KR100596324B1 - 플라즈마 처리장치 - Google Patents

플라즈마 처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100596324B1
KR100596324B1 KR1020040068069A KR20040068069A KR100596324B1 KR 100596324 B1 KR100596324 B1 KR 100596324B1 KR 1020040068069 A KR1020040068069 A KR 1020040068069A KR 20040068069 A KR20040068069 A KR 20040068069A KR 100596324 B1 KR100596324 B1 KR 100596324B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
electrode
plasma processing
processing apparatus
viewport
Prior art date
Application number
KR1020040068069A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060019400A (ko
Inventor
이영종
최준영
김경훈
Original Assignee
주식회사 에이디피엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에이디피엔지니어링 filed Critical 주식회사 에이디피엔지니어링
Priority to KR1020040068069A priority Critical patent/KR100596324B1/ko
Publication of KR20060019400A publication Critical patent/KR20060019400A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100596324B1 publication Critical patent/KR100596324B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/32935Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 내부에 상부 전극이 마련되는 상부 챔버; 내부에 하부 전극이 수용되며, 상부 챔버와 결합되어 내부에 진공을 형성하고 상기 하부 전극과 챔버 바닥과의 이격된 사방에 직립된 상태로 고정 설치하는 측판이 마련된 하부 챔버; 상기 하부 챔버의 일측벽 중 하부 전극 일측에 적어도 하나 이상 마련되는 뷰포트(View Port); 상기 뷰포트와 동일 선상에 위치된 측판의 소정 위치에 형성되어 내부를 투시할 수 있게 적어도 하나 이상 마련되는 투시창;을 포함한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치를 제공한다.
플라즈마 처리장치, 상, 하부챔버, 뷰포트, 측판, 투시창

Description

플라즈마 처리장치{Plasma processing apparatus}
도 1은 종래의 플라즈마 처리장치를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 챔버를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 측판에 마련된 투시창을 도시한 정면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110 : 상, 하부챔버 112 : 뷰포트(View Port)
114, 117 : 상, 하부전극 116 : 전극부
124 : 측판 126 : 투시창
본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자 제조 공정에서의 미세 가공에서 널리 이용되고 있는 건식 식각 방법의 하나로써, 반응성 이온 에칭(RIE)법이 있다. 이러한 반응성 이온 에칭법은 플라즈마에 자계를 사용함에 따라 플라즈마를 고밀도화하여, 에칭 속도의 고속화, 미세 가공의 고정밀화를 도모하도록 한다.
종래의 플라즈마 처리장치는 도 1에 도시된 바와 같이 챔버(10)의 측벽 하단에 챔버(10)의 내부를 관찰할 수 있는 뷰포트(12)가 설치되며 내측 상부 영역에 상부전극(12)이 설치되고 이러한 상부전극(12)과 대향되는 하부 영역에 설치되되 챔버(10) 바닥과 소정 거리 이격된 상태로 구비되며 최상부에 하부전극(17)이 구비된 전극부(16)가 마련된다. 여기서, 상술한 전극부는 최하부에 위치되는 베이스와, 이 베이스의 상부 영역에 적층되는 절연부재와, 이러한 절연부재의 상부 영역에 적층되는 냉각판과, 이 냉각판의 상부 영역에 적층되는 하부전극(17)으로 구성된다.
또한, 상술한 베이스의 사방 측면에 단차부가 형성되어 이러한 단차부에 상부가 절곡된 측판(24)의 절곡부가 사방에 설치된 상태로 각각 고정되며 상술한 측판(24)의 하부 영역이 챔버(10) 바닥에 접촉된 상태로 위치시켜 접지 역할을 수행한다.
또한, 냉각판과 절연부재의 사이에 세로 방향으로 구비되는 한 쌍의 지지부(18)가 설치되며 상술한 지지부(18)는 챔버(10) 내부에서 연장되게 형성되어 그 연장된 지지부(18)의 하단과 챔버(10)의 저면에 지지부(18)의 노출된 부분을 보호하는 벨로우즈(20)가 고정 설치된다.
그러나, 상술한 챔버(10)의 측벽에 마련된 뷰포트(12)를 통해 챔버(10)내 전극부(16)와 챔버(10) 바닥과의 공간을 관찰하고자 할 때 측판(24)이 그 공간을 가로막아 내부에서 플라즈마의 영향으로 발생되는 아킹 현상 또는 지지부의 부식 등을 관찰할 수 없는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 챔버 내부에서 발생되는 상황을 시각적으로 관찰할 수 있도록 챔버 측벽에 마련된 뷰포트와 동일선상의 측판에 각각 투시창이 마련되어 챔버의 외부에서 챔버 내부 상황을 관찰할 수 있게 한 플라즈마 처리장치를 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 내부에 상부 전극이 마련되는 상부 챔버; 내부에 하부 전극이 수용되며, 상부 챔버와 결합되어 내부에 진공을 형성하고 상기 하부 전극과 챔버 바닥과의 이격된 사방에 직립된 상태로 고정 설치하는 측판이 마련된 하부 챔버; 상기 하부 챔버의 일측벽 중 하부 전극 일측에 적어도 하나 이상 마련되는 뷰포트(View Port); 상기 뷰포트와 동일 선상에 위치된 측판의 소정 위치에 형성되어 내부를 투시할 수 있게 적어도 하나 이상 마련되는 투시창;을 포함함으로써, 챔버 내부에서 발생되는 상황을 시각적으로 관찰할 수 있도록 챔버 측벽에 마련된 뷰포트와 측판에 마련된 투시창을 통해 전극부와 챔버 바닥과의 이격 공간의 상황을 육안으로 관찰할 수 있으므로 바람직하다.
또한 본 발명에서의 투시창과 뷰포트는 퀄츠(Quartz) 재질로 마련된다.
이하, 본 발명의 플라즈마 처리장치를 첨부도면을 참조하여 일실시예를 들어 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 바림직한 실시예의 플라즈마 처리장치는 도 2에 도시된 바와 같이 챔버(110) 측벽 하부 영역에 설치되어 내부를 관찰할 수 있도록 뷰포트(View Port : 112)가 마련되며, 상술한 챔버(110) 내부에 마련되되 최하부에 위치된 베이스와, 절연판과, 냉각판과, 하부전극(117)을 순차적으로 적층시킨 전극부(116)가 구비되고, 이러한 전극부(116)의 양측면과 하부전극(117)의 상면 가장자리부에 체결되어 플라즈마로부터 전극부(116)를 보호하는 다수개의 절연부재가 위치되며, 상술한 전극부(116)와 대향된 챔버(110)내 상부 영역에는 상부전극(114)이 구비된다.
또한, 챔버(110) 바닥에서 소정 거리 이격된 상부 영역에 위치되는 전극부(116)는 베이스와, 절연판과, 냉각판과, 하부전극(117)을 각각 순차적으로 적층된 형상으로 이 전극부(116)를 적층시키는 과정에서 상술한 하부전극(117)의 중심부 저면에 고주파 전원 공급봉(122)을 외부에서 연통된 상태로 상술한 냉각판과 절연판의 접촉면에 설치되며 챔버(110)의 바닥에서 하부 영역으로 관통된 구멍에 돌출되게 위치된 지지부(118)가 다수개 설치된다.
한편, 상술한 전극부(116)의 베이스 사방 측면은 단차부가 형성되어 이러한 단차부에 "ㄱ"자 형상으로 절곡된 측판(124)의 상부가 사방에 걸린 상태로 각각 고정되어, 상술한 측판(124)을 전극부(116)의 베이스와 챔버(110) 바닥과의 이격된 공간 사방에 고정하였을 때 밀폐된 공간이 형성된다.
상술한 측판(124)은 도 3에 도시된 바와 같이 길이 방향으로 연장되는 판 형상이며 상부 영역은 절곡되고, 상술한 챔버(110) 측벽에 구비된 각각의 뷰포트(112)와 동일선상의 위치에 각각의 구멍이 형성되어 그 각각의 구멍에 투시창(126) 을 고정, 설치한다. 여기서, 투시창(126)은 투명한 퀄츠(Quartz) 재질로 형성되어 내부를 육안으로 관찰할 수 있다.
여기서, 상술한 투시창(126)의 재질은 수정에 한정되지 않고 다양한 변경 실시가 가능하다.
상술한 고주파 전원 공급봉(122)은 일단이 매칭 박스(Matching Box)에 연결되어 외부에서 인가 받은 고주파 전원(RF) 공급 라인과 전기적으로 연결될 수 있도록 하부전극(117)의 저면 중심부에 접촉되게 설치되며, 타단이 상술한 챔버(110)의 내부로 삽입되어 상술한 하부전극(117)과 연결되며 상술한 하부전극(117)에 고주파 전원을 전달한다.
상술한 지지부(118)는 양단의 직경이 중간부보다 큰 단차 형상으로 일단이 바닥면에 접촉되며 타단이 상술한 챔버(110)내부로 삽입된 상태로 상기 하부전극(117)과 결합되어 상술한 하부전극(117)을 지지한다. 한편, 상술한 지지부(118)는 냉각판과 절연판의 접촉면 양단 중앙부에 2개 또는 접촉면 각 모서리부에 4개가 각각 설치될 수 있으며, 상술한 절연판에서 연장된 상태로 챔버(110) 저면의 하부 영역인 바닥면에 접촉된 상태로 위치된다.
또한, 상술한 챔버(110)의 내부에서 외부까지 하방으로 연장된 지지부(118)는 챔버(110) 저면에서 지지부(118)의 하단까지 외부로 노출된 부분의 둘레를 감싸는 벨로우즈(120)로 보호하게 된다.
상술한 벨로우즈(120)는 연질의 재질로 형성되며 수축과 이완이 반복적으로 실시되어 외부로부터 지지부(118)를 보호하는 기능을 갖는다.
여기서, 상술한 뷰포트(112)와 이러한 뷰포트(112)와 대향된 위치에 마련된 투시창(126)의 개수와 형상은 본 발명에서와 같이 한정되지 않고 다양한 변경 실시가 가능하다.
그러므로, 본 발명의 플라즈마 처리장치는 도 2에 도시된 바와 같이 플라즈마 공정 수행시 챔버(110) 측벽에 마련된 각각의 뷰포트(112)와 일직선상에 위치되되 밀폐된 공간을 형성시키고 접지 역할 등을 하는 측판(124) 도중에 적어도 하나 이상의 투시창(126)을 마련하여 작업자가 뷰포트(112)를 통해 투시창(124)으로 챔버(110) 바닥과 전극부(116)의 이격된 공간을 육안으로 확인할 수 있으므로 플라즈마로부터 노출된 지지부(118)에 발생되는 아킹(Arcing) 현상이나 부식 등과 같은 내부 상황을 시각적으로 확인할 수 있다.
이와 같은 본 발명의 플라즈마 처리장치는 챔버의 측벽 하부 영역에 뷰포트를 설치하고 이 뷰포트와 수평된 상태로 구비되되 전극부와 챔버 바닥과의 이격되는 공간 사방에 설치된 측판에 적어도 하나 이상의 투시창을 설치하여 이 투시창과 일직선상에 마련된 뷰포트를 통해 작업자가 챔버 외부에서 챔버내 플라즈마로부터 노출된 지지부의 부식 또는 플라즈마 집중으로 인해 발생되는 아킹 현상 등의 내부 상황을 확인할 수 있는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 내부에 상부 전극이 마련되는 상부 챔버;
    내부에 하부 전극이 수용되며, 상부 챔버와 결합되어 내부에 진공을 형성하고 상기 하부 전극과 챔버 바닥과의 이격된 사방에 직립된 상태로 고정 설치하는 측판이 마련된 하부 챔버;
    상기 하부 챔버의 일측벽 중 하부 전극 일측에 적어도 하나 이상 마련되는 뷰포트(View Port);
    상기 뷰포트와 동일 선상에 위치된 측판의 소정 위치에 형성되어 내부를 투시할 수 있게 적어도 하나 이상 마련되는 투시창;을 포함한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 투시창과 뷰포트는,
    퀄츠(Quartz) 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
KR1020040068069A 2004-08-27 2004-08-27 플라즈마 처리장치 KR100596324B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040068069A KR100596324B1 (ko) 2004-08-27 2004-08-27 플라즈마 처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040068069A KR100596324B1 (ko) 2004-08-27 2004-08-27 플라즈마 처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060019400A KR20060019400A (ko) 2006-03-03
KR100596324B1 true KR100596324B1 (ko) 2006-07-06

Family

ID=37126799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040068069A KR100596324B1 (ko) 2004-08-27 2004-08-27 플라즈마 처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100596324B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0621003A (ja) * 1992-07-03 1994-01-28 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
KR20030094904A (ko) * 2002-06-10 2003-12-18 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 투시창
KR20050112361A (ko) * 2004-05-25 2005-11-30 삼성전자주식회사 기판 가공 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0621003A (ja) * 1992-07-03 1994-01-28 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
KR20030094904A (ko) * 2002-06-10 2003-12-18 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 투시창
KR20050112361A (ko) * 2004-05-25 2005-11-30 삼성전자주식회사 기판 가공 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060019400A (ko) 2006-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100209559B1 (ko) 마그네트론 플라즈마 처리장치 및 처리방법
KR101891445B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 그것에 이용하는 배기 구조
JP4418027B2 (ja) 真空処理装置
JP5517797B2 (ja) プラズマリアクタにおける穿孔プラズマ閉じ込めリング
KR20070041379A (ko) 플라즈마 구속 장치 및 플라즈마 구속 방법
JP6496898B2 (ja) 電子部品の製造方法
JP2021009886A5 (ko)
KR100596324B1 (ko) 플라즈마 처리장치
TW201338012A (zh) 用於等離子體處理裝置的可調節約束裝置
KR100717974B1 (ko) 플라즈마 처리장치
KR20190134499A (ko) 안테나, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
KR100622859B1 (ko) 플라즈마 처리장치
KR100943436B1 (ko) 플라즈마 처리장치
KR20090033718A (ko) 자석을 내장한 선형 안테나를 구비한 플라즈마 처리 장치
KR101000338B1 (ko) 플라즈마 처리장치
WO2006080629A1 (en) Plasma chamber
KR20060002295A (ko) 플라즈마 처리장치
CN113130282A (zh) 一种等离子体约束结构及其制造方法、等离子体处理装置
TWI834225B (zh) 電漿處理裝置
CN114034996B (zh) 气体放电实验电极激光监测装置
KR100734776B1 (ko) 플라즈마 처리장치
US20050142886A1 (en) Method for forming a contact in semiconductor device
KR101262904B1 (ko) 플라즈마 식각 장치
KR200197657Y1 (ko) 플라즈마 식각 장치
KR100734770B1 (ko) 플라즈마 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
O035 Opposition [patent]: request for opposition
O133 Decision on opposition [patent]: notification of invalidation of opposition
O132 Decision on opposition [patent]
O074 Maintenance of registration after opposition [patent]: final registration of opposition
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130627

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140627

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150629

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160628

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170608

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180627

Year of fee payment: 13