KR100649194B1 - 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법에 따르면, 플라즈마 표시 패널 또는 플라즈마 표시 패널의 주변 온도가 제1 기준 온도보다 낮은 제1 프레임에서 모든 방전 셀을 초기화하는 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수를 플라즈마 표시 패널 또는 플라즈마 표시 패널의 주변 온도가 상기 제1 기준 온도보다 높은 제2 프레임에서의 상기 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수보다 많게 설정한다. 이렇게 하면, 방전 개시 전압이 높아지는 저온에서 메인 리셋 파형에 의해 방전 프라이밍이 많이 형성되어 저방전이 방지된다.

PDP, 전극, 온도, 메인 리셋, 보조 리셋, 저방전, 프라이밍

Description

플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법{PLASMA DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF}

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.

도 2는 도 1에 도시된 제어부의 동작을 나타낸 도면이다.

도 3은 저온의 경우 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 나타낸 도면이다.

도 4는 도 3의 구동 방법에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다.

본 발명은 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 특히 저온에서 저방전을 방지할 수 있는 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.

플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 평면 표시 장치로서, 그 크기에 따라 수십에서 수백 만개 이상의 픽셀(pixel)이 매트릭스(matrix) 형태로 배열되어 있다.

이러한 플라즈마 표시 장치의 패널에는 그 한쪽 면에 서로 평행인 주사 전극 및 유지 전극이 형성되고 다른 쪽 면에 이들 전극과 직교하는 방향으로 어드레스 전극이 형성된다. 그리고 유지 전극은 각 주사 전극에 대응해서 형성되며, 그 일단이 서로 공통으로 연결되어 있다.

일반적으로 플라즈마 표시 장치는 한 프레임이 각각의 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 분할되어 구동되며, 각 서브필드는 시간적인 동작 변화로 표현하면 리셋 기간, 어드레스 기간 및 유지 기간으로 이루어진다. 여기서, 리셋 기간은 셀에 어드레싱 동작이 원활히 수행되도록 하기 위해 각 셀의 상태를 초기화시키는 기간이며, 어드레스 기간은 패널에서 켜질 방전 셀을 구별하기 위하여 켜질 셀에 벽 전하를 쌓아두는 동작을 수행하는 기간이다. 유지 기간은 어드레스 기간에서 선택된 셀에 대해서 각 서브필드의 가중치에 해당하는 기간 동안 표시 동작을 수행하는 기간이다.

종래 플라즈마 표시 장치의 구동 파형으로, 미국특허 제6294875호에 따르면, 플라즈마 표시 장치의 명암비를 향상시키기 위해 복수의 서브필드 중 일부 서브필드(SF1)에서만 메인 리셋을 수행하고 나머지 서브필드(SF2∼SF8)에서는 보조 리셋을 수행한다. 이때, 메인 리셋은 모든 방전 셀에 대해서 초기화를 수행하는 리셋 기간이며, 보조 리셋은 직전 서브필드에서 유지방전이 일어난 셀에 대해서 초기화를 수행하는 리셋 기간을 말한다.

이와 같은 보조 리셋은 직전 서브필드에서 유지방전이 일어난 셀에 대해서 초기화를 수행하기 때문에 직전 서브필드에서 유지방전이 일어난 셀이 이후의 어드레스 기간에서 선택될 경우에는 방전 프라이밍이 충분히 형성되기 때문에 이후의 어드레스 방전이 잘 일어나지만, 직전 서브필드에서 유지방전이 일어나지 않은 셀이 이후의 어드레스 기간에서 선택될 경우에는 방전 프라이밍의 부족으로 인해 어드레스 방전이 잘 일어나지 않으므로 저방전이 발생할 수 있다. 특히, 플라즈마 표시 장치는 패널의 방전 전압 및 방전 특성이 온도에 따라 달라지는 특성을 가지고 있다. 즉, 온도가 낮아지면 방전 개시 전압이 높아지기 때문에 상기와 같은 저방전 현상이 더 심각해진다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 저온에서 저방전을 방지할 수 있는 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 한 특징에 따르면, 한 프레임이 복수의 서브필드로 분할되어 구동되는 플라즈마 표시 장치가 제공된다. 플라즈마 표시 장치는, 복수의 방전 셀이 형성되는 플라즈마 표시 패널, 상기 각 서브필드에서 상기 복수의 방전 셀을 초기화하는 메인 리셋 파형 또는 상기 복수의 방전 셀 중 직전 서브필드에서 화상을 표시한 방전 셀을 초기화하는 보조 리셋 파형을 상기 복수의 방전 셀에 인가하는 구동부, 상기 플라즈마 표시 패널 또는 상기 플라즈마 표시 패널의 주변 온도를 감지하는 온도 감지부, 그리고 상기 온도 감지부의 감지 온도가 제1 기준 온도보다 낮은 제1 프레임에서의 상기 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수를 상기 감지 온도가 상기 제1 기준 온도보다 높은 제2 프레임에서의 상기 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수보다 많게 설정하는 제어부를 포함한다.

본 발명의 다른 한 특징에 따르면, 한 프레임을 각각의 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법이 제공된다. 이 구동 방법은, 상기 플라즈마 표시 장치의 패널 및 상기 패널의 주변 온도를 감지하는 단계, 상기 감지 온도를 제1 기준 온도와 비교하는 단계, 그리고 상기 감지 온도가 제1 기준 온도보다 낮은 제1 프레임에서 모든 방전 셀을 초기화하는 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수를 상기 감지 온도가 상기 제1 기준 온도보다 높은 제2 프레임에서 상기 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수보다 많게 설정하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 제1 프레임에서 선택된 방전 셀에 인가되는 유지방전 펄스의 개수를 상기 제2 프레임에서 상기 유지방전 펄스의 개수보다 적게 설정하는 단계를 더 포함할 수 있다.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.

그리고 본 발명에서 벽 전하란 셀의 벽(예를 들어, 유전체층) 상에서 각 전극에 가깝게 형성되는 전하를 말한다. 그리고 벽 전하는 실제로 전극 자체에 접촉되지는 않지만, 여기서는 전극에 “형성됨”, “축적됨” 또는 “쌓임”과 같이 설명한다. 또한 벽 전압은 벽 전하에 의해서 셀의 벽에 형성되는 전위 차를 말한다.

이제 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법에 대해서 상세하게 설명한다.

먼저, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치에 대해서 도 2를 참조하여 자세하게 설명한다. 아래에서 메인 리셋은 모든 방전 셀에 대해서 초기화를 수행하는 리셋 기간이며, 보조 리셋은 직전 서브필드에서 유지방전이 일어난 셀에 대해서 초기화를 수행하는 리셋 기간을 말한다. 즉, 메인 리셋은 상승 기간과 하강 기간으로 이루어진 리셋 기간으로 정의하고, 보조 리셋은 하강 기간으로만 이루어진 리셋 기간으로 정의할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.

도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(100), 제어부(200), 어드레스 전극 구동부(300), 유지전극 구동부(400), 주사전극 구동부(500) 및 온도 감지부(600)를 포함한다.

플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 어드레스 전극(A1∼Am), 그리고 행 방향으로 서로 쌍을 이루면서 뻗어 있는 복수의 유지 전극(X1∼Xn) 및 주사 전극(Y1∼Yn)을 포함한다. 유지 전극(X1∼Xn)은 각 주사 전극(Y1∼Yn)에 대응해서 형성되며, 일반적으로 그 일단이 서로 공통으로 연결되어 있다. 그리고 플라즈마 표시 패널(100)은 유지 및 주사 전극(X1∼Xn, Y1∼Yn)이 배열된 기판(도시하지 않음)과 어드레스 전극(A1∼Am)이 배열된 기판(도시하지 않음)으로 이루어진다. 두 기판은 주사 전극(Y1∼Yn)과 어드레스 전극(A1∼Am) 및 유지 전극(X1∼Xn)과 어드레스 전극(A1∼Am)이 각각 직교하도록 방전 공간을 사이에 두고 대향하 여 배치된다. 이때, 어드레스 전극(A1∼Am)과 유지 및 주사 전극(X1∼Xn, Y1∼Yn)의 교차부에 있는 방전 공간이 방전 셀을 형성한다. 이러한 플라즈마 표시 패널(100)의 구조는 일 예이며, 아래에서 설명하는 구동 파형이 적용될 수 있는 다른 구조의 패널도 본 발명에 적용될 수 있다.

제어부(200)는 외부로부터 영상신호를 수신하여 어드레스 전극 구동 제어 신호, 유지 전극 구동 제어신호 및 주사 전극 구동 제어신호를 출력한다. 그리고 제어부(200)는 한 프레임을 복수의 서브필드로 분할하여 구동하며, 각 서브필드는 시간적인 동작 변화로 표현하면 리셋 기간, 어드레스 기간 및 유지 기간으로 이루어진다. 이때, 제어부(200)는 온도 감지부(600)로부터 전달받은 플라즈마 표시 패널(100)의 온도 및 플라즈마 표시 패널(100)의 주변 온도에 따라 복수의 서브필드에서 모든 방전 셀을 초기화하는 메인 리셋의 수를 가변시킨다. 구체적으로 제어부(200)는 상온보다 낮은 저온의 경우에 유지 기간에서 주사 전극(Y) 및 유지 전극(X)에 유지방전을 위해 인가되는 유지방전 펄스의 수를 줄이고 복수의 서브필드에서 메인 리셋의 수가 증가되도록 주사 전극 및 유지 전극에 제어신호를 출력한다.

어드레스 전극 구동부(300)는 제어부(200)로부터 어드레스 전극 구동 제어신호를 수신하여 표시하고자 하는 방전 셀을 선택하기 위한 표시 데이터 신호를 각 어드레스 전극에 인가한다.

유지전극 구동부(400)는 제어부(200)로부터 유지 전극 구동 제어신호를 수신하여 유지 전극에 구동 전압을 인가한다.

주사전극 구동부(500)는 제어부(200)로부터 주사 전극 구동 제어신호를 수신 하여 주사 전극에 구동 전압을 인가한다.

온도 감지부(600)는 플라즈마 표시 패널(100) 또는 플라즈마 표시 패널(100)의 주변 온도를 감지하여 제어부(200)로 전달한다.

다음, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치에서 제어부의 동작에 대해 도 2를 참고로 하여 상세하게 설명한다.

도 2는 도 1에 도시된 제어부의 동작을 나타낸 도면이다.

도 2에 나타낸 바와 같이, 제어부(200)는 온도 감지부(600)로부터 감지된 플라즈마 표시 패널(100) 또는 플라즈마 표시 패널(100)의 주변 온도를 전달받아 이미 설정된 기준 온도와 비교한다(S310, S320).

이때, 감지된 온도가 기준 온도보다 낮은 경우, 제어부(200)는 유지 기간에서 주사 전극(Y)과 유지 전극(X)에 유지방전을 위해 인가되는 유지방전 펄스의 수를 줄인다. 그리고 줄어든 유지방전 펄스 수에 해당하는 기간을 리셋 기간에 할당하여 복수의 서브필드에서 메인 리셋의 수를 증가시키는 제어신호를 각 전극에 출력한다(S330).

반면, 감지된 온도가 기준 온도 이상인 경우에는 일반적인 구동 파형이 인가되도록 각 전극에 제어신호를 출력한다(S340). 여기서, 일반적인 구동 파형은 플라즈마 표시 패널(100)의 특성에 따라 다르지만, 예를 들어 한 프레임에서 메인 리셋을 사용하는 서브필드가 1개 또는 2개로 설정되는 파형일 수 있다.

예를 들어, 기준 온도를 상온(15도에서 25도 사이의 온도)이라 가정하면, 기준 온도는 15도일 수 있다. 따라서, 감지 온도가 15도보다 낮은 저온인 경우에는 유지방전 펄스의 수를 줄이고 복수의 서브필드에서 메인 리셋의 수를 증가시킬 수 있도록 하는 제어 신호를 각 전극에 출력한다. 반면, 감지 온도가 15도 이상의 상온인 경우에는 일반적인 구동 파형이 각 전극에 인가되도록 하는 제어신호를 출력한다.

이때, 기준 온도가 하나로 설정하면, 메인 리셋의 수를 증가시키는 제어 신호는 한 프레임에서 메인 리셋을 사용하는 서브필드의 개수를 예를 들어 7개로 설정하는 신호일 수 있다.

그리고 기준 온도를 1개 이외에 복수 개로 설정할 수도 있다. 예를 들어 기준 온도를 3개(제1 내지 제3 기준 온도, 제1 기준 온도＜제2 기준온도＜제3 기준온도)로 설정하는 경우에 기준 온도에 따라 한 프레임에서 메인 리셋을 사용하는 서브필드의 개수를 다르게 할 수도 있다. 즉, 감지 온도가 제1 기준 온도보다 낮은 경우 한 프레임에서 메인 리셋을 사용하는 서브필드의 개수를 7개로 설정하고, 감지 온도가 제1 기준 온도 이상이고 제2 기준 온도보다 낮은 경우 한 프레임에서 메인 리셋을 사용하는 서브필드의 개수를 5개로 설정하고, 감지 온도가 제2 기준 온도 이상이고 제3 기준 온도보다 낮은 경우 한 프레임에서 메인 리셋을 사용하는 서브필드의 개수를 3개로 설정하고, 감지 온도가 제3 기준 온도 이상인 경우 한 프레임에서 메인 리셋을 사용하는 서브필드의 개수를 1개로 설정할 수 있다.

다음으로, 저온의 경우 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법에 대해서 도 3 및 도 4를 참고로 하여 상세하게 설명한다.

도 3은 저온의 경우 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 나타낸 도면이고, 도 4는 도 3의 구동 방법에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다.

도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치는 상온보다 낮은 저온의 경우 유지 기간에서 유지방전 펄스의 개수를 줄이고 줄어든 유지방전 펄스의 개수에 해당하는 기간을 리셋 기간에 할당하여 상온에서보다 메인 리셋의 수를 증가시킨다. 도 3 및 도 4에서는 서브필드(SF1∼SF7)에서 메인 리셋을 수행하고 서브필드(SF8)에서만 보조 리셋을 수행하는 것으로 도시하였으며, 상온의 경우에 메인 리셋을 사용하는 서브필드의 개수가 7개 이하인 것으로 가정하였다.

구체적으로, 서브필드(SF1)의 리셋 기간의 상승 기간에서는 유지 전극(X)을 0V로 유지한 상태에서 주사 전극(Y)의 전압을 Vs 전압에서 Vset 전압까지 점진적으로 증가시킨다. 그러면, 주사 전극(Y)으로부터 어드레스 전극(A) 및 유지 전극(X)으로 각각 미약한 리셋 방전이 일어나면서, 주사 전극(Y)에 (-)의 벽 전하가 형성되고 어드레스 전극(A) 및 유지 전극(X)에 (+)의 벽 전하가 형성된다.

그리고 서브필드(SF1)의 리셋 기간의 하강 기간에서는 유지 전극(X)을 Ve 전압으로 유지시킨 상태에서 주사 전극(Y)의 전압을 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 감소시킨다. 그러면, 주사 전극(Y)의 전압이 감소하는 중에 주사 전극(Y)과 유지 전극(X) 사이 및 주사 전극(Y)과 어드레스 전극(A) 사이에서 미약한 리셋 방전이 일어나면서, 주사 전극(Y)에 형성된 (-) 벽 전하와 유지 전극(X) 및 어드레스 전극(A)에 형성된 (+) 벽 전하가 소거된다.

서브필드(SF1)의 어드레스 기간에서는 방전 셀을 선택하기 위해서 유지 전극(X)의 전압을 Ve 전압으로 유지한 상태에서 주사 전극(Y)과 어드레스 전극(A)에 순차적으로 VscL 전압을 가지는 주사 펄스 및 Va 전압을 가지는 어드레스 펄스를 인가한다. 그리고 선택되지 않는 주사 전극(Y)은 VscL 전압보다 높은 VscH 전압으로 바이어스하고, 켜지지 않을 셀의 어드레스 전극(A)에는 기준 전압을 인가한다. 그러면 Va 전압이 인가된 어드레스 전극(A)과 VscL 전압이 인가된 주사 전극(Y)에 의해 형성되는 방전 셀에서 어드레스 방전이 일어나면서 주사 전극(Y)에는 (+) 벽 전하가 형성되고 유지 전극(X)에는 (-) 벽 전하가 형성된다. 또한 어드레스 전극(A)에도 (-) 벽 전하가 형성된다.

이어서, 서브필드(SF1)의 유지 기간에서는 주사 전극(Y)과 유지 전극(X)에 차례로 Vs 전압의 유지 방전 펄스를 인가한다. 그러면, 어드레스 기간에서 어드레스 방전에 의해 주사 전극(Y)과 유지 전극(X) 사이에 형성된 벽 전압과 Vs 전압에 의해 주사 전극(Y)과 유지 전극(X)에서 방전이 일어난다. 이후, 주사 전극(Y)에 Vs 전압의 유지방전 펄스를 인가하는 과정과 유지 전극(X)에 Vs 전압의 유지방전 펄스를 인가하는 과정을 해당 서브필드가 표시하는 가중치에 대응하는 횟수만큼 반복한다.

이와 같이 하여, 서브필드(SF1)가 종료되면 서브필드(SF1)와 동일한 동작으로 서브필드(SF2∼SF7)까지 수행된다. 즉, 해당 서브필드가 표시하는 가중치에 대응하는 횟수에 따라 각 서브필드(SF2∼SF8)의 유지 기간에서의 유지방전 펄스의 개수가 다르다는 점을 제외하고, 이후의 서브필드(SF2∼SF7)의 동작은 서브필드(SF1) 와 동일하므로 상세한 설명은 생략하였다.

그리고 서브필드(SF7)가 종료되면 서브필드(SF8)가 수행된다. 이때, 서브필드(SF8)의 어드레스 기간 및 유지 기간의 동작은 서브필드(SF1)와 동일하므로 리셋 기간에 대해서만 설명한다.

서브필드(SF8)의 리셋 기간은 하강 기간으로만 이루어지며, 서브필드(SF7)의 유지 기간에서 Vs 전압의 유지방전 펄스가 주사 전극(Y)에 인가된 상태에서 주사 전극(Y)의 전압을 Vnf 전압까지 점진적으로 감소시킨다. 이 때, 서브필드(SF2)의 유지 기간에서 유지방전이 일어난 경우에는 주사 전극(Y)에 (-) 벽 전하, 유지 전극(X)과 어드레스 전극(A)에 (+) 벽 전하가 형성되어 있으므로, 주사 전극(Y)의 전압이 점진적으로 감소하는 중에 셀에 형성된 벽 전압과 함께 방전 개시 전압을 넘게 되면 서브필드(SF1)의 리셋 기간의 하강 기간에서와 같이 약 방전이 일어난다. 그리고 주사 전극(Y)의 최종 전압(Vnf)이 서브필드(SF1)의 하강 기간의 최종 전압(Vnf)과 동일하므로, 서브필드(SF2)의 하강 기간 종료 후의 셀의 벽 전하 상태는 제2 서브필드의 하강 기간 종료 후의 벽 전하 상태와 실질적으로 동일해진다. 이와 같이, 리셋 기간이 하강 기간으로 이루어진 서브필드는 직전 서브필드에서 유지방전이 있는 경우에는 리셋 방전이 일어나고 유지방전이 없는 경우에는 리셋 방전이 일어나지 않는다.

이와 같이 본 발명의 실시 예에 따르면, 상온보다 낮은 저온에서는 상온에서보다 유지방전 펄스의 개수를 줄이고 메인 리셋의 수를 증가시켜 구동한다. 이렇게 하면, 메인 리셋에 의해 방전 프라이밍이 충분하게 형성되기 때문에 방전 전압이 높아지는 저온의 경우에서도 이후의 보조 리셋으로 유지방전이 일어나지 않은 셀에 대해서 안정적인 어드레스 방전을 일으킬 수 있게 된다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

본 발명에 의하면, 상온보다 낮은 저온의 경우에 각 서브필드에서 유지방전 펄스의 수를 줄이고 모든 방전 셀을 초기화하는 메인 리셋의 수를 증가시킴으로써 방전 프라이밍이 충분히 형성되어 저방전이 방지된다.

Claims (7)

1. 한 프레임이 복수의 서브필드로 분할되어 구동되는 플라즈마 표시 장치에 있어서,

   복수의 방전 셀이 형성되는 플라즈마 표시 패널,

   상기 각 서브필드에서 상기 복수의 방전 셀을 초기화하는 메인 리셋 파형 또는 상기 복수의 방전 셀 중 직전 서브필드에서 화상을 표시한 방전 셀을 초기화하는 보조 리셋 파형을 상기 복수의 방전 셀에 인가하는 구동부,

   상기 플라즈마 표시 패널 또는 상기 플라즈마 표시 패널의 주변 온도를 감지하는 온도 감지부, 그리고

   상기 온도 감지부의 감지 온도가 제1 기준 온도보다 낮은 제1 프레임에서의 상기 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수를 상기 감지 온도가 상기 제1 기준 온도보다 높은 제2 프레임에서의 상기 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수보다 많게 설정하는 제어부

   를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
2. 제1항에 있어서,

   상기 구동부는, 높은 전압과 낮은 전압을 교대로 가지는 복수의 유지방전 펄스를 선택된 방전 셀에 인가하며,

   상기 제어부는, 상기 제1 프레임에서의 상기 유지방전 펄스의 수를 상기 제2 프레임에서의 상기 유지방전 펄스의 수보다 적게 설정하는 플라즈마 표시 장치.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 제어부는,

   상기 감지 온도가 상기 제1 기준 온도보다 낮은 제2 기준 온도와 상기 제1 기준 온도 사이인 제3 프레임에서 상기 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수를, 상기 감지 온도가 상기 제2 기준 온도보다 낮은 제4 프레임에서 상기 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수보다 적게 설정하는 플라즈마 표시 장치.
4. 제3항에 있어서,

   상기 플라즈마 표시 패널은 복수의 제1 전극과 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극을 포함하며,

   상기 메인 리셋 파형은, 상기 제1 전극의 전압을 제1 전압에서 제2 전압까지 점진적으로 증가시킨 후, 상기 제3 전압에서 제4 전압까지 점진적으로 감소시키는 파형이며,

   상기 보조 리셋 파형은, 상기 제1 전극의 전압을 제5 전압에서 제6 전압까지 점진적으로 감소시키는 파형인 플라즈마 표시 장치.
5. 한 프레임을 각각의 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법에 있어서,

   상기 플라즈마 표시 장치의 패널 및 상기 패널의 주변 온도를 감지하는 단 계,

   상기 감지 온도를 제1 기준 온도와 비교하는 단계, 그리고

   상기 감지 온도가 제1 기준 온도보다 낮은 제1 프레임에서 모든 방전 셀을 초기화하는 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수를 상기 감지 온도가 상기 제1 기준 온도보다 높은 제2 프레임에서 상기 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수보다 많게 설정하는 단계

   를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
6. 제5항에 있어서,

   상기 제1 프레임에서 선택된 방전 셀에 인가되는 유지방전 펄스의 개수를 상기 제2 프레임에서 상기 유지방전 펄스의 개수보다 적게 설정하는 단계

   를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
7. 제5항 또는 제6항에 있어서,

   상기 감지 온도를 상기 제1 기준 온도보다 낮은 제2 기준 온도와 비교하는 단계, 그리고

   상기 감지 온도가 제2 기준 온도보다 낮은 제3 프레임에서 상기 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수를 상기 감지 온도가 상기 제1 기준 온도와 상기 제2 기준 온도 사이인 제4 프레임에서 상기 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수보다 많게 설정하는 단계

   를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.

Images