KR100625335B1 - Method and apparatus for controlling sensor's height by the thickness of the wafer - Google Patents

Method and apparatus for controlling sensor's height by the thickness of the wafer Download PDF

Info

Publication number
KR100625335B1
KR100625335B1 KR1020040115288A KR20040115288A KR100625335B1 KR 100625335 B1 KR100625335 B1 KR 100625335B1 KR 1020040115288 A KR1020040115288 A KR 1020040115288A KR 20040115288 A KR20040115288 A KR 20040115288A KR 100625335 B1 KR100625335 B1 KR 100625335B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
sensor
thickness
light
height
Prior art date
Application number
KR1020040115288A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060075914A (en
Inventor
이창섭
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020040115288A priority Critical patent/KR100625335B1/en
Publication of KR20060075914A publication Critical patent/KR20060075914A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100625335B1 publication Critical patent/KR100625335B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼 두께에 따른 센서 위치 조절 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 센서의 위치 조절 방법은 (a) 센서의 발광부에서 빛을 방사하는 단계, (b) 센서의 수광부에서 상기 빛을 받아 웨이퍼가 존재하는지를 판단하는 단계, (c) 센서가 웨이퍼를 감지하지 못하는 경우에는 센서의 위치를 일정 높이만큼 조절하는 단계-여기서 센서가 일정 횟수 이상 웨이퍼를 감지하지 못하면 일정 신호를 방출함- 및 (d) 일정 높이만큼 조절한 위치에서 (a), (b) 단계를 수행하는 단계를 포함한다. The present invention relates to a method and apparatus for adjusting sensor position according to wafer thickness. The method for adjusting the position of a sensor according to the present invention includes the steps of (a) emitting light from a light emitting part of a sensor, (b) determining whether a wafer exists by receiving the light from a light receiving part of a sensor, and (c) the sensor If not, adjust the position of the sensor by a certain height, where the sensor emits a certain signal if it does not detect the wafer more than a certain number of times; and (d) at the position adjusted by a certain height, (a), (b Performing a step).

웨이퍼, 센서, 질화물Wafer, sensor, nitride

Description

웨이퍼 두께에 따른 센서 위치 조절 방법 및 장치{Method and apparatus for controlling sensor's height by the thickness of the wafer} Method and apparatus for adjusting sensor position according to wafer thickness {Method and apparatus for controlling sensor's height by the thickness of the wafer}             

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 질화물이 장착된 웨이퍼를 감지하는 센서를 나타낸 예시도.1 is an exemplary view showing a sensor for detecting a wafer on which a nitride is mounted in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 두께에 따른 센서 위치 조절 방법 과정을 나타낸 순서도.Figure 2 is a flow chart showing a sensor position adjustment method according to the wafer thickness in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

101…웨이퍼 105…센서101... Wafer 105... sensor

107…작동 장치 207…센서 위치 조정107... Actuator 207... Sensor position adjustment

본 발명은 웨이퍼 두께에 따른 센서 위치 조절 방법 및 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method and apparatus for adjusting sensor position according to wafer thickness.

반도체 제조 공정은 웨이퍼 위에 원하는 회로를 형성하기 위해 산화 공정, 감광액 도포, 노광 공정 등을 거친 후, 웨이퍼 표면에 형성된 산화물을 제거하는 공정을 거친다. 반도체 집적회로의 제조는 고도의 자동화된 공정으로 이루어지고 웨이퍼 가공은 공정 단계 사이에서 웨이퍼를 운반하기 위한 웨이퍼의 핸들링 및 조종을 필요로 한다.The semiconductor manufacturing process goes through an oxidation process, a photoresist coating, an exposure process, and the like to form a desired circuit on the wafer, and then removes an oxide formed on the wafer surface. Fabrication of semiconductor integrated circuits is a highly automated process and wafer processing requires handling and handling of wafers to transport wafers between process steps.

웨이퍼 위에 질화물을 장착한 후 연마 공정 등을 하기 위해서는 질화물이 장착된 웨이퍼를 연마 패드로 운반하여야 하는데 이는 로봇에 장착된 센서가 웨이퍼를 감지하여 운반한다. 로봇의 센서는 웨이퍼에 빛을 쏘아 반사된 빛을 이용하여 웨이퍼의 존재를 인식하게 되고, 이 때 웨이퍼와 센서의 위치는 일정 거리 수준일 것을 요한다. 즉, 웨이퍼와 센서의 위치가 일정 거리 이상이거나 이하인 경우에는 센서의 웨이퍼 인식률이 낮다. 웨이퍼에 장착된 질화물의 두께가 2000Å 정도에서는 웨이퍼 인식률이 높으나 1600Å 정도에서는 웨이퍼의 질화물이 장착된 부분의 색이 달라져 웨이퍼가 센서의 빛을 일부 흡수하는 현상이 생겨 센서가 웨이퍼를 감지하지 못하게 된다. 공정마다 웨이퍼의 두께가 달라지므로 센서와 웨이퍼 사이의 거리를 조절해주어야 한다. 이후, Moat Wet Etch 공정에서는 질화물이 제거되기 때문에 더 이상 문제되지 않는다. In order to perform a polishing process after mounting nitride on the wafer, the wafer on which the nitride is mounted must be transported to a polishing pad. A sensor mounted on the robot detects and transports the wafer. The sensor of the robot shoots light onto the wafer and recognizes the presence of the wafer by using the reflected light. At this time, the position of the wafer and the sensor needs to be a certain distance level. That is, when the position of the wafer and the sensor is greater than or equal to a certain distance or less, the sensor recognition rate of the sensor is low. If the thickness of the nitride mounted on the wafer is about 2000 가, the wafer recognition rate is high, but at about 1600Å, the color of the nitride-mounted part of the wafer is changed, which causes the wafer to absorb some of the light from the sensor, preventing the sensor from detecting the wafer. Since the thickness of the wafer varies from process to process, the distance between the sensor and the wafer must be controlled. Thereafter, in the Moat Wet Etch process, since nitride is removed, it is no longer a problem.

종래 기술은 센서가 웨이퍼의 두께에 따라 웨이퍼를 인식하지 못하므로 수동으로 센서의 위치를 조절하여야 한다는 점에서 번거롭다는 문제점이 있다. 또한 센서의 위치를 조절하는데 시간이 많이 소요된다는 문제점이 있다. The prior art has a problem in that the sensor does not recognize the wafer according to the thickness of the wafer, so that the position of the sensor must be manually adjusted. In addition, there is a problem that it takes a long time to adjust the position of the sensor.

본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 극복하기 위하여 안출된 것으로서, 웨이퍼를 인식하는 센서가 위치를 조절하여 운송 과정의 신뢰성이 향상된 웨이퍼 두께에 따른 센서 위치 조절 방법 및 장치를 제공하는 것이다. The present invention has been made to overcome the above-mentioned problems of the prior art, to provide a method and apparatus for adjusting the position of the sensor according to the thickness of the wafer to improve the reliability of the transport process by adjusting the position of the sensor for recognizing the wafer.

또한 본 발명은 웨이퍼를 인식하는 센서가 자동으로 위치를 조절하여 운송 공정이 편리한 웨이퍼 두께에 따른 센서 위치 조절 방법 및 장치를 제공하는 것이다.
In another aspect, the present invention provides a method and apparatus for adjusting the position of the sensor according to the thickness of the wafer convenient for the transport process by automatically adjusting the position of the sensor for recognizing the wafer.

상술한 목적들을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 따르면, 센서를 포함하는 웨이퍼 운송 장치에서 웨이퍼를 감지하는 방법에 있어서, (a) 상기 센서의 발광부에서 빛을 방사하는 단계, (b) 상기 센서의 수광부에서 상기 빛을 받아 웨이퍼가 존재하는지를 판단하는 단계, (c) 상기 센서가 웨이퍼를 감지하지 못하는 경우에는 센서의 위치를 일정 높이만큼 조절하는 단계-여기서 상기 센서가 일정 횟수 이상 웨이퍼를 감지하지 못하면 일정 신호를 방출함- 및 (d) 상기 일정 높이만큼 조절한 위치에서 상기 (a), (b) 단계를 수행하는 단계를 포함하는 웨이퍼 두께에 따른 센서의 웨이퍼 감지 방법을 제공할 수 있다. According to an aspect of the present invention in order to achieve the above object, in the wafer transport apparatus including a sensor in a method for detecting a wafer, (a) emitting light from the light emitting portion of the sensor, (b) the Determining whether a wafer exists by receiving the light from a light receiving unit of a sensor, and (c) adjusting the position of the sensor by a predetermined height when the sensor does not detect the wafer, wherein the sensor detects the wafer more than a predetermined number of times. If it fails to emit a predetermined signal-and (d) it can provide a wafer sensing method of the sensor according to the wafer thickness comprising the step of performing the steps (a), (b) at a position adjusted by the predetermined height. .

바람직한 실시예에서, 상기 센서는 일정 기준 시간 동안 상기 웨이퍼의 존재를 감지하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 센서의 위치는 자동으로 일정한 기준 높이로 조절되는 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the sensor is characterized in detecting the presence of the wafer for a certain reference time. In addition, the position of the sensor is characterized in that it is automatically adjusted to a constant reference height.

이어서, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Next, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 질화물이 장착된 웨이퍼를 감지하는 센서를 나타낸 예시도이다. 1 is an exemplary view showing a sensor for detecting a wafer on which a nitride is mounted according to a preferred embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 운송을 담당하는 로봇(103)은 운송을 위한 모터와 속도를 조절하는 감속기, 제어 장치(미도시), 센서(105), 작동 장치(107)로 이루어져있다.Referring to FIG. 1, the robot 103 in charge of transportation includes a motor for transportation and a speed reducer, a control device (not shown), a sensor 105, and an operation device 107.

제어 장치는 센서(105)가 웨이퍼(101)를 인식했는지를 판단하여 센서(105)의 위치를 조절하도록 하고, 일정 횟수 이상 센서(105)가 웨이퍼(101)를 인식하지 못할 경우에는 일정한 신호음을 발송하도록 하여 로봇(103)을 제어한다. 작동 장치(107)는 제어 장치로부터 신호를 수신하여 센서(105)의 위치를 조절한다. 감지 센서(105)는 발광부와 수광부를 포함하며 웨이퍼(101)에 빛을 발사해 웨이퍼(101)의 존재 여부를 인식한다. The control device determines whether the sensor 105 recognizes the wafer 101 and adjusts the position of the sensor 105. When the sensor 105 fails to recognize the wafer 101 for a predetermined number of times, a constant beep sound is detected. The robot 103 is controlled by sending. The operating device 107 receives a signal from the control device to adjust the position of the sensor 105. The detection sensor 105 includes a light emitting unit and a light receiving unit and emits light onto the wafer 101 to recognize the presence of the wafer 101.

앞에서 언급한 바와 같이 웨이퍼(101) 뒷면에 장착된 질화물의 두께가 1600Å 정도로 얇은 경우에는 웨이퍼(101)가 센서(105)의 빛의 일부를 흡수하므로 웨이퍼(101)의 두께에 맞게 센서(105)의 위치를 조절해 주는 것이 필요하다. As mentioned above, when the thickness of the nitride mounted on the back surface of the wafer 101 is as thin as 1600Å, the wafer 101 absorbs a part of the light of the sensor 105, so that the sensor 105 fits the thickness of the wafer 101. It is necessary to adjust the position of.

본 발명에서는 센서(105)가 웨이퍼(101)를 인식하지 못할 경우 작동 장치(107)를 이용하여 센서(105)와 웨이퍼(101)뒷면의 거리를 조절한다. 센서(105)는 웨이퍼(101)에 한쪽 방향에서 빛을 보내 웨이퍼(101)에 반사되어 센서(105) 반대 방향으로 들어오는 빛을 이용하여 웨이퍼(101)의 존재를 감지한다. 센서(105)는 웨이퍼(101)가 존재하는지를 일정한 기준 시간동안 탐색한 후, 일정한 시간이 경과하 여도 웨이퍼(101)를 인식하지 못한 경우에는 제어 장치에 신호를 전송한다. 제어 장치는 센서(105)로부터 신호를 수신하여 작동 장치(107)를 구동시켜 센서(105)의 위치를 현 위치보다 일정 높이만큼 높게 조절하여 웨이퍼(101)와 센서(105)의 거리가 가깝도록 조절한다. 웨이퍼(101)와 센서(105) 사이의 거리가 기준 거리보다 가까울 경우에는 센서(105)의 위치를 낮게 조절하여 웨이퍼(101)와 센서(105) 사이가 일정 거리 이상으로 멀어지도록 조절한다. 이러한 방법으로 센서(105)의 기준 위치를 4~5개로 설정하여 웨이퍼(101) 뒷면의 질화물의 두께에 따라 자동으로 센서(105)의 위치를 조절하여 웨이퍼(101)를 인식하도록 한다. In the present invention, when the sensor 105 does not recognize the wafer 101, the distance between the sensor 105 and the back surface of the wafer 101 is adjusted using the operating device 107. The sensor 105 sends light to the wafer 101 in one direction to detect the presence of the wafer 101 by using light reflected from the wafer 101 and coming in the direction opposite to the sensor 105. The sensor 105 searches for the presence of the wafer 101 for a predetermined reference time, and then transmits a signal to the control device when the wafer 101 is not recognized even after a certain time elapses. The control device receives a signal from the sensor 105 and drives the operating device 107 to adjust the position of the sensor 105 by a certain height above the current position so that the distance between the wafer 101 and the sensor 105 is close. Adjust When the distance between the wafer 101 and the sensor 105 is closer than the reference distance, the position of the sensor 105 is adjusted lower so that the distance between the wafer 101 and the sensor 105 is greater than a predetermined distance. In this way, the reference position of the sensor 105 is set to 4 to 5 to automatically recognize the wafer 101 by adjusting the position of the sensor 105 according to the thickness of the nitride of the back surface of the wafer 101.

센서(105)가 미리 설정한 위치를 일정 횟수 이상 조절하여도 웨이퍼(101)를 인식하지 못하는 경우에는 제어 장치에 신호를 전송하고, 제어 장치는 일정한 신호를 방출하도록 하여 센서(105)가 웨이퍼(101)를 인식했는지 여부를 알 수 있도록 한다.If the sensor 105 does not recognize the wafer 101 even after adjusting the preset position more than a predetermined number of times, the sensor 105 transmits a signal to the control device, and the control device emits a constant signal so that the sensor 105 emits a predetermined signal. 101) to see if it is recognized.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 두께에 따른 센서 위치 조절 방법 과정을 나타낸 순서도이다. 2 is a flowchart illustrating a sensor position adjusting method according to a wafer thickness according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 웨이퍼를 운송하는 로봇에 결합되어있는 센서는 발광부에서 빛을 발사하고 수광부에서 웨이퍼에 반사되어 나오는 빛을 받아 웨이퍼가 존재하는지를 감지한다(단계 201, 203). 센서가 웨이퍼를 감지하지 못하면 감지하지 못한 횟수가 몇 번인지를 판단한다(단계 205). 센서가 웨이퍼를 감지하지 못한 횟수가 일정 기준 횟수를 초과한 경우에는 제어 장치에 신호를 전송하고 제어 장치는 알람 신호를 방출하도록 한다(단계 209). 센서가 웨이퍼를 감지하지 못한 횟수가 일정 횟수를 초과하지 않은 경우에는 제어 장치는 작동 장치에 신호를 보내 센서의 위치를 일정한 기준 높이로 조절하도록 한다(단계 207). 센서가 웨이퍼를 감지하면 제어 장치는 운송 장치가 웨이퍼를 들어 연마패드로 운송하도록 한다(단계 211).Referring to FIG. 2, the sensor coupled to the robot for transporting the wafer emits light from the light emitting unit and receives light reflected from the light receiving unit to detect the presence of the wafer (steps 201 and 203). If the sensor does not detect the wafer, it is determined how many times it has not detected (step 205). If the number of times the sensor has not detected the wafer exceeds a certain reference number of times, a signal is sent to the control device and the control device emits an alarm signal (step 209). If the number of times the sensor has not detected the wafer does not exceed a certain number, the control device sends a signal to the operating device to adjust the position of the sensor to a constant reference height (step 207). When the sensor detects the wafer, the control device causes the transport device to lift the wafer and transport it to the polishing pad (step 211).

본 발명에 의하면, 웨이퍼를 인식하는 센서가 위치를 조절하여 운송 공정이 향상된 웨이퍼 두께에 따른 센서 위치 조절 방법 및 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, a sensor for recognizing a wafer may adjust a position to provide a method and apparatus for adjusting a sensor position according to a wafer thickness in which a transportation process is improved.

또한 본 발명에 의하면 웨이퍼를 인식하는 센서가 자동으로 위치를 조절하여 운송 공정이 편리한 웨이퍼 두께에 따른 센서 위치 조절 방법 및 장치를 제공할 수 있다.In addition, according to the present invention it is possible to provide a method and apparatus for adjusting the position of the sensor according to the thickness of the wafer to facilitate the transport process by automatically adjusting the position of the sensor that recognizes the wafer.

Claims (3)

센서를 포함하는 웨이퍼 운송 장치에서 웨이퍼를 감지하는 방법에 있어서,A method of sensing a wafer in a wafer transport apparatus comprising a sensor, (a) 상기 센서의 발광부에서 빛을 방사하는 단계;(a) emitting light from a light emitting unit of the sensor; (b) 상기 센서의 수광부에서 상기 빛을 받아 웨이퍼가 존재하는지를 판단하는 단계;(b) determining whether a wafer exists by receiving the light from the light receiving unit of the sensor; (c) 상기 센서가 웨이퍼를 감지하지 못하는 경우에는 센서의 위치를 일정 높이만큼 조절하는 단계; 및(c) adjusting the position of the sensor by a certain height if the sensor does not detect the wafer; And (d) 상기 일정 높이만큼 조절한 위치에서 상기 (a), (b) 단계를 수행하는 단계;(d) performing steps (a) and (b) at a position adjusted by the predetermined height; 를 포함하며,Including; 상기 (c) 단계에서는 상기 센서가 일정 횟수 이상 웨이퍼를 감지하지 못하면 일정신호를 방출하도록 하는 웨이퍼 두께에 따른 센서의 웨이퍼 감지 방법.In the step (c), if the sensor does not detect the wafer more than a predetermined number of times, the wafer detection method of the sensor according to the thickness of the wafer to emit a predetermined signal. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 센서는 일정 기준 시간 동안 상기 웨이퍼의 존재를 감지하는 것The sensor detects the presence of the wafer for a certain reference time 을 특징으로 하는 웨이퍼 두께에 따른 센서의 웨이퍼 감지 방법.Wafer sensing method of the sensor according to the wafer thickness, characterized in that. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 센서의 위치는 자동으로 일정한 기준 높이로 조절되는 것The position of the sensor is automatically adjusted to a constant reference height 을 특징으로 하는 웨이퍼 두께에 따른 센서의 웨이퍼 감지 방법.Wafer sensing method of the sensor according to the wafer thickness, characterized in that.
KR1020040115288A 2004-12-29 2004-12-29 Method and apparatus for controlling sensor's height by the thickness of the wafer KR100625335B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040115288A KR100625335B1 (en) 2004-12-29 2004-12-29 Method and apparatus for controlling sensor's height by the thickness of the wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040115288A KR100625335B1 (en) 2004-12-29 2004-12-29 Method and apparatus for controlling sensor's height by the thickness of the wafer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060075914A KR20060075914A (en) 2006-07-04
KR100625335B1 true KR100625335B1 (en) 2006-09-20

Family

ID=37168403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040115288A KR100625335B1 (en) 2004-12-29 2004-12-29 Method and apparatus for controlling sensor's height by the thickness of the wafer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100625335B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101398438B1 (en) * 2012-11-21 2014-05-27 주식회사 케이씨텍 Torsion sensor assembly

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060075914A (en) 2006-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6710622B2 (en) Transfer device and transfer method
US5961168A (en) Pick and place apparatus for transferring objects
JP2019075446A5 (en)
KR100625335B1 (en) Method and apparatus for controlling sensor&#39;s height by the thickness of the wafer
US8444129B2 (en) Methods of verifying effectiveness of a put of a substrate onto a substrate support
US20070002316A1 (en) Wafer aligner, semiconductor manufacturing equipment, and method for detecting particles on a wafer
JP2004311569A (en) Semiconductor manufacturing device
KR100570228B1 (en) Cassette stage of processing unit and method for confirming alignment and dimension of cassette using it
KR20020061994A (en) Wafer stage and wafer fabrication device using this stage
JP2003077942A (en) Electronic parts installing apparatus and electronic parts installing method
US11227778B2 (en) Wafer cleaning apparatus and operation method of the same
KR20060030678A (en) Semiconductor device fabrication equipment
KR200247999Y1 (en) Rotary transporter of chemical - mechemical polishing apparatus
KR20090054737A (en) Wafer alignment apparatus
KR100342397B1 (en) Wafer counting apparatus and method of SMIF
US7424828B2 (en) Device for detecting a cracked substrate
CN115856921A (en) TSU contamination detection device and method
JP2000114350A (en) Method and device for detecting wafer
JPH11124231A (en) Device for conveying substrate and method of positioning it
KR20050095932A (en) Wafer transferring apparatus
JP2003229471A (en) Inspection device
KR20050101723A (en) Device for transferring semiconductor wafer and method of detecting placing condition of semiconductor wafer using the same
KR20060063438A (en) Robot arm used to transfer wafer
KR20050098581A (en) Wafer transport apparatus and method for sensing wafer of the same
JP2001345600A (en) Electronic component mounting confirmation method and electronic component mounting confirmation equipment using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090825

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee