KR100640435B1 - Reaction chamber of dry etching apparatus - Google Patents

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Abstract

건식 식각장치의 반응 챔버에 구비되는 뷰 포트(view port)에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 뷰 포트는, 챔버 본체의 내부를 관찰하기 위한 투명 윈도우 및 이 윈도우의 일부를 감싸는 커버와, 상기 챔버 벽과 투명 윈도우 사이에 설치되어 상기 투명 윈도우를 개폐하는 게이트 밸브 부재를 포함하며, 상기 게이트 밸브 부재는 챔버 벽에 설치되는 밸브 하우징과, 밸브 하우징의 통공을 개폐하도록 상기 밸브 하우징에 설치되는 밸브 본체를 포함하고, 상기 밸브 하우징에는 히터 자켓(heater jacket)이 더욱 설치된다.A view port provided in a reaction chamber of a dry etching apparatus, the view port according to an embodiment of the present invention, a transparent window for observing the interior of the chamber body and a cover surrounding a portion of the window, And a gate valve member disposed between the chamber wall and the transparent window to open and close the transparent window, wherein the gate valve member is installed in the valve housing to open and close the valve housing installed in the chamber wall and the opening of the valve housing. A valve body is included, and a heater jacket is further installed in the valve housing.

플라즈마, 건식, 윈도우, 게이트 밸브, 차단, 뷰 포트, 챔버Plasma, Dry, Windows, Gate Valve, Shut Off, Viewport, Chamber

Description

건식 식각장치의 반응 챔버{REACTION CHAMBER OF DRY ETCHING APPARATUS}REACTION CHAMBER OF DRY ETCHING APPARATUS}

도 1은 종래 기술에 따른 반응 챔버의 주요부 구성을 나타내는 단면도를 도시한 것이며,1 is a cross-sectional view showing the configuration of the main part of the reaction chamber according to the prior art,

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반응 챔버의 주요부 구성을 나타내는 단면도를 도시한 것이다.Figure 2 shows a cross-sectional view showing the configuration of the main part of the reaction chamber according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 반도체 소자 제조용 건식 식각장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 건식 식각장치의 반응 챔버에 구비되는 뷰 포트(view port)에 관한 것이다.The present invention relates to a dry etching apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a view port provided in the reaction chamber of the dry etching apparatus.

일반적으로, 반도체 제품을 생산하기 위해서는 매우 정밀한 반도체 제조 공정은 물론, 반도체 제조 공정을 수행하는 반도체 제조 설비를 필요로 한다.In general, the production of semiconductor products requires a highly precise semiconductor manufacturing process, as well as a semiconductor manufacturing equipment that performs the semiconductor manufacturing process.

이들 반도체 제조 설비는 크게 선행 반도체 제조 설비와 후속 반도체 제조 설비로 구분할 수 있는 바, 선행 반도체 제조 설비는 순수 실리콘 웨이퍼에 반도체 박막 패턴을 형성하기 위한 선행 공정인 포토레지스트 도포 공정-노광 공정-현상 공정을 복합적으로 수행하고, 후속 반도체 제조 설비는 웨이퍼에 패터닝된 포토레지스트 박막을 매개로 웨이퍼에 소정의 특성을 갖는 불순물을 주입하는 이온 주입 공정, 이미 형성된 반도체 박막을 식각하여 패터닝하는 식각 공정, 웨이퍼에 소정 박막을 부가하는 증착 공정, 미세 박막 회로 패턴을 연결하는 메탈 공정 등을 수행한다.These semiconductor manufacturing equipment can be classified into the preceding semiconductor manufacturing equipment and the subsequent semiconductor manufacturing equipment. The prior semiconductor manufacturing equipment is a photoresist coating process-exposure process-development process, which is a preceding process for forming a semiconductor thin film pattern on a pure silicon wafer. And a subsequent semiconductor manufacturing facility is an ion implantation process for injecting impurities having predetermined characteristics into the wafer through a photoresist thin film patterned on the wafer, an etching process for etching and patterning a previously formed semiconductor thin film, and a wafer A deposition process for adding a predetermined thin film, a metal process for connecting a fine thin film circuit pattern, and the like are performed.

이 중에서 식각 공정을 수행하는 반도체 제조 설비는 습식 식각장치와 건식 식각장치로 나눌 수 있으며, 건식 식각장치로는 플라즈마 가스를 사용하는 식각장치가 있다.The semiconductor manufacturing equipment performing the etching process may be divided into a wet etching apparatus and a dry etching apparatus, and the dry etching apparatus includes an etching apparatus using plasma gas.

통상적으로, 상기한 플라즈마 처리장치는 반응 챔버와, 반응 챔버 내부에 설치되어 플라즈마 가스를 생성하는데 필요한 소스 가스를 반응 챔버 내부로 공급하는 가스 공급 유닛과, 웨이퍼가 안착됨과 동시에 전극 역할을 하는 전극 유닛과, 가스 공급 유닛으로부터 공급된 소스 가스를 웨이퍼를 향해 균일하게 분사하는 가스 분배 수단을 포함한다.In general, the plasma processing apparatus includes a reaction chamber, a gas supply unit installed in the reaction chamber and supplying a source gas necessary to generate plasma gas into the reaction chamber, and an electrode unit that serves as an electrode while the wafer is seated. And gas distribution means for uniformly injecting the source gas supplied from the gas supply unit toward the wafer.

그리고, 상기 반응 챔버에는 챔버 내부를 관찰할 수 있는 쿼츠(quarts) 재질의 뷰 포트(view port)가 제공되어 있다.The reaction chamber is provided with a view port of quartz material for observing the inside of the chamber.

상기한 뷰 포트는 웨이퍼가 반응 챔버의 정위치에 놓여졌는지, 공정 진행 파트(part)들이 이상이 없는지를 확인할 수 있도록 함과 아울러, 웨이퍼의 식각 작업이 완료되는 시점을 감지하여 작업자에게 알려주고 식각장치를 정지시킬 수 있도록 하기 위해 설치된다.The viewport allows the operator to check whether the wafer is in the correct position in the reaction chamber and whether the process parts are intact, as well as detecting when the etching operation of the wafer is completed and informing the etching apparatus. It is installed to make it possible to stop.

상기한 식각 작업 완료 시점을 감지하기 위해 건식 식각장치는 엔드 포인트 디텍터(end point detector, 이하 'EPD 시스템'이라 한다)를 구비하는데, 상기 EPD 시스템은 웨이퍼의 공정층을 식각할 때 공정층의 필름과 플라즈마 가스가 상호 반 응하며 생성되는 플라즈마 반응광이 필름에 따라 각각 고유의 색채를 이루는 현상을 이용한다.In order to detect when the etching operation is completed, the dry etching apparatus includes an end point detector (hereinafter referred to as an 'EPD system'), which is a film of the process layer when etching the process layer of the wafer. And the plasma gas react with each other, and the generated plasma reaction light takes on a unique color depending on the film.

즉, 각 공정층이 생성하는 색채는 고유한 스펙트럼 분석이 가능하므로, 이를 기초로 하여 웨이퍼의 각 공정층이 명확하게 구별된다.That is, since the colors generated by the respective process layers can be uniquely analyzed, based on this, each process layer of the wafer is clearly distinguished.

이 EPD 시스템은 뷰 포트에 의해 반응 챔버의 일측에 연결될 수 있는데, 일례로, 상기한 EPD 시스템은 일례로, 플라즈마 반응광의 스펙트럼을 분석하여 아날로그 신호로 출력하는 모노크로미터(monochrometer)와, 반응 챔버의 뷰 포트에 연결되어 식각 공정시 발생하는 플라즈마 반응광을 모노크로미터에 전달하는 광 케이블과, 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 인터페이스 보드(interface board)와, 상기 디지털 신호를 출력하는 표시부를 포함할 수 있다.The EPD system may be connected to one side of the reaction chamber by a view port. For example, the EPD system may include, for example, a monochrometer that analyzes a spectrum of plasma reaction light and outputs an analog signal, and a reaction chamber. An optical cable connected to a view port of the optical device for transmitting plasma reaction light generated during an etching process to a monochromator, an interface board for converting an analog signal into a digital signal, and a display unit for outputting the digital signal. can do.

상기한 EPD 시스템에 의해 식각 종료 시점을 감지할 수 있도록 하는 종래의 뷰 포트는 도 1에 도시한 바와 같이, 쿼츠 재질의 투명 윈도우(102)와, 이 윈도우(102)를 챔버(104) 벽에 고정하기 위한 커버(106)와, 투명 윈도우(102)와 챔버(104) 벽 사이에 삽입되는 오링(108)을 포함한다. 그리고, 상기 커버(106)는 마운트 스크류(110)에 의해 챔버(104) 벽에 고정된다.Conventional viewports that allow the EPD system to detect the etch termination point, as shown in Figure 1, a transparent window 102 of quartz material and the window 102 to the chamber 104 wall A cover 106 for securing and an O-ring 108 inserted between the transparent window 102 and the chamber 104 wall. The cover 106 is then fixed to the wall of the chamber 104 by a mount screw 110.

그런데, 식각장치를 사용하여 식각을 진행하는 동안에는 폴리머가 부산물로 발생되고, 이 부산물이 윈도우(102) 면에 부착되어 쌓이면서 윈도우(102)가 점차 오염되어 플라즈마 반응광이 통과하지 못하게 되므로, 식각 작업의 종료 시점을 정확히 파악할 수 없게 된다.However, during the etching process using the etching apparatus, the polymer is generated as a by-product, and the by-products are attached to the window 102 and stacked, so that the window 102 is gradually contaminated to prevent the plasma reaction light from passing through. It is not possible to accurately determine the end point of the.

따라서, 상기한 뷰 포트에 대한 습식 세정 작업을 필수적으로 실시해야 하는 데, 상기한 종래의 뷰 포트는 습식 세정을 실시하기 위해 반응 챔버를 개방해야 하므로, 습식 세정에 따른 작업 공수가 증가하고, 생산성이 저하되는 문제점이 있다.Therefore, it is essential to perform the wet cleaning operation for the above-described view port. Since the conventional view port has to open the reaction chamber to perform the wet cleaning, the man-hour of the wet cleaning increases and the productivity is increased. There is a problem of this deterioration.

이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 부산물의 부착을 억제할 수 있으며, 부산물 제거에 필요한 작업 공수 및 시간을 최소화할 수 있어 장비 가동률 및 생산성을 향상시킬 수 있는 건식 식각장치의 반응 챔버를 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention is to solve the above problems, the purpose is to suppress the adhesion of by-products, dry etching that can improve the equipment operation rate and productivity can be minimized the number of labor and time required to remove the by-products The purpose is to provide a reaction chamber of the device.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,The present invention to achieve the above object,

플라즈마 가스에 의한 식각 공정이 실시되며, 챔버 본체의 벽에 뷰 포트가 설치되는 건식 식각장치의 반응 챔버에 있어서,In the reaction chamber of the dry etching apparatus is performed by the etching process by the plasma gas, the view port is provided on the wall of the chamber body,

상기 뷰 포트는, 챔버 본체의 내부를 관찰할 수 있도록 상기 본체의 벽에 설치되는 투명 윈도우 및 윈도우 커버와, 상기 챔버 벽과 투명 윈도우 사이에 설치되어 상기 투명 윈도우를 개폐하는 게이트 밸브 부재를 포함하는 건식 식각장치의 반응 챔버를 제공한다.The view port includes a transparent window and a window cover installed on the wall of the main body so that the inside of the chamber main body can be observed, and a gate valve member disposed between the chamber wall and the transparent window to open and close the transparent window. It provides a reaction chamber of the dry etching device.

본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 게이트 밸브 부재는 챔버 벽에 설치되는 밸브 하우징과, 밸브 하우징의 통공을 개폐하도록 상기 밸브 하우징에 설치되는 밸브 본체를 포함한다.According to a preferred embodiment of the present invention, the gate valve member includes a valve housing installed in the chamber wall and a valve body installed in the valve housing to open and close the through hole of the valve housing.

여기에서, 상기 밸브 하우징에는 히터 자켓(heater jacket)이 더욱 설치될 수 있다. 그리고, 윈도우 커버와 챔버 벽 및 밸브 하우징과 윈도우 사이에는 기밀 유지를 위한 오링이 더욱 설치될 수 있으며, 투명 윈도우는 윈도우 커버를 밸브 하우징에 고정하는 마운팅 스크류에 의해 밸브 하우징에 설치될 수 있다.Here, a heater jacket may be further installed in the valve housing. In addition, an O-ring for airtightness may be further installed between the window cover and the chamber wall and the valve housing and the window, and the transparent window may be installed in the valve housing by a mounting screw that fixes the window cover to the valve housing.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반응 챔버의 주요부 구성을 나타내는 단면도를 도시한 것이다.Figure 2 shows a cross-sectional view showing the configuration of the main part of the reaction chamber according to an embodiment of the present invention.

건식 식각장치는 크게 반응 챔버와, 전극 유닛과, 가스 공급 유닛 및 가스 분배 수단을 포함한다.The dry etching apparatus largely includes a reaction chamber, an electrode unit, a gas supply unit and a gas distribution means.

보다 구체적으로, 반응 챔버는 소정의 면적을 가지며, 외부에 대하여 밀봉된 챔버로, 실제 식각 공정은 이 반응 챔버의 내부에서 수행되며, 이 챔버는 접지되어 있다.More specifically, the reaction chamber has a predetermined area and is sealed to the outside so that the actual etching process is performed inside the reaction chamber and the chamber is grounded.

상기 반응 챔버의 소정 위치에는 가스 공급 배관의 일측 단부가 반응 챔버의 외부 및 내부를 연통하도록 설치되며, 가스 공급 배관의 타측 단부에는 플라즈마화 되기 쉬운 소스 가스를 반응 챔버 내부로 공급하는 가스 공급 유닛이 설치된다.One end of the gas supply pipe communicates with the outside and the inside of the reaction chamber at a predetermined position of the reaction chamber, and a gas supply unit for supplying a source gas, which is likely to become plasma, into the reaction chamber at the other end of the gas supply pipe. Is installed.

그리고, 가스 공급 배관중 반응 챔버의 내부에 위치한 단부에는 가스 분배 수단이 설치된다. 여기에서, 상기 가스 분배 수단은 복수개의 가스 분배 홀들을 구비하는 원판형상의 샤워 헤드와, 샤워 헤드를 설치하는 지지판로 이루어질 수 있다.In addition, a gas distribution means is provided at an end located inside the reaction chamber in the gas supply pipe. Here, the gas distribution means may be composed of a disk-shaped shower head having a plurality of gas distribution holes, and a support plate for installing the shower head.

그리고, 전극 유닛은 웨이퍼를 안착하며 고주파 전원으로부터 고주파 바이어스 전력을 공급받는 캐소드와, 캐소드에 설치되어 웨이퍼를 둘러싸는 포커스 링으 로 구성할 수 있으며, 이 경우, 포커스 링에는 고주파 전원으로부터 상기 캐소드와는 다른 전위의 고주파 바이어스 전력을 공급함으로써 포커스 링 내부에 부분적인 플라즈마를 발생시켜 웨이퍼의 전면에서 플라즈마의 분포를 균일하게 할 수 있다. In addition, the electrode unit may include a cathode for seating a wafer and receiving a high frequency bias power from a high frequency power supply, and a focus ring installed on the cathode and surrounding the wafer. In this case, the focus ring may be different from the cathode from the high frequency power supply. By supplying a high frequency bias power of another potential, partial plasma can be generated inside the focus ring, thereby making it possible to uniformly distribute the plasma on the front surface of the wafer.

이러한 구성의 건식 식각장치에 있어서, 상기 반응 챔버(10)의 벽에는 챔버(10)의 외부에서 챔버(10) 내부를 관찰함과 아울러, EPD 시스템을 위한 뷰 포트가 구비된다.In the dry etching apparatus of the above configuration, the wall of the reaction chamber 10 is provided with a view port for observing the inside of the chamber 10 from the outside of the chamber 10 and for the EPD system.

본 실시예에 있어서, 상기 뷰 포트는 쿼츠 재질의 투명 윈도우(12)와 윈도우용 커버(14)를 포함한다. 그리고, 상기 윈도우(12)와 챔버(10) 벽 사이에 설치되는 게이트 밸브 부재(16)를 더욱 포함한다.In the present embodiment, the view port includes a transparent window 12 and a window cover 14 of quartz material. And a gate valve member 16 disposed between the window 12 and the wall of the chamber 10.

상기 게이트 밸브 부재(16)는 투명 윈도우(12)에 부착된 부산물을 제거하기 위하여 습식 세정 공정을 진행할 때, 상기 반응 챔버(10)를 개방하지 않으면서도 상기 윈도우(12)만 세정하는 것이 가능하도록 하기 위한 것으로, 본 실시예에서는 통공(16a')을 구비하는 밸브 하우징(16a)과, 밸브 하우징(16a)의 통공(16a')을 개폐하도록 설치되는 밸브 본체(16b)를 구비한다.When the gate valve member 16 performs a wet cleaning process to remove by-products attached to the transparent window 12, the gate valve member 16 may clean only the window 12 without opening the reaction chamber 10. In the present embodiment, the valve housing 16a including the through hole 16a 'and the valve body 16b provided to open and close the through hole 16a' of the valve housing 16a are provided.

상기한 밸브 하우징(16a)은 도시하지 않은 체결 수단, 예컨대 마운트 스크류에 의해 챔버(10) 벽에 고정 설치된다. 그리고, 상기 밸브 하우징(16a)의 외면에는 공정 진행중 발생되는 부산물로 인해 윈도우가 오염되는 것을 방지할 수 있도록 하기 위해 히터 자켓(heater jacket)(16c)이 설치된다.The valve housing 16a is fixedly installed on the wall of the chamber 10 by a fastening means (not shown), for example, a mounting screw. In addition, a heater jacket 16c is installed on the outer surface of the valve housing 16a to prevent the window from being contaminated by the by-product generated during the process.

이러한 구성의 뷰 포트는 밸브 하우징(16a)을 챔버(10) 벽에 고정한 후, 마운트 스크류(18)를 이용하여 상기 밸브 하우징(16a)에 윈도우 커버(14)를 고정하는 것에 의해 설치가 완료되며, 챔버(10) 벽과 윈도우 커버(14) 사이 및 밸브 하우징(16a)과 윈도우(12) 사이에 기밀 유지를 위한 오링(20)이 더욱 설치된다.The viewport of this configuration is completed by fixing the valve housing 16a to the chamber 10 wall and then fixing the window cover 14 to the valve housing 16a using the mounting screw 18. Further, an O-ring 20 for airtightness is further installed between the chamber 10 wall and the window cover 14 and between the valve housing 16a and the window 12.

물론, 도시하지는 않았지만 상기 밸브 본체(16b)의 선단부에도 오링을 설치할 수 있다.Of course, although not shown, the O-ring may be provided at the front end of the valve body 16b.

이러한 구성의 뷰 포트는 투명 윈도우의 세정이 요구될 때, 상기 밸브 본체(16b)를 상향 이동시켜 챔버(10) 내부의 기밀을 유지한 상태에서 상기 마운트 스크류(18)의 체결을 해제하여 윈도우 커버(14)를 밸브 하우징(16a)과 분해한 후, 윈도우(12)에 대한 세정 작업을 진행하면 된다.When the viewport of this configuration requires cleaning of the transparent window, the valve body 16b is moved upward to release the mounting screw 18 while maintaining the airtight inside the chamber 10 so that the window cover is closed. What is necessary is just to disassemble the 14 and the valve housing 16a, and to perform the washing | cleaning operation | movement with respect to the window 12.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명하였지만 본 발명은 상기한 실시예로 제한되지 않으며, 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. In addition, it is natural that it belongs to the scope of the present invention.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 건식 식각장치의 반응 챔버는 챔버 내부의 기밀을 유지한 상태에서 뷰 포트의 투명 윈도우만 별도로 세정할 수 있으므로, 세정 작업의 공수 및 시간을 절감할 수 있다.As described above, the reaction chamber of the dry etching apparatus according to the exemplary embodiment of the present invention can separately clean only the transparent window of the viewport while maintaining the airtight inside the chamber, thereby reducing the man-hour and time of the cleaning operation. have.

또한, 밸브 하우징의 외부에 설치된 히터 자켓을 이용하여 부산물로 인한 윈도우의 오염을 최소화 할 수 있으므로, 세정 주기를 연장시킬 수 으며, 윈도우를 통한 식각 종료 시점 감지를 오랜 시간동안 정확하게 실시할 수 있다.In addition, since the contamination of the window due to by-products can be minimized by using a heater jacket installed outside the valve housing, the cleaning cycle can be extended, and the end point of etching through the window can be accurately detected for a long time.

따라서, 장비 가동률을 증가시킬 수 있으며, 이로 인해 생산성 향상이 가능 한 효과가 있다.Therefore, it is possible to increase the equipment utilization rate, thereby improving the productivity.

Claims (5)

플라즈마 가스에 의한 식각 공정이 실시되며, 챔버 본체의 벽에 뷰 포트가 설치되는 건식 식각장치의 반응 챔버에 있어서,In the reaction chamber of the dry etching apparatus is performed by the etching process by the plasma gas, the view port is provided on the wall of the chamber body, 상기 뷰 포트는, 챔버 본체의 내부를 관찰하기 위한 투명 윈도우 및 이 윈도우의 일부를 감싸는 커버와, 상기 챔버 벽과 투명 윈도우 사이에 설치되어 상기 투명 윈도우를 개폐하는 게이트 밸브 부재를 포함하는 건식 식각장치의 반응 챔버.The view port may include a transparent window for observing the inside of the chamber body, a cover surrounding a portion of the window, and a gate valve member disposed between the chamber wall and the transparent window to open and close the transparent window. Reaction chamber. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이트 밸브 부재는 챔버 벽에 설치되는 밸브 하우징과, 밸브 하우징의 통공을 개폐하도록 상기 밸브 하우징에 설치되는 밸브 본체를 포함하는 건식 식각장치의 반응 챔버.The gate valve member includes a valve housing installed on the chamber wall and a valve body installed on the valve housing to open and close the through hole of the valve housing. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 밸브 하우징에는 히터 자켓(heater jacket)는 건식 식각장치의 반응 챔버.The valve housing is a heater jacket (heater jacket) of the reaction chamber of the dry etching device. 제 1항 내지 제 3항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 윈도우 커버는 마운트 스크류에 의해 상기 밸브 하우징에 고정되는 건식 식각장치의 반응 챔버.And the window cover is fixed to the valve housing by a mounting screw. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 윈도우 커버와 챔버 벽 및 밸브 하우징과 윈도우 사이에는 기밀 유지를 위한 오링이 설치되는 건식 식각장치의 반응 챔버.Reaction chamber of a dry etching apparatus is installed between the window cover and the chamber wall and the valve housing and the window to maintain an airtight.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6394641B2 (en) * 2016-04-25 2018-09-26 トヨタ自動車株式会社 Plasma device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH037539A (en) * 1989-03-28 1991-01-14 Procter & Gamble Co:The Oil and fat composition with low calories containing polyol polyester and low calory triglyceride
JPH0799184A (en) * 1993-09-28 1995-04-11 Tokyo Electron Ltd End point detector
JPH10303177A (en) * 1997-04-24 1998-11-13 Sony Corp Plasma etching system
KR20000009155U (en) * 1998-10-31 2000-05-25 김영환 Etching Endpoint Detection Port of Semiconductor Etching Equipment
KR200262123Y1 (en) * 2001-11-08 2002-02-06 동부전자 주식회사 Deposition shield ring incorporated in a process chamber of a etcher
US6367415B2 (en) * 2000-08-07 2002-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. View port of a chemical vapor deposition device for manufacturing semiconductor devices

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH037539A (en) * 1989-03-28 1991-01-14 Procter & Gamble Co:The Oil and fat composition with low calories containing polyol polyester and low calory triglyceride
JPH0799184A (en) * 1993-09-28 1995-04-11 Tokyo Electron Ltd End point detector
JPH10303177A (en) * 1997-04-24 1998-11-13 Sony Corp Plasma etching system
KR20000009155U (en) * 1998-10-31 2000-05-25 김영환 Etching Endpoint Detection Port of Semiconductor Etching Equipment
US6367415B2 (en) * 2000-08-07 2002-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. View port of a chemical vapor deposition device for manufacturing semiconductor devices
KR200262123Y1 (en) * 2001-11-08 2002-02-06 동부전자 주식회사 Deposition shield ring incorporated in a process chamber of a etcher

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