KR100650926B1 - Plasma processing apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플라즈마 처리장치에 있어서, 글라스가 내부에 적재되어 공정이 이루어지는 챔버; 상기 챔버내 상부 영역에 마련되는 상부 전극; 상기 상부 전극과 대향된 챔버의 하부 영역에 마련되되 최하부에 구비된 세라믹판과 절연체와 하부 전극이 순차적으로 적층되게 형성된 전극부; 상기 상부 전극과 전극부중 적어도 어느 하나의 세라믹판과 전극 또는 세라믹판과 절연체에 체결되는 체결나사; 상기 체결나사의 일측에 결합된 상태로 세라믹판의 홈부에 마련되는 마감부재; 상기 세라믹판의 홈부와 마감부재에 개입된 개입부재를 포함한 구성을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치를 제공한다.The present invention provides a plasma processing apparatus comprising: a chamber in which glass is loaded and a process is performed; An upper electrode provided in an upper region of the chamber; An electrode unit provided in a lower region of the chamber facing the upper electrode, the ceramic plate and the insulator and the lower electrode disposed on the lowermost portion sequentially stacked; A fastening screw fastened to at least one of the ceramic plate and the electrode or the ceramic plate and the insulator of the upper electrode and the electrode unit; Finishing member provided in the groove portion of the ceramic plate in a state coupled to one side of the fastening screw; It provides a plasma processing apparatus characterized by a configuration including an intervening member intervening in the groove portion and the finishing member of the ceramic plate.
플라즈마 처리장치, 하부 전극, 절연부재, 세라믹판, 마감부재, 체결나사, 개입부재Plasma processor, lower electrode, insulation member, ceramic plate, finishing member, tightening screw, intervening member
Description
도 1은 종래의 플라즈마 처리장치의 챔버를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a chamber of a conventional plasma processing apparatus.
도 2는 상기 도 1의 하부전극의 일측을 확대 발췌한 측단면도이다.2 is an enlarged side cross-sectional view of one side of the lower electrode of FIG. 1.
도 3은 본 발명의 일실시예의 플라즈마 처리장치중 전극부의 체결수단을 확대 발췌한 측단면도이다.Figure 3 is an enlarged side cross-sectional view of the fastening means of the electrode portion of the plasma processing apparatus of one embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 다른 실시예의 플라즈마 처리장치중 전극부의 체결수단을 확대 발췌한 측단면도이다.Figure 4 is an enlarged side cross-sectional view of the fastening means of the electrode portion of the plasma processing apparatus of another embodiment of the present invention.
도 5는 도 4의 회전제한 너트를 도시한 평면도이다.5 is a plan view of the rotation limit nut of FIG.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>
114 : 전극부 116 : 세라믹판114: electrode portion 116: ceramic plate
117 : 홈부 118 : 절연체117 groove 118 insulator
119, 121 : 장착홈부119, 121: mounting groove
120 : 하부전극 122 : 체결나사120: lower electrode 122: fastening screw
124 : 마감부재 126 : 개입부재124: finishing member 126: intervening member
130 : 회전제한 너트130: rotation limit nut
본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 전극부를 이루는 하부 전극과 절연체와 세라믹판을 체결수단에 의해 체결시키는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
일반적으로, 상, 하부 전극은 챔버의 내부 상, 하측에 각각 설치되며, 플라즈마 공정처리의 수행 대상물인 기판이 적재되는 하부전극의 양측에 절연체가 설치된다. 상술한 전극은 통상적으로 알루미늄이 사용되고, 반도체를 공정 처리하는데 비교적 저렴한 재료로 가장 폭넓게 사용되며 상, 하부전극간에 가해지는 고전압에 따라 전극으로 유입된 가스의 방전으로 형성되는 플라즈마의 화학적인 반응과 고전압으로부터 각각의 전극을 보호한다.In general, the upper and lower electrodes are respectively provided above and below the inside of the chamber, and insulators are provided on both sides of the lower electrode on which the substrate, which is a target of plasma processing, is loaded. The above-mentioned electrode is generally aluminum, and is a relatively inexpensive material for processing semiconductors, and is widely used, and chemical reaction and high voltage of plasma formed by discharge of gas introduced into the electrode according to high voltage applied between upper and lower electrodes. Protect each electrode from
또한, 플라즈마 공정은 알루미늄에 대해 부식을 초래할 수 있으므로 알루미늄재질인 전극의 표면을 보호하기 위한 산화 알루미늄(Al₂O₃)피막과 같은 비교적 불활성의 세라믹 재료가 사용된다.In addition, since the plasma process may cause corrosion to aluminum, a relatively inert ceramic material such as an aluminum oxide (Al 2 O 3) coating is used to protect the surface of the electrode made of aluminum.
종래의 플라즈마 처리장치는 도 1에 도시한 바와 같이 내부가 중공인 챔버(10)의 내부 상면에 상부전극(12)이 설치되고, 상기 상부전극(12)과 대향된 챔버(10)내 하면에 챔버(10)의 일측면에 개구된 출입구를 개폐하는 게이트를 통해 내부로 반입 또는 반출되는 기판(미도시)이 적재되는 적재대(미도시)가 마련된 하부 전극(20)이 구비되며, 상술한 하부 전극(20)의 저면에 절연체(18)가 결합되고 상술한 절연체(18)의 저면에 세라믹판(16)이 결합되어 그 각각의 부재가 적층된 전극부(14)가 구비된다.In the conventional plasma processing apparatus, as shown in FIG. 1, an
상술한 전극부(14)는 도 2에 도시된 바와 같이 상부 영역에 구비된 하부전극(20)과 하부 영역에 위치된 세라믹판(16)과의 사이에 절연체(18)가 개입된 구성되며, 이러한 전극부(14)의 양측면과 하부전극(14)의 상부면 가장자리에 각각 절연부재를 위치시키고 체결수단(도면에 미도시)에 의해 고정하였다.As shown in FIG. 2, the electrode unit 14 includes an insulator 18 interposed between the
그리고, 상술한 전극부(14)는 세라믹판(16)과 절연체(18)와 하부 전극(20)으로 구성되어 각각을 체결하기 위해선 상술한 각각의 세라믹판(16)과 절연체(18) 또는 하부 전극(20)을 적층시킨 후 상술한 세라믹판(16)의 하부 영역에 체결볼트의 머리가 삽입되는 구멍을 가공하고 그 구멍과 동심을 갖게 최상부에 위치된 하부 전극(20)의 도중까지 탭핑(tapping)하여 형성된 암나사부에 체결볼트(22)로 각각 체결시킨다. 여기서, 상술한 체결볼트(22)가 삽입되는 구멍의 입구부는 탭핑하여 형성된 암나사부에 마감부재(22)로 마감하여 외부로부터 체결볼트(22)에 플라즈마로부터 미치는 영향을 차단하였다.In addition, the above-described electrode unit 14 is composed of a
그러나, 상술한 전극부(14) 가운데 열팽창 계수가 가장 작은 세라믹판(16)과 열팽창 계수가 가장 큰 절연체(18) 또는 열팽창 계수가 중간인 하부 전극(20)이 적층된 상태로 고정되어 공정 수행중 발생되는 열에 의해 각 부재의 열팽창 계수의 차이에 따라 수직 방향의 변형이 초래되어 최하부에 위치된 상태로 열팽창 계수가 가장 적음에 따라 가장 취약한 세라믹판(16)이 파손되어 그에 따라 비용 손실이 발생하고, 보수에 따른 시간이 소요되는 문제점이 있었다.However, the
본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적 은 열팽창 계수가 각각 다른 세라믹판과 절연체 또는 하부 전극이 적층된 전극부 또는 상부 전극을 일측에 마감부재를 결합한 체결나사로 각각 체결하되 수직 변형을 감쇠시키는 개입부재를 개입시켜 공정시 발생되는 열에 의해 열팽창 계수가 가장 작은 세라믹판이 수직 방향의 변형에 따라 파손되는 것을 방지할 수 있게 한 플라즈마 처리장치를 제공하는 것이다.The present invention has been made in order to solve the above problems, the purpose is to fasten each of the electrode plate or the upper electrode laminated with a ceramic plate and an insulator or a lower electrode having a different coefficient of thermal expansion, respectively, with a fastening screw combining the finishing member on one side. The present invention provides a plasma processing apparatus that prevents a ceramic plate having the smallest thermal expansion coefficient from being damaged by deformation in the vertical direction by intervening an intervening member that damps vertical deformation.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 플라즈마 처리장치에 있어서, 글라스가 내부에 적재되어 공정이 이루어지는 챔버; 상기 챔버내 상부 영역에 마련되는 상부 전극; 상기 상부 전극과 대향된 챔버의 하부 영역에 마련되되 최하부에 구비된 세라믹판과 절연체와 하부 전극이 순차적으로 적층되게 형성된 전극부; 상기 상부 전극과 전극부중 적어도 어느 하나의 세라믹판과 전극 또는 세라믹판과 절연체에 체결되는 체결나사; 상기 체결나사의 일측에 결합된 상태로 세라믹판의 홈부에 마련되는 마감부재; 상기 세라믹판의 홈부와 마감부재에 개입된 개입부재를 포함함으로써, 세라믹판과 절연체 또는 하부 전극이 적층된 각 부재의 열팽창 계수의 차이에 의해 최하부에 마련되어 열팽창 계수가 가장 작은 세라믹판이 수직 방향의 변형에 의해 파손되는 것을 방지하기 위해 세라믹판의 소정 위치에 원형의 홈부를 형성하고 그 홈부의 개입부재를 개입시킨 다음 체결나사와 마감부재를 삽입하여 이 개입부재가 수직 방향의 변형을 감쇠시키므로 열팽창 계수에 차이에 따라 수직 방향으로 파손되는 것을 방지한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a plasma processing apparatus comprising: a chamber in which a glass is loaded and a process is performed; An upper electrode provided in an upper region of the chamber; An electrode unit provided in a lower region of the chamber facing the upper electrode, the ceramic plate and the insulator and the lower electrode disposed on the lowermost portion sequentially stacked; A fastening screw fastened to at least one of the ceramic plate and the electrode or the ceramic plate and the insulator of the upper electrode and the electrode unit; Finishing member provided in the groove portion of the ceramic plate in a state coupled to one side of the fastening screw; By including an intervening member intervening in the groove and the finishing member of the ceramic plate, the ceramic plate having the smallest thermal expansion coefficient is deformed in the vertical direction due to the difference in the thermal expansion coefficient of each member in which the ceramic plate and the insulator or the lower electrode are laminated. In order to prevent damage caused by the ceramic plate, a circular groove is formed at a predetermined position of the ceramic plate, the intervention member intervenes in the groove, and then a fastening screw and a closing member are inserted to damp the deformation in the vertical direction. To prevent breakage in the vertical direction depending on the difference.
또한, 본 발명에서의 마감부재는 세라믹으로 형성되어 플라즈마로부터 체결 나사를 보호하고 절연 역할을 수행하므로 바람직하다.In addition, the finishing member in the present invention is preferable because it is formed of a ceramic to protect the fastening screw from the plasma and perform an insulating role.
또한, 본 발명에서의 개입부재는 링부재 또는 씸(Shim)으로 대체 가능함으로써, 개재된 상태로 수직 방향의 변형을 감쇠시키므로 세라믹판의 파손을 방지하므로 바람직하다.In addition, the intervening member in the present invention is preferable because it can be replaced by a ring member or shim, thereby preventing the breakage of the ceramic plate since the deformation in the vertical direction is attenuated.
또한, 본 발명에서는 상부 전극과 전극부의 하부 전극 또는 절연체에 각각 장착홈부가 형성되고 이 장착홈부에 마련되는 회전제한 너트; 상기 회전제한 너트가 일측에 체결되는 체결나사; 상기 체결나사의 타측에 체결되어 전극과 세라믹판 또는 절연체와 세라믹판을 가고정시키는 마감부재;를 포함한 체결수단이 더 마련됨으로써, 세라믹판과 절연체와 하부 전극과 같은 각 부재의 열팽창 계수의 차이에 의해 전극부 최하부에 마련되어 열팽창 계수가 가장 작은 세라믹판이 파손되는 것을 방지하기 위해 열팽창 계수가 가장 큰 절연체에 삽입되는 체결나사의 직경보다 크게 가공하여 팽창에 따른 여유 공간을 형성하고 상술한 체결나사의 상단에는 회전제한 너트로 체결하고 하단에는 마감부재를 마련하여 열팽창 계수에 차이에 따라 파손되는 것을 방지하므로 바람직하다.In addition, in the present invention, the mounting groove is formed in the upper electrode and the lower electrode or insulator of the electrode portion, respectively, the rotation limiting nut provided in the mounting groove; A fastening screw fastening the rotation restriction nut to one side; A fastening means including a fastening member fastened to the other side of the fastening screw to temporarily fix the electrode and the ceramic plate or the insulator and the ceramic plate, thereby providing a difference in the coefficient of thermal expansion of each member such as the ceramic plate and the insulator and the lower electrode. In order to prevent the ceramic plate having the smallest thermal expansion coefficient from being damaged by the lower part of the electrode part, it is processed larger than the diameter of the fastening screw inserted into the insulator having the largest thermal expansion coefficient to form a free space according to expansion, and the upper end of the above-mentioned fastening screw It is preferable to fasten with a rotation restriction nut and to provide a finishing member at the bottom to prevent breakage according to the difference in the coefficient of thermal expansion.
또한, 본 발명에서의 회전제한 너트는, 그 내주면에 암나사가 형성된 원통 형상으로 외주면 일측이 부분 절개됨으로써, 그에 상응한 홈을 갖는 하부 전극에 회전제한 너트의 삽입하여 체결시 상술한 회전제한 너트가 회동되지 않고 고정되어 체결나사의 체결이 용이하므로 바람직하다.In addition, the rotation limit nut in the present invention is a cylindrical shape formed with a female thread on its inner peripheral surface, so that one side of the outer circumferential surface is partially cut, so that the rotation restriction nut described above is inserted when the rotation restriction nut is inserted into the lower electrode having a corresponding groove. It is preferable because it is fixed without being rotated and fastening of a fastening screw is easy.
또한, 본 발명에서의 전극 또는 절연체의 장착홈부는 상기 회전제한 너트와 대응 확장된 형상으로 이 회전제한 너트의 회전을 제한한다.In addition, the mounting groove of the electrode or insulator in the present invention restricts the rotation of the rotational restriction nut in the shape corresponding to the rotational restriction nut.
이하, 본 발명의 플라즈마 처리장치를 첨부도면을 참조하여 실시예들을 들어 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the plasma processing apparatus of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 바람직한 일실시예의 플라즈마 처리장치는 도 3에 도시된 바와 같이 챔버(도면에 미도시) 내부에 구비되며 최하부에 위치된 세라믹판(116)의 상부 영역에 절연체(118) 또는 하부전극(120)이 마련된 전극부(114)와, 이러한 전극부(114)의 측면과 하부전극(120)의 상면 가장자리에 절연부재가 위치되어 상술한 절연부재의 상부 영역과 외측에서 다수개의 체결수단(도면에 미도시)으로 전극부(114)에 체결한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the plasma processing apparatus includes an insulator 118 or a lower electrode in an upper region of a
한편, 일측면에 개구된 출입구를 개폐하는 게이트를 통해 내부로 반입 또는 반출되는 기판(도면에 미도시)이 적재되는 적재대(도면에 미도시)가 구비되며 내부가 중공이며 공정이 수행되는 챔버와, 상기 챔버 내부 상면에 마련된 상부 전극은 종래의 기술의 그것과 동일한 구조와 기능을 가지므로 여기서 자세한 설명은 생략한다.On the other hand, there is provided a mounting table (not shown in the figure) is loaded with a substrate (not shown in the drawing) to be carried in or out through the gate opening and closing the door opening and closing on one side, the chamber is hollow and the process is performed And, since the upper electrode provided on the upper surface inside the chamber has the same structure and function as that of the prior art, a detailed description thereof will be omitted.
상술한 세라믹판(116)과 절연체(118) 또는 세라믹판(116)과 하부 전극(120) 을 순차적으로 적층한 전극부(114)중 상술한 세라믹판(116)의 소정 위치에 홈부(117)를 형성하고 그 홈부(117)에서 상방으로 관통시켜 구멍을 형성하며, 이 구멍과 동심을 갖게 절연체(118) 또는 하부 전극(120)에 암나사를 형성시켜 종방향의 체결나사(122)로 상술한 절연체(118) 또는 하부 전극(120)을 체결하고 상술한 체결나사(122)의 타단을 마감부재(124)로 체결하여 마무리한다.The
상술한 세라믹판(116)은 마감부재(124)가 삽입될 수 있도록 원형으로 관통된 홈부(117)가 소정 위치에 각각 형성되며, 상술한 홈부(117)에서 상방으로 관통된다.The above-described
상술한 체결나사(122)는 양측에 수나사가 형성되며 체결이 용이할 수 있도록 일측에 드라이버홈이 형성될 수 있다.The above-described
상술한 마감부재(124)는 원형의 너트 형상으로 일측이 개구되고 그 개구된 내주면에 암나사가 형성되며 타측에는 드라이버홈이 형성된다.The above-described
상술한 개입부재(126)는 슬라이딩 씸(Shim)또는 링부재 등이 사용된다.The above-described
그러므로, 본 발명의 플라즈마 처리장치의 전극부(114) 각 부재를 적층시킨 상태에서 체결하는 과정은 도 3에 도시된 바와 같이 절연체(118)와 세라믹판(116) 또는 하부 전극(120)과 세라믹판(116)을 적층시킨 상태에서 상술한 세라믹판(116)의 소정 위치에 형성된 원형의 홈부(117)를 통해 절연체(118) 또는 하부 전극(120)에 형성된 암나사에 체결나사(122)의 수나사를 결합시킨다.Therefore, as shown in FIG. 3, the process of fastening the respective members of the
그리고 나서, 상술한 개입부재(126)를 상술한 체결나사(122)에 삽입하며 상술한 체결나사(122)를 마감부재(124)로 체결하여 열팽창 계수가 그중 가장 작은 세 라믹판(116)과 열팽창 계수가 중간인 하부 전극(120) 또는 열팽창 계수가 가장 큰 절연체(118)를 체결나사(122)와 마감부재(124)로 체결할 때 상술한 세라믹판(116)의 홈부(117)와 마감부재(124)와의 이격 공간에 개입부재(126)를 개입시켜 수직 방향의 변형이 세라믹판(116)에 전달되는 과정에서 상술한 개입부재(126)가 수직 변형을 감쇠시켜 상술한 세라믹판(116)이 파손되는 것을 방지한다.Then, the above-described
본 발명의 다른 실시예의 플라즈마 처리장치는 도 4에 도시된 바와 같이 상술한 세라믹판(116)과 절연체(118) 또는 세라믹판(116)과 하부 전극(120)을 순차적으로 적층한 전극부(114)중 상술한 세라믹판(116)의 소정 위치에 홈부(117)를 형성하고 그 홈부(117)에서 상방으로 관통시켜 구멍을 형성하며, 이 구멍과 동심을 갖게 절연체(118) 또는 하부 전극(120)에 하부 영역에 장착홈부(121, 119)를 형성하고 그 장착홈부(121, 119)에 회전을 제한하는 회전제한 너트(130)을 위치시키고 상술한 회전제한 너트(130)의 암나사부에 체결나사(122)의 일단을 체결시키며 타단에는 상술한 체결나사(122)에 둘레 영역에 삽입하되 홈부(117)의 상부 영역에 접하게 마련되는 개입부재(126)와 상술한 개입부재(126)의 하부 영역에 마감부재(124)로 체결한다.In the plasma processing apparatus of another embodiment of the present invention, as illustrated in FIG. 4, the
상술한 세라믹판(116)은 마감부재(124)가 삽입될 수 있도록 원형으로 관통된 홈부(117)가 소정 위치에 각각 형성되며, 상술한 홈부(117)에서 상방으로 관통된 구멍이 형성되되 이 구멍은 상술한 구멍에 삽입되는 체결나사(132)의 중간부 직경보다 크게 형성되어 열팽창에 따른 변형량을 감안하여 직경을 확대 형성시킨다.The above-described
상술한 하부 전극(120)과 절연체(118)는 도 4에 도시된 바와 같이 각각 하방으로 개구된 장착홈부(121, 119)가 형성되되 그 단면 형상이 원에서 부분 절개되어 반원보다는 덜 절개된 상태로 형성된다.As shown in FIG. 4, the lower electrode 120 and the insulator 118 are formed with mounting grooves 121 and 119 which are opened downward, respectively, and the cross-sectional shape of the lower electrode 120 and the insulator 118 is partially cut in a circle and thus less than a semicircle. Is formed.
상술한 회전제한 너트(130)는 하부 전극(120)의 장착홈부(121, 119)와 상응하되 이 장착홈부(121, 119)의 직경보다 작은 적정 직경을 갖으며 상술한 하부 전극(120)의 장착홈부(121, 119)에 삽입시 부분 절개된 부분에 의해 회전이 제한된다.The
상술한 체결나사(122)는 양측에 수나사가 형성되며 체결이 용이할 수 있도록 마감부재(124)가 체결되는 일측에 드라이버홈이 형성될 수 있다.The above-described
상술한 마감부재(124)는 원형의 너트 형상으로 일측이 개구되고 그 개구된 내주면에 암나사가 형성되며 타측에는 드라이버홈이 형성된다.The above-described
상술한 개입부재(126)는 슬라이딩 씸(Shim)또는 링부재 등이 사용된다.The above-described
여기서, 상술한 회전제한 너트(130)와 체결나사(122)와 마감부재(124)로 구성된 체결수단은 하부 전극(120)이 포함된 전극부(114)에 마련되는 것으로 도 3에 도시되었지만 상부 전극에도 마련될 수 있으며 상술한 상부 전극과 전극부(114)에 각각 구비할 수 있다.Here, the fastening means composed of the above-mentioned
그러므로, 본 발명의 플라즈마 처리장치의 전극부 각 부재를 적층시킨 상태에서 체결하는 과정은 도 4에 도시된 바와 같이 절연체(118)와 세라믹판(116) 또는 하부 전극(120)과 세라믹판(116)을 적층시킨 상태에서 상술한 세라믹판(116)의 소정 위치에 형성된 원형의 홈부(117)를 통해 절연체(118) 또는 하부 전극(120)에 형 성된 장착홈부(121, 119)에 회전제한 볼트(130)을 삽입시킨다.Therefore, as shown in FIG. 4, the fastening process in the state where each member of the electrode unit of the plasma processing apparatus is stacked is performed by the insulator 118 and the
그리고 나서, 상술한 회전제한 볼트(130)의 암나사부에 체결나사(122)의 일측 수나사부를 결합시키고 상술한 개입부재(126)를 상술한 체결나사(122)의 타측 수나사부에 삽입하며 상술한 체결나사(122)를 마감부재(124)로 체결하여 가고정시키며 열팽창 계수가 그중 가장 작은 세라믹판(116)과 열팽창 계수가 중간인 하부 전극(120) 또는 열팽창 계수가 가장 큰 절연체(118)를 체결나사(122)와 마감부재(124)로 체결할 때 상술한 세라믹판(116)의 홈부(117)와 마감부재(124)와의 이격 공간에 개입부재(126)를 개입시켜 수직 방향의 변형이 세라믹판(116)에 전달되는 과정에서 상술한 개입부재(126)가 수직 변형을 감쇠시켜 상술한 세라믹판(116)이 파손되는 것을 방지한다.Then, the male threaded portion of the tightening
한편, 회전제한 볼트(130)와 체결나사(122)와 마감부재(124)로 구성된 체결수단으로 하부전극(120)과 세라믹판(116) 또는 절연체(118)과 세라믹판(116)을 가고정시킨 다음 별도의 체결부에 의해 견고하게 고정시킨다.On the other hand, the fastening means consisting of the
이와 같은 본 발명의 플라즈마 처리장치는 상부 전극 또는 전극부의 하부전극 또는 절연체 와 세라믹판의 상호 체결시 열팽창 계수가 가장 작은 세라믹판이 열팽창 계수가 가장 큰 절연체의 수직 방향성 변형에 따라 파손됨을 방지하기 위해 마감부재가 삽입되는 세라믹판의 홈부 상부 영역과 마감부재의 상부 영역에 개입부재를 개입시켜 이 개입부재가 수직 방향의 변형을 감쇠시키므로 열팽창 계수가 다른 각 부재를 체결하여도 변형량이 수직 방향으로 전달되어 세라믹판이 파손되는 것을 방지하며 파손에 따른 손실 비용을 감소시하는 효과가 있다.The plasma processing apparatus of the present invention has a finish to prevent the ceramic plate having the smallest thermal expansion coefficient from being damaged due to the vertical directional deformation of the insulator having the largest thermal expansion coefficient when the upper electrode or the lower electrode or the insulator of the electrode part is interlocked with each other. Since the intervention member attenuates the deformation in the vertical direction by interposing the intervention member in the upper region of the groove portion of the ceramic plate into which the member is inserted and in the upper region of the finishing member, the deformation amount is transmitted in the vertical direction even when each member having a different thermal expansion coefficient is fastened. It prevents the ceramic plate from breaking and reduces the cost of damage caused by the breakage.
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