KR100601371B1 - Organic Electro-Luminescence display device and method for fabricating of the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 평탄화층을 식각하여 비아홀을 먼저 형성하고 화소 전극의 반사막을 형성하여 반사막에 의한 콘택 불량을 방지하고, 반사막 형성을 위한 식각시 오픈된 드레인 전극의 금속이 손상되는 문제점을 해결하기 위해 평탄화층상에 화소 전극의 반사막을 먼저 형성한 후 화소 전극의 콘택을 위한 비아홀을 형성하여 드레인 전극의 금속이 손상되는 것을 방지하는 유기 전계발광 표시 소자 및 이의 형성 방법에 관한 것이다.According to the present invention, a via hole is first formed by etching the planarization layer, and a reflective layer of the pixel electrode is formed to prevent contact failure due to the reflective layer, and planarization is performed to solve a problem that the metal of the open drain electrode is damaged during etching for forming the reflective layer. The present invention relates to an organic electroluminescent display device and a method of forming the same, wherein a reflective film of a pixel electrode is first formed on a layer, and then a via hole for contacting the pixel electrode is formed to prevent the metal of the drain electrode from being damaged.
본 발명의 유기 전계발광 표시 소자 및 이의 형성 방법은 소정의 소자가 형성된 기판상에 패시베이션층을 형성하고, 드레인 전극의 소정 영역이 오픈되도록 제1비아홀을 형성하는 단계; 상기 기판 전면에 평탄화층을 형성하고, 상기 평탄화층상의 소정의 영역에 반사막을 형성하는 단계; 상기 제1비아홀에 의해 오픈된 드레인 전극의 소정의 영역이 오픈되도록 제2비아홀을 형성하는 단계; 및 상기 기판상에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계발광 표시 소자 및 이의 형성 방법에 기술적 특징이 있다.An organic electroluminescent display device and a method of forming the same may include forming a passivation layer on a substrate on which a predetermined device is formed, and forming a first via hole to open a predetermined region of a drain electrode; Forming a planarization layer on the entire surface of the substrate, and forming a reflective film on a predetermined area on the planarization layer; Forming a second via hole to open a predetermined region of the drain electrode opened by the first via hole; And forming a pixel electrode on the substrate, and an organic electroluminescent display device and a method of forming the same.
따라서, 본 발명의 유기 전계발광 표시 소자 및 이의 형성 방법은 평탄화층 형성 이후 화소 전극의 반사막을 먼저 형성하고, 화소 전극의 콘택을 형성하기 위한 비아홀을 형성함으로서, 반사막과 화소 전극의 계면저항에 의한 유기 전계발광 소자의 휘도 불균일을 개선할 뿐만 아니라 화소 전극의 반사막을 형성하기 위해 실시하는 식각에 의해 박막트랜지스터의 드레인이 손상을 입는 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.Therefore, the organic electroluminescent display device and the method of forming the same according to the present invention form a reflective film of the pixel electrode first after the planarization layer is formed, and form a via hole for forming a contact of the pixel electrode, thereby forming an interface resistance between the reflective film and the pixel electrode. In addition to improving luminance unevenness of the organic electroluminescent device, there is an effect that the drain of the thin film transistor is damaged by etching performed to form a reflective film of the pixel electrode.
화소 전극, 반사막, 콘택, 비아홀Pixel Electrode, Reflective Film, Contact, Via Hole
Description
도 1은 종래의 유기 전계발광 소자의 단면도.1 is a cross-sectional view of a conventional organic electroluminescent device.
도 2a 내지 도 2b는 또다른 종래의 유기 전계발광소자의 단면도.2a to 2b are cross-sectional views of another conventional organic electroluminescent device.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 의한 유기 전계발광 소자 제조 공정의 단면도.3A to 3D are cross-sectional views of an organic electroluminescent device manufacturing process according to the present invention.
도 4는 본 발명에 의해 형성된 유기 전계발광 소자의 단면도.4 is a cross-sectional view of an organic electroluminescent device formed by the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> <Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
101 : 기판 102 : 패시베이션층101
103 : 드레인 전극 104 : 제1비아홀103: drain electrode 104: first via hole
105 : 평탄화층 106 : 반사막105: planarization layer 106: reflective film
108 : 제2비아홀 109 : 화소 전극108: second via hole 109: pixel electrode
110 : 화소 전극과 드레인의 콘택 110: contact between the pixel electrode and the drain
본 발명은 유기 전계발광 표시 소자 및 이의 형성 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 표시소자에서 반사막을 형성할 때, 평탄화층상에 화소 전극의 반사막을 먼저 형성하고, 드레인 전극과 화소 전극의 콘택을 위한 비아홀을 나중에 형성하여 반사막과 화소 전극 사이의 계면저항에 의한 유기 전계발광 소자의 휘도 불균일을 개선하고, 반사막 형성시 발생하는 드레인 전극의 손상을 방지하는 유기 전계발광 표시 소자 및 이의 형성 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent display device and a method of forming the same. More particularly, when forming a reflective film in a display device, a reflective film of a pixel electrode is first formed on a planarization layer, and a via hole for contact between the drain electrode and the pixel electrode. The present invention relates to an organic electroluminescent display device and a method of forming the organic light emitting display device, which are formed later to improve luminance unevenness of the organic electroluminescent device due to the interfacial resistance between the reflective film and the pixel electrode, and prevent damage of the drain electrode generated when the reflective film is formed.
일반적으로, 평판형 표시 소자(Flat Panel Display) 중에서 유기 전계발광 소자(Organic Electro Luminescence Display)는 다른 평판 표시 소자보다 사용 온도 범위가 넓고, 충격이나 진동에 강하며, 시야각이 넓고, 응답 속도가 빨라 깨끗한 동화상을 제공할 수 있다는 등의 장점을 가지고 있어서 향후 차세대 평판 표시 소자로 주목받고 있다.In general, the organic electroluminescent display (Flat Panel Display) of the organic electroluminescent device (Organic Electro Luminescence Display) has a wider operating temperature range than the other flat panel display, resistant to shock and vibration, wide viewing angle, and fast response speed As it has the advantage of providing a clean moving image, it is attracting attention as a next-generation flat panel display device in the future.
상기 유기 전계발광 소자는 전자주입전극(cathode)과 정공주입전극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 여기자(exciton)가 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.The organic electroluminescent device injects electrons and holes from the electron injection electrode (cathode) and hole injection electrode (anode) into the light emitting layer, respectively, so that the exciton in which the injected electrons and holes are coupled to the ground state from the excited state When the device emits light.
이러한 유기 전계발광 소자는 종래의 액정 표시 소자와는 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 소자의 부피와 무게를 줄일 수 있으며, 공정을 단순화 할 수 있고, 또한, 플라즈마 디스플레이(PDP)나 무기 전계발광 소자 디스플레이에 비해 낮은 전압(5 내지 10V)으로 구동 될 수 있는 장점이 있다.Since the organic electroluminescent device does not require a separate light source, unlike a conventional liquid crystal display device, the volume and weight of the device can be reduced, the process can be simplified, and the plasma display (PDP) or inorganic electroluminescence Compared to the device display, there is an advantage that can be driven at a low voltage (5 to 10V).
일반적으로, 유기 전계발광 소자는 그 구조 및 구동방법에 따라 크게 수동 구동(passive matrix) 유기 전계발광 소자 및 능동 구동(active matrix) 유기 전계발광 소자로 나뉘어 진다. 상기 수동 구동 유기 전계발광 소자는 능동 구동 유기 전계발광 소자에 비해 제작이 용이하고 구동 방법이 간단하다는 장점을 갖고 있으나, 전력 소모가 크고 스캔 라인(scan line)의 수가 늘어날수록 구동이 어려워진다는 단점이 있는 반면에 능동 구동 유기 전계발광 소자는 수동 구동 유기 전계발광 소자의 구성과는 달리 다수의 화소영역 마다 박막트랜지스터(thin film transistor)가 포함되어, 상기 다수의 화소영역 내부의 각 화소부를 독립적으로 구동할 수 있도록 하므로 정교한 소자를 만드는 경우 효율적이라는 장점이 있다.In general, organic electroluminescent devices are largely divided into passive matrix organic electroluminescent devices and active matrix organic electroluminescent devices according to their structure and driving method. The passive driving organic electroluminescent device has advantages in that it is easier to manufacture and a simpler driving method than an active driving organic electroluminescent device. However, the passive driving organic electroluminescent device has a disadvantage in that driving becomes difficult as power consumption increases and the number of scan lines increases. On the other hand, unlike the configuration of the passive driving organic electroluminescent device, the active driving organic electroluminescent device includes a thin film transistor in each of the plurality of pixel areas, and independently drives each pixel part in the plurality of pixel areas. This makes it possible to create sophisticated devices that are efficient.
또한, 능동 구동 유기 전계발광 소자는 발광 방식 방향에 따라 기판측으로 빛의 발광이 이루어지는 배면 발광(bottom emission) 방식과 기판 반대측으로 빛이 발광하는 전면 발광(top emission) 방식으로 나뉘어 진다.In addition, the active driving organic electroluminescent device is classified into a bottom emission method in which light is emitted to the substrate side and a top emission method in which light is emitted to the opposite side of the substrate according to the light emission method direction.
상기 전면 발광 방식은 고해상도가 요구되는 제품의 경우에 적용하는 기술인데, 이는 박막트랜지스터의 디자인이 자유롭기 때문이다.The top emission method is a technology applied to a product requiring high resolution because the design of the thin film transistor is free.
도 1은 종래의 유기 전계발광 소자의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 유리 또는 플라스틱과 같은 기판(11)상에 반도체층(12), 게이트 절연막(13), 게이트 전극(14), 소오스(15a) 및 드레인(15b) 영역을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하고, 게이트 전극과 소오스 및 드레인 영역을 절연하기 위한 층간절연막(Inter-Layer Dielectric)(16)을 형성하고, 하부의 박막트랜지스터와 같은 소자를 보호하기 위한 패시베이션층(Passivation)(17)을 형성한 후, 화소 전극과의 콘택을 형성 하기 위한 제1비아홀(17a)을 패시베이션층에 형성한다. 이어서, 화소 전극이 평평하게 형성될 수 있도록 평탄화층(18)을 형성하고, 상기 제1비아홀이 형성된 영역에 제2비아홀(18a)을 형성한다. 그리고 상기 제1비아홀 및 제2비아홀에 의해 드레인 전극의 소정의 영역이 노출된 기판상에 반사막(19) 및 화소 전극(20)을 형성하고, 상기 화소 전극 상부에 유기 전계발광층(Organic Electro-Luminescence Layer)(21)을 형성한다. 상기와 같은 구조를 포함하여 형성된 유기 전계발광 소자는 전면 발광 방식으로 화소 전극의 하부에 형성된 반사막으로 상부의 유기 전계발광층에서 형성된 빛이 전면 발광(22)하도록 빛을 반사시키는 역할을 한다.1 is a cross-sectional view of a conventional organic electroluminescent device. As shown in the figure, a thin film transistor including a
도 2a 내지 도 2b는 또다른 종래의 유기 전계발광소자의 단면도이다.(이때, 도 2a 내지 도 2b는 도 1에 표시한 A의 영역만을 도시한 것임) 도에서 보는 바와 같이 소정의 소자가 형성된 기판(31)상에 형성되어 있는 드레인 전극(32)을 패시베이션층(33)을 형성한 후, 식각하여 제1비아홀(34)를 형성하여 상기 드레인 전극의 일부를 노출시키고, 상기 패시베이션층이 형성된 기판상에 평탄화층(35)을 형성하고, 상기 평탄화층 상부에 포토레지스트 패턴(36)을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 제2비아홀(37)을 형성하고(도 2a), 상기 포토레지스트를 제거하고, 상기 기판 전면에 반사막 물질을 형성한 후, 식각하여 반사막(38)을 형성하는 공정(도 2b)을 진행하는 것에 관한 것이다.2A to 2B are cross-sectional views of another conventional organic electroluminescent device. (At this time, FIGS. 2A to 2B show only the region A shown in FIG. 1). As shown in FIG. After the
그러나, 상기 패시베이션층을 식각하여 제2비아홀을 형성하여 하부의 드레인 전극의 소정의 영역을 오픈시키고 반사막 물질을 기판 전면에 형성한 후 상기 반사막 물질을 식각하여 반사막을 형성하는 경우, 상기 반사막 물질의 식각에 의해 드 레인 전극으로 형성된 금속 물질이 손상(39)을 받는다는 문제점이 있다.However, when the passivation layer is etched to form a second via hole to open a predetermined region of a lower drain electrode, and a reflective film material is formed on the entire surface of the substrate, the reflective film material is etched to form a reflective film. There is a problem that the metal material formed as the drain electrode is damaged 39 by etching.
예을 들어, 드레인 전극을 형성하는 금속이 Al, Al 합금(바람직하게는 AlNd), Mo 또는 MoW 중 어느 하나이고, 반사막 물질이 Al 또는 Al 합금인 경우, 상기 반사막 물질인 Al 또는 Al 합금을 식각하여 반사막으로 형성하기 위해서는 일반적으로 인산(H3PO4)을 포함하는 식각 용액을 이용하여 상기 반사막 물질을 식각하게 되는데, 상기 인산과 같은 식각 용액은 반사막 물질뿐만 아니라 드레인 전극을 형성하는 금속 또한 식각하여 노출된 드레인 전극의 표면에 손상을 입히게 된다. 상기와 같은 드레인 전극의 손상을 방지하기 위해서 다른 공정이 필요하다.For example, when the metal forming the drain electrode is any one of Al, Al alloy (preferably AlNd), Mo, or MoW, and the reflective film material is Al or Al alloy, the reflective film material Al or Al alloy is etched. In order to form a reflective film, the reflective film material is generally etched using an etching solution containing phosphoric acid (H 3 PO 4 ), and the etching solution such as phosphoric acid may also etch not only the reflective film material but also the metal forming the drain electrode. The surface of the exposed drain electrode is damaged. In order to prevent damage to the drain electrode as described above, another process is necessary.
그러나, 상기의 반사막은 반사 특성 뿐 아니라 적절한 일함수를 가지는 도전 물질인 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 사용하는데, 이러한 알루미늄 또는 알루미늄 합금은 대기 중에 노출되면 쉽게 산화막을 형성하게 되고, 이러한 산화막에 의해 상기 화소 전극과의 접촉저항을 증가시키는 원인이 되어 화소 전극에 인가되는 전류의 값을 변화시켜 발광소자의 휘도의 불균일성을 유발하는 단점이 있다.However, the reflective film uses aluminum or an aluminum alloy, which is a conductive material having not only reflective properties but also an appropriate work function. The aluminum or aluminum alloy easily forms an oxide film when exposed to the atmosphere, and the pixel electrode is formed by the oxide film. There is a disadvantage of causing a nonuniformity in brightness of the light emitting device by changing the value of the current applied to the pixel electrode to cause a contact resistance with the.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 제1비아홀이 형성된 기판상에 평탄화층을 형성하고, 상기 평탄화층상에 제2비아홀을 형성하기 이전에 반사막을 형성한 후, 평탄화층에 제2비아홀을 형성하고, 화소 전극을 드레인 전극과 직접 콘택시키는 반사막 형성 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
Accordingly, the present invention is to solve the above-mentioned disadvantages and problems of the prior art, forming a planarization layer on a substrate having a first via hole, and forming a reflective film before forming a second via hole on the planarization layer. Then, it is an object of the present invention to provide a method for forming a reflective film in which a second via hole is formed in a planarization layer and a pixel electrode is directly contacted with a drain electrode.
본 발명의 상기 목적은 소정의 소자가 형성된 기판상에 패시베이션층을 형성하고, 드레인 전극의 소정 영역이 오픈되도록 제1비아홀을 형성하는 단계; 상기 기판 전면에 평탄화층을 형성하고, 상기 평탄화층상의 소정의 영역에 반사막을 형성하는 단계; 상기 제1비아홀에 의해 오픈된 드레인 전극의 소정의 영역이 오픈되도록 제2비아홀을 형성하는 단계; 및 상기 기판상에 화소 전극을 형성하는 단계로 이루어진 유기 전계발광 소자 형성 방법에 의해 달성된다.The object of the present invention is to form a passivation layer on a substrate on which a predetermined element is formed, and forming a first via hole to open a predetermined region of the drain electrode; Forming a planarization layer on the entire surface of the substrate, and forming a reflective film on a predetermined area on the planarization layer; Forming a second via hole to open a predetermined region of the drain electrode opened by the first via hole; And forming a pixel electrode on the substrate.
본 발명의 상기 목적은 소정의 소자가 형성된 기판상에 형성된 드레인 전극의 일부분을 노출시키는 제1비아홀이 형성된 패시베이션층; 소정의 영역에 반사막을 먼저 형성한 후 제2비아홀을 형성한 평탄화층; 상기 제1비아홀 및 제2비아홀에 의해 노출된 드레인 전극과 직접 콘택하여 이루어진 화소 전극; 및 상기 반사막 및 화소 전극 상부의 소정 영역에 형성된 유기 전계발광층으로 이루어진 유기 전계발광 소자에 의해서도 달성된다.The object of the present invention is to provide a passivation layer having a first via hole exposing a portion of a drain electrode formed on a substrate on which a predetermined element is formed; A planarization layer in which a reflective film is first formed in a predetermined region and then a second via hole is formed; A pixel electrode formed in direct contact with the drain electrode exposed by the first via hole and the second via hole; And an organic electroluminescent element comprising an organic electroluminescent layer formed on a predetermined region above the reflective film and the pixel electrode.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.Details of the above objects and technical configurations and the effects thereof according to the present invention will be more clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 의한 유기 전계발광 소자 제조 공정의 단면도이다. 이때 상기 도 3a 내지 도 3d는 도 4의 A영역만을 도시하여 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 층간절연막 및 소오스 전극은 도시하지 않았다.3A to 3D are cross-sectional views of an organic electroluminescent device manufacturing process according to the present invention. 3A to 3D illustrate only the region A of FIG. 4, and thus the semiconductor layer, the gate insulating film, the gate electrode, the interlayer insulating film, and the source electrode are not shown.
먼저, 도 2a는 소정의 소자가 형성된 기판상에 패시베이션층을 형성하고, 드레인 전극의 소정 영역이 오픈되도록 제1비아홀을 형성하는 단계의 공정 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 층간절연막, 소오스 전극 및 드레인 전극과 같은 소정의 소자가 형성된 기판상(101)에 상기 소정의 소자를 보호하기 위한 패시베이션층(102)을 형성한다. 이어서, 상기 소정의 소자 중 화소 전극과 전기적으로 연결되는 드레인 전극(103)의 일부분을 오픈하는 제1비아홀(104)을 포토레지스트 패턴(도시 안함)을 이용하여 건식 식각으로 형성한다. 이때 상기 드레인 전극은 Al, Al 합금, Ag, Ag 합금, Mo, MoW 또는 Mo 합금으로 형성되고 패시베이션층은 산화막 또는 질화막과 같은 절연막으로 형성하여 하부의 소자들을 보호하는 역할을 한다.First, FIG. 2A is a cross-sectional view illustrating a process of forming a passivation layer on a substrate on which a predetermined element is formed and forming a first via hole to open a predetermined region of a drain electrode. As shown in the figure, a
다음, 도 2b는 상기 기판 전면에 평탄화층을 형성하고, 상기 평탄화층상의 소정의 영역에 반사막을 형성하는 단계의 공정 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 제1비아홀에 의해 소정의 영역이 오픈된 드레인 전극이 형성된 기판상에 평탄화층(105)을 형성하고, 상기 평탄화층을 식각하여 제2비아홀을 형성하지 않고(드레인 전극에 손상을 입히지 않기 위해) 반사막 물질을 형성한 후 패턴하여 소정의 영역에 반사막(106)을 형성한다.Next, FIG. 2B is a cross-sectional view of the step of forming a planarization layer on the entire surface of the substrate and forming a reflective film in a predetermined region on the planarization layer. As shown in the figure, a
이때, 상기 평탄화층은 하부에 형성된 여러 소자에 의해 생기는 기판의 표면 단차를 보상하기 위해 형성한다. 즉, 기판상에 형성된 박막트랜지스터 또는 금속 배선과 같은 소자의 높낮이에 의해 유기 전계발광층의 표면에 요철이 발생하여 발 광 효율 또는 휘도가 나빠지는 것을 방지하기 위해 형성된다.In this case, the planarization layer is formed to compensate for the surface level difference of the substrate caused by various elements formed at the bottom. That is, it is formed to prevent unevenness from occurring on the surface of the organic electroluminescent layer due to the height of a device such as a thin film transistor or a metal wiring formed on the substrate, thereby deteriorating luminous efficiency or luminance.
상기 반사막은 일반적으로 Al, Al 합금(바람직하게는 AlNd), Ag, 또는 Ag 합금으로 인산이 포함된 식각 용액으로 식각하여 형성하는데 이는 상기 Al, Al 합금, Ag 또는 Ag 합금이 반사 효율이 좋을 뿐만 아니라 일함수도 적당하기 때문이다. 또한 상기 반사막의 위치는 이후 공정에서 형성되는 유기 전계발광층의 하부에 형성되도록 할뿐만 아니라, 형성 면적이 유기 전계발광층의 면적보다 넓어서 유기 전계발광층의 하부면이 반사막의 표면의 내부에 형성되도록 하는 것이 바람직한데 이는 상기 반사막이 유기 전계발광층에서 형성된 빛을 반사시켜 일정한 방향으로 진행하도록 도와주는 역할을 하기 때문이다.The reflective film is generally formed by etching with an etching solution containing phosphoric acid, such as Al, Al alloy (preferably AlNd), Ag, or Ag alloy, in which the Al, Al alloy, Ag or Ag alloy has good reflection efficiency. Because work function is also suitable. In addition, the position of the reflective film is not only to be formed in the lower portion of the organic electroluminescent layer formed in a later process, but also the formation area is wider than that of the organic electroluminescent layer so that the lower surface of the organic electroluminescent layer is formed inside the surface of the reflective film. This is preferable because the reflective film serves to help the light reflected from the organic electroluminescent layer to travel in a predetermined direction.
다음, 도 2c는 상기 제1비아홀에 의해 오픈된 드레인 전극의 소정의 영역이 오픈되도록 제2비아홀을 형성하는 단계의 공정 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 상기 제1비아홀이 형성되어 노출된 드레인 전극의 상부에 포토레지스트 패턴(107)을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 평탄화층을 건식 식각하여 제2비아홀(108)을 형성한다. 이때 제2비아홀은 제1비아홀에 의해 노출된 드레인 전극이 최대한 많이 노출되도록 한다. 따라서, 상기 제2비아홀의 단면적은 상기 제1비아홀의 단면적보다 작거나 같은 넓이를 갖게 되는데 바람직하게는 제2비아홀의 단면적이 제1비아홀의 단면적에 비해 작지만 거의 같은 넓이가 되도록 형성한다.Next, FIG. 2C is a cross-sectional view illustrating a step of forming a second via hole so that a predetermined region of the drain electrode opened by the first via hole is opened. As shown in the drawing, the
다음, 도 2d는 상기 기판상에 화소 전극을 형성하는 단계의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 제2비아홀을 형성한 후, 포토레지스트 패턴을 제거하고, 기판상에 화소 전극(109)을 형성한다. 이때 상기 화소 전극은 상기 제1비아홀 및 제2비 아홀에 의해 노출된 드레인 전극과 콘택(110)이 될 수 있도록 형성된다. 이때 상기 화소 전극은 일반적으로 ITO 또는 IZO 등의 투명 전극 물질 또는 Mg, Ca, Al, Ag, Ba 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 금속을 사용하여 형성하며 빛을 투과시킬 수 있을 정도의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.Next, FIG. 2D is a cross-sectional view of forming a pixel electrode on the substrate. As shown in the drawing, after forming the second via hole, the photoresist pattern is removed, and the
이후, 화소 전극의 상부에 전자 및 정공에 의해 빛을 발광하는 유기 전계발광층을 형성하여 유기 전계발광 소자를 형성한다. 이때 상기 유기 전계발광층은 유기 발광층을 기본으로 하여 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 억제층, 전자 억제층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 어느 한 층 이상을 더 포함하여 이루어져 있다. 이때 상기 유기 전계발광층은 용액 상태로 도포하는 스핀 코팅, 딥 코팅, 스프레이법, 스크린 인쇄법 및 잉크젯 프린팅법 등의 습식 코팅 방법 또는 스퍼터링 및 진공 증착 등의 건식 코팅 방법으로 형성 할 수 있다.Thereafter, an organic electroluminescent layer emitting light by electrons and holes is formed on the pixel electrode to form an organic electroluminescent device. In this case, the organic electroluminescent layer further includes at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, a hole suppression layer, an electron suppression layer, an electron transport layer, and an electron injection layer based on the organic light emitting layer. In this case, the organic electroluminescent layer may be formed by a wet coating method such as spin coating, dip coating, spraying, screen printing, inkjet printing, or the like, or a dry coating method such as sputtering and vacuum deposition.
도 4는 본 발명에 의해 형성된 유기 전계발광 소자의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 본 발명에 의해 형성된 유기 전계발광 소자의 구조는 소정의 소자가 형성된 기판(201)상에 소오스/드레인 영역 및 채널 영역을 포함하는 반도체층(202), 상기 기판상에 게이트 절연막(203), 상기 게이트 절연막 상부의 소정의 영역에 게이트 전극(204), 상기 반도체층, 게이트 절연막 및 게이트 전극을 보호하는 층간절연막(205), 상기 층간절연막 상부에 소오스 영역 및 드레인 영역에 콘택으로 연결된 소오스 전극 및 드레인 전극(206), 상기 소정의 소자가 형성된 기판 상부에 드레인 전극의 일부분을 노출시키는 제1비아홀(207)이 형성된 패시베이션층(208), 소정의 영역에 반사막(209)을 먼저 형성한 후 제2비아홀(210)을 형성한 평탄화층(211), 상기 제1비아홀 및 제2비아홀에 의해 노출된 드레인 전극과 직접 콘택(212)하여 이루어진 화소 전극(213) 및 상기 반사막 및 화소 전극 상부의 소정 영역에 형성된 유기 전계발광층(214)으로 이루어진다.4 is a cross-sectional view of an organic electroluminescent device formed by the present invention. As shown in the figure, the structure of the organic electroluminescent device formed by the present invention includes a
따라서, 상기와 같은 공정으로 형성된 유기 전계발광 소자는 일반적인 콘택 구조인 드레인 전극/반사막/화소 전극을 형성하지 않고, 드레인 전극/화소 전극의 구조으로 형성되어 드레인 전극과 화소 전극이 직접 콘택을 이루게됨으로서 반사막 물질인 Al의 산화에 의한 화소 전극의 부식 및 상기 부식에 의한 반사막과 화소 전극의 계면 특성 저하 등과 같은 문제점을 해결할 수 있고, 반사막 형성시 반사막 식각 공정을 먼저 진행하고 평탄화층에 제2비아홀을 형성함으로써, 반사막 물질을 식각하는 식각 용액 또는 식각 가스에 의한 드레인 전극의 금속의 손상 문제를 해결할 수 있게 된다.Therefore, the organic electroluminescent device formed by the above process does not form a drain electrode / reflective film / pixel electrode, which is a general contact structure, but is formed in the structure of the drain electrode / pixel electrode so that the drain electrode and the pixel electrode make direct contact. Problems such as corrosion of the pixel electrode due to oxidation of Al, a reflective film material, and deterioration of the interface characteristics between the reflective film and the pixel electrode due to the corrosion, can be solved. By forming, it is possible to solve the problem of damage to the metal of the drain electrode by the etching solution or etching gas for etching the reflective film material.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.Although the present invention has been shown and described with reference to preferred embodiments as described above, it is not limited to the above-described embodiments and those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Various changes and modifications will be possible.
따라서, 본 발명의 유기 전계발광 표시 소자 및 이의 형성 방법은 평탄화층 형성 이후 화소 전극의 반사막을 먼저 형성하고, 화소 전극의 콘택을 형성하기 위한 비아홀을 형성함으로서, 화소 전극과 드레인 전극이 직접 콘택이 되어 반사막과 화소 전극의 계면저항에 의한 유기 전계발광 소자의 휘도 불균일을 개선할 뿐만 아니라 화소 전극의 반사막을 형성하기 위해 실시하는 식각에 의해 박막트랜지스터의 드레인 전극이 손상을 입는 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.Therefore, the organic electroluminescent display device and the method of forming the same according to the present invention form a reflective film of the pixel electrode first after forming the planarization layer, and form a via hole for forming a contact of the pixel electrode, whereby the pixel electrode and the drain electrode are directly contacted. Therefore, not only the luminance non-uniformity of the organic electroluminescent element due to the interface resistance between the reflective film and the pixel electrode is improved, but also the effect of solving the problem that the drain electrode of the thin film transistor is damaged by the etching performed to form the reflective film of the pixel electrode. There is.
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