KR100600584B1 - Processing chamber for making semiconductor - Google Patents

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    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means

Abstract

본 발명은 실링부재의 부식을 줄임으로써 실링부재의 수명을 연장할 수 있도록 한 반도체 제조용 공정챔버를 개시한 것이다. The present invention discloses a process chamber for manufacturing a semiconductor that can extend the life of the sealing member by reducing corrosion of the sealing member.

개시한 반도체 제조용 공정챔버는 상호 대면하도록 결합되어 밀폐 가능한 공정챔버를 이루는 제1부재 및 제2부재와, 공정챔버 내부의 기밀유지를 위해 제1 및 제2부재 사이에 마련되는 기밀유지장치를 포함하며, 기밀유지장치는 제1부재와 제2부재 사이에 개재되며 탄성을 구비하는 실링부재와, 공정챔버 내부의 공정가스가 실링부재 쪽으로 유동하는 현상을 제한하도록 실링부재보다 공정챔버 내부공간에 근접한 위치의 제1부재와 제2부재 사이에 개재되는 내화학성 보호부재를 포함한다.The disclosed process chamber for semiconductor manufacturing includes a first member and a second member coupled to face each other to form a sealable process chamber, and an airtight holding device provided between the first and second members for airtightness inside the process chamber. The airtight holding device is disposed between the first member and the second member and is closer to the process chamber than the sealing member so as to limit a phenomenon in which the process gas inside the process chamber flows toward the sealing member. And a chemical resistant protective member interposed between the first member and the second member in position.

Description

반도체 제조용 공정챔버{PROCESSING CHAMBER FOR MAKING SEMICONDUCTOR}Process chamber for semiconductor manufacturing {PROCESSING CHAMBER FOR MAKING SEMICONDUCTOR}

도 1은 종래 반도체 제조용 공정챔버의 기밀유지장치 구성을 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional airtight holding device of a process chamber for semiconductor manufacturing.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조용 공정챔버의 전체적인 구성을 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing the overall configuration of a process chamber for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

도 3은 도 2의 "A"부 상세도이다.FIG. 3 is a detailed view of part “A” of FIG. 2.

도 4는 본 발명에 따른 반도체 제조용 공정챔버의 기밀유지장치 구성을 나타낸 사시도이다.4 is a perspective view showing the structure of the airtight holding device of the process chamber for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10: 공정챔버, 11: 제1챔버부재,10: process chamber, 11: first chamber member,

12: 제2챔버부재, 13: 척,12: second chamber member, 13: chuck,

14: 공급노즐, 15: 배기구,14: supply nozzle, 15: exhaust port,

17: 진공펌프, 18: 압력제어장치,17: vacuum pump, 18: pressure controller,

21: 유도코일, 30: 기밀유지장치,21: induction coil, 30: airtight device,

31: 실링부재, 32: 보호부재,31: sealing member, 32: protective member,

33: 실링부재 수용홈, 34: 제1보호부재 결합홈,33: sealing member receiving groove, 34: first protective member coupling groove,

35: 제2보호부재 결합홈, 36: 침적유도홈.35: second protective member coupling groove, 36: deposition induction groove.

본 발명은 반도체 제조용 공정챔버에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 공정챔버의 기밀유지를 위해 사용되는 오링(O-ring)의 손상을 최소화하여 오링의 교체시기를 연장할 수 있도록 한 반도체 제조용 공정챔버에 관한 것이다.The present invention relates to a process chamber for semiconductor manufacturing, and more particularly, to a process chamber for semiconductor manufacturing which can extend the replacement time of the O-ring by minimizing damage to the O-ring used for the airtightness of the process chamber. It is about.

일반적인 반도체 제조공정에서 화학 기상 증착(chemical vapor deposition: CVD)공정이나 식각(etching)공정을 수행할 때는 공정챔버(Processing chamber) 내부를 진공상태로 유지시킨다. 또 이러한 공정들을 수행할 때는 공정챔버 내부에 반응성 공정가스를 주입하고 이 공정가스를 플라즈마 상태로 만들어 줌으로써 반도체기판의 표면에 박막이 형성되거나, 기판 표면의 막이 패턴에 따라 식각될 수 있도록 한다. 따라서 이러한 공정들을 수행하기 위한 공정챔버는 내부가 진공으로 유지되거나 공정가스의 누설이 방지될 수 있도록 공정챔버의 조립부분이나 개폐부분의 기밀이 유지되어야 한다.When performing a chemical vapor deposition (CVD) process or an etching process in a general semiconductor manufacturing process, the inside of the processing chamber is maintained in a vacuum state. In addition, when performing these processes, a reactive process gas is injected into the process chamber and the process gas is made into a plasma state so that a thin film may be formed on the surface of the semiconductor substrate or the film may be etched according to a pattern. Therefore, the process chamber for performing these processes must maintain the airtightness of the assembly portion or the opening and closing portion of the process chamber so that the interior can be maintained in a vacuum or to prevent the leakage of process gas.

도 1은 종래 반도체 제조용 공정챔버의 기밀유지장치 구성을 나타낸 것이다. 도시한 바와 같이, 종래 공정챔버의 기밀유지장치는 상호 대향하도록 결합되어 공정챔버을 이루는 제1챔버부재(1)와 제2챔버부재(2) 사이에 개재되는 것으로 탄성재질의 오링(O-ring)으로 된 실링(Sealing)부재(3)와, 이 실링부재(3)가 삽입될 수 있도록 하측의 제2챔버부재(2)에 형성된 실링부재 수용홈(4)을 포함한다. 이때 실링부재(3)는 수용홈(4) 내에 85~90%가 수용되도록 설치되며, 제1챔버부재(1)와 제2 챔버부재(2)가 대면하여 결합될 때 노출부분이 제1챔버부재(1)에 의해 가압되어 탄성변형됨과 동시에 밀착됨으로써 공정챔버의 기밀이 유지될 수 있도록 한다.1 shows a structure of a conventional airtight holding device of a process chamber for semiconductor manufacturing. As shown in the drawing, the airtight holding device of the conventional process chamber is interposed between the first chamber member 1 and the second chamber member 2 which are coupled to face each other and form the process chamber. And a sealing member accommodating groove 4 formed in the lower second chamber member 2 so that the sealing member 3 can be inserted therein. At this time, the sealing member 3 is installed so that 85 to 90% is accommodated in the receiving groove 4, and the exposed portion is the first chamber when the first chamber member 1 and the second chamber member 2 are coupled to face each other. Pressurized by the member (1) is elastically deformed and in close contact with each other so that the airtightness of the process chamber can be maintained.

그러나 이러한 종래 공정챔버에 있어서 기밀유지장치는 실링부재(3)가 제1챔버부재(1)와 제2챔버부재(2) 사이의 틈새(5)를 통하여 실링부재(3) 쪽으로 침투하는 공정가스에 노출되는 구조이기 때문에 공정가스로 인한 실링부재(3)의 부식이 매우 커서 실링부재(3)를 주기적으로 교체해 주어야 했다. 실제로 이러한 공정챔버를 사용하는 반도체 생산라인에서는 상술한 바와 같은 이유로 1 ~ 3개월에 한번씩 실링부재(3)를 교체해야 하기 때문에 실링부재(3)의 교체에 따른 유지비용의 부담이 크고, 생산성 저하 및 인력손실이 큰 문제가 있었다. However, in the conventional process chamber, the airtight holding device includes a process gas in which the sealing member 3 penetrates toward the sealing member 3 through a gap 5 between the first chamber member 1 and the second chamber member 2. Since the structure is exposed to the corrosion of the sealing member 3 due to the process gas is very large, the sealing member 3 had to be replaced periodically. In fact, in the semiconductor production line using such a process chamber, the sealing member 3 needs to be replaced every one to three months for the same reason as described above. And manpower loss was a big problem.

본 발명은 이와 같은 문제점을 감안하여 안출한 것으로, 본 발명의 목적은 공정챔버 내부의 공정가스가 실링부재 쪽으로 유동하는 현상을 제한하여 실링부재의 부식을 줄임으로써 실링부재의 수명을 연장할 수 있도록 하는 반도체 제조용 공정챔버를 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to limit the phenomenon that the process gas inside the process chamber flows toward the sealing member to reduce the corrosion of the sealing member to extend the life of the sealing member. It is to provide a process chamber for semiconductor manufacturing.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 제조용 공정챔버는 상호 대면하도록 결합되어 밀폐 가능한 공정챔버를 이루는 제1부재 및 제2부재와, 상기 공정챔버 내부의 기밀유지를 위해 상기 제1 및 제2부재 사이에 마련되는 기밀유지장치를 포함하며, 상기 기밀유지장치는 상기 제1부재와 상기 제2부재 사이에 개재되며 탄성을 구비하는 실링부재와, 상기 공정챔버 내부의 공정가스가 상기 실링 부재 쪽으로 유동하는 현상을 제한하도록 상기 실링부재보다 상기 공정챔버 내부공간에 근접한 위치의 상기 제1부재와 제2부재 사이에 개재되는 보호부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.The process chamber for manufacturing a semiconductor according to the present invention for achieving the above object is a first member and a second member coupled to face each other to form a sealable process chamber, and the first and second to maintain the airtight inside the process chamber And an airtight holding device provided between the members, wherein the airtight holding device is interposed between the first member and the second member, the sealing member having elasticity, and the process gas inside the process chamber toward the sealing member. And a protective member interposed between the first member and the second member at a position closer to the process chamber inner space than the sealing member so as to limit the flow phenomenon.

또한 상기 실링부재는 환형의 오링(O-ring)으로 이루어지고, 상기 제1 및 제2부재 중 적어도 하나에는 상기 실링부재를 수용하는 실링부재 수용홈이 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the sealing member is formed of an annular O-ring (O-ring), characterized in that at least one of the first and second members is formed with a sealing member receiving groove for receiving the sealing member.

또한 상기 보호부재는 내화학성 재질이고 링 형상으로 이루어지며, 상기 제1부재에는 상기 보호부재의 일측을 수용하는 제1보호부재 결합홈이 형성되고, 상기 제2부재에는 상기 보호부재의 타측을 수용하는 제2보호부재 결합홈이 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the protective member is made of a chemical-resistant material and a ring shape, the first member is formed with a first protective member coupling groove for receiving one side of the protective member, the second member to receive the other side of the protective member The second protective member is characterized in that the coupling groove is formed.

또한 상기 보호부재에는 상기 보호부재 쪽으로 유입되는 공정가스의 침적을 유도하는 소정깊이의 침적유도홈이 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the protective member is characterized in that the deposition guide groove having a predetermined depth to induce the deposition of the process gas flowing into the protective member.

또한 상기 보호부재는 상기 제2보호부재 결합홈에 수용되는 부분이 상기 제1보호부재 결합홈에 수용되는 부분보다 더 두껍게 형성되고, 상기 침적유도홈이 두께가 두꺼운 쪽에 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the protective member is characterized in that the portion accommodated in the second protective member coupling groove is formed thicker than the portion accommodated in the first protective member coupling groove, the deposition induction groove is formed in a thicker side.

또한 상기 보호부재는 상기 제1부재와 제2부재 중 하나에 일체로 형성되고, 상기 제1부재와 제2부재 중 상기 보호부재가 형성되지 않은 쪽에는 상기 보호부재를 수용하는 보호부재 결합홈이 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the protective member is formed integrally with one of the first member and the second member, and the protective member coupling groove for receiving the protective member on the side of the first member and the second member is not formed of the protective member It is characterized by being formed.

이하에서는 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조용 공정챔버(10)는 상호 결합되어 반도체 기판(W)의 가공공정을 수행하기 위한 공간을 형성하는 것으로 상부의 제1챔버부재(11)와, 하부의 제2챔버부재(12)를 포함한다. 여기서 공정챔버(10)를 통해 수행하는 가공공정이란 반도체 기판(W) 상에 막을 형성시키기 위한 증착공정일 수 있고, 반도체 기판(W) 표면에 형성된 막의 소정부분을 식각하여 특정 패턴을 형성시키기 위한 식각공정일 수 있다.As shown in FIG. 2, the process chamber 10 for manufacturing a semiconductor according to the present invention is coupled to each other to form a space for performing a process of processing a semiconductor substrate W, and an upper portion of the first chamber member 11. And a lower second chamber member 12. Herein, the processing process performed through the process chamber 10 may be a deposition process for forming a film on the semiconductor substrate W. The process may be performed by etching a predetermined portion of the film formed on the surface of the semiconductor substrate W to form a specific pattern. It may be an etching process.

공정챔버(10)의 내부에는 반도체 기판(W)을 지지하기 위한 척(13)이 설치된다. 이 척(13)은 정전기력을 이용하여 반도체 기판(W)을 고정할 수 있는 정전 척으로 이루어진다. 또 공정챔버(10)의 내측 상부에는 공정챔버(10)의 내부로 공정가스를 공급하기 위한 다수의 공급노즐들(14)이 설치된다. 다수의 공급노즐들(14)은 도면에 도시하지는 않았지만 공정가스를 공급하기 위한 가스공급부와 연결된다. 공정챔버(10)로 가스를 공급하는 가스공급부는 통상 공정가스를 저장하는 저장용기나 공정가스를 발생시키는 가스발생기, 공정가스를 운송하기 위한 배관들 및 공정가스의 공급을 조절하는 밸브시스템을 포함할 수 있다. The chuck 13 for supporting the semiconductor substrate W is installed in the process chamber 10. The chuck 13 is composed of an electrostatic chuck capable of fixing the semiconductor substrate W using an electrostatic force. In addition, a plurality of supply nozzles 14 for supplying a process gas to the inside of the process chamber 10 are installed at an inner upper portion of the process chamber 10. Although not shown in the drawing, the plurality of supply nozzles 14 is connected to a gas supply unit for supplying a process gas. The gas supply unit for supplying gas to the process chamber 10 typically includes a storage container for storing the process gas, a gas generator for generating the process gas, piping for transporting the process gas, and a valve system for controlling supply of the process gas. can do.

공정챔버(10)의 내측 하부에는 공정챔버(10) 내부의 반응 부산물 및 미 반응가스를 배출시키기 위한 배출구(15)가 형성되며, 배출구(15)와 연결되는 배출유로(16)에는 공정챔버(10) 내부를 진공상태로 유지할 수 있는 진공펌프(17) 및 압력제어장치(18)가 설치된다. An outlet 15 for discharging the reaction by-products and the unreacted gas inside the process chamber 10 is formed at an inner lower portion of the process chamber 10, and a process chamber is formed at the discharge passage 16 connected to the outlet 15. 10) The vacuum pump 17 and the pressure control device 18, which can maintain the interior in a vacuum state, are installed.

또 제1챔버부재(11) 상면에는 공정챔버(11) 내부로 공급되는 공정가스를 플라스마 상태로 만들기 위해 전기장을 형성하는 것으로 고주파 전원(20)이 연결되는 유도코일(21)이 설치된다. 이때 제1챔버부재(11)는 공정가스를 플라즈마 상태로 만들기 위해 유도코일(21)에 의해서 생기는 전기장이 제1챔버부재(11) 내측에 형성될 수 있도록 세라믹 재질로 이루어짐이 바람직하다. 또 공정챔버(10) 내부의 척(13)에는 플라즈마 상태의 공정가스를 반도체 기판(W)으로 유도할 수 있도록 바이어스 전원이 인가되는 것이 바람직하다.In addition, the induction coil 21 to which the high frequency power source 20 is connected is formed on the upper surface of the first chamber member 11 to form an electric field to make the process gas supplied into the process chamber 11 into a plasma state. In this case, the first chamber member 11 is preferably made of a ceramic material so that an electric field generated by the induction coil 21 may be formed inside the first chamber member 11 to make the process gas into a plasma state. In addition, a bias power source is preferably applied to the chuck 13 inside the process chamber 10 so as to guide the process gas in the plasma state to the semiconductor substrate W.

또 제1챔버부재(11)와 제2챔버부재(12)가 상호 대면하여 결합되는 부분에는 공정챔버(10) 내부가 진공상태로 유지될 수 있도록 함과 동시에 공정가스의 누설을 방지할 수 있도록 하는 기밀유지장치(30)가 설치된다.In addition, the inside of the process chamber 10 may be maintained in a vacuum state at a portion where the first chamber member 11 and the second chamber member 12 are coupled to face each other, and at the same time, the process gas may be prevented from leaking. The airtight holding device 30 is installed.

기밀유지장치(30)는 도 3과 도 4에 도시한 바와 같이, 제1챔버부재(11)와 제2챔버부재(12) 사이의 틈(25)에 개재되는 실링부재(31)와, 공정챔버(10) 내부의 공정가스 또는 플라즈마 상태의 이온이 실링부재(31) 쪽으로 침투하는 현상을 제한할 수 있도록 역시 제1챔버부재(11)와 제2챔버부재(12) 사이에 개재되는 보호부재(32)를 포함한다.3 and 4, the airtight holding device 30 includes a sealing member 31 interposed in a gap 25 between the first chamber member 11 and the second chamber member 12, and a process. A protective member also interposed between the first chamber member 11 and the second chamber member 12 to limit the infiltration of the process gas or plasma ions in the chamber 10 toward the sealing member 31. And (32).

실링부재(31)는 탄성을 가진 통상의 환형 오링(O-ring)으로 이루어진다. 그리고 이러한 실링부재(31)가 삽입되어 결합될 수 있도록 제2챔버부재(12)에는 실링부재(31)를 수용하는 실링부재 수용홈(33)이 형성된다. 이러한 실링부재(31)는 수용홈(33) 내에 85~90%가 수용되도록 설치되며, 제1챔버부재(11)가 대면하여 결합될 때 공정챔버(10) 내부의 기밀이 유지될 수 있도록 한다. The sealing member 31 is made of a conventional annular O-ring having elasticity. And the sealing member accommodating groove 33 for receiving the sealing member 31 is formed in the second chamber member 12 so that the sealing member 31 can be inserted and coupled. The sealing member 31 is installed to accommodate 85 to 90% in the receiving groove 33, so that the airtight inside the process chamber 10 can be maintained when the first chamber member 11 is opposed to each other. .

보호부재(32)는 공정챔버(10) 내부의 공정가스가 제1챔버부재(11)와 제2챔버부재(12) 사이 틈(25)을 통하여 실링부재(31) 쪽으로 유동하는 것을 제한할 수 있 도록 실링부재(31)의 위치보다 공정챔버(10) 내부공간 쪽으로 더 근접한 위치에 실링부재(31)와 이격되어 설치된다. 이러한 보호부재(32)는 링 형상으로 이루어지며, 공정가스에 의한 부식이 생기지 않도록 내화학성이 우수한 엔지니어링 플라스틱(ENPLA) 계열이나 테프론(PTFE) 계열 또는 이에 상당하는 재질로 이루어진다.The protection member 32 may restrict the process gas inside the process chamber 10 from flowing toward the sealing member 31 through the gap 25 between the first chamber member 11 and the second chamber member 12. The sealing member 31 is spaced apart from the sealing member 31 at a position closer to the interior space of the process chamber 10 than that of the sealing member 31. The protection member 32 is formed in a ring shape, and is made of an engineering plastic (ENPLA) series or Teflon (PTFE) series or equivalent material having excellent chemical resistance so that corrosion by process gas does not occur.

또 보호부재(32)가 결합되는 위치의 제1챔버부재(11)에는 보호부재(32)의 상측을 수용하는 제1보호부재 결합홈(34)이 형성되고, 제2챔버부재(12)에는 보호부재(32)의 하측을 수용하는 제2보호부재 결합홈(35)이 형성된다. 또한 보호부재(32)는 상측의 제1보호부재 결합홈(34)에 삽입되는 부분보다 하측의 제2보호부재 결합홈(35)에 삽입되는 부분의 두께가 더 두껍게 형성되고, 두께가 두꺼운 하측 부분에는 공정챔버(10) 내부로부터 틈(25)을 통하여 유입되는 공정가스의 침적을 유도할 수 있도록 상부가 개방되며 소정 폭과 깊이를 구비하는 침적유도홈(36)이 형성된다.In addition, the first chamber member 11 at the position where the protection member 32 is coupled is formed with a first protection member coupling groove 34 for receiving an upper side of the protection member 32, and in the second chamber member 12. A second protective member coupling groove 35 for receiving the lower side of the protective member 32 is formed. In addition, the protective member 32 is formed to have a thicker portion of the portion inserted into the second protective member coupling groove 35 on the lower side than the portion inserted into the first protective member coupling groove 34 on the upper side, the lower thick side In the portion, an upper portion of the upper portion is opened to induce deposition of the process gas introduced through the gap 25 from the inside of the process chamber 10, and a deposition induction groove 36 having a predetermined width and depth is formed.

이러한 공정챔버(10)를 통해 반도체 기판(W)의 가공공정을 수행할 경우, 공정챔버(10) 내부의 공정가스 또는 플라즈마 상태의 이온은 도 3에 도시한 바와 같이, 제1챔버부재(11)와 제2챔버부재(12) 사이의 틈(25)을 통하여 실링부재(31) 쪽으로(화살표 "C"방향) 유입된다. When the semiconductor substrate W is processed through the process chamber 10, the process gas or the ion in the plasma state in the process chamber 10 may be formed in the first chamber member 11 as illustrated in FIG. 3. ) Through the gap 25 between the second chamber member 12 and toward the sealing member 31 (arrow "C" direction).

이때 본 발명은 공정챔버(10) 내부로부터 실링부재(31) 쪽으로 유입되는 공정가스가 보호부재(32)에 의해 유동의 제한을 받게 되므로 공정가스에 의한 실링부재(31)의 부식을 종래보다 줄일 수 있게 된다. 특히 실링부재(31) 쪽으로 유동하는 공정가스는 보호부재(32)의 설치로 인해 굴절된 유동경로를 거쳐 실링부재(31)에 이르게 되므로 실링부재(31)에 이르는 공정가스의 유동경로가 종래에 비하여 3~5배 정도 길어진다. 결국 이러한 구성은 공정챔버 내부로부터 실링부재(31) 쪽으로의 공정가스 유동을 어렵게 하여 공정가스와 실링부재(31)의 접촉을 줄여줄 수 있게 되므로 그 만큼 공정가스에 의한 실링부재(31)의 부식을 줄여줄 수 있게 된다.In this case, since the process gas introduced from the inside of the process chamber 10 toward the sealing member 31 is restricted by the protection member 32, the corrosion of the sealing member 31 due to the process gas is reduced. It becomes possible. In particular, the process gas flowing toward the sealing member 31 reaches the sealing member 31 through the flow path that is refracted by the installation of the protective member 32, so that the flow path of the process gas leading to the sealing member 31 is conventionally known. It is 3 ~ 5 times longer than that. As a result, such a configuration makes it difficult to flow the process gas from the inside of the process chamber toward the sealing member 31, thereby reducing the contact between the process gas and the sealing member 31, and thus the corrosion of the sealing member 31 due to the process gas. Will reduce the

또 공정가스는 실링부재(31) 쪽으로 유동하는 과정에서 보호부재(32)의 침적유도홈(36)에 이르게 되면 유동경로 폭이 상대적으로 넓게 확대되기 때문에 침적유도홈(36) 내측으로 유동하려는 성향을 가진다. 또한 침적유도홈(36)은 상부가 개방된 구조이고 상하방향으로 소정의 깊이를 구비하기 때문에 침적유도홈(36)이 이른 공정가스가 미세하나마 중력의 영향에 의해 침적유도홈(36) 쪽으로 유동하려는 성향을 가진다. 따라서 공정가스는 상당량 침적유도홈(36)에 침적된다. 그리고 이러한 현상에 의해 침적유도홈(36)을 거친 후 실링부재(31) 쪽으로 유동하는 공정가스의 밀도는 침적유도홈을 거치기 전 단계에서의 공정가스 밀도에 비하여 현저히 낮아지므로 종래에 비하여 공정가스에 의한 실링부재(31)의 부식을 현저히 줄여줄 수 있게 된다. In addition, when the process gas reaches the deposition guide groove 36 of the protection member 32 in the process of flowing toward the sealing member 31, the propensity to flow inside the deposition guide groove 36 is because the width of the flow path is relatively widened. Has In addition, the deposition guide groove 36 has an open top structure and has a predetermined depth in the vertical direction, so that the process gas in which the deposition guide groove 36 is earlier flows toward the deposition guide groove 36 due to the influence of gravity. Have a tendency to Therefore, the process gas is deposited in a substantial amount of the induction groove 36. As a result of this phenomenon, the density of the process gas flowing through the immersion guide groove 36 toward the sealing member 31 is significantly lower than that of the process gas at the stage before the immersion guide groove passes. It is possible to significantly reduce the corrosion of the sealing member 31 by.

한편, 여기서 본 실시 예는 보호부재(32)의 하측이 제2챔버부재(12)의 제2보호부재 결합홈(35)에 진입하도록 결합되고, 보호부재(32)의 상측이 제1챔버부재(11)의 제1보호부재 결합홈(34)에 진입하여 결합되는 경우를 나타낸 것이나, 이를 다소 변경하여 보호부재(32)가 제2챔버부재(12)와 같은 재질로 일체로 형성되도록 할 수 있고 보호부재(32)가 제1챔버부재(11)와 같은 재질로 일체로 형성되도록 할 수도 있다. 즉 도면에 도시하지는 않았지만, 보호부재(32)가 제1챔버부재(11)와 제2챔버부재(12) 중 하나에 일체로 형성되고, 제1챔버부재(11)와 제2챔버부재(12) 중 보호부재(32)가 형성되지 않은 쪽에 보호부재를 수용하는 보호부재 결합홈이 형성되도록 할 수도 있다.Meanwhile, in the present embodiment, the lower side of the protection member 32 is coupled to enter the second protection member coupling groove 35 of the second chamber member 12, and the upper side of the protection member 32 is the first chamber member. The first protective member coupling groove (34) of the (11) is shown to be coupled to the case, but it may be changed slightly so that the protective member 32 is integrally formed of the same material as the second chamber member 12. And the protection member 32 may be formed integrally with the same material as the first chamber member (11). That is, although not shown in the drawings, the protection member 32 is formed integrally with one of the first chamber member 11 and the second chamber member 12, the first chamber member 11 and the second chamber member 12 ), A protective member coupling groove may be formed at a side where the protective member 32 is not formed.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조용 공정챔버는 실링부재보다 공정챔버 내부공간에 근접한 위치의 제1챔버부재와 제2챔버부재 사이에 개재되는 보호부재를 구비하기 때문에 공정챔버 내부의 공정가스가 실링부재 쪽으로 유동하는 현상이 제한된다. 따라서 공정가스에 의해 실링부재가 부식되는 현상을 종래보다 현저히 줄여 실링부재의 수명을 연장할 수 있는 효과가 있다. As described in detail above, the semiconductor manufacturing process chamber according to the present invention includes a protection member interposed between the first chamber member and the second chamber member at a position closer to the process chamber internal space than the sealing member. The phenomenon that the process gas flows toward the sealing member is limited. Therefore, the phenomenon in which the sealing member is corroded by the process gas is significantly reduced than in the related art, which has the effect of extending the life of the sealing member.

Claims (6)

상호 대면하도록 결합되어 밀폐 가능한 공정챔버를 이루는 제1부재 및 제2부재와, 상기 공정챔버 내부의 기밀유지를 위해 상기 제1 및 제2부재 사이에 마련되는 기밀유지장치를 포함하는 반도체 제조용 공정챔버에 있어서,A process chamber for semiconductor manufacturing comprising a first member and a second member coupled to face each other to form a sealable process chamber, and an airtight holding device provided between the first and second members for airtightness inside the process chamber. To 상기 기밀유지장치는 상기 제1부재와 상기 제2부재 사이에 개재되며 탄성을 구비하는 실링부재와, 상기 공정챔버 내부의 공정가스가 상기 실링부재 쪽으로 유동하는 현상을 제한하도록 상기 실링부재보다 상기 공정챔버 내부공간에 근접한 위치의 상기 제1부재와 제2부재 사이에 마련되는 보호부재를 포함하고,The hermetic holding device includes a sealing member interposed between the first member and the second member, the sealing member having elasticity, and the process member rather than the sealing member so as to limit a phenomenon that a process gas in the process chamber flows toward the sealing member. A protection member provided between the first member and the second member at a position proximate to the chamber internal space, 상기 실링부재 수용을 위해 상기 제1 및 제2부재 중 적어도 하나에 형성된 실링부재 수용홈과, 상기 보호부재 일측의 결합을 위해 상기 제1부재에 형성된 제1보호부재 결합홈과, 상기 보호부재 타측의 결합을 위해 상기 제2부재에 형성된 제2보호부재 결합홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 공정챔버.A sealing member accommodating groove formed in at least one of the first and second members for accommodating the sealing member, a first protective member coupling groove formed in the first member for coupling one side of the protective member, and the other side of the protective member. The process chamber for manufacturing a semiconductor, characterized in that it comprises a second protective member coupling groove formed in the second member for coupling. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 실링부재는 환형의 오링(O-ring)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 공정챔버.The sealing member is a semiconductor manufacturing process chamber, characterized in that consisting of an annular O-ring (O-ring). 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 보호부재는 내화학성 재질이고 링 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 공정챔버.The protective member is a process chamber for semiconductor manufacturing, characterized in that the chemical resistance material and made of a ring shape. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 보호부재에는 상기 보호부재 쪽으로 유입되는 공정가스의 침적을 유도하는 소정깊이의 침적유도홈이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 공정챔버.The protective member is a semiconductor manufacturing process chamber, characterized in that the deposition guide groove having a predetermined depth to induce the deposition of the process gas flowing into the protective member. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 보호부재는 상기 제2보호부재 결합홈에 수용되는 부분이 상기 제1보호부재 결합홈에 수용되는 부분보다 더 두껍게 형성되고, 상기 침적유도홈이 두께가 두꺼운 쪽에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 공정챔버.The protective member is a semiconductor manufacturing, characterized in that the portion accommodated in the second protective member coupling groove is formed thicker than the portion accommodated in the first protective member coupling groove, the deposition induction groove is formed in a thicker side. Process chamber. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 보호부재는 상기 제1부재와 제2부재 중 하나에 일체로 형성되고, 상기 제1부재와 제2부재 중 상기 보호부재가 형성되지 않은 쪽에는 상기 보호부재를 수용하는 보호부재 결합홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 공정챔버.The protective member is integrally formed with one of the first member and the second member, and a protective member coupling groove for accommodating the protective member is formed at a side where the protective member is not formed among the first member and the second member. Process chamber for manufacturing a semiconductor, characterized in that.
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