KR100648706B1 - Plasma display device and driving method thereof - Google Patents

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김준연
양학철
정용진
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Abstract

A plasma display device and a driving method thereof are provided to reduce the number of scan circuits by decreasing the number of electrodes by making sustain and scan electrodes to share two adjacent display lines. A plasma display device comprises plural first electrodes(Xodd,Xeven), plural second electrodes(Y1~Yn), and plural third electrodes(A1~Am) formed across the first and second electrodes. In a first period(a) between a first subfield(SF1) adopting a first address method of changing an emission cell into a non-emission state and a second subfield adopting a second address method for changing a non-emission cell into an emission state, the driving method comprises a step for gradually increasing voltage output by subtracting the voltage of the first electrodes from the voltage of the second electrodes, up to a first voltage level during a second period(b), and a step for applying a second voltage lower than the first voltage to the first electrodes and a third voltage higher than the second voltage to the second electrodes during a third period(c).

Description

플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법{PLASMA DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF}Plasma display device and driving method thereof {PLASMA DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다. 1 is a diagram illustrating a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전극 배열도이다. 2 is an electrode array diagram of a plasma display panel according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전극 배열도이다. 3 is an electrode array diagram of a plasma display panel according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 나타내는 도면이다. 4 is a diagram illustrating a method of driving a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에 인가되는 구동 파형을 나타내는 도면이다. 5 is a diagram illustrating driving waveforms applied to first to third subfields SF1 to SF3 among driving waveforms of the plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제4 서브필드(SF4)에 인가되는 구동 파형을 나타내는 도면이다. FIG. 6 is a diagram illustrating a driving waveform applied to a fourth subfield SF4 among driving waveforms of a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제5 서브필드(SF5)에 인가되는 구동 파형을 나타내는 도면이다. FIG. 7 is a diagram illustrating a driving waveform applied to a fifth subfield SF5 among driving waveforms of a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타내는 도면이다.8 illustrates a driving waveform of a plasma display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

본 발명은 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a plasma display device and a driving method thereof.

플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성되는 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 플라즈마 표시 패널을 이용한 표시 장치이다. The plasma display device is a display device using a plasma display panel that displays text or an image by using plasma generated by gas discharge.

이러한 플라즈마 표시 장치의 구동 방법은 한 프레임을 각각의 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 분할한다. 각 서브필드의 어드레스 기간에서 어드레스 방전을 통하여 복수의 방전 셀 중에서 켜질 방전 셀을 선택하고, 유지 기간에서 실제로 화상을 표시하기 위해서 켜질 셀에 대해서 유지 방전을 수행한다. In the plasma display device driving method, one frame is divided into a plurality of subfields having respective weights. The discharge cells to be turned on are selected from the plurality of discharge cells through address discharge in the address period of each subfield, and sustain discharge is performed on the cells to be turned on in order to actually display an image in the sustain period.

이때, 표시 라인과 어드레스 전극 교차부에 형성되는 방전 셀 중 켜질 방전 셀을 어드레스 기간에서 선택하기 위해서는, 각 표시 라인에 주사 펄스를 인가한다. 각 표시 라인에 주사 펄스를 인가하기 위해서는 각 표시 라인을 선택하기 위한 스캔 회로가 필요하며, 이러한 스캔 회로는 각 주사 전극에 대응되어 연결된다.At this time, in order to select the discharge cells to be turned on among the discharge cells formed at the intersections of the display lines and the address electrodes in the address period, a scan pulse is applied to each display line. In order to apply a scan pulse to each display line, a scan circuit for selecting each display line is required, and the scan circuit is connected corresponding to each scan electrode.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 스캔 회로의 개수를 줄이는 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법을 제공하기 위한 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a plasma display device and a driving method thereof for reducing the number of scan circuits.

또한, 하나의 프레임에서 기입 어드레스 방식과 소거 어드레스 방식을 혼합하여 서브필드를 구성하는 경우 발생되는 방전 불량을 제거하는 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법을 제공하기 위한 것이다. Another object of the present invention is to provide a plasma display device and a method of driving the same, which eliminate a discharge failure generated when a subfield is formed by mixing a write address method and an erase address method in one frame.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치를 구동하는 방법이 제공된다. 이 구동 방법은, 발광 셀을 비발광 셀 상태로 전환하는 제1 어드레스 방식을 적용하는 제1 서브필드와 비발광 셀을 발광 셀 상태로 전환하는 제2 어드레스 방식을 적용하는 제2 서브필드 사이에 위치하는 제1 기간에서, 제2 기간 동안 상기 복수의 제1 전극의 전압에서 상기 복수의 제2 전극의 전압을 뺀 전압을 제1 전압까지 점진적으로 상승시키는 단계; 및 제3 기간 동안 상기 복수의 제1 전극에 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 인가하고 상기 복수의 제2 전극에 상기 제2 전압보다 높은 제3 전압을 인가하는 단계를 포함한다. 그리고 상기 구동 방법은, 상기 제3 기간 후에 위치하는 제4 기간동안, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극에 교대로 상기 제2 전압보다 높은 제4 전압과 상기 제4 전압보다 낮은 제5 전압을 소정의 회수 인가하는 단계를 더 포함한다. 여기서, 상기 제2 서브필드의 리셋 기간에서, 상기 복수의 제1 전극의 전압을 점진적으로 상승시킨 후 하강시킨다. According to an aspect of the present invention for achieving the above object, a plasma including a plurality of first electrodes, a plurality of second electrodes, and a plurality of third electrodes formed in a direction crossing the plurality of first and second electrodes. A method of driving a display device is provided. The driving method includes a first subfield applying a first address method of switching a light emitting cell to a non-light emitting cell state and a second subfield applying a second address method of switching a non-light emitting cell to a light emitting cell state. Gradually increasing a voltage obtained by subtracting the voltages of the plurality of second electrodes from the voltages of the plurality of first electrodes during the second period to the first voltage; And applying a second voltage lower than the first voltage to the plurality of first electrodes and applying a third voltage higher than the second voltage to the plurality of second electrodes for a third period of time. The driving method may further include: a fourth voltage higher than the second voltage and lower than the fourth voltage alternately with the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes during a fourth period positioned after the third period. And applying a predetermined number of times of the fifth voltage. Here, in the reset period of the second subfield, the voltages of the plurality of first electrodes are gradually raised and then lowered.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치를 구동하는 방법이 제공된다. 이 구동 방법은, 발광 셀을 비발광 셀 상태로 전환하는 제1 어드레스 방식을 이용하여 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계; 모든 방전 셀에서, 제1 기간 동안 상기 유지 방전에서 발생 되는 발광보다 약한 제1 방전을 발생시킨 후, 제2 기간 동안 상기 제1 방전에서 발생되는 발광보다 강한 제2 방전을 발생시키는 단계; 및 상기 모든 방전 셀을 초기화하기 위해 리셋 방전을 발생시키는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 리셋 방전이 발생되는 서브필드에서는, 비발광 셀을 발광 셀 상태로 전환하는 제2 어드레스 방식이 적용된다. According to another feature of the present invention, a plasma display device including a plurality of first electrodes, a plurality of second electrodes, and a plurality of third electrodes formed in a direction crossing the plurality of first and second electrodes is provided. A method is provided. The driving method includes the steps of: selecting a light emitting cell using a first address method of switching the light emitting cell to a non-light emitting cell state, and then performing sustain discharge; Generating, in all the discharge cells, a first discharge that is weaker than light emission generated in the sustain discharge during a first period, and then generating a second discharge that is stronger than light emission generated in the first discharge during a second period; And generating a reset discharge to initialize all the discharge cells. Here, in the subfield in which the reset discharge is generated, the second address method of switching the non-light emitting cell to the light emitting cell state is applied.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 플라즈마 표시 장치가 제공된다. 이 플라즈마 표시 장치는, 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극을 포함하는 플라즈마 표시 패널; 및 발광 셀을 비발광 셀 상태로 전환하는 제1 어드레스 방식을 적용하는 제1 서브필드와 비발광 셀을 발광 셀 상태로 전환하는 제2 어드레스 방식을 적용하는 제2 서브필드 사이에 위치하는 제1 기간에서, 제2 기간 동안 상기 복수의 제1 전극의 전압을 제1 전압까지 점진적으로 상승시키며, 제3 기간 동안 상기 복수의 제1 전극에 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 인가하며 상기 복수의 제2 전극에 상기 제2 전압보다 높은 제3 전압을 인가하는 구동부를 포함한다. 여기서, 상기 구동부는, 상기 제3 기간 후에 위치하는 제4 기간 동안, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극에 교대로 상기 제2 전압보다 높은 제4 전압과 상기 제4 전압보다 낮은 제5 전압을 소정의 회수 인가한다. 그리고, 상기 제1 기간은 상기 제2 서브필드의 리셋 기간의 직전에 위치하며, 상기 구동부는 상기 제2 서브필드의 리셋 기간에서 상기 복수의 제1 전극의 전압을 점진적으로 상승시킨 후 하강시킨다. According to still another feature of the present invention, a plasma display device is provided. The plasma display device includes a plasma display panel including a plurality of first electrodes, a plurality of second electrodes, and a plurality of third electrodes formed in a direction crossing the plurality of first and second electrodes; And a first subfield applying a first address method of switching a light emitting cell to a non-light emitting cell state and a first subfield applying a second address method of switching a non-light emitting cell to a light emitting cell state. In the period, gradually increasing the voltage of the plurality of first electrodes to a first voltage during a second period, and applying a second voltage lower than the first voltage to the plurality of first electrodes during a third period of time; And a driver configured to apply a third voltage higher than the second voltage to the second electrode of the second electrode. The driving unit may further include a fourth voltage higher than the second voltage and a lower voltage than the fourth voltage, alternately between the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes during a fourth period positioned after the third period. The fifth voltage is applied a predetermined number of times. The first period is positioned immediately before the reset period of the second subfield, and the driving unit gradually raises and lowers the voltages of the plurality of first electrodes in the reset period of the second subfield.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명 이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Throughout the specification, when a part is "connected" to another part, this includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with another element in between. . In addition, when a part is said to "include" a certain component, which means that it may further include other components, except to exclude other components unless otherwise stated.

그리고 본 발명에서의 벽 전하란 셀의 벽(예를 들어, 유전체층) 상에서 각 전극에 가깝게 형성되는 전하를 말한다. 그리고 벽 전하는 실제로 전극 자체에 접촉되지는 않지만, 여기서는 전극에 "형성됨", "축적됨" 또는 "쌓임"과 같이 설명한다. 또한 벽 전압은 벽 전하에 의해서 셀의 벽에 형성되는 전위 차를 말한다. In addition, the wall charge in the present invention refers to a charge formed close to each electrode on the wall (eg, the dielectric layer) of the cell. And the wall charge is not actually in contact with the electrode itself, but is described here as "formed", "accumulated" or "stacked" on the electrode. In addition, the wall voltage refers to the potential difference formed in the wall of the cell by the wall charge.

이제 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다. Now, a plasma display device and a driving method thereof according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치에 대해서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다. First, a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다. 1 is a diagram illustrating a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(100), 제어부(200), 어드레스 전극 구동부(300), 주사 전극 구동부(400) 및 유지 전극 구동부(500)를 포함한다.As shown in FIG. 1, a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a plasma display panel 100, a controller 200, an address electrode driver 300, a scan electrode driver 400, and a sustain electrode driver 500. It includes.

플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 어드레스 전극(A1~Am), 그리고 행 방향으로 뻗어 있는 복수의 유지 전극(X1~Xn) 및 주사 전극(Y1~Yn)을 포함한다. The plasma display panel 100 includes a plurality of address electrodes A1 to Am extending in the column direction, a plurality of sustain electrodes X1 to Xn and scan electrodes Y1 to Yn extending in the row direction.

제어부(200)는 외부로부터 영상 신호를 수신하여 어드레스 전극 구동 제어 신호, 유지 전극 구동 제어 신호 및 주사 전극 구동 제어 신호를 출력한다. 그리고 제어부(200)는 한 프레임을 각각의 휘도 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 분할하여 구동한다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 제어부(200)는 복수의 유지 전극을 홀수 번째 유지 전극(Xodd)과 짝수 번째 유지 전극(Xeven)으로 분할하여 구동하도록 제어한다.The controller 200 receives an image signal from the outside and outputs an address electrode driving control signal, a sustain electrode driving control signal, and a scan electrode driving control signal. The controller 200 divides and drives one frame into a plurality of subfields having respective luminance weights. In addition, according to an exemplary embodiment of the present disclosure, the controller 200 controls the plurality of sustain electrodes to be divided into odd-numbered sustain electrodes Xodd and even-numbered sustain electrodes Xeven.

어드레스 전극 구동부(300)는 제어부(200)로부터 어드레스 전극 구동 제어 신호를 수신하여 어드레스 전극에 구동 전압을 인가한다.The address electrode driver 300 receives an address electrode driving control signal from the controller 200 and applies a driving voltage to the address electrode.

주사 전극 구동부(400)는 제어부(200)로부터 주사 전극 구동 제어 신호를 수신하여 주사 전극에 구동 전압을 인가한다.The scan electrode driver 400 receives a scan electrode driving control signal from the controller 200 and applies a driving voltage to the scan electrode.

유지 전극 구동부(500)는 제어부(200)로부터 유지 전극 구동 제어 신호를 수신하여 유지 전극에 구동 전압을 인가한다.The sustain electrode driver 500 receives the sustain electrode driving control signal from the controller 200 and applies a driving voltage to the sustain electrode.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전극 배열도이다. 2 is an electrode array diagram of a plasma display panel according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 2에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있 는 어드레스 전극(A1~Am), 그리고 행 방향으로 뻗어 있는 복수의 유지 전극(X1~Xn) 및 주사 전극(Y1~Yn)을 포함한다. 이때, 어드레스 전극(A1~Am)이 하나의 기판에 형성되고, 유지 전극(X1~Xn)과 주사 전극(Y1~Yn)이 다른 기판에 형성되어, 두 기판이 서로 마주보도록 배치될 수 있다. 이때, 서로 인접하는 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(X1~Xn) 사이에는 화상을 표시하기 위한 표시 라인(L1~L(2n-1))이 형성된다. 예를 들면, 1번째 주사 전극(Y1)과 1번째 유지 전극(X1)사이에서 표시 라인(L1)이 형성될 뿐만 아니라, 1번째 주사 전극(Y1)과 2번째 유지 전극(X2)사이에서도 표시 라인(L2)이 형성된다. 즉, 하나의 주사 전극(Yi)과 이에 상하로 인접하는 두 유지 전극(Xi, X(i+1))에 의해 두 개의 표시 라인(L(2i-1), L(2i))이 형성된다. 이 표시 라인(L1~L(2n-1))과 어드레스 전극(A1~Am)의 교차부에 있는 방전 공간이 각각 방전 셀(28)을 형성하며, 이 방전 셀(28)은 격벽(29)에 의해 구획되어 있다. 이러한 유지 전극(X1~Xn)과 주사 전극(Y1~Yn)은 행 방향을 따라 뻗어 있으며 폭이 좁은 버스 전극(31a, 32a)과 폭이 넓은 투명 전극(31b, 32b)을 포함하며, 투명 전극(31b, 32b)은 각각 버스 전극(31a, 32a)과 연결되어 있다. 이와는 달리, 투명 전극 없이 폭이 넓은 버스 전극만으로 유지 전극과 주사 전극을 형성할 수도 있으며, 버스 전극 없이 투명 전극만으로 유지 전극과 주사 전극을 형성할 수도 있다. 그리고 도 2에는 나타내지 않았지만 버스 전극(31a, 32a) 위에도 격벽이 형성되어 방전 셀(28)을 열 방향으로 구획할 수 있다.As shown in FIG. 2, the plasma display panel 100 includes address electrodes A1 to Am extending in the column direction, a plurality of sustain electrodes X1 to Xn and scan electrodes Y1 to Yn extending in the row direction. ). In this case, the address electrodes A1 to Am may be formed on one substrate, and the sustain electrodes X1 to Xn and the scan electrodes Y1 to Yn may be formed on different substrates so that the two substrates face each other. At this time, display lines L1 to L (2n-1) for displaying an image are formed between scan electrodes Y1 to Yn and sustain electrodes X1 to Xn adjacent to each other. For example, not only the display line L1 is formed between the first scan electrode Y1 and the first sustain electrode X1, but also the display line L1 is also displayed between the first scan electrode Y1 and the second sustain electrode X2. Line L2 is formed. That is, two display lines L (2i-1) and L (2i) are formed by one scan electrode Yi and two sustain electrodes Xi and X (i + 1) vertically adjacent thereto. . Discharge spaces at the intersections of the display lines L1 to L (2n-1) and the address electrodes A1 to Am respectively form discharge cells 28, which are partition walls 29. It is partitioned by The sustain electrodes X1 to Xn and the scan electrodes Y1 to Yn extend along the row direction and include narrow bus electrodes 31a and 32a and wide transparent electrodes 31b and 32b. 31b and 32b are connected to bus electrodes 31a and 32a, respectively. Alternatively, the sustain electrode and the scan electrode may be formed using only the wide bus electrode without the transparent electrode, or the sustain electrode and the scan electrode may be formed using only the transparent electrode without the bus electrode. Although not shown in FIG. 2, barrier ribs are also formed on the bus electrodes 31a and 32a to partition the discharge cells 28 in the column direction.

이와 같이 본 발명의 제1 실시예에 따르면, 유지 전극과 주사 전극 각각은 인접한 2개의 표시 라인 공유하는 구조로 배치되어 있기 때문에, 유지 전극과 주사 전극이 하나의 표시 라인을 공유하는 구조에 비해, 유지 전극과 주사 전극의 수를 줄일 수 있다. 예를 들면, 512개의 표시 라인을 구동할 때, 유지 전극과 주사 전극이 하나의 표시 라인을 공유하는 플라즈마 표시 패널에서는 유지 전극과 주사 전극의 수가 각각 512개가 필요하게 된다. 그런데, 본 발명의 제1 실시예와 같이 유지 전극과 주사 전극이 각각 인접한 2개의 표시 라인을 공유하는 플라즈마 표시 패널에서는 유지 전극과 주사 전극이 각각 512개의 절반 정도만 있으면 된다. 즉, 본 발명의 제1 실시예와 같은 플라즈마 표시 패널은 표시 라인의 수를 거의 2배로 늘릴 수 있으며, 유지 전극과 주사 전극이 하나의 표시 라인을 공유하는 플라즈마 표시 패널과 동일한 해상도를 가지는 플라즈마 표시 패널은 설계하는 경우 주사 전극과 유지 전극의 수를 거의 1/2로 줄일 수 있다. As described above, according to the first embodiment of the present invention, since each of the sustain electrodes and the scan electrodes is disposed in a structure sharing two adjacent display lines, compared to the structure in which the sustain electrodes and the scan electrodes share one display line, The number of sustain electrodes and scan electrodes can be reduced. For example, when driving 512 display lines, in a plasma display panel in which the sustain electrode and the scan electrode share one display line, the number of the sustain electrode and the scan electrode is 512, respectively. However, in the plasma display panel in which the sustain electrode and the scan electrode share two adjacent display lines as in the first embodiment of the present invention, only about 512 half of the sustain electrode and the scan electrode are required. That is, the plasma display panel as in the first embodiment of the present invention can almost double the number of display lines, and the plasma display panel has the same resolution as the plasma display panel in which the sustain electrode and the scan electrode share one display line. Panels can reduce the number of scan electrodes and sustain electrodes by almost half when designed.

이러한 플라즈마 표시 패널의 구조는 일 예이며, 아래에서 설명하는 구동 방법이 적용될 수 있는 다른 구조의 패널도 본 발명에 적용될 수 있다. 도 3은 아래에서 설명하는 구동 방법이 적용될 수 있는 다른 전극 배열도를 나타내는 도면이다. The structure of the plasma display panel is an example, and a panel having another structure to which the driving method described below may be applied may also be applied to the present invention. 3 is a diagram illustrating another electrode arrangement diagram to which the driving method described below may be applied.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전극 배열도이다. 도 3에 나타낸 바와 같이 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전극 배열은 유지 전극과 주사 전극이 하나의 표시 라인만을 공유하는 것을 제외하고 본 발명의 제1 실시예와 동일하다. 즉, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널은 주사 전극(Yi)과 유지 전극(Xi+1) 사이에도 격벽(29')이 형성되어, 표시 라인은 동일한 번째에 해당하는 유지 전극(Xi)과 주사 전극(Yi) 사이에만 형성 된다. 그리고, 표시 라인은 동일한 번째에 해당하는 유지 전극(Xi)과 주사 전극(Yi) 사이에만 형성되므로, 도 1과 달리 투명 전극(31b, 32b)는 표시 라인쪽으로만 형성될 수 있다. 따라서, 표시 라인의 수는 제1 실시예에 비해 1/2(즉, n)로 줄어들며 제1 실시예와 동일한 해상도를 설계하는 경우 유지 전극과 주사 전극의 개수가 2배로 증가한다. 그러나 본 발명의 제2 실시예에 따른 전극 배열의 경우에는 아래에서 설명하는 구동 방법이 적용될 때 각 어드레스 기간에서 주사 펄스가 두 개의 주사 전극에 동시에 인가된다. 여기서, 두 개의 주사 전극에 하나의 스캔 회로가 연결되어 각 어드레스 기간에서 주사 펄스가 동시에 두 개의 주사 전극에 동시에 인가되는 것을 제외하고 아래에서 설명되는 구동 방법이 동일하게 적용될 수 있다. 3 is an electrode array diagram of a plasma display panel according to a second exemplary embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, the electrode arrangement of the plasma display panel according to the second embodiment of the present invention is the same as that of the first embodiment of the present invention except that the sustain electrode and the scan electrode share only one display line. That is, in the plasma display panel according to the second embodiment of the present invention, the partition wall 29 'is formed between the scan electrode Yi and the sustain electrode Xi + 1, so that the display line corresponds to the sustain electrode (the same time). It is formed only between Xi) and the scan electrode Yi. Since the display line is formed only between the storage electrode Xi and the scan electrode Yi corresponding to the same time, the transparent electrodes 31b and 32b may be formed only toward the display line, unlike in FIG. 1. Therefore, the number of display lines is reduced to 1/2 (that is, n) compared to the first embodiment, and the number of sustain electrodes and scan electrodes is doubled when the same resolution as the first embodiment is designed. However, in the case of the electrode array according to the second embodiment of the present invention, scan pulses are simultaneously applied to two scan electrodes in each address period when the driving method described below is applied. Here, the driving method described below may be applied in the same manner except that one scan circuit is connected to two scan electrodes so that a scan pulse is simultaneously applied to two scan electrodes simultaneously in each address period.

이하에서는 상기에서 설명한 제1 및 제2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 구조를 가지는 플라즈마 표시 장치를 구동하는 방법에 대해서 설명한다. 여기서, 편의상 도 2에 나타낸 본 발명의 제1 실시예의 플라즈마 표시 패널을 기준으로 플라즈마 표시 장치를 구동하는 방법에 대해서 설명하며, 도 3에 나타낸 본 발명의 제2 실시예의 플라즈마 표시 패널에는 아래의 설명하는 구동 방법에서 각 서브필드의 어드레스 기간에서 인가되는 주사 펄스를 동시에 두 주사 전극에 인가하는 것을 제외하고 동일하다. Hereinafter, a method of driving the plasma display device having the structure of the plasma display panel according to the first and second embodiments described above will be described. Here, for convenience, a method of driving the plasma display device based on the plasma display panel of the first embodiment of the present invention shown in FIG. 2 will be described. The plasma display panel of the second embodiment of the present invention shown in FIG. 3 will be described below. The driving method is the same except that the scan pulses applied in the address period of each subfield are simultaneously applied to the two scan electrodes.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 나타내는 도면이다. 4 is a diagram illustrating a method of driving a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

아래의 설명에서 홀수 번째 유지 전극(Xodd)과 주사 전극(Y1~Yn) 사이에 형 성되는 표시 라인 상의 방전 셀을 "Xodd 라인 셀"이라 하며, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 주사 전극(Y1~Yn) 사이에 형성되는 표시 라인 상의 방전 셀을 "Xeven 라인 셀"이라 한다. 그리고 유지 기간에서 유지 방전이 일어나도록 적절하게 벽 전하가 형성된 방전 셀을 "발광 셀"이라 하며, 유지 기간에서 유지 방전이 일어나지 않도록 적절하게 벽전하가 형성된 방전 셀을 "비발광 셀"이라 한다. 또한, 이전 서브필드에서 유지 방전된 셀 뿐만 아니라 유지 방전되지 않은 셀을 리셋 방전 시켜 초기화하는 리셋 기간을 "메인 리셋 기간(MR)"이라 하며, 이전 서브필드에서 유지 방전된 셀만을 리셋 방전 시켜 초기화하는 리셋 기간을 "선택적 리셋 기간(SR)"이라 한다. 한편, 비발광 셀 상태를 어드레스 방전시켜 발광 셀 상태로 설정하는 어드레싱 방식(즉, 기입 어드레싱 방식)을 적용하는 어드레스 기간을 "기입 어드레스 기간(WA)"이라 하며, 발광 셀 상태를 어드레스 방전시켜 비발광 셀 상태로 설정하는 어드레싱 방식(즉, 소거 어드레싱 방식)을 적용하는 어드레스 기간을 "소거 어드레스 기간(EA)"이라 한다. In the following description, the discharge cells on the display line formed between the odd-numbered sustain electrodes Xodd and the scan electrodes Y1 to Yn are referred to as "Xodd line cells," and the even-numbered sustain electrodes Xeven and the scan electrodes Y1 are described below. The discharge cells on the display lines formed between ˜Yn) are called “Xeven line cells”. The discharge cell in which the wall charges are formed appropriately so that the sustain discharge occurs in the sustain period is called a "light emitting cell", and the discharge cell in which the wall charges are properly formed so that the sustain discharge does not occur in the sustain period is called a "non-light emitting cell". In addition, a reset period for resetting and initializing not only sustain discharged cells in the previous subfield but also non-sustained discharge cells is referred to as a "main reset period MR", and resets only the cells discharged in the previous subfield by reset discharge. The reset period to be referred to as "selective reset period SR". On the other hand, an address period in which an addressing method (i.e., a write addressing method) that applies address discharge to a non-light emitting cell state and sets it as a light emitting cell state is referred to as a "write address period WA", and the light emitting cell state is address discharged to be discharged. The address period to which the addressing method (that is, the erasing addressing method) set to the light emitting cell state is applied is referred to as " erasure address period EA. &Quot;

도 4에 나타낸 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법은 홀수(odd) 프레임과 짝수(even) 프레임으로 나누어져 서로 달리 구동되며, 각 프레임은 복수의 서브필드(SF1~SF10)로 분리되어 구동된다. 각 서브필드(SF1~SF10)는 계조 표시를 위해 소정의 가중치를 가지며, 본 발명의 실시예에서는 각 서브필드(SF1~SF10)의 가중치가 순서대로 {1, 2, 4, 8, 8, 8, 8, 8, 8, 8}을 가지는 것으로 나타내었으나, 이는 하나의 예시에 불과하며 다른 가중치가 설정될 수 있다. As shown in FIG. 4, the driving method of the plasma display device according to the exemplary embodiment of the present invention is driven differently by being divided into an odd frame and an even frame, and each frame is driven in a plurality of subfields SF1 to SF10. Driven separately. Each subfield SF1 to SF10 has a predetermined weight for gray scale display, and in the embodiment of the present invention, the weights of the respective subfields SF1 to SF10 are in the order of {1, 2, 4, 8, 8, 8 , 8, 8, 8, 8}, but this is only one example and other weights may be set.

홀수(odd) 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서, Xodd 라인 셀에 대해서만 서브필드가 수행되며 Xeven 라인 셀에서는 서브필드가 수행되지 않는다. 그리고 짝수(even) 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서는 Xeven 라인 셀에서만 서브필드가 수행되며 Xodd 라인 셀에서는 서브필드가 수행되지 않는다. 이에 따라 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)는 두 프레임마다 한번씩 발광을 수행한다. 즉, 저계조 서브필드인 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)는 전체 셀에 대해서 두 프레임인 홀수 프레임과 짝수 프레임을 통해 표현된다. In the first to third subfields SF1 to SF3 of the odd frame, the subfield is performed only on the Xodd line cell, and the subfield is not performed on the Xeven line cell. Subfields are performed only in Xeven line cells in the first to third subfields SF1 to SF3 of even frames, and no subfields are performed in Xodd line cells. Accordingly, the first to third subfields SF1 to SF3 emit light once every two frames. That is, the first to third subfields SF1 to SF3, which are low gray subfields, are represented by odd frames and even frames, which are two frames for all cells.

홀수(odd) 프레임의 제1 서브필드(SF1)는 메인 리셋 기간(MR), 기입 어드레스 기간(WA) 및 유지 기간(S)을 포함한다. 다음으로, 제2 및 제3 서브필드(SF2, SF3)는 각각 선택적 리셋 기간(SR), 기입 어드레스 기간(WA) 및 유지 기간(S)을 포함한다. 상기에서 설명한 바와 같이 홀수 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서는 각각 Xodd 라인 셀에 대해서만 리셋 기간, 어드레스 기간 및 유지 기간을 수행한다. 한편, 도 4에서는 제2 및 제3 서브필드(SF2, SF3)의 리셋 기간은 리셋 기간 단축 및 콘트라스트를 향상시키기 위해 선택적 리셋 기간(SR)으로 설정하였으나, 메인 리셋 기간(MR)으로 대체될 수 있음은 당연하다. The first subfield SF1 of the odd frame includes a main reset period MR, a write address period WA, and a sustain period S. FIG. Next, the second and third subfields SF2 and SF3 respectively include an optional reset period SR, a write address period WA, and a sustain period S. FIG. As described above, the reset period, the address period, and the sustain period are performed only for the Xodd line cells in the first to third subfields SF1 to SF3 of the odd frame, respectively. Meanwhile, in FIG. 4, the reset periods of the second and third subfields SF2 and SF3 are set to the selective reset period SR to shorten the reset period and improve contrast, but may be replaced with the main reset period MR. Of course it is.

다음으로 홀수(odd) 프레임의 제4 서브필드(SF4)에서는, 먼저 Xodd 라인 셀에 대해서 선택적 리셋 기간(SR), 제1 기입 어드레스 기간(WA1) 및 제1 유지 기간(S1)을 수행한 후, Xeven 라인 셀에 대해서 메인 리셋 기간(MR), 제2 기입 어드레스 기간(WA2) 및 제2 유지 기간(S2)을 수행한다. 여기서, Xeven 라인 셀에 대해서는 이전 서브필드인 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서 어떠한 동작도 수행되지 않았으므로, Xeven 라인 셀을 초기화시키기 위해 메인 리셋 기간(MR)이 수행된다. 한편, 제2 유지 기간(S2)에서 유지 방전이 발생할 때에는, Xodd 라인 셀도 이전에 제1 유지 기간(S1)에서 유지 방전이 발생하였으므로 유지 방전이 중복하여 발생한다. Next, in the fourth subfield SF4 of the odd frame, the selective reset period SR, the first write address period WA1, and the first sustain period S1 are first performed on the Xodd line cell. The main reset period MR, the second write address period WA2 and the second sustain period S2 are performed on the Xeven line cell. Here, since no operation is performed on the first to third subfields SF1 to SF3 which are the previous subfields, the main reset period MR is performed to initialize the Xeven line cells. On the other hand, when sustain discharge occurs in the second sustain period S2, the sustain discharge has also been generated in the Xodd line cell before in the first sustain period S1, so that the sustain discharge overlaps.

제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)에서는 모든 셀(Xodd, Xeven)에 대해서 서브필드 동작이 수행되며, 제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)는 각각 소거 어드레스 기간(EA1, EA2) 및 유지 기간(S1, S2)을 포함한다. 여기서, 제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)에서는, 먼저 Xodd 라인 셀에 대해서 제1 소거 어드레스 기간(EA1)을 수행한 후 제1 유지 기간(S1)을 수행하며, 다음으로 Xeven 라인 셀에 대해서 제2 소거 어드레스 기간(EA2)을 수행한 후 제2 유지 기간(S)을 수행한다. 제4 서브필드(SF4)의 유지 기간에서 유지 방전된 셀은 이미 발광 셀 상태이므로, 제5 서브필드(SF5)의 소거 기간(EA1, EA2)에서는 이러한 발광 셀 중 선택하고자 하는 셀을 비발광 셀 상태로 설정한다. 그리고 제6 서브필드 내지 제10 서브필드(SF6~SF10) 각각의 소거 어드레스 기간(EA1, EA2)에서는 이전 서브필드의 유지 기간에서 유지 방전된 셀(즉, 발광 셀) 중에서 비발광 셀 상태로 설정할 셀을 선택한다. 도 4에서 Xodd 라인 셀 뿐만 아니라 Xeven 라인 셀에 대해서 모두 유지 기간(S1, S2)이 표시되어 있는 부분은, 홀수 번째 유지 전극(Xodd) 및 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 모두 유지 방전 펄스가 인가되어 Xodd 라인 셀 및 Xeven 라인 셀 모두에서 유지 방전이 발생할 수 있음을 나타내는 것이다. Subfield operations are performed on all cells Xodd and Xeven in the fifth to tenth subfields SF5 to SF10, and the erase address periods EA1 and EA2 are respectively performed in the fifth to tenth subfields SF5 to SF10. ) And the sustain periods S1 and S2. In the fifth to tenth subfields SF5 to SF10, first, the first erasing address period EA1 is performed on the Xodd line cell, and then the first sustain period S1 is performed, and then the Xeven line cell is performed. After the second erase address period EA2 is performed, the second sustain period S is performed. Since the cells sustained and discharged in the sustain period of the fourth subfield SF4 are already in the light emitting cell state, in the erasing periods EA1 and EA2 of the fifth subfield SF5, cells to be selected from among those light emitting cells are selected from the non-light emitting cells. Set to state. In the erase address periods EA1 and EA2 of each of the sixth to tenth subfields SF6 to SF10, a non-light emitting cell state is set among the cells discharged and sustained in the sustain period of the previous subfield (that is, light emitting cells). Select the cell. In FIG. 4, sustain discharge pulses are applied to both odd-numbered sustain electrodes Xodd and even-numbered sustain electrodes Xeven in portions where not only Xodd line cells but also Xeven line cells are marked with sustain periods S1 and S2. This indicates that sustain discharge can occur in both the Xodd line cell and the Xeven line cell.

한편, 짝수 프레임(even)에 대한 구동 방법은 홀수 프레임(odd)에 대한 구동 방법에서 Xodd 라인 셀과 Xeven 라인 셀에 대해서 그 순서가 뒤바뀐 것을 제외하고 동일하므로, 이하 구체적 설명은 생략한다. 즉, 짝수 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서는 각각 Xeven 라인 셀에 대해서만 리셋 기간, 기입 어드레스 기간 및 유지 기간을 수행하고, 제4 서브필드(SF4)에서는 먼저 Xeven 라인 셀에 대해서 리셋 기간, 기입 어드레스 기간 및 유지 기간을 수행한 후 Xodd 라인 셀에 대해서 리셋 기간, 기입 어드레스 기간 및 유지 기간을 수행한다. 그리고, 짝수 프레임의 제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)에서는 각각 Xeven 라인 셀에 대해서 소거 어드레스 기간 및 유지 기간을 수행한 후 Xodd 라인 셀에 대해서 소거 어드레스 기간 및 유지 기간을 수행한다. The driving method for the even frame even is the same except that the order of the Xodd line cell and the Xeven line cell is reversed in the driving method for the odd frame odd. That is, in the first to third subfields SF1 to SF3 of the even frames, the reset period, the write address period, and the sustain period are respectively performed only for the Xeven line cells, and in the fourth subfield SF4, first, the Xeven line cells are first performed. After the reset period, the write address period, and the sustain period, the reset period, the write address period, and the sustain period are performed for the Xodd line cells. In the fifth to tenth subfields SF5 to SF10 of even frames, the erase address period and the sustain period are performed for the Xeven line cells, and the erase address period and the sustain period are performed for the Xodd line cells.

도 4에서, 제5 내지 제8 서브필드(SF5~SF10)의 가중치가 각각 제4 서브필드(SF4)와 동일한 가중치와 동일한 가중치를 가지는 것으로 나타내었는데, 이는 소거 어드레스 기간에서 소거 어드레싱 방식이 적용되는 경우에는 소거 어드레스 기간에서 선택되어 비발광된 셀로 설정된 셀은 이후 서브필드에서 다시 발광 셀 상태로 변경될 수 없기 때문이다. 여기서, 제5 내지 제8 서브필드(SF~SF10)의 각각의 가중치를 가중치 8보다 높은 가중치를 설정할 수 있으나, 이 경우에는 256계조가 모두 표현되지 못하므로 표현되지 못하는 계조는 디더링(Dithering) 방법 등을 통해 표현할 수 있다. In FIG. 4, it is shown that the weights of the fifth to eighth subfields SF5 to SF10 have the same weight and the same weight as the fourth subfield SF4, respectively. This is because the cell selected in the erase address period and set to the non-emitted cell cannot be changed back to the light emitting cell state in the subfield. Here, a weight higher than the weight of 8 may be set for each of the weights of the fifth to eighth subfields SF to SF10, but in this case, since 256 gray levels cannot be represented in all, dithering methods Etc. can be expressed.

이하에서는 도 5 내지 도 7을 참조하여, 도 4의 구동 방법을 적용하기 위한 구동 파형에 대해서 상세하게 설명한다. 도 5 내지 도 7에 나타낸 구동 파형은 홀수 프레임에서 인가되는 구동 파형은 나타낸 것이며, 짝수 프레임에 인가되는 구동 파형은 홀수 프레임에 인가되는 구동 파형에서 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 인가하는 구동 파형을 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 인가하는 구동 파형과 서로 반대로 인가하여 구현할 수 있으므로 구체적으로 도면에 나타내지 않았다. 따라서 아래에서는 홀수 프레임에 인가하는 구동 파형을 중심으로 설명한다. Hereinafter, a driving waveform for applying the driving method of FIG. 4 will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 7. 5 to 7 illustrate driving waveforms applied to odd frames, and drive waveforms applied to even frames are driving waveforms applied to odd-numbered sustain electrodes Xodd. Since the driving waveforms applied to the even-numbered sustain electrodes Xeven may be applied opposite to each other, they are not shown in the drawings. Therefore, the following description will focus on driving waveforms applied to odd frames.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에 인가되는 구동 파형을 나타내는 도면이다. 5 is a diagram illustrating driving waveforms applied to first to third subfields SF1 to SF3 among driving waveforms of the plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5에 나타낸 바와 같이, 제1 서브필드는 메인 리셋 기간(MR), 기입 어드레스 기간(WA) 및 유지 기간(S)을 포함하며, 제2 서브필드 및 제3 서브필드는 각각 선택적 리셋 기간(SR), 기입 어드레스 기간(WA) 및 유지 기간(S)을 포함한다. As shown in FIG. 5, the first subfield includes a main reset period MR, a write address period WA, and a sustain period S, and the second subfield and the third subfield each include an optional reset period ( SR), write address period WA, and sustain period S.

여기서, 제1 서브필드(SF1)의 메인 리셋 기간(MR)은 소거 기간(Ⅰ), 상승 기간(Ⅱ) 및 하강 기간(Ⅲ)을 포함한다. Here, the main reset period MR of the first subfield SF1 includes an erase period I, a rising period II, and a falling period III.

메인 리셋 기간(MR)의 소거 기간(Ⅰ)에서는, 홀수 번째 유지 전극(Xodd) 및 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 Ve 전압을 인가한 상태에서, 주사 전극(Y1~Yn)의 전압을 Vs 전압에서 기준 전압(도 5에서는 0V로 나타내었음. 이하 동일함)까지 점진적으로 하강시킨다. 제1 서브필드(SF1)의 이전 서브필드에서 유지 방전된 셀은 유지 전극과 주사 전극에 각각 양(+)의 벽 전하와 음(-)의 벽 전하가 형성되어 있으므로, 소거 기간(I)과 같은 파형을 인가하는 경우 벽 전하가 소거된다. 이에 따라 제1 서브필드(SF1)의 이전 서브필드에서 유지 방전된 셀은 유지 방전되지 않은 셀과 거의 유사한 벽 전하 상태가 된다. 한편, 도 5에서는 제1 서브필드(SF1)의 소거 기간에 인가되는 소거 파형으로서 주사 전극(Y1~Yn)에 점진적으로 하강하는 파 형을 인가하였으나, 그 외에 소거 파형으로서 주사 전극(Y1~Yn)을 기준 전압(0V)으로 바이어스한 상태에서 유지 전극(Xeven, Xodd)의 전압을 점진적으로 상승시키는 파형, 짧은 펄스에 의해 벽 전하를 소거시키는 세폭 펄스 파형 등이 대체될 수 있음은 당연하다. In the erasing period I of the main reset period MR, the voltage of the scan electrodes Y1 to Yn is converted into the Vs voltage while the Ve voltage is applied to the odd sustain electrodes Xodd and the even sustain electrodes Xeven. The voltage is gradually lowered to a reference voltage (denoted by 0 V in FIG. 5, which is the same below). In the cells sustained and discharged in the previous subfield of the first subfield SF1, positive and negative wall charges are formed on the sustain electrode and the scan electrode, respectively, so that the erase period I When the same waveform is applied, the wall charge is erased. As a result, the cells sustained and discharged in the previous subfield of the first subfield SF1 are in a wall charge state similar to those of the cells not sustained and discharged. In FIG. 5, a waveform that gradually descends to the scan electrodes Y1 to Yn as an erase waveform applied to the erase period of the first subfield SF1 is applied. In addition, the scan electrodes Y1 to Yn are erase waveforms as the erase waveform. Is a waveform that gradually raises the voltages of the sustain electrodes Xeven and Xodd, and a narrow pulse waveform that erases wall charges by a short pulse may be replaced.

다음으로 메인 리셋 기간(MR)의 상승 기간(Ⅱ)에서, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 Ve 전압을 인가하고 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 기준 전압(0V)을 인가한 상태에서, 주사 전극(Y1~Yn)의 전압을 Vs 전압에서 Vset 전압까지 점진적으로 상승시킨다. 그리고, 어드레스 전극(A1~Am)에 기준 전압(0V)을 인가한다. 여기서, 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에만 기준 전압(0V)을 인가하므로 주사 전극(Y1~Yn) 중 홀수 번째 유지 전극(Xodd)과 이와 표시 라인을 형성하는 주사 전극(이하, 'Yxo'라 함. 즉 도 2와 같은 제1 실시예의 전극 배열에서는 'Yxo 전극'은 모든 주사 전극(Y1~Yn)에서 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 인접한 주사 전극 영역을 의미하며, 도 3과 같은 제2 실시예의 전극 배열에서는 'Yxo 전극'은 홀수 번째 주사 전극(Yodd)을 의미함. 이하에서 'Yxo'라 함은 이러한 의미로 동일하게 사용함) 사이에서 미약한 방전인 리셋 방전이 발생하며, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에는 Ve 전압을 인가하므로 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 이와 표시 라인을 형성하는 주사 전극(이하, 'Yxe'라 함. 즉 도 2와 같은 제1 실시예의 전극 배열에서는 'Yxe 전극'은 모든 주사 전극(Y1~Yn)에서 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 인접한 주사 전극 영역을 의미하며, 도 3과 같은 제2 실시예의 전극 배열에서는 'Yxe 전극'은 짝수 번째 주사 전극(Yeven)을 의미함. 이하에서 'Yxe'라 함은 이러한 의미로 동일하게 사용 함) 사이에서는 리셋 방전이 발생하지 않는다. 또한, 주사 전극(Y1~Yn)과 어드레스 전극(A1~Am) 사이에서도 미약한 리셋 방전이 일어난다. 이에 따라, 도 2와 같은 제1 실시예의 전극 배열의 경우에는 모든 주사 전극(Y1~Yn)에서 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 인접한 영역(투명 전극)에 음(-)의 벽 전하가 형성되고, 도 3과 같은 제2 실시예의 전극 배열의 경우에는 홀수 번째 주사 전극(Y1, Y3,…)에 음(-)의 벽전하가 형성된다. 즉 주사 전극(Yxo)에 음(-)의 벽 전하가 형성된다. 그리고 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 양(+)의 벽 전하가 형성되며, 어드레스 전극(A1~Am)에 음(-)의 벽 전하가 형성된다. 즉, Xodd 라인 셀에만 리셋 방전이 발생하여 초기화된다. Next, in the rising period II of the main reset period MR, the scan electrode is applied while the Ve voltage is applied to the even sustain electrode Xeven and the reference voltage 0V is applied to the odd sustain electrode Xodd. The voltage of (Y1 ~ Yn) is gradually raised from Vs voltage to Vset voltage. Then, the reference voltage 0V is applied to the address electrodes A1 to Am. Here, since the reference voltage 0V is applied only to the odd sustain electrode Xodd, the odd sustain electrode Xodd among the scan electrodes Y1 to Yn and the scan electrode forming the display line (hereinafter, referred to as 'Yxo'). That is, in the electrode array of the first embodiment as shown in FIG. 2, the 'Yxo electrode' means a scan electrode region adjacent to the odd-numbered sustain electrode Xodd in all scan electrodes Y1 to Yn, and the second embodiment as shown in FIG. In the example electrode array, 'Yxo electrode' means odd-numbered scan electrode (Yodd), where 'Yxo' is used equally in this sense). Since the Ve voltage is applied to the electrode Xeven, the even-numbered sustain electrode Xeven and the scan electrode forming the display line (hereinafter, referred to as' Yxe ') are referred to as' Yxe electrodes in the electrode array of the first embodiment as shown in FIG. Is an even-numbered sustain electrode Xe at all scan electrodes Y1 to Yn. In the electrode array of the second embodiment as shown in Fig. 3, 'Yxe electrode' means even-numbered scan electrode Yeven, and 'Yxe' is the same in this sense. Reset discharge does not occur. In addition, a weak reset discharge occurs between the scan electrodes Y1 to Yn and the address electrodes A1 to Am. Accordingly, in the electrode array of the first embodiment as shown in FIG. 2, negative wall charges are formed in the region (transparent electrode) adjacent to the odd-numbered sustain electrodes Xodd in all scan electrodes Y1 to Yn. In the electrode array of the second embodiment as shown in FIG. 3, negative wall charges are formed on the odd-numbered scan electrodes Y1, Y3,... That is, negative wall charges are formed on the scan electrode Yxo. Positive wall charges are formed on the odd-numbered sustain electrodes Xodd, and negative wall charges are formed on the address electrodes A1 to Am. That is, reset discharge occurs only in the Xodd line cells and is initialized.

그리고 전극의 전압이 도 5와 같이 점진적으로 변하는 경우에는 셀에 미약한 방전이 일어나면서 외부에서 인가된 전압과 셀의 벽 전압의 합이 방전 개시 전압 상태를 유지하도록 벽 전하가 형성된다. 이러한 원리에 대해서 웨버(Weber)의 미국등록특허 제5,745,086에 개시되어 있다. 한편, 제1 서브필드의 메인 리셋 기간에서는 이전 서브필드에서 유지 방전된 셀이든 유지 방전되지 않은 셀이든 초기화하여야 하므로, Vset 전압은 모든 조건의 셀에서 방전이 일어날 수 있을 정도의 높은 전압이다. 또한, Vs 전압은 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(X1~Xn) 사이의 방전 개시 전압보다 낮은 전압으로서, 도 5에서는 전원수를 줄이기 위해 유지 기간에서 인가되는 유지 방전 펄스 전압과 동일한 전압으로 설정하였으나 다른 전압으로 설정될 수 있다. 그리고 Ve 전압은 Vset 전압과 Ve 전압의 차에 의해 주사 전극과 유지 전극 간에 리셋 방전이 일어나지 않도록 적절하게 선택된다. When the voltage of the electrode gradually changes as shown in FIG. 5, a weak discharge occurs in the cell, and the wall charge is formed so that the sum of the voltage applied from the outside and the wall voltage of the cell maintains the discharge start voltage state. This principle is disclosed in US Pat. No. 5,745,086 to Weber. On the other hand, in the main reset period of the first subfield, whether the cell is sustain discharged or not sustain discharged in the previous subfield must be initialized, the Vset voltage is high enough to cause discharge in the cells of all conditions. The voltage Vs is lower than the discharge start voltage between the scan electrodes Y1 to Yn and the sustain electrodes X1 to Xn. In FIG. 5, the voltage Vs is the same as the sustain discharge pulse voltage applied in the sustain period to reduce the number of power supplies. It can be set to other voltage. The Ve voltage is appropriately selected so that reset discharge does not occur between the scan electrode and the sustain electrode due to the difference between the Vset voltage and the Ve voltage.

그리고, 메인 리셋 기간(MR)의 하강 기간(Ⅲ)에서는 주사 전극(Y1~Yn)의 전압을 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 하강시킨다. 이때, 짝수 번째 주사 전극(Xeven)에 기준 전압(0V)을 인가하고 홀수 번째 주사 전극(Xodd)에 Ve 전압을 인가하며, 어드레스 전극(A1~Am)에 기준 전압(0V)을 인가한다. 그러면 주사 전극(Y1~Yn)의 전압이 감소하는 중에, 주사 전극(Yxo)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd) 사이 및 주사 전극(Y1~Xn)과 어드레스 전극(A1~Am) 사이에서 미약한 방전인 리셋 방전이 발생한다. 이에 따라 주사 전극(Yxo)에 형성된 음(-)의 벽 전하, 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 형성된 (+) 벽전하 및 어드레스 전극(A1~Am)에 형성된 양(+)의 벽 전하가 소거된다. 그러나, 앞서 설명한 바와 같이 상승 기간(Ⅱ)에서 주사 전극(Yxe)과 짝수 번째 유지 전극(Xeven) 사이에서 미약한 방전이 발생하지 않았으며, 하강 기간(Ⅲ)에서 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 기준 전압(0V)을 인가하므로, 주사 전극(Yxe)과 짝수 번째 유지 전극(Xeven) 사이에서는 리셋 방전이 발생하지 않는다. 따라서, Xodd 라인 셀에서만 리셋 방전이 발생하여, 비발광 셀로 초기화되며 어드레싱에 적합한 벽적하 상태가 된다. 일반적으로 Ve 전압과 Vnf 전압의 크기는 주사 전극(Yxo)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd) 사이의 벽 전압이 거의 0V가 되도록 설정되어, 어드레스 기간에서 어드레스 방전이 일어나지 않은 셀이 유지 기간에서 오방전하는 것을 방지할 수 있다. 그리고 어드레스 전극(A1~Am)은 기준 전압(0V)으로 유지되어 있으므로 Vnf 전압 레벨에 의해 주사 전극(Yxo)과 어드레스 전극(A1~Am) 사이의 벽 전압이 결정된다. In the falling period III of the main reset period MR, the voltages of the scan electrodes Y1 to Yn are gradually decreased from the voltage Vs to the voltage Vnf. In this case, the reference voltage 0V is applied to the even-numbered scan electrode Xeven, the Ve voltage is applied to the odd-numbered scan electrode Xodd, and the reference voltage 0V is applied to the address electrodes A1 to Am. Then, while the voltage of the scan electrodes Y1 to Yn decreases, the weak discharge is between the scan electrode Yxo and the odd sustain electrode Xodd and between the scan electrodes Y1 to Xn and the address electrodes A1 to Am. In reset discharge occurs. Accordingly, the negative wall charges formed on the scan electrode Yxo, the positive wall charges formed on the odd-numbered sustain electrode Xodd, and the positive wall charges formed on the address electrodes A1 to Am are erased. do. However, as described above, no weak discharge occurred between the scan electrode Yxe and the even-numbered sustain electrode Xeven in the rising period II, and the even-numbered sustain electrode Xeven in the falling period III. Since the reference voltage 0V is applied, no reset discharge occurs between the scan electrode Yxe and the even sustain electrode Xeven. Thus, reset discharge occurs only in the Xodd line cell, and is initialized to the non-light emitting cell, resulting in a wall loading state suitable for addressing. In general, the magnitudes of the Ve voltage and the Vnf voltage are set such that the wall voltage between the scan electrode Yxo and the odd-numbered sustain electrode Xodd becomes almost 0 V, so that cells that do not have an address discharge in the address period are mis-discharged in the sustain period. Can be prevented. Since the address electrodes A1 to Am are maintained at the reference voltage (0 V), the wall voltage between the scan electrode Yxo and the address electrodes A1 to Am is determined by the Vnf voltage level.

이와 같이 제1 서브필드(SF1)의 메인 리셋 기간에서는 Xodd 라인 셀에서만 리셋 방전이 발생하여 어드레싱에 적절한 벽전하 상태가 형성된다. 그러나 Xeven 라인 셀은 리셋 방전이 발생하지 않으므로 어드레싱에 적합한 벽전하 상태가 형성되지 않는다. 한편, Xodd 라인 셀의 벽 전하 상태는 리셋 방전에 의해 비발광 셀 상태가 된다. As described above, in the main reset period of the first subfield SF1, reset discharge occurs only in the Xodd line cell to form a wall charge state suitable for addressing. However, since the Xeven line cell does not generate reset discharge, a wall charge state suitable for addressing is not formed. On the other hand, the wall charge state of the Xodd line cell becomes the non-light emitting cell state by the reset discharge.

다음으로, 제1 서브필드(SF1)의 기입 어드레스 기간(WA)에서는 Xodd 라인 셀 중 발광 셀로 선택할 셀을 선택하기 위해서, 제1 실시예와 같은 전극 배열 구조의 경우에는 주사 전극(Y1~Yn)에 순차적으로 Vscl 전압을 가지는 주사 펄스를 인가하고 Vscl 전압이 인가되지 않는 주사 전극들은 Vsch 전압을 인가하며, 제2 실시예와 같은 전극 배열 구조의 경우에는 인접한 두 주사 전극(Y1-Y2, Y3-Y4, Y5-Y6)에 동시에 순차적으로 Vscl 전압을 가지는 주사 펄스를 인가하고 Vscl 전압이 인가되지 않는 주사 전극들은 Vsch 전압을 인가한다. 예를 들면, 제1 실시예의 전극 배열 구조의 경우에는 Yi 전극에 주사 펄스를 인가한 후 Y(i+1) 전극에 주사 펄스를 인가하나, 제2 실시예의 경우는 Yi-Y(i+1) 전극에 주사 펄스를 동시에 인가한 후 Y(i+2)-Y(i+3) 전극에 주사 펄스를 동시에 인가한다. 그리고 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에는 각각 기준 전압(0V) 및 Ve 전압을 인가한다. 이때, Vscl 전압을 주사 전압이라 하며, Vsch 전압을 비주사 전압이라고도 한다. Vscl 전압이 인가된 주사 전극에 형성되는 복수의 방전 셀 중에서 선택하고자 하는 방전 셀을 통과하는 어드레스 전극에 Va 전압을 가지는 어드레스 펄스를 인가하며, 선택하고자 하지 않는 어드레스 전극은 기준 전압(0V)으로 바이어스 한다. 그러면 Va 전압이 인가된 어드레스 전극과 Vscl 전압이 인가된 주사 전극 및 Ve 전압이 인가된 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 의해 형성되는 셀에서 방전이 일어나 주사 전극에 양(+)의 벽전하, 어드레스 전극 및 유지 전극에 각각 음(-) 벽 전하가 형성된다. 즉, Xodd 라인 셀 중 Va 전압이 인가된 셀에서 어드레스 방전이 발생하여, 비발광 셀 상태에서 발광 셀 상태로 설정된다. 그러나, Xeven 라인 셀은 제1 서브필드의 메인 리셋 기간(MR)에서 초기화되지 않았으며 기입 어드레스 기간(WR)에서도 짝수 번째 유지 전극(Xodd)은 기준 전압으로 바이어스 되어 있으므로, Xeven 라인 셀은 어드레스 방전이 발생하지 않는다. 한편, 제1 서브필드(SF1)의 기입 어드레스 기간(WA)에서는 Xodd 라인 셀 중 선택하고자 하는 방전 셀을 선택하므로, 어드레스 전극에 인가하는 어드레스 펄스는 이에 대응하여 인가한다. Next, in order to select a cell to be selected as a light emitting cell among Xodd line cells in the write address period WA of the first subfield SF1, scan electrodes Y1 to Yn in the case of the electrode array structure as in the first embodiment. Scan pulses having a Vscl voltage are sequentially applied to the scan electrodes, and the scan electrodes to which the Vscl voltage is not applied are applied to the Vsch voltage. In the case of the electrode array structure of the second embodiment, two adjacent scan electrodes Y1-Y2 and Y3- are applied. Y4 and Y5-Y6) are simultaneously applied with a scan pulse having a Vscl voltage and the scan electrodes to which the Vscl voltage is not applied apply a Vsch voltage. For example, in the case of the electrode array structure of the first embodiment, a scan pulse is applied to the Y (i + 1) electrode after the scan pulse is applied to the Yi electrode, whereas in the second embodiment, Yi-Y (i + 1) is applied. ) Scan pulses are simultaneously applied to the electrodes, and scan pulses are simultaneously applied to the Y (i + 2) -Y (i + 3) electrodes. The reference voltage 0V and the Ve voltage are applied to the even-numbered sustain electrode Xeven and the odd-numbered sustain electrode Xodd, respectively. At this time, the Vscl voltage is called a scan voltage, and the Vsch voltage is also called a non-scan voltage. An address pulse having a Va voltage is applied to an address electrode passing through a discharge cell to be selected from among a plurality of discharge cells formed on the scan electrode to which the Vscl voltage is applied, and an address electrode not to be selected is biased to a reference voltage (0V). do. Then, discharge occurs in a cell formed by the address electrode to which the Va voltage is applied, the scan electrode to which the Vscl voltage is applied, and the even-numbered sustain electrode Xeven to which the Ve voltage is applied, so that a positive wall charge and an address are applied to the scan electrode. Negative wall charges are formed on the electrodes and the sustain electrodes, respectively. That is, address discharge occurs in a cell to which Va voltage is applied among the Xodd line cells, and is set from the non-light emitting cell state to the light emitting cell state. However, since the Xeven line cell is not initialized in the main reset period MR of the first subfield, and the even-numbered sustain electrode Xodd is biased to the reference voltage even in the write address period WR, the Xeven line cell is discharged from the address. This does not happen. On the other hand, in the write address period WA of the first subfield SF1, since the discharge cells to be selected are selected from the Xodd line cells, the address pulses applied to the address electrodes are correspondingly applied.

이와 같이 제1 서브필드(SF1)의 기입 어드레스 기간(WA)에서는, 유지 기간에서 발광할 셀을 선택하기 위해 Xodd 라인 방전 셀 중 해당 셀을 방전시켜서 벽전하를 형성시킴으로써 비발광 셀 상태를 발광 셀 상태로 설정한다. As described above, in the write address period WA of the first subfield SF1, in order to select a cell to emit light in the sustain period, the non-light emitting cell state is formed by discharging the corresponding cell among the Xodd line discharge cells to form wall charge. Set to state.

제1 서브필드(SF1)의 유지 기간(S)에서는 유지 방전 전압(Vs)을 가지는 유지 방전 펄스를 교대로 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xodd, Xeven)에 인가한다. 이러한 유지 방전 펄스에 의해, 제1 서브필드의 기입 어드레스 기간(WA)에서 발광 셀 상태로 설정된 셀에서 유지 방전이 발생한다. 여기서 유지 방전 펄스의 개수는 제1 서브필드의 가중치에 맞게 적절하게 선택된다. In the sustain period S of the first subfield SF1, sustain discharge pulses having the sustain discharge voltage Vs are alternately applied to the scan electrodes Y1 to Yn and the sustain electrodes Xodd and Xeven. By this sustain discharge pulse, sustain discharge occurs in the cell set to the light emitting cell state in the write address period WA of the first subfield. The number of sustain discharge pulses is appropriately selected according to the weight of the first subfield.

다음으로, 제2 서브필드(SF2) 및 제3 서브필드(SF3)에 인가되는 구동 파형은 리셋 기간에 인가되는 구동 파형이 다른 것을 제외하고 나머지는 제1 서브필드(SF1)에 인가되는 구동 파형과 동일하므로 이하 중복되는 설명은 생략한다. Next, the driving waveforms applied to the second subfield SF2 and the third subfield SF3 are the driving waveforms applied to the first subfield SF1 except for the different driving waveforms applied in the reset period. Since the description is the same as that in the following, redundant description is omitted.

도 5에 나타낸 바와 같이, 제2 서브필드(SF2) 및 제3 서브필드(SF3)의 리셋 기간은 선택적 리셋 기간(SR)으로서, 주사 전극(Y1~Yn)의 전압을 점진적으로 상승시키지 않고 바로 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 하강시켜, 각각 이전 서브필드에서 유지 방전 셀만을 리셋 방전시킨다. As shown in FIG. 5, the reset periods of the second subfield SF2 and the third subfield SF3 are selective reset periods SR, which do not gradually increase the voltages of the scan electrodes Y1 to Yn. The voltage is gradually lowered from the voltage Vs to the voltage Vnf, so that only the sustain discharge cells are reset discharged in the previous subfield, respectively.

제2 서브필드(SF2)의 이전 서브필드인 제1 서브필드(SF1)의 유지 기간에서, 주사 전극(Y1~Yn)에 마지막 유지 방전 펄스를 인가하므로 유지 방전된 셀(Xodd 라인 셀 중 제1 서브필드에서 유지 방전된 셀을 의미함)의 주사 전극과 유지 전극에 각각 음(-)의 벽 전하 및 양(+)의 벽 전하가 형성된다. 여기서, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 각각 기준 전압(0V) 및 Ve 전압을 인가한 상태에서, 주사 전극(Y1~Yn)에 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 하강하는 전압을 인가한다. 그러면 제1 서브필드(SF1)의 유지 기간에서 유지 방전된 셀에서 리셋 방전이 발생하나, Xodd 라인 셀 중 제1 서브필드(SF1)에서 유지 방전되지 않은 셀은 제1 서브필드(SF1)의 메인 리셋 기간(MR)의 벽 전하 상태를 유지하므로 리셋 방전이 발생하지 않는다. 즉, Xodd 라인 셀 중 제1 서브필드에서 유지 방전되지 않은 셀은 메인 리셋 기간(MR) 종료 후의 벽 전하 상태를 그대로 유지하고 있어서 이를 다시 리셋 방전시킬 필요가 없으므로, 주사 전극(Y1~Yn)에 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 하강하는 전압만을 인가하여 제1 서브필드(SF1)에서 유지 방전된 셀에서만 리셋 방전을 발생시킨다. 한편, 제2 서브필드의 선택적 리셋 기간(SR)에서, 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에만 Ve 전압을 인가하므로 Xodd 라인 셀 중 제1 서브필드(SF1)에서 유지 방전된 셀에서만 리셋 방전이 발생한다. 따라서, 제2 서브 필드(SF2)의 보조 리셋 기간(SR)에서, Xodd 라인 셀 중 제1 서브필드(SF1)에서 유지 방전된 셀은 리셋 방전이 발생하여 초기화되며 Xodd 라인 셀 중 제1 서브필드(SF1)에서 유지 방전되지 않은 셀은 제1 서브필드(SF1)의 메인 리셋 기간(MR) 종료후의 벽 전하 상태를 유지하고 있으므로, Xodd 라인 셀은 모두 비발광 셀 상태로 초기화된다. In the sustain period of the first subfield SF1, which is the previous subfield of the second subfield SF2, the last sustain discharge pulse is applied to the scan electrodes Y1 to Yn, so that the first sustained discharge cell (Xodd line cell) is first. Negative wall charges and positive wall charges are formed on the scan electrodes and the sustain electrodes, respectively. Here, while the reference voltage (0V) and the Ve voltage are applied to the even-numbered sustain electrode Xeven and the odd-numbered sustain electrode Xodd, respectively, the scan electrodes Y1 to Yn gradually fall from the voltage Vs to the voltage Vnf. Apply a voltage to Then, reset discharge occurs in the sustain discharge cells in the sustain period of the first subfield SF1, but the cells not sustain sustained in the first subfield SF1 among the Xodd line cells are the main of the first subfield SF1. Since the wall charge state of the reset period MR is maintained, reset discharge does not occur. That is, the cells not sustain discharged in the first subfield among the Xodd line cells maintain the wall charge state after the main reset period MR, and do not need to be reset and discharged again. Therefore, the scan electrodes Y1 to Yn do not need to be discharged again. The reset discharge is generated only in the cells sustained and discharged in the first subfield SF1 by applying only a voltage falling from the voltage Vs to the voltage Vnf. In the selective reset period SR of the second subfield, the Ve voltage is applied only to the odd-numbered sustain electrodes Xodd, so that reset discharge occurs only in cells sustained and discharged in the first subfield SF1 of the Xodd line cells. . Therefore, in the auxiliary reset period SR of the second subfield SF2, the cells sustained and discharged in the first subfield SF1 among the Xodd line cells are initialized by the occurrence of the reset discharge, and the first subfield among the Xodd line cells. Since the cells that are not sustain discharged in SF1 maintain the wall charge state after the main reset period MR of the first subfield SF1, the Xodd line cells are all initialized to the non-light emitting cell state.

한편, 제3 서브필드(SF3)의 선택적 리셋 기간(SR)의 동작은 제2 서브필드의 선택적 리셋 기간(SR)과 동일하므로 구체적인 설명은 생략한다. 제2 서브필드(SF2) 및 제3 서브필드(SF3) 각각의 유지 기간은 해당 서브필드의 가중치에 맞게 적절하게 유지 방전 펄스 개수가 설정된다. Meanwhile, since the operation of the selective reset period SR of the third subfield SF3 is the same as the selective reset period SR of the second subfield, a detailed description thereof will be omitted. In the sustain period of each of the second subfield SF2 and the third subfield SF3, the number of sustain discharge pulses is appropriately set according to the weight of the corresponding subfield.

이와 같이 도 5에 나타낸 구동 파형을 통해 제1 서브필드 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서는 Xodd 라인 셀에 대해서만 리셋 동작, 기입 어드레싱 동작 및 유지 방전 동작이 수행된다. As described above, the reset operation, the write addressing operation, and the sustain discharge operation are performed only on the Xodd line cells in the first to third subfields SF1 to SF3 through the driving waveform shown in FIG. 5.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제4 서브필드(SF4)에 인가되는 구동 파형을 나타내는 도면이다. FIG. 6 is a diagram illustrating a driving waveform applied to a fourth subfield SF4 among driving waveforms of a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

먼저 Xodd 라인 셀에 대해서 선택적 리셋 기간(SR), 제1 기입 어드레스 기간(WA1) 및 제1 유지 기간(S1)을 수행한다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 제4 서브필드의 가중치를 표현하기 위해서 제1 유지 기간(S1)에 인가하는 유지 방전 펄스의 개수가 달라진 점을 제외하고 제4 서브필드의 선택적 리셋 기간(SR), 제1 기입 어드레스 기간(WA1) 및 제1 유지 기간(S1)은 제2 서브필드 또는 제3 서브필드(SF3)와 동일한 파형을 인가하므로 중복되는 설명은 생략한다. 즉, 선택적 리셋 기간(SR) 에서, 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에만 Ve 전압을 인가한 상태에서 주사 전극(Y1~Yn)의 전압을 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 하강시킴으로써, Xodd 라인 셀을 비발광 셀 상태로 초기화하는 리셋 동작이 수행된다. 다음으로, 제1 기입 어드레스 기간(WA1)에서는 Xodd 라인 셀 중 발광 셀 상태로 설정할 셀을 선택하는 기입 어드레스 동작이 수행되며, 제1 유지 기간(S1)에서는 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xeven, Xodd)에 교대로 유지 방전 펄스가 인가되어 유지 방전 동작이 수행된다. First, the selective reset period SR, the first write address period WA1, and the first sustain period S1 are performed on the Xodd line cell. As shown in FIG. 6, the selective reset period SR of the fourth subfield except that the number of sustain discharge pulses applied to the first sustain period S1 is changed to express the weight of the fourth subfield, Since the first write address period WA1 and the first sustain period S1 apply the same waveform as the second subfield or the third subfield SF3, overlapping description thereof will be omitted. That is, in the selective reset period SR, the Xodd line cell is gradually lowered from the Vs voltage to the Vnf voltage by gradually decreasing the voltage of the scan electrodes Y1 to Yn while the Ve voltage is applied only to the odd-numbered sustain electrodes Xodd. A reset operation for initializing to the non-light emitting cell state is performed. Next, in the first write address period WA1, a write address operation for selecting a cell to be set to the light emitting cell state among the Xodd line cells is performed. In the first sustain period S1, the scan electrodes Y1 to Yn and the sustain electrode are performed. The sustain discharge pulse is alternately applied to (Xeven, Xodd) to perform the sustain discharge operation.

다음으로 Xeven 라인 셀에 대해서 메인 리셋 기간(MR), 제2 기입 어드레스 기간(WA2) 및 제2 유지 기간(S2)을 수행한다. Next, the main reset period MR, the second write address period WA2 and the second sustain period S2 are performed for the Xeven line cell.

도 6에 나타낸 바와 같이, 메인 리셋 기간(MR)에서는 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 각각 기준 전압(0V) 및 Ve 전압을 인가한 상태에서 주사 전극(Y1~Yn)의 전압을 Vs 전압에서 Vset 전압까지 점진적으로 상승시킨 후, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 각각 Ve 전압 및 기준 전압(0V)을 인가한 상태에서 주사 전극(Y1~Yn)에 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 하강하는 전압을 인가한다. 즉, 도 5에 나타낸 제1 서브필드(SF1)의 메인 리셋 기간(MR)에서 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 인가하는 구동 파형이 서로 반대로 인가한다. 따라서, Xeven 라인 셀에서만 리셋 방전이 발생하여 Xeven 라인 셀만이 비발광 상태로 초기화된다. As shown in FIG. 6, in the main reset period MR, the scan electrodes Y1 to Yn are applied with the reference voltage 0V and the Ve voltage applied to the even-numbered sustain electrode Xeven and the odd-numbered sustain electrode Xodd, respectively. ) Is gradually increased from the voltage Vs to the voltage Vset, and then the scan electrode Y1 is applied with the Ve voltage and the reference voltage 0V applied to the even-numbered sustain electrode Xeven and the odd-numbered sustain electrode Xodd, respectively. Apply a voltage gradually dropping from Vs to Vnf. That is, in the main reset period MR of the first subfield SF1 illustrated in FIG. 5, driving waveforms applied to the even-numbered sustain electrode Xeven and the odd-numbered sustain electrode Xodd are applied oppositely. Therefore, reset discharge occurs only in the Xeven line cells, and only the Xeven line cells are initialized to the non-light emitting state.

다음으로, 제2 기입 어드레스 기간(WA2)에서도 제1 서브필드(SF1)의 기입 어드레스 기간(WA)과 반대로, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극 (Xodd)에 각각 Ve 전압과 기준 전압(0V)을 인가하므로, Xeven 라인 셀에서만 기입 어드레싱 동작이 수행된다. Next, in the second write address period WA2, the Ve voltage and the reference are respectively applied to the even-numbered sustain electrode Xeven and the odd-numbered sustain electrode Xodd as opposed to the write address period WA of the first subfield SF1. Since the voltage (0V) is applied, the write addressing operation is performed only in the Xeven line cell.

그리고, 제2 유지 기간(S2)에서는 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xeven, Xodd)에 교대로 유지 방전 펄스를 인가하여 제2 기입 어드레스 기간(WA2)에서 선택된 셀에서 유지 방전이 발생한다. 이때, 제1 유지 기간(S1)에서 유지 방전된 셀은 메인 리셋 기간(MR) 및 제2 기입 어드레스 기간(WA2)에서 방전이 발생하지 않아 발광 셀 상태를 그대로 유지하고 있으므로, 제1 유지 기간(S1)에서 유지 방전된 셀도 제2 유지 기간(S2)에서 유지 방전 펄스가 인가될 때 유지 방전이 발생한다. 즉, 제1 기입 어드레스 기간(WA1)에서 선택되어 발광 셀 상태로 설정된 셀과 제2 기입 어드레스 기간(WA2)에서 선택되어 발광 셀 상태로 설정된 셀도 제2 유지 기간(S2)에서 유지 방전된다. 따라서, Xodd 라인 셀은 제1 유지 기간 및 제2 유지 기간에서 유지 방전되므로, Xeven 라인 셀보다 더욱 많은 회수의 유지 방전이 발생한다. 이러한 제4 서브필드(SF4)에서 Xodd 라인 셀과 Xeven 라인 셀에 대한 유지 방전 회수의 차이는 아래에서 설명하는 바와 같이 프레임간에 유지 방전 회수가 동일하게 조절된다. In the second sustain period S2, sustain discharge pulses are alternately applied to the scan electrodes Y1 to Yn and the sustain electrodes Xeven and Xodd to generate sustain discharge in the selected cell in the second write address period WA2. do. At this time, the cells sustained and discharged in the first sustain period S1 are not discharged in the main reset period MR and the second write address period WA2 and thus maintain the light emitting cell state as they are. The sustain discharge is also generated when the sustain discharge pulse is applied to the cell sustained and discharged in S1) in the second sustain period S2. That is, the cells selected in the first write address period WA1 and set to the light emitting cell state and the cells selected in the second write address period WA2 and set to the light emitting cell state are also sustained and discharged in the second sustain period S2. Therefore, since the Xodd line cell is sustain discharged in the first sustain period and the second sustain period, more times more sustain discharges occur than the Xeven line cells. In the fourth subfield SF4, the difference in the number of sustain discharges for the Xodd line cell and the Xeven line cell is equally adjusted between frames as described below.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제5 서브필드(SF5)에 인가되는 구동 파형을 나타내는 도면이다. FIG. 7 is a diagram illustrating a driving waveform applied to a fifth subfield SF5 among driving waveforms of a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 7에 나타낸 바와 같이, 제5 서브필드(SF5)는 Xodd 라인 셀에 대해서 적용하는 제1 소거 어드레스 기간(EA1) 및 제1 유지 기간(S1), Xeven 라인 셀에 대해서 적용하는 제2 소거 어드레스 기간(EA2) 및 제2 유지 기간(S2)을 포함한다. 한편, 소거 어드레싱 방식을 적용하기 위해서는 셀이 발광 셀 상태에 있어야 하는데 제4 서브필드(SF4)에서 유지 방전된 셀은 발광 셀 상태에 있으므로 도 7에서 나타낸 바와 같이 바로 제5 서브필드(SF5)는 제1 소거 어드레스 기간이 바로 위치할 수 있다. As shown in FIG. 7, the fifth subfield SF5 includes a first erase address period EA1 and a first sustain period S1 applied to the Xodd line cell, and a second erase address applied to the Xeven line cell. Period EA2 and second sustain period S2. In order to apply the erasure addressing scheme, the cell must be in the light emitting cell state. However, since the cell sustained and discharged in the fourth subfield SF4 is in the light emitting cell state, the fifth subfield SF5 is immediately represented as shown in FIG. 7. The first erase address period may be located immediately.

먼저 제5 서브필드(SF5)의 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서는, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 각각 접지 전압(0V) 및 Ve' 전압을 인가한다. 이때, 제1 실시예와 같은 전극 배열 구조의 경우에는 주사 전극(Y1~Yn)에 순차적으로 Vscl' 전압을 가지는 주사 펄스를 인가하고 Vscl 전압이 인가되지 않는 주사 전극들은 Vsch' 전압을 인가하며, 제2 실시예와 같은 전극 배열 구조의 경우에는 인접한 두 주사 전극(Y1-Y2, Y3-Y4, Y5-Y6)에 동시에 순차적으로 Vscl' 전압을 가지는 주사 펄스를 인가하고 Vscl' 전압이 인가되지 않는 주사 전극들은 Vsch' 전압을 인가한다. 여기서, Ve' 전압은 제1 내지 제4 서브필드의 기입 어드레스 기간에 인가되는 Ve 전압보다 낮은 전압으로 설정된다. 제4 서브필드(SF4)의 제2 유지 기간(S2)에서 마지막으로 주사 전극(Y1~Yn)에 유지 방전 펄스가 인가되므로, 제4 서브필드의 유지 기간에서 유지 방전된 셀의 주사 전극과 유지 전극에 각각 음(-)의 벽 전하 및 양(+)의 벽 전하가 형성된다. 이 유지 방전된 셀의 벽 전하에 의한 벽 전압에 주사 전압(Vscl')과 어드레스 전압(Va')의 차(Va'+|Vscl'|)가 더해져, 주사 전압(Vscl')이 인가된 주사 전극과 어드레스 전압(Va')이 인가된 어드레스 전극 사이에 방전이 발생하며, 이 방전에 의해 주사 전극과 Ve' 전압이 인가된 홀수 번째 유지 전극(Xodd) 사이에 방전이 확산되어 벽 전하 가 소실됨으로써 발광 상태에서 비발광 상태로 변동된다. 그러나, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)은 기준 전압(0V)으로 바이어스 되어 있으므로 주사 전극과 어드레스 전극에 각각 주사 전압(Vscl') 및 어드레스 전압(Va')이 인가된다 하더라도 주사 전극과 어드레스 전극간에만 미약한 방전이 발생하고 짝수 번째 유지 전극(Xeven)으로 방전이 확산되지 않으며, 이에 따라 Xeven 라인 셀은 주사 전압(Vscl')과 어드레스 전압(Va')이 인가되더라도 소거 어드레싱 동작이 이루어지지 않는다. Ve' 전압이 인가된 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 의해 형성되는 셀인 Xodd 라인 셀은 주사 전압(Vscl')과 어드레스 전압(Va')에 의해 소거 어드레싱 동작이 가능하나, Ve' 전압이 인가되지 않은 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 의해 형성되는 셀인 Xeven 라인 셀은 주사 전압(Vscl')과 어드레스 전압(Va')에 의해서도 소거 어드레싱 동작이 발생하지 않는다. 즉, Ve' 전압이 인가되는지 여부에 따라 소거 어드레싱 동작의 성공 여부가 결정된다. 따라서, 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서는 Xeven 라인 셀 중 선택된 셀만이 발광 상태에서 비발광 상태로 변동되어 소거 어드레싱 동작이 수행된다. First, in the first erase address period EA1 of the fifth subfield SF5, the ground voltage 0V and the Ve ′ voltage are applied to the even-numbered sustain electrode Xeven and the odd-numbered sustain electrode Xodd, respectively. In this case, in the case of the electrode array structure as in the first embodiment, scan pulses having a Vscl 'voltage are sequentially applied to the scan electrodes Y1 to Yn, and scan electrodes to which the Vscl voltage is not applied apply Vsch' voltage. In the case of the electrode array structure as in the second embodiment, scan pulses having the voltage Vscl 'are sequentially applied to two adjacent scan electrodes Y1-Y2, Y3-Y4, and Y5-Y6 simultaneously, and the voltage Vscl' is not applied. The scan electrodes apply a Vsch 'voltage. Here, the Ve 'voltage is set to a voltage lower than the Ve voltage applied to the write address periods of the first to fourth subfields. Since the sustain discharge pulse is applied to the scan electrodes Y1 to Yn last in the second sustain period S2 of the fourth subfield SF4, the scan electrode and the sustain of the cell discharged and sustained in the sustain period of the fourth subfield SF4 are sustained. Negative wall charges and positive wall charges are formed on the electrodes, respectively. Scanned to which the scan voltage Vscl 'and the difference between the address voltage Va' and Va '+ | Vscl' | are added to the wall voltage caused by the wall charge of the sustain discharged cell, and the scan voltage Vscl 'is applied. The discharge is generated between the electrode and the address electrode to which the address voltage Va 'is applied, and the discharge diffuses between the scan electrode and the odd-numbered sustain electrode Xodd to which the Ve' voltage is applied, and thus the wall charge is lost. This changes from the light emitting state to the non-light emitting state. However, since the even-numbered sustain electrode Xeven is biased to the reference voltage (0V), even if the scan voltage Vscl 'and the address voltage Va' are applied to the scan electrode and the address electrode, only between the scan electrode and the address electrode. The weak discharge occurs and the discharge does not diffuse to the even-numbered sustain electrode Xeven, and thus the erase addressing operation is not performed even if the scan voltage Vscl 'and the address voltage Va' are applied to the Xeven line cell. The Xodd line cell, which is a cell formed by the odd-numbered sustain electrode Xodd to which the Ve 'voltage is applied, can perform an erase addressing operation by the scan voltage Vscl' and the address voltage Va ', but the Ve' voltage is not applied. The Xeven line cell, which is a cell formed by the even-numbered sustain electrode Xeven, does not generate an erase addressing operation even by the scan voltage Vscl 'and the address voltage Va'. That is, whether the erase addressing operation is successful depends on whether the Ve ′ voltage is applied. Accordingly, in the first erase address period EA1, only selected cells of the Xeven line cells are changed from the light emitting state to the non-light emitting state so that the erase addressing operation is performed.

한편, 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 인가되는 Ve' 전압 레벨은 상기에서 설명한 바와 같이 Ve 전압레벨보다 낮은 레벨로 설정한다. 이는 제4 서브필드(SF4)의 유지 기간에서 유지 방전된 셀은 마지막 유지 방전 펄스가 주사 전극(Y1~Yn)에 인가되어 유지 방전된 셀의 주사 전극과 유지 전극에는 각각 음(-)의 벽 전하 및 양(+)의 벽 전하가 많이 형성되며, 이에 따라 Ve 전압레벨보다 다소 낮은 Ve' 전압레벨로도 소거 어드레싱 동작이 가능하다. 그러나, 제1 내지 제4 서브필 드(SF1~SF4)의 기입 어드레스 기간에 인가되는 Ve 전압은 리셋 기간 후의 벽 전하가 다소 적게 존재하므로 다소 높은 전압레벨로 설정한다. 한편, 도 7에서, 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서의 주사 전압(Vscl')과 비주사 전압(Vsch')을 각각 제1 내지 제4 서브필드(SF1~SF4)의 기입 어드레스 기간에서의 주사 전압(Vscl)과 비주사 전압(Vsch)보다 높은 레벨로 설정할 수도 있는데, 이는 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서의 소거 동작은 유지 방전된 셀을 비발광 셀 상태로 설정하는 것이므로 주사 전압과 비주사 전압을 각각 기입 어드레스 기간에서의 주사 전압과 비주사 전압보다 다소 높은 레벨로 설정할 수 있다. 그리고, 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 인가되는 주사 펄스의 폭도 제1 내지 제4 서브필드(SF1~SF4)의 기입 어드레스 기간에서 인가되는 주사 펄스 폭보다 줄일 수 있다. 소거 어드레싱 동작은 발광 셀 상태를 비발광 셀 상태로 설정하는 것이므로, 방전에 의해 벽 전하가 형성되는 시간을 확보해주지 않도록 하기 위해 주사 펄스 폭을 기입 어드레싱 동작 시의 주사 펄스 폭보다 줄일 수 있다. On the other hand, the Ve 'voltage level applied in the first erase address period EA1 is set to a level lower than the Ve voltage level as described above. This is because the last sustain discharge pulse is applied to the scan electrodes Y1 to Yn in the sustain discharge cell in the sustain period of the fourth subfield SF4, and the negative and negative walls are respectively applied to the scan electrode and the sustain electrode of the sustain discharge cell. A large amount of charges and positive wall charges are formed, thereby enabling erasure addressing even at a Ve 'voltage level slightly lower than the Ve voltage level. However, the Ve voltage applied to the write address periods of the first to fourth subfields SF1 to SF4 is set to a slightly higher voltage level since the wall charges after the reset period are somewhat smaller. In FIG. 7, the scan voltage Vscl 'and the non-scan voltage Vsch' in the first erase address period EA1 are respectively set in the write address periods of the first to fourth subfields SF1 to SF4. The scan voltage Vscl and the non-scan voltage Vsch may be set higher than each other. Since the erase operation in the first erase address period EA1 sets the sustain discharged cell to the non-light emitting cell state, The non-scan voltage can be set to a level slightly higher than the scan voltage and the non-scan voltage in the write address period, respectively. The width of the scan pulse applied in the first erase address period EA1 may also be smaller than the scan pulse width applied in the write address periods of the first to fourth subfields SF1 to SF4. Since the erase addressing operation is to set the light emitting cell state to the non-light emitting cell state, the scan pulse width can be reduced from the scan pulse width during the write addressing operation so as not to secure the time for the wall charges to be formed by the discharge.

제5 서브필드(SF5)의 제1 유지 기간(S1)에서는 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xodd, Xeven)에 교대로 유지 방전 펄스를 인가하여, 발광 셀 상태로 남아 있는 셀을 유지 방전시킨다. 이때 유지 방전 펄스 개수는 제5 서브필드(SF5)의 가중치에 대응하여 적절하게 선택된다. In the first sustain period S1 of the fifth subfield SF5, sustain discharge pulses are alternately applied to the scan electrodes Y1 to Yn and the sustain electrodes Xodd and Xeven to hold the cells remaining in the light emitting cell state. Discharge. At this time, the number of sustain discharge pulses is appropriately selected corresponding to the weight of the fifth subfield SF5.

한편, 제1 유지 기간(S1)에 인가되는 유지 방전 펄스는 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 일부 소실된 Xeven 라인 셀의 벽 전하를 보충하는 역할을 한다. 상기에서 설명한 바와 같이, 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 주사 전극과 어드레스 전극에 각각 주사 전압(Vscl')과 어드레스 전압(Va')을 인가할 시 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 기준 전압(0V)을 인가하더라도 Xeven 라인 셀의 주사 전극과 어드레스 전극간에는 미약한 방전이 발생한다. 이에 따라 Xeven 라인 셀 중 발광 셀 상태에 있는 셀의 어드레스 전극에 형성되어 있는 벽 전하가 소실되어, 제2 소거 어드레스 기간(EA2)에서 제대로 소거 어드레싱되지 않을 수 있다. 그러나 이러한 소실된 벽 전하는 제2 유지 기간(S2)에 의해 보충된다. Xeven 라인 셀은 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 선택되지 않으므로 Xeven 라인 셀 중 발광 셀은 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 일부 벽 전하가 소실된다 하더라도 제1 유지 기간(S1)에서 유지 방전 펄스가 인가될 때는 유지 방전이 발생하며, 이 유지 방전에 의해 소실된 벽 전하가 보충된다. On the other hand, the sustain discharge pulse applied in the first sustain period S1 serves to compensate for the wall charges of the Xeven line cells partially lost in the first erase address period EA1. As described above, when the scan voltage Vscl 'and the address voltage Va' are applied to the scan electrode and the address electrode in the first erasing address period EA1, the reference voltage is applied to the even-numbered sustain electrode Xeven. Even when 0 V) is applied, a weak discharge occurs between the scan electrode and the address electrode of the Xeven line cell. Accordingly, the wall charges formed in the address electrodes of the cells in the light emitting cell state among the Xeven line cells may be lost, and may not be properly erased in the second erase address period EA2. However, this lost wall charge is supplemented by the second holding period S2. Since the Xeven line cells are not selected in the first erase address period EA1, the light emitting cells of the Xeven line cells are sustain discharge pulses in the first sustain period S1 even though some wall charges are lost in the first erase address period EA1. When is applied, sustain discharge occurs, and the wall charges lost by this sustain discharge are supplemented.

다음으로, 제2 소거 어드레스 기간(EA2)에서는 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 각각 Ve' 전압과 기준 전압(0V)을 인가한다. 그리고, 제1 실시예와 같은 전극 배열 구조의 경우에는 주사 전극(Y1~Yn)에 순차적으로 Vscl' 전압을 가지는 주사 펄스를 인가하고 Vscl' 전압이 인가되지 않는 주사 전극들은 Vsch' 전압을 인가하며, 제2 실시예와 같은 전극 배열 구조의 경우에는 인접한 두 주사 전극(Y1-Y2, Y3-Y4, Y5-Y6)에 동시에 순차적으로 Vscl 전압을 가지는 주사 펄스를 인가하고 Vscl' 전압이 인가되지 않는 주사 전극들은 Vsch' 전압을 인가한다. 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에만 Ve' 전압을 인가하고 있으므로, 제2 소거 어드레스 기간(EA2)에서는 제1 소거 어드레스 기간(EA1)과 반대로 짝수 라인 셀 중 비발광 셀로 선택할 셀이 선택된다. Next, in the second erase address period EA2, the Ve ′ voltage and the reference voltage 0V are applied to the even-numbered sustain electrode Xeven and the odd-numbered sustain electrode Xodd, respectively. In the electrode array structure of the first embodiment, scan pulses having a Vscl 'voltage are sequentially applied to the scan electrodes Y1 to Yn, and scan electrodes to which the Vscl' voltage is not applied are applied to the scan electrodes. In the case of the electrode array structure as in the second embodiment, a scan pulse having a Vscl voltage is sequentially applied to two adjacent scan electrodes Y1-Y2, Y3-Y4, and Y5-Y6 simultaneously and the Vscl 'voltage is not applied. The scan electrodes apply a Vsch 'voltage. Since the Ve ′ voltage is applied only to the even sustain electrode Xeven, a cell to be selected as a non-light emitting cell among even-numbered line cells is selected in the second erase address period EA2 as opposed to the first erase address period EA1.

그리고 제2 유지 기간(S2)에서 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xodd, Xeven)에 교대로 유지 방전 펄스가 인가된다. 그러면, 발광 상태로 남아 있는 셀이 유지 방전한다. 여기서, 제2 유지 기간(S2)에 인가되는 유지 방전 펄스 개수는 Xodd 라인 셀과 Xeven 라인 셀의 유지 방전 회수를 맞추기 위해서 제1 유지 기간(S1)에 인가되는 유지 방전 펄스 개수와 동일하게 설정한다. 한편, 제2 소거 어드레스 기간(EA2)에서도 Xodd 라인 셀 중 발광 셀 상태로 남아 있는 셀의 벽 전하가 일부 소거되나 이 소실된 벽전하는 제1 유지 기간(S1)과 마찬가지로 제2 유지 기간(S2)에서의 유지 방전에 의해 보충된다. 이를 통해 제5 서브필드(SF5)의 다음 서브필드인 제6 서브필드(SF1)의 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 Xodd 라인 셀이 제대로 소거 어드레싱 동작이 수행되도록 한다. In the second sustain period S2, sustain discharge pulses are alternately applied to the scan electrodes Y1 to Yn and the sustain electrodes Xodd and Xeven. Then, the cells remaining in the light emitting state are sustained and discharged. Here, the number of sustain discharge pulses applied in the second sustain period S2 is set equal to the number of sustain discharge pulses applied in the first sustain period S1 in order to match the number of sustain discharges of the Xodd line cell and the Xeven line cell. . Meanwhile, in the second erase address period EA2, the wall charges of the cells remaining in the light emitting cell state among the Xodd line cells are partially erased, but the lost wall charges are similar to the first sustain period S1. It is supplemented by the sustain discharge at. As a result, the Xodd line cell performs an erase addressing operation properly in the first erase address period EA1 of the sixth subfield SF1, which is the next subfield of the fifth subfield SF5.

한편, 제6 서브필드 내지 제10 서브필드(SF6~SF10)에 인가되는 구동 파형은 도 8에 나타낸 제5 서브필드(SF5)의 구동 파형과 동일하므로 이하에서 설명을 생략한다. In addition, since the driving waveforms applied to the sixth to tenth subfields SF6 to SF10 are the same as the driving waveforms of the fifth subfield SF5 shown in FIG. 8, description thereof is omitted below.

여기서, 제5 서브필드 내지 제10 서브필드(SF5~SF10) 각각에서는 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 Xodd 라인 셀에 대해서 소거 어드레싱 방식을 먼저 적용하고 그 다음에 제2 소거 어드레스 기간에서 Xeven 라인 셀에 대해서 소거 어드레싱 방식을 적용한다. 따라서, 동일 서브필드에서 발광 상태에서 비발광 상태로 변동되더라도, Xeven 라인 셀은 제1 유지 기간(S1) 후에 소거 어드레싱 방식이 적용되므로 유지 방전 회수가 제1 유지 기간(S1)의 유지 방전 회수만큼 더 많이 발생한다. 그러나, 앞서 설명한 바와 같이 제4 서브필드(SF4)에서는 Xodd 라인 셀은 제4 서브필드(SF4)의 제1 유지 기간(S1) 및 제2 유지 기간(S2)에서 모두 발광하므로 Xodd 라인 셀이 Xeven 라인 셀보다 유지 방전 회수가 더 많이 발생되며, 이에 따라 제4 서브필드 내지 제10 서브필드(SF4~SF10) 전체에서 보면 Xodd 라인 셀과 Xeven 라인 셀간에 유지 방전 회수가 동일하게 된다. Here, in each of the fifth to tenth subfields SF5 to SF10, an erase addressing scheme is first applied to the Xodd line cell in the first erase address period EA1, and then the Xeven line in the second erase address period. An erase addressing scheme is applied to the cell. Therefore, even if the light emission state is changed from the light emitting state to the non-light emitting state in the same subfield, since the erase addressing method is applied after the first sustain period S1, the number of sustain discharges is equal to the number of sustain discharges in the first sustain period S1. Occurs more. However, as described above, in the fourth subfield SF4, the Xodd line cell emits light in both the first sustain period S1 and the second sustain period S2 of the fourth subfield SF4, so that the Xodd line cell is Xeven. The number of sustain discharges is greater than that of the line cells, and accordingly, the number of sustain discharges is the same between the Xodd line cells and the Xeven line cells in all of the fourth to tenth subfields SF4 to SF10.

한편, 상기에서 설명한 바와 같이 제4 서브필드(SF4)에서 Xodd 라인 셀은 Xeven 라인 셀보다 유지 방전 회수가 더 많으므로, 제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)에서 소거 어드레싱 되지 않고 모두 발광하는 셀의 경우 Xodd 라인 셀이 Xeven 라인 셀보다 유지 방전 회수가 더 많아진다. 이처럼 하나의 프레임의 입장에서 보면 Xodd 라인 셀이 Xeven 라인 셀보다 유지 방전 회수가 더 많지만, 짝수(even) 프레임에서는 홀수 프레임의 어드레싱 순서와 반대로 Xeven 라인 셀 어드레싱 후 Xodd 라인 셀이 어드레싱되므로 두 프레임 주기로 보면 전체 유지 방광 회수는 동일하게 된다. On the other hand, as described above, since the Xodd line cells have more sustain discharge times than the Xeven line cells in the fourth subfield SF4, all of the light emission is performed without being erased addressed in the fifth to tenth subfields SF5 to SF10. In the case of the cell, the number of sustain discharges is greater in the Xodd line cell than in the Xeven line cell. From the standpoint of one frame, Xodd line cells have more sustain discharge discharges than Xeven line cells, but in even frames, Xodd line cells are addressed after Xeven line cell addressing as opposed to the addressing order of odd frames. The overall maintenance bladder count is the same.

상기 설명한 플라즈마 표시 장치의 구동 파형은 홀수 프레임에 인가되는 구동 파형을 나타낸 것이나, 짝수 프레임이 인가되는 구동 파형은 도 5 내지 도 7의 구동 파형에서 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 인가하는 구동 파형을 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 인가하는 구동 파형과 서로 바꾸어서 인가한다. 짝수 프레임에 인가되는 구동 파형에 대한 구체적인 방법은 상기 설명을 바탕으로 당업자라면 쉽게 구현할 수 있으므로 이하 구체적 설명은 생략한다. The driving waveform of the plasma display device described above is a driving waveform applied to an odd frame, but the driving waveform to which an even frame is applied is a driving waveform applied to the odd sustain electrode Xodd in the driving waveforms of FIGS. 5 to 7. The driving waveforms applied to the even-numbered sustain electrodes Xeven are alternately applied. Since a specific method for the driving waveform applied to the even frame can be easily implemented by those skilled in the art based on the above description, a detailed description thereof will be omitted.

상기에서 설명한 본 발명의 실시예에 따른 구동 방법 및 구동 파형을 도 2에 나타낸 제1 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널에 인가하는 경우 스캔 회로의 개수 를 줄일 수 있다. 도 2에서 설명한 바와 같이 제1 실시예에 다른 플라즈마 표시 패널은 동일한 해상도를 가지는 플라즈마 표시 패널을 설계하는 경우 주사 전극 및 유지 전극의 총 개수를 종래( 유지 전극과 주사 전극이 하나의 표시 라인을 공유하는 플라즈마 표시 패널의 구조를 말함. 이하 동일함)보다 1/2 가량 줄일 수 있으며, 이에 따라 각 주사 전극(Y1~Yn)을 구동하는 스캔 회로도 종래보다 1/2 가량 줄일 수 있다. 그리고, 도 3과 같은 플라즈마 표시 패널에 상기에서 설명한 본 발명의 실시예에 따른 구동 방법 및 구동 파형에 인가하는 경우에도 스캔 회로의 개수를 줄일 수 있다. 도 3에서 설명한 바와 제2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널을 제1 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널과 동일한 해상도로 설계하는 경우 주사 전극과 유지 전극의 총 개수가 2배 가량 증가하나, 어드레스 기간에서 주사 펄스를 인가할 시에 인접한 두 주사 전극에 동시에 주사 펄스를 인가한다. 인접한 두 주사 전극에 동시에 주사 펄스를 인가할 수 있으므로, 인접한 두 주사 전극은 하나의 스캔 회로를 공유할 수 있다. 이에 따라 스캔 회로를 종래보다 1/2 가량 줄일 수 있다. When the driving method and driving waveform according to the embodiment of the present invention described above are applied to the plasma display panel according to the first embodiment shown in FIG. 2, the number of scan circuits can be reduced. As described with reference to FIG. 2, in the case of designing a plasma display panel having the same resolution, the plasma display panel according to the first embodiment has a total number of scan electrodes and sustain electrodes (the sustain electrodes and the scan electrodes share one display line). The structure of the plasma display panel, which is the same below, can be reduced by about 1/2, and accordingly, the scan circuit for driving each of the scan electrodes Y1 to Yn can be reduced by about 1/2 compared to the conventional method. The number of scan circuits can be reduced even when applied to the driving method and driving waveform according to the embodiment of the present invention described above to the plasma display panel as shown in FIG. 3. When the plasma display panel according to the second embodiment is designed with the same resolution as the plasma display panel according to the first embodiment as described above with reference to FIG. 3, the total number of the scan electrodes and the sustain electrodes is increased by about two times. In applying the pulse, a scan pulse is simultaneously applied to two adjacent scan electrodes. Since scan pulses can be applied to two adjacent scan electrodes at the same time, two adjacent scan electrodes can share one scan circuit. Accordingly, the scan circuit can be reduced by about 1/2 of the conventional method.

그리고 본 발명의 실시예에 따른 구동 방법 및 구동 파형을 적용하는 경우 콘트라스트(Contrast)가 향상된다. 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3) 각각에서는 Xodd 라인 셀에서만 리셋 기간에서 리셋 방전이 발생하므로, Xodd 라인 셀 및 Xeven 라인 셀 모두에서 리셋 방전을 발생시키는 경우보다 더욱 콘트라스를 줄일 수 있다. 또한, 제5 서브필드 내지 제10 서브필드(SF5~SF10) 각각에서는 제4 서브필드(SF4)에서 유지 방전된 셀에 소거 어드레싱 방식이 적용되어 리셋 방전이 필요 없으므로 더욱 콘트라스트(Contrast)를 줄일 수 있다. 한편, 제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)에서는 소거 어드레스 방식이 적용되므로 스캔 펄스의 폭을 줄일 수 있어, 고속 어드레싱이 가능하다. In addition, when the driving method and the driving waveform according to the embodiment of the present invention are applied, contrast is improved. In each of the first to third subfields SF1 to SF3, since reset discharge occurs in the reset period only in the Xodd line cell, the contrast can be further reduced than in the case where the reset discharge is generated in both the Xodd line cell and the Xeven line cell. In addition, in each of the fifth to tenth subfields SF5 to SF10, an erase addressing method is applied to the cells sustained and discharged in the fourth subfield SF4, so that reset discharge is not required, thereby further reducing contrast. have. On the other hand, since the erase address method is applied to the fifth to tenth subfields SF5 to SF10, the width of the scan pulse can be reduced, thereby enabling high-speed addressing.

한편, 상기에서 도 4 내지 도 7에서 설명한 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법과 같이 하나의 프레임에서 기입 어드레스 방식과 소거 어드레스 방식을 혼용하여 서브필드를 구현하는 경우, 다음 프레임의 메인 리셋 기간에서의 리셋 방전이 제대로 이루어지 않을 수 있다. 도 5 또는 도 6에 나타낸 메인 리셋 기간(MR)에서의 인가되는 구동 파형은 각 서브필드에서 기입 어드레스 방식이 적용되는 것을 감안하여 설계된 것이나, 본 발명의 실시예와 같이 기입 어드레스 방식과 소거 어드레스 방식을 혼용하는 경우 소거 어드레스 방식에 의해 비발광 셀 상태로 설정된 셀에서는 리셋 방전이 제대로 이루지지 않을 수 있다. 즉, 도 5 또는 도 6에 나타낸 메인 리셋 기간(MR)의 구동 파형은 기입 어드레스 방전을 감안하여 설계된 것이므로 제5 서브필드 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)에서 선택되지 않은 셀을 초기화하는데는 문제가 되지 않으나, 소거 어드레스 방식이 적용된 방전 셀의 경우에는 기입 어드레스 방식이 적용된 셀의 벽전하 상태와 달라 도 5 또는 도 6에 나타낸 메인 레싯 기간(MR)의 구동 파형을 통해 초기화가 제대로 이루어지 않을 수 있다. 다시 말하면, 소정 프레임의 제5 서브필드 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)에서 선택되지 않아 소거 어드레스 방식이 적용되지 않은 셀은 다음 프레임에서 도 5 또는 도 6에 나타낸 메인 리셋 기간(MR)의 구동 파형은 인가하여도 초기화가 제대로 이루어지나, 소정의 프레임의 제5 서브필드 내지 제10 서브필 드(SF5~SF10)에서 선택되어 소거 어드레스 방식이 적용된 셀은 다음 프레임에서 도 5 또는 도 6에 나타낸 메인 리셋 기간(MR)의 구동 파형을 인가하는 경우에는 리셋 방전이 제대로 발생하지 않는다. 이와 같이 소거 어드레스 방식이 적용된 셀이 메인 리셋 기간(MR)에서 초기화가 제대로 이루어지지 않는 경우, 메인 리셋 기간(MR) 이후의 기입 어드레스 기간에서 기입 어드레스 방전이 제대로 이루어지지 않게 된다. Meanwhile, when the subfield is implemented by using the write address method and the erase address method in one frame as in the method of driving the plasma display device according to the exemplary embodiment described above with reference to FIGS. Reset discharge in the main reset period may not be performed properly. The driving waveforms applied in the main reset period MR shown in FIG. 5 or 6 are designed in consideration of the write address method applied to each subfield. However, as in the embodiment of the present invention, the write address method and the erase address method are applied. In the case of mixing, reset discharge may not be properly performed in a cell set to a non-light emitting cell state by an erase address method. That is, since the driving waveform of the main reset period MR shown in FIG. 5 or 6 is designed in consideration of the write address discharge, it is not necessary to initialize cells not selected in the fifth to tenth subfields SF5 to SF10. Although not a problem, in the case of a discharge cell to which the erase address method is applied, initialization is not properly performed through the driving waveform of the main reset period MR shown in FIG. 5 or 6, unlike the wall charge state of the cell to which the address address method is applied. You may not. In other words, a cell that is not selected in the fifth to tenth subfields SF5 to SF10 of the predetermined frame and to which the erase address method is not applied, has the main reset period MR shown in FIG. 5 or 6 in the next frame. Although the initialization is properly performed even when the driving waveform is applied, the cell selected in the fifth to tenth subfields SF5 to SF10 of the predetermined frame and to which the erase address method is applied is shown in FIG. 5 or FIG. 6 in the next frame. When the driving waveform of the main reset period MR shown is applied, reset discharge does not occur properly. When the cell to which the erase address method is applied is not initialized properly in the main reset period MR, the write address discharge is not properly performed in the write address period after the main reset period MR.

이하에서는 이와 같이 기입 어드레스 방식과 소거 어드레스 방식을 혼용하여 적용하는 경우 발생되는 메인 리셋 방전의 문제를 해결하는 구동 파형에 대해서 도 8을 참조하여 알아본다. Hereinafter, a driving waveform that solves the problem of the main reset discharge generated when the write address method and the erase address method are used in combination will be described with reference to FIG. 8.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타내는 도면이다. 8 illustrates a driving waveform of a plasma display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 8에 나타낸 바와 같이, 소거 어드레스 방식을 적용하는 홀수 프레임의 제10 서브필드(SF10)과 기입 어드레스 방식을 적용하는 짝수 프레임의 제1 서브필드(SF1)의 사이에 벽전하 조정기간(Wall Charge Control Period, 'WCC')이 위치하는 것을 제외하고 도 4 내지 도 7의 구동 파형과 동일하므로 이하 중복되는 설명은 생략한다. 한편, 도 8에서는 홀수 프레임의 제10 서브필드(SF10)과 짝수 프레임의 제1 서브필드(SF1) 사이에 벽전하 조정기간(WCC)가 위치하는 것으로 나타내었지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니며 소거 어드레스 방식과 기입 어드레스 방식이 혼용된 경우 이 두 방식이 각각 적용된 서브필드 사이에 벽전하 조정기간(WCC)이 위치할 수 있다. 그리고, 도 8에서는 벽전하 조정 기간(WCC)이 별도의 기간인 것 으로 나타내었지만 이 기간은 리셋 기간에 포함될 수 있음은 당연하다. As shown in FIG. 8, the wall charge adjustment period Wall Charge between the tenth subfield SF10 of the odd frame to which the erase address method is applied and the first subfield SF1 of the even frame to which the write address method is applied. Control Period, 'WCC') is the same as the driving waveforms of FIGS. 4 to 7 except that the description thereof is omitted. Meanwhile, although FIG. 8 shows that the wall charge adjustment period WCC is positioned between the tenth subfield SF10 of the odd frame and the first subfield SF1 of the even frame, the present invention is not limited thereto. When the erase address method and the write address method are mixed, the wall charge adjustment period WCC may be located between subfields to which the two methods are applied. In addition, although the wall charge adjustment period (WCC) is shown as a separate period in FIG. 8, this period may be included in the reset period.

먼저, 상기에서 설명한 바와 같이 홀수 프레임의 제10 서브필드(SF10)에 인가되는 구동 파형은 도 7에 나타낸 제5 서브필드(SF5)와 동일한 구동 파형을 가지므로, 도 8에 나타낸 바와 같이 벽전하 조정 기간(WCC)의 이전에는 홀수 프레임의 제10 서브필드(SF10)의 제2 유지 기간(S2)이 위치한다. First, as described above, since the driving waveform applied to the tenth subfield SF10 of the odd frame has the same driving waveform as the fifth subfield SF5 shown in FIG. 7, the wall charge as shown in FIG. Before the adjustment period WCC, the second sustain period S2 of the tenth subfield SF10 of the odd frame is located.

벽전하 조정 기간(WCC)의 제1 기간(a)에서는, 홀수 번째 유지 전극(Xodd) 및 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 기준 전압(0V)을 인가한 상태에서, 주사 전극(Y1~Yn)의 전압을 Vs 전압에서 Vset 전압까지 점진적로 상승시킨다. 그리고, 어드레스 전극(A1~Am)에도 기준 전압(0V)을 인가한다. 홀수 번째 유지 전극(Xodd) 및 짝수 번째 유지 전극(Xeven) 모두에 기준 전압(0V)이 인가되므로 주사 전극(Y1~Yn)의 전압이 점진적 상승하는 동안 모든 셀에서 약한 방전이 발생하며, 이에 따라 주사 전극(Y1~Yn)에 음(-)의 벽 전하가 형성되고 유지 전극(Xodd, Xeven) 및 어드레스 전극(A1~Am)에 양(+)의 벽 전하가 형성된다. In the first period a of the wall charge adjustment period WCC, the scan electrodes Y1 to Yn are applied with the reference voltage 0V applied to the odd sustain electrodes Xodd and the even sustain electrodes Xeven. The voltage of is gradually raised from the voltage of Vs to the voltage of Vset. The reference voltage 0V is also applied to the address electrodes A1 to Am. Since the reference voltage (0V) is applied to both the odd sustain electrode Xodd and the even sustain electrode Xeven, a weak discharge occurs in all the cells while the voltages of the scan electrodes Y1 to Yn gradually rise. Negative wall charges are formed on the scan electrodes Y1 to Yn, and positive wall charges are formed on the sustain electrodes Xodd and Xeven and the address electrodes A1 to Am.

다음으로 벽전하 조정 기간(WCC)의 제2 기간(b)에서는, 유지 전극(Xodd, Xeven)에 Ve 전압을 인가하며 주사 전극(Y1~Yn)에 기준 전압(0V)을 인가한다. 벽전하 조정 기간(WCC)의 제1 기간(a)에서 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xodd, Xeven)에 각각 음(-)의 벽 전하와 양(+)의 벽 전하가 형성되었으므로, 제2 기간(b)에서 유지 전극(Xodd, Xeven)과 주사 전극(Y1~Yn)에 각각 Ve 전압 및 기준 전압(0V)이 인가되는 경우, 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xodd, Xeven)간에 강한 방전이 발생한다. 이에 따라 주사 전극(Y1~Yn)에 양(+)의 벽전하가 형성되며, 유지 전 극(Xodd, Xeven)에 음(-)의 벽 전하가 형성된다. 여기서, 도 8에서는 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xodd, Xeven) 사이에 강한 방전을 발생시키기 위해, 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xodd, Xeven)에 각각 기준 전압(0V)과 Ve 전압을 인가하는 것으로 나타내었지만, 주사 전극(Y1~Yn)에 음(-)의 전압을 인가하는 등 다른 전압들이 인가될 수 있음은 당연하다. Next, in the second period b of the wall charge adjustment period WCC, the Ve voltage is applied to the sustain electrodes Xodd and Xeven, and the reference voltage 0V is applied to the scan electrodes Y1 to Yn. In the first period a of the wall charge adjustment period WCC, negative wall charges and positive wall charges are formed at the scan electrodes Y1 to Yn and the sustain electrodes Xodd and Xeven, respectively. When the Ve voltage and the reference voltage 0V are applied to the sustain electrodes Xodd and Xeven and the scan electrodes Y1 to Yn in the second period b, respectively, the scan electrodes Y1 to Yn and the sustain electrode Xodd , Xeven) generates a strong discharge. As a result, positive wall charges are formed on the scan electrodes Y1 to Yn, and negative wall charges are formed on the sustain electrodes Xodd and Xeven. Here, in FIG. 8, in order to generate strong discharge between scan electrodes Y1 to Yn and sustain electrodes Xodd and Xeven, reference voltages 0V are applied to scan electrodes Y1 to Yn and sustain electrodes Xodd and Xeven, respectively. ) And Ve voltage, but other voltages may be applied, such as applying a negative voltage to scan electrodes Y1 to Yn.

이와 같이 본 발명의 실시예에서는, 소거 어드레스 방식이 적용되어 비발광 셀 상태로 설정된 셀이 다음의 메인 리셋 기간에서 초기화가 제대로 이루어지지 않은 점을 해결하기 위해, 벽 전하 조정 기간(WCC)에서 모든 방전 셀에서 약한 방전이 발생되도록 한 후 강한 방전을 발생시켜 소거 어드레스 방식이 적용된 셀이든 기입 어드레스 방식이 적용된 셀이든 거의 유사한 벽 전하 상태가 되도록 한다. 이때, 약한 방전 만으로는 소거 어드레스 방식이 적용된 셀이 초기화가 잘 이루어지 않으므로 벽 전하 조정 기간(WCC)의 제2 기간(b)에서와 같이 강한 방전을 발생시킨다. As described above, in the embodiment of the present invention, in order to solve the problem that the erase address scheme is applied and the cell set to the non-emission cell state is not initialized properly in the next main reset period, all of the wall charge adjustment period WCC is performed. A weak discharge is generated in the discharge cell and then a strong discharge is generated so as to be in a substantially similar wall charge state whether the cell is applied with the erase address method or the cell with the address address method. At this time, since the cell having the erase address method is not initialized with only a weak discharge, a strong discharge is generated as in the second period (b) of the wall charge adjustment period (WCC).

한편, 벽 전하 조정 기간(WCC)은 제3 기간(c)을 더 포함할 수 있다. 벽전하 조정 기간(WCC)의 제2 기간(b)에서는 1회의 강 방전만이 발생하므로, 1회의 강 방전만으로 벽 전하가 제대로 조정되지 않을 수 있다. 이에 따라 벽 전하 조정 기간(WCC)의 제3 기간(c)에서는, 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xodd, Xeven)에 유지 방전 전압(Vs)를 가지는 유지 방전 펄스를 교대로 소정의 회수 인가한다. 벽전하 조정 기간(WCC)의 제2 기간(b)에서, 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xodd, Xeven) 각각에 양(+)의 벽 전하 및 음(-)의 벽 전하가 형성되므로, 제3 기간(c)에서는 주 사 전극(Y1~Yn)에 먼저 유지 방전 펄스를 인가하여 모든 방전 셀을 방전시킨다. 이때, 유지 방전 펄스의 인가 회수는 벽 전하를 조정하기 위해 적절한 회수로 선택된다. 여기서, 벽 전하 조정 기간(WCC)의 제3 기간(c)은 벽 전하 조정 기간(WCC)의 제1 및 제2 기간(a, b)만으로 벽 전하를 조정하는 것이 불가능한 경우 추가적으로 인가되는 것이므로, 벽 전하 조정 기간(WCC)의 제1 및 제2 기간(a, b)으로만 벽 전하가 조정가능 할 경우 제3 기간(c)은 제거될 수 있다. Meanwhile, the wall charge adjustment period WCC may further include a third period c. Since only one strong discharge occurs in the second period b of the wall charge adjustment period WCC, the wall charge may not be properly adjusted by only one strong discharge. Accordingly, in the third period c of the wall charge adjustment period WCC, the sustain discharge pulses having the sustain discharge voltage Vs are alternately prescribed in the scan electrodes Y1 to Yn and the sustain electrodes Xodd and Xeven. Apply the recovery. In the second period b of the wall charge adjustment period WCC, a positive wall charge and a negative wall charge are formed in the scan electrodes Y1 to Yn and the sustain electrodes Xodd and Xeven, respectively. Therefore, in the third period (c), all of the discharge cells are discharged by first applying a sustain discharge pulse to the scan electrodes Y1 to Yn. At this time, the number of application of the sustain discharge pulse is selected to an appropriate number of times to adjust the wall charge. Here, since the third period c of the wall charge adjustment period WCC is additionally applied when it is impossible to adjust the wall charge only in the first and second periods a and b of the wall charge adjustment period WCC, The third period c can be eliminated if the wall charge is adjustable only in the first and second periods a and b of the wall charge adjustment period WCC.

다음으로, 벽전하 조정 기간(WCC)이후에는 짝수 프레임의 제1 서브필드(SF1)가 위치한다. 상기에서 설명한 바와 같이 짝수 프레임의 제1 서브필드(SF1)에 인가하는 구동 파형은 홀수 프레임의 제1 서브필드(SF1)의 구동 파형에서 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 인가하는 구동 파형을 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 인가는 구동 파형과 서로 바꾸어서 인가한 것이므로 이하 구체적 설명은 생략한다. Next, after the wall charge adjustment period WCC, the first subfield SF1 of even frames is positioned. As described above, the driving waveform applied to the first subfield SF1 of the even frame is the even waveform of the driving waveform applied to the odd sustain electrode Xodd in the driving waveform of the first subfield SF1 of the odd frame. Since the application to the sustain electrode Xeven is applied differently from the driving waveform, detailed description thereof will be omitted below.

여기서, 기입 어드레스 방식에 적용된 셀이든 소거 어드레스 방식이 적용된셀이든 본 발명의 실시예와 같이 벽전하 조정 기간(WCC)에서 벽 전하가 동일하게 조정되었으므로, 짝수 프레임의 제1 서브필드(SF1)의 메인 리셋 기간(MR)에서 도 8과 같은 리셋 파형(기입 어드레스 방식을 감안하여 설계된 리셋 파형임)을 통해서도 초기화가 제대로 이루어진다. Here, whether the cell is applied to the write address method or the cell to which the erase address method is applied, since the wall charges are equally adjusted in the wall charge adjustment period WCC as in the embodiment of the present invention, the first subfield SF1 of the even frame may be adjusted. In the main reset period MR, the initialization is properly performed through the reset waveform shown in FIG. 8 (it is a reset waveform designed in consideration of the write address method).

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따르면 유지 전극과 주사 전극 각각에 인접한 2개의 표시 라인을 공유하도록 하여 전극의 개수를 줄임으로써 스캔 회로의 개수를 줄일 수 있다. 그리고, 인접한 두 개의 주사 전극에 동시에 주사 펄스를 인가하여 구동함으로써 스캔 회로의 개수를 줄일 수 있다. As described above, according to the present invention, the number of scan circuits can be reduced by reducing the number of electrodes by sharing two display lines adjacent to each of the sustain electrode and the scan electrode. The number of scan circuits can be reduced by simultaneously applying and driving a scan pulse to two adjacent scan electrodes.

또한, 기입 어드레스 방식과 소거 어드레스 방식을 혼합하여 사용하는 경우 소정의 기간에 벽전하 조정 기간을 위치시킴으로써 다음의 메인 리셋 기간에서 벽전하의 초기화가 제대로 이루어진다. In addition, when the write address method and the erase address method are used in combination, the wall charge adjustment period is placed in a predetermined period so that the wall charge is properly initialized in the next main reset period.

Claims (19)

복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치를 구동하는 방법에 있어서, A method of driving a plasma display device comprising a plurality of first electrodes, a plurality of second electrodes, and a plurality of third electrodes formed in a direction crossing the plurality of first and second electrodes, 발광 셀을 비발광 셀 상태로 전환하는 제1 어드레스 방식을 적용하는 제1 서브필드와 비발광 셀을 발광 셀 상태로 전환하는 제2 어드레스 방식을 적용하는 제2 서브필드 사이에 위치하는 제1 기간에서, A first period positioned between a first subfield applying a first address method of switching a light emitting cell to a non-light emitting cell state and a second subfield applying a second address method of switching a non-light emitting cell to a light emitting cell state in, 제2 기간 동안, 상기 복수의 제1 전극의 전압에서 상기 복수의 제2 전극의 전압을 뺀 전압을 제1 전압까지 점진적으로 상승시키는 단계; 및Gradually increasing a voltage obtained by subtracting the voltages of the plurality of second electrodes from the voltages of the plurality of first electrodes to a first voltage during a second period of time; And 제3 기간 동안, 상기 복수의 제1 전극에 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 인가하고 상기 복수의 제2 전극에 상기 제2 전압보다 높은 제3 전압을 인가하는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법. Applying a second voltage lower than the first voltage to the plurality of first electrodes and applying a third voltage higher than the second voltage to the plurality of second electrodes during a third period of time. Method of driving. 제1항에 있어서,  The method of claim 1, 상기 제3 기간 후에 위치하는 제4 기간동안, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극에 교대로 상기 제2 전압보다 높은 제4 전압과 상기 제4 전압보다 낮은 제5 전압을 소정의 회수 인가하는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법. During a fourth period positioned after the third period, a fourth voltage higher than the second voltage and a fifth voltage lower than the fourth voltage are alternately applied to the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes. The driving method of the plasma display device further comprising the step of applying. 제1항 또는 제2항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 제2 서브필드의 리셋 기간에서, 상기 복수의 제1 전극의 전압을 점진적으로 상승시킨 후 하강시키는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.And gradually increasing and decreasing voltages of the plurality of first electrodes in the reset period of the second subfield. 제3항에 있어서, The method of claim 3, 상기 제1 기간은 상기 제2 서브필드의 리셋 기간 직전에 위치하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법. And the first period is located immediately before a reset period of the second subfield. 제1항 또는 제2항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 제1 서브필드는 제1 프레임에 속하고 상기 제2 서브필드는 상기 제1 프레임에 연속하는 제2 프레임에 속하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법. And wherein the first subfield belongs to a first frame and the second subfield belongs to a second frame subsequent to the first frame. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 제1 프레임 및 상기 제2 프레임 각각에서는 상기 제1 어드레스 방식과 상기 제2 어드레스 방식을 혼용하여 사용하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법. And the first address method and the second address method are mixed in each of the first frame and the second frame. 제1항 또는 제2항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 제3 기간에서 발생되는 광의 크기는 상기 제2 기간에서 발생되는 광의 크기보다 큰 플라즈마 표시 장치의 구동 방법. And a magnitude of light generated in the third period is greater than a magnitude of light generated in the second period. 제1항 또는 제2항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 제2 기간 및 상기 제3 기간에서 모든 방전 셀이 발광하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법. A method of driving a plasma display device in which all discharge cells emit light in the second period and the third period. 제1항 또는 제2항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이에 각각 복수의 표시 라인이 형성되는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법. And a plurality of display lines are formed between the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes, respectively. 제1항 또는 제2항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 복수의 제1 전극의 각 제2 전극과 상기 복수의 제2 전극 중 각 제1 전극에 일방향으로 인접하는 제2 전극 사이에 각 표시 라인이 형성되며, Each display line is formed between each second electrode of the plurality of first electrodes and a second electrode adjacent in one direction to each first electrode of the plurality of second electrodes, 상기 제1 어드레스 방식 및 상기 제2 어드레스 방식을 적용할 때, 상기 복수의 제1 전극 중 두 제1 전극 씩 동시에 주사 펄스를 인가하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법. 2. The driving method of the plasma display device of the present invention, wherein a scan pulse is simultaneously applied to two first electrodes of the plurality of first electrodes when the first address method and the second address method are applied. 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치를 구동하는 방법에 있어서, A method of driving a plasma display device comprising a plurality of first electrodes, a plurality of second electrodes, and a plurality of third electrodes formed in a direction crossing the plurality of first and second electrodes, 발광 셀을 비발광 셀 상태로 전환하는 제1 어드레스 방식을 이용하여 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계; Selecting a light emitting cell by using a first address method of switching the light emitting cell to a non-light emitting cell state, and then performing sustain discharge; 모든 방전 셀에서, 제1 기간 동안 상기 유지 방전에서 발생되는 발광보다 약한 제1 방전을 발생시킨 후, 제2 기간 동안 상기 제1 방전에서 발생되는 발광보다 강한 제2 방전을 발생시키는 단계; 및Generating, in all the discharge cells, a first discharge that is weaker than light emission generated in the sustain discharge during a first period, and then generating a second discharge that is stronger than light emission generated in the first discharge during a second period; And 상기 모든 방전 셀을 초기화하기 위해 리셋 방전을 발생시키는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법. Generating a reset discharge to initialize all of the discharge cells. 제11항에 있어서, The method of claim 11, 상기 리셋 방전이 발생되는 서브필드에서는, 비발광 셀을 발광 셀 상태로 전환하는 제2 어드레스 방식이 적용되는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법. And a second address method for switching a non-light emitting cell to a light emitting cell state in the subfield where the reset discharge is generated. 제11항 또는 제12항에 있어서, The method according to claim 11 or 12, wherein 상기 복수의 제1 전극의 전압을 점진적으로 상승시킨 후 하강시켜 상기 리셋 방전을 발생시키는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법. And increasing the voltage of the plurality of first electrodes and then lowering them to generate the reset discharge. 제11항 또는 제12항에 있어서, The method according to claim 11 or 12, wherein 상기 제2 기간 후, 상기 상기 제1 방전에서 발생되는 발광보다 강한 제3 방전을 소정의 회수 발생시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법. And after the second period, generating a predetermined number of times of the third discharge stronger than the light emission generated in the first discharge. 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하 는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극을 포함하는 플라즈마 표시 패널; 및 A plasma display panel including a plurality of first electrodes, a plurality of second electrodes, and a plurality of third electrodes formed in a direction crossing the plurality of first and second electrodes; And 발광 셀을 비발광 셀 상태로 전환하는 제1 어드레스 방식을 적용하는 제1 서브필드와 비발광 셀을 발광 셀 상태로 전환하는 제2 어드레스 방식을 적용하는 제2 서브필드 사이에 위치하는 제1 기간에서, 제2 기간 동안 상기 복수의 제1 전극의 전압을 제1 전압까지 점진적으로 상승시키며, 제3 기간 동안 상기 복수의 제1 전극에 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 인가하며 상기 복수의 제2 전극에 상기 제2 전압보다 높은 제3 전압을 인가하는 구동부를 포함하는 플라즈마 표시 장치. A first period positioned between a first subfield applying a first address method of switching a light emitting cell to a non-light emitting cell state and a second subfield applying a second address method of switching a non-light emitting cell to a light emitting cell state In the second period, the voltage of the plurality of first electrodes is gradually raised to a first voltage, and a second voltage lower than the first voltage is applied to the plurality of first electrodes during a third period of time. And a driver for applying a third voltage higher than the second voltage to a second electrode. 제15항에 있어서, The method of claim 15, 상기 구동부는, The driving unit, 상기 제3 기간 후에 위치하는 제4 기간 동안, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극에 교대로 상기 제2 전압보다 높은 제4 전압과 상기 제4 전압보다 낮은 제5 전압을 소정의 회수 인가하는 플라즈마 표시 장치. During a fourth period positioned after the third period, a fourth voltage higher than the second voltage and a fifth voltage lower than the fourth voltage are alternately applied to the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes. Plasma display device to apply the number of times. 제15항에 있어서, The method of claim 15, 상기 제1 기간은 상기 제2 서브필드의 리셋 기간의 직전에 위치하며, The first period is located immediately before the reset period of the second subfield, 상기 구동부는, 상기 제2 서브필드의 리셋 기간에서 상기 복수의 제1 전극의 전압을 점진적으로 상승시킨 후 하강시키는 플라즈마 표시 장치. And the driving unit gradually raises and lowers the voltages of the plurality of first electrodes in the reset period of the second subfield. 제15항에 있어서, The method of claim 15, 상기 제1 서브필드는 제1 프레임에 속하고 상기 제2 서브필드는 상기 제1 프레임에 연속하는 제2 프레임에 속하며, 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 각각에서는 상기 제1 어드레스 방식과 상기 제2 어드레스 방식을 혼용하여 사용하는 플라즈마 표시 장치. The first subfield belongs to a first frame and the second subfield belongs to a second frame continuous to the first frame, and the first address scheme and the first frame in each of the first frame and the second frame. A plasma display device using a mixture of two addressing methods. 제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 15 to 18, 상기 제2 기간 및 상기 제3 기간에서 모든 방전 셀이 발광하는 플라즈마 표시 장치. And all of the discharge cells emit light in the second period and the third period.
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