KR100652572B1 - Field emission device for back light - Google Patents

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Abstract

본 발명은 탄소 나노 튜브를 전자 방출원으로 사용하는 코플래너 구조의 전계 방출 소자에서 동일 평면상에 형성된 캐소드 전극 및 게이트 전극 사이에 형성된 하부의 절연층 영역을 트렌치(trench) 또는 홀로 형성하여 절연층에 전자가 충전되는 것을 방지하고, 이상 발광(flashover) 현상을 줄일 수 있는 백라이트용 전계 방출 소자에 관한 것으로, 전계 방출원으로 탄소 나노 튜브(CNT)를 구비한 백라이트용 전계 방출 소자에 있어서, 동일 평면상에 형성된 캐소드 전극 및 게이트 전극 하부에 형성되고, 상기 두 전극 사이의 영역이 식각되어 트렌치 또는 홀이 형성된 절연층을 포함하여 구성함으로써, 절연층에 전자가 충전되는 것을 방지하여 이상 발광 현상을 줄일 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, an insulating layer is formed by forming a trench or hole in a lower insulating layer region formed between a cathode electrode and a gate electrode formed on the same plane in a coplanar field emission device using a carbon nanotube as an electron emission source. The present invention relates to a field emission device for a backlight which prevents electrons from being charged and reduces a flashover phenomenon, and is the same in a field emission device for backlights having carbon nanotubes (CNTs) as the field emission source. It is formed below the cathode electrode and the gate electrode formed on the plane, and comprises an insulating layer formed by trenches or holes formed by etching the region between the two electrodes, thereby preventing the charge of the electrons in the insulating layer to prevent abnormal light emission phenomenon There is an effect that can be reduced.

Description

백라이트용 전계 방출 소자{FIELD EMISSION DEVICE FOR BACK LIGHT}Field emission device for backlight {FIELD EMISSION DEVICE FOR BACK LIGHT}

도1은 종래 코플래너 구조의 백라이트용 CNT 전계 방출 소자에 대한 단면도.1 is a cross-sectional view of a CNT field emission device for a backlight having a conventional coplanar structure.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 코플래너 구조의 백라이트용 CNT 전계 방출 소자의 전자 방출부의 구성을 나타내는 단면도.2 is a cross-sectional view showing the configuration of an electron emitting portion of a CNT field emission device for backlight having a coplanar structure according to an embodiment of the present invention.

도3a 내지 도3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 방출 소자의 전자 방출부의 제조 과정을 도시한 제조 공정도.3A to 3D are manufacturing process diagrams showing a manufacturing process of the electron emission unit of the field emission device according to the exemplary embodiment of the present invention.

**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **

10:하부기판 20:절연층10: lower substrate 20: insulating layer

30:캐소드 전극 40:게이트 전극30: cathode electrode 40: gate electrode

50:이미터(emitter)50: emitter

본 발명은 백라이트용 전계 방출 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a field emission device for a backlight.

최근 다양한 디스플레이 장치들이 개발됨에 따라 광원의 중요성이 높아지고 있다. 이러한 광원으로는 필라멘트를 가열하는 발열전구로부터 가스 방전을 이용한 것, 형광체 발광을 이용한 것 등에 이르기까지 대단히 다양한 종류의 것이 사용되고 있다. 이러한 광원은 단순한 조명 기기로 사용되기도 하지만, 면광원 형태로 제작되어 엘씨디와 같은 디스플레이의 백라이트로 사용되기도 한다. Recently, as various display devices have been developed, the importance of a light source is increasing. As such a light source, a wide variety of types are used, ranging from a heating bulb for heating a filament to a gas discharge, to a phosphor emission. These light sources can be used as simple lighting devices, but they can also be made as surface light sources and used as backlights for displays such as LCDs.

이러한 엘씨디용 백라이트는 높은 휘도와 고른 발광 영역을 제공하는 형광램프(Fluorescent Lamp:FL)가 주로 사용된다. 이는 유리관 내면에 형광물질을 도포하고 유리관의 양쪽 끝에 전극을 형성한 후 불활성 가스와 수은을 램프에 봉입하여 제조한다. 그리고, 램프의 양단에 고전압을 인가하면 상기 유리관 안에 존재하는 전자가 고속으로 전극을 향해 이동하면서 전극과 전자의 충돌로 발생된 2차 전자에 의해 방전이 개시되고, 전극에서 발산된 전자는 수은 원자와 충돌하면서 수은으로부터 자외선을 발생시키게 된다. 상기 자외선이 유리관 내면에 도포된 형광체를 여기시켜 가시광선을 발생시키게 된다. The LCD backlight is mainly used with a fluorescent lamp (FL) that provides a high luminance and even light emitting area. It is prepared by coating a fluorescent material on the inner surface of the glass tube, forming electrodes at both ends of the glass tube, and then encapsulating an inert gas and mercury in a lamp. When a high voltage is applied to both ends of the lamp, electrons in the glass tube move toward the electrode at a high speed, and discharge is initiated by secondary electrons generated by collision of the electrode with the electron, and the electron emitted from the electrode is a mercury atom. Collide with and generate UV from mercury. The ultraviolet rays excite the phosphor coated on the inner surface of the glass tube to generate visible light.

하지만, 이러한 FL은 엘씨디의 크기가 대형화되면서 더 밝은 휘도와 높은 효율이 요구됨에 따라 사용 상 한계를 가지게 되었다. 또한, 환경 보호 차원에서 수은의 사용이 점차 규제되고 있으므로 수은을 사용하지 않으면서 FL 이상의 휘도와 효율을 가지는 새로운 광원이 요구되게 되었다. However, the FL has a limitation in use as the size of the LCD becomes larger and requires brighter brightness and higher efficiency. In addition, in order to protect the environment, the use of mercury is increasingly regulated, and thus a new light source having brightness and efficiency higher than FL without using mercury is required.

이러한 새로운 광원 중에서 전계 발광(Field Emission:FE)을 이용한 광원이 크기, 휘도 및 효율 면에서 두각을 나타내게 되었다. 이러한 전계발광 기법은 전계 발광 소자등에 사용되는 바와 같이 다양한 형태의 전계 방출원을 형성한 후, 상기 전계 방출원으로부터 방출되는 전자가 대면된 형광체에 충돌하여 발광을 실시하는 개념으로서, 비교적 간단한 구성을 통해 높은 휘도의 광원을 얻을 수 있다.Among these new light sources, a light source using field emission (FE) is prominent in terms of size, brightness and efficiency. The electroluminescent technique is a concept of forming various types of field emission sources, such as those used in electroluminescent devices, and then emitting light by colliding with the phosphor facing the electrons emitted from the field emission source. Through this, a high brightness light source can be obtained.

도1은 종래 탄소 나노튜브(CNT)를 이미터로 이용하는 코플래너(coplanar) 구조의 CNT 전계 방출 소자에 대한 단면도를 도시한 것으로, 도시된 바와 같이, 동일 평면상에 형성된 캐소드 전극(3)과 게이트 전극(4)에 구동 전압이 인가되어 탄소 나노 튜브 구조의 이미터(5)에서 전자를 방출하고, 그 방출된 전자가 백색 형광체(8)에 충돌하여 발광하는 방식이다. 이는 하부기판(1) 상부에 절연층(2)을 형성하고, 그 상부 동일 평면상에 구동 전압을 인가하기 위한 캐소드 전극(3) 및 게이트 전극(4)을 형성한 후 상기 캐소드 전극(3) 상부 일부 영역에 탄소 나노 튜브 혼합 슬러리를 스크린 프린팅법 등으로 도포하고 일련의 바인더 제거공정을 통해 이미터(5)를 형성한다. 그리고, 상부 기판(6) 상부에 순차적으로 애노드 전극(7) 및 백색 형광체(8)를 형성하고, 그 상부에 진공내에 잔류하는 가스가 전리하여 생기는 이온에 의해 백색 형광체(8)가 손상되는 것을 방지하기 위한 메탈백층(9)을 형성한다.1 is a cross-sectional view of a coplanar structure CNT field emission device using a conventional carbon nanotube (CNT) as an emitter, as shown, the cathode electrode 3 formed on the same plane and The driving voltage is applied to the gate electrode 4 to emit electrons from the emitter 5 of the carbon nanotube structure, and the emitted electrons collide with the white phosphor 8 to emit light. This is because the insulating layer 2 is formed on the lower substrate 1, and the cathode electrode 3 and the gate electrode 4 for applying the driving voltage on the upper coplanar are formed, and then the cathode electrode 3 is formed. The carbon nanotube mixed slurry is applied to a portion of the upper portion by screen printing, and the emitter 5 is formed through a series of binder removal processes. Then, the anode 7 and the white phosphor 8 are sequentially formed on the upper substrate 6, and the white phosphor 8 is damaged by the ions generated by ionization of the gas remaining in the vacuum on the upper portion 6. The metal back layer 9 is formed for prevention.

도시하지는 않았지만, 하부 구조물과 상부 구조물 사이에 고전계에 의한 이상 발광을 방지하기 위한 금속 그리드가 더 포함되어 구성될 수도 있다.Although not shown, a metal grid may be further included between the lower structure and the upper structure to prevent abnormal light emission due to a high electric field.

하지만, 종래 코플래너 구조의 CNT 전계 방출 소자는 상기 구조에서 알 수 있듯이, 이미터에서 방출된 전자들이 상부 기판에 형성된 백색 형광체로만 방출되는 것이 아니라 하부에 형성된 절연층에도 방출되어 절연층이 전자에 의해 충전(charging)되고, 이로 인해 이상 발광(flashover) 현상의 원인이 되는 문제점이 있었다. 즉, 이미터에서 방출된 전자가 절연층 표면에 충돌하게 되어 절연층 표면의 이차전자방출계수에 따라 양이나 음으로 충전되고, 이에 따라 캐소드 전극과 게이트 전극간의 전계가 달라지며 이미터의 전압-전류 특성이 변하게 되는 문제점이 있었다.However, in the conventional coplanar structure CNT field emission device, as can be seen from the above structure, the electrons emitted from the emitter are not only emitted to the white phosphor formed on the upper substrate but also to the insulating layer formed on the lower side, so that the insulating layer There is a problem in that it is charged (charging), thereby causing a flashover phenomenon. That is, the electrons emitted from the emitter collide with the surface of the insulating layer and are charged positively or negatively according to the secondary electron emission coefficient of the insulating layer surface, and accordingly, the electric field between the cathode electrode and the gate electrode changes, There was a problem that the current characteristics are changed.

또한, 그리드를 사용하는 경우 상하판 정렬공차와 봉합과정에서 열팽창 차이로 인한 파손의 우려 및 그리드와 하부 기판의 두 전극 사이에서 전자가 쌓여 이상 발광 현상이 발생할 수 있는 문제점이 있었다.In addition, when the grid is used, there is a concern that damage may occur due to thermal expansion difference between the upper and lower plate alignment tolerances and the sealing process, and electrons may accumulate between the two electrodes of the grid and the lower substrate, causing abnormal light emission.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 문제점을 해결하기 위하여 창출한 것으로, 그 일 목적은 코플래너 구조의 전계 방출 소자에서 동일 평면상에 형성된 캐소드 전극 및 게이트 전극 사이에 형성된 하부의 절연층 영역에 이미터로부터 방출되는 전자가 충전되는 것을 방지하여, 이상 발광 현상(flash over)이 발생 되지 않도록 하는 데에 있다.
본 발명의 다른 일 목적은 이미터에서 방출된 전자가 절연층 표면에 충돌하는 것을 방지하여 절연층 표면이 이차전자방출계수에 따라 충전되는 것을 방지하므로 캐소드 전극과 게이트 전극간의 전계가 유지될 수 있도록 하여 이미터의 전압-전류 특성이 유지될 수 있도록 하는 데에 있다. Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is already present in the lower insulating layer region formed between the cathode electrode and the gate electrode formed on the same plane in the coplanar field emission device. The purpose of the present invention is to prevent the electrons emitted from the emitter from being charged, so that no flash over occurs.
Another object of the present invention is to prevent the electrons emitted from the emitter collide with the surface of the insulating layer to prevent the insulating layer surface is charged according to the secondary electron emission coefficient so that the electric field between the cathode electrode and the gate electrode can be maintained This allows the voltage-current characteristics of the emitter to be maintained.

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본 발명은 상기와 같은 문제들을 해결하고 동시에 본 발명에 따른 목적들을 이루기 위한 백라이트용 전계 방출 소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트용 전계 방출 소자는 하부기판의 상부면에 형성되는 절연층과; 상기 절연층의 상부에 형성되며, 서로 일정한 간격을 갖는 캐소드 전극 및 게이트 전극과; 상기 캐소드 전극의 상부에 일 측 단부를 따라 일정한 간격으로 형성되는 다수개의 탄소 나노 튜브로 구성되는 이미터와; 상기 캐소드 전극과 케이트 전극 사이 공간을 따라 절연층에 형성되는 트렌치 또는 홀 형상의 간극부를 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 절연층의 두께는 0.1~10[㎛]로 형성될 수도 있고, 홀 또는 트렌치 형상의 간극부는 그 깊이가 절연층 두께의 절반 이상이 되도록 식각 등의 방식으로 형성될 수도 있다. The present invention solves the above problems and at the same time provides a field emission device for a backlight for achieving the objects according to the present invention.
The field emission device for a backlight according to an embodiment of the present invention includes an insulating layer formed on the upper surface of the lower substrate; A cathode electrode and a gate electrode formed on the insulating layer and having a predetermined distance from each other; An emitter consisting of a plurality of carbon nanotubes formed at regular intervals along one end of the cathode electrode; It may be configured to include a trench or hole-shaped gap portion formed in the insulating layer along the space between the cathode electrode and the gate electrode.
Here, the thickness of the insulating layer may be formed from 0.1 to 10 [μm], the hole or trench-shaped gap portion may be formed by etching or the like so that the depth thereof is at least half the thickness of the insulating layer.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 코플래너 구조의 백라이트용 전계 방출 소자의 전자 방출부의 구조가 도시되어 있다.
상기 전자 방출부는 탄소 나노 튜브(CNT) 구조의 이미터를 이용하는 것으로 평면도(2a)와 단면도(2b)를 각각 나타내고 있다.
도시된 바와 같이, 상부의 동일 평면상에 캐소드 전극(30)과 게이트 전극(40)이 형성되는 절연층(20)은 상기 캐소드 전극(30)과 게이트 전극(40) 사이의 영역이 홀 또는 트렌치(trench) 형상의 구조로 간극부가 형성되는 것을 알 수 있다. 여기서, 상기 절연층(20)이 완전 식각되어 하부기판(10)의 일부가 노출되도록 형성된 홀과 절연층(20)의 일부만 식각되어 형성된 트렌치는 캐소드 전극(30)과 게이트 전극(40)의 설계에 의해 정해질 수 있으며, 이에 대한 것은 당업종에 종사하는 자에 있어서는 자명하다.Referring to FIG. 2, there is shown a structure of an electron emission unit of a coplanar structure field emission device for a backlight according to an embodiment of the present invention.
The electron emission unit uses a emitter having a carbon nanotube (CNT) structure and shows a plan view 2a and a cross-sectional view 2b, respectively.
As shown, the insulating layer 20 in which the cathode electrode 30 and the gate electrode 40 are formed on the same plane of the upper portion has a hole or a trench between the cathode electrode 30 and the gate electrode 40. It can be seen that the gap portion is formed in a structure having a trench shape. Here, the trench formed by etching only a portion of the insulating layer 20 and a hole formed so that the insulating layer 20 is completely etched to expose a portion of the lower substrate 10 is designed for the cathode electrode 30 and the gate electrode 40. This can be determined by the person who is engaged in the industry.

그리고, 상기 절연층(20)에 형성된 홀 또는 트렌치 형상의 간극부는 절연층(20) 상부에 형성된 캐소드 전극(30)과 게이트 전극(40)을 하드 마스크(hard mask)로 하여 식각하는데, 절연층(20) 재료가 유전체일 경우에는 산용액에 의한 습식 식각법(wet etching)을 사용하고, 절연층(20) 재료가 유기물이나 증착법의 박막 재료일 경우에는 건식 식각법(dry etching)을 사용한다.In addition, the hole or trench-shaped gap formed in the insulating layer 20 is etched using the cathode electrode 30 and the gate electrode 40 formed on the insulating layer 20 as a hard mask. (20) When the material is a dielectric, wet etching with an acid solution is used, and when the insulating layer 20 material is a thin film material of an organic material or a vapor deposition method, dry etching is used. .

그럼, 상기와 같은 구성을 갖는 본 발명 백라이트용 전계 방출 소자에 대한 제조 과정을 도3에 도시한 수순 단면도를 참고하여 설명한다.Then, the manufacturing process for the field emission device for backlight of the present invention having the above configuration will be described with reference to the procedure cross-sectional view shown in FIG.

먼저, 하부기판(10) 상에 절연층(20)을 형성하는데, 상기 절연층(20)의 재료가 페이스트 형태의 유전체 분말인 경우 스크린 인쇄법으로 프린팅한 후 약 580[℃]에서 소성하여 사용하고, 액상의 유기물(예를 들어, 폴리머)인 경우 스핀 코팅 또는 침적 등으로 균일하게 형성한 후 약 400[℃]에서 소성하여 사용한다. 기타 증착법으로는 Si3N4나 SiO2 등의 절연체를 진공증착법, 스퍼터링법으로 증착하여 사용하는데, 이때, 절연층의 두께는 약 0.1~10[㎛] 정도로 한다(도3a).First, the insulating layer 20 is formed on the lower substrate 10. When the material of the insulating layer 20 is a paste-type dielectric powder, it is printed by screen printing and then fired at about 580 [deg.] C. In the case of a liquid organic material (for example, a polymer), it is uniformly formed by spin coating or deposition, and then fired at about 400 [° C.]. As another vapor deposition method, an insulator such as Si 3 N 4 or SiO 2 is deposited by vacuum deposition or sputtering, and the thickness of the insulation layer is about 0.1 to 10 [μm] (FIG. 3A).

그 다음, 상기 절연층(20) 상부에 진공증착법 또는 스퍼터링법을 이용하여 0.1~1[㎛] 정도의 금속(Al, Cr, Au, ITO 등) 박막을 증착하고, 패터닝한 후 사진 식각법을 이용하여 캐소드 전극(30)과 게이트 전극(40)을 동시에 형성한다(도3b).Next, a thin film of metal (Al, Cr, Au, ITO, etc.) of about 0.1 to 1 [μm] is deposited on the insulating layer 20 by vacuum deposition or sputtering, and then patterned, followed by photolithography. The cathode electrode 30 and the gate electrode 40 are formed at the same time (FIG. 3B).

상기 절연층(20) 상부에 형성된 캐소드 전극(30) 및 게이트 전극(40)을 하드 마스크로 하여 두 전극(30, 40) 사이의 절연층(20)을 식각하는데, 절연층(20)은 하부기판(10)이 노출되도록 식각하여 형성하거나 절연층(20)의 절반 이상이 식각되어 홀 또는 트렌치 형상의 간극부를 형성시킨다(도3c). 이때, 절연층(20) 식각 방법은 절연층(20)의 재료가 유전체일 경우 산용액에 의한 습식 식각법을 사용하고, 유기물이나 증착법의 박막 재료일 경우에는 건식 식각법을 사용한다.The insulating layer 20 is etched between the two electrodes 30 and 40 by using the cathode electrode 30 and the gate electrode 40 formed on the insulating layer 20 as a hard mask. The substrate 10 may be etched to expose the substrate 10 or more than half of the insulating layer 20 may be etched to form a hole or trench-shaped gap (FIG. 3C). In this case, the etching method of the insulating layer 20 uses a wet etching method using an acid solution when the material of the insulating layer 20 is a dielectric material, and a dry etching method using a thin film material of an organic material or a deposition method.

여기에서 알 수 있듯이, 본 발명은 캐소드 전극(30) 및 게이트 전극(40) 사이의 절연층(20) 영역에 홀 또는 트렌치 형상의 간극부를 형성함으로, 탄소 나노 튜브(CNT) 구조의 이미터(50)에서 방출된 전자의 일부가 충전되는 절연층(20) 영역을 근본적으로 제거한 것이기 때문에 충전으로 인해 발생하는 이상 발광 현상을 막을 수 있고, 따라서 백라이트 전면적에 걸쳐 장시간 동안 균일하게 발광할 수 있다.As can be seen, the present invention forms a hole or trench-shaped gap in the region of the insulating layer 20 between the cathode electrode 30 and the gate electrode 40, thereby providing an emitter of carbon nanotube (CNT) structure ( Since a portion of the insulating layer 20 to which a part of the electrons emitted by 50 is essentially removed, abnormal light emission caused by charging can be prevented, and thus light can be uniformly emitted for a long time over the entire area of the backlight.

그 다음, 캐소드 전극(30) 상부 일부 영역에 페이스트 형태의 탄소 나노 튜브 구조의 이미터(50)를 스크린 인쇄법을 이용하여 프린팅한 후 스크린 마스크의 도트(dot) 또는 라인(line) 형태의 이미터(50)를 형성한다(도3d).Next, a paste-type carbon nanotube structure emitter 50 is printed on a portion of the upper portion of the cathode electrode 30 by screen printing, and then an image in the form of dots or lines of the screen mask is formed. The rotor 50 is formed (FIG. 3D).

이와 같이 본 발명은 캐소드 전극과 게이트 전극이 동일 평면상에 형성되는 코플랠너 구조의 전계 방출 소자에서 탄소 나노 튜브 구조의 이미터로부터 방출되는 전자의 일부가 충전되는 절연층 영역을 제어하므로 의도되지 않는 전자 충전에 의해 발생할 수 있는 이상 발광 현상을 줄일 수 있다.As described above, the present invention is not intended to control the insulating layer region in which a part of electrons emitted from the emitter of the carbon nanotube structure is charged in the coplanar structure field emission device in which the cathode electrode and the gate electrode are formed on the same plane. Abnormal light emission that may be caused by electronic charging can be reduced.

상기에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 캐소드 전극과 게이트 전극이 동일 평면상에 형성되는 코플래너 구조의 백라이트용 전계 방출 소자에서 상기 캐소드 전극과 케이트 전극 사이에 위치되는 절연층을 제거하여 절연층 영역에 이미터로부터 방출되는 전자가 충전되는 것을 방지하게 되므로 이상 발광 현상(flash over)의 발생을 방지할 수 있게 된다.
또한 본 발명에 따르면, 이미터에서 방출된 전자에 의해 절연층 표면이 이차전자방출계수에 따라 충전되는 것을 방지하므로 캐소드 전극과 게이트 전극간의 전계가 유지되어 이미터의 전압-전류 특성이 유지될 수 있다. As described in detail above, the present invention removes an insulating layer positioned between the cathode electrode and the gate electrode in a coplanar structure-type field emission device having a cathode electrode and a gate electrode formed on the same plane, thereby removing the insulating layer. Since the electrons emitted from the emitter are prevented from being charged, it is possible to prevent the occurrence of flash over.
Further, according to the present invention, since the surface of the insulating layer is prevented from being charged by the electrons emitted from the emitter according to the secondary electron emission coefficient, the electric field between the cathode electrode and the gate electrode can be maintained to maintain the voltage-current characteristics of the emitter. have.

Claims (3)

하부기판의 상부면에 형성되는 절연층과; An insulating layer formed on the upper surface of the lower substrate; 상기 절연층의 상부에 형성되며, 서로 일정한 간격을 갖는 캐소드 전극 및 게이트 전극과; A cathode electrode and a gate electrode formed on the insulating layer and having a predetermined distance from each other; 상기 캐소드 전극의 상부에 일 측 단부를 따라 일정한 간격으로 형성되는 다수개의 탄소 나노 튜브로 구성되는 이미터와; An emitter consisting of a plurality of carbon nanotubes formed at regular intervals along one end of the cathode electrode; 상기 캐소드 전극과 케이트 전극 사이 공간을 따라 절연층에 형성되는 트렌치 또는 홀 형상의 간극부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 백라이트용 전계 방출 소자. And a trench or hole-shaped gap formed in the insulating layer along a space between the cathode electrode and the gate electrode. 제1항에 있어서, 상기 절연층의 두께는 0.1~10[㎛]인 것을 특징으로 하는 백라이트용 전계 방출 소자.The field emission device of claim 1, wherein the insulation layer has a thickness of about 0.1 μm to about 10 μm. 제1항에 있어서, 상기 홀 또는 트렌치 형상의 간극부는 그 깊이가 절연층 두께의 반 이상의 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 백라이트용 전계 방출 소자. The field emission device of claim 1, wherein a depth of the hole or trench is formed to a depth of at least half the thickness of the insulating layer.
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