KR100634679B1 - Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 얇은 두께를 가지면서 산소 또는 수분의 침투를 방지할 수 있는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다. 상기 유기 전계 발광 소자는 복수의 픽셀들, 평탄화막, 경로연장부들, 침투방지막 및 패시베이션막을 포함한다. 상기 픽셀들은 기판 위에 형성된 복수의 픽셀들을 가지고, 상기 평탄화막은 상기 픽셀들을 덮도록 형성된다. 상기 경로연장부들은 상기 평탄화막의 주변에서 상기 기판 위에 형성되고, 상기 침투방지막은 상기 평탄화막 및 상기 경로연장부들이 형성된 기판 위에서 형성된다. 상기 패시베이션막은 상기 침투방지막 위에 형성된다. 상기 유기 전계 발광 소자는 기판 위에 경로연장부들을 형성하므로, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투할 수 있는 경로가 길어져서 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 내부로 침투하지 못한다. The present invention relates to an organic electroluminescent device having a thin thickness and capable of preventing the penetration of oxygen or moisture. The organic EL device includes a plurality of pixels, a planarization layer, path extension portions, a penetration barrier layer, and a passivation layer. The pixels have a plurality of pixels formed on a substrate, and the planarization film is formed to cover the pixels. The path extension parts are formed on the substrate around the planarization film, and the penetration barrier layer is formed on the substrate on which the planarization film and the path extension parts are formed. The passivation film is formed on the penetration prevention film. Since the organic EL device forms path extensions on the substrate, the path through which oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O) penetrates is long, so that oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O) is internally formed. Cannot penetrate into.

유기 전계 발광 소자, 평탄화막, 패시베이션막, 경로Organic electroluminescent element, planarization film, passivation film, path

Description

유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}Organic electroluminescent device and method for manufacturing same {ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}

도 1a는 종래의 제 1 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.1A is a plan view illustrating a conventional first organic electroluminescent device.

도 1b는 종래의 제 2 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.1B is a plan view illustrating a conventional second organic electroluminescent device.

도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다. 2A is a plan view illustrating an organic EL device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2b는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.2B is a plan view illustrating an organic EL device according to another exemplary embodiment of the present invention.

본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 얇은 두께를 가지면서 산소 또는 수분의 침투를 방지할 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same having a thin thickness to prevent the penetration of oxygen or moisture.

유기 전계 발광 소자는 소정의 전압이 인가된 경우 특정 파장의 빛을 발생시키는 소자로서, 종래에는 이하의 유기 전계 발광 소자들이 개발되었었다. The organic electroluminescent device is a device for generating light having a specific wavelength when a predetermined voltage is applied, and the following organic electroluminescent devices have been developed.

도 1a는 종래의 제 1 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.1A is a plan view illustrating a conventional first organic electroluminescent device.

도 1a를 참조하면, 상기 제 1 유기 전계 발광 소자는 복수의 픽셀들(30), 게터(getter, 50) 및 셀캡(70)을 포함한다. Referring to FIG. 1A, the first organic EL device includes a plurality of pixels 30, a getter 50, and a cell cap 70.

각 픽셀들(30)은 기판(10) 위에 순차적으로 형성된 인듐주석산화물층(100), 유기물층(120) 및 금속전극층(140)을 포함한다. Each pixel 30 includes an indium tin oxide layer 100, an organic material layer 120, and a metal electrode layer 140 sequentially formed on the substrate 10.

인듐주석산화물층(100)에 양의 전압이 인가되고 금속전극층(140)에 음의 전압이 인가된 경우, 유기물층(120)은 특정 파장의 빛을 발생시킨다.When a positive voltage is applied to the indium tin oxide layer 100 and a negative voltage is applied to the metal electrode layer 140, the organic material layer 120 generates light having a specific wavelength.

게터(50)는 내부에 있는 산소(O2) 또는 수분(H2O)을 제거한다. 여기서, 게터(50)는 셀캡(70)에 부착된다. The getter 50 removes oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O) therein. Here, the getter 50 is attached to the cell cap 70.

셀캡(70)은 픽셀들(30)을 덮어서 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 셀캡(70)의 내부로 침투하는 것을 방지한다. 또한, 셀캡(70)에는 게터(50)와 금속전극층이 접촉되는 것을 방지하기 위한 공간이 확보되어야 하며, 이로 인하여 셀캡(70)의 두께가 증가되었다. The cell cap 70 covers the pixels 30 to prevent oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O) from penetrating into the cell cap 70. In addition, the cell cap 70 must have a space for preventing the getter 50 and the metal electrode layer from contacting, thereby increasing the thickness of the cell cap 70.

최근에 핸드폰 등은 가볍고 두께가 얇아지고 있다. 그러므로, 이에 부합하기 위해, 핸드폰 등의 디스플레이 소자로서 사용되는 유기 전계 발광 소자도 얇아져야 했다. 그러나, 종래의 제 1 유기 전계 발광 소자는 게터(50)를 부착한 셀캡(70)을 사용하므로, 두께가 두꺼워지게 되어 최근의 추세에 부합되지 못하였다. Recently, cell phones and the like have become lighter and thinner. Therefore, in order to comply with this, organic electroluminescent elements used as display elements such as mobile phones had to be thinned. However, since the conventional first organic electroluminescent device uses the cell cap 70 to which the getter 50 is attached, the thickness of the first organic electroluminescent device has not been met to meet the recent trend.

그래서, 이하의 제 2 유기 전계 발광 소자가 개발되었다. Then, the following 2nd organic electroluminescent element was developed.

도 1b는 종래의 제 2 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.1B is a plan view illustrating a conventional second organic electroluminescent device.

도 1b를 참조하면, 상기 제 2 유기 전계 발광 소자는 픽셀들(30), 평탄화막(Planarization Layer, 200) 및 패시베이션막(Passivation Layer, 220)을 포함한다. Referring to FIG. 1B, the second organic electroluminescent device includes pixels 30, a planarization layer 200, and a passivation layer 220.

평탄화막(200)은 픽셀들(30) 위에 형성되어 픽셀들(30)과 패시베이션막(220) 사이의 접착력을 강화시킨다. The planarization layer 200 is formed on the pixels 30 to enhance the adhesion between the pixels 30 and the passivation layer 220.

패시베이션막(220)은 평탄화막(200) 위에 형성되고, 그래서 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 패시베이션막(220)의 내부 공간으로 침투하는 것을 방지한다. 그러나, 패시베이션막(220)과 기판(10)이 접착되는 부분 중 패시베이션막(220)의 에지(edge) 부분은 두께가 얇고 공정 특성상 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투할 수 있었다. 그 결과, 픽셀들(30)에 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투되어 픽셀들(30)의 발광 영역이 점차적으로 줄어들고, 결국은 픽셀들(30)은 발광하지 못하였다. The passivation film 220 is formed on the planarization film 200, thereby preventing oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O) from penetrating into the internal space of the passivation film 220. However, the edge portion of the passivation film 220 among the portions where the passivation film 220 and the substrate 10 are bonded is thin and oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O) may penetrate due to process characteristics. there was. As a result, oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O) penetrates the pixels 30, and thus the emission area of the pixels 30 gradually decreases, and eventually the pixels 30 fail to emit light.

그러므로, 얇은 두께를 가지면서 산소(O2) 또는 수분(H2O)의 침투를 방지할 수 있는 유기 전계 발광 소자가 요구된다. Therefore, there is a need for an organic electroluminescent device having a thin thickness and capable of preventing the penetration of oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O).

본 발명의 목적은 산소 또는 수분이 픽셀들에 영향을 미치지 않도록 산소 또는 수분의 침투를 방지하는 유기 전계 발광 소자및 이를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide an organic electroluminescent device which prevents the penetration of oxygen or moisture so that oxygen or moisture does not affect the pixels and a method of manufacturing the same.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 복수의 픽셀들, 평탄화막, 경로연장부들, 침투방지막 및 패시베이션막을 포함한다. 상기 픽셀들은 기판 위에 형성된 복수의 픽셀들을 가지고, 상기 평탄화막은 상기 픽셀들을 덮도록 형성된다. 상기 경로연장부들은 상기 평탄화막의 주변에서 상기 기판 위에 형성되고, 상기 침투방지막은 상기 평탄화막 및 상기 경로연장부들이 형성된 기판 위에서 형성된다. 상기 패시베이션막은 상기 침투방지막 위에 형성된다. In order to achieve the object as described above, the organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of pixels, planarization film, path extension, a penetration prevention film and a passivation film. The pixels have a plurality of pixels formed on a substrate, and the planarization film is formed to cover the pixels. The path extension parts are formed on the substrate around the planarization film, and the penetration barrier layer is formed on the substrate on which the planarization film and the path extension parts are formed. The passivation film is formed on the penetration prevention film.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 위에 형성된 복수의 픽셀들을 가지는 유기 전계 발광 소자 제조 방법은 상기 픽셀들을 덮도록 평탄화막을 형성하는 단계, 상기 기판 위에서 상기 평탄화막이 형성되는 영역의 주변에 복수의 경로연장부들을 형성하는 단계, 상기 평탄화막 및 상기 경로연장부들이 형성된 기판 위에 침투방지막을 형성하는 단계 및 상기 침투방지막 위에 패시베이션막을 형성하는 단계를 포함한다. In a method of manufacturing an organic light emitting display device having a plurality of pixels formed on a substrate according to an exemplary embodiment of the present invention, forming a planarization film to cover the pixels, and a plurality of paths around a region where the planarization film is formed on the substrate. Forming extension parts, forming a penetration prevention film on the planarization film and the substrate having the path extension parts, and forming a passivation film on the penetration prevention film.

본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 평탄화막 위에 침투방지막 및 패시베이션막을 형성하므로, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 내부로 침투하지 못한다. The organic electroluminescent device and the method of manufacturing the same according to the present invention form a penetration preventing film and a passivation film on the planarization film, so that oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O) does not penetrate inside.

아울러, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 기판 위에 경로연장부들을 형성하므로, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투할 수 있는 경로가 길어져서 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 내부로 침투하지 못한다. In addition, since the organic electroluminescent device and the method of manufacturing the same according to the present invention form path extension portions on the substrate, the path through which oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O) penetrates is increased, and thus, oxygen (O 2). ) Or moisture (H 2 O) does not penetrate inside.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법의 바람직한 실시예들을 자세히 설명하도록 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail preferred embodiments of the organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same according to the present invention.

도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다. 2A is a plan view illustrating an organic EL device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 경로연장부들(620), 픽셀들(30), 평탄화막(Planarization Layer, 640), 침투방지막(660) 및 패시베이션막(Passivation Layer, 680)을 포함한다. Referring to FIG. 2A, the organic electroluminescent device of the present invention includes path extension parts 620, pixels 30, a planarization layer 640, a penetration barrier 660, and a passivation layer 680. It includes.

픽셀들(30)은 각기 순차적으로 형성된 인듐주석산화물층(Indium Tin Oxide Film, 100, 이하 "ITO층"이라 함), 유기물층(120) 및 금속전극층(140)을 포함한다. 그래서, ITO층(100)에 소정의 양의 전압이 인가되고 금속전극층(140)에 소정의 음의 전압이 인가된 경우, 픽셀들(30)은 특정 파장의 빛을 발생시킨다.The pixels 30 include an indium tin oxide layer 100 (hereinafter, referred to as an “ITO layer”), an organic layer 120, and a metal electrode layer 140, which are sequentially formed. Thus, when a predetermined positive voltage is applied to the ITO layer 100 and a predetermined negative voltage is applied to the metal electrode layer 140, the pixels 30 generate light having a specific wavelength.

경로연장부들(620)은 픽셀들(30)이 형성되는 액티브 영역의 주변에서 기판(600) 위에 형성된다. 여기서, 경로연장부들(620)은 정사각형 또는 직사각형 모양을 가진다. 또는, 경로연장부들(620)은 윗변의 길이가 아랫변의 길이보다 긴 사다리꼴 모양, 즉 오버행(overhang) 구조를 가진다.The path extensions 620 are formed on the substrate 600 at the periphery of the active region where the pixels 30 are formed. Here, the path extensions 620 have a square or rectangular shape. Alternatively, the path extensions 620 have a trapezoidal shape, that is, an overhang structure, in which the length of the upper side is longer than the length of the lower side.

평탄화막(640)은 픽셀들(30)을 덮도록 형성되고, 벤조사이클로부텐(BenzoCyclo-Butene, BCB) 또는 씰크(Dow Chemical Company 상표, SiLK)와 같은 비전도성 유기막으로 이루어져 있다. The planarization layer 640 is formed to cover the pixels 30 and is formed of a non-conductive organic layer such as BenzoCyclo-Butene (BCB) or Seal Chemical Company (SiLK).

침투방지막(660)은 평탄화막(640) 및 경로연장부들(620)이 형성된 기판(600) 을 덮도록 형성되고, 산소(O2) 또는 수분(H2O)과 반응을 잘하는 알루미늄(aluminium, Al), 티타늄(titanium, Ti) 또는 티타늄 나이트라이드(titanium nitride, TiN)와 같은 금속으로 이루어져 있다. 그 결과, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투하는 경우, 상기 금속은 산화되고, 즉 침투방지막(660)은 산화막으로 변화된다. 상기 변화된 산화막은 상기 금속에 비하여 밀도가 높고, 그 결과 상기 변화된 산화막을 따라서 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 확산되지 않는다. 즉, 상기 산화막이 형성된 후 침투하는 산소(O2) 또는 수분(H2O)은 상기 금속의 상기 산화막으로의 변화에 따른 밀도 변화에 의해 침투방지막(660)의 내부로 침투하지 못한다. The penetration barrier 660 is formed to cover the substrate 600 on which the planarization film 640 and the path extension parts 620 are formed, and reacts well with oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O). Al), titanium (Ti) or titanium nitride (TiN). As a result, when oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O) penetrates, the metal is oxidized, that is, the penetration barrier 660 is changed into an oxide film. The changed oxide film has a higher density than the metal, and as a result, oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O) does not diffuse along the changed oxide film. That is, oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O) that penetrates after the oxide film is formed may not penetrate into the penetration prevention layer 660 due to a density change caused by the change of the metal into the oxide film.

패시베이션막(680)은 침투방지막(660) 위에 형성되고, 무기막이다. 상세하게는, 본 발명의 일 실시예에 따른 패시베이션막(680)은 침투방지막(660) 위에 제 1 실리콘산화막, 실리콘질화막 및 제 2 실리콘산화막이 순차적으로 증착됨에 의해 형성되고, 그래서 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 패시베이션막(680)의 내부로 침투하는 것을 방지한다. 여기서, 상기 실리콘질화막은 산소(O2) 또는 수분(H2O)의 침투를 방지하는데 우수한 특성이 있는 반면에 두껍게 형성되면 기판(600)을 휘어지게 하는 특성이 있다. 그러므로, 상기 실리콘질화막이 산소방지막 또는 수분방지막으로 사용되기 위해서는 얇게 형성되어야 한다. The passivation film 680 is formed on the penetration prevention film 660 and is an inorganic film. Specifically, the passivation film 680 according to the embodiment of the present invention is formed by sequentially depositing the first silicon oxide film, the silicon nitride film and the second silicon oxide film on the penetration barrier 660, so that oxygen (O 2) ) Or moisture (H 2 O) is prevented from penetrating into the passivation film 680. Here, the silicon nitride film has excellent properties to prevent the penetration of oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O), while the silicon nitride film has a property of bending the substrate 600 when formed thick. Therefore, the silicon nitride film must be thin in order to be used as an oxygen barrier or a moisture barrier.

본 발명의 다른 실시예에 따른 패시베이션막(680)은 침투방지막(660) 위에 제 1 실리콘산화막, 제 1 실리콘질화막, 제 2 실리콘산화막, 제 2 실리콘질화막 및 제 3 실리콘산화막이 순차적으로 증착됨에 의해 형성된다. 여기서, 산소(O2) 또는 수분(H2O)의 침투를 막기 위해서 상기 실리콘질화막들을 두껍게 형성하는 경우, 기판(600)이 휘어질 수 있으므로 상기 실리콘질화막들은 위와 같이 다수의 층으로 분리되어 형성되어야 한다. In the passivation film 680 according to another embodiment of the present invention, the first silicon oxide film, the first silicon nitride film, the second silicon oxide film, the second silicon nitride film, and the third silicon oxide film are sequentially deposited on the penetration barrier layer 660. Is formed. In this case, when the silicon nitride layers are thickly formed to prevent infiltration of oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O), the substrate 600 may be bent, so the silicon nitride layers may be separated into a plurality of layers as described above. Should be.

본 발명의 유기 전계 발광 소자는 경로연장부들(620)이 형성된 기판(600) 위에 침투방지막(660) 및 패시베이션막(680)을 순차적으로 형성한다. 그러므로, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 패시베이션막(680)의 내부로 침투할 수 있는 침투경로가 길어지고, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투하는 경우 침투방지막(660)이 산화막으로 변화된다. 그 결과, 이 후에 침투하는 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투방지막(660)의 내부로 침투되지 못한다. The organic electroluminescent device of the present invention sequentially forms the penetration preventing film 660 and the passivation film 680 on the substrate 600 on which the path extension parts 620 are formed. Therefore, oxygen (O 2) or water (H 2 O) a passivation film is penetration path that can penetrate into the interior of (680) is lengthened, the penetration if the penetration of oxygen (O 2) or water (H 2 O) The prevention film 660 is changed into an oxide film. As a result, oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O) that penetrates later does not penetrate into the penetration barrier 660.

이하에서는, 상기 유기 전계 발광 소자 제조 과정을 상술하겠다. Hereinafter, the manufacturing process of the organic EL device will be described in detail.

기판(600) 위에 픽셀들(30)이 형성된다. Pixels 30 are formed on the substrate 600.

이어서, 픽셀들(30)을 덮도록 평탄화막(640)을 증착한다.Next, the planarization film 640 is deposited to cover the pixels 30.

계속하여, 기판(600) 위에서 평탄화막(640)의 주변에 경로연장부들(620)을 형성한다. 다만, 본 발명의 다른 실시예에 따른 경로연장부들(620)은 픽셀들(30)이 기판(600) 위에 형성되기 전에 형성될 수 있다. 또는, 경로연장부들(620)이 오버행 구조를 가진 경우에는, 경로연장부들(620)은 픽셀들(30)이 형성되는 공정 중에서 격벽이 형성되는 공정에 함께 형성되고, 상기 격벽과 동일한 물질로 이루어진다. 그러므로, 이 경우 경로연장부들(620)을 형성하기 위한 별도의 공정이 요구되지 않는다. Subsequently, path extension parts 620 are formed around the planarization film 640 on the substrate 600. However, the path extension parts 620 according to another embodiment of the present invention may be formed before the pixels 30 are formed on the substrate 600. Alternatively, when the path extension parts 620 have an overhang structure, the path extension parts 620 are formed together in the process of forming the partition wall in the process of forming the pixels 30 and are made of the same material as the partition wall. . Therefore, in this case, a separate process for forming the path extension parts 620 is not required.

이어서, 평탄화막(640) 및 경로연장부들(620)이 형성된 기판(600) 위에 금속막인 침투방지막(660)이 형성된다. Subsequently, a penetration prevention film 660, which is a metal film, is formed on the substrate 600 on which the planarization film 640 and the path extension parts 620 are formed.

계속하여, 침투방지막(660) 위에 패시베이션막(680)을 형성한다. Subsequently, a passivation film 680 is formed over the penetration prevention film 660.

도 2b는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.2B is a plan view illustrating an organic EL device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 2b를 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 복수의 픽셀들(30), 평탄화막(640), 침투방지막(700) 및 패시베이션막(680)을 포함한다. Referring to FIG. 2B, the organic electroluminescent device of the present invention includes a plurality of pixels 30, a planarization film 640, a penetration prevention film 700, and a passivation film 680.

침투방지막(700)을 제외한 나머지 구성 요소들은 도 2a에 도시된 유기 전계 발광 소자의 구성 요소들과 동일한 기능을 수행하므로, 이하 설명을 생략한다. The remaining components except for the penetration barrier film 700 perform the same functions as the components of the organic EL device illustrated in FIG. 2A, and thus the description thereof will be omitted.

침투방지막(700)은 산화막이다. 상세하게는, 침투방지막(700)은 평탄화막(640) 및 경로연장부들(620)이 형성된 기판(600)을 덮도록 알루미늄(Al), 티타늄(Ti) 또는 티타늄 나이트라이드(TiN)와 같은 금속층을 형성하고, 그런 후 상기 금속층을 산소 분위기에서 산화시킴에 의해 형성된다. 즉, 본 발명의 침투방지막(700)은 제 5 실시예의 침투방지막(460)과 달리 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투하기 전에 형성된다. The penetration barrier 700 is an oxide film. In detail, the penetration barrier layer 700 may include a metal layer such as aluminum (Al), titanium (Ti), or titanium nitride (TiN) to cover the substrate 600 on which the planarization layer 640 and the path extension parts 620 are formed. Is formed, and then the metal layer is formed by oxidizing in an oxygen atmosphere. That is, the penetration barrier film 700 of the present invention is formed before oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O) penetrates, unlike the penetration barrier 460 of the fifth embodiment.

상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다. Preferred embodiments of the present invention described above are disclosed for purposes of illustration, and those skilled in the art having ordinary knowledge of the present invention will be able to make various modifications, changes, additions within the spirit and scope of the present invention, such modifications, changes and Additions should be considered to be within the scope of the following claims.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 평탄화막 위에 침투방지막 및 패시베이션막을 형성하므로, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 내부로 침투하지 못하는 장점이 있다. As described above, the organic electroluminescent device and the method of manufacturing the same according to the present invention form an anti-penetration film and a passivation film on the planarization film, so that oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O) does not penetrate inside. There is this.

아울러, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 기판 위에 경로연장부들을 형성하므로, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투할 수 있는 경로가 길어져서 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 내부로 침투하지 못하는 장점이 있다. In addition, since the organic electroluminescent device and the method of manufacturing the same according to the present invention form path extension portions on the substrate, the path through which oxygen (O 2 ) or moisture (H 2 O) penetrates is increased, and thus, oxygen (O 2). ) Or moisture (H 2 O) does not penetrate inside.

Claims (7)

기판 위에 형성된 복수의 픽셀들을 가지는 유기 전계 발광 소자에 있어서, In an organic electroluminescent device having a plurality of pixels formed on a substrate, 상기 픽셀들을 덮도록 형성된 평탄화막;A planarization film formed to cover the pixels; 상기 평탄화막의 주변에서 상기 기판 위에 형성된 복수의 경로연장부들; A plurality of path extension parts formed on the substrate around the planarization film; 상기 평탄화막 및 상기 경로연장부들이 형성된 기판 위에 형성된 침투방지막; 및A penetration barrier film formed on the substrate on which the planarization film and the path extension parts are formed; And 상기 침투방지막 위에 형성된 패시베이션막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자. An organic electroluminescent device comprising a passivation film formed on the penetration barrier film. 제 1 항에 있어서, 상기 침투방지막은 알루미늄(aluminium, Al), 티타늄(titanium, Ti) 또는 티타늄 나이트라이드(titanium nitride, TiN)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the penetration barrier layer is made of aluminum (Al), titanium (Ti), or titanium nitride (TiN). 제 1 항에 있어서, 상기 침투방지막은 산화막인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the penetration preventing film is an oxide film. 제 1 항에 있어서, 상기 각 경로연장부들은 윗변의 길이가 아랫변의 길이보다 긴 사다리꼴 모양을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein each of the path extension parts has a trapezoidal shape having an upper side longer than a lower side. 기판 위에 형성된 복수의 픽셀들을 가지는 유기 전계 발광 소자에 있어서,In an organic electroluminescent device having a plurality of pixels formed on a substrate, 상기 픽셀들을 덮도록 평탄화막을 형성하는 단계;Forming a planarization film to cover the pixels; 상기 기판 위에서 상기 평탄화막이 형성되는 영역의 주변에 복수의 경로연장부들을 형성하는 단계; Forming a plurality of path extensions around the region where the planarization film is formed on the substrate; 상기 평탄화막 및 상기 경로연장부들이 형성된 기판 위에 침투방지막을 형성하는 단계; 및Forming a penetration prevention film on the substrate on which the planarization film and the path extension parts are formed; And 상기 침투방지막 위에 패시베이션막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법. Forming a passivation film on the penetration barrier film, characterized in that it comprises an organic electroluminescent device. 제 5 항에 있어서, 상기 각 픽셀은,The method of claim 5, wherein each pixel, 상기 기판 위에 인듐주석산화물층, 절연막 및 격벽을 순차적으로 형성하는 단계; 및Sequentially forming an indium tin oxide layer, an insulating film, and a partition on the substrate; And 상기 인듐주석산화물층 위에 유기물층 및 금속전극층을 순차적으로 형성하는 단계에 의해 형성되고,It is formed by sequentially forming an organic material layer and a metal electrode layer on the indium tin oxide layer, 상기 경로연장부들은 상기 격벽이 형성될 때 함께 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법. The path extension parts are formed when the barrier rib is formed. 제 5 항에 있어서, 상기 침투방지막을 형성하는 단계는, The method of claim 5, wherein the forming of the penetration barrier layer, 상기 평탄화막 및 상기 경로연장부들이 형성된 기판 위에 금속막을 형성하는 단계; 및Forming a metal film on the substrate on which the planarization film and the path extension parts are formed; And 산소분위기에서 상기 금속막을 산화시켜 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법. Oxidizing the metal film in an oxygen atmosphere to form an oxide film.
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