KR100621533B1 - Array substrate for Liquid crystal display and method for fabricating thereof - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title abstract description 41
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- -1 aluminum Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
본 발명은 액정표시장치용 어레이기판에 관한 것이며, 특히 어레이기판 제작공정 중 발생하는 정전기에 의한 배선의 단선 또는 단락을 방지하기 위해 상기 각 배선을 홀수번째와 짝수번째로 나누어 이를 각각 연결하는 단락배선을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판에 관한 것으로, 상기 단락배선과 각 배선을 연결하기 위해 사용되는 화소전극간에 발생하는 화학적 전기반응에 의한 배선의 단선을 방지하기 위한 구조로 어레이기판을 제작하여 배선 불량이 없는 액정표시장치를 제작할 수 있다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an array substrate for a liquid crystal display device, and in particular, in order to prevent disconnection or short circuit of the wiring due to static electricity generated during the manufacturing process of the array substrate, each of the wirings is divided into odd-numbered and even-numbered lines and connected to each other. The present invention relates to an array substrate for a liquid crystal display device, the array substrate having a structure for preventing disconnection of the wiring due to a chemical electrical reaction occurring between the short circuit and the pixel electrode used to connect the respective wirings. A liquid crystal display device free of defects can be manufactured.
Description
도 1은 일반적인 액정 표시장치를 도시한 분해 사시도이고,1 is an exploded perspective view illustrating a general liquid crystal display device;
도 2는 종래의 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 도시한 평면도이고,2 is a plan view showing some pixels of a conventional array substrate for a liquid crystal display device;
도 3a 내지 도 3e는 도 2의 Ⅲ-Ⅲ,Ⅳ-Ⅳ,Ⅴ-Ⅴ를 절단하여 공정순서에 따라 도시한 공정단면도이고,3A to 3E are cross-sectional views of the process of cutting through III-III, IV-IV and V-V of FIG.
도 4는 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 도시한 평면도이고,4 is a plan view showing some pixels of the array substrate for a liquid crystal display device according to the present invention;
도 5a 내지 도 5d는 도 4의 Ⅵ-Ⅵ, Ⅶ-Ⅶ,Ⅷ-Ⅷ을 절단하여 공정순서에 따라 도시한 공정단면도이다.
5A through 5D are cross-sectional views illustrating the process of cutting VI-VI, VIII-VIII, VIII-VIII in FIG.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
113 : 게이트배선 115 : 데이터배선113: gate wiring 115: data wiring
133 : 제 1 데이터 단락배선 135 : 게이트 단락배선 133: First Data Short Circuit Wiring 135: Gate Short Circuit Wiring
137 : 제 2 데이터 단락배선 138 : 게이트패드 137: second data short-circuit wiring 138: gate pad
139 : 데이터패드 단자 140 : 데이터패드139: data pad terminal 140: data pad
141 : 게이트패드 단자 153 : 데이터패드 콘택홀141: gate pad terminal 153: data pad contact hole
155 : 게이트패드 콘택홀
155: gate pad contact hole
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 특히, 액정표시장치용 어레이기판의 제작공정 중 외부환경에 의해 데이터배선과 게이트배선에 연결되는 단락배선과, 상기 단락배선과 두 배선을 각각 전기적으로 연결하는 투명 화소전극간에 발생하는 전기적 반응을 방지하여 배선의 단선불량을 방지할 수 있는 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법과 그 제조방법에 의한 어레이기판의 구조에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device. In particular, a short circuit wiring connected to a data wiring and a gate wiring by an external environment during a manufacturing process of an array substrate for a liquid crystal display, and a transparent wiring electrically connecting the short circuit and the two wirings, respectively. The present invention relates to a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device capable of preventing an electrical reaction occurring between pixel electrodes and preventing disconnection of wiring, and a structure of the array substrate by the method.
일반적으로, 액정 표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 갖고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다. In general, the driving principle of the liquid crystal display device uses the optical anisotropy and polarization of the liquid crystal. Since the liquid crystal is thin and long in structure, the liquid crystal has directivity in the arrangement of molecules, and the direction of the molecular arrangement can be controlled by artificially applying an electric field to the liquid crystal.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 상기 액정의 분자 배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.Accordingly, when the molecular arrangement direction of the liquid crystal is arbitrarily adjusted, the molecular arrangement of the liquid crystal is changed, and light is refracted in the molecular arrangement direction of the liquid crystal due to optical anisotropy to express image information.
현재에는 전술한 바 있는 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬방식으로 배열된 능동행렬 액정 표시장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다. Currently, the active matrix liquid crystal display (AM-LCD) in which the aforementioned thin film transistor and pixel electrodes connected to the thin film transistor are arranged in a matrix manner is attracting the most attention because of its excellent resolution and ability to implement video.
일반적으로 액정 표시장치를 구성하는 기본적인 부품인 액정 패널의 구조를 살펴보면 다음과 같다.In general, the structure of a liquid crystal panel, which is a basic component of a liquid crystal display, will be described.
도 1은 일반적인 액정표시장치를 개략적으로 도시한 분해사시도이다1 is an exploded perspective view schematically illustrating a general liquid crystal display device.
도시한 바와 같이, 일반적인 액정표시장치는 블랙매트릭스(6)와 서브컬러필터(적, 녹, 청)(8)를 포함한 컬러필터(7)와 컬러필터 상에 투명한 공통전극(18)이 형성된 상부기판(5)과, 화소영역(P)과 화소영역 상에 형성된 화소전극(17)과 스위칭소자(T)를 포함한 어레이배선이 형성된 하부기판(22)으로 구성되며, 상기 상부기판(5)과 하부기판(22)사이에는 액정(14)이 충진되어 있다.As shown in the drawing, a general liquid crystal display includes a
상기 하부기판(22)은 어레이기판이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스형태(matrix type)로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터를 교차하여 지나가는 게이트배선(13)과 데이터배선(15)이 형성된다.The
상기 화소영역(P)은 상기 게이트배선(13)과 데이터배선(15)이 교차하여 정의되는 영역이다. 상기 화소영역(P)상에 형성되는 화소전극(17)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명도전성 금속을 사용한다. The pixel area P is an area defined by the
전술한 바와 같이 구성되는 액정표시장치는 상기 화소전극(17)상에 위치한 액정층(14)이 상기 박막트랜지스터(T)로부터 인가된 신호에 의해 배향되고, 상기 액정층의 배향정도에 따라 상기 액정층(14)을 투과하는 빛의 양을 조절하는 방식으 로 화상을 표현할 수 있다.In the liquid crystal display device configured as described above, the
상기 게이트배선(13)은 상기 박막트랜지스터(T)의 제 1 전극인 게이트전극을 구동하는 펄스전압을 전달하며, 상기 데이터배선(15)은 상기 박막트랜지스터(T)의 제 2 전극인 소스전극을 구동하는 신호전압을 전달하는 수단이다.The
도 2는 4 마스크공정으로 제작된 종래의 액정표시장치용 어레이기판의 일부 를 도시한 확대 평면도이다. FIG. 2 is an enlarged plan view showing a part of a conventional array substrate for a liquid crystal display device manufactured by a four mask process.
도시한 바와 같이, 어레이기판(22)은 다수의 화소(P)로 구성되며, 화소는 스위칭소자인 박막트랜지스터(thin film transistor)(T)와 화소전극(pixel electrode)(17)과 보조용량인 스토리지 캐패시터(storage capacitor)(C)로 구성된다.As shown, the
상기 박막트랜지스터(T)는 게이트전극(26)과 소스전극(28)과 드레인전극(30)과 액티브층(active layer)(33)으로 구성되고, 상기 소스전극(28)은 데이터배선(15)과 연결되며 상기 게이트전극(26)은 상기 데이터배선(15)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트배선(13)과 연결되도록 구성된다.The thin film transistor T includes a
상기 게이트배선(13)의 끝단에는 소정면적으로 연장된 게이트패드(38)가 형성되며, 상기 데이터배선(15)의 끝단에는 소정면적으로 연장된 데이터패드(40)가 형성된다.A
동시에, 상기 게이트배선(13)과 데이터배선(15)은 기판의 둘레에 구성된 단락배선에 전기적으로 연결되도록 구성된다.At the same time, the
상세히 설명하면, 상기 게이트패드(38)과 데이터패드(40)는 홀수번째와 짝수 번째로 나누어 지고, 상기 각 배선의 짝수번째는 게이트 제 1 단락배선(31)과 데이터 제 1 단락배선(33)과 연결되며, 상기 각 배선의 홀수번째는 게이트 제 2 단락배선(35)과 데이터 제 2 단락배선(37)에 각각 연결된다.In detail, the
상기 단락배선은 어레이기판(22)의 제작 중 국소적으로 발생하는 정전기에 대한 각 배선의 단선과 단락을 방지하기 위해 구성하는 것으로, 다수의 배선을 등전위 상태로 만들어 줌으로써 어레이기판 제작공정 중 정전기에 의한 배선의 단선과 단락불량을 방지할 수 있도록 한다.The short-circuit wiring is configured to prevent the disconnection and short-circuit of each wiring against the static electricity generated locally during the fabrication of the
이때, 상기 데이터배선(15)은 데이터 투명전극 단자(41)에 의해 상기 각 제 1 단락배선(미도시,33)과 제 2 단락배선(35,37)에 연결된다.In this case, the
이러한 구조에서, 상기 어레이기판 제작공정이 끝나고 배선의 단선과 단락유무를 테스트하는 과정이 끝나게 되면 상기 각 단락배선을 제거하기 위해 A부분을 절단하게 된다.In this structure, when the array substrate fabrication process is finished and the process of testing for disconnection and short circuit of the wiring is completed, the A portion is cut to remove each short circuit.
이때, 절단된 부분은 단면적으로 투명전극단자(39,41)와 그 하부의 금속배선(13,15)이 모두 노출되는 구조가 되며, 이러한 상태에서 제작하여 패널을 구동하게 되면, 고온 또는 다습한 환경에서 상기 투명전극과 배선 사이에 전지반응에 의한 전식이 일어나 금속배선에 불량이 발생한다.At this time, the cut portion has a structure in which both the
이하, 도 3a 내지 도 3e를 참조하여 종래의 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법을 설명한다.(4마스크 공정을 예를 들어 설명한다.)Hereinafter, a method of manufacturing a conventional array substrate for a liquid crystal display device will be described with reference to FIGS. 3A to 3E. (The four mask process will be described as an example.)
도 3a 내지 도 3e는 도 2의 Ⅲ-Ⅲ과 Ⅳ-Ⅳ와 Ⅴ-Ⅴ를 절단하여 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다. 3A through 3E are cross-sectional views illustrating the process sequence of cutting III-III, IV-IV, and V-V of FIG. 2.
도 3a는 제 1 마스크공정 단계로서, 제 1 도전성 금속을 증착하고 패턴하여 게이트배선(13)과 게이전극(26)과 상기 게이트배선의 끝단에서 소정면적으로 연장된 게이트패드(38)를 형성한다.FIG. 3A illustrates a first mask process step, in which a first conductive metal is deposited and patterned to form a
이와 동시에, 상기 게이트배선(13)과 평행하게 기판의 일측에 소정간격 이격된 제 1 데이터 단락배선(33)과 제 2 데이터 단락배선(도 2의 37)을 형성하고, 상기 두 개의 데이터단락배선과 평행하지 않은 양측에 각각 제 1 게이트 단락배선(31)과 제 2 게이트 단락배선(35)을 형성한다.At the same time, the first data
다음으로, 도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트배선(13) 등이 형성된 기판(22)상에 절연층(43)과 비정질실리콘 층(45`)과 불순물이 함유된 비정질실리콘층(47`)과 제 2 도전성 금속층(28`)을 적층한다.Next, as shown in FIG. 3B, the
도 3c는 제 2 마스크공정 단계로서, 상기 제 2 도전성 금속층(28`)을 패턴하여 상기 게이트전극(26) 상부에 액티브채널(43)을 노출하고, 동시에 상기 게이트패드(38)와 제 1,제 2 데이터 단락배선(33,도 2의 37)의 상부 중 콘택홀이 형성될 부분의 일부 제 2 도전성 금속층을 식각한다.3C illustrates a second mask process step, in which the second
다음으로, 상기 도전성 제 2 금속층(28`)이 패턴된 기판(22) 상에 절연물질을 증착 또는 도포하여 보호층(51)을 형성한다.Next, a
도 3d는 제 3 마스크공정 단계로, 상기 보호층(51)과 그 하부의 비정질 실리콘층(도 3b의 45`)을 동시에 패턴하여 소스전극(28)과 드레인전극(30)과 상기 게이트배선(13)과 교차하여 화소영역(도 2의 P)을 정의하는 데이터배선(13)과, 상기 데이터배선의 끝단에서 소정면적 연장된 데이터패드(40)가 형성된다.
FIG. 3D illustrates a third mask process step, wherein the
이때, 상기 데이터패드(40)는 데이터패드의 일부와 그 상부의 보호층과 하부의 비정질실리콘층이 데이터패드 콘택홀(53)이 형성되고 상기 게이트패드(38) 상부에는 게이트패드 콘택홀(55)과, 상기 데이터 단락배선(33) 상부에는 데이터 접촉홀(57)이 형성된다.In this case, the
다음으로, 도 3e는 제 4 마스크공정 단계로, 상기 보호층(51)이 패턴된 기판(22)의 전면에 투명 도전성금속을 증착하고 패턴하여, 상기 드레인전극(30)과 측면접촉하고 상기 화소영역(도 2의 P) 상에 구성된 화소전극(17)과, 상기 게이트패드 콘택홀(55)에 충진되어 게이트패드와 전기적으로 연결된 게이트패드 단자전극(41)과, 상기 데이터패드 콘택홀(53)과 데이터 접촉홀(57)에 동시에 충전되어 데이터배선(15)과 데이터 단락배선(31)을 연결하는 데이터패드 단자전극(39)을 형성한다.Next, FIG. 3E illustrates a fourth mask process step, in which a transparent conductive metal is deposited and patterned on the entire surface of the
이와 같은 공정으로 액정표시장치용 어레이기판을 제작한 후, 상기 단락배선을 각 배선으로부터 제거하기 위해, 각 패드의 끝단인 B와 C부분을 절단하게 된다.After fabricating the array substrate for the liquid crystal display device in such a process, in order to remove the short-circuit wiring from each wiring, portions B and C, which are ends of the pads, are cut.
상기 B 부분과 C부분은 앞서 설명한 바와 같이 데이터패드(40)와 게이트패드(38)부분이며, 단면에 대한 측면도에서 도시한 바와 같이 데이터패드(40)와 게이트패드(38)는 각 투명전극단자(39, 41)와 게이트 절연막(43)을 사이에 두고 구성된다.As described above, the B and C portions are portions of the
이와 같이, 상기 투명전극단자(39,41)와 전극배선(40,38)의 이격 거리(L)가 너무 협소하기 때문에 고온,고습 환경에서 어레이기판을 구동할 경우, 상기 투명전극과 그 하부의 전극배선 간에 원치 않는 전지반응에 의해 배선에 전식이 일어나게 되어 배선불량을 유발할 수 있다.
As such, since the separation distance L between the
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판은 상기 단락배선을 제거하기 위한 절단부위에 상기 게이트배선과 데이터배선이 상기 투명전극과 평면적으로 겹치지 않는 구조로 제작하여, 상기 투명전극과 배선간의 화학반응에 의해 발생하는 전지반응에 의한 전식불량이 발생하지 않는 액정표시장치용 어레이기판을 제작하는데 그 목적이 있다.
The array substrate for a liquid crystal display device according to the present invention for solving the above problems is manufactured in a structure in which the gate wiring and the data wiring do not overlap with the transparent electrode in a plane at the cutting portion for removing the short circuit. An object of the present invention is to fabricate an array substrate for a liquid crystal display device which does not generate an electrical defect due to a battery reaction caused by a chemical reaction between the transparent electrode and the wiring.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판은 표시영역과 비 표시영역으로 정의된 투명기판과; 상기 표시영역에 구성되고, 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트배선과 데이터배선과; 상기 게이트배선과 데이터배선이 교차하는 지점에 형성된 스위칭소자와; 비표시 영역인 기판의 일측에 소정간격 이격하여 구성되고, 홀수번째 데이터배선과 연결되는 제 1 데이터 단락배선과, 상기 짝수번째 데이터배선과 연결되는 제 2 데이터단락배선과, 상기 데이터 단락배선과 평행하지 않은 기판의 일측에 구성되어 홀수번째 게이트배선을 모두 연결하는 제 1 게이트 단락배선과, 짝수번째 게이트배선을 모두 연결하는 제 2 게이트 단락배선과; 상기 제 1, 제 2 데이터 단락배선과 상기 각 데이터배선을 전기적으로 연결하는 투명 데이터패드 전극과; 상기 게이트패드와 연결된 투 명 게이트패드 전극을 포함한다.According to an aspect of the present invention, an array substrate for a liquid crystal display device includes: a transparent substrate defined as a display area and a non-display area; A gate line and a data line formed in the display area and crossing each other to define a pixel area; A switching element formed at a point where the gate wiring and the data wiring cross each other; A first data short circuit connected to one side of the substrate, which is a non-display area, by a predetermined interval, connected to an odd data line, a second data short circuit connected to the even data line, and parallel to the data short circuit A first gate short circuit formed on one side of an unsubstantiated substrate and connecting all odd-numbered gate lines; A transparent data pad electrode electrically connecting the first and second data short circuit lines and the data lines; It includes a transparent gate pad electrode connected to the gate pad.
상기 투명 데이터패드 전극과 평면적으로 겹쳐지는 데이터패드의 끝단과, 상기 투명 게이트패드전극과 평면적으로 겹쳐지는 게이트패드의 끝단은 상기 각 투명 패드전극과 겹쳐지지 않도록 좌측 또는 우측으로 구부러져 형성된 것을 특징으로 한다.An end of the data pad overlapping the transparent data pad electrode and the gate pad overlapping the transparent gate pad electrode may be bent to the left or the right so as not to overlap the transparent pad electrode. .
상기 제 1 도전성 금속층과 제 2 도전성 금속층은 알루미늄, 알루미늄 합금, 몰리브덴, 텅스텐 등이 포함된 도전성 금속그룹 중 선택된 하나인 것을 특징으로 한다.The first conductive metal layer and the second conductive metal layer is one selected from the group of conductive metals including aluminum, aluminum alloy, molybdenum, tungsten and the like.
상기 게이트 절연층과 보호층은 질화실리콘 과 산화실리콘 등이 포함된 무기절연물질 그룹과 벤조사이클로 부텐과 아크릴계 수지 등이 포함된 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나인 것을 특징으로 한다.The gate insulating layer and the protective layer may be selected from an inorganic insulating material group including silicon nitride and silicon oxide, and an organic insulating material group including benzocyclobutene and acrylic resin.
상기 화소전극은 ITO와 IZO등이 포함된 투명도전성 금속그룹 중 선택된 하나인 것을 특징으로 한다.The pixel electrode may be one selected from a group of transparent conductive metals including ITO and IZO.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
-- 실시예 --Example
본 발명의 실시예는 상기 단락배선을 제거하기 위해 상기 기판을 절단하는 부분에서 상기 배선과 투명전극 단자가 겹치지 않도록 구성된 어레이기판을 제안한다.An embodiment of the present invention proposes an array substrate configured so that the wiring and the transparent electrode terminal do not overlap at a portion of cutting the substrate to remove the short circuit.
도 4는 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 도시한 평 면도이다.4 is a diagram illustrating some pixels of an array substrate for a liquid crystal display according to the present invention.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판은 게이트배선(113)과 데이터배선(115)을 교차하여 구성하고, 상기 두 배선의 교차지점에 스위칭소자인 박막트랜지스터(T)를 구성한다.As shown, the array substrate for a liquid crystal display according to the present invention is configured to cross the
상기 게이트배선(113)의 끝단에 소정면적으로 연장된 게이트패드(138)와, 상기 데이터배선(115)의 끝단에 소정면적으로 연장된 데이터패드(140)를 형성한다.A
또한, 종래에서 설명한 바와 같이, 어레이기판의 제작공정 중 정전기에 의한 배선의 단선불량을 방지하기 위해 기판의 주변에 데이터배선을 위한 제 1 데이터 단락배선(133)과 제 2 데이터 단락배선(137)과, 게이트배선(113)을 위한 제 1 게이트 단락배선(미도시)과 제 2 게이트 단락배선(135)을 형성한다.In addition, as described above, the first data
이때, 상기 제 1 데이터 단락배선(133)과 제 2 데이터 단락배선(137)은 상기 게이트전극(126)과 동일층에 동일물질로 구성된다.In this case, the first data
따라서, 상기 데이터패드 콘택홀(153)을 통해 데이터패드(140)와 연결되어 외부에서 인가되는 신호를 상기 데이터배선(115)에 전달하는 데이터패드 전극단자(139)는 상기 데이터패드(140)와 상기 제 1 또는 제 2 단락배선(133,137)을 동시에 연결하는 구조로 형성한다.Accordingly, the data
또한, 상기 게이트패드(138)상에는 상기 게이트패드(138)와 콘택홀(155)을 통해 연결되어 외부에서 인가되는 게이트신호를 받아 상기 게이트배선(113)에 전달하는 게이트패드 전극단자(141)를 형성한다.In addition, a gate
이때, 상기 제 1 단락배선과 제 2 단락배선에 근접한 데이터패드와 게이트패 드로부터 연장된 끝단은 상기 각 패드전극단자와 평면적으로 겹쳐지지 않도록 좌측 또는 우측으로 약간 꺽인 형상으로 패턴한다.At this time, the ends extending from the data pads and the gate pads adjacent to the first short circuit and the second short circuit are patterned in a shape of a slight left or right bent so as not to overlap the respective pad electrode terminals.
이와 같이 구성하면, 상기 단락배선(133,135,137)을 제거하는 과정에서 절단되는 부분은 상기 투명전극인 각 패드전극단자와 그 하부의 배선이 보호층을 사이에 두고 약간 이격된 단면구조를 얻을 수 있다.In this configuration, a portion cut in the process of removing the
이와 같은 구조는 상기 투명전극과 각 배선간의 이격거리를 좀더 충분히 크게하여 상기 투명전극과 금속배선간의 전지반응이 발생하지 않아 배선의 부식현상을 방지할 수 있다.Such a structure can prevent the corrosion of the wiring by preventing the battery reaction between the transparent electrode and the metal wiring by increasing the separation distance between the transparent electrode and each wiring more sufficiently.
이하, 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 구조와 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a structure and a manufacturing method of an array substrate for a liquid crystal display device according to the present invention will be described with reference to FIGS. 5A to 5D.
도 5a 내지 도 5d는 도 4의 Ⅵ-Ⅵ,Ⅶ-Ⅶ,Ⅷ-Ⅷ을 절단하여 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.5A through 5D are cross-sectional views illustrating a process sequence of cutting VI-VI, VIII-VIII, VIII-VIII in FIG. 4.
도 5a는 제 1 마스크공정 단계로서, 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd)과 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr)등이 포함된 도전성금속 그룹 중 선택된 하나인 제 1 도전성 금속을 증착하고 패턴하여 게이트배선(113)과 게이트전극(126)과 상기 게이트배선(113)의 끝단에서 소정면적으로 연장된 게이트패드(138)를 형성한다.FIG. 5A illustrates a first mask process step of depositing and patterning a first conductive metal selected from a group of conductive metals including aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), molybdenum (Mo), chromium (Cr), and the like. A
이와 동시에, 상기 게이트배선(113)과 평행하게 기판의 일측에 소정간격 이격된 제 1 데이터 단락배선(133)과 제 2 데이터 단락배선(도 4의 137)을 형성하고, 상기 두 개의 데이터단락배선과 평행하지 않은 양측에 각각 제 1 게이트 단락배선(미도시)과 제 2 게이트 단락배선(135)을 형성한다.
At the same time, the first
다음으로, 도 6b에 제 2 마스크공정 단계로서, 상기 게이트배선(113) 등이 형성된 기판(122)상에 절연층(143)과 비정질실리콘층(145`)과 불순물이 함유된 비정질실리콘층(147`)과 제 2 도전성 금속층(128`)을 적층한다.Next, as a second mask process step in FIG. 6B, an amorphous silicon layer containing an insulating
다음으로, 상기 제 2 도전성 금속층(128`)을 패턴하여 상기 게이트전극(126) 상부에 액티브채널(145`)을 노출하고, 동시에 상기 게이트패드(138)와 제 1,제 2 데이터 단락배선(133,도 4의 137)과 상기 제 1, 제 2 게이트 단락배선(도 4의 131, 133) 상부중 나중에 콘택홀이 형성될 부분을 식각한다.Next, the second
도 5c는 제 3 마스크공정 단계로, 상기 도전성 제 2 금속층(128`)이 패턴된 기판(122) 상에 절연물질을 증착 또는 도포하여 보호층(151)을 형성한다.FIG. 5C illustrates a third mask process, in which a
상기 보호층(151)과 그 하부의 비정질 실리콘층(도 4의 145`)을 동시에 패턴하여 소스전극(128)과 드레인전극(130)과 상기 게이트배선(113)과 교차하여 화소영역(도 2의 P)을 정의하는 데이터배선(115)과, 상기 데이터배선(115)의 끝단에서 소정면적 연장된 데이터패드(140)를 형성한다.The
이때, 상기 데이터패드(140)는 데이터패드의 일부와 그 상부의 비정질실리콘층과 보호층이 식각되어 데이터패드 콘택홀(153)이 형성되고 상기 게이트패드(138) 상부에는 게이트패드 콘택홀(155)과, 상기 데이터 단락배선(133) 상부에는 데이터 접촉홀(157)을 형성한다.In this case, a portion of the data pad, an amorphous silicon layer and a protective layer thereof are etched to form a data
이때, 상기 보호층을 패턴하는 공정에서 패턴되는 상기 데이터패드 또는 게이트패드의 연장선은 상기 각 단락배선 상부에 형성된 접촉 콘택홀과 일직선상의 위치에 형성하지 않고, 좌측 또는 우측으로 구부러진 형상으로 패턴한다. In this case, the extension lines of the data pads or gate pads that are patterned in the process of patterning the protective layer may be formed in a shape bent to the left or right rather than being formed at a position in line with the contact contact holes formed on the respective short circuit lines.
다음으로, 도 5d는 제 4 마스크공정 단계로, 상기 보호층(151)이 패턴된 기판(122)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(indum-tin-oxide : ITO)와 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide : ITO) 등의 투명 도전성금속을 증착하고 패턴하여, 상기 드레인전극(130)과 측면접촉하고 상기 화소영역(도 4의 P)상에 구성된 화소전극(117)과, 상기 게이트패드 콘택홀(155)을 통해 상기 게이트패드(138)와 연결된 게이트패드 단자전극(141)과, 상기 데이터패드 콘택홀(153)과 데이터 접촉홀(157)에 동시에 충전되어 형성된 데이터패드 단자전극(139)을 형성한다.Next, FIG. 5D is a fourth mask process step, indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (ITO) on the entire surface of the
이와 같은 공정으로 액정표시장치용 어레이기판을 제작한 후, 상기 단락배선을 각 배선으로부터 제거하기 위해, 각 패드의 끝단인 C와 D부분을 절단하게 된다.After fabricating the array substrate for the liquid crystal display device in such a process, in order to remove the short-circuit wiring from the respective wirings, C and D portions, which are ends of the pads, are cut.
상기 C부분과 D부분은 앞서 설명한 바와 같이 데이터패드(140)와 게이트패드(138)부분의 끝단이며, 단면에 대한 측면도에서 도시한 바와 같이 상기 데이터패드 전극과 게이트패드 전극과 절연층(143)을 사이에 두고 단면적으로 소정거리(l+α)만큼 이격되어 구성된다.As described above, the C and D portions are ends of the
이와 같은 구성은, 상기 절단부위에 노출된 금속배선과 투명전극과의 전지반응이 일어나지 않을 만큼 충분한 거리를 확보 할 수 있도록 한다.Such a configuration makes it possible to secure a sufficient distance such that a battery reaction between the metal wire exposed to the cut portion and the transparent electrode does not occur.
본 실시예에서는 4마스크로 제작되는 액정표시장치용 어레이기판의 제작방법을 예를 들어 설명하였으나, 이러한 실시예는 이와 유사한 방법으로 제작되는 어레이기판의 구성에 모두 적용할 수 있다.In the present embodiment, a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device manufactured by using four masks has been described as an example. However, these embodiments can be applied to the configuration of an array substrate manufactured by a similar method.
전술한 바와 같은 방법으로 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.In the same manner as described above, an array substrate for a liquid crystal display device according to the present invention can be manufactured.
따라서, 본 발명은 상기 투명전극과 금속배선간의 전지반응을 방지하여 배선불량이 없는 어레이기판을 제작할 수 있도록 하므로, 액정표시장치의 제품수율을 개선할 수 있는 효과가 있다.
Therefore, the present invention prevents battery reaction between the transparent electrode and the metal wiring, so that an array substrate without wiring defects can be manufactured, thereby improving the product yield of the liquid crystal display device.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000045990A KR100621533B1 (en) | 2000-08-08 | 2000-08-08 | Array substrate for Liquid crystal display and method for fabricating thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000045990A KR100621533B1 (en) | 2000-08-08 | 2000-08-08 | Array substrate for Liquid crystal display and method for fabricating thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020012795A KR20020012795A (en) | 2002-02-20 |
KR100621533B1 true KR100621533B1 (en) | 2006-09-13 |
Family
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---|---|---|---|
KR1020000045990A KR100621533B1 (en) | 2000-08-08 | 2000-08-08 | Array substrate for Liquid crystal display and method for fabricating thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100621533B1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101252004B1 (en) | 2007-01-25 | 2013-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | Thin film transistor array panel and method of manufacturing thereof |
KR20140086605A (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display device |
US10811483B2 (en) | 2017-10-24 | 2020-10-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including a bending portion and conductive lines |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100726090B1 (en) | 2004-12-30 | 2007-06-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | TFT array substrate and the fabrication method thereof |
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KR20160053243A (en) | 2014-10-31 | 2016-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display apparatus |
-
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- 2000-08-08 KR KR1020000045990A patent/KR100621533B1/en not_active IP Right Cessation
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KR101252004B1 (en) | 2007-01-25 | 2013-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | Thin film transistor array panel and method of manufacturing thereof |
US8865533B2 (en) | 2007-01-25 | 2014-10-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same |
KR20140086605A (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display device |
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US10811483B2 (en) | 2017-10-24 | 2020-10-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including a bending portion and conductive lines |
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