KR100609831B1 - Multi Laser Processing Apparatus - Google Patents

Multi Laser Processing Apparatus

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KR100609831B1
KR100609831B1 KR1020040061075A KR20040061075A KR100609831B1 KR 100609831 B1 KR100609831 B1 KR 100609831B1 KR 1020040061075 A KR1020040061075 A KR 1020040061075A KR 20040061075 A KR20040061075 A KR 20040061075A KR 100609831 B1 KR100609831 B1 KR 100609831B1
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한유희
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주식회사 이오테크닉스
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Abstract

본 발명은 가공 대상물을 원활하게 가공할 수 있는 다중 레이저 가공장치에 관한 것으로, 레이저를 생성하여 출력하는 복수개의 레이저발생수단과, 상기 레이저발생수단에서 생성되어 출력되는 각각의 레이저빔을 동일한 위치로 반사시키는 복수개의 미러와, 상기 복수개의 미러에서 반사되어 동일한 위치로 입사되는 레이저빔을 동일한 반사면을 통해 반사시키는 반사미러와, 상기 반사미러를 일정각도 범위 내에서 반복 회전시키는 반사미러 구동수단과, 상기 반사미러에서 반사된 레이저를 집광하여 가공물에 조사하는 렌즈를 구비하여, 상기 미러의 기울기 각도 및 위치를 조절하여 각각 다른 방향으로 반사하여 반사미러로 입사시켜 상기 반사미러의 회전에 따라 웨이퍼에 각각의 레이저빔을 조사할 때 웨이퍼가 안착되는 스테이지를 이송시킴으로써 레이저빔의 스캐닝 속도를 빠르게 하여 웨이퍼를 원활하게 절단할 수 있고 재 침착 현상을 방지하여 고정밀도로 대상물을 동시에 여러 줄씩 가공하여 대상물의 가공 속도 및 성능을 향상시킬 수 있어 가공효율을 향상시킬 수 있는 다중 레이저 가공장치를 제공한다.The present invention relates to a multiple laser processing apparatus capable of smoothly processing an object to be processed, comprising: a plurality of laser generating means for generating and outputting a laser; and each laser beam generated and output from the laser generating means to the same position A plurality of mirrors for reflecting, a reflection mirror reflecting a laser beam reflected by the plurality of mirrors and incident at the same position through the same reflecting surface, and reflection mirror driving means for repeatedly rotating the reflecting mirror within a predetermined angle range; And a lens for condensing the laser beam reflected from the reflection mirror to irradiate the workpiece, and adjusting the inclination angle and position of the mirror to reflect in different directions and incident the reflection mirror to the wafer according to the rotation of the reflection mirror. When each laser beam is irradiated, it transfers the stage where the wafer is seated. This speeds up the scanning speed of the laser beam so that the wafer can be cut smoothly and the re-deposition phenomenon can be prevented, so that the object can be processed several lines at a time with high precision to improve the processing speed and performance of the object, thereby improving processing efficiency. Provides a multiple laser processing device.

Description

다중 레이저 가공장치{Multi Laser Processing Apparatus}Multi Laser Processing Apparatus

도 1은 본 발명에 따른 레이저 가공장치의 개념을 설명하기 위한 개념도.1 is a conceptual diagram for explaining the concept of a laser processing apparatus according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 다중 레이저 가공장치의 실시예를 설명하기 위한 설명도.2 is an explanatory diagram for explaining an embodiment of a multiple laser processing apparatus according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 다중 레이저 가공장치의 다른 실시예를 설명하기 위한 설명도.3 is an explanatory diagram for explaining another embodiment of a multiple laser processing apparatus according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 대상물의 가공과정을 설명하기 위한 흐름도.Figure 4 is a flow chart for explaining the processing of the object in accordance with the present invention.

도 5는 도 3에 도시한 다중 레이저 가공장치에 의해 가공되는 웨이퍼의 일 예를 설명하기 위한 설명도.5 is an explanatory diagram for explaining an example of a wafer processed by the multiple laser processing apparatus shown in FIG. 3;

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10 : 반사미러 12 : 회전축10: reflection mirror 12: rotation axis

14 : 반사면 20 : 렌즈14: reflective surface 20: lens

30 : 스테이지 40 : 웨이퍼30: stage 40: wafer

50 : 제 1미러 52 : 제 2미러50: first mirror 52: second mirror

60 : 제 1엑츄에이터 62 : 제 2엑츄에이터60: the first actuator 62: the second actuator

110 : 제어부 120 : 입력부110: control unit 120: input unit

130 : 반사미러 구동수단 140, 142 : 레이저발생수단130: reflection mirror driving means 140, 142: laser generating means

150 : 스테이지 이송수단 160 : 표시부150: stage feed means 160: display unit

170 : 저장부 210, 212 : 빔 확장부170: storage unit 210, 212: beam extension unit

220 : 빔 변환부220: beam conversion unit

본 발명은 입사되는 복수개의 레이저빔을 각각 다른 방향에서 입사시켜 반사미러 구동수단에 의해 일정 각도 범위내에서 반복 회전하는 반사미러를 통해 각각 다른 방향으로 반사시킴으로써 대상물을 동시에 여러 줄씩 가공하게 되어 대상물의 가공 속도 및 성능을 향상시킬 수 있는 다중 레이저 가공장치에 관한 것이다.According to the present invention, the plurality of incident laser beams are incident from different directions and reflected in different directions by reflecting mirrors repeatedly rotating within a predetermined angle range by the reflecting mirror driving means, thereby simultaneously processing a plurality of lines of the object. The present invention relates to a multiple laser processing apparatus capable of improving processing speed and performance.

일반적으로 반도체 웨이퍼, 금속, 플라스틱 등과 같은 다양한 재료를 이용하여 물질을 제조하기 위해서는 절단, 그루빙(grooving) 등과 같은 가공 절차가 필요하다.In general, in order to manufacture materials using various materials such as semiconductor wafers, metals, plastics, and the like, processing procedures such as cutting and grooving are required.

일 예로, 반도체 제조 공정을 완료한 후에는 웨이퍼 상에 형성된 복수의 칩을 개별적인 칩 단위로 절단하기 위한 공정이 이어진다. 웨이퍼의 절단 공정은 후속 공정에서의 품질 및 생산성에 큰 영향을 미치기 때문에 매우 중요한 의미를 가지며, 현재 웨이퍼의 절단에는 기계적 절단 방법, 레이저를 이용한 절단 방법 등이 이용되고 있다.For example, after the semiconductor manufacturing process is completed, a process for cutting a plurality of chips formed on a wafer into individual chip units is followed. The cutting process of the wafer has a very important meaning because it greatly affects the quality and productivity in subsequent processes, and mechanical cutting methods, laser cutting methods, and the like are currently used for cutting wafers.

여기에서, 레이저를 이용하여 반도체 웨이퍼를 절단하는 장치는 기계적 장치에 비해 많은 장점을 가지고 있어 현재 많은 연구가 진행되고 있는데, 그중 가장 진보된 장치 중 하나로서 레이저빔을 고압 워터 제트 노즐을 통하여 분사되는 물로 가이딩 시키면서 웨이퍼를 절단하는 장치가 알려져 있다.Here, a device for cutting a semiconductor wafer using a laser has many advantages over mechanical devices, and many studies have been conducted. One of the most advanced devices is a laser beam sprayed through a high pressure water jet nozzle. Background Art An apparatus for cutting a wafer while guiding with water is known.

상기한 종래의 고압 워터 제트 노즐을 이용한 웨이퍼 절단장치는 고압 워터 제트 노즐을 통해 물을 분사하면서 레이저빔을 조사하는데, 워터 제트 노즐이 고압에 의해 기계적 마모가 심하기 때문에 일정주기마다 노즐을 교환해야 하였다.The wafer cutting apparatus using the conventional high pressure water jet nozzle irradiates a laser beam while spraying water through the high pressure water jet nozzle. Since the water jet nozzle has high mechanical wear due to high pressure, the nozzles need to be replaced at regular intervals. .

이에 따라 상기한 종래의 고압 워터 제트 노즐을 이용한 웨이퍼 절단장치는 일정 주기로 노즐을 교환해야 하기 때문에 공정상 번거로움이 있음은 물론 생산성 저하, 비용상승을 초래하는 문제점이 있었다.Accordingly, the wafer cutting apparatus using the conventional high pressure water jet nozzle has a problem in that it is not only cumbersome in process but also causes a decrease in productivity and a cost increase because the nozzles need to be replaced at regular intervals.

한편, 레이저만을 이용하여 웨이퍼를 절단할 경우 레이저에 의해 승화 또는 기화되는 부산물이 외부로 배출되지 못하고 웨이퍼 벽면에 응축(condensation)되고 재 침착(recast)되는 문제점이 있었다.On the other hand, when cutting a wafer using only a laser, there is a problem in that by-products sublimated or vaporized by the laser are not discharged to the outside and condensation and recast on the wafer wall.

또한, 현재 레이저를 이용한 대상물 가공시에는 대상물만을 이동시키거나 레이저빔 발생장치를 이동시키면서 가공을 수행하는데, 이 경우 2줄 이상을 동시에 가공하는 다중 절단(Multipass Cutting) 등과 같은 공정을 수행하기 위해서는 가공대상물 또는 레이저빔 발생장치를 여러 횟수 반복 이동시키면서 가공해야 하는 비효율적인 단점이 있다.In addition, when processing an object using a laser at present, processing is performed while only moving an object or moving a laser beam generating device. In this case, in order to perform a process such as multipass cutting, which processes two or more lines simultaneously, processing is performed. There is an inefficient disadvantage to process while repeatedly moving the object or laser beam generator a number of times.

본 발명은 상술한 문제점 및 단점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 웨이퍼 등의 대상물 가공시 가공 방향을 따라 레이저빔을 이동시키면서 조사함과 동시에 대상물 또한 이동시켜 대상물을 가공할 수 있으며, 부산물의 재 침착 현상을 방지하여 고정밀도로 대상물을 2줄 이상씩 동시에 가공하여 대상물의 가공 속도 및 성능을 향상시킬 수 있는 다중 레이저 가공장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made in order to solve the above problems and disadvantages, the object can also be processed while moving the laser beam along the processing direction when processing the object, such as wafers can be processed the object, re-deposition of by-products It is an object of the present invention to provide a multi-laser processing apparatus capable of improving the processing speed and performance of an object by simultaneously processing two or more lines of objects at high precision by preventing the phenomenon.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 다중 레이저 가공장치는, 레이저를 생성하여 출력하는 복수개의 레이저발생수단과, 상기 레이저발생수단에서 생성되어 출력되는 레이저빔을 반사시키는 복수개의 미러와, 상기 복수개의 미러에서 반사되어 각각 다른 방향에서 동일한 위치로 입사되는 레이저빔을 동일한 반사면을 통해 반사시키는 반사미러와, 상기 반사미러가 소정의 각속도를 가지도록 상기 반사미러를 일정각도 범위 내에서 반복 회전시키는 반사미러 구동수단과, 상기 반사미러에서 반사된 레이저를 집광하여 가공물에 조사하는 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 한다.Multi-laser processing apparatus according to the present invention for achieving the above object, a plurality of laser generating means for generating and outputting a laser, a plurality of mirrors for reflecting the laser beam generated and output from the laser generating means, A reflection mirror reflecting a laser beam reflected from a plurality of mirrors and incident to the same position in different directions through the same reflection surface, and repeatedly rotating the reflection mirror within a predetermined angle range so that the reflection mirror has a predetermined angular velocity And a lens for converging the laser beam reflected by the reflection mirror and irradiating the workpiece to the workpiece.

또한, 본 발명은 상기 레이저발생수단에서 출력되는 레이저빔을 지정된 각도 및 방향(좌우방향)으로 반사시키기 위해 상기 미러의 각도와 위치를 조절하는 복수개의 엑츄에이터를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that it further comprises a plurality of actuators for adjusting the angle and position of the mirror in order to reflect the laser beam output from the laser generating means in a specified angle and direction (left and right directions).

여기서, 상기 레이저발생수단은 2개 이상의 복수개를 사용할 수 있지만, 이하의 본 발명의 실시예에서는 레이저발생수단을 2개 사용한 것을 예로서 설명하도록 한다.Here, two or more laser generating means may be used, but in the following embodiments of the present invention, two laser generating means will be described as an example.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 레이저 가공장치는, 회전축을 중심으로 회전하는 반사미러 및 레이저빔을 이용하여 피 가공물(이하 '대상물'이라 칭함)을 절단 및 드릴링(Drilling) 하거나 또는 대상물에 홈을 형성(그루빙;Grooving)하는 가공장치이다. 상기 대상물은 플라스틱, 금속, 반도체 등이 될 수 있으며, 이하의 본 실시예에는 대상물로서 반도체 웨이퍼를 예로써 설명하도록 한다.Laser processing apparatus according to the present invention, using a reflection mirror and a laser beam that rotates about a rotation axis to cut and drill the workpiece (hereinafter referred to as 'object') or to form a groove (groove) in the object Grooving processing equipment. The object may be a plastic, a metal, a semiconductor, or the like, and the present embodiment will be described below using a semiconductor wafer as an example.

도 1은 본 발명에 따른 레이저 가공장치의 개념을 설명하기 위한 개념도이다.1 is a conceptual diagram illustrating the concept of a laser processing apparatus according to the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 레이저 가공장치는 회전축(12)을 중심으로 회전하는 반사미러(10)와, 상기 반사미러(10)에서 반사되는 레이저빔을 집광하는 텔레센트릭 에프세타 렌즈(Telecentric f-theta lens; 이하 '렌즈'라 칭함)(20)를 포함하는데, 상기 렌즈(20)는 절단하고자 하는 웨이퍼(40)가 안착되는 스테이지(30)와 수평방향으로 설치되어 상기 반사미러(10)에서 반사되는 레이저빔을 집광한다. 이에 따라 렌즈(20)에서 집광된 레이저빔은 스테이지(30)에 안착된 웨이퍼(40)에 수직으 로 조사되고, 조사된 레이저에 의해 웨이퍼(40)를 소정 형태로 가공(절단)할 수 있다.As shown in FIG. 1, the laser processing apparatus includes a reflecting mirror 10 rotating around a rotating shaft 12 and a telecentric fsetta lens for condensing a laser beam reflected from the reflecting mirror 10. f-theta lens (hereinafter referred to as a 'lens') 20, which is installed in a horizontal direction with the stage 30 on which the wafer 40 to be cut is mounted, and the reflecting mirror 10. The laser beam is reflected by the light beam. Accordingly, the laser beam focused on the lens 20 is irradiated perpendicularly to the wafer 40 seated on the stage 30, and the wafer 40 can be processed (cut) into a predetermined shape by the irradiated laser. .

도 1을 참조하여 하나의 레이저발생수단과 반사미러(10)를 이용한 다중 레이저 가공장치의 작동원리를 설명하면 다음과 같다.Referring to Figure 1 will be described the operation principle of a multi-laser processing apparatus using one laser generating means and the reflection mirror 10 as follows.

상기한 도 1의 (a) 내지 (c)는 반사미러(10)가 회전축(12)을 중심으로 시계반대방향으로 회전할 때 반사면(14)에서 반사되는 레이저빔이 렌즈(20)를 경유하여 웨이퍼(40)에 조사되는 것을 도시한 것이다.(A) to (c) of FIG. 1 illustrate that the laser beam reflected from the reflecting surface 14 passes through the lens 20 when the reflecting mirror 10 rotates counterclockwise about the rotation axis 12. Shows that the wafer 40 is irradiated.

먼저 도 1의 (a)를 참조하면, 레이저빔이 반사미러(10)의 반사면(14) 중심부분에 입사되고, 입사된 레이저빔은 반사미러(10)의 기울기 각도에 의해 렌즈(20)의 좌측단으로 반사된다. 이에 따라 상기 반사된 레이저빔은 렌즈(20)에 의해 집광되어 웨이퍼(40)의 소정위치(S1)에 수직으로 조사된다.First, referring to FIG. 1A, a laser beam is incident on the central portion of the reflective surface 14 of the reflective mirror 10, and the incident laser beam is inclined by the tilt angle of the reflective mirror 10. It is reflected to the left end of. Accordingly, the reflected laser beam is focused by the lens 20 and irradiated perpendicularly to the predetermined position S1 of the wafer 40.

도 1의 (b)를 참조하면, 상기 반사미러(10)가 회전축(12)을 중심으로 더 회전하면 반사면(14)에 의해 반사된 레이저빔은 렌즈(20)의 가운데 부분으로 입사되고, 입사된 레이저빔은 렌즈(20)에 의해 집광되어 웨이퍼(40)의 위치(S2)에 수직으로 조사된다.Referring to FIG. 1B, when the reflective mirror 10 further rotates about the rotation axis 12, the laser beam reflected by the reflective surface 14 is incident to the center portion of the lens 20. The incident laser beam is focused by the lens 20 and irradiated perpendicularly to the position S2 of the wafer 40.

도 1의 (c)를 참조하면, 상기 반사미러(10)가 더 회전하면, 반사된 레이저빔은 렌즈(20)의 우측단으로 입사되고, 입사된 레이저빔은 렌즈(20)에 의해 집광되어 웨이퍼(40)의 위치(S3)에 수직으로 조사된다.Referring to FIG. 1C, when the reflection mirror 10 is further rotated, the reflected laser beam is incident to the right end of the lens 20, and the incident laser beam is focused by the lens 20. It is irradiated perpendicularly to the position S3 of the wafer 40.

전술한 도 1의 (a) 내지 (c)에서, 반사미러(10)의 회전에 따라 레이저빔은 웨이퍼(40) 상의 위치 S1에서 S3으로 조사되고, S1과 S3의 거리는 반사미러(10)의 회전에 따라 반사면(14)에 의해 레이저빔이 웨이퍼(40)에 조사되는 길이인 스캐닝 길이(Scanning length) SL이 된다. 또한 반사미러(10)의 회전이 시작되는 부분과 끝나는 부분에서 반사되는 레이저빔이 형성하는 각도는 스캐닝 각도(Scanning angle)가 된다.1 (a) to (c) described above, the laser beam is irradiated from the position S1 to S3 on the wafer 40 in accordance with the rotation of the reflecting mirror 10, and the distance between S1 and S3 is determined by the reflecting mirror 10. FIG. According to the rotation, the reflecting surface 14 is a scanning length S L which is a length at which the laser beam is irradiated onto the wafer 40. In addition, the angle formed by the laser beam reflected at the beginning and the end of the rotation of the reflection mirror 10 becomes a scanning angle.

한편, 상기 반사미러(10)는 일정각도 범위 내에서 1회 회전시 상기 스캐닝 길이(SL)를 스캐닝하게 된다. 이때 상기 반사미러(10)가 일정 각속도로 n번 반복 회전한다면 웨이퍼(40)가 안착되는 스테이지(30)를 반사미러(10)의 회전방향과 역방향으로 이송시킴으로써, 반사 미러(10)에 의해 반사된 레이저를 이용하여 웨이퍼(40)를 스캐닝하는 상대속도가 증가하게 된다. 즉, 스테이지(30)가 정지된 상태일 때 레이저가 웨이퍼(40)를 스캐닝하는 속도에 비해 반사미러(10)가 회전함에 따라 레이저 빔이 조사되는 방향에 대하여 역방향으로 스테이지(30)가 이송될 경우 레이저가 웨이퍼(40)를 스캐닝하는 속도가 더 빠르게 되는 효과가 있다.On the other hand, the reflective mirror 10 is to scan the scanning length (S L ) in one rotation within a predetermined angle range. At this time, if the reflective mirror 10 rotates n times at a constant angular velocity, the stage 30 on which the wafer 40 is seated is transferred in the opposite direction to the rotation direction of the reflective mirror 10, thereby being reflected by the reflective mirror 10. The relative speed of scanning the wafer 40 using the laser is increased. That is, when the stage 30 is stopped, the stage 30 may be transferred in the opposite direction to the direction in which the laser beam is irradiated as the reflection mirror 10 rotates relative to the speed at which the laser scans the wafer 40. In this case, the laser scans the wafer 40 at a higher speed.

상기와 같은 하나의 레이저발생수단과 반사미러(10)를 이용한 레이저 가공장치는 반사미러(10)의 회전에 따라 웨이퍼(40) 상에 한 줄씩만 스캐닝할 수 있으며, 복수의 줄을 스캐닝 해야 하는 경우에는 반사미러(10)의 위치를 좌우 또는 전후로 이동시키거나 웨이퍼(40)가 안착되는 스테이지(30)를 좌우 또는 전후로 이동시키면서 반복 스캐닝을 해야 한다. 이에 본 발명은 복수개의 레이저발생수단을 사용하여 동시에 여러 줄씩 스캐닝 가능한 다중 레이저 가공장치를 제공한다.The laser processing apparatus using one laser generating means and the reflection mirror 10 as described above can scan only one line on the wafer 40 according to the rotation of the reflection mirror 10, and the plurality of lines should be scanned. In this case, it is necessary to repeat the scanning while moving the position of the reflective mirror 10 to the left and right or front and rear or moving the stage 30 on which the wafer 40 is seated to the left and right or back and forth. Accordingly, the present invention provides a multiple laser processing apparatus capable of scanning several lines at the same time using a plurality of laser generating means.

여기서, 상기 레이저발생수단은 2개 이상의 다수개를 사용할 수 있지만, 이 하의 본 발명의 실시예에서는 레이저발생수단을 2개 사용하여 동시에 2줄씩 스캐닝하는 것을 예로서 설명하도록 한다.Here, although two or more laser generating means may be used, an embodiment of the present invention below will be described as an example of scanning two lines at the same time using two laser generating means.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 2개의 레이저발생수단을 사용하여 동시에 2줄씩 스캐닝 가능한 다중 레이저 가공장치에 대한 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of a multi-laser processing apparatus capable of scanning two lines at the same time using two laser generating means according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 다중 레이저 가공장치의 실시예를 설명하기 위한 설명도이다.2 is an explanatory diagram for explaining an embodiment of a multiple laser processing apparatus according to the present invention.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 다중 레이저 가공장치는 전체 동작 제어를 위한 제어부(110)와, 제어 파라미터 및 제어명령을 입력하기 위한 입력부(120)와, 레이저를 생성하여 출력하는 2개의 레이저발생수단(140)(142)과, 상기 레이저발생수단(140)(142)에서 생성되어 출력되는 각각의 레이저빔을 동일한 위치로 반사시키는 2개의 미러(50)(52)와, 상기 레이저발생수단(140)(142)에서 출력되는 각각의 레이저빔을 동일한 위치로 반사시키기 위해 상기 미러(50)(52)에 각각 설치되어 상기 미러(50)(52)의 각도 및 위치를 조절하는 2개의 엑츄에이터(60)(62)와, 상기 복수개의 미러(50)(52)에서 반사되어 각각 다른 방향에서 동일한 위치로 입사되는 레이저빔을 반사시키는 반사미러(10)와, 상기 반사미러(10)가 소정의 각속도를 가지도록 상기 반사미러(10)를 일정각도 범위 내에서 반복 회전시키는 반사미러 구동수단(130)과, 상기 반사미러(10)에서 반사되는 레이저빔을 집광하는 렌즈(20)와, 웨이퍼(40)가 안착되는 스테이지(30)를 소정 방향으로 이송하기 위한 스테이지 이송수단(150)과, 레이저 가공장치의 작동 상태를 표시하기 위한 표시부(160) 와, 데이터 저장을 위한 저장부(170)를 포함하여 이루어진다.As shown in FIG. 2, the multi-laser processing apparatus according to the present invention includes a control unit 110 for overall operation control, an input unit 120 for inputting control parameters and control commands, and 2 for generating and outputting a laser. Two laser generating means 140 and 142, two mirrors 50 and 52 for reflecting each laser beam generated and output by the laser generating means 140 and 142 to the same position, and the laser 2, respectively, installed on the mirrors 50 and 52 so as to reflect the laser beams output from the generating means 140 and 142 to the same position, thereby adjusting the angles and positions of the mirrors 50 and 52. Two actuators 60 and 62, a reflecting mirror 10 reflecting a laser beam reflected from the plurality of mirrors 50 and 52, and incident to the same position in different directions, respectively, and the reflecting mirror 10 Spans the reflection mirror 10 at a predetermined angle such that Reflective mirror driving means 130 to repeatedly rotate in the stomach, the lens 20 for condensing the laser beam reflected from the reflective mirror 10, and the stage 30 on which the wafer 40 is seated in a predetermined direction It comprises a stage conveying means 150 for conveying, a display unit 160 for displaying the operating state of the laser processing apparatus, and a storage unit 170 for storing data.

상기 미러(50)(52)는 상기 레이저발생수단(140)(142)에서 출력되는 각각의 레이저빔을 상기 반사미러(10)의 동일한 위치 쪽으로 반사시켜 상기 반사미러(10)에 의해 반사되도록, 상기 엑츄에이터(60)(62)를 이용하여 상기 미러(50)(52)의 기울기 각도 및 위치를 조절하여 각각 지정된 다른 방향으로 상기 레이저빔을 반사시킬 수 있도록 한다.The mirrors 50 and 52 reflect the respective laser beams output from the laser generating means 140 and 142 toward the same position of the reflecting mirror 10 to be reflected by the reflecting mirror 10, The tilt angles and positions of the mirrors 50 and 52 are adjusted using the actuators 60 and 62 to reflect the laser beams in different designated directions.

상기 반사미러(10)는 절단하고자 하는 웨이퍼(40)가 안착되는 스테이지(30)와 수직방향으로 설치되며, 상기 렌즈(20)는 절단하고자 하는 웨이퍼(40)가 안착되는 스테이지(30)와 수평방향으로 설치되어 상기 반사미러(10)에서 반사되는 레이저빔을 집광한다.The reflective mirror 10 is installed in a direction perpendicular to the stage 30 on which the wafer 40 to be cut is mounted, and the lens 20 is horizontal to the stage 30 on which the wafer 40 to be cut is mounted. It is installed in the direction to focus the laser beam reflected from the reflection mirror (10).

상기 미러(50)(52)는 그 기울기 각도 및 위치가 상기 각각의 엑츄에이터(60)(62)에 의해 조절 가능함으로써, 상기 반사미러(10)에 의해 각각 다른 방향으로 반사된 레이저빔이 상기 렌즈(20)에 의해 집광되어 상기 스테이지(30)에 안착된 웨이퍼(40)에 수직으로 주사되는 한 쌍의 레이저빔 사이의 간격 및 위치를 조절할 수 있게 된다.The tilt angles and positions of the mirrors 50 and 52 can be adjusted by the respective actuators 60 and 62, so that the laser beams reflected in different directions by the reflecting mirror 10 are respectively reflected in the lens. The distance and position between the pair of laser beams collected by the beam 20 and scanned perpendicularly to the wafer 40 seated on the stage 30 can be adjusted.

상기 렌즈(20)는 복수군의 렌즈(20)로 구성될 수도 있으나 본 실시예에서는 편의상 1매의 렌즈(20)로 도시하였다.The lens 20 may be composed of a plurality of groups of lenses 20, but in the present exemplary embodiment, one lens 20 is illustrated for convenience.

상기 반사미러 구동수단(130)은 반사면(14)을 구비하고 회전축(12)을 중심으로 회전하는 반사미러(10)를 소정속도로 일정각도 범위 내에서 반복 회전시키기 위한 구성으로, 제어부(110)의 제어에 따라서 반사미러(10)를 설정된 속도로 일정범 위 내에서 반복 회전시킨다. The reflective mirror driving means 130 has a reflective surface 14 and is configured to repeatedly rotate the reflective mirror 10 rotating around the rotating shaft 12 at a predetermined speed within a predetermined angle range, and the controller 110. According to the control of the) the mirror 10 is repeatedly rotated within a predetermined range at a set speed.

상기 레이저발생수단(140)(142)은 스테이지(30)에 안착되는 대상물인 웨이퍼(40)를 가공하기 위한 소스인 레이저빔을 생성하는 구성으로 본 실시예에서는 제어부(110)의 제어에 따라서 자외선 레이저를 생성한다.The laser generating means (140, 142) is a configuration for generating a laser beam as a source for processing the wafer 40 that is the object seated on the stage 30 in the present embodiment under the control of the control unit 110 Create a laser.

또한, 상기 스테이지 이송수단(150)은 가공할 대상물인 웨이퍼(40)가 안착되는 스테이지(30)를 미리 설정된 속도로 이송하기 위한 구성이다.In addition, the stage transfer means 150 is configured to transfer the stage 30 on which the wafer 40 to be processed is seated at a preset speed.

상기한 구성에 의하면 제어부(110)의 제어에 따라서 2개의 레이저발생수단(140)(142)에서 발생된 레이저빔은 각각 제 1미러(50)와 제 2미러(52)로 입사된다. 상기 미러(50)(52)로 입사되는 각각의 레이저빔을 엑츄에이터(60)(62)에 의해 미러(50)(52)의 기울기 각도 및 위치를 각각 조절하여 동일한 위치로 반사시켜 반사미러 구동수단(130)에 의해 회전하는 반사미러(10)의 반사면(14)에서 렌즈(20)방향으로 각각 반사시킨다. 상기 반사미러(10)에서 반사되는 레이저빔은 상기 렌즈(20)의 각각 다른 위치에서 집광되어 웨이퍼(40)에 각각 수직방향으로 조사된다.According to the above configuration, the laser beams generated by the two laser generating means 140 and 142 are incident on the first mirror 50 and the second mirror 52, respectively, under the control of the controller 110. Each laser beam incident on the mirrors 50 and 52 is reflected by the actuators 60 and 62 to the same position by adjusting the inclination angle and the position of the mirrors 50 and 52, respectively, and reflecting mirror driving means. The reflection surface 14 of the reflection mirror 10 which is rotated by the 130 is reflected toward the lens 20, respectively. The laser beams reflected from the reflection mirror 10 are focused at different positions of the lens 20 and irradiated to the wafer 40 in the vertical direction.

이때, 상기 제 1미러(50)와 제 2미러(52)의 기울어진 각도 및 위치를 상기 엑츄에이터(60)(62)를 이용해 조절함으로써 웨이퍼(40)에 수직방향으로 조사되는 한 쌍의 레이저빔 사이의 거리를 조절할 수 있도록 한다.In this case, a pair of laser beams irradiated perpendicularly to the wafer 40 by adjusting the inclination angles and positions of the first mirror 50 and the second mirror 52 by using the actuators 60 and 62. Allows you to adjust the distance between them.

상기 반사미러(10)의 반사면(14)이 일정범위 만큼 회전할 때 웨이퍼(40)에 조사되는 레이저빔은 스테이지(30)의 이송방향과 반대방향으로 전술한 스캐닝 길이만큼 이동하게 된다.When the reflective surface 14 of the reflective mirror 10 rotates by a predetermined range, the laser beam irradiated onto the wafer 40 moves by the scanning length described above in the direction opposite to the transfer direction of the stage 30.

도 3은 본 발명에 따른 다중 레이저 가공장치의 다른 실시예를 설명하기 위한 설명도이다.3 is an explanatory diagram for explaining another embodiment of the multiple laser processing apparatus according to the present invention.

도 3에 도시된 실시예의 본 발명에 따른 다중 레이저 가공장치는, 전체 동작 제어를 위한 제어부(110)와, 제어 파라미터 및 제어명령을 입력하기 위한 입력부(120)와, 레이저를 생성하여 출력하는 2개의 레이저발생수단(140)(142)과, 상기 레이저발생수단(140)(142)에서 생성되어 출력되는 각각의 레이저빔을 동일한 위치로 반사시키는 2개의 미러(50)(52)와, 상기 레이저발생수단(140)(142)에서 출력되는 각각의 레이저빔을 동일한 위치로 반사시키기 위해 상기 미러(50)(52)의 각도 및 위치를 조절하는 2개의 엑츄에이터(60)(62)와, 상기 복수개의 미러(50)(52)에서 반사되어 각각 다른 방향에서 동일한 위치로 입사되는 레이저빔을 반사시키는 반사미러(10)와, 상기 반사미러(10)가 소정의 각속도를 가지도록 상기 반사미러(10)를 일정각도 범위 내에서 반복 회전시키는 반사미러 구동수단(130)과, 상기 반사미러(10)에서 반사되는 레이저빔을 집광하는 렌즈(20)와, 웨이퍼(40)가 안착되는 스테이지(30)를 소정 방향으로 이송하기 위한 스테이지 이송수단(150)과, 레이저 가공장치의 작동 상태를 표시하기 위한 표시부(160)와, 데이터 저장을 위한 저장부(170)를 포함하여 이루어지며, 상기한 구성은 전술한 도 2와 동일한 구성으로 상세한 설명은 생략하도록 한다. The multi-laser processing apparatus according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 3 includes a control unit 110 for overall operation control, an input unit 120 for inputting control parameters and control commands, and 2 for generating and outputting a laser. Two laser generating means 140 and 142, two mirrors 50 and 52 for reflecting each laser beam generated and output by the laser generating means 140 and 142 to the same position, and the laser Two actuators 60 and 62 for adjusting angles and positions of the mirrors 50 and 52 so as to reflect each laser beam output from the generating means 140 and 142 to the same position, and the plurality of actuators A reflecting mirror 10 that reflects from two mirrors 50 and 52 and reflects a laser beam incident at the same position in different directions, and the reflecting mirror 10 so that the reflecting mirror 10 has a predetermined angular velocity. ), Which is rotated within a certain angle range Stage conveying means for conveying the drive unit 130, the lens 20 condensing the laser beam reflected from the reflecting mirror 10, and the stage 30 on which the wafer 40 is seated in a predetermined direction ( 150, a display unit 160 for displaying an operating state of the laser processing apparatus, and a storage unit 170 for storing data, and the above-described configuration is the same as the above-described configuration of FIG. Omit it.

또한, 상기 도 3에 도시된 실시예의 본 발명에 따른 다중 레이저 가공장치는, 레이저빔의 형태를 변환할 수 있도록 레이저발생수단(140)(142)에서 생성된 포인트 레이저빔의 구경을 확장하여 제 1미러(50)와 제 2미러(52)로 조사하는 빔 확 장부(210)(212)와, 반사미러(10)에서 반사되어 렌즈(20)를 경유한 레이저빔을 타원형태로 변환하는 빔 변환부(220)를 더 포함한다. 이때, 상기 빔 변환부(220)는 실린더리컬 렌즈에 의해 양호하게 구현할 수 있다.In addition, the multi-laser processing apparatus according to the present invention of the embodiment shown in FIG. 3 extends the aperture of the point laser beam generated by the laser generating means 140 and 142 so as to convert the shape of the laser beam. Beam expansion units 210 and 212 irradiated by the first mirror 50 and the second mirror 52 and beams that are reflected by the reflective mirror 10 to convert the laser beam through the lens 20 into an elliptical state. The conversion unit 220 further includes. In this case, the beam conversion unit 220 may be implemented well by a cylindrical lens.

상기 빔 확장부(210)(212)에 의해 확장된 레이저빔은 엑츄에이터(60)(62)에 의해 기울기 각도 및 위치가 조절되는 제 1미러(50)와 제 2미러(52)에 의해 각각 다른 각도로 반사미러(10)의 동일한 위치의 반사면(14) 방향으로 각각 반사된다. 상기 반사미러(10)로 반사된 각각의 레이저빔은 렌즈(20)에서 집광되고 상기 빔 변환부(220)를 통해 그 단면의 형상이 타원형태로 변환되어 각각 웨이퍼(40)에 수직방향으로 조사된다.The laser beam extended by the beam extension parts 210 and 212 may be different from each other by the first mirror 50 and the second mirror 52 whose tilt angle and position are adjusted by the actuators 60 and 62. Reflected in the direction of the reflective surface 14 at the same position of the reflective mirror 10 at an angle, respectively. Each laser beam reflected by the reflecting mirror 10 is condensed by the lens 20 and the shape of the cross section is converted into an elliptical shape through the beam converting unit 220 to irradiate the wafer 40 in the vertical direction. do.

이때, 웨이퍼(40)에 조사되는 각각의 레이저빔은 그 단면형상이 타원형태로써, 타원의 장축은 가공방향이 되고, 타원의 단축의 길이는 레이저빔에 의해 가공되는 너비가 된다.At this time, each laser beam irradiated onto the wafer 40 has an elliptical shape in cross section, the major axis of the ellipse is the processing direction, and the length of the minor axis of the ellipse is the width processed by the laser beam.

상기에서와 같이 상기 빔 확장부(210)(212)는 상기 레이저발생수단(140)(142)과 미러(50)(52)사이에 위치할 수도 있고, 상기 미러(50)(52)와 반사 미러(10) 사이에 위치할 수도 있다.As described above, the beam extension parts 210 and 212 may be located between the laser generating means 140 and 142 and the mirrors 50 and 52, and the mirrors 50 and 52 reflect. It may be located between the mirrors 10.

이하에서는 도 3에 도시된 본 발명에 따른 다중 레이저 가공장치의 실시예를 참조하여 대상물의 가공과정을 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a process of processing an object will be described in detail with reference to an embodiment of a multi-laser processing apparatus according to the present invention shown in FIG. 3.

도 4는 본 발명에 따른 대상물의 가공과정을 설명하기 위한 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a processing process of an object according to the present invention.

도 4를 참조하면, 웨이퍼(40)를 가공, 예를 들어 절단하기 위해서는 먼저, 입력부(120)를 통하여 가공하고자하는 웨이퍼(40)에 따라서 엑츄에이터(60)(62)의 각각의 기울기 각도 및 위치와 반사미러(10)의 회전속도 및 웨이퍼(40)가 안착되는 스테이지(30)의 이송속도 등의 제어 파라미터를 설정한다(S10). 이러한 설정과정은 가공하고자 하는 웨이퍼(40)의 종류 및 가공종류(예를 들어 절단, 홈파기, 드릴링 등)에 따라 미리 설정된 메뉴로 등록하여 저장부(170)에 저장하고, 메뉴를 호출함으로써 간단하게 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 4, in order to process, for example, cut the wafer 40, first, the inclination angle and the position of each of the actuators 60 and 62 according to the wafer 40 to be processed through the input unit 120. And control parameters such as the rotational speed of the reflection mirror 10 and the transfer speed of the stage 30 on which the wafer 40 is seated (S10). This setting process is simple by registering as a preset menu according to the type of wafer 40 to be processed and the type of processing (for example, cutting, grooving, drilling, etc.), and storing it in the storage unit 170 and calling a menu. Can be done.

설정이 완료되면 제어부(110)는 제 1엑츄에이터(60)와 제 2엑츄에이터(62)를 제어하여 제 1미러(50)와 제 2미러(52)를 각각의 설정에 따른 기울기 각도 및 위치로 조절하며(S20), 반사미러 구동수단(16)을 제어하여 반사미러(10)를 상기 설정에 따른 회전속도로 일정각도 범위내에서 반복 회전시키며(S30), 스테이지 이송수단(150)을 구동하여 스테이지(30)를 설정된 속도로 이송한다(S40). 이때 제어부(110)는 2개의 레이저발생수단(140)(142)을 제어하여 레이저를 발행시킨다(S50).When the setting is completed, the controller 110 controls the first actuator 60 and the second actuator 62 to adjust the first mirror 50 and the second mirror 52 to the inclination angle and position according to each setting. (S20), the reflection mirror driving means 16 is controlled to repeatedly rotate the reflection mirror 10 within a predetermined angle range at a rotational speed according to the above setting (S30), and drive the stage conveying means 150 to stage Transfer the 30 at the set speed (S40). At this time, the control unit 110 controls the two laser generating means (140, 142) to issue a laser (S50).

이에 따라 상기 2개의 레이저발생수단(140)(142)에서 발생된 각각의 레이저빔은 빔 확장부(210)(212)를 통과하면서 그 구경이 확장되어 각각 제 1미러(50)와 제 2미러(52)로 입사된다. 미러(50)(52)로 입사되는 레이저빔은 미러(50)(52)에 의해 반사되어 각각 다른 방향에서 반사미러(10)의 동일한 위치로 입사된다. 반사미러(10)로 입사되는 각각의 레이저빔은 회전하는 반사미러(10)의 반사면(14)에서 각각 렌즈(20)에 전술한 스캐닝 각도로 반사된다.Accordingly, each of the laser beams generated by the two laser generating means 140 and 142 passes through the beam extension parts 210 and 212 so that the diameter of the laser beams is extended, so that the first mirror 50 and the second mirror are respectively. Incident on 52. The laser beams incident on the mirrors 50 and 52 are reflected by the mirrors 50 and 52 and incident on the same positions of the reflection mirrors 10 in different directions. Each laser beam incident on the reflecting mirror 10 is reflected at the aforementioned scanning angle to the lens 20 at the reflecting surface 14 of the rotating reflecting mirror 10.

상기 렌즈(20)는 반사미러(10)에서 반사된 각각의 레이저빔을 집광하고, 렌즈(20)에서 집광된 각각의 레이저빔은 빔 변환부(220)를 통과하면서 빔 단면의 모 양이 타원형으로 변환되어 웨이퍼(40)에 수직방향으로 조사된다. 이렇게 됨으로써 2줄 동시에 웨이퍼(40)를 가공할 수 있게 된다.The lens 20 collects each laser beam reflected from the reflecting mirror 10, and each laser beam collected from the lens 20 passes through the beam converter 220 and has an elliptical shape in the cross section. Is converted to and irradiated to the wafer 40 in the vertical direction. As a result, the wafer 40 can be processed simultaneously in two rows.

이때, 웨이퍼(40)에 조사되는 각각의 레이저빔은 그 단면의 형태가 타원이며, 타원의 장축은 웨이퍼(40)의 절단방향, 즉 가공방향과 일치하여 레이저빔이 웨이퍼(40)에 조사되는 커버리지가 더 넓어지고, 단축의 길이는 웨이퍼(40)의 절단 폭, 즉 가공 폭이 된다.At this time, each of the laser beams irradiated onto the wafer 40 has an elliptical cross section, and the long axis of the ellipse corresponds to the cutting direction of the wafer 40, that is, the machining direction, so that the laser beam is irradiated onto the wafer 40. The coverage becomes wider, and the length of the short axis becomes the cutting width, that is, the processing width of the wafer 40.

상기한 과정에서 반사미러(10)는 정속회전을 하게 되므로 전술한 레이저빔의 스캐닝 길이는 소정횟수 중첩되어 웨이퍼(40)에 조사된다.In the above-described process, since the reflection mirror 10 rotates at a constant speed, the scanning length of the above-described laser beam is overlapped a predetermined number of times and irradiated onto the wafer 40.

또한, 웨이퍼(40)가 안착되는 스테이지(30)를 상기 반사미러(10)에 의해 웨이퍼(40)에 레이저 빔이 조사되는 방향에 대하여 역방향으로 이송하는 경우 웨이퍼(40)에 조사되는 레이저빔이 스캐닝 길이를 조사하는 상대속도는 더 빨라지게 되며, 웨이퍼(40)는 원활하게 가공된다(S60).In addition, when the stage 30 on which the wafer 40 is seated is transferred in the opposite direction to the direction in which the laser beam is irradiated to the wafer 40 by the reflective mirror 10, the laser beam irradiated onto the wafer 40 is Relative speed to investigate the scanning length is faster, the wafer 40 is smoothly processed (S60).

한편, 전술한 과정에서 레이저발생수단(140)(142)에서 생성된 레이저빔이 빔 확장부(210)(212)와 빔 변환부(220)를 경유하지 않을 경우에는 전술한 도 2에서 도시한 바와 같이 레이저발생수단(140)(142)에서 생성된 레이저빔은 그대로 웨이퍼(40)에 조사된다.On the other hand, when the laser beam generated by the laser generating means 140, 142 in the above-described process does not pass through the beam expansion unit 210, 212 and the beam conversion unit 220 shown in FIG. As described above, the laser beam generated by the laser generating means 140 or 142 is irradiated onto the wafer 40 as it is.

도 5는 도 3에 도시한 다중 레이저 가공장치에 의해 가공되는 웨이퍼의 일 예를 설명하기 위한 설명도이다.FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining an example of a wafer processed by the multiple laser processing apparatus shown in FIG. 3.

전술한 바와 같이, 빔 확장부(210)(212)를 통과하면서 그 구경이 확장된 레 이저빔은 미러(50)(52)에 의해 반사되어 각각 다른 방향에서 반사미러(10)의 동일한 위치로 입사된다. 반사미러(10)로 입사되는 각각의 레이저빔은 회전하는 반사미러(10)의 반사면(14)에서 각각 다른 방향으로 렌즈(20)에 전술한 스캐닝 각도로 반사된다. 상기 렌즈(20)는 반사미러(10)에서 반사된 각각의 레이저빔을 집광하고, 렌즈(20)에서 집광된 각각의 레이저빔은 빔 변환부(220)를 통과하면서 빔 단면의 모양이 타원형으로 변환되어 웨이퍼(40)에 수직방향으로 조사된다.As described above, the laser beam having its aperture extended while passing through the beam extensions 210 and 212 is reflected by the mirrors 50 and 52 to the same position of the reflecting mirror 10 in different directions, respectively. Incident. Each laser beam incident on the reflecting mirror 10 is reflected at the aforementioned scanning angle to the lens 20 in different directions on the reflecting surface 14 of the rotating reflecting mirror 10. The lens 20 collects each laser beam reflected from the reflection mirror 10, and each laser beam collected from the lens 20 passes through the beam converter 220, and the shape of the beam cross section is elliptical. It is converted and irradiated to the wafer 40 in the vertical direction.

이때, 웨이퍼(40)에 조사되는 레이저빔은 그 단면형상이 타원형태로써, 타원의 장축은 가공방향이 되고, 타원의 단축의 길이는 레이저빔에 의해 가공되는 너비가 된다.At this time, the laser beam irradiated onto the wafer 40 has an elliptical shape in cross section, the long axis of the ellipse becomes the processing direction, and the length of the short axis of the ellipse becomes the width processed by the laser beam.

즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼(40)에 조사되는 레이저빔은 타원형태로써 타원의 장축의 방향은 레이저빔의 진행방향과 동일 방향이며, 단축의 너비는 웨이퍼(40)가 가공되는 너비가 된다. 즉, 레이저빔의 단축의 너비를 제어함으로써 웨이퍼(40)의 가공폭(41)을 조절할 수 있다.That is, as shown in FIG. 5, the laser beam irradiated onto the wafer 40 has an elliptical shape, and the direction of the major axis of the ellipse is the same direction as that of the laser beam, and the width of the minor axis is processed by the wafer 40. To be the width. That is, the processing width 41 of the wafer 40 can be adjusted by controlling the width of the short axis of the laser beam.

도시한 바와 같이 레이저빔이 웨이퍼(40)에 조사되면 웨이퍼(40)에서 레이저빔이 조사되는 부분은 기화되어 증기 형태로 배출된다.As shown in the drawing, when the laser beam is irradiated onto the wafer 40, the portion to which the laser beam is irradiated from the wafer 40 is vaporized and discharged in the form of vapor.

이때, 레이저빔의 이동방향과 웨이퍼(40)의 이송방향이 역방향이 되어 레이저빔이 스캐닝되는 상대속도가 증가하고, 레이저빔의 장축이 가공방향으로 형성되기 때문에 실제 가공면(42)은 사선방향이 되어 레이저빔에 의해 기화되는 웨이퍼의 증기가 웨이퍼의 가공벽면(43)에 침착되지 않고 용이하게 배출됨으로써 원활한 가공이 가능하다.At this time, since the moving direction of the laser beam and the conveying direction of the wafer 40 are reversed, the relative speed at which the laser beam is scanned increases, and the long axis of the laser beam is formed in the machining direction. As a result, the vapor of the wafer vaporized by the laser beam is easily discharged without being deposited on the processing wall surface 43 of the wafer, thereby enabling smooth processing.

또한, 레이저빔을 빠른 속도로 중첩시켜 웨이퍼(40)의 가공하고자 하는 부분을 기화시킴으로써, 용이하게 웨이퍼(40) 가공을 수행하고 상기 웨이퍼(40)의 증기가 대상물인 웨이퍼(40)의 가공면(43)에 침착되는 리캐스팅(recast) 현상을 방지하는 것이 가능하다.In addition, by superimposing a laser beam at high speed to vaporize a portion to be processed in the wafer 40, the wafer 40 can be easily processed and the processing surface of the wafer 40 whose vapor is the target object. It is possible to prevent the recast phenomenon deposited on (43).

전술한 실시예에서는 2개의 레이저발생수단, 미러, 엑츄에이터를 사용하여 2줄씩 동시에 웨이퍼를 가공하는 것을 예로 설명하였으나, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 상기 레이저 발생수단, 미러, 엑츄에이터의 개수가 변경 가능함은 당연하다 할 것이다.In the above-described embodiment, two wafers are simultaneously processed using two laser generating means, mirrors and actuators as an example, but the number of the laser generating means, the mirrors and the actuators is within the scope of the present invention. Changeable is natural.

또한, 전술한 본 실시예에서는 반도체 웨이퍼(40)를 가공하는 것을 예로 설명하였으나, 본 발명에 따르면 반도체 웨이퍼(40)는 물론 플라스틱, 금속 등을 가공할 수 있음은 당연하다 할 것이다.In addition, in the above-described embodiment, the processing of the semiconductor wafer 40 has been described as an example. However, according to the present invention, it will be obvious that the semiconductor wafer 40 may be processed, as well as plastic and metal.

이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.As such, those skilled in the art will appreciate that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. Therefore, the above-described embodiments are to be understood as illustrative in all respects and not as restrictive. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

상기한 바와 같이 본 발명에 따른 다중 레이저 가공장치에 의하면, 복수개의 레이저발생수단을 사용하여 웨이퍼등의 대상물 가공시 가공 방향을 따라 레이저빔을 이동시키면서 조사함과 동시에 대상물 또한 이동시켜 대상물을 가공할 수 있으며 재 침착 현상을 방지하여 고정밀도로 대상물을 동시에 여러 줄씩 가공할 수 있음으로써, 대상물의 가공 속도 및 성능을 향상시킬 수 있어 가공효율을 향상시킬 수 있다.As described above, according to the multi-laser processing apparatus according to the present invention, a plurality of laser generating means is used to process an object while simultaneously irradiating a laser beam along a processing direction while processing an object such as a wafer and moving the object. By preventing the re-deposition phenomenon can be processed at the same time several lines of the object with high precision, it is possible to improve the processing speed and performance of the object to improve the processing efficiency.

Claims (8)

레이저를 이용하여 대상물을 가공하기 위한 장치로서,An apparatus for processing an object using a laser, 레이저를 생성하여 출력하는 복수 개의 레이저발생수단;A plurality of laser generating means for generating and outputting a laser; 상기 레이저발생수단에서 생성되어 출력되는 레이저빔을 각각 반사시키는 복수개의 미러;A plurality of mirrors each reflecting a laser beam generated and output by the laser generating means; 상기 복수개의 레이저발생수단에서 출력되는 레이저빔을 원하는 각도로 반사시키기 위해 상기 복수개의 미러 각각에 설치되어 상기 복수개 미러의 각도 및 위치를 조절하는 복수개의 엑츄에이터;A plurality of actuators provided on each of the plurality of mirrors to adjust the angles and positions of the plurality of mirrors to reflect the laser beams output from the plurality of laser generating means at a desired angle; 상기 복수개의 미러에서 반사되어 각각 다른 방향에서 입사되는 레이저빔을 동일한 반사면을 통해 반사시키는 반사미러; A reflection mirror reflecting the laser beams reflected from the plurality of mirrors and incident from different directions through the same reflection surface; 상기 반사미러가 소정의 각속도를 가지도록 상기 반사미러를 일정각도 범위 내에서 반복 회전시키는 반사미러 구동수단; 및Reflection mirror driving means for repeatedly rotating the reflection mirror within a predetermined angle range such that the reflection mirror has a predetermined angular velocity; And 상기 반사미러에서 반사되는 레이저빔을 집광하여 스테이지에 안착된 가공 대상물에 조사하는 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 레이저 가공장치.And a lens for condensing the laser beam reflected by the reflection mirror and irradiating the object to be processed mounted on the stage. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가공장치는,The processing device, 상기 대상물이 안착되는 스테이지와,A stage on which the object is seated; 상기 스테이지를 소정 방향으로 이송시키는 스테이지 이송수단을 더 포함하 는 것을 특징으로 하는 다중 레이저 가공장치.And a stage transfer means for transferring the stage in a predetermined direction. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 스테이지 이송수단은 상기 반사미러에 의해 상기 레이저 빔이 상기 대상물에 조사되는 방향에 대하여 역방향이 되도록 상기 스테이지를 이송시키는 것을 특징으로 하는 다중 레이저 가공장치.And said stage conveying means conveys said stage by said reflecting mirror so as to be reverse to a direction in which said laser beam is irradiated to said object. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가공장치는, The processing device, 상기 렌즈에서 집광된 레이저빔의 단면 형상을 타원형으로 변환하는 빔 변환부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 레이저 가공장치.And a beam converting unit converting the cross-sectional shape of the laser beam focused on the lens into an elliptical shape. 제 4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 빔 변환부는 변환되는 레이저빔의 단면형상에서 타원의 장축이 웨이퍼의 가공방향이 되도록 상기 레이저빔의 형상을 변환하여 웨이퍼로 조사하는 것을 특징으로 하는 다중 레이저 가공장치.And the beam converting unit converts the shape of the laser beam to irradiate the wafer such that the long axis of the ellipse in the cross-sectional shape of the converted laser beam is the processing direction of the wafer. 제 5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 레이저빔의 단면형상에서 타원의 단축의 길이는 레이저빔에 의해 가공되는 너비가 되며,The length of the short axis of the ellipse in the cross-sectional shape of the laser beam is the width processed by the laser beam, 상기 레이저빔의 상기 단축의 너비를 제어함으로써 가공되는 너비를 제어하 는 것을 특징으로 하는 다중 레이저 가공장치.And controlling the width to be processed by controlling the width of the short axis of the laser beam. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 가공장치는 상기 레이저발생수단에서 출력되는 레이저빔의 구경을 각각 확장하는 복수개의 빔 확장부를 더 포함하고,The processing apparatus further includes a plurality of beam expansion unit for each extending the aperture of the laser beam output from the laser generating means, 상기 빔 확장부에서 확장된 레이저빔은 복수개의 미러와 반사미러에서 반사되고 렌즈에서 집광되어 상기 빔 변환부로 입사되는 것을 특징으로 하는 다중 레이저 가공장치.And a laser beam extended by the beam extension part is reflected by a plurality of mirrors and a reflection mirror, is collected by a lens, and is incident to the beam conversion part. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 렌즈는 상기 레이저빔을 집광하여 상기 웨이퍼에 수직으로 조사하는 렌즈인 것을 특징으로 하는 다중 레이저 가공장치.The lens is a multi-laser processing apparatus, characterized in that for collecting the laser beam and irradiating the wafer perpendicular to the wafer.
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