KR100636052B1 - Apparatus for measuring a load of a plasma chamber - Google Patents

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Abstract

플라즈마 챔버의 내부와 외부 요인에 의한 플라즈마 상태 변화를 상시 측정하기 위한 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치가 개시된다. 고주파 전원을 출력하는 발전기와, 플라즈마 가열 방식을 사용하는 플라즈마 챔버간에 게재된 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치에서, 제1 검출부 및 임피던스 매칭부를 포함한다. 제1 검출부는 플라즈마 챔버의 제1 용량성 임피던스와 제1 유도성 임피던스를 각각 검출한다. 임피던스 매칭부는 발전기에서 인가되는 고주파 전원을 변환하여 플라즈마 챔버에 제공하되, 제1 용량성 임피던스와 제1 유도성 임피던스를 근거로 고주파 전원을 플라즈마 가열 범위의 이탈을 방지하도록 변환하고, 변환된 고주파 전원을 플라즈마 챔버에 인가한다. 그 결과, 플라즈마 가열 상태에서 자동 임피던스 매칭을 하더라도 보상전의 순수한 플라즈마 전력의 실제량을 알 수 있도록 전원과 부하를 구분하여 부하량의 실제값을 알 수 있다.Disclosed is a load measuring apparatus of a plasma chamber for constantly measuring a change in plasma state due to internal and external factors of the plasma chamber. A load measuring device of a plasma chamber placed between a generator for outputting high frequency power and a plasma chamber using a plasma heating method, the first detector and an impedance matching unit. The first detector detects the first capacitive impedance and the first inductive impedance of the plasma chamber, respectively. The impedance matching unit converts the high frequency power applied from the generator to provide the plasma chamber, converts the high frequency power to prevent deviation of the plasma heating range based on the first capacitive impedance and the first inductive impedance, and converts the converted high frequency power. Is applied to the plasma chamber. As a result, even when automatic impedance matching is performed in the plasma heating state, the actual value of the load amount can be known by dividing the power source and the load so that the actual amount of pure plasma power before compensation can be known.

Description

플라즈마 챔버의 부하 측정 장치{APPARATUS FOR MEASURING A LOAD OF A PLASMA CHAMBER}Load measuring device of plasma chamber {APPARATUS FOR MEASURING A LOAD OF A PLASMA CHAMBER}

도 1은 종래의 챔버를 부하로한 플라즈마 가열 전원 계통도이다.1 is a plasma heating power supply system diagram in which a conventional chamber is loaded.

도 2는 종래의 RF 가열 계통도이다.2 is a conventional RF heating system diagram.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치를 설명하기 위한 회로도이다.3 is a circuit diagram illustrating a load measuring apparatus of a plasma chamber according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치를 설명하기 위한 회로도이다.4 is a circuit diagram illustrating a load measuring apparatus of a plasma chamber according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10, 100 : 발전기 20, 22, 200 : 임피던스 매칭부10, 100: generator 20, 22, 200: impedance matching unit

30, 32, 300 : 플라즈마 챔버 400 : 제1 검출부30, 32, 300: plasma chamber 400: first detector

500 : 제2 검출부 410, 510 : 용량성 부하 검출부500: second detector 410, 510: capacitive load detector

420, 520 : 유도성 부하 검출부420, 520: inductive load detector

본 발명은 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게 는, 플라즈마 챔버의 내부와 외부 요인에 의한 플라즈마 상태의 변화를 상시 측정할 수 있는 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a load measuring apparatus for a plasma chamber, and more particularly, to a load measuring apparatus for a plasma chamber capable of constantly measuring a change in the plasma state due to the internal and external factors of the plasma chamber.

플라즈마를 이용한 공정은 반도체 또는 평면 플라즈마 디스플레이 제조 공정의 여러 분야에 적용되고 있으며, 플라즈마 가열을 프로세스 중에 적용시 외부의 요인에 의한 플라즈마 상태가 변화하게 된다. 주로 플라즈마 상태를 변화시키는 요인 중에는 플라즈마 챔버 내에서 이루어지는 조건의 변화와 플라즈마 발생장치의 변화를 들 수 있다.The process using plasma is applied to various fields of the semiconductor or flat plasma display manufacturing process, and when the plasma heating is applied during the process, the plasma state is changed by external factors. Among the factors that change the plasma state, there are mainly a change in conditions and a change in the plasma generator.

보통의 플라즈마를 이용하는 장치는 원하는 플라즈마 가열량을 자동적으로 맞추기 위해서 도 1과 도 2에 도시한 바와 같이, 부가적인 임피던스 매칭 시스템을 갖는다.Devices using ordinary plasma have an additional impedance matching system, as shown in FIGS. 1 and 2, to automatically match the desired plasma heating amount.

도 1은 종래의 처리 챔버를 부하로한 플라즈마 가열 전원 계통도이고, 도 2는 종래의 RF 가열 계통도이다.1 is a plasma heating power supply diagram with a conventional processing chamber as a load, and FIG. 2 is a conventional RF heating schematic.

도 1내지 도 2에 도시한 바와 같이, 처리 챔버(30, 32)에서 가열되는 플라즈마 가열량을 원하는 양만큼 형성하기 위해 임피던스 매칭 시스템(20, 22)을 통해 자동적으로 임피던스를 임피던스 매칭하는 기계적인 기능을 하게 된다. 이때 임피던스 매칭 대역으로 불리는 범위를 설정하여 그 범위를 벗어나게 되면 기능적으로 인터록을 발생시키는 구조로 되어 있다.As shown in Figs. 1 to 2, a mechanical method for automatically impedance matching impedance through the impedance matching system 20, 22 to form the desired amount of plasma heating heated in the processing chambers 30, 32. It will function. At this time, a range called an impedance matching band is set, and when it is out of the range, it has a structure that functionally generates an interlock.

이러한 기계적인 임피던스 매칭 시스템이 필요한 이유는 반도체 제조 장치 자체의 내부 환경과, 전원 등의 기계적인 역할을 하는 소자로 구성된 외부 환경 중 어느 한 곳이라도 정상적인 기능을 하지 못하면 보상을 하기 위해 적절한 기계적 임피던스 매칭을 하기 위함이다.The reason why such a mechanical impedance matching system is necessary is to provide adequate mechanical impedance matching to compensate for the failure of either the internal environment of the semiconductor manufacturing apparatus itself or the external environment composed of mechanically acting elements such as a power supply. To do this.

특히, 플라즈마 챔버내에서는 가스, 온도, 챔버 저항, 접지 등의 기계적인 요소로 말할 수 있으며, 플라즈마 발생 장치의 변화 요인으로는 발생 장치의 사용량에 따른 발생 장치 내부의 소자 기능 저하를 들 수 있다.In particular, the plasma chamber may be referred to as a mechanical element such as gas, temperature, chamber resistance, ground, and the like, and the change factor of the plasma generating apparatus may be a decrease in device function in the generating apparatus according to the usage of the generating apparatus.

플라즈마 챔버의 내부와 외부 요인에 의한 플라즈마 상태 변화를 상시 측정하는 장치로 플라즈마 가열 상태를 자동 임피던스 매칭으로 인해 근원적으로 플라즈마 가열 범위를 이탈함에도 불구하고, 임피던스 매칭 장치에 의한 보상을 증감하는 방식으로 플라즈마 장치의 순수한 상태 변화를 알 수 없으며, 이는 기계적인 장치의 변화를 읽을 수 없게 된다. 따라서 플라즈마 가열량을 측정함에 있어 순수하게 실부하량을 측정할 필요성이 제기되고 있다.A device that constantly measures plasma state changes caused by internal and external factors of the plasma chamber. In spite of the fact that the plasma heating state is out of the plasma heating range due to automatic impedance matching, the plasma is increased in a manner that increases or decreases the compensation by the impedance matching device. The pure state change of the device is unknown, which makes it impossible to read the mechanical change of the device. Therefore, there is a need to measure the actual load purely in measuring the plasma heating amount.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 임피던스 매칭 장치에 의한 보상을 증감시켜 플라즈마 가열 범위의 이탈을 방지하기 위하여 플라즈마 챔버의 내부와 외부 요인에 의한 플라즈마 상태 변화를 상시 측정하기 위한 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention for solving the above problems, the load of the plasma chamber for constantly measuring the plasma state change by the internal and external factors of the plasma chamber in order to increase or decrease the compensation by the impedance matching device to prevent the deviation of the plasma heating range The object is to provide a measuring device.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치는 고주파 전원을 출력하는 발전기와, 플라즈마 가열 방식을 사용하는 플라즈마 챔버간에 게재된 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치에서, 제1 검출부 및 임피던스 매칭부를 포함한다. 상기 제1 검출부는 상기 플라즈마 챔버의 제1 용량성 임피던스와 제1 유도성 임피던스를 각각 검출한다. 상기 임피던스 매칭부는 상기 발전기에서 인가되는 고주파 전원을 변환하여 상기 플라즈마 챔버에 제공하되, 상기 제1 용량성 임피던스와 제1 유도성 임피던스를 근거로 상기 고주파 전원을 상기 플라즈마 가열 범위의 이탈을 방지하도록 변환하고, 상기 변환된 고주파 전원을 상기 플라즈마 챔버에 인가한다.
상기 플라즈마 챔버 부하 측정 장치는 상기 발전기의 제2 용량성 임피던스와 제2 유도성 임피던스를 각각 검출하기 위한 제2 검출부를 더 포함하는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 임피던스 매칭부는 상기 제1 용량성 임피던스 및 제1 유도성 임피던스와 상기 제2 용량성 임피던스 및 제2 유도성 임피던스와의 비교를 통해 상기 고주파 전원을 상기 플라즈마 가열 범위의 이탈을 방지하도록 변환하고, 상기 변환된 고주파 전원을 상기 플라즘 챔버에 인가한다.
상기 제1 검출부는 상기 제1 용량성 임피던스를 검출하기 위해 직렬 연결된 하나의 저항과 하나의 캐패시터를 포함하고, 상기 제1 유도성 임피던스를 검출하기 위해 직렬 연결된 하나의 저항과 하나의 리액터를 포함하는 것이 바람직하다.
이러한 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치에 의하면, 플라즈마 가열 상태에서 자동 임피던스 매칭을 하더라도 보상전의 순수한 플라즈마 전력의 실제량을 알 수 있도록 전원과 부하를 구분하여 측정하므로 부하량의 실제값을 알 수 있다.According to one aspect of the present invention, there is provided a plasma chamber load measuring apparatus including a generator for outputting high frequency power and a plasma chamber load measuring apparatus placed between a plasma chamber using a plasma heating method. 1 detector and an impedance matching unit. The first detector detects a first capacitive impedance and a first inductive impedance of the plasma chamber, respectively. The impedance matching unit converts the high frequency power applied from the generator to provide the plasma chamber, and converts the high frequency power to prevent deviation of the plasma heating range based on the first capacitive impedance and the first inductive impedance. Then, the converted high frequency power is applied to the plasma chamber.
The plasma chamber load measuring apparatus may further include a second detector configured to detect the second capacitive impedance and the second inductive impedance of the generator, respectively. Here, the impedance matching unit converts the high frequency power supply to prevent deviation of the plasma heating range by comparing the first capacitive impedance and the first inductive impedance with the second capacitive impedance and the second inductive impedance. Then, the converted high frequency power is applied to the plastic chamber.
The first detector includes one resistor and one capacitor connected in series to detect the first capacitive impedance, and includes one resistor and one reactor connected in series to detect the first inductive impedance. It is preferable.
According to the load measuring apparatus of the plasma chamber, even if automatic impedance matching is performed in the plasma heating state, since the power and load are separately measured so as to know the actual amount of pure plasma power before compensation, the actual value of the load amount can be known.

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그러면, 통상의 지식을 지닌 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 실시예에 관해 설명하기로 한다.Then, embodiments will be described so that those skilled in the art can easily implement the present invention.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치를 설명하기 위한 회로도이다.3 is a circuit diagram illustrating a load measuring apparatus of a plasma chamber according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치는 발전기(100), 임피던스 매칭부(200), 플라즈마 챔버와 같은 플라즈마 챔버(300) 및 제1 검출부(400)를 포함한다.Referring to FIG. 3, an apparatus for measuring a load of a plasma chamber according to an embodiment of the present invention may include a generator 100, an impedance matching unit 200, a plasma chamber 300 such as a plasma chamber, and a first detection unit 400. Include.

발전기(100)는 교류 전원 공급 장치(미도시)와 내부 저항(미도시)으로 구성되며, 발전기(100)에서 사용되는 전력은 0W에서 5㎾로 가변한다. 발전기(100)의 기 본 주파수는 임의 수이다. 그러나, 13.56㎒의 ISM 주파수를 사용하는 것이 반도체 산업에서는 일반적인 관례이다. 발전기의 내부 임피던스는 일반적으로 50Ω이지만, 임피던스 매칭부(200)에 전력을 전달하는 케이블(101)이 동일 특성의 임피던스를 가지고 있는 한, 그 임피던스는 임의의 값일 수 있다.The generator 100 is composed of an AC power supply (not shown) and an internal resistance (not shown), and the power used in the generator 100 varies from 0 W to 5 kW. The default frequency of the generator 100 is any number. However, the use of an ISM frequency of 13.56 MHz is a common practice in the semiconductor industry. The internal impedance of the generator is generally 50 Hz, but as long as the cable 101 that delivers power to the impedance matching unit 200 has an impedance of the same characteristic, the impedance may be any value.

임피던스 매칭부(200)는 2개의 가변 캐패시터와 1개의 리액터를 포함하여, 발전기(100)로부터 출력되는 고주파 전원이 플라즈마 챔버(300)에 최대의 전원이 인가되도록 구성된다. The impedance matching unit 200 includes two variable capacitors and one reactor so that the high frequency power output from the generator 100 is applied to the plasma chamber 300 with the maximum power.

당업자가 알고 있는 바와 같이, 주어진 회로에 대한 임피던스는 저항분과 무효분 모두로 구성될 수 있고, 후자는 유도성 또는 용량성 중 하나일 수 있다. 플라즈마 챔버 부하의 임피던스가 발전기(100)의 내부 저항과 동일하고, 플라즈마 챔버 부하와 발전기간의 순수 리액턴스가 영일 때, 발전기와 그 부착된 플라즈마 챔버 부하 사이에 최대 전력이 전송된다. As will be appreciated by those skilled in the art, the impedance for a given circuit may consist of both resistive and reactive components, and the latter may be either inductive or capacitive. When the impedance of the plasma chamber load is equal to the internal resistance of the generator 100 and the net reactance between the plasma chamber load and the generator is zero, the maximum power is transferred between the generator and its attached plasma chamber load.

제로의 순수 리액턴스를 얻기 위해, 발전기와 플라즈마 챔버간의 리액턴스를 맞추는 것이 유리하다. 플라즈마 챔버의 임피던스가 발전기의 내부 켤레 임피던스일 때 전원과 부하사이의 순수 리액턴스는 제로이다. 따라서 발전기가 유도성 리액턴스를 가지고 있으면, 동일 크기, 반대 위상의 용량성 리액턴스를 가진 부하는 전원과 부하로 구성된 회로에서 순수 리액턴스가 제로가 될 것이고, 그 반대도 동일하다.In order to obtain zero pure reactance, it is advantageous to match the reactance between the generator and the plasma chamber. When the impedance of the plasma chamber is the internal conjugate impedance of the generator, the net reactance between power and load is zero. Thus, if a generator has inductive reactance, a load with the same magnitude, opposite phase capacitive reactance will have zero net reactance in the circuit consisting of the power supply and the load, and vice versa.

임피던스 매칭부(200)는 발전기와 부하 사이에서 최대 전력이 전송되도록, 발전기에서 부하로 인가된 전압의 주파수가 가변함에 따라 부하의 임피던스가 가변 함에 따라 발전기의 내부 켤레 임피던스인 입력 임피던스를 유지하는데 이용될 수 있다.The impedance matching unit 200 is used to maintain the input impedance, which is the internal impedance of the generator, as the impedance of the load varies as the frequency of the voltage applied from the generator to the load varies so that the maximum power is transmitted between the generator and the load. Can be.

임피던스 매칭부(200)와 플라즈마 챔버(300)와의 사이에 위치하는 제1 검출부(400)는 제1 용량성 부하 검출부(410)와 제1 유도성 부하 검출부(420)로 이루어져, 플라즈마 챔버(300)의 용량성 임피던스와 유도성 임피던스를 각각 검출한다.The first detection unit 400 positioned between the impedance matching unit 200 and the plasma chamber 300 includes a first capacitive load detection unit 410 and a first inductive load detection unit 420. Detects the capacitive impedance and the inductive impedance, respectively.

보다 상세히는, 제1 용량성 부하 검출부(410)는 직렬 연결된 저항과 캐패시터로 이루어져, 플라즈마 챔버(300)의 용량성 임피던스를 검출하고, 제1 유도성 부하 검출부(420)는 직렬 연결된 저항과 리액터로 이루어져, 플라즈마 챔버(300)의 유도성 임피던스를 검출한다.In more detail, the first capacitive load detector 410 includes a resistor and a capacitor connected in series to detect a capacitive impedance of the plasma chamber 300, and the first inductive load detector 420 includes a resistor and a reactor connected in series. In this case, the inductive impedance of the plasma chamber 300 is detected.

이렇게 검출된 용량성 임피던스와 유도성 임피던스를 이용하여 임피던스 매칭부(200)에 구성된 2개의 가변 캐패시터와 1개의 가변 리액터를 가변시켜 발전기(100)로부터 출력되는 고주파 전원이 플라즈마 챔버(300)에 최대의 전송 효율로 전송되도록 구성할 수 있다.Using the capacitive impedance and the inductive impedance detected as described above, two variable capacitors and one variable reactor configured in the impedance matching unit 200 are varied so that the high frequency power output from the generator 100 is maximum in the plasma chamber 300. Can be configured to be transmitted at a transmission efficiency of.

이상에서 설명한 바와 같이, 발전기로부터 일정한 전원이 공급되더라도 챔버의 부하 상태에 따라 자동 임피던스 매칭을 거친 후의 값을 기준한 것이 아니라 챔버의 부하 자체에 대한 부하량을 기준으로 한 것으로 챔버의 부하 종류를 챔버로 기준시 챔버 플라즈마의 소스 인입단으로부터 직접 검출할 수 있다.As described above, even if a constant power is supplied from the generator, it is not based on the value after the automatic impedance matching according to the load state of the chamber, but based on the load amount of the chamber load itself. The reference can be detected directly from the source inlet of the chamber plasma.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치를 설명하기 위한 회로도이다.4 is a circuit diagram illustrating a load measuring apparatus of a plasma chamber according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치는 발전기(100), 임피던스 매칭부(200), 플라즈마 챔버와 같은 플라즈마 챔버(300), 제1 검출부(400) 및 제2 검출부(500)를 포함하며, 상기한 도 3에서 설명한 발전기(100), 임피던스 매칭부(200), 플라즈마 챔버와 같은 플라즈마 챔버(300) 및 제1 검출부(400)는 동일한 동작을 수행하므로 동일한 도면 부호를 부여하고, 그에 대한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 4, the apparatus for measuring a load of a plasma chamber according to another embodiment of the present invention may include a generator 100, an impedance matching unit 200, a plasma chamber 300 such as a plasma chamber, a first detector 400, and the like. Since the generator 100, the impedance matching unit 200, the plasma chamber 300 such as the plasma chamber and the first detection unit 400 described in FIG. 3 perform the same operation. The same reference numerals are given, and description thereof will be omitted.

발전기(100)와 임피던스 매칭부(200)의 사이에 위치하는 제2 검출부(500)는 제2 용량성 부하 검출부(510)와 제2 유도성 부하 검출부(520)로 이루어져, 발전기(100)의 용량성 임피던스와 유도성 임피던스를 각각 검출한다.The second detection unit 500 positioned between the generator 100 and the impedance matching unit 200 includes a second capacitive load detection unit 510 and a second inductive load detection unit 520. Capacitive and inductive impedances are detected respectively.

보다 상세히는, 제2 용량성 부하 검출부(510)는 직렬 연결된 저항과 캐패시터로 이루어져, 발전기(100)의 용량성 임피던스를 검출하고, 제2 유도성 부하 검출부(520)는 직렬 연결된 저항과 리액터로 이루어져, 발전기(100)의 유도성 임피던스를 검출한다.In more detail, the second capacitive load detector 510 includes a resistor and a capacitor connected in series to detect the capacitive impedance of the generator 100, and the second inductive load detector 520 may include a resistor and a reactor connected in series. In this case, the inductive impedance of the generator 100 is detected.

이렇게 검출된 제2 용량성 임피던스와 제2 유도성 임피던스 및 제1 용량성 임피던스와 제1 유도성 임피던스를 서로 비교하고, 그 값에 따라 임피던스 매칭부(200)에 구성된 2개의 가변 캐패시터와 1개의 가변 리액터를 가변시켜 발전기(100)로부터 출력되는 고주파 전원이 플라즈마 챔버(300)에 최대의 전송 효율로 전송되도록 구성할 수 있다.The second capacitive impedance, the second inductive impedance, the first capacitive impedance, and the first inductive impedance thus detected are compared with each other, and the two variable capacitors and one variable capacitor configured in the impedance matching unit 200 are By varying the variable reactor may be configured to transmit the high frequency power output from the generator 100 to the plasma chamber 300 with the maximum transmission efficiency.

이상에서 설명한 바와 같이, 임피던스 매칭 전후의 차이를 직접 측정하는 방법으로 임피던스 매칭 시스템 인입단과 출력단의 차이를 보상 적용전을 기준한 값과 임피던스 매칭후의 값 차이가 많이 나면 그 차이에 의한 플라즈마 실부하량을 알 수 있다.As described above, a method of directly measuring the difference before and after impedance matching is used to compensate for the difference between the impedance matching system inlet and output terminals. Able to know.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 발전기에 의해 일정한 전원이 공급되더라도 부하의 종류를 챔버 플라즈마 소스 인입단에서 직접 검출하므로써 플라즈마 가열 상태에서 자동 임피던스 매칭을 하더라도 보상전의 순수한 플라즈마 전력의 실제량을 알 수 있도록 전원과 부하를 구분하여 부하량의 실제값을 측정할 수 있다.As described above, according to the present invention, even if constant power is supplied by the generator, the actual amount of pure plasma power before compensation can be known even if automatic impedance matching is performed in the plasma heating state by detecting the type of load directly at the chamber plasma source inlet. The actual value of the load can be measured by separating the power and the load.

또한 부하의 종류를 임피던스 매칭 시스템 인입단과 출력단의 차이를 통해 검출하므로써 보상 적용전의 기준 값과 보상 적용후의 값 차이가 많이 나면 차이에 의한 플라즈마 실부하량을 측정할 수 있다.In addition, by detecting the type of load through the difference between the impedance matching system inlet and the output, it is possible to measure the actual plasma load due to the difference when the difference between the reference value before compensation and the value after compensation is large.

Claims (4)

고주파 전원을 출력하는 발전기(100)와, 플라즈마 가열 방식을 사용하는 플라즈마 챔버(300)간에 게재된 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치에서,In the load measuring device of the plasma chamber placed between the generator 100 for outputting high frequency power and the plasma chamber 300 using the plasma heating method, 상기 플라즈마 챔버(300)의 제1 용량성 임피던스와 제1 유도성 임피던스를 각각 검출하는 제1 검출부(400); 및 A first detector 400 for detecting a first capacitive impedance and a first inductive impedance of the plasma chamber 300, respectively; And 상기 발전기(100)에서 인가되는 고주파 전원을 변환하여 상기 플라즈마 챔버(300)에 제공하되, 상기 제1 용량성 임피던스와 제1 유도성 임피던스를 근거로 상기 고주파 전원을 상기 플라즈마 가열 범위의 이탈을 방지하도록 변환하고, 상기 변환된 고주파 전원을 상기 플라즈마 챔버(300)에 인가하는 임피던스 매칭부(200)를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치.Convert the high frequency power applied from the generator 100 and provide it to the plasma chamber 300 to prevent deviation of the high frequency power from the plasma heating range based on the first capacitive impedance and the first inductive impedance. And an impedance matching unit (200) for converting the converted high frequency power to the plasma chamber (300). 제1항에 있어서, 상기 발전기(100)의 제2 용량성 임피던스와 제2 유도성 임피던스를 각각 검출하기 위한 제2 검출부(500)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치.The apparatus of claim 1, further comprising a second detector (500) for detecting a second capacitive impedance and a second inductive impedance of the generator (100), respectively. 제2항에 있어서, 상기 임피던스 매칭부(200)는 상기 제1 용량성 임피던스 및 제1 유도성 임피던스와 상기 제2 용량성 임피던스 및 제2 유도성 임피던스와의 비교를 통해 상기 고주파 전원을 상기 플라즈마 가열 범위의 이탈을 방지하도록 변환하고, 상기 변환된 고주파 전원을 상기 플라즈마 챔버(300)에 인가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치.The method of claim 2, wherein the impedance matching unit 200 supplies the high frequency power to the plasma by comparing the first capacitive impedance and the first inductive impedance with the second capacitive impedance and the second inductive impedance. Convert to prevent deviation of the heating range, and applying the converted high-frequency power to the plasma chamber (300), the load measuring device of the plasma chamber. 제1항에 있어서, 상기 제1 검출부(400)는 상기 제1 용량성 임피던스를 검출하기 위해 직렬 연결된 하나의 저항과 하나의 캐패시터를 포함하고,The method of claim 1, wherein the first detector 400 includes one resistor and one capacitor connected in series to detect the first capacitive impedance. 상기 제1 유도성 임피던스를 검출하기 위해 직렬 연결된 하나의 저항과 하나의 리액터를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치.And one reactor and one reactor connected in series to detect the first inductive impedance.
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