KR100587393B1 - 인라인상 마이크로 렌즈의 곡률 모니터링 방법 - Google Patents
인라인상 마이크로 렌즈의 곡률 모니터링 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100587393B1 KR100587393B1 KR1020040116518A KR20040116518A KR100587393B1 KR 100587393 B1 KR100587393 B1 KR 100587393B1 KR 1020040116518 A KR1020040116518 A KR 1020040116518A KR 20040116518 A KR20040116518 A KR 20040116518A KR 100587393 B1 KR100587393 B1 KR 100587393B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- microlens
- curvature
- micro lens
- circle
- scope
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 3
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 옵틱 스코프(optic scope) 상에서 포커스(focus)의 변화에 따른 마이크로 렌즈의 탑뷰(top view) 이미지의 원 크기를 측정하여 인라인 상에서 마이크로 렌즈의 곡률을 계산할 수 있는 인라인상 마이크로 렌즈의 곡률을 모니터링하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 인라인상 마이크로 렌즈의 곡률 모니터링 방법은 스코프로 마이크로 렌즈에 포커싱(focusing)하는 제1단계; 상기 마이크로 렌즈의 포커싱의 심도를 변화시키는 제2단계; 상기 마이크로 렌즈의 모양이 변하면서 생기는 원의 직경을 측정하는 제3단계; 및 상기 측정된 원의 직경으로 곡률을 계산하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
인라인, 마이크로 렌즈, 곡률, 모니터링
Description
도 1은 종래의 이미지 센서의 제조공정을 나타내는 도면.
도 2는 종래의 CD-SEM으로 마이크로 렌즈 간의 스페이스를 측정하는 공정을 나타내는 도면.
도 3은 종래의 양산 기판을 리젝(reject)하여 마이크로 렌즈의 곡률을 확인하는 방법을 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 스코프의 포커스를 마이크로 렌즈의 가장 위 부분에 맞추었을 때의 이미지를 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 스코프의 포커스를 마이크로 렌즈의 가장 위 부분에 맞추었을 때의 탑뷰(top view)상 이미지를 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 스코프의 포커스를 마이크로 렌즈의 중앙 부분에 맞추었을 때의 이미지를 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 스코프의 포커스를 마이크로 렌즈 중앙 부분에 맞추었을 때의 탑뷰상 이미지를 나타내는 도면.
도 8은 본 발명의 스코프의 포커스를 마이크로 렌즈의 아래 부분에 맞추었을 때의 이미지를 나타내는 도면.
도 9는 본 발명의 스코프의 포커스를 마이크로 렌즈 아래 부분에 맞추었을 때의 탑뷰상 이미지를 나타내는 도면.
도 10은 본 발명의 실제 기판 상에서 마이크로 렌즈의 상부에 포커스를 맞추었을 때의 탑뷰상 이미지를 나타내는 도면.
도 11은 본 발명의 도 4 내지 도 9를 이용하여 3차원 마이크로 렌즈의 이미지를 나타내는 도면.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
102 : 컬러필터 어레이 103 : 평탄층
104 : 마이크로 렌즈
본 발명은 인라인상 마이크로 렌즈의 곡률 모니터링 방법에 관한 것으로, 특히 옵틱 스코프(optic scope) 상에서 포커스(focus)의 변화에 따른 마이크로 렌즈의 탑뷰(top view) 이미지의 원 크기를 측정하여 인라인 상에서 마이크로 렌즈의 곡률을 계산할 수 있는 인라인상 마이크로 렌즈의 곡률을 모니터링하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서는 크게 두 부분으로 구분된다. 이는 빛을 감지할 수 있는 광감지 부분과 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하는 로직회로 부분으로 구분된다. 이미지 센서에서 광감도 를 높이기 위해서는 전체 이미지 센서 소자에서 광감지 부분의 면적이 차지하는 비율이 커져야 하나, 면적이 제한되어 있기 때문에 한계가 있다. 이로 인하여 이미지 센서의 광감도를 높여 주기 위해서는 광감지 이외의 부분으로 입사되는 빛을 광감지 부분으로 입사시켜 광감도를 높여야 한다. 이를 위하여 개발된 것이 칼라필터 어레이 상단부에 마이크로 렌즈를 형성시켜 사용하는 것이다.
CMOS 이미지 센서의 제조공정 중에서 마지막 공정에 속하는 칼라필터 어레이(color filter array) 공정 및 마이크로 렌즈 공정은 CMOS 이미지 센서의 색 특성에 가장 직접적으로 연관되는 공정이다. 특히, 마이크로 렌즈의 곡률은 이미지 센서의 공정 인자 중에서 가장 중요하게 관리해야 하는 항목이다. 그러나, 현 시스템에서는 마이크로 렌즈의 곡률을 모니터링 하기 위해서는 공정이 완료된 기판을 리젝(reject)하여 단면 SEM 이미지를 통해서만 확인할 수 있다. 이 경우에 모니터링한 기판은 제품으로써의 가치가 없어지기 때문에 회사로써는 상당한 손실이 되는 문제점이 있다.
도 1은 종래의 이미지 센서의 제조공정을 나타내는 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이 종래의 이미지 센서의 제조공정은 소정공정이 완료된 기판(101)에 컬러필터 어레이(102) 공정을 진행하게 되는데, 컬러필터 어레이(102)는 레드(red), 그린(green) 및 블루(blue) 등으로 형성된다. 이 후, 완료된 결과물 상에 포토레지스트를 사용하여 평탄층(103)을 형성하고, 그 위에 마이크로 렌즈(104)를 형성시킨다.
도 2는 종래의 CD-SEM으로 마이크로 렌즈 간의 스페이스를 측정하는 공정을 나타내는 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이 공정 인라인 상에서는 CD-SEM으로 마이크로 렌즈 간의 스페이스를 측정하여 공정을 관리하나, 이러한 경우에는 마이크로 렌즈의 곡률을 관리할 방법이 없는 단점이 있다.
도 3은 종래의 양산 기판을 리젝하여 마이크로 렌즈의 곡률을 확인하는 방법을 나타내는 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이 마이크로 렌즈의 곡률을 관리하기 위해 일정 주기별로 양산 기판을 리젝하여 단면 SEM을 통하여 마이크로 렌즈의 곡률을 확인한다.
그러나 이와 같은, 종래의 이미지 센서의 제조공정은 이미지 센서의 주요 공정인자인 마이크로 렌즈의 곡률을 실시간 모니터링 할 수 없기 때문에 마이크로 렌즈 공정의 이상 유무를 정확히 파악할 수 없고, 마이크로 렌즈의 곡률을 모니터링하기 위해서는 양산 제품을 리젝해야 하기 때문에 제품에 있어 손실이 발생하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 옵틱 스코프(optic scope) 상에서 포커스(focus)의 변화에 따른 마이크로 렌즈의 탑뷰(top view) 이미지의 원 크기를 측정하여 인라인 상에서 마이크로 렌즈의 곡률을 계산할 수 있는 마이크로 렌즈의 곡률 모니터링 방법을 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 인라인상 마이크로 렌즈의 곡률 모니터링 방법은 스코프로 마이크로 렌즈에 포커싱(focusing)하는 제1단계; 상기 마이크로 렌즈의 포커싱의 심도를 변화시키는 제2단계; 상기 마이크로 렌즈의 모양이 변하면서 생기는 원의 직경을 측정하는 제3단계; 및 상기 측정된 원의 직경으로 곡률을 계산하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하 발명의 바람직한 실시 예에 따른 구성 및 작용을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명의 인라인상 마이크로 렌즈의 곡률 모니터링 방법은 도 4 내지 도 9의 방법을 통하여 구현될 수 있다. 즉, 도 4 내지 도 9에서는 스코프(201)에서 마이크로 렌즈(104)에 포커싱하는 초점의 심도를 변화시킴에 따라 탑뷰(top view) 이미지에서 마이크로 렌즈의 모양이 변하면서 다른 원과 명암(contrast)의 차이가 생기는 원이 보이는데, 본 발명은 상기 원의 직경을 측정하여 실제의 마이크로 렌즈의 곡률을 계산하는 방법이다.
도 4는 본 발명의 스코프의 포커스를 마이크로 렌즈의 가장 윗 부분에 맞추었을 때의 이미지를 나타내는 도면이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 컬러필터 어레이(102) 위에 포토레지스트를 사용한 평탄층(103)이 증착되어 있고, 평탄층(103) 위에 마이크로 렌즈(104)가 증착되어 있다. 컬러필터 어레이(102) 아래부분의 형성과정은 종래기술과 같다.
스코프(201)의 포커스를 마이크로 렌즈(104)의 가장 위 부분에 맞추었을 때, 마이크로 렌즈(104)의 밑바닥으로부터 포커스의 위치(202)까지의 높이는 Z0인데, 이는 마이크로 렌즈(104)의 높이와 같다. 포커스의 위치(202)가 마이크로 렌즈의 곡률을 형성하는 가장 윗 부분인 중앙에 있음을 알 수 있다.
도 5는 본 발명의 스코프의 포커스를 마이크로 렌즈의 가장 위 부분에 맞추었을 때의 탑뷰(top view)상 이미지를 나타내는 도면이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 외부의 큰 원(104)은 마이크로 렌즈이고, 내부의 작은 원(202)은 포커스의 위치이다. 마이크로 렌즈(104)의 가장 윗 부분에 포커스를 맞추었을 때, 원의 탑뷰 상에서 명암의 차이에 의해서 원(202)이 보임을 알 수 있다. 여기서, 원(202)의 직경은 W0이다.
도 6은 본 발명의 스코프의 포커스를 마이크로 렌즈의 중앙 부분에 맞추었을 때의 이미지를 나타내는 도면이다. 도 6에 도시된 바와 같이 컬러필터 어레이(102) 위에 포토레지스트를 사용한 평탄층(103)이 증착되어 있고, 평탄층(103) 위에 마이크로 렌즈(104)가 증착되어 있다. 컬러필터 어레이(102)의 아래부분은 종래기술과 같다. 스코프(201)의 포커스를 마이크로 렌즈(104)의 중앙부분에 맞추었을 때, 마이크로 렌즈(104)의 밑바닥으로부터 포커스의 위치(202)까지의 높이는 Z1이다. 포커스의 위치(203)가 도 4의 경우보다 낮아졌음을 알 수 있다.
도 7은 본 발명의 스코프의 포커스를 마이크로 렌즈 중앙 부분에 맞추었을 때의 탑뷰상 이미지를 나타내는 도면이다. 도 7에 도시된 바와 같이 외부의 큰 원(104)은 마이크로 렌즈이고, 내부의 작은 원(203)은 포커스의 위치이다. 마이크로 렌즈(104)의 중앙 부분에 포커스를 맞추었을 때, 탑뷰 상에서 명암의 차이에 의해서 원(203)이 보임을 알 수 있다. 여기서, 원(203)의 직경은 W1인데 도 5의 원 (202)의 직경보다 크다는 것을 알 수 있다.
도 8은 본 발명의 스코프의 포커스를 마이크로 렌즈의 아래 부분에 맞춘 이미지를 나타내는 도면이다. 도 8에 도시된 바와 같이 컬러필터 어레이(102) 위에 포토레지스트를 사용한 평탄층(103)이 증착되어 있고, 평탄층(103) 위에 마이크로 렌즈(104)가 증착되어 있다. 컬러필터 어레이(102)의 아래부분은 종래기술과 같다. 스코프(201)의 포커스를 마이크로 렌즈(104)의 아래부분에 맞추었을 때, 마이크로 렌즈(104)의 밑바닥으로부터 포커스의 위치(202)까지의 높이는 Z2이다. 포커스의 위치(204)가 도 6의 경우보다 낮아졌음을 알 수 있다.
도 9는 본 발명의 스코프의 포커스를 마이크로 렌즈 아래 부분에 맞추었을 때의 탑뷰상 이미지를 나타내는 도면이다. 도 9에 도시된 바와 같이 외부의 큰 원(104)은 마이크로 렌즈이고, 내부의 작은 원(204)은 포커스의 위치이다. 마이크로 렌즈(104)의 아랫 부분에 포커스를 맞추었을 때, 탑뷰 상에서 명암의 차이에 의해서 보이는 원(204)을 나타내는 도면이다. 여기서, 원(204)의 직경은 W2인데 도 7의 원(203)의 직경보다 크다는 것을 알 수 있다.
도 10은 본 발명의 실제 기판 상에서 마이크로 렌즈의 상부에 포커스를 맞추었을 때의 탑뷰상 이미지를 나타내는 도면이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 명암차에 의해서 보이는 원(205) 이미지를 보이고 있다. 즉, 도 4, 도 6 및 도 8의 마이크로 렌즈의 두께 범위 내에서 스코프의 포커스를 변화시킬 경우에 마이크로 렌즈의 모양에 따른 명암차가 발생하며, 이를 3차원 이미지로 구성하면 마이크로 렌즈의 곡률을 계산할 수 있다.
도 11은 본 발명의 도 4 내지 도 9를 이용하여 3차원 마이크로 렌즈의 이미지를 나타내는 도면이다. 도 11에 도시된 바와 같이 X축, Y축 및 Z축으로 형성된 3차원의 공간을 보이고 있는데, 각각 직경의 크기가 다른 3개의 원(202, 203, 304)을 보이고 있다. Z축의 좌표의 크기가 가장 크고, 반경의 크기가 가장 작은 원(202)이 도 4의 원이고, Z축의 좌표의 크기와 반경의 크기가 모두 중간인 원(203)이 도 6의 원이며, Z축의 좌표의 크기가 가장 작고, 반경의 크기가 가장 큰 원(204)이 도 8의 원이다.
즉, X축과 Y축의 좌표의 크기가 가장 작은 원(202)이 도 4의 원이고, X축과 Y축의 좌표의 크기가 모두 중간인 원(203)이 도 6의 원이며, X축과 Y축의 좌표의 크기가 가장 큰 원(204)이 도 8의 원이다. 여기서, 3개의 원(202, 203, 304)은 Z축의 양의 방향으로 형성되어 Z축을 축으로 하여 중심을 나타내었기 때문에 각각의 X축과 Y축의 좌표는 양의 값 1개와 음의 값 1개씩을 갖는다.
상기와 같이 본 발명에서는 옵틱 스코프(optic scope)상에서 포커스 변화에 따른 마이크로 렌즈의 탑뷰 이미지의 원의 직경을 측정하여 포커스의 변화(Z축 변화량)에 따른 원의 크기를 계산하면 인라인 상에서 마이크로 렌즈의 곡률을 계산할 수 있다. 상기와 같은 방법으로 마이크로 렌즈의 곡률을 인라인상 모니터링하면 마이크로 렌즈의 곡률을 일정하게 할 수 있으며, 이로 인하여 이미지 센서의 칩 신뢰성을 확보할 수 있다.
이상에서 설명한 내용을 통해 본 업에 종사하는 당업자라면 본 발명의 기술사상을 이탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있 을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용만으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의하여 정해져야 한다.
이상의 설명에서와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 인라인상 마이크로 렌즈의 곡률 모니터링 방법은 인라인 상에서 기판을 깨뜨리지 않고 마이크로 렌즈의 모양을 알 수 있고, 이로 인하여 마이크로 렌즈의 곡률을 모니터링 할 수 있어 이미지 센서의 신뢰성 유지에 효과적이며, 양산 기판의 곡률을 확인하기 위한 기판 리젝(reject)을 하지 않아도 되기 때문에 회사의 영업이익을 증대시킬 수 있다.
Claims (4)
- 스코프로 마이크로 렌즈에 포커싱(focusing)하는 제1단계;상기 마이크로 렌즈의 포커싱의 심도를 변화시키는 제2단계;상기 마이크로 렌즈의 모양이 변하면서 생기는 원의 직경을 측정하는 제3단계; 및상기 측정된 원의 직경으로 곡률을 계산하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인라인상 마이크로 렌즈의 곡률 모니터링 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 포커싱의 심도는 두께범위 내에서 변화시키는 것을 특징으로 하는 인라인상 마이크로 렌즈의 곡률 모니터링 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 원은 탑뷰(top view) 이미지에서 보이는 것을 특징으로 하는 인라인상 마이크로 렌즈의 곡률 모니터링 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 원은 다른 원과 명암의 차이가 생기는 것을 특징으로 하는 인라인상 마이크로 렌즈의 곡률 모니터링 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040116518A KR100587393B1 (ko) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | 인라인상 마이크로 렌즈의 곡률 모니터링 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040116518A KR100587393B1 (ko) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | 인라인상 마이크로 렌즈의 곡률 모니터링 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100587393B1 true KR100587393B1 (ko) | 2006-06-08 |
Family
ID=37185235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040116518A KR100587393B1 (ko) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | 인라인상 마이크로 렌즈의 곡률 모니터링 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100587393B1 (ko) |
-
2004
- 2004-12-30 KR KR1020040116518A patent/KR100587393B1/ko not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006189417A (ja) | インライン上でマイクロレンズの曲率をモニタリングする方法 | |
WO2007069499A1 (ja) | レンズ、レンズユニット及びそれを用いた撮像装置 | |
TWI608554B (zh) | 使用經程式化缺陷設定一晶圓檢查流程 | |
TW201516515A (zh) | 透鏡陣列模組及用於製造其之晶圓級技術 | |
US9627427B2 (en) | Solid-state image sensor and image capturing apparatus using the same | |
TWI605579B (zh) | 具有非平坦光學介面之背側照明影像感測器 | |
TW201818064A (zh) | 晶圓中開口尺寸之光學量測 | |
CN103165492B (zh) | 一种晶圆的tsv的光学显微图像检测方法 | |
TW201334050A (zh) | 用於物體和對應半加工產品之晶圓等級製造的方法 | |
JPS62209305A (ja) | 寸法良否判定方法 | |
TWI404406B (zh) | 影像擷取裝置 | |
JP2000112151A (ja) | 位置決め用マ―ク、位置決め方法および位置合わせ方法 | |
KR100587393B1 (ko) | 인라인상 마이크로 렌즈의 곡률 모니터링 방법 | |
CN100470239C (zh) | 凸起检查装置以及方法 | |
TWI733877B (zh) | 步階大小及鍍金屬厚度之光學量測 | |
JP2002162729A (ja) | パターン検査方法、パターン検査装置およびマスクの製造方法 | |
TW200916743A (en) | Spectroscopy device, spectroscopy apparatus and spectroscopy method | |
JP2007163798A (ja) | レンズ及びそれを用いた撮像装置 | |
US8044525B2 (en) | Substrate with check mark and method of inspecting position accuracy of conductive glue dispensed on the substrate | |
CN103426894B (zh) | 光电传感器 | |
CN102865841B (zh) | 晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性检测方法 | |
CN210514099U (zh) | 一种增材制造过程多传感离轴监测系统 | |
CN211557372U (zh) | 影像传感器 | |
JPH06308040A (ja) | 異物検査装置 | |
KR100958626B1 (ko) | 마이크로 렌즈의 측정 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110418 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |