KR100658931B1 - Cmos image sensor and method for fabricating the same - Google Patents

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KR100658931B1 KR1020040116031A KR20040116031A KR100658931B1 KR 100658931 B1 KR100658931 B1 KR 100658931B1 KR 1020040116031 A KR1020040116031 A KR 1020040116031A KR 20040116031 A KR20040116031 A KR 20040116031A KR 100658931 B1 KR100658931 B1 KR 100658931B1
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Abstract

본 발명은 마이크로 렌즈를 통과한 빛이 포토다이오드를 통과하더라도 이를 반사시켜 다시 포토다이오드에 집광될 수 있도록 하는 시모스 이미지센서를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 포토다이오드; 외부에서 입사된 빛을 상기 포토다이오드로 전달하기 위해 상기 포토다이오드 상에 배치된 마이크로 렌즈; 및 상기 마이크로 렌즈를 통과한 빛이 상기 포토다이오드를 지나치더라도 이를 반사하여 다시 포토다이오드로 집광시키기 위해 상기 포토다이오드 하단에 배치된 반사거울을 구비하는 시모스 이미지센서를 제공한다.The present invention is to provide a CMOS image sensor that reflects the light passing through the micro lens even if it passes through the photodiode to be condensed on the photodiode again, the present invention provides a photodiode; A micro lens disposed on the photodiode to transfer light incident from the outside to the photodiode; And a reflection mirror disposed under the photodiode so that the light passing through the microlens passes through the photodiode to reflect the light and condense the photodiode back to the photodiode.

시모스 이미지센서, 거울, 포토다이오드 빛, 칼라필터.CMOS image sensor, mirror, photodiode light, color filter.

Description

시모스 이미지센서 및 그의 제조방법{CMOS IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME} CMOS image sensor and its manufacturing method {CMOS IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}             

도1은 시모스 이미지센서에서 한 단위화소를 나타내는 회로도.1 is a circuit diagram showing one unit pixel in a CMOS image sensor.

도2는 도1에 도시된 단위회소를 이루는 4개의 모스트랜지스터의 공정단면도.FIG. 2 is a process cross-sectional view of four MOS transistors forming a unit cycle shown in FIG.

도3은 종래기술에 의한 시모스 이미지센서에서 포토다이오드에 빛이 집광된는 것을 도면.3 is a view showing that light is focused on a photodiode in a CMOS image sensor according to the prior art.

도4는 종래기술에 의한 시모스 이미지센서의 문제점을 나타내는 도면.4 is a view showing a problem of the CMOS image sensor according to the prior art.

도5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시모스 이미지센서를 나타내는 단면도.5 is a cross-sectional view showing a CMOS image sensor according to a preferred embodiment of the present invention.

도6a 내지 도6i은 도5에 도시된 시모스 이미지센서의 제조방법을 나타내는 공정단면도.6A to 6I are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the CMOS image sensor shown in FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

20 : 기판 21 : 소자분리막20: substrate 21: device isolation film

22 : 반사거울용 절연막 23 : 반사거울용 알루미늄막22: insulating film for reflective mirror 23: aluminum film for reflective mirror

24 : 포토다이오드 25 : 층간절연막24 photodiode 25 interlayer insulating film

26 : 칼라필터 27 :OCL 레이어26: color filter 27: OCL layer

28 : 마이크로 렌즈28 micro lens

일반적으로 반도체 장치중 이미지센서는 광학 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 장치로서, 대표적인 이미지센서 소자로는 전하결합소자(Charge Coupled Device; CCD)와 시모스 이미지센서를 들 수 있다.In general, an image sensor of a semiconductor device is a semiconductor device that converts an optical image into an electrical signal. Representative image sensor devices include a charge coupled device (CCD) and a CMOS image sensor.

그 중에서 전하결합소자는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, 시모스 이미지센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 시모스 기술을 이용하여 각 화소(pixel)수에 대응하는 모스 트랜지스터(통상적으로 4개의 모스트랜지스터)를 만들고 이것을 이용하여 순차적으로 출력하는 소자이다.Among them, the charge-coupled device is a device in which charge carriers are stored and transported in the capacitor while individual metal-oxide-silicon (MOS) capacitors are located very close to each other. By using CMOS technology that uses a signal processing circuit as a peripheral circuit, a MOS transistor (typically four MOS transistors) corresponding to the number of pixels is made and sequentially output using the MOS transistor.

도1은 시모스 이미지센서에서 한 단위화소를 나타내는 회로도이다.1 is a circuit diagram showing one unit pixel in a CMOS image sensor.

도1을 참조하여 살펴보면, 한 단위화소 내에는 1개의 포토다이오드(10)와 4개의 앤모스트랜지스터(11,12,13,14)로 구성되어 있다. 4개의 앤모스트랜지스터(11,12,13,14)는 포토다이오드(10)에서 생성된 광전하를 전하감지노드(N)로 운송하 기 위한 트랜스퍼 모스트랜지스터(11)와, 다음 신호검출을 위해 전하감지노드(11)에 저장되어 있는 전하를 배출하기 위한 리셋 모스트랜지스터(12)와, 소스 팔로워(Source Follower) 역할을 하는 드라이브 모스트랜지스터(13) 및 스위칭(Switching) 역할로 어드레싱(Addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트 모스트랜지스터(14)로 구성된다. Referring to FIG. 1, one unit pixel includes one photodiode 10 and four an MOS transistors 11, 12, 13, and 14. As shown in FIG. Four NMOS transistors 11, 12, 13, and 14 are transfer MOS transistors 11 for transporting photocharges generated in the photodiode 10 to the charge sensing node N, and for the next signal detection. Addressing is performed by the reset MOS transistor 12 for discharging the charge stored in the charge sensing node 11, the drive MOS transistor 13 serving as a source follower, and the switching role. It is composed of a select MOS transistor 14 to enable it.

이렇게 4개의 모스트랜지스터(11,12,13,14)와 하나의 포토다이오드(10)가 하나의 단위화소를 이루며, 시모스 이미지센서에 구비되는 단위화소의 수에 따라 시모스 이미지센서의 픽셀어레이에 구비되는 포토다이오드(10)와 그에 대응하는 단위화소용 모스트랜지스터의 수가 정해지는 것이다.Four MOS transistors 11, 12, 13, and 14 and one photodiode 10 form one unit pixel, and are provided in the pixel array of the CMOS image sensor according to the number of unit pixels included in the CMOS image sensor. The number of photodiodes 10 and the number of MOS transistors for unit pixels corresponding thereto are determined.

도2는 도1에 도시된 단위회소를 이루는 4개의 모스트랜지스터의 공정단면도이다.FIG. 2 is a process cross-sectional view of four MOS transistors forming a unit cycle shown in FIG.

도2를 참조하여 살펴보면, 한 단위화소는 4개의 모스트랜지스터(11,12,13,14)가 각각 게이트로 신호(Tx,Rx,Dx,Sx)를 전달받아 포토다이오드(PD)에 전달된 빛이 출력단(Output)으로 전달되도록 구현되어 있다.Referring to FIG. 2, one unit pixel includes four MOS transistors 11, 12, 13, and 14 that receive signals Tx, Rx, Dx, and Sx through gates, respectively, and transmit the light to the photodiode PD. It is implemented to be delivered to this output.

피형 기판(601)에 에피층(602)을 형성하고, 전달트랜지스터와 리셋트랜지스터가 형성되는 부분은 남겨두고 드라이빙 트랜지스터와 셀렉터 트랜지스터가 형성될 부분에는 피웰이 형성되어 있다. 이는 전달트랜지스터와 리셋트랜지스터의 문턱전압을 드라이빙 트랜지스터와 셀렉터 트랜지스터 보다 상대적으로 낮게 해주기 위해서이다.An epi layer 602 is formed on the substrate 601, and a pewell is formed at a portion where the driving transistor and the selector transistor are to be formed while leaving the portion where the transfer transistor and the reset transistor are formed. This is because the threshold voltages of the transfer transistor and the reset transistor are lower than that of the driving transistor and the selector transistor.

도3은 종래기술에 의한 시모스 이미지센서에서 포토다이오드에 빛이 집광된 는 것을 도면이다.3 is a view showing that light is focused on a photodiode in a CMOS image sensor according to the prior art.

도3을 참조하여 살펴보면, 소자분리막(11)이 형성된 사이 사이에 포토다이오드(12)가 배치되고, 그 상부에 칼라필터(14)와 마이크로 렌즈(16)가 배치된다. 칼라필터와 마이크로 렌즈(16)사이에 배치되는 막은 OCL(Over Coating layer)레이어이다.Referring to FIG. 3, the photodiode 12 is disposed between the device isolation layers 11, and the color filter 14 and the microlens 16 are disposed thereon. The film disposed between the color filter and the microlens 16 is an OCL (Over Coating Layer) layer.

포토다이오드(12)와 칼라필터(14)의 사이에 층간절연막(13)이 배치되는데, 실제로는 층간절연막(13)은 하나의 절연막이 아니고 다층의 절연막으로 구성된다.An interlayer insulating film 13 is disposed between the photodiode 12 and the color filter 14, but in practice, the interlayer insulating film 13 is not composed of one insulating film but a multilayer insulating film.

시모스 이미지센서에 배치되는 다층의 배선과 배선을 서로 절연시키기 위한 절연막이 포토다이오드의 상부영역에 형성되는데, 마이크로 렌즈와 포토다이오드의 사이 공간인 빛이 전달되는 도파로는 금속배선의 형성을 배제하고, 절연층으로만 형성시키는 것이다.An insulating film for insulating the wires and the multilayer wires disposed in the CMOS image sensor are formed in the upper region of the photodiode. The waveguide through which the light, which is a space between the microlens and the photodiode, is transmitted, excludes the formation of the metal wire. It is formed only by an insulating layer.

도4는 종래기술에 의한 시모스 이미지센서의 문제점을 나타내는 도면이다.4 is a view showing a problem of the CMOS image sensor according to the prior art.

도4를 참조하여 살펴보면, 마이크로 렌즈를 통과한 빛은 포토다이오드에 집광되는데, 포토다이오드에 집광된 빛이라 할지라도 반도체 기판 내부에 흡수되어 버리는 빛이 존재한다.Referring to FIG. 4, the light passing through the microlens is focused on the photodiode. Even though the light is focused on the photodiode, there is light that is absorbed inside the semiconductor substrate.

즉, 마이크로 렌즈를 통과하여 포토다이오드에 입사된 빛이라 할지라도 포토다이오드에 전자-정공쌍을 형성시키지 못하고 도시된 바와 같이 포토다이오드를 통과하는 빛이 존재하는 것이다.That is, even though the light is incident on the photodiode through the microlens, the light does not form an electron-hole pair in the photodiode, but light passes through the photodiode as shown.

시모스 이미지센서에 집적되는 단위화소의 수가 점점 더 증가하기 때문에 마이크로 렌즈와 포토다이오드가 배치되는 면적은 조금씩 줄고 있다. 또한, 집적도가 높아지면서 다층의 배선이 형성되기 때문에 다층의 배선을 절연시키기 위한 층간절연막(13)의 두께도 더 두꺼워지고 있다.As the number of unit pixels integrated in the CMOS image sensor increases, the area in which the microlenses and photodiodes are disposed is gradually decreasing. In addition, as the degree of integration increases, multilayer wiring is formed, and the thickness of the interlayer insulating film 13 for insulating the multilayer wiring is also thicker.

따라서 마이크로 렌즈를 통과한 빛이 제대로 포토다이오드에 전달되는 것이 점점 힘들어 지고 있으며, 마이크로 렌즈의 곡률을 높인다던지 절연막을 하나의 물질로 채워넣는다던지 하는 포토다이오드에 보다 많은 빛이 전달될 수 있는 여러 아이디어가 제안되고 개발중이다.Therefore, it is increasingly difficult for the light that passes through the microlens to be properly transmitted to the photodiode, and the idea of increasing the curvature of the microlens or filling the insulating film with a single material can provide more light to the photodiode. Is proposed and under development.

그런데, 힘들게 여러조건을 정해서 마이므로 렌즈를 통과한 빛이 포토다이오드로 전달되게 하였음에도 불구하고, 포토다이오드에 도달한 빛이 전자-정공쌍을 만들지 못하고 기판에 흡수되면 이미지에 대한 정보가 부족하여 이미지를 정확하게 구현할 수 없게 된다.However, even though the light is passed through the lens to the photodiode, the light that reaches the photodiode does not form an electron-hole pair but is absorbed by the substrate, and the information on the image is insufficient because the light is passed through the lens. Cannot be implemented correctly.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 제안 된 것으로, 마이크로 렌즈를 통과한 빛이 포토다이오드를 통과하더라도 이를 반사시켜 다시 포토다이오드에 집광될 수 있도록 하는 시모스 이미지센서를 제공함을 목적으로 한다.
The present invention has been proposed to solve the above-described problem, and an object of the present invention is to provide a CMOS image sensor that reflects the light passing through the microlens and passes through the photodiode to be focused on the photodiode again.

본 발명은 기판; 상기 기판에 형성된 홀; 상기 홀의 표면에 형성된 반사거울; 상기 홀 내의 상기 반사거울 상에 형성된 포토다이오드; 상기 기판 상에 외부에서 입사된 빛을 상기 포토다이오드로 전달하기 위해 상기 포토다이오드와 대응되게 형성된 마이크로 렌즈를 구비하는 시모스 이미지센서를 제공한다.The present invention is a substrate; Holes formed in the substrate; A reflection mirror formed on the surface of the hole; A photodiode formed on the reflective mirror in the hole; The present invention provides a CMOS image sensor including a micro lens formed to correspond to the photodiode to transfer light incident from the outside onto the photodiode.

본 발명은 기판의 포토다이오드가 형성될 영역을 선택적으로 제거하여 홀을 형성하는 단계; 상기 홀의 내부에 반사거울을 형성하는 단계; 상기 반사거울상에 상기 홀을 채우도록 실리콘막을 형성하는 단계; 및 상기 실리콘막에 매립된 형태의 포토다이오드를 형성하는 단계를 포함하는 시모스 이미지센서의 제조방법을 제공한다.The invention provides a method of forming a hole by selectively removing a region where a photodiode of a substrate is to be formed; Forming a reflection mirror in the hole; Forming a silicon film on the reflective mirror to fill the hole; And it provides a method of manufacturing a CMOS image sensor comprising the step of forming a photodiode embedded in the silicon film.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. do.

도5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시모스 이미지센서를 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a CMOS image sensor according to a preferred embodiment of the present invention.

도5를 참조하여 살펴보면, 본 실시예에 따른 시모스 이미지센서는 포토다이오드(24)와, 외부에서 입사된 빛을 포토다이오드(24)로 전달하기 위해 포토다이오드(24) 상에 배치된 마이크로 렌즈(28)와, 마이크로 렌즈(28)를 통과한 빛이 포토다이오드(28)를 지나치더라도 이를 반사하여 다시 포토다이오드로 집광시키기 위해 포토다이오드 하단에 배치된 반사거울(22,23)을 구비한다.Referring to FIG. 5, the CMOS image sensor according to the present embodiment includes a photodiode 24 and a microlens disposed on the photodiode 24 to transmit light incident from the outside to the photodiode 24. 28) and reflection mirrors 22 and 23 disposed at the bottom of the photodiode so as to reflect the light passing through the microlens 28 past the photodiode 28 and focus it back to the photodiode.

여기서 반사거울은 반사거울용 알루미늄막(22)을 구비하고, 그 표면에 반사거울용 절연막(23)을 구비한다. 또한 마이크로 렌즈(28)와 포토다이오드(24) 사이에는 다층으로 된 절연막(25)과 칼라필터(26)이 배치된다. 여기서 21은 소자분리막 을 나타낸다.The reflecting mirror is provided with an aluminum film 22 for reflecting mirrors and an insulating film 23 for reflecting mirrors on its surface. In addition, a multilayer insulating film 25 and a color filter 26 are disposed between the microlens 28 and the photodiode 24. Where 21 represents an isolation layer.

이렇게 포토다이오드의 하단에 반사거울을 배치시킴으로서, 마이크로 렌즈를 통과한 빛이 포토다이오드로 집속된 이후 전자-정공쌍을 형성시키지 못하고 통과하더라도, 반사거울을 통해 다시 반사되어 포토다이오드로 전달되어 전자-정공쌍을 만들수 있게 된다.By arranging the reflection mirror at the bottom of the photodiode, even though the light passing through the microlens is focused on the photodiode and passes through the photodiode without forming an electron-hole pair, it is reflected back through the reflection mirror and transmitted to the photodiode. You can create hole pairs.

도6a 내지 도6i은 도5에 도시된 시모스 이미지센서의 제조방법을 나타내는 공정단면도이다.6A to 6I are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the CMOS image sensor shown in FIG. 5.

도6a에 도시된 바와 같이 본 실시예에 따른 시모스 이미지센서의 제조방법은 먼저 기판(20)상에 소자분리막(21)을 형성한다.As shown in FIG. 6A, the method of manufacturing the CMOS image sensor according to the present exemplary embodiment first forms an isolation layer 21 on a substrate 20.

이어서 도6b에 도시된 바와 같이, 감광막 패턴을 형성하고, 형성된 감광막 패턴을 식각마스크로 하여 포토다이오드가 형성될 영역의 기판을 선택적으로 패터닝하여 홀(X)을 형성한다. 이 때 홀의 바닥은 타원형으로 형성되도록 한다.Subsequently, as shown in FIG. 6B, the photoresist pattern is formed, and the substrate of the region where the photodiode is to be formed is selectively patterned using the formed photoresist pattern as an etching mask to form the hole X. At this time, the bottom of the hole is to be formed in an oval shape.

도6c에 도시된 바와 같이, 홀의 단차를 따라 반사거울용 알루미늄막을 증착한다. As shown in Fig. 6C, an aluminum film for reflecting mirrors is deposited along the steps of the holes.

이어서 도6d에 도시된 바와 같이, 감광막(29)을 홀(X) 내부에 형성한다. Subsequently, as shown in Fig. 6D, a photosensitive film 29 is formed inside the hole X.

이어서 도6e에 도시된 바와 같이, 전면식각을 진행하여 홀(X)의 하단에만 반사거울용 알루미늄막(29)을 남기고 나머지는 제거한다. 이어서 감광막(29)을 제거한다.Subsequently, as shown in FIG. 6E, the entire surface is etched to leave the aluminum mirror 29 for the reflecting mirror only at the bottom of the hole X, and the rest is removed. Subsequently, the photosensitive film 29 is removed.

이어서 도6f에 도시된 바와 같이, 홀(X)의 단차를 따라 반사거울용 절연막(23a)을 형성한다.Subsequently, as shown in Fig. 6F, an insulating film 23a for reflecting mirror is formed along the step of the hole X.

이 때 반사거울용 절연막(23a)은 후속공정에서 알루미늄막상에 실리콘막이 형성될 때에 알루미늄막의 오염(contaminion)을 방지하기 위한 막으로서 산하막계열의 막으로 형성한다.At this time, the reflective mirror insulating film 23a is formed of a film of a subordinate layer as a film for preventing contamination of the aluminum film when the silicon film is formed on the aluminum film in a subsequent step.

이어서 도6g에 도시된 바와 같이, 홀의 바닥 표면에만 감광막(11)을 형성한다. 6G, the photosensitive film 11 is formed only on the bottom surface of the hole.

이어서 도6h에 도시된 바와 같이, 전면식각공정을 이용해서 반사거울용 알루미늄막(22)의 상부에만 절연막을 남기고 나머지는 제거한다. 이어서 감광막(30)을 제거한다.Subsequently, as shown in FIG. 6H, an insulating film is left only on the upper portion of the reflective mirror aluminum film 22 using the front etching process, and the rest is removed. Next, the photosensitive film 30 is removed.

이어서 도6i에 도시된 바와 같이, 실리콘막(20')을 절연막(23)상에 증착한 다음 화학적기계적 연마공정으로 평판화시킨 후 도시된 바와 같이 포토다이오드(26)을 형성한다.Then, as shown in Fig. 6I, a silicon film 20 'is deposited on the insulating film 23 and then plated by a chemical mechanical polishing process, and then a photodiode 26 is formed as shown.

이어서 포토다이오드(26)상에 다층의 절연막을 형성하고 그 상부에 칼라필터와 마이크로 렌즈를 형성한다.Subsequently, a multilayer insulating film is formed on the photodiode 26, and a color filter and a micro lens are formed thereon.

이렇게 완성된 시모스 이미지센서는 포토다이오드의 하단에 반사방지용 거울(22,23)을 구비하고 있기 때문에, 포토다이오드로 집속된 빛이 전자-정공쌍을 형성하는데 기여하지 못하고 반도체 기판을 투과된 광을 기판으로 흡수시키는 것이 아니라 포토다이오드로 반사시켜 다시 전자-정공쌍을 형성하도록 함으로서, 광효율을 그대화할 수 있다.Since the completed CMOS image sensor is provided with anti-reflective mirrors 22 and 23 at the bottom of the photodiode, the light focused by the photodiode does not contribute to the formation of the electron-hole pair, but the light transmitted through the semiconductor substrate Light efficiency can be reduced by reflecting back to the photodiode rather than absorbing it into the substrate to form an electron-hole pair again.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여 야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

본 발명은 마이크로 렌즈를 통과한 빛이 포토다이오드에 도달했음에도 불구하고 전자-정공쌍을 형성하지 못하고 통과하는 경우에 이를 다시 반사시켜 포토다이오드에서 전자-전공쌍을 형성하도록 함으로써, 마이크로 렌즈를 통과한 빛을 이용해서 이미지를 구현하는데 광효율을 크게 향상시킬 수 있게 되었다.
According to the present invention, although light passing through the microlenses reaches the photodiode, when the electron-hole pair does not form, the electron-hole pair is reflected again to form the electron-electrode pair in the photodiode, thereby passing through the microlens. It is possible to greatly improve the light efficiency in realizing images using light.

Claims (9)

기판;Board; 상기 기판에 형성된 홀;Holes formed in the substrate; 상기 홀의 표면에 형성된 반사거울;A reflection mirror formed on the surface of the hole; 상기 홀 내의 상기 반사거울 상에 형성된 포토다이오드;A photodiode formed on the reflective mirror in the hole; 상기 기판 상에 외부에서 입사된 빛을 상기 포토다이오드로 전달하기 위해 상기 포토다이오드와 대응되게 형성된 마이크로 렌즈Micro lens formed to correspond to the photodiode to transfer the light incident from the outside on the substrate to the photodiode 를 구비하는 시모스 이미지센서.CMOS image sensor having a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사거울은 The reflection mirror 반사거울용 알루미늄막을 구비하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.A CMOS image sensor comprising an aluminum film for reflecting mirrors. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 반사거울은The reflection mirror 상기 반사거울용 알루미늄막 표면에 반사거울용 절연막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.The CMOS image sensor further comprises an insulating film for the reflective mirror on the surface of the aluminum film for the reflective mirror. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 반사거울용 절연막은 실리콘산화막인 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.The insulation mirror insulating film is a CMOS image sensor, characterized in that the silicon oxide film. 기판의 포토다이오드가 형성될 영역을 선택적으로 제거하여 홀을 형성하는 단계;Selectively removing a region where a photodiode of the substrate is to be formed to form a hole; 상기 홀의 내부에 반사거울을 형성하는 단계;Forming a reflection mirror in the hole; 상기 반사거울상에 상기 홀을 채우도록 실리콘막을 형성하는 단계; 및Forming a silicon film on the reflective mirror to fill the hole; And 상기 실리콘막에 매립된 형태의 포토다이오드를 형성하는 단계Forming a photodiode embedded in the silicon film 를 포함하는 시모스 이미지센서의 제조방법.Method for manufacturing a CMOS image sensor comprising a. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 홀의 내부에 반사거울을 형성하는 단계는Forming a reflection mirror in the hole 상기 홀의 내부에 반사거울용 알루미늄막을 형성하는 단계; 및Forming an aluminum film for the reflection mirror in the hole; And 상기 반사거울용 알루미늄막상에 반사거울용 실리콘산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서의 제조방법.And forming a reflective mirror silicon oxide film on the reflective mirror aluminum film. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 홀의 바닥은 타원형으로 형성하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서의 제조방법.The bottom of the hole is a manufacturing method of the CMOS image sensor, characterized in that to form an oval. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 홀의 내부에 반사거울용 알루미늄막을 형성하는 단계는Forming an aluminum film for the reflection mirror in the hole is 상기 홀의 표면을 따라 알루미늄막을 형성하는 단계;Forming an aluminum film along the surface of the hole; 상기 홀의 내부에 감광막을 채우는 단계;Filling a photoresist film in the hole; 상기 감광막을 마스크로 하여 식각공정으로 상기 홀의 내부바닥에만 상기 알루미늄막을 남기는단계; 및Leaving the aluminum film only on the inner bottom of the hole by an etching process using the photosensitive film as a mask; And 상기 감광막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서의 제조방법.The method of manufacturing a CMOS image sensor comprising the step of removing the photosensitive film. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 반사거울용 알루미늄막상에 반사거울용 실리콘산화막을 형성하는 단계는Forming the reflective mirror silicon oxide film on the reflective mirror aluminum film is 상기 홀의 표면을 따라 실리콘산화막을 형성하는 단계;Forming a silicon oxide film along a surface of the hole; 상기 홀의 내부에 감광막을 채우는 단계;Filling a photoresist film in the hole; 상기 감광막을 마스크로 하여 식각공정으로 상기 홀의 내부바닥에만 상기 실리콘산화막을 남기는단계; 및Leaving the silicon oxide film only on the inner bottom of the hole by an etching process using the photosensitive film as a mask; And 상기 감광막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서의 제조방법.The method of manufacturing a CMOS image sensor comprising the step of removing the photosensitive film.
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