KR100594695B1 - Manufacturing method of probe having center hole - Google Patents

Manufacturing method of probe having center hole Download PDF

Info

Publication number
KR100594695B1
KR100594695B1 KR1020040036378A KR20040036378A KR100594695B1 KR 100594695 B1 KR100594695 B1 KR 100594695B1 KR 1020040036378 A KR1020040036378 A KR 1020040036378A KR 20040036378 A KR20040036378 A KR 20040036378A KR 100594695 B1 KR100594695 B1 KR 100594695B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
specimen
hole
manufacturing
jig
probe
Prior art date
Application number
KR1020040036378A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20050011673A (en
Inventor
이억기
Original Assignee
주식회사 파이컴
이억기
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 파이컴, 이억기 filed Critical 주식회사 파이컴
Publication of KR20050011673A publication Critical patent/KR20050011673A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100594695B1 publication Critical patent/KR100594695B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/06711Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06733Geometry aspects
    • G01R1/06738Geometry aspects related to tip portion
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/06711Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06733Geometry aspects
    • G01R1/0675Needle-like
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/06711Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06755Material aspects
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

본 발명은 전극패드에 대한 대응성이 뛰어나고 고집적화된 전자소자의 전극패드에 대응이 용이한 중공형 프로브의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 연신율이 좋은 시편을 가압하여 신장시키고 내부에 중앙홀을 형성한 후 단부를 레이저빔으로 가공함으로써 제조되는 중공형 프로브의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a hollow probe having excellent responsiveness to an electrode pad and easy to cope with electrode pads of highly integrated electronic devices. It relates to a method for manufacturing a hollow probe produced by processing the end portion with a laser beam after forming a.

이를 위해 본 발명에서는, 소정의 연신률을 지닌 도전성 금속재질의 원기둥형상의 시편을 준비하는 단계, 상기 시편을 테이퍼진 제 1 관통홀이 형성된 제 1 지그에 고정하고, 그 상면을 가압하여 상기 시편을 상기 관통홀에 통과시켜 신장시키는 제 1 단계, 상기 신장된 시편을 상기 제 1 관통홀보다 작도록 테이퍼진 제 2 관통홀이 형성된 제 2 지그에 고정하고, 그 상면 중심부를 가압하여 상기 시편을 상기 제 2 관통홀에 통과시켜 신장시킴과 동시에 상기 시편의 중심부에 중앙홀을 형성하는 제 2 단계, 상기 시편을 회전시키면서 상기 시편의 하단에 레이저빔(Laser beam)을 가하여 상기 중앙홀이 외부에 개방되도록 상기 본체부 하단부를 절개함으로써 팁(Tip)을 제조하는 제 3 단계를 포함하는 중공형 프로브의 제조방법이 개시된다.To this end, in the present invention, preparing a cylindrical specimen of a conductive metal material having a predetermined elongation, the specimen is fixed to a first jig in which a tapered first through hole is formed, and the upper surface is pressed to press the specimen. In the first step of passing through the through-hole to extend, the elongated specimen is fixed to a second jig in which a tapered second through-hole is formed so as to be smaller than the first through-hole. The second step of forming a central hole in the center of the specimen while extending through the second through-hole, and applying the laser beam to the lower end of the specimen while rotating the specimen to open the center hole to the outside Disclosed is a method of manufacturing a hollow probe including a third step of manufacturing a tip by cutting the lower end of the main body.

중공형, 프로브, 팁부, 접촉, 연신률Hollow, Probe, Tip, Contact, Elongation

Description

중공형 프로브의 제조방법{Manufacturing method of probe having center hole} Manufacturing method of probe having center hole

도 1a 내지 도 1e 는 본 발명의 일 실시예에 따른 중공형 프로브의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다. 1A to 1E are views for explaining a method of manufacturing a hollow probe according to an embodiment of the present invention.

도 2a 는 도 1a 내지 도 1e 에 의해 제조된 중공형 프로브를 설명하기 위한 사시도이고, 도 2b 는 저면도이다.FIG. 2A is a perspective view illustrating the hollow probe manufactured by FIGS. 1A to 1E, and FIG. 2B is a bottom view.

도 3a 는 본 발명의 다른 실시예에 의해 제조된 중공형 프로브를 설명하기 위한 도면이고, 도 3b 는 본 발명의 또 다른 실시예에 의해 제조된 중공형 프로브를 설명하기 위한 도면이다.Figure 3a is a view for explaining a hollow probe produced by another embodiment of the present invention, Figure 3b is a view for explaining a hollow probe manufactured by another embodiment of the present invention.

도 4a 는 본 발명의 일 실시예에 의해 제조된 중공형 프로브가 일반 전극패드와 접촉한 상태를 설명하기 위한 측단면도이고, 도 4b 는 본 발명의 일 실시예에 의해 제조된 중공형 프로브가 볼타입의 전극패드와 접촉한 상태를 설명하기 위한 단면도이다.4A is a side cross-sectional view illustrating a state in which a hollow probe manufactured by an embodiment of the present invention is in contact with a general electrode pad, and FIG. 4B illustrates a hollow probe manufactured by an embodiment of the present invention. It is sectional drawing for demonstrating the state which contacted the type electrode pad.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10 : 시편 11 : 중앙홀10: Psalm 11: the central hole

12 : 제 1 가압봉 14 : 제 2 가압봉 12: 1st pressure rod 14: 2nd pressure rod

15 : 제 3 가압봉 16 : 본체부15: third pressure bar 16: body portion

18 : 접촉부 20 : 절개부18: contact portion 20: incision

22 : 팁부 30, 32 : 패드22: tip portion 30, 32: pad

51 : 제 1 지그 52 : 제 2 지그51: The First Jig 52: The Second Jig

53 : 제 3 지그 60 : 레이저 광원부53: third jig 60: laser light source

본 발명은 반도체소자와 같은 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브장치에 이용되는 프로브카드의 프로브에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 시편 중앙에 물리적 충격을 가하여 그 내부에 중앙홀을 형성시키며 길이를 신장시킨 후 신장된 원판의 단부를 레이저빔을 이용하여 가공함으로써 제조되는 중공형 프로브의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a probe of a probe card used in a probe device for inspecting the electrical characteristics of an object under test, such as a semiconductor device, and more particularly, to form a central hole therein by applying a physical impact to the center of the specimen. The present invention relates to a method for manufacturing a hollow probe produced by processing an end portion of a stretched disc using a laser beam after stretching.

통상, 반도체 소자의 제조에 있어서는 반도체 웨이퍼 상에 정밀사진식각기술 등을 이용하여 다수의 반도체 소자가 형성되고, 이후 각 소자마다 절단된다.Generally, in the manufacture of semiconductor devices, a plurality of semiconductor devices are formed on a semiconductor wafer using a precision photolithography technique or the like, and are then cut for each device.

이와 같은 반도체 소자 제조공정에서는 종래부터 프로브장치를 이용하여 반완성품인 반도체소자의 전기적 특서의 측정을 반도체 웨이퍼의 상태로 실시하고, 이 테스트 결과 양품이라고 판정된 것만을 패키징(Packaging) 등의 후공정에 보냄으로서 생산성의 향상을 도모하고 있다.In such a semiconductor device manufacturing process, conventionally, a probe device is used to measure the electrical characteristics of a semi-finished semiconductor device in the state of a semiconductor wafer, and only after the test results are determined to be good, it is a post-process such as packaging. The productivity is improved by sending to the.

이러한 테스트는, 반도체 웨이퍼의 전극패드에 프로브 팁을 접촉시키고, 이 프로브팁을 통하여 테스터에 의해 전기적 특서의 측정을 실시하는 것이다. In such a test, a probe tip is brought into contact with an electrode pad of a semiconductor wafer, and electrical test is measured by a tester through the probe tip.

근래, 반도체 소자가 점점 미세화하여 회로의 집적도가 높아지고 있으며 전극패드의 사이즈가 미세화되고, 그 전극패드의 간격도 매우 좁아져오고 있다.In recent years, semiconductor devices are becoming more and more minute, and the degree of integration of circuits is increasing, the size of electrode pads is miniaturized, and the intervals between the electrode pads are also very narrow.

따라서, 프르브카드의 한정된 공간에 수백개의 프로브팁을 필요로하게 되고 동시에 프로브팁을 전극패드의 중심부에 정확하면서 안정적으로 접촉되도록 하는 기술을 필요로 하고 있다. Therefore, there is a need for hundreds of probe tips in a limited space of the probe card, and at the same time, there is a need for a technique for accurately and stably contacting the probe tips with the center of the electrode pad.

이와 같은 종래의 프로브카드에 사용되어 왔던 프로브팁은 봉형태의 프로브팁의 끝 부위를 구부려 가늘게 가공하고 반도체 웨이퍼의 전극패드와 접촉되는 접촉단부를 샌딩가공으로 평평하게 연마하여 형성된 니들타입이 사용되어 왔다.The probe tip, which has been used in such a conventional probe card, is formed by bending a tip portion of a rod-shaped probe tip to be thinly processed, and a needle type formed by flattening the contact end contacting the electrode pad of the semiconductor wafer by sanding. come.

그러나, 이와 같은 니들타입의 프로브 팁은 전극패드와의 접촉불량, 배열의 제한 등의 문제점을 나타냄으로써 본 출원인은 한국 특허 제 267835 호에 게시된 바와 같이 인쇄회로기판에 수직적으로 고정되는 중공형 프로브팁을 제안하였다.However, such a needle type probe tip exhibits problems such as poor contact with electrode pads and limitations in arrangement. Therefore, the applicant has a hollow probe fixed vertically to a printed circuit board as disclosed in Korean Patent No. 267835. Suggested a tip.

본 발명의 목적은, 전극패드에 접촉되는 프로브팁이 전극패드에 대해 수직되면서 자체탄성을 갖게 하여 전극패드와 접촉시에 프로브팁의 슬립을 제거하면서 접촉압력에 의해 반복되는 전극패드와의 접촉성을 향상시켜 검사효율을 크게 향상시키고, 프로브팁이 수직으로 배열되어 고집적화된 반도체 웨이퍼에 대응할 수 있도록 하는 중공형 프로브 팁의 제조방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is that the probe tip in contact with the electrode pad is perpendicular to the electrode pad and has self-elasticity, thereby eliminating the slip of the probe tip when the electrode pad contacts the electrode pad, and thus contacting with the electrode pad repeated by the contact pressure. It is to provide a method of manufacturing a hollow probe tip to greatly improve the inspection efficiency by improving the, and the probe tips are arranged vertically to correspond to the highly integrated semiconductor wafer.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는, 소정의 연신률을 지닌 도전성 금속재질의 원기둥형상의 시편을 준비하는 단계, 상기 시편을 테이퍼진 제 1 관통홀이 형성된 제 1 지그에 고정하고, 그 상면을 가압하여 상기 시편을 상기 관통홀에 통과시켜 신장시키는 제 1 단계, 상기 신장된 시편을 상기 제 1 관통홀보다 작도록 테이퍼진 제 2 관통홀이 형성된 제 2 지그에 고정하고, 그 상면 중심부를 가압하여 상기 시편을 상기 제 2 관통홀에 통과시켜 신장시킴과 동시에 상기 시편의 중심부에 중앙홀을 형성하는 제 2 단계, 상기 시편을 회전시키면서 상기 시편의 하단에 레이저빔(Laser beam)을 가하여 상기 중앙홀이 외부에 개방되도록 상기 본체부 하단부를 절개함으로써 팁(Tip)을 제조하는 제 3 단계를 포함하는 중공형 프로브의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, in the present invention, the step of preparing a cylindrical specimen of a conductive metal material having a predetermined elongation, the specimen is fixed to the first jig in which the tapered first through-hole is formed, the upper surface A first step of pressurizing and passing the specimen through the through-hole to fix the stretched specimen to a second jig in which a second tapered through-hole is formed to be smaller than the first through-hole, The second step of extending the specimen through the second through hole and forming a central hole at the center of the specimen, while applying a laser beam to the bottom of the specimen while rotating the specimen; It provides a method of manufacturing a hollow probe comprising a third step of manufacturing a tip (tip) by cutting the lower end of the body portion so that the hole is opened to the outside.

또한, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는, 소정의 연신률을 지닌 도전성 금속재질의 원기둥형상의 시편을 준비하는 단계, 상기 시편을 테이퍼진 제 1 관통홀이 형성된 제 1 지그에 고정하고, 그 상면을 가압하여 상기 시편을 상기 제 1 관통홀에 통과시켜 신장시키는 제 1 단계, 상기 신장된 시편을 상기 제 1 관통홀보다 작도록 테이퍼진 제 2 관통홀이 형성된 제 2 지그에 고정하고, 그 상면을 가압하여 상기 시편을 상기 제 2 관통홀에 통과시켜 신장시키는 제 2 단계, 상기 신장된 시편의 중심축 방향으로 레이저빔을 가하여 중앙홀을 형성하는 제 3 단계, 상기 시편을 회전시키면서 상기 시편의 하단에 레이저빔(Laser beam)을 가하여 상기 중앙홀이 외부에 개방되도록 상기 본체부 하단부를 절개함으로써 팁(Tip)을 제조하는 제 4 단계를 포함하는 중공형 프로브의 제조방법을 제공한다.In addition, in order to achieve the above object, in the present invention, preparing a cylindrical specimen of a conductive metal material having a predetermined elongation, the specimen is fixed to a first jig with a tapered first through hole, the upper surface A first step of pressing the test piece through the first through hole and extending the test piece; fixing the extended test piece to a second jig in which a second tapered through hole is formed to be smaller than the first through hole, and having an upper surface thereof. A second step of pressurizing the specimen to pass through the second through-hole to extend the third step; forming a central hole by applying a laser beam in the direction of the central axis of the elongated specimen, and rotating the specimen to Hollow type comprising a fourth step of manufacturing a tip by applying a laser beam to the bottom to cut the lower end of the main body portion so that the central hole is open to the outside It provides a method for producing a probe.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한 다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1a 내지 도 1e 는 본 발명의 일 실시예에 따른 중공형 프로브의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.1A to 1E are views for explaining a method of manufacturing a hollow probe according to an embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 중공형 프로브 팁의 제조방법은, 도 1a 에 도시된 바와 같이 먼저 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au) 등과 같이 연신률이 좋은 금속재질로 이루어지는 시편(10)을 준비한다. 이때, 상기 시편(10)은 원기둥형상으로 이루어진다.In the method of manufacturing the hollow probe tip according to the present invention, as shown in FIG. 1A, first, a specimen 10 made of a metal material having good elongation such as copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), or the like is prepared. do. At this time, the specimen 10 is made of a cylindrical shape.

다음 단계로서, 도 1b 에 도시된 바와 같이, 상기 시편(10)을 제 1 지그(51)에 고정한 후, 상기 시편(10) 상단부에 제 1 가압봉(12)을 이용하여 압력을 가함으로써 제1 지그(51)의 관통홀(51h)을 통과시킨다. 이때, 상기 제 1 가압봉(12)의 단부는 공업용 다이아몬드가 성형된 것으로 사용한다. 또한, 상기 지그(51)는 세라믹 재질로 이루어지도록 한다. 상기 제 1 가압봉(12)의 가압에 의하여 소정 연성 재질의 시편(10)의 상단 중앙부에는 소정직경의 중앙홀(11)이 형성되며, 관통홀(51h)을 통과하면서 시편(10)의 길이가 신장된다.As a next step, as shown in FIG. 1B, the specimen 10 is fixed to the first jig 51, and then the pressure is applied to the upper end of the specimen 10 using a first pressurizing rod 12. 1 Passes through hole 51h of jig 51. At this time, the end of the first pressure rod 12 is used as the industrial diamond is molded. In addition, the jig 51 is made of a ceramic material. A central hole 11 of a predetermined diameter is formed in the upper center portion of the specimen 10 of a predetermined soft material by the pressure of the first pressing rod 12, and the length of the specimen 10 while passing through the through hole 51h. Is elongated.

이어서, 도 1c 에 도시된 바와 같이, 상기 단계를 거쳐 길이가 신장된 시편(10)을 상기 제 1 지그(51)의 경우에 비하여 작은 관통홀(52h)을 갖는 제 2 지그(52)에 고정한 후, 상기 시편(10) 상단부에 제 2 가압봉(14)을 이용하여 압력을 가함으로써 제 2 지그(52)의 관통홀(52h)을 통과시킨다. 여기서, 상기 관통홀(52h)은 제 1 지그(51)의 관통홀(51h)보다 직경이 작고 테이퍼진 것을 사용한다. 또한, 상기 제 2 가압봉(14)은 상기 제 1 가압봉(12)보다 직경이 작은 것을 사용한다. Subsequently, as shown in FIG. 1C, the specimen 10 having the length extended through the above steps is fixed to the second jig 52 having a smaller through hole 52h than the first jig 51. Thereafter, a pressure is applied to the upper end of the test piece 10 by using the second pressing rod 14 to pass the through hole 52h of the second jig 52. Here, the through hole 52h uses a taper having a diameter smaller than that of the through hole 51h of the first jig 51. In addition, the second pressing rod 14 uses a smaller diameter than the first pressing rod 12.

다음은, 도 1d1 에 도시된 바와 같이, 상기 두 단계를 거쳐 길이가 더욱 신 장된 시편(10)을 상기 제 2 지그(52)의 경우에 비하여 더 작은 관통홀(53h)을 갖는 제 3 지그(53)에 고정한 후, 상기 시편(10) 상단부에 제 3 가압봉(15)을 이용하여 압력을 가함으로써 가늘게 길이를 신장시킴과 동시에 그 중심부에는 중앙홀(11)이 형성되도록 하여 중공형 시편을 제작한다. 여기서, 상기 관통홀(53h)은 제 2 지그(52)의 관통홀(52h)보다 직경이 작고 테이퍼진 것을 사용한다. 상기 관통홀(53h) 출구의 직경은 최종적으로 본 발명에 의한 중공형 프로브의 직경에 해당하도록 한다. 또한, 상기 제 3 가압봉(15)은 상기 관통홀(53h) 직경의 1/2 정도인 것이 적당하다.Next, as illustrated in FIG. 1D1, the third jig 10 having a smaller through hole 53h than the case of the second jig 52 may be obtained. 53), and by applying pressure to the upper end of the specimen 10 by using the third pressure bar 15, the length of the thinner is elongated and the central hole 11 is formed in the center thereof. To make. Here, the through hole 53h is smaller in diameter and tapered than the through hole 52h of the second jig 52. The diameter of the outlet of the through hole 53h finally corresponds to the diameter of the hollow probe according to the present invention. In addition, the third pressure bar 15 is preferably about 1/2 of the diameter of the through hole 53h.

한편, 여기서, 상기 제 3 가압봉(15)을 사용하여 중공형 시편을 제작하는 대신, 도 1d2 에 도시된 바와 같이, 상기 제 3 지그(53)의 관통홀(53h)보다 직경이 큰 별도의 가압봉(도면 미도시)을 사용하여 상기 시편(10)에 압력을 가하여 가늘게 길이를 신장시킨 후, 상기 최종적으로 신장된 시편(10)의 수직 상방향으로 설치된 레이저 광원부(60)로부터 상기 시편(10) 중심 축방향으로 레이저를 발사하여 중앙홀(11)을 형성하여 중공형 시편을 제작할 수도 있다.Meanwhile, instead of manufacturing the hollow specimen using the third pressurizing rod 15, as shown in FIG. 1D2, a separate diameter larger than the through hole 53h of the third jig 53 is provided. After pressing the specimen 10 by using a pressure bar (not shown) to extend the length thereof, the specimen (from the laser light source unit 60 installed in the vertical upward direction of the finally extended specimen 10) 10) A hollow specimen may be manufactured by forming a central hole 11 by firing a laser in a central axial direction.

한편, 본 실시예에서는 시편(10)에 가압봉을 이용하였으나 가압봉 이외의 다른 물리적 수단을 사용할 수 있음은 당연하다 할 것이다.On the other hand, in the present embodiment, but the pressure rod is used for the specimen 10, it will be obvious that other physical means other than the pressure rod can be used.

또한, 가압 방법으로는 반복적으로 물리적 충격을 가하는 방법을 사용할 수도 있다.In addition, as a pressurization method, the method of applying a physical shock repeatedly can also be used.

또한, 상기 시편(10)이 각 관통홀(51h,52h,53h)을 통과하는 것이 용이하게 이루어지도록 하고 마찰열의 발생을 최소화하도록 윤활유를 사용할 수도 있다.In addition, lubricating oil may be used to facilitate the passage of the specimen 10 through each of the through holes 51h, 52h, and 53h and to minimize the generation of frictional heat.

다음 단계로서, 니켈-코발트, 텅스텐, 니켈크롬 등의 강성재질로 오버코팅한다.As a next step, it is overcoated with a rigid material such as nickel-cobalt, tungsten or nickel chromium.

마지막 단계로서, 도 1e 에 도시된 바와 같이, 도 1d1 또는 도 1d2 에 도시된 과정을 거쳐 제작된 중공형 시편을 레이저 가공 테이블상에 위치시켜, 레이저를 이용하여 상단부를 절단하고, 상기 중공형 시편을 회전시키면서 하단부에 레이저빔을 가해 절개함으로써 팁부를 형성한다. 이 때, 도 2a 및 도 2b 에 도시된 바와 같이, 팁부(22)는 본체부(16)의 하단에 레이저빔을 가함으로써 중앙홀(11)이 외부로 개방되며, 상기 팁부(22)는 내부로 함몰된 절개부(20) 및 절개부(20)의 함몰에 의해서 외부로 돌출된 접촉부(18)를 구비하여 이루어진다.As a final step, as shown in Figure 1e, a hollow specimen prepared through the process shown in Figure 1d1 or 1d2 is placed on a laser processing table, the upper end portion is cut using a laser, the hollow specimen While rotating, a tip is formed by applying a laser beam to the lower end and cutting it. In this case, as shown in FIGS. 2A and 2B, the tip portion 22 opens the center hole 11 to the outside by applying a laser beam to the lower end of the main body portion 16, and the tip portion 22 is inside. And a contact portion 18 protruding to the outside by the recess 20 and the recess 20 of the recess 20.

그리고, 상기 접촉부(18)의 형상은 사각형, 삼각형 및 사다리꼴 형상 등과 같이 검사대상체의 패드와 용이하게 접촉할 수 있는 형상으로 선택적으로 형성할 수 있다.In addition, the contact portion 18 may be selectively formed in a shape that can easily contact the pad of the inspection object, such as a quadrangle, a triangle, and a trapezoidal shape.

또한, 상기 레이저 광원부(60)는 정밀 가공이 가능한 펨토 세컨드 레이저(Femto second laser) 장치를 사용할 수 있으며, 상기 펨토 세컨 레이저 장치에서 발생되는 레이저빔은 10-14 내지 10-16SEC의 펄스(pulse), 바람직하게는 10 -15SEC의 펄스(pulse)를 가진다. 상기 중공평 시편의 가공에 펨토 세컨드 레이저를 사용하는 것은, 일반적인 다른 가공과 달리 매질을 녹이는 것이 아니고, 매질의 화학적 결합을 끊어내어 날려버리기 때문에 일반적인 가공에서 나타나는 열에 의한 매질의 변형이 발생하지 않는다는 장점이 있기 때문이다. 또한, 펨토 세컨드 레이 저에 의하면, 펄스 폭이 극도로 짧은 반면, 첨두출력은 아주 높기 때문에 매우 높은 광세기는 물론 물질 내에 다광자 흡수가 가능하게 하여 가공의 정밀성을 높일 수 있다.In addition, the laser light source unit 60 may use a femto second laser (Femto second laser) device capable of precision processing, the laser beam generated in the femto second laser device is a pulse of 10 -14 to 10 -16 SEC ), Preferably with a pulse of 10-15 sec. The use of a femtosecond laser in the processing of the hollow flat specimen does not dissolve the medium, unlike other general processing, but because it breaks away the chemical bonds of the medium and blows it away. Because of this. In addition, according to the femtosecond laser, the pulse width is extremely short, while the peak power is very high, so that it is possible to absorb a very high light intensity and multiphoton in the material, thereby increasing the precision of processing.

본 발명의 일실시예에 의해 제작된 중공형 프로브는, 도 2a에 도시된 바와 같이 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au) 등과 같이 연신률이 좋은 도전성 금속재질의 시편(10) 내부 중앙에 압력을 가함으로써 중앙홀(11)이 구비된 기둥형상의 본체부(16)를 구비한다. 이때, 상기 본체부(16)는 원통형상으로 이루어질 수 있다.As shown in FIG. 2A, the hollow probe manufactured according to the embodiment of the present invention has a good elongation rate such as copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), and the like. By applying pressure to the center, the pillar-shaped main body portion 16 provided with the central hole 11 is provided. At this time, the main body 16 may be formed in a cylindrical shape.

그리고, 상기 본체부(16)를 회전시키며 본체부(16)의 하단에 레이저빔(Laser beam)을 가하여 중앙홀(11)이 외부로 개방되도록 본체부(16) 하단부를 소정형상으로 절개함으로써 절개부(20) 및 접촉부(18)를 구비한 팁부(22)를 구비한다.Then, the main body 16 is rotated and a laser beam is applied to the lower end of the main body 16 to cut the lower end of the main body 16 in a predetermined shape so that the central hole 11 is opened to the outside. A tip portion 22 having a portion 20 and a contact portion 18 is provided.

이때, 상기 접촉부(18)는 도 2a 에 도시된 바와 같은 사각형 형상, 도 3a 에 도시된 바와 같은 삼각형 형상, 도 3b 에 도시된 바와 같은 사다리꼴 형상 등과 같이 다양한 형상으로 변형이 가능하다.In this case, the contact portion 18 may be modified into various shapes such as a quadrangle shape as shown in FIG. 2A, a triangular shape as shown in FIG. 3A, and a trapezoidal shape as shown in FIG. 3B.

도 4a 는 본 발명의 일 실시예에 의해 제조된 중공형 프로브가 평탄한 전극패드와 접촉한 상태를 설명하기 위한 단면도이고, 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 의해 제조된 중공형 프로브가 볼타입의 전극패드와 접촉한 상태를 설명하기 위한 단면도이다.4A is a cross-sectional view illustrating a state in which the hollow probe manufactured by an embodiment of the present invention contacts a flat electrode pad, and FIG. 4B is a ball type hollow probe manufactured by an embodiment of the present invention. It is sectional drawing for demonstrating the state which contacted the electrode pad.

본 발명에 의해 제조된 중공형 프로브는, 도 4a 의 평탄한 전극패드(30) 또는 도 4b 의 볼타입의 전극패드(32) 표면에 수직방향으로 하강 접촉하게 된다.The hollow probe manufactured by the present invention is in downward contact with the surface of the flat electrode pad 30 of FIG. 4A or the ball type electrode pad 32 of FIG. 4B.

이때, 상기 중공형 프로브는 전극패드(30, 32)를 가압함에 따라 프로브의 팁부(22)의 접촉부(18)는 외부로 팽창되어 벌려지며 전극패드(30, 32)를 감싸안는 형상으로 소정길이 미끄러지며 전극패드(30, 32)와 접촉하게 된다.In this case, as the hollow probe presses the electrode pads 30 and 32, the contact portion 18 of the tip portion 22 of the probe is expanded and opened to the outside, and has a predetermined length in a shape surrounding the electrode pads 30 and 32. It slides and comes in contact with the electrode pads 30 and 32.

그리고, 프로브가 상부로 상승하게 되면, 상기 프로브의 접촉부(18)는 자체 탄성력에 의해서 다시 원래의 위치로 복원된다.When the probe is raised upward, the contact portion 18 of the probe is restored to its original position by its elastic force.

본 발명에 의해 제조되는 중공형 프로브는, 표면이 볼형상으로 이루어지는 볼타입의 전극패드에 대한 대응성이 뛰어난 효과가 있다. The hollow probe produced by the present invention has an effect excellent in correspondence with a ball type electrode pad having a ball shape on its surface.

그리고, 수직형이므로 프로브카드의 인쇄회로기판에 고밀도로 배치 설치가 가능할 뿐만 아니라 고밀도 배치 설치에 의해서 고집적화된 전자소자의 작은 크기의 전극패드에 대응이 용이한 효과가 있다. In addition, since the vertical type, not only can be installed in a high density on the printed circuit board of the probe card, it is also easy to cope with the small size electrode pad of the electronic device which is highly integrated by the high density arrangement.

또한, 고집적화된 전자소자의 패드와 패드 사이의 짧은 피치 간격에도 대응이 용이한 효과가 있다. In addition, there is an effect that can be easily responded to a short pitch interval between the pad and the pad of the highly integrated electronic device.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서 한정하여 설명하였지만, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다. Although the present invention has been described in detail with respect to the embodiments described, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical spirit of the present invention, and such modifications and modifications belong to the appended claims. will be.

Claims (10)

소정의 연신률을 지닌 도전성 금속재질의 원기둥형상의 시편을 준비하는 단계,Preparing a cylindrical specimen of a conductive metal material having a predetermined elongation; 상기 시편을 테이퍼진 제 1 관통홀이 형성된 제 1 지그에 고정하고, 그 상면을 가압하여 상기 시편을 상기 관통홀에 통과시켜 신장시키는 제 1 단계,A first step of fixing the specimen to a first jig in which the first tapered through hole is formed, and pressing the upper surface of the specimen to pass the specimen through the through hole to extend the specimen; 상기 신장된 시편을 상기 제 1 관통홀보다 작도록 테이퍼진 제 2 관통홀이 형성된 제 2 지그에 고정하고, 그 상면 중심부를 가압하여 상기 시편을 상기 제 2 관통홀에 통과시켜 신장시킴과 동시에 상기 시편의 중심부에 중앙홀을 형성하는 제 2 단계,The elongated specimen is fixed to a second jig having a second tapered through hole formed to be smaller than the first through hole, and presses a central portion of the upper surface to pass the specimen through the second through hole to extend the same. A second step of forming a central hole in the center of the specimen, 상기 시편을 회전시키면서 상기 시편의 하단에 레이저빔(Laser beam)을 가하여 상기 중앙홀이 외부에 개방되도록 상기 본체부 하단부를 절개함으로써 팁(Tip)을 제조하는 제 3 단계를 포함하는 중공형 프로브의 제조방법.A third step of manufacturing a tip by applying a laser beam to a lower end of the test piece while rotating the test piece, thereby cutting the lower end of the main body to open the center hole to the outside. Manufacturing method. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 단계와 제 2 단계 사이에 개재하는 단계로서, 상기 제 1 단계를 통해 신장된 시편을 상기 제 1 관통홀보다 작고 상기 제 2 관통홀보다 크도록 테이퍼진 관통홀이 형성된 지그에 고정하고, 그 상면 중심부를 가압하여 상기 시편을 상기 관통홀에 통과시켜 신장시키는 단계를 1회 이상 더 포함하는 것을 특징으로 하는 중공형 프로브 제조방법.Interposed between the first step and the second step, the specimen extending through the first step is fixed to the jig in which the tapered through hole is formed to be smaller than the first through hole and larger than the second through hole, And pressing the central portion of the upper surface to pass the specimen through the through-hole to extend the hollow probe at least once. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 시편은,According to claim 1 or 2, wherein the specimen, 구리, 알루미늄, 금 중 어느 하나의 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 중공형 프로브 제조방법.Hollow probe manufacturing method comprising a material of any one of copper, aluminum, gold. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제 2 단계와 제 3 단계 사이에 개재하는 단계로서, 상기 시편을 강성재질로 오버코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 중공형 프로브 제조방법.An intervening step between the second and third steps, the method further comprising overcoating the specimen with a rigid material. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 레이저빔으로 펨토 세컨드 레이저(Femto second laser)를 사용하는 것을 특징으로 하는 중공형 프로브의 제조방법.A method of manufacturing a hollow probe, characterized in that using a femto second laser (Femto second laser) as the laser beam. 소정의 연신률을 지닌 도전성 금속재질의 원기둥형상의 시편을 준비하는 단계,Preparing a cylindrical specimen of a conductive metal material having a predetermined elongation; 상기 시편을 테이퍼진 제 1 관통홀이 형성된 제 1 지그에 고정하고, 그 상면을 가압하여 상기 시편을 상기 제 1 관통홀에 통과시켜 신장시키는 제 1 단계,A first step of fixing the specimen to a first jig having a tapered first through hole, pressing the upper surface of the specimen to pass the specimen through the first through hole, and extending the specimen; 상기 신장된 시편을 상기 제 1 관통홀보다 작도록 테이퍼진 제 2 관통홀이 형성된 제 2 지그에 고정하고, 그 상면을 가압하여 상기 시편을 상기 제 2 관통홀에 통과시켜 신장시키는 제 2 단계,A second step of fixing the stretched specimen to a second jig having a second tapered through hole formed to be smaller than the first through hole, pressing the upper surface to pass the specimen through the second through hole, and extending the specimen; 상기 신장된 시편의 중심축 방향으로 레이저빔을 가하여 중앙홀을 형성하는 제 3 단계,A third step of forming a central hole by applying a laser beam in a direction of the central axis of the stretched specimen, 상기 시편을 회전시키면서 상기 시편의 하단에 레이저빔(Laser beam)을 가하여 상기 중앙홀이 외부에 개방되도록 상기 본체부 하단부를 절개함으로써 팁(Tip)을 제조하는 제 4 단계를 포함하는 중공형 프로브의 제조방법.A fourth step of manufacturing a tip by applying a laser beam to a lower end of the specimen while cutting the lower part of the body to open the center hole to the outside while rotating the specimen. Manufacturing method. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제 1 단계와 제 2 단계 사이에 개재하는 단계로서, 상기 제 1 단계를 통해 신장된 시편을 상기 제 1 관통홀보다 작고 상기 제 2 관통홀보다 크도록 테이퍼진 관통홀이 형성된 지그에 고정하고, 그 상면 중심부를 가압하여 상기 시편을 상기 관통홀에 통과시켜 신장시키는 단계를 1회 이상 더 포함하는 것을 특징으로 하는 중공형 프로브 제조방법.Interposed between the first step and the second step, the specimen extending through the first step is fixed to the jig in which the tapered through hole is formed to be smaller than the first through hole and larger than the second through hole, And pressing the central portion of the upper surface to pass the specimen through the through-hole to extend the hollow probe at least once. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 시편은,The method of claim 6 or 7, wherein the specimen, 구리, 알루미늄, 금 중 어느 하나의 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 중공형 프로브 제조방법.Hollow probe manufacturing method comprising a material of any one of copper, aluminum, gold. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,The method according to claim 6 or 7, 상기 제 2 단계와 제 3 단계 사이에 개재하는 단계로서, 상기 시편을 강성재질로 오버코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 중공형 프로브 제조방법.An intervening step between the second and third steps, the method further comprising overcoating the specimen with a rigid material. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 레이저빔으로 펨토 세컨드 레이저(Femto second laser)를 사용하는 것을 특징으로 하는 중공형 프로브의 제조방법.A method of manufacturing a hollow probe, characterized in that using a femto second laser (Femto second laser) as the laser beam.
KR1020040036378A 2003-07-21 2004-05-21 Manufacturing method of probe having center hole KR100594695B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20030049814 2003-07-21
KR1020030049814 2003-07-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050011673A KR20050011673A (en) 2005-01-29
KR100594695B1 true KR100594695B1 (en) 2006-06-30

Family

ID=37223691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040036378A KR100594695B1 (en) 2003-07-21 2004-05-21 Manufacturing method of probe having center hole

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100594695B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013168921A1 (en) * 2012-05-10 2013-11-14 퀄맥스시험기술 주식회사 Method for manufacturing lower contact terminal of probe pin

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100873062B1 (en) * 2007-05-21 2008-12-11 (주)리뉴젠 Structure of probe pin for testing semiconductor chip

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013168921A1 (en) * 2012-05-10 2013-11-14 퀄맥스시험기술 주식회사 Method for manufacturing lower contact terminal of probe pin

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050011673A (en) 2005-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20170307656A1 (en) Manufacturing method of contact probes for a testing head
JP3090477B2 (en) Probe card having vertical needle and method for manufacturing probe card
KR100690235B1 (en) Chemically etched photo-defined micro-electrical contact
US5521519A (en) Spring probe with piloted and headed contact and method of tip formation
US20170122980A1 (en) Contact probe for a testing head and corresponding manufacturing method
CN100406898C (en) Probe array and method of its manufacture
US20170122983A1 (en) Testing head comprising vertical probes
US11442080B2 (en) Contact probe and relative probe head of an apparatus for testing electronic devices
JP2007509352A (en) Method for forming photo-defined micro electrical contacts
KR101141836B1 (en) Contact Force Relax Formed Micro Vertical Probe
KR100594695B1 (en) Manufacturing method of probe having center hole
KR940027116A (en) Burn-in socket and burn-in test method using it
JP3600584B2 (en) Tee probe and probe card using the tee probe
KR100446551B1 (en) Volcano type probe, its manufacturing method and probe card having it
US20030151419A1 (en) Contact probe for a testing head
KR100430621B1 (en) Probe of apparatus for testing semiconductor
KR20110018193A (en) Needle structure for probe card
KR100873062B1 (en) Structure of probe pin for testing semiconductor chip
JPH1174322A (en) Wafer prober
JP7439338B1 (en) Probes, probe cards, and probe manufacturing methods
KR100555612B1 (en) Board cutting type probe and method thereby
CN101111772A (en) Method of shaping lithographically-produced probe elements
KR20240153361A (en) Probes, probe cards and methods of manufacturing probes
US6937036B1 (en) Interface device an interface between testing equipment and an integrated circuit
JP2007225288A (en) Plunger for contact probe pin, and manufacturing method therefor

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120405

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee