KR100614272B1 - Fringe field switching mode liquid crystal display device - Google Patents

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KR100614272B1
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이승민
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비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사
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Abstract

본 발명은 공통전압의 왜곡으로 인하여 화면이 그리니쉬(Greenish)화 되는 것을 방지하여 화면 품위를 개선시키는데 적당한 FFS 모드 액정표시장치를 개시한다. 개시된 본 발명은 하부기판 위에 투명 대향전극이 형성되고, 공통전극선이 상기 대향전극과 연결된 FFS 모드 액정표시장치에 있어서, 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인에 의해 정의되는 단위 화소영역에 복수의 공통전극선을 형성하여 스토리지 캐패시턴스의 분리하는 것을 특징으로 한다.The present invention discloses an FFS mode liquid crystal display device suitable for improving screen quality by preventing the screen from becoming greenish due to distortion of the common voltage. According to the present invention, in a FFS mode liquid crystal display in which a transparent counter electrode is formed on a lower substrate and a common electrode line is connected to the counter electrode, a plurality of common electrode lines are formed in a unit pixel region defined by gate bus lines and data bus lines. It is characterized by the separation of the storage capacitance by forming.

공통전극선, 그리니쉬(Greenish), 크로스토크(Crosstalk)Common Electrode Line, Greenish, Crosstalk

Description

프렌지 필드 스위칭 모드 액정표시장치{FRINGE FIELD SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}FRENCH FIELD SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}

도 1은 종래 기술에 따른 HAN Mode를 적용한 FFS-LCD를 설명하기 위한 단면도.1 is a cross-sectional view for explaining a FFS-LCD to which a HAN mode according to the prior art is applied.

도 2는 종래 기술에 따른 FFS-LCD의 단위 화소를 나타낸 레이아웃도.2 is a layout showing unit pixels of a conventional FFS-LCD.

도 3은 FFS 모드를 도트 인버젼으로 구동할 경우, 특정 패턴(1 스킵 라인과 2 스킵 도트 패턴)에서의 게이트 라인별 극성을 나타낸 도면.3 is a diagram showing polarity of gate lines in a specific pattern (one skip line and two skip dot patterns) when the FFS mode is driven in dot inversion.

도 4는 종래 기술에 따른 공통전극선의 RC 딜레이를 설명하기 위한 등가회로도.Figure 4 is an equivalent circuit diagram for explaining the RC delay of the common electrode line according to the prior art.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치의 단위 화소를 나타낸 레이아웃도.5 is a layout diagram illustrating unit pixels of a fringe field switching mode liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치의 공통전극선의 RC 딜레이를 설명하기 위한 등가회로도.6 is an equivalent circuit diagram illustrating an RC delay of a common electrode line of a fringe field switching mode liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100 : 게이트 버스 라인 200 : 데이터 버스 라인100: gate bus line 200: data bus line

300 : 화소전극 400a, 400b : 제 1, 제 2 공통전극선300: pixel electrodes 400a and 400b: first and second common electrode lines

500a, 500b : 제 1, 제 2 대향전극500a, 500b: first and second counter electrodes

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 Greenish, Crosstalk 등을 개선하여 화면 품위를 향상시키는데 적당한 FFS(Fringe Field Switching)모드 액정표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display, and more particularly, to a FFS (Fringe Field Switching) mode liquid crystal display suitable for improving screen quality by improving Greenish, Crosstalk, and the like.

일반적으로, FFS 모드 액정표시장치는 IPS 모드 액정표시장치의 낮은 개구율 및 투과율을 개선시키기 위해 제안된 것으로서, 고개구율 및 고투과율을 위해서 카운터 전극과 화소전극을 투명전도체로 형성하면서, 카운터 전극과 화소전극과의 간격을 상하 기판 사이의 간격보다 좁게 형성하여 카운터전극과 화소전극 상부에 프린지 필드(Fringe Filed)가 형성되도록 함으로써, 전극들 상부에 존재하는 액정분자들이 모두 동작되도록 한다.In general, the FFS mode liquid crystal display is proposed to improve the low aperture ratio and transmittance of the IPS mode liquid crystal display, and the counter electrode and the pixel electrode are formed of a transparent conductor for the high aperture ratio and the high transmittance, while the counter electrode and the pixel are formed. The gap between the electrodes is formed to be narrower than the gap between the upper and lower substrates so that a fringe field is formed on the counter electrode and the pixel electrode, so that all of the liquid crystal molecules on the electrodes are operated.

도 1은 종래 기술에 따른 HAN Mode를 적용한 FFS-LCD를 설명하기 위한 단면도로서, 하부 기판(10)과 상부 기판(30)은 소정 거리(d)를 두고 대향된다. 하부 기판(10)과 상부 기판(30) 사이에는 소정의 액정 분자(20a)를 갖는 액정층(20)이 개재된다. 이때, 액정 분자(20a)는 유전율 이방성이 양 또는 음인 물질이 선택적으로 사용될 수 있다.1 is a cross-sectional view for explaining a FFS-LCD applying a HAN mode according to the prior art, the lower substrate 10 and the upper substrate 30 are opposed to each other at a predetermined distance (d). The liquid crystal layer 20 having the predetermined liquid crystal molecules 20a is interposed between the lower substrate 10 and the upper substrate 30. In this case, the liquid crystal molecule 20a may be selectively used as a material having a positive or negative dielectric anisotropy.

액티브 매트릭스 기본 요소인 게이트 버스 라인(도시되지 않음), 데이터 버스 라인(도시되지 않음) 및 박막 트랜지스터(도시되지 않음)가 형성된 하부 기판(10) 상부에 단위 화소 별로 각각 카운터 전극(15)이 플레이트 형태로 형성된 다. 이때, 카운터 전극(15)은 공지된 바와 같이, 투명한 도전 물질로 형성된다. 카운터 전극(15) 상부에는 게이트 절연막(16)이 형성되고, 게이트 절연막(16) 상부에는 카운터 전극과 프린지 필드를 형성할 수 있도록 화소 전극(17)이 수개의 빗살을 포함하는 빗(Comb) 형태로 형성된다. 이때, 화소 전극(17) 역시 투명 도전체로 형성됨이 바람직하다. 이러한 하부 기판 결과물 상부에는 수평 배향막(18)이 형성되며, 상기 수평 배향막(18)은 소정 방향을 향하는 러빙축을 갖는다.A counter electrode 15 is plated for each unit pixel on the lower substrate 10 on which the gate bus line (not shown), the data bus line (not shown), and the thin film transistor (not shown), which are active matrix basic elements, are formed. Formed in the form; At this time, the counter electrode 15 is formed of a transparent conductive material, as is known. The gate insulating layer 16 is formed on the counter electrode 15, and the pixel electrode 17 has a comb shape including several combs to form a counter electrode and a fringe field on the gate insulating layer 16. Is formed. In this case, the pixel electrode 17 is also preferably formed of a transparent conductor. A horizontal alignment layer 18 is formed on the lower substrate resultant, and the horizontal alignment layer 18 has a rubbing axis facing a predetermined direction.

상기 러빙축의 방향은 최대 투과율을 만족하도록, 액정 분자(20a)의 유전율 이방성이 양인 경우, 프린지 필드가 기판에 투영된 방향과 45° 내지 90°를 이루도록 결정되고, 액정 분자(20a)의 유전율 이방성이 음인 경우, 프린지 필드의 기판 투영면과 0°내지 45°를 이루도록 결정된다.When the direction of the rubbing axis is positive in order that the dielectric anisotropy of the liquid crystal molecules 20a is positive to satisfy the maximum transmittance, the fringe field is determined to form 45 ° to 90 ° with the direction projected onto the substrate, and the dielectric anisotropy of the liquid crystal molecules 20a is determined. If it is negative, it is determined to make 0 ° to 45 ° with the substrate projection surface of the fringe field.

한편, 상부 기판(30)의 내측면에는 도면에는 도시되지 않았지만, 컬러 필터가 배치되고, 컬러 필터의 표면에는 수직 배향막(28)가 배치된다. 이때, 수직 배향막(28)은 공지된 바와 같이 러빙축을 갖지 않는다. 여기서, 액정층(20)내의 액정 분자(20a)들은 하부 기판(10)의 수평 배향막(18)과 상부 기판(30)의 수직 배향막(28)에 의하여, 하부 기판(10)쪽에서는 장축이 기판면과 수평하게 배열되다가 상부 기판(30)쪽에서는 장축이 기판면과 수직으로 배열되는 하이브리드 형태로 배열된다.On the other hand, although not shown in the figure, the color filter is disposed on the inner surface of the upper substrate 30, and the vertical alignment layer 28 is disposed on the surface of the color filter. At this time, the vertical alignment layer 28 does not have a rubbing axis as is known. Here, the liquid crystal molecules 20a in the liquid crystal layer 20 are formed by the horizontal alignment layer 18 of the lower substrate 10 and the vertical alignment layer 28 of the upper substrate 30. It is arranged in a horizontal plane and in the upper substrate 30 toward the long axis is arranged in a hybrid form perpendicular to the substrate surface.

하부 기판(10)의 외측에는 소정의 편광축을 갖는 제 1 편광판(5)이 배치되고, 상부 기판(30)의 외측에는 편광축과 직교하는 흡수축을 갖는 제 2 편광판(35)이 배치된다. 이때, 제 1 편광판(5)의 편광축은 노말리 블랙(Normally Black) 모드 를 실현하기 위하여, 흡수축과 직교되면서, 러빙축과는 일치하는 E-mode를 사용할 수 있고 또는 러빙축과 수직인 O-mode를 사용할 수도 있다.The first polarizing plate 5 having a predetermined polarization axis is disposed outside the lower substrate 10, and the second polarizing plate 35 having an absorption axis perpendicular to the polarization axis is disposed outside the upper substrate 30. In this case, the polarization axis of the first polarizing plate 5 may use an E-mode orthogonal to the absorption axis while being perpendicular to the absorption axis to realize a normally black mode, or may be perpendicular to the rubbing axis. You can also use -mode.

이와 같이 구성된 FFS-LCD는 다음과 같이 동작한다.The FFS-LCD configured as described above operates as follows.

먼저, 카운터 전극(15)과 화소 전극(17) 사이에 전압차 즉, 필드가 형성되지 않으면, 액정 분자(20a)들은 하부 기판(10)측에서는 수평 배향막(18)의 영향으로 러빙축 및 기판 표면에 평행하도록 배열되다가, 상부 기판(30)측으로 갈수록 수직 배향막(28)의 영향으로 기판 표면과 장축이 수직을 이루도록 배열된다. 이에 따라, 제 1 편광판(5)을 통과한 광은 액정층(20)을 지나면서 편광 방향이 변화되지 않아, 편광축과 수직을 이루는 흡수축을 갖는 제 2 편광판(35)을 통과하지 못한다. 따라서, 화면은 다크(dark)를 띤다.First, if a voltage difference, i.e., no field is formed between the counter electrode 15 and the pixel electrode 17, the liquid crystal molecules 20a are affected by the rubbing axis and the substrate surface under the influence of the horizontal alignment layer 18 on the lower substrate 10 side. It is arranged so as to be parallel to the upper substrate 30, the long axis is arranged perpendicular to the substrate surface under the influence of the vertical alignment film 28 toward the upper substrate 30 side. Accordingly, the light passing through the first polarizing plate 5 does not change the polarization direction while passing through the liquid crystal layer 20, and thus cannot pass through the second polarizing plate 35 having an absorption axis perpendicular to the polarization axis. Thus, the screen is dark.

한편, 카운터 전극(15)과 화소 전극(17) 사이에 프린지 필드가 인가되면, 프린지 필드에 의하여, 카운터 전극(15) 및 화소 전극(17) 사이 및 그 상부에 있는 액정 분자(20a)들이 모두 트위스트된다. 이에 따라, 제 1 편광판(5)을 통과한 광은 액정층(20) 통과하면서, 그 편광 상태가 변화되어 편광축과 직교하는 흡수축을 갖는 제 2 편광판(35)을 통과한다. 따라서, 화면은 화이트(White) 상태가 된다.On the other hand, when a fringe field is applied between the counter electrode 15 and the pixel electrode 17, all of the liquid crystal molecules 20a between and above the counter electrode 15 and the pixel electrode 17 are all caused by the fringe field. Is twisted. As a result, the light passing through the first polarizing plate 5 passes through the liquid crystal layer 20 and passes through the second polarizing plate 35 having an absorption axis orthogonal to the polarization axis by changing its polarization state. Thus, the screen is in a white state.

상기와 같은 종래 프린지 필드 스위칭(FFS) 모드 액정표시장치는 하부기판(10)의 상부에 다수 개의 게이트 버스 라인이 제 1 방향, 즉, X방향으로 서로 평행하게 배치되고, 또한 다수 개의 데이터 버스 라인이 제 2 방향, 즉, Y방향으로 서로 평행하게 배치되어 매트릭스 형태의 배열을 이루고 있으며, 평행하게 진행되는 각 게이트 버스 라인 사이에 게이트 버스 라인과 평행하게 각각 한 개씩 의 대향 공통전극선이 형성된다.In the conventional fringe field switching (FFS) mode liquid crystal display device, a plurality of gate bus lines are disposed in parallel with each other in a first direction, that is, in the X direction, on the lower substrate 10, and a plurality of data bus lines are provided. The second direction, that is, the Y-direction is arranged parallel to each other to form a matrix arrangement, and each of the opposite common electrode line is formed between each gate bus line running in parallel with each other in parallel with the gate bus line.

참고로, 상기 매트릭스 배열은 각각 단위 화소영역을 한정한다.For reference, the matrix arrays each define a unit pixel area.

도 2는 종래 기술에 따른 FFS 모드 액정표시장치의 단위 셀을 보여주는 도면으로서, 1개의 게이트 버스 라인(51), 1개의 공통전극선(53), 1개의 데이터 버스 라인(55)이 배치되어 있다.FIG. 2 illustrates a unit cell of a conventional FFS mode liquid crystal display, in which one gate bus line 51, one common electrode line 53, and one data bus line 55 are disposed.

여기서, 상기 게이트 버스 라인(51)과 공통전극선(53)은 동일한 적층 구조로 형성되며, 상기 데이터 버스 라인(55)은 게이트 절연막(도시되지 않음)을 사이에 두고 게이트 공통전극과 절연되어 있다.Here, the gate bus line 51 and the common electrode line 53 are formed in the same stacked structure, and the data bus line 55 is insulated from the gate common electrode with a gate insulating film (not shown) interposed therebetween.

도면에서 대향전극(57)은 단위 화소공간 내, 예를 들면, 화소 개구영역과 유사한 형태의 틀을 갖도록 각각 형성되며, 상기 대향전극(57)은 게이트 버스 라인(51)과 같이 하부 기판의 표면에 배치된다.In the drawing, the counter electrode 57 is formed in a unit pixel space, for example, to have a frame similar to the pixel opening area, and the counter electrode 57 is formed on the surface of the lower substrate like the gate bus line 51. Is placed on.

화소전극(59)은 게이트 절연막과 소스 절연막을 사이에 두고 상기 대향전극(57)의 상부에 배열되며, 사각형 틀 형태의 대향전극(57)이 둘러싸고 있는 영역에 액정을 스위칭 하기 위한 슬릿(Slit) 구조로 형성된다.The pixel electrode 59 is arranged above the counter electrode 57 with a gate insulating film and a source insulating film interposed therebetween, and a slit for switching the liquid crystal in a region surrounded by the counter electrode 57 having a rectangular frame shape. It is formed into a structure.

박막트랜지스터(TFT)는 게이트 버스 라인(51)과 데이터 버스 라인(55)의 교차 부분에 인접하여 설치되며, 이 박막트랜지스터(TFT)는 게이트 버스 라인(51)으로부터 연장된 게이트 전극, 데이터 버스 라인(55)으로부터 연장되어 형성된 드레인 전극, 화소전극(59)으로부터 연장된 소스 전극 및 게이트 전극 상부에 형성된 채널층(60)으로 구성된다.The thin film transistor TFT is disposed adjacent to the intersection of the gate bus line 51 and the data bus line 55. The thin film transistor TFT is a gate electrode and data bus line extending from the gate bus line 51. And a drain electrode formed to extend from 55, a source electrode extended from the pixel electrode 59, and a channel layer 60 formed on the gate electrode.

그리고 스토리지 캐패시터(Cst)는 대향전극(57)과 화소전극(59)이 오버랩(Overlap)되는 부분에 형성된다.The storage capacitor Cst is formed at a portion where the counter electrode 57 and the pixel electrode 59 overlap each other.

이와 같이 구성된 종래 FFS 모드 액정표시장치에 따르면, 일반 TN(Twisted Nematic)모드와 달리 대향전극(57)이 하부기판 위에 형성됨을 알 수 있다.According to the conventional FFS mode liquid crystal display configured as described above, it can be seen that the counter electrode 57 is formed on the lower substrate, unlike the normal twisted nematic (TN) mode.

이때, 대향전극(57)을 포함한 공통전극선(53)은 데이터 버스 라인(55)과의 중첩에 의한 캐패시턴스와 화소전극(59)과 오버랩되는 부분에서 형성된 스토리지 캐패시턴스가 존재하게 된다.In this case, the common electrode line 53 including the counter electrode 57 has capacitance due to overlap with the data bus line 55 and storage capacitance formed at a portion overlapping with the pixel electrode 59.

따라서, 상기와 같은 종래 FFS 모드 액정표시장치는 다음과 같은 문제점을 갖게 된다.Therefore, the conventional FFS mode liquid crystal display device as described above has the following problems.

통상, FFS 모드에서의 공통전극선의 신호 왜곡은 공통전극선(53)의 저항과 데이터 버스 라인(55)과의 캐패시턴스, 그리고 화소전극(59)과의 스토리지 캐패시턴스로 인해 발생되는데, 화소전극(59)과의 사이에 형성되는 스토리지 캐패시턴스의 양이 매우 커서 공통전극선(53)의 RC 딜레이가 심화된다.In general, the signal distortion of the common electrode line in the FFS mode is caused by the resistance of the common electrode line 53 and the capacitance of the data bus line 55, and the storage capacitance of the pixel electrode 59. The amount of storage capacitance formed between and is so large that the RC delay of the common electrode line 53 is deepened.

이러한 원인은 FFS 모드 액정표시장치가 일반 TN 모드 액정표시장치와는 달리 공통전극선(53)(Vcom)이 하부기판에 카운터 전극의 투명전도막(ITO: Induim Tin Oxide)과 연결되어 형성되고, 이 카운터 전극은 절연막을 사이에 두고 화소전극과 화소 전면에 걸치는 크기의 스토리지 캐패시턴스가 형성되므로 TN 모드 대비 7~8배의 RC 딜레이를 갖게 된다.Unlike the general TN mode liquid crystal display, the FFS mode liquid crystal display device is formed by connecting the common electrode line 53 (Vcom) to the transparent conductive film (ITO: Induim Tin Oxide) of the counter electrode on the lower substrate. The counter electrode has a storage capacitance of a size that spans the pixel electrode and the front surface of the pixel with an insulating layer interposed therebetween, resulting in a 7 to 8 times RC delay compared to the TN mode.

이는 소형 인치(Inch)의 액정표시장치에서는 화소 구조에 공통전극선 설계 적용시 공통전극선(53)에 걸리는 스토리지 캐패시턴스가 TN 대비 7~8배로 공통전극선(53)의 RC 딜레이에 작은 영향을 주는 반면에, 대형 모니터, 대형 TV, 와이드 타 입에서는 하나의 공통전극선(53)에 걸리는 스토리지 캐패시턴스의 용량이 TN 대비 10~20배가 되어 RC 딜레이로 인한 화면 품위의 손상을 가져오는 요인으로 작용한다.In the case of a small inch liquid crystal display, the storage capacitance of the common electrode line 53 when the common electrode line design is applied to the pixel structure has a small influence on the RC delay of the common electrode line 53 by 7 to 8 times that of the TN. In large monitors, large TVs, and wide types, the storage capacitance of one common electrode line 53 is 10 to 20 times larger than that of TN, resulting in damage to screen quality due to RC delay.

특히, FFS 모드를 도트 인버젼으로 구동할 경우, R, G, B 스트립(Strip) 배열에서 R과 B의 데이터 신호는 항상 같은 극성을 갖게 되며, G의 경우는 R과 B의 반대 극성을 갖게 되는데, 일반 화면 구동시에는 화면 전체의 극성이 서로 상충되어 0이 되지만, 특정 패턴(1 스킵 라인과 2 스킵 도트 패턴)에서는 도 3에 도시된 바와 같이, n 번째 게이트 라인에서 + 내지 -의 극성을 갖게 된다.In particular, when driving the FFS mode with dot inversion, the data signals of R and B always have the same polarity in the R, G, and B strip arrays, and in the case of G, have the opposite polarities of R and B. In general screen driving, the polarities of the entire screen are conflicted with each other and become 0, but in a specific pattern (1 skip line and 2 skip dot patterns), as shown in FIG. 3, the polarities of + to-in the n-th gate line are shown. Will have

이런 극성은 위에서 설명한 공통전극선에 RC 딜레이로 인해 커플링 왜곡이 발생하게 된다. 이때 공통전극선의 커플링 왜곡은 R과 B의 밝기를 감소시키는 방향으로, G의 밝기는 증가시키는 방향으로 왜곡된다.This polarity causes coupling distortion due to the RC delay in the common electrode line described above. In this case, the coupling distortion of the common electrode line is distorted in the direction of decreasing the brightness of R and B, and the brightness of G is increasing.

이러한 Vcom의 왜곡에 의해 화면 전체가 녹색(Green)에 가까운 쪽으로 나타나는 Greenish 불량이 발생하게 된다.Due to the distortion of the Vcom, a greenish defect occurs in which the entire screen is closer to green.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 공통전압의 왜곡으로 인하여 화면이 그리니쉬(Greenish)화 되는 것을 방지하여 화면 품위를 개선시키는데 적당한 FFS 모드 액정표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and provides an FFS mode liquid crystal display device suitable for improving screen quality by preventing the screen from becoming greenish due to distortion of the common voltage. There is a purpose.

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상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 FFS 모드 액정표시장치는, 하부기판 위에 투명 대향전극이 형성되고, 공통전극선이 상기 대향전극과 연결된 FFS 모드 액정표시장치에 있어서, 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인에 의해 단위 화소영역이 정의되고, 상기 각 단위 화소영역에 대응되는 상기 대향전극이 복수 영역으로 분리되며, 분리된 상기 각 대향전극에 일대일로 상기 공통전극선이 연결됨으로써 하나의 단위 화소 영역을 전용으로 담당하는 복수 개의 상기 공통전극선이 구성됨을 특징으로 한다.
여기에서, 복수 개의 상기 공통전극선에 각각 연결되는 상기 대향전극이 상기 단위 화소영역에 형성되는 슬릿 형태로 형성되는 화소전극과 스토리지 캐패시턴스를 형성함이 바람직하다.
또한, 상기 대향전극은 불투과전도막으로 형성하는 것도 가능하다.
또한, 본 발명의 FFS 모드 액정표시장치는, 상호 교차 배치되어 단위 화소영역을 정의하는 게이트 버스 라인 및 데이터 버스 라인; 상기 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인의 교차 부위에 형성된 박막트랜지스터; 상기 화소영역 내에 형성된 슬릿 형태의 화소전극; 상기 화소영역 내에 형성되며, 상기 화소전극과 복수의 캐패시턴스를 형성하기 위하여 복수의 영역으로 분할된 대향 전극들; 및 상기 화소영역 내에서 상기 게이트 버스 라인과 동일 방향으로 상기 대향전극들과 동일한 수로 형성되며, 상기 대향 전극들과 일대일로 연결되는 복수의 공통전극선을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 FFS 모드 액정표시장치를 설명하기로 한다.
In the FFS mode liquid crystal display according to the present invention, a transparent counter electrode is formed on a lower substrate, and a common bus line is connected to the counter electrode. A unit pixel region is defined, the opposing electrodes corresponding to the unit pixel regions are divided into a plurality of regions, and the common electrode line is connected to each of the separated counter electrodes one to one to dedicate one unit pixel region. A plurality of the common electrode line in charge is configured.
Here, the counter electrode connected to each of the plurality of common electrode lines preferably forms a pixel electrode and a storage capacitance formed in a slit form in the unit pixel region.
In addition, the counter electrode may be formed of an opaque conductive film.
In addition, the FFS mode liquid crystal display device of the present invention includes a gate bus line and a data bus line arranged to cross each other to define a unit pixel region; A thin film transistor formed at an intersection of the gate bus line and the data bus line; A slit pixel electrode formed in the pixel region; Counter electrodes formed in the pixel region and divided into a plurality of regions to form a plurality of capacitances with the pixel electrode; And a plurality of common electrode lines formed in the pixel area in the same direction as the counter electrodes in the same direction as the gate bus lines, and connected to the counter electrodes in a one-to-one manner.
Hereinafter, an FFS mode liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저, 본 발명의 FFS 모드 액정표시장치는 한 화소당 다수의 공통전극선과 카운터 전극을 형성하여 전체 스토리지 캐패시턴스를 분산함으로써, 공통전극선의 신호 지연(RC 딜레이)을 제거하는 것에 의해 화면 품위를 향상시키는 것을 기술적 특징으로 한다.First, the FFS mode LCD of the present invention forms a plurality of common electrode lines and counter electrodes per pixel to disperse the entire storage capacitance, thereby improving the screen quality by eliminating the signal delay (RC delay) of the common electrode lines. It is a technical feature.

이를 위해서 본 발명은 공통전극선을 한 화소당 다수 개로 형성하고, 각각의 공통전극선에 각자의 대향전극을 형성하는 것에 의해 공통전극선의 지연으로 인해 발생되는 그리니쉬(Greenish) 및 크로스토크(Crosstalk) 등의 불량을 감소시킨다.To this end, in the present invention, a plurality of common electrode lines are formed per pixel, and respective counter electrodes are formed on each common electrode line, thereby causing Greenish, Crosstalk, etc., which are generated due to the delay of the common electrode lines. Reduces the failure of.

이를 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.This will be described in more detail as follows.

일반적으로, 공통전극의 신호 왜곡은 도 4에 도시한 바와 같이, 데이터 라인과 대향전극간의 캐패시턴스와 스토리지 캐패시턴스에 의해 영향을 받아 발생한다.In general, as shown in FIG. 4, the signal distortion of the common electrode is influenced by the capacitance and the storage capacitance between the data line and the counter electrode.

이때, 왜곡되는 정도를 식으로 표시하면 아래와 같다.In this case, the degree of distortion is expressed as follows.

[수학식 1][Equation 1]

Vcom_RC=Vcom_R_tot×(Cstorage_tot+Cdata_com_cross)×ΔdVcom_RC = Vcom_R_tot × (Cstorage_tot + Cdata_com_cross) × Δd

상기 수학식 1에서 Vcom_RC는 공통전극선(Vcom) 한 개에 걸리는 RC 딜레이이고, Vcom_R_tot는 한 개의 공통전극선에 걸리는 배선저항이고, Cstorage_tot는 각 화소에 걸리는 스토리지 캐패시턴스를 공통전극선에 연결한 부분의 총합이고, Cdata_com_cross는 각 화소에 걸리는 데이터 버스 라인과 공통전극선과의 캐패시턴스를 공통전극선에 연결한 부분의 총합이고, Δd 는 데이터 하이(high) 전압, 데이터 로우(low)전압으로서, 데이터 전압 변화량을 나타낸다.In Equation 1, Vcom_RC is an RC delay applied to one common electrode line Vcom, Vcom_R_tot is a wiring resistance applied to one common electrode line, and Cstorage_tot is the sum of parts connecting the storage capacitance applied to each pixel to the common electrode line. , Cdata_com_cross is the sum of the portions connecting the capacitance between the data bus line and the common electrode line applied to each pixel to the common electrode line, and Δd is the data high voltage and the data low voltage, and represents the amount of change in the data voltage.

이때, 그리니쉬(greenish)에 영향을 주는 커플링 신호 왜곡은 다음과 같은 수학식 2로 표현할 수 있다.In this case, the coupling signal distortion affecting the greenish may be expressed by Equation 2 below.

[수학식 2][Equation 2]

Vcom_decay_peak_level=(Cdata_com_cross/Cdot_total)×Δd Vcom_decay_peak_level = (Cdata_com_cross / Cdot_total) × Δd

여기서, Cdot_total은 아래의 수학식 3과 같이 표현할 수 있다.Here, Cdot_total may be expressed as Equation 3 below.

[수학식 3][Equation 3]

Cdot_total=Cstorage_dot×Clc_frangeCdot_total = Cstorage_dot × Clc_frange

이때, 상기 수학식 2에서 Vcom_decay_peak_level은 커플링 되어 왜곡된 전압 의 최고 변화량이고, 상기 수학식 3으로 표현된 Cdot_total은 한 개의 화소에 걸리는 캐패시턴스의 총량이다.In this equation, Vcom_decay_peak_level is the maximum change amount of the coupled and distorted voltage, and Cdot_total represented by Equation 3 is the total amount of capacitance applied to one pixel.

이에 Cstorage_tot의 캐패시턴스가 Vcom RC에 주는 영향을 화소 크기별로 비교하면, 화소크기의 80㎛의 FFS화소와 스토리지 온 커몬(Storage On Common)방식의 TN 모드 화는 FFS 모드의 화소가 5.2배 정도의 스토리지 용량 차이를 보이며, 130㎛의 FFS 화소와 TN모드 화소는 약 12배의 스토리지 용량 차이를 보인다.When comparing the effect of the capacitance of Cstorage_tot on Vcom RC by pixel size, FFS pixel of 80㎛ of pixel size and TN mode of storage on common method use 5.2 times as much storage of FFS mode pixel. The capacity difference is shown, and the storage capacity of FFS pixels of 130µm and TN mode pixels is about 12 times the storage capacity.

여기서, 화소 면적 증가에 따라 스토리지 용량이 증가하는 것은 FFS의 화소 전극의 면적에 오버랩되는 부분이 승수 배로 증가하기 때문이며, TN은 화소전극 캐패시턴스 용량 증가로 스토리지 캐패시턴스의 용량은 일정량을 유지하거나 감소시키기 때문이다.Here, the storage capacity increases with increasing pixel area because the overlapping area of the pixel electrode of the FFS is multiplied by a multiplier, and TN is because the capacity of the storage capacitance is maintained or decreased by increasing the pixel electrode capacitance capacity. to be.

그리고, Cdata_cross 캐패시턴스는 Cstorage 캐패시턴스에 비해 1/100배 정도의 용량으로서, 이는 RC에 주는 영향이 미약하므로 스토리지 캐패시턴스의 용량에 RC 딜레이의 양이 결정되게 된다.In addition, Cdata_cross capacitance is about 1/100 times the capacity of Cstorage capacitance. Since the impact on RC is minimal, the amount of RC delay is determined in the capacity of the storage capacitance.

따라서, 20인치 이상의 대형 패널에서의 RC 딜레이는 스토리지 캐패시턴스의 영향으로 인하여 같은 인치의 스토리지 온 커몬 방식의 TN 모드 대비 10배 이상의 RC 딜레이가 생기게 된다.Therefore, the RC delay in a large panel of 20 inches or more will have 10 times more RC delay than the TN mode of the same inch of storage on common due to the effect of storage capacitance.

이에, 상기와 같은 문제를 해결하기 위해서 본 발명에서는 공통전극선에 걸리는 화소 내 스토리지 캐패시턴스가 공통전극선의 신호지연에 주는 영향을 최적화시킬 수 있도록 도 5와 같이 공통배선을 다중 배선으로 형성한다.Accordingly, in order to solve the above problem, the common wiring is formed of multiple wirings as shown in FIG. 5 so as to optimize the effect of the storage capacitance in the pixel applied to the common electrode line on the signal delay of the common electrode line.

즉, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 FFS 모드 액정표시장치의 단위 셀을 나 타낸 레이아웃도로서, 게이트 버스 라인(100)과 데이터 버스 라인(200)이 교차하게 배치되고, 그 교차 부위에 박막트랜지스터(TFT)가 형성되며, 상기 게이트 버스 라인(100)과 데이터 버스 라인(200)에 의해 정의되는 화소영역에는 슬릿 형태의 화소전극(300)이 형성된다.5 is a layout diagram illustrating a unit cell of an FFS mode liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, wherein the gate bus line 100 and the data bus line 200 are arranged to cross each other, A thin film transistor TFT is formed, and a slit pixel electrode 300 is formed in the pixel region defined by the gate bus line 100 and the data bus line 200.

그리고, 상기 화소영역 내에는 복수의 공통전극선(400a)(400b)이 형성되며, 상기 화소전극(300)과 스토리지 캐패시턴스를 형성하는 복수의 대향전극(500a)(500b)이 형성된다.A plurality of common electrode lines 400a and 400b are formed in the pixel area, and a plurality of counter electrodes 500a and 500b forming a storage capacitance with the pixel electrode 300 are formed.

참고로, 본 발명의 실시예에서는 2개의 공통전극선과 2개의 대향전극으로 구성된 것을 예로 한 것이다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 공통전극선을 제 1, 제 2 공통전극선(400a)(400b)으로, 대향전극을 제 1, 제 2 대향전극(500a)(500b)으로 정의하여 설명하기로 한다.For reference, in the exemplary embodiment of the present invention, two common electrode lines and two counter electrodes are used as an example. Hereinafter, for convenience of description, the common electrode line is defined as the first and second common electrode lines 400a and 400b and the counter electrode is defined as the first and second counter electrodes 500a and 500b.

이와 같이, 공통전극선을 다중으로 형성한 경우, 단위 화소영역 내의 화소전극(300)과 제 1 대향전극(500a)에 의해 스토리지 캐패시턴스가 형성되고, 상기 화소전극(300)과 제 2 대향전극(500b)간에도 스토리지 캐패시턴스가 형성되므로 결국, 단위 화소영역 내에서 스토리지 캐패시턴스가 2부분으로 분리되게 된다.As described above, when multiple common electrode lines are formed, a storage capacitance is formed by the pixel electrode 300 and the first counter electrode 500a in the unit pixel region, and the pixel electrode 300 and the second counter electrode 500b are formed. Since the storage capacitance is also formed between), the storage capacitance is divided into two parts within the unit pixel area.

이때, 상기와 같이 단위 화소영역 내에 복수의 공통전극선(400a)(400b)을 형성하더라도 기존의 제조공정의 추가나 변경을 초래하지는 않는다.At this time, the formation of the plurality of common electrode lines 400a and 400b in the unit pixel region does not cause the addition or change of the existing manufacturing process.

즉, 통상의 FFS 모드 액정표시장치는 대향전극으로 사용되는 투명전도막을 패터닝하는 제 1 마스킹 공정과, 공통전극선 및 게이트 버스라인을 패터닝하는 제 2 마스킹 공정과, 박막트랜지스터(TFT)의 채널층을 패터닝하는 제 3 마스킹 공정 과, 소스/드레인 전극 및 데이터 버스 라인을 패터닝하는 제 4 마스킹 공정과, 콘택홀 형성을 위한 제 5 마스킹 공정 및 화소전극 패터닝을 위한 제 6 마스킹 공정으로 이루어진다.That is, a conventional FFS mode liquid crystal display device includes a first masking process for patterning a transparent conductive film used as a counter electrode, a second masking process for patterning a common electrode line and a gate bus line, and a channel layer of a thin film transistor (TFT). A third masking process for patterning, a fourth masking process for patterning the source / drain electrodes and data bus lines, a fifth masking process for forming contact holes, and a sixth masking process for pixel electrode patterning.

따라서, 본 발명의 FFS 모드 액정표시장치는 상기 제 1 마스킹 공정에서부터 제 6 마스킹 공정을 그대로 이용하되, 대향전극으로 사용되는 투명전도막을 패터닝하는 제 1 마스킹 공정에서는 상기 투명전도막을 단위 화소영역 내에 형성될 공통전극선의 개수만큼 분리하면 되고, 공통전극선과 게이트 버스 라인을 형성하는 제 2 마스킹 공정에서는 상기 제 1 마스킹 공정에서 형성된 대향전극의 수만큼 공통전극선을 패터닝하면 된다.Accordingly, the FFS mode liquid crystal display device of the present invention uses the sixth masking process from the first masking process as it is, but in the first masking process of patterning the transparent conductive film used as the counter electrode, the transparent conductive film is formed in the unit pixel region. The number of common electrode lines to be separated may be separated, and in the second masking process of forming the common electrode line and the gate bus line, the common electrode lines may be patterned by the number of counter electrodes formed in the first masking process.

이와 같이, 본 발명의 FFS 모드 액정표시장치는 도 5에 도시된 바와 같이, 화소전극(300)을 슬릿 형태로 형성하며, 슬릿과 슬릿 사이 부분에서 제 1 대향전극(500a)과 제 2 대향전극(500b)이 분리되도록 패터닝한다. 이때, 슬릿 사이로 제 1, 제 2 대향전극(500a)(500b)을 패터닝함으로써 빛 샘 현상 및 비 개구영역이 되는 부분은 공통전극선의 추가 부분으로 한정된다.As described above, in the FFS mode LCD of the present invention, as shown in FIG. 5, the pixel electrode 300 is formed in a slit shape, and the first counter electrode 500a and the second counter electrode are formed at the portion between the slit and the slit. Pattern 500b to separate. At this time, the light leakage phenomenon and the non-opening area by patterning the first and second counter electrodes 500a and 500b between the slits are limited to additional parts of the common electrode line.

상기와 같이 형성된 공통전극선의 RC 딜레이는 다음의 수학식 4와 같이 계산할 수 있다.The RC delay of the common electrode line formed as described above may be calculated by Equation 4 below.

[수학식 4][Equation 4]

Vcom_RC=Vcom_R_tot×{(Cstorage_tot/2)+(Cdata_com_cross)}×Δd Vcom_RC = Vcom_R_tot × {(Cstorage_tot / 2) + (Cdata_com_cross)} × Δd

여기서, 상기 수학식 4와 수학식 1을 대비하면, Cstorage_tot가 스토리지 형성 개수로 나뉘어지며, Cdata_com_cross는 하나의 공통전극선에서는 일정량으로 유 지된다. 그리고 Cdata_com_cross 캐패시턴스는 도 6에 도시된 바와 같이, 병렬로 각 공통전극선마다 다르게 유지되므로 결과적으로는, 각 공통전극선의 Vcom_RC는 1/2로 감소하게 된다.Here, in contrast to Equation 4 and Equation 1, Cstorage_tot is divided by the number of storage formations, and Cdata_com_cross is maintained at a predetermined amount in one common electrode line. As shown in FIG. 6, the Cdata_com_cross capacitance is kept different for each common electrode line in parallel, and as a result, Vcom_RC of each common electrode line is reduced to 1/2.

이때, 커플링 신호 왜곡은 아래의 수학식 5와 같이 표현할 수 있다.In this case, the coupling signal distortion may be expressed by Equation 5 below.

[수학식 5][Equation 5]

Vcom_decay_peak_level=(Cdata_com_cross/Cdot_total)×Δd Vcom_decay_peak_level = (Cdata_com_cross / Cdot_total) × Δd

여기서, Cdot_total은 아래의 수학식 6과 같이 표현할 수 있다.Here, Cdot_total may be expressed as Equation 6 below.

[수학식 6][Equation 6]

Cdot_total=(Cstorage_dot/2)×Clc_frangeCdot_total = (Cstorage_dot / 2) × Clc_frange

이때, 상기 수학식 5는 수학식 2와 동일하지만, 수학식 6은 수학식 3과 비교할 경우, 1/2로 감소하게 되어 상기 수학식 5의 결과값은 상승하게 된다.In this case, Equation 5 is the same as Equation 2, but when Equation 6 is compared with Equation 3, it decreases to 1/2 so that the result value of Equation 5 is increased.

즉, Vcom_decay_peak_level의 값은 상승하지만, 전체 Vcom_RC의 값이 절반(1/2)으로 감소하게 되고, 하나의 공통전극선에 걸리는 Vcom_decay_peak_level은 일정하게 유지된다.That is, the value of Vcom_decay_peak_level increases, but the value of the entire Vcom_RC is reduced to half (1/2), and Vcom_decay_peak_level of one common electrode line is kept constant.

따라서, Vcom 왜곡으로 인한 그리니쉬(greenish), 크로스토크(Crosstalk) 불량은 해결된다.Thus, greenish and crosstalk defects due to Vcom distortion are solved.

이상의 실시예에는 공통전극선을 2개 형성한 경우에 대해서 설명하였으나, 3개를 형성할 수도 있음은 자명하다.The above embodiment has been described in the case where two common electrode lines are formed, but three may be formed.

예를 들어 상기 공통전극선을 3개 형성할 경우, 공통전극선의 RC 딜레이는 다음의 수학식 7과 같이 표현할 수가 있다.For example, when three common electrode lines are formed, the RC delay of the common electrode line may be expressed as in Equation 7 below.

[수학식 7][Equation 7]

Vcom_RC=Vcom_R_tot×{(Cstorage_tot/3)+(Cdata_com_cross)}×Δd Vcom_RC = Vcom_R_tot × {(Cstorage_tot / 3) + (Cdata_com_cross)} × Δd

상기 수학식 7을 앞의 수학식 6과 비교하여 보면, Cstorage_tot는 감소하게 되며, Cdata_com_cross는 공통배선의 증가로 인해 증가하게 된다. Comparing Equation 7 with Equation 6 above, Cstorage_tot is decreased, and Cdata_com_cross is increased due to an increase in common wiring.

그러나, Cstorage_tot 값이 Cdata_com_cross 대비 크게 형성이 되므로 전체 Vcom_RC는 1/3로 감소하게 된다.However, since the Cstorage_tot value is larger than that of Cdata_com_cross, the total Vcom_RC is reduced to 1/3.

이때, 커플링 신호 왜곡은 아래의 수학식 8과 같이 표현할 수 있다.In this case, the coupling signal distortion may be expressed by Equation 8 below.

[수학식 8][Equation 8]

Vcom_decay_peak_level=(Cdata_com_cross/Cdot_total)×Δd Vcom_decay_peak_level = (Cdata_com_cross / Cdot_total) × Δd

여기서, Cdot_total은 아래의 수학식 9와 같이 표현할 수 있다.Here, Cdot_total may be expressed as Equation 9 below.

[수학식 9][Equation 9]

Cdot_total=(Cstorage_dot/3)×Clc_frangeCdot_total = (Cstorage_dot / 3) × Clc_frange

이때, 상기 수학식 8은 수학식 2와 동일하지만, 수학식 9는 수학식 3과 비교할 경우, 1/3로 감소하게 되어 상기 수학식 8의 결과값은 상승하게 된다.In this case, Equation 8 is the same as Equation 2, but when Equation 9 is compared with Equation 3, the Equation 8 is reduced to 1/3 so that the result value of Equation 8 is increased.

즉, Vcom_decay_peak_level의 값은 상승하지만, 전체 Vcom_RC의 값이 절반(1/2)으로 감소하게 되고, 하나의 공통전극선에 걸리는 Vcom_decay_peak_level은 일정하게 유지된다.That is, the value of Vcom_decay_peak_level increases, but the value of the entire Vcom_RC is reduced to half (1/2), and Vcom_decay_peak_level of one common electrode line is kept constant.

따라서, Vcom 왜곡으로 인한 그리니쉬(greenish), 크로스토크(Crosstalk) 불량은 해결된다.Thus, greenish and crosstalk defects due to Vcom distortion are solved.

이와 같이, 일정값 이상의 스토리지 캐패시턴스가 형성될 때는 n개의 공통전 극선으로 나누어서 스토리지 캐패시턴스를 결정하므로 각 공통전극선의 RC 딜레이 값을 최소화할 수 있다.As such, when the storage capacitance of a predetermined value or more is formed, the storage capacitance is determined by dividing the n common pole lines, thereby minimizing the RC delay value of each common electrode line.

이상에서 본 발명의 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 다양한 변화와 변경 및 균등물을 사용할 수가 있고, 상기 실시예들을 적절히 변형하여 동일하게 응용할 수가 있음이 명확하다. 따라서 상기 기재 내용은 하기의 특허청구범위의 한계에 의해 정해지는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니다.Although the embodiments of the present invention have been described above, it is clear that the present invention can use various changes, modifications, and equivalents, and that the above embodiments can be appropriately modified and applied in the same manner. Accordingly, the above description does not limit the scope of the invention as defined by the limitations of the following claims.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 FFS 모드 액정표시장치는 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the FFS mode liquid crystal display device of the present invention has the following effects.

화소의 크기 및 스토리지 용량과는 무관하게 공통전극 배선의 신호 왜곡으로 인해 발생되는 그리니쉬(Greenish) 및 크로스토크(Crosstalk) 현상을 공통전극선에 걸리는 전체 캐패시턴스의 감소를 통해 신호왜곡을 줄임으로써 화면품위를 개선시킬 수 있다.Regardless of pixel size and storage capacity, Greenish and Crosstalk phenomena caused by signal distortion of common electrode wiring are reduced to reduce signal distortion by reducing overall capacitance on common electrode line. Can be improved.

Claims (6)

하부기판 위에 투명 대향전극이 형성되고, 공통전극선이 상기 대향전극과 연결된 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치에 있어서,In a fringe field switching mode liquid crystal display in which a transparent counter electrode is formed on a lower substrate and a common electrode line is connected to the counter electrode. 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인에 의해 단위 화소영역이 정의되고, 상기 각 단위 화소영역에 대응되는 상기 대향전극이 복수의 스토리지 캐패시턴스 형성을 위하여 복수 영역으로 분리되며, 분리된 상기 각 대향전극에 일대일로 상기 공통전극선이 연결됨으로써 하나의 단위 화소 영역을 전용으로 담당하는 복수 개의 상기 공통전극선이 구성됨을 특징으로 하는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치.A unit pixel area is defined by a gate bus line and a data bus line, and the counter electrodes corresponding to the unit pixel areas are divided into a plurality of areas to form a plurality of storage capacitances, and one to one on each of the separated counter electrodes. And a plurality of common electrode lines dedicated to one unit pixel area by connecting the common electrode lines. 제 1 항에 있어서, 복수 개의 상기 공통전극선에 각각 연결되는 상기 대향전극이 상기 단위 화소영역에 형성되는 슬릿 형태로 형성되는 화소전극과 스토리지 캐패시턴스를 형성하는 것을 특징으로 하는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치.2. The fringe field switching mode liquid crystal display of claim 1, wherein the counter electrodes respectively connected to the plurality of common electrode lines form a pixel electrode and a storage capacitance formed in a slit form in the unit pixel region. . 삭제delete 삭제delete 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 대향전극은 불투과전도막으로 형성하는 것을 포함함을 특징으로 하는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치.The fringe field switching mode liquid crystal display device according to claim 1 or 2, wherein the counter electrode comprises an opaque conductive film. 상호 교차 배치되어 단위 화소영역을 정의하는 게이트 버스 라인 및 데이터 버스 라인;A gate bus line and a data bus line intersecting each other to define a unit pixel area; 상기 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인의 교차 부위에 형성된 박막트랜지스터;A thin film transistor formed at an intersection of the gate bus line and the data bus line; 상기 화소영역 내에 형성된 슬릿 형태의 화소전극;A slit pixel electrode formed in the pixel region; 상기 화소영역 내에 형성되며, 상기 화소전극과 복수의 캐패시턴스를 형성하기 위하여 복수의 영역으로 분할된 대향 전극들; 및Counter electrodes formed in the pixel region and divided into a plurality of regions to form a plurality of capacitances with the pixel electrode; And 상기 화소영역 내에서 상기 게이트 버스 라인과 동일 방향으로 상기 대향전극들과 동일한 수로 형성되며, 상기 대향 전극들과 일대일로 연결되는 복수의 공통전극선;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치.And a plurality of common electrode lines formed in the same direction as the counter electrodes in the same direction as the gate bus line in the pixel area, and connected to the counter electrodes in a one-to-one manner. LCD display device.
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