지 229 MHz 655 MHz
표 1에서, 위상 잡음 특성은 1 MHz 오프셋에서 측정된 결과이다.
도 4는 제1 전압제어 발진부의 출력을 선택한 경우 제2 전압제어 발진부의 영향을 측정한 도면이다. 도 4의 (a)는 제2 바이어스부(220b)는 턴-온되어 있고, 제2 버퍼(240b)는 턴-오프된 상태에서 본 이중대역 전압제어 발진기의 출력 스펙트럼을 도시한 도면이다. 도 4의 (a)를 참조하면, 제2 바이어스부(220b)는 턴-온되고, 제2 버퍼(240b)는 오프된 경우, 제2 전압제어 발진부(230b)가 동작하면, 제2 전압제어 발진부(230b)에서 발진된 발진주파수가 오프된 제2 버퍼(240b)를 통해 피드쓰루(feedthrough)되어 미세한 누설(leakage) 성분이 출력되는 것을 알 수 있다. 이 경우 제1 전압제어 발진부(240a)와 제2 전압제어 발진부(240b)의 출력간에 간섭이 발생하여, 위상 잡음 특성이 떨어지게 된다. 도 4의 (b)는 제2 바이어스부(220b)는 턴-오프되어 있고, 제2 버퍼(240b)는 턴-오프된 상태에서 본 이중대역 전압제어 발진기의 출력 스펙트럼을 도시한 도면이다. 도 4의 (b)를 참조하면, 제2 바이어스부(220b)와 제2 버퍼(240b)가 모두 턴-오프된 경우는 리키지(leakage) 성분이 출력되지 않아, 발진기 사이의 간섭현상을 제거할 수 있어, 위상 잡음 특성이 향상된다.
도 5는 제2 전압제어 발진기의 출력을 선택한 경우, 제1 전압제어 발진기의 영향을 측정한 도면이다. 도 5의 (a)는 제1 바이어스부(220a)는 턴-온되어 있고, 제1 버퍼(240a)는 턴-오프된 상태에서 본 이중대역 전압제어 발진기의 출력 스펙트럼을 도시한 도면이며, 도 5의 (b)는 제1 바이어스부(220a)는 턴-오프되어 있고, 제1 버퍼(240a)는 턴-오프된 상태에서 본 이중대역 전압제어 발진기의 출력 스펙트럼을 도시한 도면이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 바이어스 스위칭과 버퍼의 멀티플렉싱(multiplexing)을 통해 이중대역 전압제어 발진기를 구현함으로써 출력 주파수 간의 간섭현상이 제거되고, 이에 따라 위상 잡음 특성이 향상되는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 이중대역 발진기를 CMOS 공정을 이용하여 하나의 칩으로 구현함으로써 고밀도 집적화를 실현할 수 있으며, 제조가격을 낮출 수 있는 장점이 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위에 있게 된다.

Claims (8)

  1. 전원전압을 공급하는 전원공급부;
    위상 고정 루프(Phase Locked Loop)로부터 인가되는 튜닝 전압의 제어에 의해 서로 다른 발진주파수를 출력하는 복수의 전압제어 발진부;
    상기 전원 공급부로부터 전압을 공급받아 상기 전압제어 발진부를 구동하기 위한 구동전압을 생성하여 상기 전압제어 발진부에 인가하는 복수의 바이어스부; 및
    상기 전원 공급부로부터 전압을 공급받아 상기 복수의 전압제어 발진부에서 출력되는 발진주파수를 선택적으로 출력하는 복수의 버퍼;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중대역 전압제어 발진기.
  2. 제1항에 있어서, 복수의 전압제어 발진부는,
    2GHz의 발진주파수를 출력하는 제1 전압제어 발진부와, 5GHz의 발진주파수를 출력하는 제2 전압제어 발진부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중대역 전압제어 발진기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 튜닝 전압은,
    버렉터 튜닝 전압인 것을 특징으로 하는 이중대역 전압제어 발진기.
  4. 제2항에 있어서, 상기 복수의 바이어스부는,
    상기 제1 전압제어 발진부의 구동을 제어하는 제1 바이어스부와, 상기 제2 전압제어 발진부의 구동을 제어하는 제2 바이어스부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중대역 전압제어 발진기.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 바이어스부 및 상기 제2 바이어스부는,
    상기 전원공급부로부터 제1 논리레벨의 전원이 인가되면 도통되고,
    상기 전원공급부로부터 제2 논리레벨의 전원이 인가되면 차단되는 것을 특징 으로 하는 이중대역 전압제어 발진기.
  6. 제2항에 있어서, 상기 복수의 버퍼는,
    상기 전원공급부로부터 제1 논리레벨의 전압이 인가되면, 도통되어 상기 제1 전압제어 발진부에서 생성된 발진주파수를 출력하는 제1 버퍼와,
    상기 전원공급부로부터 제1 논리레벨의 전압이 인가되면, 도통되어 상기 제2 전압제어 발진부에서 생성된 발진주파수를 출력하는 제2 버퍼;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중대역 전압제어 발진기.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 버퍼가 도통되면 상기 제2 버퍼는 차단되고,
    상기 제2 버퍼가 도통되면 상기 제1 버퍼는 차단되는 것을 특징으로 하는 이중대역 전압제어 발진기.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 전원공급부, 상기 복수의 전압제어 발진부, 상기 복수의 바이어스부 및 상기 복수의 버퍼는 CMOS 공정을 이용하여 하나의 칩(chip) 상에 구현되는 것을 특징으로 하는 이중대역 전압제어 발진기.
KR1020050008613A 2005-01-31 2005-01-31 바이어스 스위칭과 출력 버퍼의 멀티플렉싱을 이용한이중대역 전압제어 발진기 KR100662611B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050008613A KR100662611B1 (ko) 2005-01-31 2005-01-31 바이어스 스위칭과 출력 버퍼의 멀티플렉싱을 이용한이중대역 전압제어 발진기
US11/288,212 US7414490B2 (en) 2005-01-31 2005-11-29 Dual-band voltage-controlled oscillator using bias switching and output-buffer multiplexing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050008613A KR100662611B1 (ko) 2005-01-31 2005-01-31 바이어스 스위칭과 출력 버퍼의 멀티플렉싱을 이용한이중대역 전압제어 발진기

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060087783A KR20060087783A (ko) 2006-08-03
KR100662611B1 true KR100662611B1 (ko) 2007-01-02

Family

ID=36755916

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050008613A KR100662611B1 (ko) 2005-01-31 2005-01-31 바이어스 스위칭과 출력 버퍼의 멀티플렉싱을 이용한이중대역 전압제어 발진기

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7414490B2 (ko)
KR (1) KR100662611B1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7253707B2 (en) * 2005-02-02 2007-08-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Tunable active inductor
US7538624B2 (en) * 2006-12-27 2009-05-26 Fujitsu Media Devices Limited Oscillator having multiple oscillation units
DE102007023795A1 (de) * 2007-05-21 2008-12-04 Atmel Duisburg Gmbh Oszillator zum Erzeugen von unterschiedlichen Schwingungen
JP5384959B2 (ja) * 2009-01-28 2014-01-08 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 電子回路
US8319564B2 (en) 2010-03-26 2012-11-27 Altera Corporation Integrated circuits with configurable inductors
US9490826B1 (en) * 2015-08-19 2016-11-08 Qualcomm Incorporated Methods and apparatus for synchronizing frequency dividers using a pulse swallowing technique
CN106304102B (zh) * 2016-08-11 2019-05-07 上海交通大学 一种基于无线网络接收端缓存的信道复用方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5705955A (en) * 1995-12-21 1998-01-06 Motorola, Inc. Frequency locked-loop using a microcontroller as a comparator
KR100206476B1 (ko) * 1997-03-20 1999-07-01 윤종용 디지털 마이크로웨이브 시스템에서 송신용 국부발진주파수를 동기화시키기 위한 회로
US6650194B1 (en) * 2000-10-25 2003-11-18 International Business Machines Corporation Phase shift control for voltage controlled oscillator
JP3853285B2 (ja) * 2002-11-01 2006-12-06 シャープ株式会社 電圧制御発振器及びこれを備えた集積回路装置
US6876263B1 (en) * 2003-03-05 2005-04-05 Applied Micro Circuits Corporation Dual voltage-controlled oscillator structure with powder-down feature
US7138877B2 (en) * 2004-04-21 2006-11-21 Rambus Inc. PLL and method for providing a single/multiple adjustable frequency range
US7123113B1 (en) * 2004-06-11 2006-10-17 Cypress Semiconductor Corp. Regulated, symmetrical crystal oscillator circuit and method

Also Published As

Publication number Publication date
US7414490B2 (en) 2008-08-19
KR20060087783A (ko) 2006-08-03
US20060170512A1 (en) 2006-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7920030B2 (en) Multi-phase voltage-control oscillator
KR100662611B1 (ko) 바이어스 스위칭과 출력 버퍼의 멀티플렉싱을 이용한이중대역 전압제어 발진기
RU2416132C2 (ru) Катушка переменной индуктивности в интегральном исполнении
US6304146B1 (en) Method and apparatus for synthesizing dual band high-frequency signals for wireless communications
US6993307B2 (en) Method and apparatus for operating a PLL with a phase detector/sample hold circuit for synthesizing high-frequency signals for wireless communications
US7088189B2 (en) Integrated low noise microwave wideband push-push VCO
US7375596B2 (en) Quadrature voltage controlled oscillator
CA2515982C (en) Low noise, hybrid tuned wideband voltage controlled oscillator
JP2006229266A (ja) 電圧制御発振器およびｒｆ−ｉｃ
EP1542354A1 (en) Integrated ultra low noise microwave wideband push-push vco
Liscidini et al. A power-scalable DCO for multi-standard GSM/WCDMA frequency synthesizers
US20090189704A1 (en) Voltage controlled oscillator with multi-tap inductor
US7286024B2 (en) Voltage-controlled oscillator with differential output
JP4920421B2 (ja) 集積型低ノイズ・マイクロ波広帯域プッシュプッシュ電圧制御発振器
US6640091B1 (en) Dual-band output switching high-frequency transmission circuit with a transmission mixer having two outputs
US10524209B2 (en) Low power local oscillator
US7227425B2 (en) Dual-band voltage controlled oscillator utilizing switched feedback technology
US20190089302A1 (en) Degeneration for a Wideband Voltage-Controlled Oscillator
US7323947B2 (en) Oscillator circuit
US7848435B2 (en) NxN multiple-input multiple-output transceiver
KR100858652B1 (ko) 밀러효과를 이용한 전압제어 발진회로
US7119627B2 (en) Phase-locked loop circuit as well as a voltage-controlled oscillator as used in a phase-locked loop circuit
Rohde et al. Reconfigurable Wideband VCOs
EP1926207A1 (en) Low noise, hybrid tuned wideband voltage controlled oscillator
JP4903570B2 (ja) 周波数可変発振器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121115

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131122

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee