KR100635281B1 - 디지털 제어방식의 고전압 발생장치 및 고전압 발생방법 - Google Patents

디지털 제어방식의 고전압 발생장치 및 고전압 발생방법 Download PDF

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Abstract

디지털 제어방식의 고전압 발생장치 및 고전압 발생방법이 개시된다. 본 발명에 따른 고전압 발생장치는, 커패시터와 병렬 연결된 1차측 코일 및 1차측 코일의 전류에 의해 전압이 유기되는 2차측 코일을 포함하는 출력부, 1차측 코일에서의 LC공진전압에 따라, 출력부로 유입되는 전류를 단속하는 스위칭부, 소정 방식의 통신 인터페이스를 제공하는 디지털 인터페이스부, 및 디지털 인터페이스를 통해 입력되는 제어 데이터 및 1차측 코일에서의 LC공진전압에 따라, 스위칭부의 단속 동작을 제어하는 디지털 제어부를 구비한다. 본 발명에 따르면 스위칭 소자의 양단간에 걸리는 전압이 최소구간내에 존재하는 시점에 스위칭 동작이 이루어지도록 함으로써, 스위칭 소자에서의 발열량 및 그에 따른 스위칭 소자의 손실을 저감시키는 효과가 있게 된다.
고전압 발생장치, MOSFET, LC공진, 발열량, 스위칭 시점, 디지털 제어부

Description

디지털 제어방식의 고전압 발생장치 및 고전압 발생방법{Apparatus for generating high voltage by digital control and method thereof}
도 1은 종래의 화상형성장치에 대한 개략적인 단면도,
도 2는 종래의 고전압 발생장치의 일 예에 대한 회로 구성도,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 고전압 발생장치의 블럭도,
도 4는 본 발명에 따른 제1 출력부의 개략적인 구성을 나타낸 도면,
도 5a는 본 발명의 일실시예에 따른 1차측 코일상의 공진시의 전압변화를 나타낸 그래프,
도 5b는 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 게이트 전압변화를 나타낸 그래프,
도 5c는 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 드레인 소스 전압변화를 나타낸 그래프, 및
도 5d는 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 드레인 전류변화를 나타내 그래프이다.
본 발명은 디지털 제어방식의 고전압 발생장치 및 고전압 발생방법에 관한 것으로,
화상형성장치는 입력되는 원본 화상 데이터에 대응하는 이미지를 인쇄용지와 같은 기록매체에 인쇄처리하는 장치를 말한다. 화상형성장치의 예로는 프린터나 복사기 또는 팩시밀리 등을 들 수 있다. 이러한 화상형성장치에서 전자사진방식은 레이저 프린터(Laser Beam Printer), LPH(LED Print Head) 프린터, 및 팩시밀리 등과 같은 화상형성장치에 채용되고 있다. 전사사진방식 화상형성장치는 대전, 노광, 현상, 전사, 및 정착 등의 과정을 통해 인쇄작업을 수행한다.
도 1은 종래 전자사진방식 화상형성장치에 대한 개략적인 단면도이다. 도 1을 참조하면, 전자사진방식 화상형성장치는, 감광드럼(1), 대전롤러(2), 광주사장치(Laser Scanning Unit : LSU)(3), 현상롤러(4), 전사롤러(5), 제어부(6), 및 고전압 발생장치(Hign Voltage Power Supply:HVPS)(70)를 포함한다.
이러한 구성을 갖는 전자사진방식 화상형성장치의 인쇄동작을 살펴보면, 먼저, 고전압 발생장치(70)는 제어부(6)의 제어에 따라 대전롤러(2), 현상롤러(4), 및 전사롤러(5)에 소정의 전압을 인가한다. 대전롤러(2)는 고전압 발생장치(6)로부터 인가되는 대전전압으로 감광드럼(1)의 표면을 균일하게 대전시킨다. 그리고, 광주사장치(3)는 제어부(6)로부터 입력된 이미지 데이터에 대응되는 광을 감광드럼(1)에 주사한다. 이에 따라, 감광드럼(1)의 표면에는 정전잠상이 형성된다.
이후 감광드럼(1)의 표면에 형성된 정전잠상에는 현상롤러(4)에 의해 공급되는 토너에 의해 토너화상이 형성된다. 고전압 발생장치(70)로부터 인가되는 전사전 압에 의해 구동되는 전사롤러(5)는 감광드럼(1)에 형성된 토너화상을 기록용지에 전사시킨다. 그리고, 기록용지에 전사된 토너화상은 정착기(미도시)의 고열 및 압력에 의해 인쇄용지에 정착되어 배출방향(미도시)를 통해 외부로 배출됨으로써 인쇄가 완료되도록 구성된다.
상기한 바와 같이, 고전압 발생장치(70)는, 복사기, 레이저빔프린터, 팩시밀리 등의 핵심 부품으로, 12~24V의 저전압을 순간적으로 수백~수천[V]의 고전압으로 변환시켜 프린터나 복사기 드럼 위로 고압방전을 형성해 문자인쇄를 가능하게 하는 장치로서, 사용목적에 따라 전압 혹은 전류를 센싱함에 의하여 정전압이나 정전류원으로 사용되고 있다.
도 2는 종래의 고전압 발생장치의 일 예에 대한 회로도이다. 도 2를 참조하면, 종래의 고전압 발생장치는, 저역 통과 필터부(10), 전압제어부(20), 오실레이터 및 전원변압부(30), 전압배압부(40), 전압센싱부(50), 및 보호부(60)를 포함한다.
저역 통과 필터부(10)는 엔진 제어부 등으로부터 듀티(duty) 비에 따라 출력전압의 레벨이 결정되는 PWM(Pulse Width Modulation) 신호인 D(t)가 입력되면, 입력된 신호를 기반으로 RC 2단 필터를 통하여 DC 신호로 변화하여 출력하며, 이 DC 신호가 출력전압 제어의 기준신호로 사용된다.
전압제어부(20)는 차분회로와 오차신호를 증폭한 제어기로 동작하며, 저역 통과 필터부(10)를 거쳐 출력되는 DC 신호와 실제 출력전압을 피드백(Feedback)한 신호를 비교하여, 오실레이터 및 전원변압부(30)의 트랜지스터 Q의 구동신호를 발 생한다.
오실레이터 및 전원변압부(30)는 전압제어부(20)의 출력 신호를 바탕으로 트랜지스터 Q의 베이스 전류량을 제어하여, 트랜지스터의 이미터와 콜렉터 양단간의 전압이 변동됨에 따라, 전압변압기의 1차측 코일의 전압이 변동되어, 높은 턴비로 구성된 전원변압기의 2차측 코일에 전압이 유기된다.
전압배압부(40)는, 정류용 다이오드 D1 및 D2와 전압 배압 및 평활용 커패시터 C4 및 C5를 사용하여, 전원변압기의 2차측 코일에 유기된 교류전압으로부터 최종 직류 고압을 발생시킨다. 그리고, 전압 센싱부(50)와 보호부(60)는 실제 출력전압을 감지하여 전압 제어부(20)로 피드백 신호를 생성하며, 이상 전압의 인가를 방지한다.
참고로 도 2에 도시한 고전압 발생장치는 특정 한개의 채널의 현상 유니트에 고전압을 발생시키기 위한 회로도이며, 대전롤러(2), 현상롤러(4) 및 전사롤러(5) 등에 소정의 고전압을 인가하기 위해서는 각각 별개의 채널을 필요로 한다.
그런데, 이와 같은 종래의 고전압 발생장치는, 각 채널별 출력을 개별적으로 정밀하게 제어하기 위하여 아날로그 제어 방식을 사용하며, 이에 따라 RC 필터 및 전압제어 부분 등의 부품 특성 편차에 의해 기인하는 오차를 보정해 주어야 한다.
또한, 다수의 부품을 사용함에 따라 단가 절감이 용이하지 않으며, 외부 요인에 따른 단위 부품의 불량에 따라 전체가 오동작하는 경우가 발생할 수 있다. 그리고, 오실레이터 및 전원변압부에서 스위칭 소자로 사용되는 트랜지스터는 항상 선형(Linear) 영역에서 동작하므로, 트랜지스터는 발열특성을 항시 가지게 된다.
더욱이, 도 2에 도시한 바와 같이, 종래의 고전압 발생장치는 다수의 부품을 사용함으로, 조립 작업 공정에서 공수 및 작업 시간이 증가하게 되고, 다수의 부품 배치를 위한 PCB(Printed Circuit Board) 공간의 확보도 필요하며, 부품의 접속상태가 고정되어 출력전압의 제어가 용이하지 못하다.
이러한 문제점을 극복하기 위해 종래기술에 따른 고전압 발생장치는 디지털 제어방식을 사용하였다. 그러나, 아날로그 소자를 ASIC(application-specific integrated circuit)화한 HVPS 회로의 구성은 스위칭 소자로서 통상적으로 MOSFET 소자를 포함하게 되는데, MOSFET 소자가 트랜지스터의 선영역에서 스위칭 동작을 하는 경우에 많은 발열이 있게 되고, 이는 스위칭 소자의 손상을 초래하게 된다.
본 발명에서 적용되는 HVPS ASIC은 발열량이 적은 스위칭 회로 토폴로지 구조를 가져야 하며 이를 위해서는 최적화된 스위칭 소자의 동작시점의 결정이 필요하다. 스위칭 소자 양단간의 전압이 최저가 되는 구간에서 스위칭이 이루어질 때, 스위칭 소장에서의 발열량이 최소가 되며, 이때가 최적화된 스위칭 소자의 동작시점일 것이다.
따라서, 본 발명의 목적은, 최적의 스위칭 시점 결정을 통한 고전압 발생장치 및 고전압 발생방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 고전압 발생장치는, 커패시터와 병렬 연결된 1차측 코일 및 상기 1차측 코일의 전류에 의해 전압이 유기되는 2차측 코일을 포함하는 출력부, 상기 1차측 코일에서의 LC공진전압에 따라, 상기 출력부로 유입되는 전류를 단속하는 스위칭부, 소정 방식의 통신 인터페이스를 제공하는 디지털 인터페이스부, 및 상기 디지털 인터페이스를 통해 입력되는 제어 데이터 및 상기 1차측 코일에서의 LC공진전압에 따라, 상기 스위칭부의 단속 동작을 제어하는 디지털 제어부를 포함한다.
바람직하게는, 상기 커패시터 및 상기 1차측 코일은 공진 회로를 구성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 스위칭부는, 상기 LC공진전압의 최소구간에서 전류를 단속하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 출력부는 상기 커패시터 및 상기 1차측 코일에 직렬연결되는 저항을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 스위칭부의 스위칭 소자는 MOSFET인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 디지털 제어부는 상기 출력부로부터의 출력값의 궤환신호에 의해서 상기 스위칭부의 단속을 제어하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 스위칭부, 상기 디지털 인터페이스부, 및 디지털 제어부는 하나의 ASIC(application-specific integrated circuit) 칩내에 실현되는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명에 따른 화상 형성장치는, 커패시터(C)와 병렬 연결된 1차측 코일(L) 및 상기 1차측 코일의 전류에 의해 전압이 유기되는 2차측 코일을 포함하 는 출력부, 상기 1차측 코일에서의 LC공진전압에 따라, 상기 출력부로 유입되는 전류를 단속하는 스위칭부, 소정 방식의 통신 인터페이스를 제공하는 디지털 인터페이스부, 및 상기 디지털 인터페이스를 통해 입력되는 제어 데이터 및 상기 1차측 코일에서의 LC공진전압에 따라, 상기 스위칭부의 단속 동작을 제어하는 디지털 제어부를 포함한다.
한편, 본 발명에 따른 고전압 발생방법은, 커패시터와 병렬 연결된 1차측 코일상의 LC공진에 따른 전압변화를 검출하는 단계, 상기 1차측 코일에서의 LC공진전압의 최소구간을 산출하는 단계, 및 상기 산출된 LC공진전압의 최소구간에 따라, 상기 커패시터(C) 및 1차측 코일(L)에 유입되는 전류를 단속하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 커패시터 및 상기 1차측 코일은 공진 회로를 구성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 커패시터 및 상기 1차측 코일에 직렬연결된 저항에서 전압강하가 이루어지는 단계를 더 포함한다.
또한, 상기 커패시터(C) 및 1차측 코일(L)에 유입되는 전류의 단속은 MOSFET의 동작에 의하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 전류를 단속하는 단계는, 상기 2차측 코일에 유기된 전압에 의한 출력값의 궤환신호에 의해서 상기 전류를 단속하는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명에 따른 화상형성장치는, 커패시터와 병렬 연결된 1차측 코일상의 LC공진에 따른 전압변화를 검출하는 단계, 상기 1차측 코일에서의 LC공진전압의 최소구간을 산출하는 단계, 및 상기 산출된 LC공진전압의 최소구간에 따라, 상기 커패시터(C) 및 1차측 코일(L)에 유입되는 전류를 단속하는 단계를 포함한다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 고전압 발생장치의 블럭도이다. 도 3을 참조하면, 본 고전압 발생장치는, 하나의 ASIC 칩내에 구비되는 디지털 인터페이스부(100), 오실레이터(130), 파워온리셋부(150), 제1 내지 제4 디지털 제어부(200, 300, 400, 500), 제1 내지 제4 스위칭부(270, 370, 470, 570)를 포함한다.
제1 내지 제4 스위칭부(270, 370, 470, 570)에는 각각 전원변압기, 전원배압회로 등이 구비된 출력부가 연결되는데, 도 3에서는 편의상 제1 스위칭부(270)에만 제1 출력부(650)가 접속되어 있는 경우를 도시하였다.
디지털 인터페이스부(100)는 출력전압의 파형이나 크기를 제어하기 위해 사용되는 제어 데이터를 엔진 제어부 등으로부터 전달받는다. 제어 데이터는, 듀티(duty) 비에 따라 출력전압의 레벨이 결정되는 PWM(Pulse Width Modulation) 형식데이터이거나, 혹은 범용 비동기화 송수신 방식인 UART(Universal Asynchronous Receiver/Transmitter), 두 개의 장치간에 직렬 통신으로 데이터를 교환할 수 있게 해주는 인터페이스인 SPI(Serial Peripheral Interface), 및 양방향 직렬 버스인 I2C 등의 시리얼 통신 인터페이스를 통해 전달되는 데이터 형식일 수 있다.
디지털 인터페이스부(100)는 엔진 제어부 등으로부터 입력받은 제어 데이터를 소정의 포멧으로 변환한 후, 제1 내지 제4 디지털 제어부(200, 300, 400, 500)로 각각 전달하여, 출력전압의 파형을 결정하는 시정수(data1, data2, data3, data4) 및 출력전압의 크기를 결정하는 제어 기준전압값 (V011*, V02*, V032*, V044*)으로 사용하도록 한다.
제1 내지 제4 디지털 제어부(200, 300, 400, 500)의 구성 및 기능은 동일하며, 디지털 인터페이스부(100)로부터 전달받은 제어 기준전압값( V011*, V02*, V032*, V044*)을 실제 출력되는 각 채널의 출력전압을 감지하여 피드백(feedback)한 신호(Vo)와 비교하고, 그 비교 결과에 따라 제1 내지 제4 스위칭부(270, 370, 470, 570) 중에서 대응되는 스위칭 소자의 구동신호로 사용하도록 한다.
제1 내지 제4 스위칭부(270, 370, 470, 570)도 ASIC 칩내에 구비되며, 스위칭 소자로 MOSFET(M1, M2, M3, M4)를 사용한다. 제1 내지 제4 스위칭부(270, 370, 470, 570)는 각각 제1 내지 제4 디지털 제어부(200, 300, 400, 500)에서 출력되는 구동신호가 MOSFET의 게이트(Gate)에 인가되어 온오프됨으로써 드레인(Drain)에 직렬 연결된 전원변압기의 1차측 코일에 흐르는 전류가 제어되도록 구성된다. 이와 같이, 트랜지스터 대신 MOSFET를 스위칭 소자로 사용함으로써, 종래와 같이 트랜지스터의 발열 방지를 위한 방열판의 사용이 불필요해진다.
고전압 발생장치(600)에는 클럭 발생기인 오실레이터(Oscillator)(130)와, 전원인가시 리셋 신호를 공급하는 파워온리셋부(150)가 구비되며, 고전압 공급용 전원인 24V와 IC 구동용 전원인 VDD가 공급되도록 구성되어 있다.
이와 같은 구성에 의해, 엔진 제어부 등에서 전달되는 제어 데이터에 따라 각 채널의 출력부를 제어하여 고전압을 발생시킨다.
도 4는 본 발명에 따른 제1 출력부의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다. 도 4를 참조하면, 제1 출력부(650)는 전원 변압기(653)와 전원배압부 및 정류부(657)을 포함한다.
전원 변압기(653)는 제 1스위칭부(270)와 직렬로 연결되어 있으며, 1차측 코일과 2차측 코일을 포함하며, 1차측 코일에는 소정 크기의 커패시턴스를 갖는 커패시터가 병렬로 연결되어 있다. 여기서 전술한 커패시터 및 1차측 코일은 LC공진회로를 구성한다.
제 1스위칭부(270)가 스위칭 온(ON)되는 경우에 1차측 코일로 전류가 도통되며, 이에 의해 2차측 코일에 전류가 유도된다. 그 결과 전원 배압부 및 정류부(657)로 에너지가 전달된다.
즉, 1차측 코일로 전류가 도통되는 경우에 전원 변압기(653)의 2차측 코일에 병렬로 연결된 커패시터는 1차측 코일과 2차측 코일간의 턴(Turn)비에 해당하는 고압으로 충전된다.
이후 제 1스위칭부(270)가 스위칭 오프(OFF)되는 경우에 전원변압기(653)의 공진회로상의 커패시터 및 1차측 코일간의 공진현상에 의해 공진전류가 환류되며, 이에 의해 제 1출력부(650)의 출력전압이 제어된다.
즉, 제 1스위칭부(270)가 스위칭 오프(OFF)되는 경우 2차측 코일에 직렬연결된 출력측 다이오드가 순방향 바이어스(Forward Bias)되어 최종 출력전압을 상승시키며, 이러한 출력전압은 배압회로를 거쳐 승압후 최종 출력전압으로 사용되게 된다.
이후에 제 1스위칭부(270)가 스위칭 온(ON)되는 경우에, 제 1스위칭부(270)의 스위칭 단자간의 전압이 클수록 그에 따른 제 1스위칭부(270)에서의 발열량은 커지게 되고, 이에 따라 제 1스위칭부(270)의 손실이 있게 된다. 여기서 제 1스위칭부(270)의 스위칭 단자간의 전압은 1차측 코일 양단간에 형성된 전압과 같을 것이다.
따라서, 제 1스위칭부(270)의 스위칭 단자간 전압이 최소화되는 시점에, 제 1스위칭부(270)가 스위칭 온(ON)되어야 제 1스위칭부(270)에서의 발열량 및 그에 따른 손실을 최소화할 수 있게 된다.
도 5a는 본 발명의 일실시예에 따른 1차측 코일상의 공진시의 전압변화를 나타낸 그래프이다. 도 5a를 참조하면, 전원 변압기(653)상의 공진회로의 공진시의 1차측 코일양단간의 전압의 변화가 정현파 형태를 보이고 있음을 알 수 있다. 이는 공진 주파수가 35KHz인 경우의 공진전압으로서, 발명을 실시함에 있어서, 공진 주파수는 1차측 코일의 리액턴스값과 1차측 코일에 병렬 연결된 커패시턴스값의 조정에 의해서 조정될 수 있을 것이다.
공진시의 1차측 코일양단간의 전압과 같은 크기의 전압이 제 1스위칭부(270)의 스위칭 소자인 MOSFET의 양단자에 걸리게 되고, 해당 전압은 제 1디지털 제어부(200)에 의해서 검출된다.
제 1디지털 제어부(200)는 검출한 전압의 최소구간을 검출하게 되는데, 여기서 최소구간의 폭은 디지털 인터페이스부(100)로부터의 제어 데이터를 통해 결정된MOSFET의 스위칭 온(ON)의 상태가 지속되어야 하는 시간이 된다. 또한, MOSFET의 양단자에 걸린 전압이 최소가 되는 시점이 전술한 최소구간의 중심점이 된다.
도 5b는 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 게이트 전압변화를 나타낸 그래프이다. 도 5b를 참조하면, 제 1디지털 제어부(200)가 검출한 전압의 최소구간에 따라 형성된 게이트 전압의 변화를 알 수 있다. 제 1디지털 제어부(200)가 검출한 전압의 최소구간은 도 5b상의 게이트 전압의 펄스폭이 되며, 게이트 전압 상승시에 MOSFET은 스위칭 온(ON)이 되며, 게이트 전압 하강시에 MOSFET은 스위칭 오프(OFF)가 된다.
도 5c는 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 드레인 소스 전압변화를 나타낸 그래프이다. 도 5c를 참조하면, MOSFET의 드레인 소스전압은 MOSFET의 양단간의 전압으로서, 도 5a에서 참조한, 1차측 코일상의 공진시의 전압변화와 일치하지만, 도 5b에서 참조한 MOSFET의 게이트 전압의 상승구간(이는, 제 1디지털 제어부(200)가 검출한 전압의 최소구간이 될 것이다.)동안에는 전압이 '0'으로 떨어지게 된다.
도 5d는 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 드레인 전류변화를 나타내 그래프이다. 도 5d를 참조하면, 도 5c에서 참조한 드레인 소스전압이 '0'인 구간동안에는 드레인 전류가 형성됨을 확인할 수 있다. 이 경우 전원 변압기(653)로는 전류가 인가되게 된다.
한편, 발명을 실시함에 있어서는, 제1 출력부(650)으로부터의 출력값은 제1 디지털 제어부(200)로 궤환(Feedback)되고, 제1 디지털 제어부(200)는 전술한 궤환신호 및 디지털 인터페이스부(100)로부터 입력받은 제어 데이터를 비교하여 제1 스위칭부(270)의 단속을 제어할 수도 있을 것이다.
전술한 바와 같이, 스위칭 소자 양단간의 전압이 최소구간내에 존재하는 상태에서 스위칭 온/오프(ON/OFF)동작이 이루어짐에 따라, 스위칭 손실을 최소화하며 출력전압 제어가 이루어진다.
한편, 전원 변압기(653)는 전술한 LC공진회로에 직렬로 연결된 소정 크기의 저항을 포함하고 있는 데, 이 저항은 전압강화에 의해 스위칭 소자의 양단간에 걸리는 전압을 감소시키는 역할을 함으로써, 스위칭의 손실을 더욱 감소시키게 된다. 전술한 저항의 저항값은 본 발명의 실시환경에 따라 적절하게 설정될 수 있을 것이다.
한편, 제2 내지 제4 디지털 제어기(300, 400, 500)의 구성 및 기능과 도시되지 않은 제2 출력부 내지 제4 출력부의 구성 및 기능은, 상기한 제1 디지털 제어기(200)의 구성 및 기능과 동일할 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 스위칭 소자의 양단간에 걸리는 전압이 최소구간내에 존재하는 시점에 스위칭 동작이 이루어지도록 함으로써, 스위칭 소자에서의 발열량 및 그에 따른 스위칭 소자의 손실을 저감시키는 효과가 있게 된다.
또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예 및 응용예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예 및 응용예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.

Claims (14)

  1. 커패시터와 병렬 연결된 1차측 코일 및 상기 1차측 코일의 전류에 의해 전압이 유기되는 2차측 코일을 포함하는 출력부;
    상기 1차측 코일에서의 LC공진전압에 따라, 상기 출력부로 유입되는 전류를 단속하는 스위칭부;
    소정 방식의 통신 인터페이스를 제공하는 디지털 인터페이스부; 및
    상기 디지털 인터페이스를 통해 입력되는 제어 데이터 및 상기 1차측 코일에서의 LC공진전압에 따라, 상기 스위칭부의 단속 동작을 제어하는 디지털 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 커패시터 및 상기 1차측 코일은 공진 회로를 구성하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 스위칭부는, 상기 LC공진전압의 최소구간에서 전류를 단속하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 출력부는 상기 커패시터 및 상기 1차측 코일에 직렬연결되는 저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 스위칭부의 스위칭 소자는 MOSFET인 것을 특징으로 하는 고전압 발생장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 디지털 제어부는 상기 출력부로부터의 출력값의 궤환신호에 의해서 상기 스위칭부의 단속을 제어하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 스위칭부, 상기 디지털 인터페이스부, 및 디지털 제어부는 하나의 ASIC(application-specific integrated circuit) 칩내에 실현되는 것을 특징으로 하는 고전압 발생장치.
  8. 커패시터(C)와 병렬 연결된 1차측 코일(L) 및 상기 1차측 코일의 전류에 의해 전압이 유기되는 2차측 코일을 포함하는 출력부;
    상기 1차측 코일에서의 LC공진전압에 따라, 상기 출력부로 유입되는 전류를 단속하는 스위칭부;
    소정 방식의 통신 인터페이스를 제공하는 디지털 인터페이스부; 및
    상기 디지털 인터페이스를 통해 입력되는 제어 데이터 및 상기 1차측 코일에서의 LC공진전압에 따라, 상기 스위칭부의 단속 동작을 제어하는 디지털 제어부;를 포함하는 고전압 발생장치를 이용하여 인쇄를 수행하는 화상형성장치.
  9. 커패시터와 병렬 연결된 1차측 코일상의 LC공진에 따른 전압변화를 검출하는 단계;
    상기 1차측 코일에서의 LC공진전압의 최소구간을 산출하는 단계; 및
    상기 산출된 LC공진전압의 최소구간에 따라, 상기 커패시터(C) 및 1차측 코일(L)에 유입되는 전류를 단속하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 커패시터 및 상기 1차측 코일은 공진 회로를 구성하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생방법.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 커패시터 및 상기 1차측 코일에 직렬연결된 저항에서 전압강하가 이루 어지는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생방법.
  12. 제 9항에 있어서,
    상기 커패시터(C) 및 1차측 코일(L)에 유입되는 전류의 단속은 MOSFET의 동작에 의하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생방법.
  13. 제 9항에 있어서,
    상기 전류를 단속하는 단계는, 상기 2차측 코일에 유기된 전압에 의한 출력값의 궤환신호에 의해서 상기 전류를 단속하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생방법.
  14. 커패시터와 병렬 연결된 1차측 코일상의 LC공진에 따른 전압변화를 검출하는 단계;
    상기 1차측 코일에서의 LC공진전압의 최소구간을 산출하는 단계; 및
    상기 산출된 LC공진전압의 최소구간에 따라, 상기 커패시터(C) 및 1차측 코일(L)에 유입되는 전류를 단속하는 단계;를 포함하는 고전압 발생방법을 이용하여 인쇄를 수행하는 화상형성장치.
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