KR100660924B1 - Substance and manufacture apparatus and manufacture method for improvement of tunability by asymmetry heating - Google Patents

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Abstract

Provided are an oxide which is improved in tunability, is excellent in surface characteristics and can be used as a material for a high frequency device, its preparation method, and its preparation apparatus. The oxide comprises a ferroelectric material whose physical properties are changed by the asymmetrical heating by collecting the light spreading at the halogen lamp of an asymmetric heating part to concentrate it on the surface of an oxide thick film. Preferably the ferroelectric material is a compound comprising at least one selected from the group consisting of BaTiO3, SrTiO3, and (Sr_x Ba_(1-x))TiO3. The apparatus comprises a ferroelectric material; and an asymmetric heating part(100).

Description

비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물 및 그 제조장치 및 그 제조방법{Substance and manufacture apparatus and manufacture method for improvement of tunability by asymmetry heating}Oxide with improved tunability by asymmetrical heating and its manufacturing apparatus and its manufacturing method {Substance and manufacture apparatus and manufacture method for improvement of tunability by asymmetry heating}

도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물의 제조장치의 블록구성도이다.1 is a block diagram of an apparatus for producing an oxide having improved tunability by asymmetrical heating according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에서 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물의 구성예로서, 농도 차이에 의한 확산 영향의 예를 보인 개념도이다.FIG. 2 is a conceptual diagram illustrating an example of diffusion effects due to concentration differences as an example of an oxide in which tunability is improved by asymmetrical heating in FIG. 1.

도 3은 도 1에서 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물의 구성예로서, 입자 크기 차이에 의한 확산 영향의 예를 보인 개념도이다.FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating an example of diffusion effects due to particle size differences as a configuration example of an oxide in which tunability is improved by asymmetrical heating in FIG. 1.

도 4는 도 1에서 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물을 이용한 소자의 구성예로서, 상부전극과 하부전극을 강유전체에 결합시킨 산화물을 이용한 소자의 예를 보인 개념도이다.FIG. 4 is a conceptual diagram illustrating an example of a device using an oxide in which an upper electrode and a lower electrode are bonded to a ferroelectric as an example of a device using an oxide in which tunability is improved by asymmetrical heating in FIG. 1.

도 5는 도 1에서 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물을 이용한 소자의 구성예로서, 동일평면에 전극을 배열한 산화물을 이용한 소자의 예를 보인 개념도이다.FIG. 5 is a conceptual diagram illustrating an example of a device using an oxide in which electrodes are arranged on the same plane as an example of a device using an oxide in which tunability is improved by asymmetrical heating in FIG. 1.

도 6은 도 1에서 비대칭 가열부의 구성예를 보인 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the asymmetric heating unit in FIG.

도 7은 도 6에서 열원부에 의해 비대칭 가열을 수행하는 예를 보인 설명도이 다.FIG. 7 is an explanatory view showing an example of performing asymmetrical heating by the heat source unit in FIG. 6.

도 8은 도 7의 사시도이다.8 is a perspective view of FIG. 7.

도 9에서 (a)는 도 1에서 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물 표면 및 표면에 가까운 시료 내부에서의 온도 구배의 예를 보인 개념도이다.9A is a conceptual diagram illustrating an example of a temperature gradient in an oxide surface and a sample close to the surface of which the tunability is improved by asymmetrical heating in FIG. 1.

도 9에서 (b)는 온도 차이에 의한 산화물을 구성한 원자들의 가능한 두 가지 확산 방향의 예를 보인 개념도이다.9 (b) is a conceptual diagram illustrating two possible diffusion directions of atoms constituting an oxide due to temperature difference.

도 10은 본 발명의 일실시예에 의한 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물의 제조방법을 보인 흐름도이다.10 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an oxide having improved tunability by asymmetrical heating according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 비대칭 가열부100: asymmetrical heating portion

200 : 산화물200: oxide

210 : 강유전체210: ferroelectric

220 : 저유전율 기판220: low dielectric constant substrate

230 : 전극230: electrode

본 발명은 산화물의 튜너빌리티(Tunability, 전압-유전율 변위 특성) 향상에 관한 것으로, 특히 비대칭 가열에 의해 산화물의 튜너빌리티가 향상되도록 하여 산화물을 초고주파 소자용 재료 등으로 사용하기에 적당하도록 한 비대칭 가열에 의 해 튜너빌리티가 향상된 산화물 및 그 제조장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to the improvement of the tunability (voltage-dielectric constant displacement characteristics) of the oxide, and in particular, the asymmetrical heating to improve the tunability of the oxide by asymmetrical heating so that the oxide is suitable for use as a material for ultra-high frequency devices. The present invention relates to an oxide with improved tunability, an apparatus for producing the same, and a method for manufacturing the same.

여기서 튜너빌리티(Tunability)란 산화물이 전압-유전율에 따라 변화하는 특성을 말하는 것으로, 튜닝(Tunning) 가능성을 의미한다. 그래서 튜닝이 가능한 부분이 얼마나 되는지를 나타낸다. 따라서 튜너빌리티가 높을수록, 즉 튜닝가능한 여지가 많을수록 전압-유전율 특성을 조절할 수 있는 여지가 많아져서 여러 가지로 사용할 가능성이 있게 된다.Tunability refers to a characteristic in which an oxide changes according to a voltage-dielectric constant, and means a tuning possibility. So how much can you tune? Therefore, the higher the tunability, that is, the more tunable space, the more room there is for adjusting the voltage-dielectric constant characteristics, which may be used in various ways.

또한 산화물은 산소와 다른 원소와의 2원화합물의 총칭으로, 플루오르를 제외한 원소와의 화합물을 말한다. 산소는 다른 원소와 친화력이 강하여, 비활성기체를 제외한 거의 모든 원소와 화합물을 만드는데, 일반적으로 원소간의 직접반응 또는 산화제와의 작용에 의해서 생성된다. 예를 들면, 탄소나 황 또는 금속마그네슘을 산소 속에서 연소시키면, 각각 이산화탄소 CO2, 아황산가스 SO2, 산화마그네슘 MgO 등의 산화물을 얻는다.Oxide is a generic term for binary compounds of oxygen and other elements, and refers to compounds with elements other than fluorine. Oxygen has a strong affinity with other elements, making almost all elements and compounds except inert gases, which are usually produced by direct reaction between elements or by action with oxidants. For example, when carbon, sulfur, or magnesium metal is burned in oxygen, oxides such as carbon dioxide CO 2 , sulfurous acid gas SO 2 , and magnesium oxide MgO are obtained, respectively.

이러한 산화물 중에는 강유전체가 있다. 강유전체란 자연 상태에서 전기편극을 가지고 있는 물질을 말한다. 물질에 전기장을 가하면 그 영향으로 일반적으로 쌍극자모멘트가 생겨서 전기편극이 일어나는데, 어떤 특정한 물질은 전기장을 가하지 않아도 자발적으로 전기편극이 일어나는 것이 있으며, 이 물질을 강유전체라 한다. 강유전체는 전기적으로는 절연체인 유전체의 일종으로서, 특수한 물리적 성질을 가지고 있다. 또한 보통의 유전체와는 달리 유전편극이 전기장에 비례하지 않고, 강자성체와 마찬가지로 편극과 전기장과의 관계가 히스테리시스, 포화 등 이상 성(異常性)을 나타낸다는 특징이 있다.Among these oxides are ferroelectrics. Ferroelectrics are materials that have electric polarization in their natural state. When an electric field is applied to a material, the electric polarization is generally caused by a dipole moment, and a certain material spontaneously causes an electric polarization even without applying an electric field. This material is called ferroelectric. Ferroelectrics are a type of dielectric that is electrically insulated and have special physical properties. Unlike ordinary dielectrics, the dielectric polarization is not proportional to the electric field, and similarly to the ferromagnetic material, the relationship between the polarization and the electric field exhibits abnormalities such as hysteresis and saturation.

강유전체의 물성은 이러한 자발분극의 역전현상에 의해 압전성(piezoelectric)과 초전성(pyroelectric)을 가진다. 강유전체의 이러한 특성을 이용하여 개인 휴대용 야시경이나 위성을 이용한 위치추적 장치인 GPS, 자동차의 야간 시야 확보를 위한 장치 등을 개발할 수 있다. 또한 강유전체는 광학적 특성이 우수하므로 굴절률이 높고 비선형 광학상수 또한 큰 값을 가진다. 이러한 특성을 이용하여, 광도파로에 응용할 수 있으며, 레이저의 진동수를 2배로 증가시킬 수도 있다. 그 외에도 강유전체 물질은 큰 압전율을 가지고 있으므로 음향기계에 많이 사용하며, 또 유전율이 큰 점을 이용해서 소형 콘덴서의 유전체로도 사용한다The properties of ferroelectrics are piezoelectric and pyroelectric due to the inversion of spontaneous polarization. Using these characteristics of ferroelectrics, GPS, which is a location tracking device using a personal handheld nightlight or a satellite, and a device for securing a night vision of a vehicle can be developed. In addition, since the ferroelectric has excellent optical properties, the refractive index is high and the nonlinear optical constant also has a large value. By using such a characteristic, it can be applied to an optical waveguide and can also double the frequency of a laser. In addition, ferroelectric materials have a large piezoelectricity, so they are widely used in acoustic machines, and also because of their high dielectric constant, they are also used as dielectrics for small capacitors.

또한 강유전체 후막은 응용 범위가 광범위하지만 특히 초고주파 소자용 재료로 활용되는 경우에는 표면 특성이 매우 중요하다. 따라서 대량 생산이 용이한 후막을 제조하고 표면의 특성을 변화시켜 사용하는 것이 필요하다.In addition, the ferroelectric thick film has a wide range of applications, but surface characteristics are very important, especially when used as a material for microwave devices. Therefore, it is necessary to manufacture a thick film which is easy to mass-produce and to use it by changing the surface properties.

그래서 종래 기술에서는 강유전체와 같은 산화물의 물성 변화를 위해 대상 시료의 전체 물성을 같이 변화시키도록 하였다.Therefore, in the prior art, to change the physical properties of the oxide, such as ferroelectric, to change the overall physical properties of the target sample.

그러나 이러한 종래기술에서는 대상 시료 전체의 물성을 같이 변환시키기 때문에, 강유전체와 같은 산화물의 표면 및 표면에 가까운 시료의 내부 특성을 미세하게 변화시키지 못한 한계가 있었다.However, in such a prior art, since the physical properties of the entire target sample are converted together, there is a limit in which the internal characteristics of the sample close to the surface and the surface of the oxide such as a ferroelectric cannot be changed minutely.

이에 본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 비대칭 가열에 의해 산화물의 튜너빌리티가 향상되도록 하 여 산화물을 초고주파 소자용 재료 등으로 사용할 수 있는 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물 및 그 제조장치 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention has been proposed to solve the conventional problems as described above, and an object of the present invention is to improve the tunability of the oxide by asymmetric heating so that the oxide can be used as a material for ultra-high frequency devices. The present invention provides an oxide, an apparatus for manufacturing the same, and a method for manufacturing the same, wherein the tunability is improved.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일실시예에 의한 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물은,In order to achieve the above object, an oxide having improved tunability by asymmetrical heating according to an embodiment of the present invention,

비대칭 가열부의 할로겐 램프에서 사방으로 퍼지는 빛을 모아 산화물 후막의 표면에 집중시킴으로써 표면을 비대칭 가열받아 물성이 변화된 강유전체;를 포함하여 이루어짐을 그 기술적 구성상의 특징으로 한다.It is characterized in that the technical configuration comprises a; ferroelectric in which the physical properties are changed by asymmetrically heating the surface by collecting light spreading in all directions from the halogen lamp of the asymmetric heating unit to concentrate on the surface of the oxide thick film.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일실시예에 의한 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물의 제조장치는,In order to achieve the above object, an apparatus for producing an oxide having improved tunability by asymmetrical heating according to an embodiment of the present invention,

표면을 비대칭 가열받아 물성이 변화된 강유전체와; 상기 강유전체의 표면을 비대칭 가열시키는 비대칭 가열부;를 포함하여 이루어짐을 그 기술적 구성상의 특징으로 한다.A ferroelectric material whose properties are changed by asymmetric heating; Asymmetric heating portion for asymmetrically heating the surface of the ferroelectric; characterized in that consisting of.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일실시예에 의한 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물의 제조방법은,In order to achieve the above object, a method of manufacturing an oxide having improved tunability by asymmetrical heating according to an embodiment of the present invention,

비대칭 가열부를 작동시키는 제 1 단계와; 상기 제 1 단계 후 산화물의 강유전체를 상기 비대칭 가열부로 이송시키는 제 2 단계와; 상기 제 2 단계 후 상기 강유전체를 비대칭 가열부의 할로겐 램프에서 사방으로 퍼지는 빛을 모아 산화물 후막의 표면에 집중시킴으로써 비대칭 가열시키는 제 3 단계;를 포함하여 수행함을 그 기술적 구성상의 특징으로 한다.A first step of operating the asymmetrical heating portion; A second step of transferring the ferroelectric of an oxide to said asymmetrical heating part after said first step; And a third step of asymmetrically heating the ferroelectric after the second step by collecting light spreading from the halogen lamp of the asymmetric heating part in all directions on the surface of the oxide thick film.

이하, 상기와 같은 본 발명, 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물 및 그 제조장치 및 그 제조방법의 기술적 사상에 따른 일실시예를 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment according to the present invention, an oxide having improved tunability by asymmetrical heating, and a manufacturing apparatus thereof and a manufacturing method thereof will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물의 제조장치의 블록구성도이고, 도 2는 도 1에서 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물의 구성예로서, 농도 차이에 의한 확산 영향의 예를 보인 개념도이며, 도 3은 도 1에서 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물의 구성예로서, 입자 크기 차이에 의한 확산 영향의 예를 보인 개념도이다. 또한 도 4는 도 1에서 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물을 이용한 소자의 구성예로서, 상부전극과 하부전극을 강유전체에 결합시킨 산화물을 이용한 소자의 예를 보인 개념도이며, 도 5는 도 1에서 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물을 이용한 소자의 구성예로서, 동일평면에 전극을 배열한 산화물을 이용한 소자의 예를 보인 개념도이고, 도 6은 도 1에서 비대칭 가열부의 구성예를 보인 단면도이며, 도 7은 도 6에서 열원부에 의해 비대칭 가열을 수행하는 예를 보인 설명도이고, 도 8은 도 7의 사시도이다. 또한 도 9에서 (a)는 도 1에서 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물 표면 및 표면에 가까운 시료 내부에서의 온도 구배의 예를 보인 개념도이고, 도 9에서 (b)는 온도 차이에 의한 산화물을 구성하는 원자들의 가능한 두 가지 확산 방향의 예를 보인 개념도이며, 도 10은 본 발명의 일실시예에 의한 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물의 제조방법을 보인 흐름도이다.1 is a block diagram of an apparatus for manufacturing an oxide having improved tunability by asymmetrical heating according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a structural example of an oxide having improved tunability by asymmetrical heating in FIG. FIG. 3 is a conceptual diagram showing an example of diffusion effect by difference, and FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating an example of diffusion effect by difference in particle size as a configuration example of an oxide in which tunability is improved by asymmetrical heating in FIG. 1. 4 is a conceptual diagram illustrating an example of a device using an oxide in which an upper electrode and a lower electrode are bonded to a ferroelectric as an example of a device using an oxide having improved tuning ability by asymmetrical heating in FIG. 1, and FIG. 5 is a view of FIG. Fig. 6 is a conceptual diagram showing an example of a device using an oxide in which electrodes are arranged on the same plane as an example of a device using an oxide in which tunability is improved by asymmetric heating, and Fig. 6 is a cross-sectional view showing a configuration example of an asymmetric heating part in Fig. 1. 7 is an explanatory view showing an example of performing asymmetrical heating by the heat source unit in FIG. 6, and FIG. 8 is a perspective view of FIG. 7. In addition, (a) in FIG. 9 is a conceptual diagram showing an example of a temperature gradient in the oxide surface and a sample close to the surface in which the tunability is improved by asymmetrical heating in FIG. 1, and (b) in FIG. 9 is an oxide due to temperature difference. FIG. 10 is a conceptual view illustrating two possible diffusion directions of atoms constituting the present invention, and FIG. 10 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an oxide having improved tunability by asymmetrical heating according to an embodiment of the present invention.

이에 도시된 바와 같이, 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 비대칭 가열부(100)의 할로겐 램프에서 사방으로 퍼지는 빛을 모아 산화물(200) 후막의 표면에 집중시킴으로써 표면을 비대칭 가열받아 물성이 변화된 강유전체(210);를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.As shown in FIG. 2, the oxide having improved tunability by asymmetrical heating, as shown in FIGS. 2 and 3, collects light spread in all directions from a halogen lamp of the asymmetrical heating unit 100 to form a thick film of the oxide 200. It is characterized in that it comprises a; ferroelectric (210) whose physical properties are changed by asymmetrical heating the surface by concentrating on the surface.

상기 강유전체(210)는, BaTiO3, SrTiO3, (SrxBa1-x)TiO3 를 포함한 강유전체 중에서 하나 이상의 조합으로 구성된 화합물인 것을 특징으로 한다.The ferroelectric 210 is a compound composed of one or more combinations of ferroelectrics including BaTiO 3 , SrTiO 3, and (Sr x Ba 1-x ) TiO 3 .

상기 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물은, 이상기, 가변 캐패시터, 전압 제어 발진기, 주파수 스위퍼 중에서 하나 이상을 포함한 초고주파 튜너블 소자로 사용하여 초고주파의 전파 속도 조절에 사용하는 것을 특징으로 한다.The oxide whose tunability is improved by the asymmetrical heating is used as an ultrahigh frequency tunable element including at least one of an ideal phase, a variable capacitor, a voltage controlled oscillator, and a frequency sweeper to be used for controlling the propagation speed of ultrahigh frequency.

상기 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 강유전체(210)를 지지하는 저유전율 기판(220);을 더욱 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.The oxide having improved tunability by the asymmetrical heating, as shown in FIGS. 2 and 3, further comprises a low dielectric constant substrate 220 supporting the ferroelectric 210.

상기 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 강유전체(210)와 연결된 전극(220);을 더욱 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.The oxide having improved tunability by the asymmetric heating, as shown in FIGS. 2 and 3, an electrode 220 connected to the ferroelectric 210.

상기 전극(220)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 강유전체(210)의 대칭되는 양면에 형성된 것을 특징으로 한다.As shown in FIG. 4, the electrode 220 is formed on symmetrical surfaces of the ferroelectric 210.

상기 전극(220)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 강유전체(210)의 동일 평면에 배열된 것을 특징으로 한다.As illustrated in FIG. 5, the electrode 220 is arranged on the same plane of the ferroelectric 210.

또한 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물의 제조장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 표면을 비대칭 가열받아 물성이 변화된 강유전체(210)와; 상기 강유전체(210)의 표면을 비대칭 가열시키는 비대칭 가열부(100);를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.In addition, the apparatus for producing an oxide having improved tunability by asymmetrical heating includes a ferroelectric 210 whose physical properties are changed by asymmetrical heating of a surface, as shown in FIG. 1; It characterized in that it comprises a; asymmetric heating unit 100 for asymmetrically heating the surface of the ferroelectric (210).

상기 비대칭 가열부(100)는, 도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 할로겐 전구를 작동시켜 빛을 내서 상기 산화물(200)을 비대칭 가열시키는 열원부(S)와; 상기 산화물(200)을 상기 열원부(S)로 이송시키도록 모터(70)를 구비한 급송기구부(F);를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.The asymmetric heating unit 100, as shown in Figures 6 to 8, a heat source unit (S) for operating the halogen bulb to emit light asymmetrically heating the oxide (200); And a feeding mechanism part (F) having a motor (70) for transferring the oxide (200) to the heat source (S).

또한 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물의 제조방법은, 비대칭 가열부(100)를 작동시키는 제 1 단계(ST1)와; 상기 제 1 단계 후 산화물(200)의 강유전체(210)를 상기 비대칭 가열부(100)로 이송시키는 제 2 단계(ST2)와; 상기 제 2 단계 후 상기 강유전체(210)를 상기 비대칭 가열부(100)의 할로겐 램프에서 사방으로 퍼지는 빛을 모아 산화물(200) 후막의 표면에 집중시킴으로써 비대칭 가열시키는 제 3 단계(ST3);를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 한다.In addition, a method of manufacturing an oxide having improved tunability by asymmetrical heating includes a first step ST1 of operating the asymmetrical heating unit 100; A second step ST2 of transferring the ferroelectric 210 of the oxide 200 to the asymmetric heating part 100 after the first step; A third step (ST3) of heating the ferroelectric 210 after the second step by collecting the light spread in all directions from the halogen lamp of the asymmetric heating part 100 and concentrating on the surface of the oxide 200 thick film (ST3); It is characterized by performing.

이와 같이 구성된 본 발명에 의한 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물 및 그 제조장치 및 그 제조방법의 동작을 첨부한 도면에 의거 상세히 설명하면 다음과 같다.An oxide, an apparatus for manufacturing the same, and an operation of the method of manufacturing the same, in which the tunability is improved by the asymmetrical heating according to the present invention configured as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저 본 발명은 비대칭 가열에 의해 산화물의 튜너빌리티가 향상되도록 하여 산화물을 초고주파 소자용 재료 등으로 사용하고자 한 것이다.First, the present invention intends to use the oxide as a material for a microwave device by improving the tunability of the oxide by asymmetrical heating.

그래서 본 발명은 비대칭 가열을 수행하여 빛이 조사되는 한쪽 면의 물성을 집중적으로 변화시킨다.Thus, the present invention intensively changes the physical properties of one side to which light is irradiated by performing asymmetrical heating.

이때 가능한 물리적 화학적 변화는 비대칭 가열에 의해 조사된 빔이 시료의 일부분만을 국부적으로 가열함으로서 시료 내부에 온도차(구배)가 발생할 수 있다(도 9의 (a) 및 도 9의 (b) 참조). 이러한 시료 내부의 온도 변화는 시료를 구성하는 구성원자간의 확산을 유발하게 되므로 시료 표면에서 깊이 방향으로의 화학 조성의 변화를 발생시킨다. 또한 시료 표면에 조사된 빔에 의한 온도의 상승은 시료를 구성하는 입자(grain)의 성장 혹은 결정핵생성(nucleation)을 유발하여 입자의 크기를 커지게 하거나 작아지게 할 수 있다. 이러한 크기의 변화는 시료의 특성 및 온도 등에 의해 결정되어진다.In this case, the possible physical and chemical change may cause a temperature difference (gradient) inside the sample by locally heating a part of the sample by the beam irradiated by asymmetrical heating (see FIGS. 9A and 9B). This change in temperature inside the sample causes diffusion among the members constituting the sample, thereby causing a change in chemical composition in the depth direction at the surface of the sample. In addition, the increase in temperature by the beam irradiated on the surface of the sample may cause the growth or nucleation of grains constituting the sample, thereby increasing or decreasing the particle size. This change in size is determined by the nature and temperature of the sample.

따라서 본 발명은 입자 크기의 변화 및 화학 조성의 변화가 복합적 혹은 독립적으로 작용하도록 함으로서 시료표면 및 내부의 물성이 변화되도록 하여 튜너빌리티가 향상되도록 한다. 즉, 대칭 가열부(100)의 할로겐 램프에서 사방으로 퍼지는 빛을 모아 산화물(200) 후막의 표면에 집중시킴으로써 산화물(200)의 시료표면 및 내부의 물성이 변화되도록 하여 튜너빌리티를 향상시키게 된다.Therefore, the present invention allows the change in particle size and chemical composition to act in combination or independently so that the physical properties of the sample surface and the inside are changed so that the tunability is improved. That is, by collecting the light spread in all directions from the halogen lamp of the symmetrical heating unit 100 to concentrate on the surface of the thick film of the oxide 200, the physical properties of the sample surface and the inside of the oxide 200 is changed to improve the tuneability.

한편 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물은 테이프-캐스팅(Tape-casting) 및 파이어링(Firing) 방법을 이용하여 표면을 비대칭 가열함으로써 형성한다.On the other hand, oxides with improved tunability by asymmetrical heating are formed by asymmetrical heating of surfaces using tape-casting and firing methods.

그리고 산화물(200)은 강유전체(210)로 구성할 수 있는데, 이때의 강유전체 (210)는 BaTiO3, SrTiO3, (SrxBa1-x)TiO3 를 포함한 강유전체 중에서 하나 이상의 조합으로 강유전체(210)를 구성할 수 있다.And the oxide 200 may be composed of a ferroelectric 210 , wherein the ferroelectric 210 is a ferroelectric 210 in a combination of one or more of the ferroelectric including BaTiO 3 , SrTiO 3, (Sr x Ba 1-x ) TiO 3 ) Can be configured.

또한 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물(200)은 초고주파 튜너블 소자로 사용하여 변화된 강유전체(210)의 물성에 의해 초고주파의 전파 속도 조절에 사용할 수 있다. 이렇게 본 발명에 의해 사용가능한 초고주파 튜너블 소자로는 이상기, 가변 캐패시터, 전압 제어 발진기, 주파수 스위퍼 등이 있다.In addition, the oxide 200 having improved tunability by asymmetric heating may be used as an ultrahigh-frequency tunable device to adjust the propagation speed of the ultra-high frequency due to the changed properties of the ferroelectric 210. Thus, the ultra-high frequency tunable elements usable by the present invention include an ideal phase, a variable capacitor, a voltage controlled oscillator, a frequency sweeper, and the like.

여기서 초고주파의 매질 내에서의 속도는 매질의 전기적 유전율에 의존한다. 그리고 강유전체(210)의 경우 일반적으로 유전율이 높으므로 전자기파의 일종인 초고주파의 전파 속도는 진공중에서의 속도보다 느리게 된다. 또한 강유전체(210)의 유전율은 외부에서 걸어주는 바이어스 전압에 따라 그 값이 변화한다. 특히 (SrxBa1-x)TiO3 같은 강유전체의 경우 10V/um 정도의 전계를 걸어주면 약 50% 정도의 유전율 감소를 보이게 된다. 따라서 전자기파(초고주파)는 바이어스 전원이 걸린 상태에서는 전파 속도가 빨라지게 되므로 이를 이용하여 전자기파의 신호의 전달을 조절 할 수 있게 된다. 이러한 본 발명을 이용하여 구성한 소자를 사용하면, 이상기(Phase shifter) 또는 시간 지연 라인(Time delay line)을 구성할 수 있다.Here, the velocity in the medium of ultrahigh frequency depends on the electrical permittivity of the medium. In the case of the ferroelectric 210, since the dielectric constant is generally high, the propagation speed of ultra-high frequency waves, which is a kind of electromagnetic waves, is slower than the speed in vacuum. In addition, the dielectric constant of the ferroelectric 210 changes in accordance with a bias voltage applied from the outside. In particular, in the case of ferroelectrics such as (Sr x Ba 1-x ) TiO 3 , a dielectric constant of about 50% is reduced by applying an electric field of about 10V / um. Therefore, the electromagnetic wave (ultra high frequency) can be used to control the transmission of the signal of the electromagnetic wave by using the propagation speed is faster because the bias power is applied. Using the device constructed using the present invention, a phase shifter or a time delay line can be formed.

또한 캐패시터는 두 전극 사이의 유전체의 유전율에 의해서 결정되므로, 강유전체(210)를 이용한 가변 캐패시터를 구성할 수도 있다. 그래서 도 4 또는 도 5에서와 같이, 두 전극(230) 사이에 강유전체(210)를 두고 바이어스 전원을 조절함으로서 강유전체(210)의 유전율을 조절할 수 있고, 이는 캐패시터의 캐패시턴스 값 의 변화로 나타나게 된다.In addition, since the capacitor is determined by the dielectric constant of the dielectric between the two electrodes, it is possible to configure a variable capacitor using the ferroelectric 210. Thus, as shown in FIG. 4 or FIG. 5, the permittivity of the ferroelectric 210 can be adjusted by adjusting the bias power by placing the ferroelectric 210 between the two electrodes 230, which is represented by a change in the capacitance value of the capacitor.

그리고 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물(200)은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 강유전체(210), 저유전율 기판(220), 전극(230)을 포함하여 구성할 수 있다.The oxide 200 having improved tunability by asymmetrical heating may include a ferroelectric 210, a low dielectric constant substrate 220, and an electrode 230 as illustrated in FIGS. 2 and 3.

한편, 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물(200)의 제조장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 강유전체(210)의 표면을 비대칭 가열시키는 비대칭 가열부(100);를 포함하여 구성할 수 있다. 이러한 비대칭 가열부(100)는, 도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 열원부(S), 급송기구부(F)를 포함하여 구성할 수 있다.On the other hand, the manufacturing apparatus of the oxide 200, the tuning ability is improved by asymmetric heating, as shown in Figure 1, asymmetric heating unit 100 for asymmetrically heating the surface of the ferroelectric 210; can be configured to include have. As shown in FIGS. 6 to 8, the asymmetrical heating unit 100 may include a heat source unit S and a feeding mechanism unit F. As shown in FIG.

여기서 도 6에 도시되는 예시적인 열가공장치(HM)는 실험실적으로 구성된 베이스(1) 상에 설치되는 장치로서, 다수개의 레그부인 프레임(2) 상에 장착되는데, 열원부(S)와 급송기구부(F)로 크게 구분할 수 있다.Here, the exemplary heat processing apparatus HM shown in FIG. 6 is a device installed on a lab-configured base 1, and is mounted on a frame 2 which is a plurality of leg portions, and is fed with the heat source portion S. It can be largely divided into the mechanism part (F).

열원부(S)는 프레임(2) 상에 장착되고, 타원체의 반사체로서 스테인레스스틸, 내열유리, 고반사도의 알루미늄 등의 반사경(10)을 장착하고, 그 장축상의 일측 중심(C)에 할로겐전구 또는 고휘도의 적외선 발광램프인 발광체(11)를 축방향에 대하여 직각(z축 방향)으로 배설하여 구성한다.The heat source portion S is mounted on the frame 2, and a reflector 10 made of stainless steel, heat-resistant glass, high reflectivity aluminum or the like as a reflector of an ellipsoid, and a halogen bulb at one center C on its long axis Alternatively, the light emitting body 11, which is a high-intensity infrared light emitting lamp, is disposed at right angles (z-axis direction) with respect to the axial direction.

반사경(10)을 둘러싸는 냉각하우징(12)의 내부에는 수냉파이프(12)에 의하여 급송되는 냉각수가 순환이 가능하게 구성되나, 내부순환구성은 중실체의 냉각하우징(12)에 형성된 냉각수유로 또는 중공체의 냉각하우징(12) 내방에 배설된 냉각수유로 등으로 다양하게 형성하는 것이 가능하다.The cooling water supplied by the water cooling pipe 12 may be circulated in the cooling housing 12 surrounding the reflector 10, but the inner circulation configuration may include a cooling water flow path formed in the cooling housing 12 of the solid body or the like. It is possible to variously form the cooling water flow path disposed inside the cooling housing 12 of the hollow body.

발광체(11)는 냉각하우징(12)에 대하여 연장되는 장착레그(14)에 의하여 길 이방향으로 길게 배설되어 전선(15)에 의하여 전원이 공급된다.The light emitter 11 is disposed long in the longitudinal direction by a mounting leg 14 extending with respect to the cooling housing 12 so that power is supplied by the wire 15.

장착레그(14)는 냉각하우징(12)의 후단부에 고정되고, 통상적으로 사용되는 가이드기구인 상하슬라이드이동기구(도면상에 미도시)의 가동블럭(도면상에 미도시)과 함께 고정됨으로서 장착레그(14)는 조절노브(도면상에 미도시)의 좌, 우 회전에 따라서 상하로 미세하게 이동하게 되고, 이에 따라 장착레그(14)의 단부에 고정된 발광체(11) 또한 냉각하우징(12)의 반사경(10) 내에서 상하로 이동함으로서 초점을 변경할 수 있다.The mounting leg 14 is fixed to the rear end of the cooling housing 12 and fixed together with the movable block (not shown in the figure) of the vertical slide moving mechanism (not shown in the figure), which is a guide mechanism that is commonly used. The mounting leg 14 is moved finely up and down according to the left and right rotation of the adjusting knob (not shown in the drawing), and thus the light emitting body 11 fixed to the end of the mounting leg 14 is also cooled by the housing. The focus can be changed by moving up and down within the reflector 10 of 12).

또한 발광체(11)의 초점(C)이 형성되는 부위에는 축방향(x축 방향)으로 배설되고, 그 내방에 가공대상체가 투입되는 진공튜브가공실(20) 또는 불활성환경가공실이 진공블럭(25)에 고정되어 있다.Further, the vacuum tube processing chamber 20 or the inert environment processing chamber in which the object to be processed is disposed in the axial direction (x-axis direction) is disposed at a portion where the focus C of the light emitting body 11 is formed, and the vacuum block ( It is fixed to 25).

진공튜브가공실(20)의 비가공측(E2) 단부에는 진공펌프(도면상에 미도시)로 연결되는 진공형성관(22)이 장착되고, 진공튜브가공실(20)이 삽입고정되어 진공형성부를 구성하는 진공블럭(25)이 삽입되고, 이 진공블럭(25)은 하방의 급송기구부(F)에 의하여 급송된다.At the end of the unprocessed side E2 of the vacuum tube processing chamber 20, a vacuum forming tube 22 connected to a vacuum pump (not shown in the drawing) is mounted, and the vacuum tube processing chamber 20 is inserted and fixed to vacuum the vacuum tube processing chamber 20. The vacuum block 25 constituting the forming portion is inserted, and the vacuum block 25 is fed by the feeding mechanism mechanism F below.

또한 진공튜브가공실(20)의 가공측 단부(E1)에는 개폐가 가능한 마개형상을 가지고 그 중앙부에 가공체(M)가 장입고정되는 가공베드(30)를 연장하여 가지는 진공패킹마개(26)가 연질 또는 경질체의 마개체로서 제공된다.In addition, the vacuum packing plug 26 having a stopper shape that can be opened and closed at the processing side end E1 of the vacuum tube processing chamber 20 and extending the processing bed 30 to which the workpiece M is fixed at the center thereof. Is provided as a soft or hard stopper.

진공패킹마개(26)는 진공튜브가공실(20)의 단부에 끼워지고, 진공튜브가공실(20)의 단부에 장착된 체결부(28)의 체결볼트(27) 등의 체결수단으로 강고하게 결합함으로서 진공을 형성한다.The vacuum packing plug 26 is fitted to the end of the vacuum tube processing chamber 20, and firmly secured by a fastening means such as a fastening bolt 27 of the fastening portion 28 mounted to the end of the vacuum tube processing chamber 20. By combining to form a vacuum.

참조번호 40은 냉각하우징(12)에 장착된 반사경(10)의 초점부의 온도를 측정하기 위한 온도커플러이고, 참조번호 41은 진공튜브가공실(20) 내방의 온도를 측정하기 위한 온도커플러이다.Reference numeral 40 is a temperature coupler for measuring the temperature of the focus portion of the reflector 10 mounted to the cooling housing 12, and reference numeral 41 is a temperature coupler for measuring the temperature inside the vacuum tube processing chamber 20.

또한 급송기구부(F)의 구성은 다음과 같다.Moreover, the structure of the feeding mechanism part F is as follows.

먼저 진공튜브가공실(20)의 비가공측(E2) 단부에 장착되는 진공블럭(25)은 그 단부에서 하방으로 연장한 연결리브(60)를 가지고, 이 연결리브(60)의 자유단부는 내방에 나사산을 가지는 스크류급송너트(62)와 고정된다.First, the vacuum block 25 mounted at the end of the unprocessed side E2 of the vacuum tube processing chamber 20 has a connecting rib 60 extending downward from the end thereof, and the free end of the connecting rib 60 is It is fixed to the screw feed nut 62 having a screw thread inwardly.

또한 스크류급송너트(62)는 길이가 길고 양단에서 축부(64, 64')에 의하여 자유축지지되는 축방향의 급송기구축인 급송스크류(63)와 나사접속하여 있다.The screw feeding nut 62 has a long length and is screwed into the feeding screw 63, which is an axial feeding mechanism shaft that is freely supported by the shafts 64 and 64 'at both ends.

또한 급송스크류(63)의 단부에는 모터(70)의 풀리와 타이밍벨트로서 연결된 구동풀리(66)가 고정된다.In addition, the end of the feeding screw 63 is fixed to the pulley of the motor 70 and the drive pulley 66 connected as a timing belt.

한편 국부적인 열원을 만들기 위한 동작을 도 7 및 도 8을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, an operation for creating a local heat source will be described with reference to FIGS. 7 and 8.

먼저 x축과 y축 상에서 타원 형상으로 구성된 반사경(MR)이 있다고 가정하자.First, assume that there is a reflector MR formed in an elliptic shape on the x-axis and the y-axis.

그러면 타원의 장반경(a)과 단반경(b)이 형성하는 초점(C1, C2) 상의 어느 하나에 광원인 발광체(11)가 놓여지게 되면, 반사되는 광은 모두 다른 초점(C1 또는 C2)에 집중된다.Then, when the light emitter 11, which is a light source, is placed on any one of the focal points C1 and C2 formed by the long radius a and the short radius b of the ellipse, all the reflected light is concentrated at the other focal point C1 or C2. do.

이러한 구성에서 만일 초점(C1 또는 C2)에 대하여 놓여지는 가공대상체(M)가 축방향을 따라서 일부 벗어나게 되면 형성되는 스폿의 면적이 증가하거나 감소 하게 된다.In this configuration, if the workpiece M placed relative to the focal point C1 or C2 is partially deviated along the axial direction, the area of the formed spot is increased or decreased.

이러한 구성을 도 8에서와 같이 횡방향(z축 방향)으로 길이(L)가 긴 형상의 반사경(MR)을 형성한다면, 초점(C1 또는 C2)은 z축 방향의 길이(L)를 따라서 연속적으로 형성되어 선형의 가열광인 집적광(LL)을 구성하게 된다.If such a configuration forms a reflective mirror MR having a long length L in the lateral direction (z-axis direction) as shown in FIG. 8, the focal point C1 or C2 is continuous along the length L in the z-axis direction. It is formed to form an integrated light (LL) that is a linear heating light.

따라서 이 선형의 집적광(LL)을 이용하면, 가열대상체(M)에 대하여 선형적인 국부가열이 가능하고, 초점(C1 또는 C2)에 대하여 가열대상체(M)를 이동시키면 형성되는 선형적인 집적광(LL)의 폭(B)이 가변하여 가열면적으로 조절할 수 있게 되는 것이다. 이는 반사경(MR)에 대한 발광체(11)의 위치를 변경하여도 동일한 결과가 얻어진다.Therefore, when the linear integrated light LL is used, linear localized heating is possible with respect to the heating object M, and the linear integrated light formed by moving the heating object M with respect to the focal point C1 or C2. The width B of the LL is variable so that the heating area can be adjusted. This results in the same result even when the position of the light emitter 11 with respect to the reflecting mirror MR is changed.

이처럼 본 발명은 비대칭 가열에 의해 산화물의 튜너빌리티가 향상되도록 하여 산화물을 초고주파 소자용 재료 등으로 사용하게 되는 것이다.As such, the present invention allows the tunability of the oxide to be improved by asymmetrical heating so that the oxide can be used as a material for a microwave device.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 한정하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 다양한 변화와 변경 및 균등물을 사용할 수 있다. 따라서 본 발명은 상기 실시예를 적절히 변형하여 응용할 수 있고, 이러한 응용도 하기 특허청구범위에 기재된 기술적 사상을 바탕으로 하는 한 본 발명의 권리범위에 속하게 됨은 당연하다 할 것이다.Although the above has been described as being limited to the preferred embodiment of the present invention, the present invention is not limited thereto and various changes, modifications, and equivalents may be used. Therefore, the present invention can be applied by appropriately modifying the above embodiments, it will be obvious that such application also belongs to the scope of the present invention based on the technical idea described in the claims below.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물 및 그 제조장치 및 그 제조방법은 비대칭 가열에 의해 산화물의 튜너빌리티가 향상되도록 하여 산화물을 초고주파 소자용 재료 등으로 사용할 수 있는 효과가 있게 된다.As described above, the oxide having improved tunability by the asymmetrical heating according to the present invention and its manufacturing apparatus and its manufacturing method can be used as a material for an ultra-high frequency device by improving the tunability of the oxide by asymmetrical heating. It is effective.

또한 본 발명은 기판 물질인 고가의 강유전체 박막의 물성변화를 미세하게 비대칭적으로 가능하게 함으로써, 뛰어난 표면 특성을 갖는 강유전체 산화물을 제공할 수 있는 효과가 있게 된다.In addition, the present invention enables the microstructure of the expensive ferroelectric thin film, which is a substrate material, to be asymmetrically changed, thereby providing a ferroelectric oxide having excellent surface properties.

더불어 본 발명은 표면 처리된 산화물 후막을 대량 생산이 가능하도록 제조할 수 있는 효과도 있다.In addition, the present invention has the effect that can be produced to enable mass production of the surface-treated oxide thick film.

Claims (10)

비대칭 가열부의 할로겐 램프에서 사방으로 퍼지는 빛을 모아 산화물 후막의 표면에 집중시킴으로써 표면을 비대칭 가열받아 물성이 변화된 강유전체;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물.An oxide having improved tunability by asymmetrical heating, comprising: a ferroelectric in which physical properties are changed by asymmetrical heating of a surface by collecting light spreading in all directions from a halogen lamp of an asymmetrical heating unit and concentrating on a surface of an oxide thick film. 청구항 1에 있어서, 상기 강유전체는,The method according to claim 1, wherein the ferroelectric, BaTiO3, SrTiO3, (SrxBa1-x)TiO3 를 포함한 강유전체 중에서 하나 이상의 조합으로 구성된 화합물인 것을 특징으로 하는 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물.An oxide having improved tunability by asymmetrical heating, characterized in that the compound consists of one or more combinations of ferroelectrics including BaTiO 3 , SrTiO 3, and (Sr x Ba 1-x ) TiO 3 . 청구항 1에 있어서, 상기 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물은,The oxide of claim 1, wherein the tunability is improved by the asymmetrical heating. 이상기, 가변 캐패시터, 전압 제어 발진기, 주파수 스위퍼 중에서 하나 이상을 포함한 초고주파 튜너블 소자로 사용하여 초고주파의 전파 속도 조절에 사용하는 것을 특징으로 하는 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물.An oxide having improved tunability by asymmetrical heating, characterized in that it is used to control the propagation speed of ultra-high frequency by using it as an ultra-high frequency tunable element including at least one of an ideal phase, a variable capacitor, a voltage controlled oscillator, and a frequency sweeper. 청구항 1에 있어서, 상기 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물은,The oxide of claim 1, wherein the tunability is improved by the asymmetrical heating. 상기 강유전체를 지지하는 저유전율 기판;을 더욱 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물.An oxide having improved tunability by asymmetrical heating, characterized in that it further comprises; a low dielectric constant substrate for supporting the ferroelectric. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물은,The oxide according to any one of claims 1 to 4, wherein the tunability is improved by the asymmetrical heating, 상기 강유전체와 연결된 전극;을 더욱 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물.An electrode having tunability improved by asymmetrical heating, characterized in that it further comprises an electrode connected to the ferroelectric. 청구항 5에 있어서, 상기 전극은,The method according to claim 5, wherein the electrode, 상기 강유전체의 대칭되는 양면에 형성된 것을 특징으로 하는 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물.The tunability is improved oxide by asymmetrical heating, characterized in that formed on both surfaces of the ferroelectric symmetrical. 청구항 5에 있어서, 상기 전극은,The method according to claim 5, wherein the electrode, 상기 강유전체의 동일 평면에 배열된 것을 특징으로 하는 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물.The tunability is improved oxide by asymmetrical heating, characterized in that arranged in the same plane of the ferroelectric. 표면을 비대칭 가열받아 물성이 변화된 강유전체와;A ferroelectric material whose properties are changed by asymmetric heating; 상기 강유전체의 표면을 비대칭 가열시키는 비대칭 가열부;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물의 제조장치.Asymmetric heating unit for asymmetrically heating the surface of the ferroelectric; manufacturing apparatus of the oxide is improved tuning by asymmetrical heating, characterized in that it comprises a. 청구항 8에 있어서, 상기 비대칭 가열부는,The method of claim 8, wherein the asymmetrical heating portion, 할로겐 전구를 작동시켜 빛을 내서 상기 산화물을 비대칭 가열시키는 열원부와;A heat source unit operating a halogen bulb to emit light to asymmetrically heat the oxide; 상기 산화물을 상기 열원부로 이송시키도록 모터를 구비한 급송기구부;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물의 제조장치.And a feed mechanism unit having a motor to transfer the oxide to the heat source unit. The apparatus of claim 1, wherein the tunability is improved by asymmetrical heating. 비대칭 가열부를 작동시키는 제 1 단계와;A first step of operating the asymmetrical heating portion; 상기 제 1 단계 후 산화물의 강유전체를 상기 비대칭 가열부로 이송시키는 제 2 단계와;A second step of transferring the ferroelectric of an oxide to said asymmetrical heating part after said first step; 상기 제 2 단계 후 상기 강유전체를 비대칭 가열부의 할로겐 램프에서 사방으로 퍼지는 빛을 모아 산화물 후막의 표면에 집중시킴으로써 비대칭 가열시키는 제 3 단계;를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 비대칭 가열에 의해 튜너빌리티가 향상된 산화물의 제조방법.And a third step of asymmetrically heating the ferroelectric by collecting light spreading from the halogen lamp of the asymmetric heating part in all directions and focusing the surface of the oxide thick film after the second step. Improved method of preparing oxides.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030003321A (en) * 2001-06-30 2003-01-10 주식회사 하이닉스반도체 Method for fabricating capacitor in semiconductor memory device
US6573199B2 (en) * 2001-08-30 2003-06-03 Micron Technology, Inc. Methods of treating dielectric materials with oxygen, and methods of forming capacitor constructions
US20040056354A1 (en) * 2002-09-23 2004-03-25 Kloster Grant M. Dielectric material treatment

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030003321A (en) * 2001-06-30 2003-01-10 주식회사 하이닉스반도체 Method for fabricating capacitor in semiconductor memory device
US6573199B2 (en) * 2001-08-30 2003-06-03 Micron Technology, Inc. Methods of treating dielectric materials with oxygen, and methods of forming capacitor constructions
US20040056354A1 (en) * 2002-09-23 2004-03-25 Kloster Grant M. Dielectric material treatment

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