KR100647479B1 - apparatus for storing a gas bottle - Google Patents
apparatus for storing a gas bottle Download PDFInfo
- Publication number
- KR100647479B1 KR100647479B1 KR1020000066640A KR20000066640A KR100647479B1 KR 100647479 B1 KR100647479 B1 KR 100647479B1 KR 1020000066640 A KR1020000066640 A KR 1020000066640A KR 20000066640 A KR20000066640 A KR 20000066640A KR 100647479 B1 KR100647479 B1 KR 100647479B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas container
- gas
- heating
- buckle
- storing
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C1/00—Pressure vessels, e.g. gas cylinder, gas tank, replaceable cartridge
- F17C1/005—Storage of gas or gaseous mixture at high pressure and at high density condition, e.g. in the single state phase
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C2250/00—Accessories; Control means; Indicating, measuring or monitoring of parameters
- F17C2250/06—Controlling or regulating of parameters as output values
- F17C2250/0605—Parameters
- F17C2250/0631—Temperature
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C2260/00—Purposes of gas storage and gas handling
- F17C2260/03—Dealing with losses
- F17C2260/031—Dealing with losses due to heat transfer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
Abstract
반도체 제조에 사용하는 가스들이 충전되어 있는 가스 용기를 캐비넷 단위로 저장하는 장치가 개시되어 있다. 상기 캐비넷에 가스 용기를 저장한다. 이때 상기 가스 용기는 일면이 오목한 형상을 갖는 수용부에 수용된다. 그리고, 버클을 사용하여 상기 가스 용기의 외곽을 둘러싸서 지지한다. 이때 상기 수용부에 내장된 가열부를 사용하여 상기 가스 용기를 가열한다. 따라서 상기 가스를 저장하는 가스 용기를 가열하여 반도체 장치의 제조에 사용되는 가스의 온도를 용이하게 조절할 수 있다.An apparatus for storing, in a cabinet unit, a gas container filled with gases for use in semiconductor manufacturing. The gas container is stored in the cabinet. At this time, the gas container is accommodated in the receiving portion having a concave shape on one surface. Then, the outside of the gas container is supported by using a buckle. At this time, the gas container is heated using a heating unit built in the accommodation unit. Therefore, the temperature of the gas used for manufacturing a semiconductor device can be easily adjusted by heating the gas container which stores the said gas.
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 용기를 저장하는 장치를 설명하기 위한 구성도이다.1 is a block diagram illustrating an apparatus for storing a gas container according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1 장치의 수용부에 수용되는 가스 용기를 나타내는 구성도이다.It is a block diagram which shows the gas container accommodated in the accommodating part of FIG. 1 apparatus.
도 3은 도 1 장치의 수용부가 캐비넷에 설치되는 상태를 나타내는 도면이다.3 is a view showing a state where the receiving portion of the device of Figure 1 is installed in the cabinet.
도 4는 도 2의 버클을 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating the buckle of FIG. 2.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10 : 캐비넷 12 : 수용부10: cabinet 12: receiving unit
13 : 가열부 14 : 제어부13
16 : 모니터 20 : 가스 용기16: monitor 20: gas container
24 : 버클 25 : 버클 가열부24: buckle 25: buckle heating portion
30 : 접착 부재 240a : 테플론30:
240b : 알루미늄240b: aluminum
본 발명은 가스 용기를 저장하는 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반 도체 제조에 사용하는 가스들이 충전되어 있는 가스 용기를 캐비넷(cabinet) 단위로 저장하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for storing a gas container, and more particularly, to an apparatus for storing a gas container filled with gases used for semiconductor manufacturing in a cabinet unit.
근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이에 따라 상기 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다.In recent years, with the rapid spread of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In terms of its function, the semiconductor device is required to operate at a high speed and to have a large storage capacity. Accordingly, the manufacturing technology of the semiconductor device is being developed to improve the degree of integration, reliability, and response speed.
그리고, 상기 반도체 장치의 제조에서는 대부분이 화학 반응 또는 화학적 현상을 이용한다. 때문에 상기 제조에서는 케미컬(chemical) 또는 가스 등을 주로 사용한다.In the manufacture of the semiconductor device, most of them use chemical reactions or chemical phenomena. Therefore, chemical or gas is mainly used in the production.
여기서, 상기 반도체 장치에 사용되는 가스는 유량, 압력 또는 시간 등의 변수를 갖는다. 구체적으로, 상기 반도체 장치는 막 형성, 패턴 형성, 금속 배선 형성 등과 같은 단위 공정들을 수행함으로서 제조된다. 이때, 상기 단위 공정들은 화학 반응 또는 화학적 현상의 특성을 달리한다. 때문에, 상기 가스는 상기 단위 공정들의 특성에 따라 상기 유량, 압력 또는 시간 등이 조절되는 것이다.Here, the gas used in the semiconductor device has variables such as flow rate, pressure or time. Specifically, the semiconductor device is manufactured by performing unit processes such as film formation, pattern formation, metal wiring formation, and the like. In this case, the unit processes vary the characteristics of a chemical reaction or chemical phenomenon. Therefore, the gas is to adjust the flow rate, pressure or time according to the characteristics of the unit processes.
그리고, 상기 반도체 장치에 사용되는 가스는 압력, 상태(phase) 및 화학적 특성에 따라 분류할 수 있다. 즉, 상기 압력에 의하여 저압 가스 또는 고압 가스 등으로 분류되고, 상기 상태에 의하여 압축 상태 가스, 액화 상태 가스 등으로 분류되고, 화학적 특성에 의하여 가연성 가스, 부식성 가스 또는 불활성 가스 등으로 분류된다.Gases used in the semiconductor device may be classified according to pressure, phase, and chemical properties. That is, the pressure is classified into a low pressure gas or a high pressure gas, and the like. The pressure is classified into a compressed gas, a liquefied gas, and the like, and the chemical properties are classified into a flammable gas, a corrosive gas, or an inert gas.
또한, 상기 가스는 실린더(cylinder) 타입의 가스 용기에 충전되고, 상기 가스 용기를 수용하는 캐비넷에 저장된 상태에서 상기 반도체 제조를 위한 각각의 단위 공정에 제공된다.Further, the gas is filled in a cylinder type gas container and provided to each unit process for manufacturing the semiconductor in a state of being stored in a cabinet containing the gas container.
여기서, 상기 가스들 중에서 액화 가스는 액체 상태 및 기체 상태가 동시에 나타나는 상태로 상기 가스 용기에 충전된다. 이때, 상기 가스 용기의 하부에는 액체 상태를 갖는 가스가 충전되고, 상기 가스 용기의 상부에는 기체 상태를 갖는 가스가 충전된다. 또한, 상기 액화 가스는 충전 압력이 200psig 이하의 상태를 갖기 때문에 저압 가스로 분류된다.Herein, the liquefied gas among the gases is filled in the gas container in a state in which a liquid state and a gas state appear simultaneously. At this time, a gas having a liquid state is filled in the lower part of the gas container, and a gas having a gas state is filled in the upper part of the gas container. Further, the liquefied gas is classified as a low pressure gas because the filling pressure has a state of 200 psig or less.
따라서, 상기 가스 용기에 충전되고, 캐비넷에 저장되는 상기 액화 가스를 각각의 단위 공정을 수행하는 장치에 제공할 경우 상기 충전 압력이 낮기 때문에 상기 액화 가스의 사용량과 압력 등의 상관 관계를 고려해야 한다. 때문에 상기 액화 가스의 사용량이 많을 경우에는 상기 액화 가스의 압력을 증가시키고, 상기 압력이 증가된 액화 가스를 제공한다. 이때, 상기 액화 가스의 압력은 상기 액화 가스를 가열하여 증가시킨다. 이는 보일-샤를의 기체 상태 방적식에 의한다.Therefore, when the liquefied gas filled in the gas container and stored in the cabinet is provided to the apparatus for performing each unit process, the filling pressure is low, and thus the correlation between the amount and pressure of the liquefied gas should be taken into consideration. Therefore, when the usage amount of the liquefied gas is large, the pressure of the liquefied gas is increased, and the liquefied gas with the increased pressure is provided. At this time, the pressure of the liquefied gas is increased by heating the liquefied gas. This is by gaseous state spinning of Boyle-Charles.
여기서, 상기 액화 가스의 가열은 주로 상기 캐비넷으로부터 상기 장치로 제공되는 제공 경로(배관) 상에서 이루어진다. 즉, 상기 제공 경로를 가열함으로서 상기 액화 가스를 가열하는 효과를 얻는 것이다.Here, the heating of the liquefied gas mainly takes place on a supply path (piping) provided from the cabinet to the device. That is, the effect of heating the liquefied gas is obtained by heating the supply path.
상기 제공 경로 상에서 상기 가스를 가열하는 일 예는 뮬러(Muller et al.) 등에게 허여된 미합중국 특허 제5,019,159호에 개시되어 있다.An example of heating the gas on the feed path is disclosed in US Pat. No. 5,019,159 to Muller et al., Et al.
그러나, 상기 제공 경로 상에 상기 가스를 가열할 경우 상기 가스의 가열 온 도의 제어가 용이하지 않다. 이는 상기 제공 경로를 가열하는 간접 가열 방식을 채택하기 때문이다. 그리고, 상기 캐비넷과 다수의 장치가 연결될 경우에는 상기 가스의 사용량이 많아진다. 이때, 상기 가스는 액체 상태로 상기 제공 경로를 통과한다. 때문에 상기 제공 경로를 가열하여도 상기 장치에는 액체 상태의 가스가 제공될 수 있다.However, control of the heating temperature of the gas is not easy when the gas is heated on the providing path. This is because the indirect heating method of heating the providing path is adopted. And, when the cabinet and a plurality of devices are connected, the amount of use of the gas increases. At this time, the gas passes through the providing path in a liquid state. Therefore, even when the providing path is heated, the device may be provided with liquid gas.
따라서, 상기 가스의 압력을 상승시키기 위한 가열 방식을 간접 가열 방식을 체택함에 따라 상기 가스를 가열시키는 온도 제어가 용이하지 않다. 이에 따라 최적의 조건으로 조절된 가스를 상기 장치에 제공할 수 없다. 때문에 상기 가열 방식을 채택하고 있는 가스 조건은 미세한 공정 조건을 요구하는 최근의 반도체 장치의 제조에서 불량 소스로 작용하고, 반도체 장치의 제조에 따른 신뢰도를 저하시키는 문제점을 야기시킨다.Therefore, the temperature control for heating the gas is not easy by adopting an indirect heating method as the heating method for raising the pressure of the gas. As a result, it is not possible to provide the device with a gas adjusted to optimal conditions. Therefore, the gas condition employing the heating method serves as a source of failure in the manufacture of semiconductor devices in recent years requiring fine process conditions, and causes a problem of lowering the reliability of the manufacturing of semiconductor devices.
본 발명의 목적은, 가스를 저장하는 가스 용기를 가열하여 반도체 장치의 제조에 사용되는 가스의 온도를 용이하게 조절하기 위한 가스 용기를 저장하는 장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an apparatus for storing a gas container for heating the gas container storing the gas to easily control the temperature of the gas used in the manufacture of the semiconductor device.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 가스 용기를 저장하는 장치는, 가스를 충전하는 가스 용기를 저장하는 캐비넷에 설치되고, 상기 가스 용기가 면접하는 일면은 오목한 형상을 갖고, 상기 가스 용기를 수용하기 위한 수용부와, 상기 수용부에 내장되고, 상기 수용부에 수용되는 가스 용기를 가열하기 위한 가열부와, 상기 수용부 양측의 동일한 높이에 설치되고, 상기 수용부에 가스 용기를 수용시킬 때 상기 수용부의 양측으로부터 상기 가스 용기의 외곽을 둘러싸서 상기 가스 용기를 지지하기 위한 버클을 포함한다.An apparatus for storing a gas container of the present invention for achieving the above object is provided in a cabinet for storing a gas container for filling gas, one surface that the gas container is interviewed has a concave shape, to accommodate the gas container An accommodation unit for the storage unit, a heating unit for heating the gas container housed in the accommodation unit, and installed at the same height on both sides of the accommodation unit, when the gas container is accommodated in the accommodation unit. It includes a buckle for supporting the gas container by surrounding the outer periphery of the gas container from both sides of the receiving portion.
상기 가열부와 연결되고, 상기 가열부에 의해 가열되는 온도를 제어하는 제어부 및 상기 제어부와 연결되고, 상기 제어부에 의해 제어되는 온도를 모니터링하는 모니터를 더 포함함으로서, 보다 용이하게 상기 가스를 가열하고, 상기 가열에 의한 가스의 온도를 조절할 수 있다.And a control unit connected to the heating unit and controlling a temperature heated by the heating unit, and a monitor connected to the control unit and monitoring a temperature controlled by the control unit, thereby heating the gas more easily. It is possible to adjust the temperature of the gas by the heating.
상기 수용부는 스테인레스 스틸 재질로 구성되고, 테플론 재질로 구성되는 접착 부재를 사용하여 상기 캐비넷에 설치하고, 상기 버클에 내장되고, 상기 버클로 상기 가스 용기를 지지할 때 상기 가스 용기를 가열하는 버클 가열부를 구비하고, 이때 상기 버클을 테플론 재질로 구성되고, 알루미늄 테이프로 상기 버클의 외측면을 감싸도록 형성함으로서 상기 가스를 가열할 때 가열 효율을 극대화할 수 있다.The receptacle is made of a stainless steel material, is installed in the cabinet using an adhesive member made of Teflon material, embedded in the buckle, the buckle heating for heating the gas container when supporting the gas container with the buckle In this case, the buckle is made of a Teflon material, and formed to surround the outer surface of the buckle with aluminum tape to maximize the heating efficiency when heating the gas.
상기 수용부는 적어도 둘 이상으로 구획되고, 상기 둘 이상으로 구획되는 수용부에는 상기 가스 용기를 서로 다른 온도로 가열하는 가열부들이 내장됨으로서, 가스의 가열을 효율적으로 수행할 수 있다.The accommodating portion is partitioned into at least two or more, and the accommodating portion divided into two or more may include a heating portion for heating the gas container to different temperatures, thereby efficiently heating the gas.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 따라서 더욱 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 용기를 저장하는 장치를 설명하기 위한 구성도이다.1 is a block diagram illustrating an apparatus for storing a gas container according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 도시된 장치는 캐비넷(10)을 포함한다. 이때, 상기 캐비넷(10)은 반도체 제조에 사용되는 가스가 충전되어 있는 가스 용기를 저장하는 캐비넷(10)이다. 따라서, 상기 캐비넷(10)은 상기 반도체 제조를 위한 장치와 연결된다. 즉, 배관 등을 포함하는 이송 부재에 의해 상기 캐비넷(10)의 가스 용기와 상기 제조 장치와 연결되고, 상기 이송 부재를 통하여 상기 가스 용기에 충전된 가스를 상기 제조 장치에 제공하는 구성을 갖는다.Referring to FIG. 1, the illustrated device includes a
그리고, 상기 캐비넷(10)에는 상기 가스 용기를 저장할 때 상기 가스 용기를 수용하는 수용부(12)가 구비된다. 이때, 상기 수용부(12)는 일면이 오목한 형상을 갖는다. 때문에 상기 가스 용기는 상기 수용부(12)의 오목한 형상을 갖는 일면에 면접하는 구성을 갖는다.In addition, the
도 2는 도 1 장치의 수용부에 수용되는 가스 용기를 나타내는 구성도이다.It is a block diagram which shows the gas container accommodated in the accommodating part of FIG. 1 apparatus.
도 2를 참조하면, 상기 수용부(12)에 상기 가스 용기(20)가 수용된 상태를 나타낸다. 이때, 상기 가스 용기(20)는 버클(buckle)(24)에 의해 지지되고, 상기 버클(24)은 상기 수용부(12) 양측의 동일한 높이에 설치된다. 이에 따라, 상기 가스 용기(20)를 상기 수용부(12)에 수용시킨 다음 상기 버클(24)을 사용하여 상기 가스 용기(20)의 외곽을 둘러싸도록 연결하는 구성을 갖는다. 때문에 상기 버클(24)의 체결을 통하여 상기 수용부(12)에 상기 가스 용기(20)를 용이하게 수용할 수 있고, 지지할 수 있다.Referring to FIG. 2, the
그리고, 상기 수용부(12)에는 상기 수용부(12)에 수용되는 가스 용기(20)를 가열하기 위한 가열부(13)가 내장된다. 상기 가열부(13)는 코일(coil)(도시되지 않 음) 및 상기 코일에 전원을 제공하는 부재(도시되지 않음)로 구성된다. 이에 따라, 상기 가열부(13)는 상기 코일에 전원을 제공하고, 상기 코일에 가해지는 전기적 저항으로서 상기 가스 용기(20)를 가열하는 구성을 갖는다.In addition, the
여기서, 상기 수용부(12)는 적어도 둘 이상으로 구획된다. 때문에, 상기 가열부(13a, 13b, 13c) 또한 둘 이상으로 구획되는 수용부(12) 각각에 내장된다. 이는 상기 가스 용기(20)가 수용되는 위치에 따라 온도를 달리하여 가열하기 위함이다. 즉, 상기 가스 용기(20)의 아래쪽 부분을 상기 가스 용기(20)의 위쪽 부분보다 높은 온도로 가열하기 위한 것이다. 이와 같이, 적어도 둘 이상으로 구획되는 수용부(12)는 3 부분으로 구획하는 것이 바람직하다. 따라서 상기 가열부(13a, 13b, 13c) 또한 3 부분 각각에 설치되는 것이 바람직하다.Here, the receiving
그리고 상기 수용부(12)를 구획함으로서, 상기 버클(24a, 24b, 24c) 또한 3 부분에 설치하는 구성을 갖는다. 이때 상기 버클(24)은 상기 가스 용기(20)에 따라 길이 조절이 가능한 구성을 갖는다. 이러한 길이 조절은 상기 버클(24)을 체결하는 부위에 복수의 홈들을 형성하고, 상기 홈들에 의한 체결로서 이루어진다.And by dividing the said
도 3은 도 1 장치의 수용부가 캐비넷에 설치되는 상태를 나타내는 도면이다.3 is a view showing a state where the receiving portion of the device of Figure 1 is installed in the cabinet.
도 3을 참조하면, 상기 수용부(12)가 상기 캐비넷(10)에 설치되는 구성을 나타낸다. 여기서, 상기 수용부(12)는 스테인레스 스틸(stainless steel) 재질로 구성되고, 테플론(teflon) 재질로 구성되는 접착 부재(30)를 이용하여 상기 수용부(12)를 상기 캐비넷(10)에 설치한다. 이때, 상기 접착 부재(30)는 상기 캐비넷(10)으로 열 전달을 최소화하기 위하여 상기 태플론 재질을 선택한다.Referring to FIG. 3, the receiving
도 4는 도 2의 버클을 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating the buckle of FIG. 2.
도 4를 참조하면, 버클(24)을 나타내는 것으로서, 상기 버클(24)에도 상기 가스 용기(20)를 가열하기 위한 버클 가열부(25)가 구비된다. 상기 버클 가열부(25) 또한 코일(도시되지 않음) 및 상기 코일에 전원을 제공하는 부재(도시되지 않음)로 구성되고, 상기 코일에 전원을 제공함으로서 가해지는 전기적 저항에 의해 상기 가스 용기(20)를 가열하는 구성을 갖는다. 때문에, 상기 버클(24)은 테플론 재질(240a)로 구성되고, 상기 버클(24)의 외측면을 알루미늄 테이프(240b)로 감싸는 형태로 이루어진다. 즉, 상기 버클(24) 또한 외부와의 열 전달을 최소화하기 위하여 상기 테플론 재질(240a) 및 알루미늄 테이프(240b)를 선택한다. 그리고, 상기 수용부(12)를 적어도 둘 이상으로 구획할 경우 상기 버클(24)에 내장되는 버클 가열부(25) 또한 서로 다른 온도로 상기 가스 용기(20)를 가열하는 구성을 갖는다.Referring to FIG. 4, the
그리고, 상기 가열부(13) 및 버클 가열부(25)를 사용하여 상기 가스 용기(20)를 가열할 때 상기 가열 온도를 제어하는 제어부(14)가 구비된다. 때문에, 상기 제어부(14)를 통하여 상기 가열 온도를 제어한다. 상기 수용부(12)가 3 부분으로 구획되고, 상기 가열부(13) 및 버클 가열부(25)가 각각으로 설치될 경우에도 상기 제어부(14)에 의해 각각의 가열부(13) 및 버클 가열부(25)의 온도 제어가 가능하다. 그리고, 상기 제어부(14)에는 상기 가열부(13) 및 버클 가열부(25)에 의한 가열 온도를 모니터링할 수 있는 모니터(16)가 연결된다. 이에 따라, 상기 가스 용기(20)를 가열하는 가열 온도를 계속적으로 모니터링 할 수 있다. 또한 온도 감지 센서(도시되지 않음)를 상기 가열부(13) 및 버클 가열부(25)에 설치하고, 상기 온도 감지 센서에 의한 센싱을 통하여 상기 온도를 제어할 수 있다.In addition, a
상기 수용부(12)에 수용되는 가스 용기(20)는 액화 가스가 충전되는 가스 용기(20)가 바람직하고, 이에 따라 상기 가열부는 상기 가스 용기(20)에 충전된 가스의 온도 편차를 고려함으로서, 아래쪽 부분이 위쪽 부분보다 높은 온도로 상기 가스 용기(20)를 가열하는 구성을 갖는다. 이때 상기 가열부(13) 및 버클 가열부(25)를 구성하는 코일의 길이 및 저항을 조절함으로서, 상기 위치에 따른 온도의 구성이 가능하다.The
전술한 가스 용기(20)를 저장하는 장치에 의한 가스 제공을 일 예는 다음과 같다. 먼저, 상기 액화 가스가 충전되어 있는 가스 용기(20)를 캐비넷(10)으로 이송한다. 그리고, 상기 가스 용기(20)를 상기 캐비넷(10)의 수용부(12)에 수용한다. 이때 상기 가스 용기(20)는 상기 수용부(12)가 오목한 일면과 면접한다. 그리고, 상기 버클(24)로 상기 가스 용기(20)를 둘러싼 다음 상기 버클(24)을 체결한다. 이에 따라 상기 가스 용기(20)가 상기 수용부(12)에 지지된다.An example of providing gas by the apparatus for storing the above-described
이어서, 상기 가열부(13) 및 상기 버클 가열부(25)에 전원을 제공한다. 이에 따라, 상기 가열부(13) 및 상기 버클 가열부(25)는 전기적 저항에 의해 가열된다. 때문에 상기 가스 용기(20)가 가열된다. 이때, 아랫쪽 부분의 가스 용기(20)가 위쪽 부분의 가스 용기(20)보다 높은 온도로 가열된다. 그리고, 상기 가스 용기(20)에 충전된 가스를 반도체 제조를 위한 장치로 이송한다. 이때, 상기 제어부(14) 및 모니터(16)를 통하여 상기 가스 용기(20)를 가열하는 온도를 제어한다.Subsequently, power is supplied to the
이에 따라, 반도체 제조 장치에서의 가스 사용량과 상기 가스를 제공하는 제공 압력의 상관 관계를 최적으로 고려한 가스를 계속적으로 제공할 수 있다. 이는 상기 가스 용기(20)를 직접 가열하는 방식을 채택함으로서 가능하다. 즉, 열적 손실을 최소화하고, 온도 조절이 용이하기 때문이다. 또한, 상기 가스의 사용량이 증가하여도 상기 가스 용기(20)를 직접 가열함으로서, 상기 압력이 최적으로 조절된 가스를 용이하게 제공할 수 있다.As a result, it is possible to continuously provide a gas that optimally considers a correlation between the amount of gas used in the semiconductor manufacturing apparatus and the supply pressure for providing the gas. This is possible by adopting a method of directly heating the
따라서, 본 발명에 의하면 최적의 조건으로 조절된 가스를 장치에 제공할 수 있다. 때문에 미세 공정을 요구하는 최근의 반도체 장치의 제조에 적극적으로 응용할 수 있다. 이에 따라 상기 가스 조건으로 인한 불량 소스를 최소화함으로서, 반도체 장치에 제조에 따른 신뢰도가 향상되는 효과를 기대할 수 있다.Therefore, according to the present invention, it is possible to provide the apparatus with the gas adjusted under the optimum conditions. Therefore, the present invention can be actively applied to the manufacture of recent semiconductor devices requiring a fine process. Accordingly, by minimizing the defective source due to the gas conditions, it can be expected to improve the reliability of the semiconductor device manufacturing.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand that you can.
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000066640A KR100647479B1 (en) | 2000-11-10 | 2000-11-10 | apparatus for storing a gas bottle |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000066640A KR100647479B1 (en) | 2000-11-10 | 2000-11-10 | apparatus for storing a gas bottle |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020036466A KR20020036466A (en) | 2002-05-16 |
KR100647479B1 true KR100647479B1 (en) | 2006-11-17 |
Family
ID=19698260
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000066640A KR100647479B1 (en) | 2000-11-10 | 2000-11-10 | apparatus for storing a gas bottle |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100647479B1 (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR900000452Y1 (en) * | 1987-01-17 | 1990-01-30 | 주식회사일진가스 | Case for protecting gas vessel |
JPH0592599U (en) * | 1991-09-27 | 1993-12-17 | 矢崎総業株式会社 | Belt for fixing LP gas cylinder |
JPH06174198A (en) * | 1992-12-14 | 1994-06-24 | Kyoto Sekiyu Gas Kk | Storage house for lp gas cylinder |
KR19980025050U (en) * | 1998-04-30 | 1998-07-25 | 민정식 | Liquefied petroleum gas container |
-
2000
- 2000-11-10 KR KR1020000066640A patent/KR100647479B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR900000452Y1 (en) * | 1987-01-17 | 1990-01-30 | 주식회사일진가스 | Case for protecting gas vessel |
JPH0592599U (en) * | 1991-09-27 | 1993-12-17 | 矢崎総業株式会社 | Belt for fixing LP gas cylinder |
JPH06174198A (en) * | 1992-12-14 | 1994-06-24 | Kyoto Sekiyu Gas Kk | Storage house for lp gas cylinder |
KR19980025050U (en) * | 1998-04-30 | 1998-07-25 | 민정식 | Liquefied petroleum gas container |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020036466A (en) | 2002-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10844484B2 (en) | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods | |
KR100796841B1 (en) | Gas delivery at high flow rates | |
US7311782B2 (en) | Apparatus for active temperature control of susceptors | |
TWI460370B (en) | A liquefied gas vaporization method, vaporization device and a liquefied gas supply device using the vaporization method and device | |
US7027722B2 (en) | Electric heater for a semiconductor processing apparatus | |
US6369361B2 (en) | Thermal processing apparatus | |
KR101585287B1 (en) | Heat treatment apparatus and control method thereof | |
KR20020090934A (en) | Organic material point source feeding unit in organic semiconductor device and method thereof | |
KR100683011B1 (en) | System and method for controlled delivery of liquefied gases including control aspects | |
Tang et al. | Experiments on the stabilization of the no-motion state of a fluid layer heated from below and cooled from above | |
KR100647479B1 (en) | apparatus for storing a gas bottle | |
US6508062B2 (en) | Thermal exchanger for a wafer chuck | |
CN101270847B (en) | Liquefied gas supplying equipment and method | |
US4295339A (en) | Cryostat system utilizing a liquefied gas | |
US20190284690A1 (en) | Method and apparatus for making a vapor of precise concentration by sublimation | |
KR20090032098A (en) | Energy delivery system for a gas transport vessel | |
JP6122231B1 (en) | Liquefied gas supply method | |
JPH02218117A (en) | Thermal treatment apparatus | |
JP2010206081A (en) | Cooling method and cooling system for body to be heated, and substrate processing apparatus with the cooling system | |
KR20150086834A (en) | Temperature control apparatus for heat treating semiconductor substrate based on high pressure gas | |
JPH0637025A (en) | Heat treatment apparatus | |
KR100199008B1 (en) | Atomic epitaxy apparatus for cvd and liquid source supply apparatus for cvd | |
TW202324625A (en) | Ceiling heater, semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, and substrate processing apparatus | |
KR100515777B1 (en) | Semiconductor manufacturing system for high temperature thermal process | |
JPH1012556A (en) | Liquefied gas feeder |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20091016 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |