KR100580915B1 - Process for Purifying Pentafluoroethane, Process for Producing the Same, and Use Thereof - Google Patents

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Abstract

1개의 탄소원자를 함유하는 히드로플루오로카본류, 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로클로로플루오로카본류 및 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로클로로카본류로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 함유하는 조 펜타플루오로에탄과 3∼6Å의 평균 세공 크기 및 2.0 이하의 실리카/알루미늄비를 갖는 제올라이트 및/또는 3.5∼6Å의 평균 세공 크기를 갖는 탄소질의 흡착제를 포함하는 흡착제와 접촉시켜, 상기 화합물의 함량을 저감시키는 것을 포함하는 방법. 저온 냉매 또는 에칭가스로서, 상기 정제된 가스를 사용할 수 있다.Crude pentafluoroethane containing at least one compound selected from the group consisting of hydrofluorocarbons containing one carbon atom, hydrochlorofluorocarbons containing one carbon atom, and hydrochlorocarbons containing one carbon atom And an adsorbent comprising a zeolite having an average pore size of 3 to 6 mm 3 and a silica / aluminum ratio of 2.0 or less and / or a carbonaceous adsorbent having an average pore size of 3.5 to 6 mm 3 to reduce the content of the compound. How to include. As the low temperature refrigerant or the etching gas, the purified gas may be used.

Description

펜타플루오로에탄의 정제방법, 제조방법 및 그 용도{Process for Purifying Pentafluoroethane, Process for Producing the Same, and Use Thereof} Process for Purifying Pentafluoroethane, Process for Producing the Same, and Use Thereof}

본 출원은 35 U.S.C 111(b) 하에 2002년 7월 9일에 제출된 미국 가출원 60/394,267의 출원일의 이익을 35 U.S.C §119(e)(1)에 의거하여 주장해서 35 U.S.C. §111(a) 하에 제출된 출원이다.This application claims the benefit of the filing date of U.S. Provisional Application 60 / 394,267, filed on July 9, 2002 under 35 U.S.C 111 (b), pursuant to 35 U.S.C §119 (e) (1). An application filed under § 111 (a).

본 발명은 펜타플루오로에탄의 정제방법, 제조방법 및 용도에 관한 것이다.The present invention relates to a process for the purification, preparation and use of pentafluoroethane.

펜타플루오로에탄(CF3CHF2)은 예컨대, 저온냉매 또는 에칭가스로서 사용되고, 또한, 헥사플루오로에탄(CF3CF3)의 제조를 위한 원료로서 사용된다.Pentafluoroethane (CF 3 CHF 2 ) is used, for example, as a low temperature refrigerant or etching gas, and also as a raw material for the preparation of hexafluoroethane (CF 3 CF 3 ).

펜타플로오로에탄의 제조를 위해, 예컨대,For the preparation of pentafluoroethane, for example,

(1)불화수소에 의해 테트라클로로에틸렌(CCl2=CCl2) 또는 그것의 불화물을 불소화시키는 방법(일본특허공개 평8-268932호 공보 참조),(1) a method of fluorination of tetrachloroethylene (CCl 2 = CCl 2 ) or its fluoride with hydrogen fluoride (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-268932),

(2)클로로펜타플루오로에탄(CF3CClF2)을 환원하여 수소화시키는 방법(일본특허 제2540409호 공보 참조), 및(2) a method of reducing and hydrogenating chloropentafluoroethane (CF 3 CClF 2 ) (see Japanese Patent No. 2540409), and

(3)할로겐 함유 에틸렌과 불소가스를 반응시키는 방법(일본특허공개 평1-38034호 공보 참조) 등의 방법들이 종래부터 알려져 왔다.(3) Methods such as a method of reacting halogen-containing ethylene with fluorine gas (see Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 1-38034) have been known in the past.

이들 방법에 의해 제조된 펜타플루오로에탄은 히드로클로로카본(HCC), 클로로플루오로카본(CFC), 히드로클로로플루오로카본(HCFC) 및 히드로플루오로카본 (HFC) 등의 각종 불순물을 함유한다.Pentafluoroethane produced by these methods contains various impurities such as hydrochlorocarbon (HCC), chlorofluorocarbon (CFC), hydrochlorofluorocarbon (HCFC) and hydrofluorocarbon (HFC).

고순도 펜타플루오로에탄을 얻기 위해, 상기 불순물들은 가능한 한 많이 제거되어야 한다. 상기 불순물 중, 고순도를 달성하기 위해서 뿐만 아니라 오존층의 파괴를 방지하기 위해, 클로로플루오로카본을 제거하는 각종 정제방법이 제안되어 있다. 클로로펜타플루오로에탄은 펜타플루오로에탄과 가까운 비점을 가지므로, 일반적인 증류에 의해 분리되기 어려운 화합물이지만, 대신에 하기 정제방법 등을 사용할 수 있다.In order to obtain high purity pentafluoroethane, the impurities must be removed as much as possible. Among these impurities, various purification methods have been proposed to remove chlorofluorocarbons in order to achieve high purity as well as to prevent destruction of the ozone layer. Since chloropentafluoroethane has a boiling point close to that of pentafluoroethane, it is a compound that is difficult to be separated by general distillation, but instead the following purification method can be used.

(1)추출 증류에 의한 방법(일본특허공표 평9-508626호 공보 참조)(1) Method by extractive distillation (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-508626)

(2)클로로펜타플루오로에탄을 환원하여 수소화시키는 방법(일본특허공개 평8 -301801호 공보 참조)(2) A method of reducing and hydrogenating chloropentafluoroethane (see Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-301801).

(3)클로로펜타플루오로에탄을 불화수소에 의해 불소화시킨 후, 제거하는 방법(일본특허공개 2001-48816호 공보 참조)(3) A method of removing chloropentafluoroethane after fluorination with hydrogen fluoride (see Japanese Patent Laid-Open No. 2001-48816).

(4)클로로펜타플루오로에탄을 흡착제를 사용하여 흡착시킨 후, 제거하는 방법(일본특허공개 평6-92879호 공보 참조)(4) Method of removing chloropentafluoroethane after adsorbing using an adsorbent and then removing it (see Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-92879).

히드로클로로카본류 중의 하나인 클로로메탄(CH3Cl)은, 펜타플루오로에탄과 공비 혼합물 또는 공비 유사 혼합물을 형성하여, 상기 화합물은 펜타플루오로에탄으로부터 분리하기 매우 곤란하다. 또한, 히드로플루오로카본류인 디플루오로메탄 (CH2F2) 및 1,1,1-트리플루오로에탄(CF3CF3)은, 펜타플루오로에탄과 공비 혼합물 또는 공비 유사 혼합물을 각각 형성하여, 이들 화합물을 펜타플루오로에탄으로부터 분리하기 매우 곤란하다.Chloromethane (CH 3 Cl), one of the hydrochlorocarbons, forms an azeotrope or an azeotrope-like mixture with pentafluoroethane, making the compound very difficult to separate from pentafluoroethane. Hydrofluorocarbons, difluoromethane (CH 2 F 2 ) and 1,1,1-trifluoroethane (CF 3 CF 3 ), respectively, form an azeotropic or azeotropic mixture with pentafluoroethane. This makes it very difficult to separate these compounds from pentafluoroethane.

분리가 곤란한 히드로클로로카본류 또는 히드로플루오로카본류, 이들을 포함하는 불순물을 정제하여, 제거하는 방법으로서, 예컨대, 추출 증류에 의한 정제방법, 및 활성탄을 사용한 흡착에 의해 상기 불순물을 제거하는 정제방법이 공지되어 있다. 그러나, 추출 증류에 의한 정제방법은 증류탑 등의 다수의 고가 설비가 필요하므로, 장치비용이 매우 상승하는 문제점을 가지고 있다. 또한, 활성탄을 사용하는 흡착에 의한 정제방법은 충분한 효과를 제공할 수 없다. Hydrochlorocarbons or hydrofluorocarbons, which are difficult to separate, and a method of purifying and removing impurities including them, for example, a purification method by extractive distillation, and a purification method of removing the impurities by adsorption using activated carbon, Known. However, since the purification method by extractive distillation requires a number of expensive facilities such as a distillation column, the apparatus cost is very high. In addition, the purification method by adsorption using activated carbon cannot provide a sufficient effect.

이러한 환경 하에, 본 발명의 목적은 저온 냉매 또는 에칭 가스로서 사용할 수 있는 고순도 펜타플루오로에탄을 얻는 산업적으로 유리한 정제방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 펜타플루오로에탄의 제조방법 및 용도를 제공하는 것이다.Under these circumstances, it is an object of the present invention to provide an industrially advantageous purification method for obtaining high purity pentafluoroethane that can be used as a low temperature refrigerant or etching gas. It is another object of the present invention to provide a method and use of the pentafluoroethane.

본 발명자들은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 집중적인 연구 결과, 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로플루오로카본류, 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로클로로플루오로카본류, 및 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로클로로카본류로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 함유하는 조 펜타플루오로에탄을 3∼6Å의 평균 세공 크기 및 2.0이하의 실리카/알루미늄비를 갖는 제올라이트 및/또 는 3.5∼6Å의 평균 세공 크기를 갖는 탄소질의 흡착제를 포함하는 흡착제와 접촉시켜, 조 펜타플루오로에탄 중에 불순물로서 함유된 화합물의 함량을 저감시키는 공정을 사용하여, 본 발명의 목적이 달성된다는 것을 발견하였다. 본 발명은 상기 발견에 기초하여 달성되었다. 본 발명은 하기 [1]∼[13]에 기재된 펜타플루오로에탄의 정제방법, 제조방법 및 그 용도를 제공한다.In order to solve the above problems, the inventors of the present invention have found that, as a result of intensive research, hydrofluorocarbons containing one carbon atom, hydrochlorofluorocarbons containing one carbon atom, and hydrochlorocarbons containing one carbon atom Crude pentafluoroethane containing at least one compound selected from the group consisting of zeolites having an average pore size of 3 to 6 ms and a silica / aluminum ratio of 2.0 or less and / or carbon having an average pore size of 3.5 to 6 ms It has been found that the object of the present invention is achieved by using a process of reducing the content of a compound contained as an impurity in crude pentafluoroethane by contacting with an adsorbent comprising a vaginal adsorbent. The present invention has been accomplished based on this finding. The present invention provides a method for purifying pentafluoroethane, a production method, and a use thereof according to the following [1] to [13].

[1]. 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로플루오로카본류, 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로클로로플루오로카본류, 및 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로클로로카본류로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 함유하는 조 펜타플루오로에탄을 3∼6Å의 평균 세공 크기 및 2.0 이하의 실리카/알루미늄비를 갖는 제올라이트 및/또는 3.5∼6Å의 평균 세공 크기를 갖는 탄소질의 흡착제를 포함하는 흡착제와 접촉시켜, 조 펜타플루오로에탄 중에 불순물로서 함유된 상기 화합물의 함량을 저감시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법.[One]. Crude pentafluoro containing at least one compound selected from the group consisting of hydrofluorocarbons containing one carbon atom, hydrochlorofluorocarbons containing one carbon atom, and hydrochlorocarbons containing one carbon atom The ethane is contacted with an adsorbent comprising a zeolite having an average pore size of 3 to 6 GPa and a silica / aluminum ratio of 2.0 or less and / or a carbonaceous adsorbent having an average pore size of 3.5 to 6 GPa and impurity in crude pentafluoroethane. Method for purifying pentafluoroethane, characterized in that it comprises a step of reducing the content of the compound contained as.

[2]. [1]에 있어서, 상기 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로플루오로카본류는 플루오로메탄, 디플루오로메탄 및 트리플루오로메탄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법.[2]. The method for purifying pentafluoroethane according to [1], wherein the hydrofluorocarbons containing one carbon atom are selected from the group consisting of fluoromethane, difluoromethane and trifluoromethane.

[3]. [1]에 있어서, 상기 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로클로로플루오로카본류는 클로로디플루오로메탄인 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법.[3]. The method for purifying pentafluoroethane according to [1], wherein the hydrochlorofluorocarbons containing one carbon atom are chlorodifluoromethane.

[4]. [1]에 있어서, 상기 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로클로로카본류는 클로로메탄, 디클로로메탄 및 트리클로로메탄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법.[4]. The method for purifying pentafluoroethane according to [1], wherein the hydrochlorocarbons containing one carbon atom are selected from the group consisting of chloromethane, dichloromethane and trichloromethane.

[5]. [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 있어서, 조 펜타플루오로에탄 중에 불순물로서 함유된 상기 화합물의 총함량이 1부피% 이하인 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법.[5]. The method for purifying pentafluoroethane according to any one of [1] to [4], wherein the total content of the compound contained as an impurity in the crude pentafluoroethane is 1% by volume or less.

[6]. [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 있어서, 1MPa 이하의 압력 하에 조 펜타플루오로에탄을 상기 흡착제와 접촉시키는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법.[6]. The method for purifying pentafluoroethane according to any one of [1] to [5], wherein the crude pentafluoroethane is brought into contact with the adsorbent under a pressure of 1 MPa or less.

[7]. [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 있어서, 조 펜타플루오로에탄 중에 불순물로서 함유된 상기 화합물의 총함량을 150부피ppm 이하로 저감시키는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법.[7]. The method for purifying pentafluoroethane according to any one of [1] to [6], wherein the total content of the compound contained as an impurity in the crude pentafluoroethane is reduced to 150 vol ppm or less.

[8]. [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 있어서, 조 펜타플루오로에탄 중에 불순물로서 함유된 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로플루오로카본류의 총함량을 100부피ppm 이하로 저감시키는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법.[8]. Pentafluor according to any one of [1] to [7], wherein the total content of hydrofluorocarbons containing one carbon atom contained as an impurity in crude pentafluoroethane is reduced to 100 vol ppm or less. Purification method of roethane.

[9]. [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 있어서, 조 펜타플루오로에탄 중에 불순물로서 함유된 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로클로로카본류의 총함량을 50부피ppm 이하로 저감시키는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법. [9]. Pentafluor according to any one of [1] to [8], wherein the total content of hydrochlorocarbons containing one carbon atom contained as an impurity in crude pentafluoroethane is reduced to 50 vol ppm or less. Purification method of roethane.

[10]. [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 있어서, 조 펜타플푸오로에탄은, [10]. The crude pentaplefuoroethane according to any one of [1] to [9],

(1)테트라클로로에틸렌, 2,2-디클로로-1,1,1-트리플루오로에탄 및 2-클로로-1,1,1,2-테트라플루오로에탄으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 불소화 촉매의 존재 하에 불화수소와 반응시켜 펜타플루오로에탄을 얻는 공정; 및(1) fluorinated at least one member selected from the group consisting of tetrachloroethylene, 2,2-dichloro-1,1,1-trifluoroethane and 2-chloro-1,1,1,2-tetrafluoroethane Reacting with hydrogen fluoride in the presence of a catalyst to obtain pentafluoroethane; And

(2)공정(1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 수소와 접촉시키는 공정, 공정(1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 산소 및/또는 산소 함유 화합물과 접촉시키는 공정, 또는 공정(1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 수소와 접촉시키고, 이어서, 산소 및/또는 산소 함유 화합물과 접촉시키는 공정을 포함하는 방법에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법.(2) contacting pentafluoroethane obtained in step (1) with hydrogen; contacting pentafluoroethane obtained in step (1) with oxygen and / or an oxygen-containing compound, or obtained in step (1) A method for purifying pentafluoroethane, which is obtained by a method comprising contacting pentafluoroethane with hydrogen and then contacting oxygen and / or an oxygen-containing compound.

[11]. (1)테트라클로로에틸렌, 2,2-디클로로-1,1,1-트리플루오로에탄 및 2-클로로-1,1,1,2-테트라플루오로에탄으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 불소화 촉매의 존재 하에 불화수소와 반응시켜 펜타플루오로에탄을 얻는 공정; [11]. (1) fluorinated at least one member selected from the group consisting of tetrachloroethylene, 2,2-dichloro-1,1,1-trifluoroethane and 2-chloro-1,1,1,2-tetrafluoroethane Reacting with hydrogen fluoride in the presence of a catalyst to obtain pentafluoroethane;

(2)공정(1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 수소와 접촉시키는 공정, 공정(1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 산소 및/또는 산소 함유 화합물과 접촉시키는 공정, 또는 공정(1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 수소와 접촉시키고, 이어서 산소 및/또는 산소 함유 화합물과 접촉시키는 공정; 및(2) contacting pentafluoroethane obtained in step (1) with hydrogen; contacting pentafluoroethane obtained in step (1) with oxygen and / or an oxygen-containing compound, or obtained in step (1) Contacting pentafluoroethane with hydrogen, followed by contact with oxygen and / or an oxygen containing compound; And

(3)공정(2)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 상기 [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 방법을 사용하여 정제시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 제조방법.(3) A process for producing pentafluoroethane comprising the step of purifying the pentafluoroethane obtained in the step (2) using the method according to any one of the above [1] to [10].

[12]. [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 방법을 사용하여 정제된 펜타플루오로에탄과 불소 가스를 반응시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 헥사플루오로에탄의 제조방법.[12]. A method for producing hexafluoroethane comprising the step of reacting purified pentafluoroethane with fluorine gas using the method according to any one of [1] to [10].

[13]. [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 방법을 사용하여 정제된 펜타플 루오로에탄을 포함하는 것을 특징으로 하는 냉매. [13]. A refrigerant comprising pentafluoethane refined using the method according to any one of [1] to [10].

이하에 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다.The preferred embodiment of the present invention is described below.

상기 기재된 바와 같이, 펜타플로오로에탄의 제조를 위해, 예컨대, 테트라클로로에틸렌 또는 그것의 불화물을 불소화 촉매의 존재 하에 불화수소(HF)로 불소화하는 방법이 알려져 있다.As described above, for the production of pentafluoroethane, for example, a method is known in which tetrachloroethylene or its fluoride is fluorinated with hydrogen fluoride (HF) in the presence of a fluorination catalyst.

상기 방법으로 펜타플루오로에탄을 제조하면, 증류 등의 일반적으로 사용되는 정제공정을 수행해도, 펜타플루오로에탄으로부터 분리되기 어려운 불순물은 물질 중에 함유된다. 상기 불순물의 예로는, 히드로플루오로카본, 히드로클로로플루오로카본 및 히드로클로로카본이 열거된다. 또한, 촉매의 존재 하에 클로로펜타플루오로에탄을 수소환원하는 방법을 사용해도, 이들 불순물은 동일하게 함유된다. 따라서, 고순도로 펜타플루오로에탄을 정제시키기 위해서는, 이들 불순물은 제거되어야 한다.When pentafluoroethane is produced by the above method, impurities, which are difficult to be separated from pentafluoroethane, are contained in the material even when a generally used purification process such as distillation is performed. Examples of such impurities include hydrofluorocarbons, hydrochlorofluorocarbons and hydrochlorocarbons. Moreover, even if the method of hydrogen-reducing chloropentafluoroethane in presence of a catalyst is used, these impurities are contained similarly. Therefore, in order to purify pentafluoroethane with high purity, these impurities must be removed.

본 발명의 펜타플루오로에탄의 정제방법은, 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로플루오로카본류, 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로클로로플루오로카본류 및 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로클로로카본류로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 함유하는 조 펜타플루오로에탄을 3∼6Å의 평균 세공 크기 및 2.0 이하의 실리카/알루미늄비를 갖는 제올라이트 및/또는 3.5∼6Å의 평균 세공 크기를 갖는 탄소질의 흡착제를 포함하는 흡착제와 접촉시킴으로써, 조 펜타플루오로에탄 중에 불순물로서 함유된 화합물의 함량을 저감시키는 것을 특징으로 한다. The method for purifying pentafluoroethane of the present invention is selected from the group consisting of hydrofluorocarbons containing one carbon atom, hydrochlorofluorocarbons containing one carbon atom, and hydrochlorocarbons containing one carbon atom. Adsorbents comprising crude pentafluoroethane containing at least one compound comprising a zeolite having an average pore size of 3 to 6 GPa and a silica / aluminum ratio of 2.0 or less and / or a carbonaceous adsorbent having an average pore size of 3.5 to 6 GPa It is characterized by reducing the content of the compound contained as an impurity in the crude pentafluoroethane.                 

조 펜타플루오로에탄 중에 불순물로서 함유된 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로플루오로카본은 플루오로메탄, 디플루오로메탄 및 트리플루오로메탄으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물이어도 좋다. 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로클로로플루오로카본은 클로로디플루오로메탄이어도 좋다. 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로클로로카본은 클로로메탄, 디클로로메탄 및 트리클로로메탄으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물이어도 좋다. 이들 불순물을 함유하는 조 펜타플루오로에탄은 증류 조작만으로는 정제하기가 곤란하다. The hydrofluorocarbon containing one carbon atom contained as an impurity in crude pentafluoroethane may be at least one compound selected from the group consisting of fluoromethane, difluoromethane and trifluoromethane. Hydrochlorofluorocarbons containing one carbon atom may be chlorodifluoromethane. The hydrochlorocarbon containing one carbon atom may be at least one compound selected from the group consisting of chloromethane, dichloromethane and trichloromethane. Crude pentafluoroethane containing these impurities is difficult to purify only by distillation operation.

본 발명자들은 흡착제의 세공 크기 및 극성을 고려하면서, 흡착제의 종류 또는 흡착 조건 등을 변화시킴으로써 연구를 수행하였다.The present inventors conducted the study by changing the type of the adsorbent or the adsorption conditions, while taking into account the pore size and polarity of the adsorbent.

결과적으로, 상기 기재된 불순물을 3∼6Å의 평균 세공 크기 및 2.0이하의 실리카/알루미늄비(Si/Al비)를 갖는 제올라이트와 접촉시킴으로써 선택적으로 흡착시켜 제거시킬 수 있다. 실리카/알루미늄비가 2.0이하라도, 제올라이트의 평균 세공 크기가 3Å 미만이거나 6Å를 초과하는 경우, 상기 불순물의 저감효과는 얻어지지 않는다. 또한, 상기 평균 세공 크기가 3∼6Å의 범위라도, 제올라이트의 실리카/알루미늄비가 2.0을 초과하면, 상기 불순물의 양이 저감되는 효과는 얻어지지 않는다.As a result, the impurities described above can be selectively adsorbed and removed by contacting a zeolite having an average pore size of 3 to 6 GPa and a silica / aluminum ratio (Si / Al ratio) of 2.0 or less. Even if the silica / aluminum ratio is 2.0 or less, when the average pore size of the zeolite is less than 3 GPa or more than 6 GPa, the effect of reducing the impurities is not obtained. Further, even when the average pore size is in the range of 3 to 6 mm 3, when the silica / aluminum ratio of the zeolite exceeds 2.0, the effect of reducing the amount of the impurity is not obtained.

또한, 상기 불순물과 3.5∼6Å의 평균 세공 크기를 갖는 탄소질의 흡착제(분자체 탄소)를 접촉시킴으로써, 상기 불순물을 선택적으로 흡착시켜 제거할 수 있다는 것을 발견하였다. 사용되는 탄소질의 흡착제의 평균 세공 크기가 3.5Å 미만이거나 6Å를 초과하는 경우, 상기 불순물의 저감 효과는 얻어지지 않는다. 예컨대, 약 35Å의 평균 세공 크기를 갖는 활성탄이 일반적으로 사용되고, 강한 흡착력을 갖는다고 알려져 있지만, 이것은 불순물을 저감시키는 효과를 제공할 수 없다.It has also been found that the impurity can be selectively adsorbed and removed by contacting the impurity with a carbonaceous adsorbent (molecular sieve carbon) having an average pore size of 3.5 to 6 kPa. When the average pore size of the carbonaceous adsorbent used is less than 3.5 mm 3 or more than 6 mm 3, the effect of reducing the impurities is not obtained. For example, activated carbon having an average pore size of about 35 mm 3 is generally used and is known to have a strong adsorption force, but this cannot provide the effect of reducing impurities.

상기 제올라이트 및 탄소질의 흡착제는 단독으로 사용해도 좋고, 또는 이 두개를 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.The zeolite and the carbonaceous adsorbent may be used alone or in combination of any two of them.

조 펜타플루오로에탄 중에 불순물로서 함유된 이들 불순물의 총함량은, 1부피% 이하가 바람직하고, 0.5부피% 이하가 더욱 바람직하다. 불순물의 총함량이 1부피%를 초과하면, 사용되는 흡착제의 양이 증가되거나, 장치 비용 등이 불합리하게 증가된다.As for the total content of these impurities contained as an impurity in crude pentafluoroethane, 1 volume% or less is preferable, and 0.5 volume% or less is more preferable. If the total content of impurities exceeds 1% by volume, the amount of adsorbent used is increased, or the equipment cost is unreasonably increased.

본 발명의 펜타플루오로에탄의 정제방법에 있어서, 이들 불순물을 함유하는 조 펜타플루오로에탄을 흡착제와 접촉시키는 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 이들을 가스상 또는 액체상 중 어느 쪽의 방법으로도 접촉시킬 수 있다. 액체상으로 이들을 접촉시키는 방법이 효율적이므로 바람직하다. 액체상으로 접촉시키기 위해, 배치 시스템 또는 연속 시스템 등의 공지된 방법을 사용할 수 있다. 예컨대, 고정상식 흡착탑의 2개 유닛이 설치되고, 한개의 흡착탑이 포화 흡착에 도달하면, 다른 유닛으로 바뀌어 재생이 수행되는 방법을 사용할 수 있다. 상기 조 펜타플루오로에탄을 흡착제와 접촉시키는 압력은 1MPa 이하가 바람직하다. 상기 압력이 1MPa를 초과하면, 장치 비용이 불합리하게 증가된다.In the method for purifying pentafluoroethane of the present invention, the method of bringing crude pentafluoroethane containing these impurities into contact with an adsorbent is not particularly limited, and for example, these are contacted by either a gas phase or a liquid phase. You can. The method of bringing them into contact with the liquid phase is preferable because it is efficient. For contacting in the liquid phase, known methods such as batch systems or continuous systems can be used. For example, two units of a fixed bed adsorption tower are installed, and when one adsorption tower reaches saturated adsorption, it is possible to use a method in which regeneration is performed by switching to another unit. The pressure for bringing the crude pentafluoroethane into contact with the adsorbent is preferably 1 MPa or less. If the pressure exceeds 1 MPa, the apparatus cost is unreasonably increased.

조 펜타플루오로에탄은, (1)테트라클로로에틸렌, 2,2-디클로로-1,1,1-트리플루오로에탄 및 2-클로로-1,1,1,2-테트라플루오로에탄으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 불소화 촉매의 존재 하에 불화수소와 반응시켜, 펜타플루오로에 탄을 얻는 공정, 및Crude pentafluoroethane is a group consisting of (1) tetrachloroethylene, 2,2-dichloro-1,1,1-trifluoroethane and 2-chloro-1,1,1,2-tetrafluoroethane Reacting at least one member selected from hydrogen fluoride in the presence of a fluorination catalyst to obtain pentafluoroethane;

(2)공정(1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 수소와 접촉시키는 공정, 공정(1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 산소 및/또는 산소 함유 화합물과 접촉시키는 공정, 또는 공정(1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 수소와 접촉시키고, 이어서, 산소 및/또는 산소 함유 화합물을 접촉시키는 공정을 포함하는 방법에 의해 얻어지는 것이 바람직하다.(2) contacting pentafluoroethane obtained in step (1) with hydrogen; contacting pentafluoroethane obtained in step (1) with oxygen and / or an oxygen-containing compound, or obtained in step (1) It is preferable that the pentafluoroethane is obtained by a method comprising contacting hydrogen with hydrogen and then contacting oxygen and / or an oxygen-containing compound.

공정(1)은, 테트라클로로에틸렌 등의 원료 및 불소화 촉매의 존재 하에 불화수소를 2단계로 불소화 반응을 수행하여 펜타플루오로에탄을 얻는 방법을 사용해도 좋다. 상기 불소화 촉매는, 3가의 산화크롬을 주성분으로 하는 지지 촉매 또는 벌크 촉매가 바람직하다.In the step (1), a method of obtaining pentafluoroethane by performing a fluorination reaction in two steps with hydrogen fluoride in the presence of a raw material such as tetrachloroethylene and a fluorination catalyst is used. The fluorination catalyst is preferably a supported catalyst or bulk catalyst containing trivalent chromium oxide as a main component.

공정(2)에 있어서, 공정(1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 수소와 접촉시키는 공정을 수행하는 경우, 이것은 팔라듐, 로듐, 루테늄, 레늄, 백금 및 금으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상이 지지체 상에 지지된 지지 촉매의 존재 하에 수행되어도 좋다. 반응 온도는 150∼400℃이다. 수소와 접촉시킴으로써, 예를 들면, 히드로클로로카본류 등의 환원 및 수소화 반응이 일어난다.In the step (2), when performing the step of contacting the pentafluoroethane obtained in the step (1) with hydrogen, at least one member selected from the group consisting of palladium, rhodium, ruthenium, rhenium, platinum and gold is supported. It may be carried out in the presence of a supported catalyst supported on the bed. Reaction temperature is 150-400 degreeC. By contact with hydrogen, for example, reduction and hydrogenation reactions such as hydrochlorocarbons occur.

공정(2)에 있어서, 공정(1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 산소 및/또는 산소 함유 화합물과 접촉시키는 공정을 수행하는 경우, 이것은 3가의 산화크롬을 주성분으로 하는 지지 촉매 또는 벌크 촉매의 존재 하에, 또는 팔라듐, 로듐, 루테늄, 레늄, 백금 및 금으로부터 선택된 1종 이상이 지지체 상에 지지된 지지 촉매의 존재 하에 수행되어도 좋다. 반응 온도는 150∼400℃이다. 사용할 수 있는 산소 함 유 화합물의 예로는 일산화질소(NO), 아산화질소(N2O), 이산화질소(NO2) 및 오존(O3)이 열거된다. 이 처리에 의해, 불순물로서 함유된 히드로플루오로카본이 CO2 등으로 전환될 수 있다. 공정(2)는, 공정(1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 수소와 접촉시키고, 이어서 산소 및/또는 산소 함유 화합물과 접촉시킴으로써 수행되는 것이 바람직하다.In the step (2), when performing the step of contacting the pentafluoroethane obtained in the step (1) with oxygen and / or an oxygen-containing compound, this is the presence of a supported catalyst or bulk catalyst mainly composed of trivalent chromium oxide. Or at least one selected from palladium, rhodium, ruthenium, rhenium, platinum and gold may be carried out in the presence of a supported catalyst supported on a support. Reaction temperature is 150-400 degreeC. Examples of oxygen-containing compounds that can be used include nitrogen monoxide (NO), nitrous oxide (N 2 O), nitrogen dioxide (NO 2 ), and ozone (O 3 ). By this treatment, hydrofluorocarbons contained as impurities can be converted into CO 2 or the like. Step (2) is preferably carried out by bringing the pentafluoroethane obtained in step (1) into contact with hydrogen, followed by contact with oxygen and / or an oxygen containing compound.

조 펜타플루오로에탄 중에 불순물로서 함유된 화합물을 흡착제로 처리한 후, 펜타플루오로에탄 중에 함유된 화합물의 총함량을 150부피ppm 이하로 저감시킬 수 있고, 100부피ppm 이하로 저감시킬 수도 있다. 또한, 본 발명의 정제방법을 사용함으로써 정제된 펜타플루오로에탄 중에 불순물로서 함유된 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로플루오로카본류의 총함량을 100부피ppm 이하로 저감시킬 수 있고, 50부피ppm 이하로 저감시킬 수도 있다. 또한, 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로클로로카본류의 총함량을 50부피ppm 이하로 저감시킬 수 있고, 30부피ppm 이하로 저감시킬 수도 있다. 펜타플루오로에탄 중에 불순물로서 함유된 화합물의 함량은 TCD법 또는 FID법을 사용한 가스크로마토그래피(GC), 또는 가스크로마토그래피 질량 분석기(GC-MS)로 측정할 수 있다. After treating the compound contained as an impurity in the crude pentafluoroethane with an adsorbent, the total content of the compound contained in the pentafluoroethane can be reduced to 150 volppm or less, and can be reduced to 100 volppm or less. Further, by using the purification method of the present invention, the total content of hydrofluorocarbons containing one carbon atom contained as impurities in the purified pentafluoroethane can be reduced to 100 volppm or less, and to 50 volppm or less. It can also be reduced. Further, the total content of hydrochlorocarbons containing one carbon atom can be reduced to 50 vol ppm or less, and can also be reduced to 30 vol ppm or less. The content of the compound contained as an impurity in pentafluoroethane can be measured by gas chromatography (GC) or gas chromatography mass spectrometry (GC-MS) using the TCD method or the FID method.

또한, 본 발명은, (1)테트라클로로에틸렌, 2,2-디클로로-1,1,1-트리플루오로에탄 및 2-클로로-1,1,1,2-테트라플루오로에탄으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 불소화 촉매의 존재 하에 불화수소와 반응시켜, 펜타플루오로에탄을 얻는 공정, In addition, the present invention is from the group consisting of (1) tetrachloroethylene, 2,2-dichloro-1,1,1-trifluoroethane and 2-chloro-1,1,1,2-tetrafluoroethane Reacting at least one selected with hydrogen fluoride in the presence of a fluorination catalyst to obtain pentafluoroethane,                 

(2)공정(1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 수소와 접촉시키는 공정, 공정(1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 산소 및/또는 산소 함유 화합물과 접촉시키는 공정, 또는 공정(1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 수소와 접촉시키고, 이어서 산소 및/또는 산소 함유 화합물과 접촉시키는 공정, 및 (2) contacting pentafluoroethane obtained in step (1) with hydrogen; contacting pentafluoroethane obtained in step (1) with oxygen and / or an oxygen-containing compound, or obtained in step (1) Contacting pentafluoroethane with hydrogen followed by contact with oxygen and / or an oxygen containing compound, and

(3)상기 공정을 사용하여 단계(2)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 정제시키는 공정을 포함하는 펜타플루오로에탄 제조방법을 제공한다.(3) It provides a method for producing pentafluoroethane comprising the step of purifying the pentafluoroethane obtained in step (2) using the above process.

본 발명의 정제공정을 사용하여 얻어진 펜타플루오로에탄의 용도를 하기에 기재한다. The use of pentafluoroethane obtained using the purification process of the present invention is described below.

고순도 펜타플루오로에탄은 극저온 냉매의 작동유체로서 통상 사용되는 클로로디플루오로메탄(CHClF2)를 대신하고, 이것은 디플루오로메탄/펜타플루오로에탄/ 1,1,1,2-테트라플루오로에탄을 포함하는 혼합 냉매로서 사용할 수 있고, 또한, 디플루오로메탄/펜타플루오로에탄을 포함하는 혼합 냉매로서 사용할 수도 있다.High purity pentafluoroethane replaces chlorodifluoromethane (CHClF 2 ) commonly used as the working fluid of cryogenic refrigerants, which is difluoromethane / pentafluoroethane / 1,1,1,2-tetrafluoro It can be used as a mixed refrigerant containing ethane, and can also be used as a mixed refrigerant containing difluoromethane / pentafluoroethane.

또한, 고순도 펜타플루오로에탄은 헥사플루오로에탄 제조를 위한 원료로서 사용할 수 있다. 특히, 펜타플루오로에탄과 불소가스의 반응에 의해 헥사플루오로에탄을 제조하는 방법에 있어서, 원료로서 고순도 펜타플루오로에탄을 사용하는 경우, 목적 헥사플루오로에탄으로부터 분리하기 곤란한 불순물의 생성을 방지할 수 있다. 또한, 원료로서 고순도 펜타플루오로에탄을 사용하는 경우, 불소화 반응 조건을 설정하는데 있어서, 범위가 넓어질 수 있어, 결과적으로 반응을 안정하게 제어할 수 있고, 정제공정을 간략화시킬 수 있다. In addition, high purity pentafluoroethane can be used as a raw material for the production of hexafluoroethane. In particular, in the method for producing hexafluoroethane by the reaction of pentafluoroethane and fluorine gas, when a high-purity pentafluoroethane is used as a raw material, generation of impurities that are difficult to separate from the target hexafluoroethane is prevented. can do. In addition, in the case of using high-purity pentafluoroethane as a raw material, in setting the fluorination reaction conditions, the range can be widened, and as a result, the reaction can be stably controlled and the purification process can be simplified.                 

고순도 펜타플루오로에탄 또는 그것의 혼합가스와 불활성 가스(He, N2, Ar 등), HCl, O2, H2 등을 반도체 소자 제작방법의 에칭 공정에 있어서, 에칭 가스로서 사용할 수 있다. LSI, TFT, 및 유기 EL 등의 반도체 장치의 제작방법에 있어서, 박막 또는 후막은 CVD법, 스패터링법, 또는 증착법을 사용하여 형성되고, 에칭에 의해 회로 패턴을 형성할 수 있는데, 그 에칭 가스로서 펜타플루오로에탄을 함유하는 가스를 사용할 수 있다. 펜타플루오로에탄을 사용하는 에칭은, 플라즈마 에칭 및 마이크로파 에칭 등의 각종 건식 에칭 조건 하에 수행될 수 있다.High-purity pentafluoroethane or a mixed gas thereof, an inert gas (He, N 2 , Ar, etc.), HCl, O 2 , H 2, or the like can be used as the etching gas in the etching step of the semiconductor device fabrication method. In the fabrication method of semiconductor devices such as LSI, TFT, and organic EL, the thin film or the thick film is formed using a CVD method, a sputtering method, or a vapor deposition method, and a circuit pattern can be formed by etching. As the gas containing pentafluoroethane can be used. Etching using pentafluoroethane can be performed under various dry etching conditions such as plasma etching and microwave etching.

본 발명을 하기 실시예로 더욱 자세히 설명하지만, 본 발명이 이들 예로 한정되는 것은 아니다.The present invention is described in more detail by the following examples, but the present invention is not limited to these examples.

조 펜타플루오로에탄의 제조예 1Preparation Example 1 of Crude Pentafluoroethane

(원료예 1)(Raw material example 1)

테트라클로로에틸렌 및 불화수소를 촉매로 채워진 제 1반응기에 도입시켜 중간체인 2,2-디클로로-1,1,1-트리플루오로에탄 및 클로로-1,1,1,2-테트라플루오로에탄을 주성분으로 함유하는 가스를 제조하였다. 상기 가스를 HF와 함께 제 2반응기에 도입시켜 펜타플루오로에탄을 제조하였다. 제조된 펜타플로오로에탄을 증류시켜 불순물로서 클로로펜타플루오로에탄, 플루오로메탄, 디플루오로메탄, 클로로메탄, 클로로디플루오로메탄, 1,1,1-트리플루오로메탄 등을 함유하는 펜타플루오로에탄을 얻었다. 펜타플루오로에탄의 순도는 약 99.4부피%이었다. 이어서, 상기 펜타플루오로에탄을 통상의 수소화 촉매의 존재 하에 수소와 반응시켰다(반응 압력: 0.15MPa, 반응 온도: 220℃). 펜타플루오로에탄을 주성분으로 포함하는 생성물에 함유된 산함량을 공지의 방법으로 제거하고, 잔류물을 증류하여 조 펜타플루오로에탄을 얻었다. 얻어진 조 펜타플루오로에탄을 가스크로마토그래피로 분석하여, 표 1에 나타낸 조성을 갖는다는 것을 발견하였다.Tetrachloroethylene and hydrogen fluoride were introduced into the first reactor filled with a catalyst to obtain intermediates 2,2-dichloro-1,1,1-trifluoroethane and chloro-1,1,1,2-tetrafluoroethane. The gas containing as a main component was manufactured. The gas was introduced with HF into a second reactor to produce pentafluoroethane. The pentafluoroethane prepared was distilled to pentafluoropentane containing chloropentafluoroethane, fluoromethane, difluoromethane, chloromethane, chlorodifluoromethane, 1,1,1-trifluoromethane and the like as impurities. Fluoroethane was obtained. The purity of pentafluoroethane was about 99.4% by volume. The pentafluoroethane was then reacted with hydrogen in the presence of a conventional hydrogenation catalyst (reaction pressure: 0.15 MPa, reaction temperature: 220 ° C.). The acid content contained in the product containing pentafluoroethane as a main component was removed by a known method, and the residue was distilled off to obtain crude pentafluoroethane. The crude pentafluoroethane obtained was analyzed by gas chromatography and found to have the composition shown in Table 1.

화합물compound 농도(부피%)Concentration (% by volume) CF3CHF2 CF 3 CHF 2 99.840499.8404 CF3CClF2 CF 3 CClF 2 0.00820.0082 CF3CH2FCF 3 CH 2 F 0.00240.0024 CF3CH3 CF 3 CH 3 0.08790.0879 CH2F2 CH 2 F 2 0.04820.0482 CHF3 CHF 3 0.00210.0021 CHClF2 CHClF 2 0.00200.0020 CH3ClCH 3 Cl 0.00880.0088

조 펜타플루오로에탄의 제조예 2Preparation Example 2 of Crude Pentafluoroethane

(원료예 2)(Raw material example 2)

원료 실시예 1에서 얻은 펜타플루오로에탄을 팔라듐/알루미늄 촉매로 채워진 반응기에 공기와 함께 도입시켜, 반응 압력이 0.2MPa이고, 반응 온도가 280℃인 것과 같은 조건 하에서 반응시켰다. 반응기의 출구 가스 중에 함유된 이산화탄소 및 산 함유물을 수산화칼륨 수용액으로 상기 가스를 세정하여 일부 제거하고, 이어서, 상기 가스를 증류시켜 조 펜타플루오로에탄을 얻었다. 얻어진 조펜타플루오로에탄을 가스크로마토그래피로 분석하여, 표 2에 나타낸 조성물을 갖는 것을 발견하였다.

Pentafluoroethane obtained in Raw Material Example 1 was introduced together with air into a reactor filled with a palladium / aluminum catalyst, and reacted under the conditions such that the reaction pressure was 0.2 MPa and the reaction temperature was 280 ° C. Carbon dioxide and acid content contained in the outlet gas of the reactor were partially removed by washing the gas with an aqueous potassium hydroxide solution, and then the gas was distilled off to obtain crude pentafluoroethane. The obtained jofentafluoroethane was analyzed by gas chromatography and found to have the composition shown in Table 2.

화합물compound 농도(부피%)Concentration (% by volume) CF3CHF2 CF 3 CHF 2 99.952299.9522 CF3CClF2 CF 3 CClF 2 0.00810.0081 CF3CH2FCF 3 CH 2 F 0.00180.0018 CF3CH3 CF 3 CH 3 0.00880.0088 CH2F2 CH 2 F 2 0.02460.0246 CHF3 CHF 3 0.00190.0019 CHClF2 CHClF 2 0.00200.0020 CH3ClCH 3 Cl 0.00870.0087

조 펜타플루오로에탄의 제조예 3Preparation Example 3 of Crude Pentafluoroethane

(원료예 3)(Raw material example 3)

원료예 2에서 얻어진 조 펜타플루오로에탄에 CH2F2 및 CH3Cl을 더 첨가하여 조 펜타플루오로에탄 원료 3을 제조하였다. 이것을 가스크로마토그래피로 분석하여, 표 3에 나타낸 조성을 갖는 것을 발견하였다.To the crude pentafluoroethane obtained in Raw Material Example 2, CH 2 F 2 and CH 3 Cl were further added to prepare crude pentafluoroethane Raw Material 3. This was analyzed by gas chromatography and found to have the composition shown in Table 3.

화합물compound 농도(부피%)Concentration (% by volume) CF3CHF2 CF 3 CHF 2 99.632299.6322 CF3CClF2 CF 3 CClF 2 0.00810.0081 CF3CH2FCF 3 CH 2 F 0.00180.0018 CF3CH3 CF 3 CH 3 0.00870.0087 CH2F2 CH 2 F 2 0.23250.2325 CHF3 CHF 3 0.00190.0019 CHClF2 CHClF 2 0.00200.0020 CH3ClCH 3 Cl 0.11280.1128

실시예 1Example 1

제올라이트(분자체 4A(Union Showa K.K. 제작, 평균 세공 크기: 3.5Å, 실리카/알루미늄비=1.0))(20g)를, 200ml 스테인레스제의 실린더에 채우고, 진공 건조시켰다. 상기 실린더를 냉각시키면서, 여기에, 원료예 1의 조 펜타플루오로에탄을 약 100g 채우고, 온도를 -10℃로 유지하면서 간헐적으로 교반하였다. 약 20시간 후, 가스크로마토그래피에 의해 상기 액상부를 분석하였다. 분석 결과를 표 4에 나타낸다.Zeolite (molecular sieve 4A (manufactured by Union Showa K.K., average pore size: 3.5 GPa, silica / aluminum ratio = 1.0)) (20 g) was filled in a cylinder made of 200 ml stainless steel, and vacuum dried. While cooling the said cylinder, about 100 g of crude pentafluoroethane of the raw material example 1 was filled here, and it stirred intermittently, maintaining the temperature at -10 degreeC. After about 20 hours, the liquid phase was analyzed by gas chromatography. Table 4 shows the analysis results.

화합물compound 농도(부피%)Concentration (% by volume) CF3CHF2 CF 3 CHF 2 99.897999.8979 CF3CClF2 CF 3 CClF 2 0.00820.0082 CF3CH2FCF 3 CH 2 F 0.00210.0021 CF3CH3 CF 3 CH 3 0.08800.0880 CH2F2 CH 2 F 2 0.00010.0001 CHF3 CHF 3 0.00150.0015 CHClF2 CHClF 2 0.00190.0019 CH3ClCH 3 Cl 0.00030.0003

표 4에 나타낸 분석 결과로부터 명백하듯이, CH2F2 및 CH3Cl을 선택적으로 흡착시켜 제거시킬 수 있었다.As is apparent from the analysis results shown in Table 4, CH 2 F 2 and CH 3 Cl could be selectively adsorbed and removed.

실시예 2Example 2

실시예 1과 동일한 방법으로 분자체 4A(20g)를 200ml 스테인레스제 실린더에 넣고, 진공 건조시켰다. 상기 실린더를 냉각시키면서, 여기에 원료예 2의 조 펜타플루오로에탄을 약 100g 채우고, 온도를 실온(20℃)으로 유지하면서 간헐적으로 교반하였다. 약 20시간 후, 액상부를 가스크로마토그래피로 분석하였다. 분석 결과를 표 5에 나타낸다.


In the same manner as in Example 1, molecular sieve 4A (20 g) was placed in a 200 ml stainless cylinder and vacuum dried. While cooling the cylinder, about 100 g of crude pentafluoroethane of Raw Material Example 2 was filled therein, and the mixture was stirred intermittently while maintaining the temperature at room temperature (20 ° C). After about 20 hours, the liquid phase was analyzed by gas chromatography. Table 5 shows the analysis results.


화합물compound 농도(부피%)Concentration (% by volume) CF3CHF2 CF 3 CHF 2 99.979099.9790 CF3CClF2 CF 3 CClF 2 0.00820.0082 CF3CH2FCF 3 CH 2 F 0.00170.0017 CF3CH3 CF 3 CH 3 0.00870.0087 CH2F2 CH 2 F 2 0.00010.0001 CHF3 CHF 3 0.00090.0009 CHClF2 CHClF 2 0.00120.0012 CH3ClCH 3 Cl 0.00020.0002

표 5에 나타낸 분석 결과로부터 명백하듯이, 99.97부피% 이상의 순도를 갖는 고순도 펜타플루오로에탄을 얻었다.As is clear from the analytical results shown in Table 5, high purity pentafluoroethane having a purity of 99.97% by volume or more was obtained.

실시예 3Example 3

실시예 1과 동일한 방법으로 분자체 4A(30g)를 200ml 스테인레스제 실린더에 채웠다. 상기 실린더를 냉각시키면서, 여기에 원료예 3의 조 펜타플루오로에탄을 약 100g 채우고, 진공 건조 시킨 후, 온도를 실온(25℃)으로 유지하면서 간헐적으로 교반하였다. 약 20시간 후, 액상부를 가스크로마토그래피로 분석하였다. 분석 결과를 표 6에 나타낸다.In the same manner as in Example 1, molecular sieve 4A (30 g) was charged to a 200 ml stainless cylinder. While cooling the cylinder, about 100 g of crude pentafluoroethane of the raw material example 3 was filled therein and dried in vacuo, and then the mixture was stirred intermittently while maintaining the temperature at room temperature (25 ° C). After about 20 hours, the liquid phase was analyzed by gas chromatography. Table 6 shows the analysis results.

화합물compound 농도(부피%)Concentration (% by volume) CF3CHF2 CF 3 CHF 2 99.978999.9789 CF3CClF2 CF 3 CClF 2 0.00820.0082 CF3CH2FCF 3 CH 2 F 0.00160.0016 CF3CH3 CF 3 CH 3 0.00870.0087 CH2F2 CH 2 F 2 0.00110.0011 CHF3 CHF 3 0.00060.0006 CHClF2 CHClF 2 0.00080.0008 CH3ClCH 3 Cl 0.00010.0001

실시예 4 Example 4                 

탄소질의 흡착제(Takeda Chemical Industries, Ltd. 제작의 분자체 탄소, 평균 세공 크기: 4Å)(20g)를 200ml 스테인레스제 실린더에 채우고, 진공 건조시켰다. 상기 실린더를 냉각시키면서, 원료예 1의 조 펜타플루오로에탄을 약 100g 채우고, 온도를 -20℃로 유지하면서, 간헐적으로 교반하였다. 약 20시간 후, 액상부를 가스크로마토그래피로 분석하였다. 분석 결과를 표 7에 나타낸다.A carbonaceous adsorbent (molecular sieve carbon manufactured by Takeda Chemical Industries, Ltd., average pore size: 4 mm 3) (20 g) was charged into a 200 ml stainless cylinder, and vacuum dried. While cooling the cylinder, about 100 g of crude pentafluoroethane of Raw Material Example 1 was filled, and the mixture was stirred intermittently while maintaining the temperature at -20 ° C. After about 20 hours, the liquid phase was analyzed by gas chromatography. Table 7 shows the analysis results.

화합물compound 농도(부피%)Concentration (% by volume) CF3CHF2 CF 3 CHF 2 99.899299.8992 CF3CClF2 CF 3 CClF 2 0.00820.0082 CF3CH2FCF 3 CH 2 F 0.00230.0023 CF3CH3 CF 3 CH 3 0.08800.0880 CH2F2 CH 2 F 2 0.00030.0003 CHF3 CHF 3 0.00060.0006 CHClF2 CHClF 2 0.00120.0012 CH3ClCH 3 Cl 0.00020.0002

표 7에 나타낸 분석 결과로부터 명백하듯이, CH2F2 및 CH3Cl을 선택적으로 흡착시켜 제거시킬 수 있다.As is apparent from the analytical results shown in Table 7, CH 2 F 2 and CH 3 Cl can be selectively adsorbed and removed.

실시예 5Example 5

실시예 1에서 사용된 분자체 4A(15g) 및 실시예 4에서 사용된 15g의 분자체 탄소를 혼합시켜 200ml 스테인레스제 실린더에 채우고, 진공 건조시켰다. 상기 실린더를 냉각시키면서, 여기에 원료예 3의 조 펜타플루오로에탄을 약 100g 채우고, 온도를 실온(25℃)으로 유지하면서 간헐적으로 교반하였다. 약 20시간 후, 액상부를 가스크로마토그래피로 분석하였다. 분석 결과를 표 8에 나타낸다.
Molecular sieve 4A (15 g) used in Example 1 and 15 g of molecular sieve carbon used in Example 4 were mixed, filled into a 200 ml stainless cylinder, and vacuum dried. While cooling the cylinder, about 100 g of crude pentafluoroethane of Raw Material Example 3 was filled therein, and the mixture was stirred intermittently while maintaining the temperature at room temperature (25 ° C). After about 20 hours, the liquid phase was analyzed by gas chromatography. Table 8 shows the analysis results.

화합물compound 농도(부피%)Concentration (% by volume) CF3CHF2 CF 3 CHF 2 99.978699.9786 CF3CClF2 CF 3 CClF 2 0.00820.0082 CF3CH2FCF 3 CH 2 F 0.00170.0017 CF3CH3 CF 3 CH 3 0.00880.0088 CH2F2 CH 2 F 2 0.00040.0004 CHF3 CHF 3 0.00070.0007 CHClF2 CHClF 2 0.00130.0013 CH3ClCH 3 Cl 0.00030.0003

비교예 1Comparative Example 1

제올라이트(분자체 13X(Union Showa K.K. 제작, 평균 세공 크기: 10Å, 실리카/알루미늄비=1.2))(20g)를 200ml 스테인레스제 실린더에 채우고, 진공 건조시켰다. 상기 실린더를 냉각시키면서, 여기에, 원료예 2의 조 펜타플루오로에탄을 약 100g 채우고, 온도를 실온(25℃)으로 유지하면서 간헐적으로 교반하였다. 약 20시간 후, 액상부를 가스크로마토그래피로 분석하였다. 분석 결과를 표 9에 나타낸다.Zeolite (molecular sieve 13X (manufactured by Union Showa K.K., average pore size: 10 μs, silica / aluminum ratio = 1.2)) (20 g) was charged to a 200 ml stainless cylinder and vacuum dried. While cooling the said cylinder, about 100 g of crude pentafluoroethane of the raw material example 2 was filled here, and it stirred intermittently, maintaining the temperature at room temperature (25 degreeC). After about 20 hours, the liquid phase was analyzed by gas chromatography. Table 9 shows the analysis results.

화합물compound 농도(부피%)Concentration (% by volume) CF3CHF2 CF 3 CHF 2 99.945299.9452 CF3CClF2 CF 3 CClF 2 0.00820.0082 CF3CH2FCF 3 CH 2 F 0.00020.0002 CF3CH3 CF 3 CH 3 0.00900.0090 CH2F2 CH 2 F 2 0.02510.0251 CHF3 CHF 3 0.00120.0012 CHClF2 CHClF 2 0.00210.0021 CH3ClCH 3 Cl 0.00900.0090

표 9에 나타낸 분석 결과로부터 명백하듯이, 실리카/알루미늄비가 2.0이하일지라도, 평균 세공 크기가 6Å를 초과하면, 선택적 흡착과 제거를 얻을 수 없었다.As apparent from the analysis results shown in Table 9, even if the silica / aluminum ratio was 2.0 or less, when the average pore size exceeded 6 mm 3, selective adsorption and removal could not be obtained.

비교예 2 Comparative Example 2                 

활성탄(입상 Shirosagi KL(Takeda Chemical Industries, Ltd. 제작, 평균 세공 크기: 35Å))(20g)을 200ml 스테인레스제 실린더에 채우고, 진공 건조시켰다. 상기 실린더를 냉각시키면서, 여기에, 원료예 2의 조 펜타플루오로에탄을 약 100g 채우고, 온도를 실온(25℃)으로 유지하면서 간헐적으로 교반하였다. 약 20시간 후, 액상부를 가스크로마토그래피로 분석하였다. 비교예 1과 동일하게 선택적 흡착 및 제거를 얻을 수 없었고, CH2F2 또는 CH3Cl 함량의 저감을 얻을 수 없었다. Activated carbon (granular Shirosagi KL (manufactured by Takeda Chemical Industries, Ltd., average pore size: 35 mm 3)) (20 g) was charged to a 200 ml stainless cylinder, and vacuum dried. While cooling the said cylinder, about 100 g of crude pentafluoroethane of the raw material example 2 was filled here, and it stirred intermittently, maintaining the temperature at room temperature (25 degreeC). After about 20 hours, the liquid phase was analyzed by gas chromatography. As in Comparative Example 1, selective adsorption and removal could not be obtained, and a reduction in the content of CH 2 F 2 or CH 3 Cl could not be obtained.

비교예 3Comparative Example 3

200ml 스테인레스제 실린더에 제올라이트(H-ZSM-5(N.E. Chemcat Corporation제작, 평균 세공 크기: 6Å, 실리카/알루미늄비=15))를 채우는 것을 제외하고는, 비교예 1과 동일한 조건 하에 동일한 조작으로 정제를 수행하였다. 분석 결과로서, CH2F2 또는 CH3Cl 함량의 저감은 확인되지 않았다.Purification was carried out under the same conditions as in Comparative Example 1, except that a 200 ml stainless cylinder was filled with zeolite (H-ZSM-5 (manufactured by NE Chemcat Corporation, average pore size: 6 μs, silica / aluminum ratio = 15)). Was performed. As a result of the analysis, no reduction of the CH 2 F 2 or CH 3 Cl content was confirmed.

상기한 바와 같이, 본 발명의 정제방법을 사용하면, 고순도 펜타플루오로에탄을 얻을 수 있다. 본 발명에 따라 얻어진 펜타플루오로에탄은 저온 냉매 또는 고순도 헥사플루오로에탄의 제조를 위한 원료로서 사용할 수 있다.As described above, when the purification method of the present invention is used, high purity pentafluoroethane can be obtained. The pentafluoroethanes obtained according to the invention can be used as raw materials for the preparation of low temperature refrigerants or high purity hexafluoroethanes.

Claims (13)

1개의 탄소원자를 함유하는 히드로플루오로카본류, 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로클로로플루오로카본류, 및 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로클로로카본류로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 함유하는 조 펜타플루오로에탄을 3∼6Å의 평균 세공 크기 및 2.0 이하의 실리카/알루미늄비를 갖는 제올라이트 및/또는 3.5∼6Å의 평균 세공 크기를 갖는 탄소질의 흡착제를 포함하는 흡착제와 접촉시켜, 조 펜타플루오로에탄 중에 불순물로서 함유된 상기 화합물의 함량을 저감시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법.Crude pentafluoro containing at least one compound selected from the group consisting of hydrofluorocarbons containing one carbon atom, hydrochlorofluorocarbons containing one carbon atom, and hydrochlorocarbons containing one carbon atom The ethane is contacted with an adsorbent comprising a zeolite having an average pore size of 3 to 6 GPa and a silica / aluminum ratio of 2.0 or less and / or a carbonaceous adsorbent having an average pore size of 3.5 to 6 GPa and impurity in crude pentafluoroethane. Method for purifying pentafluoroethane, characterized in that it comprises a step of reducing the content of the compound contained as. 제 1항에 있어서, 상기 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로플루오로카본류는 플루오로메탄, 디플루오로메탄 및 트리플루오로메탄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법.The method for purifying pentafluoroethane according to claim 1, wherein the hydrofluorocarbons containing one carbon atom are selected from the group consisting of fluoromethane, difluoromethane and trifluoromethane. 제 1항에 있어서, 상기 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로클로로플루오로카본류는 클로로디플루오로메탄인 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법.The method for purifying pentafluoroethane according to claim 1, wherein the hydrochlorofluorocarbons containing one carbon atom are chlorodifluoromethane. 제 1항에 있어서, 상기 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로클로로카본류는 클로로메탄, 디클로로메탄 및 트리클로로메탄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법.The method for purifying pentafluoroethane according to claim 1, wherein the hydrochlorocarbons containing one carbon atom are selected from the group consisting of chloromethane, dichloromethane and trichloromethane. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 조 펜타플루오로에탄 중에 불순물로서 함유된 상기 화합물의 총함량이 1부피% 이하인 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법.The method for purifying pentafluoroethane according to any one of claims 1 to 4, wherein the total content of the compound contained as impurities in the crude pentafluoroethane is 1% by volume or less. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 1MPa 이하의 압력 하에 조 펜타플루오로에탄을 상기 흡착제와 접촉시키는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법.The method for purifying pentafluoroethane according to any one of claims 1 to 4, wherein crude pentafluoroethane is brought into contact with the adsorbent under a pressure of 1 MPa or less. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 조 펜타플루오로에탄 중에 불순물로서 함유된 상기 화합물의 총함량을 150부피ppm 이하로 저감시키는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법.The method for purifying pentafluoroethane according to any one of claims 1 to 4, wherein the total content of the compound contained as impurities in the crude pentafluoroethane is reduced to 150 vol ppm or less. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 조 펜타플루오로에탄 중에 불순물로서 함유된 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로플루오로카본류의 총함량을 100부피ppm 이하로 저감시키는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법.The penta according to any one of claims 1 to 4, wherein the total content of hydrofluorocarbons containing one carbon atom contained as an impurity in crude pentafluoroethane is reduced to 100 vol ppm or less. Method for Purifying Fluoroethane. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 조 펜타플루오로에탄 중에 불순물로서 함유된 1개의 탄소원자를 함유하는 히드로클로로카본류의 총함량을 50부 피ppm 이하로 저감시키는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법. The total content of hydrochlorocarbons containing one carbon atom contained as an impurity in crude pentafluoroethane is reduced to 50 parts by ppm or less. Method for Purifying Pentafluoroethane. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 조 펜타플루오로에탄은,The crude pentafluoroethane according to any one of claims 1 to 4, wherein (1)테트라클로로에틸렌, 2,2-디클로로-1,1,1-트리플루오로에탄 및 2-클로로-1,1,1,2-테트라플루오로에탄으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 불소화 촉매의 존재 하에 불화수소와 반응시켜 펜타플루오로에탄을 얻는 공정; 및(1) fluorinated at least one member selected from the group consisting of tetrachloroethylene, 2,2-dichloro-1,1,1-trifluoroethane and 2-chloro-1,1,1,2-tetrafluoroethane Reacting with hydrogen fluoride in the presence of a catalyst to obtain pentafluoroethane; And (2)공정(1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 수소와 접촉시키는 공정, 공정 (1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 산소 및/또는 산소 함유 화합물과 접촉시키는 공정, 또는 공정(1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 수소와 접촉시키고, 이어서, 산소 및/또는 산소 함유 화합물과 접촉시키는 공정을 포함하는 방법에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 정제방법.(2) contacting pentafluoroethane obtained in step (1) with hydrogen; contacting pentafluoroethane obtained in step (1) with oxygen and / or an oxygen-containing compound, or obtained in step (1) A method for purifying pentafluoroethane, which is obtained by a method comprising contacting pentafluoroethane with hydrogen and then contacting oxygen and / or an oxygen-containing compound. (1)테트라클로로에틸렌, 2,2-디클로로-1,1,1-트리플루오로에탄 및 2-클로로-1,1,1,2-테트라플루오로에탄으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 불소화 촉매의 존재 하에 불화수소와 반응시켜 펜타플루오로에탄을 얻는 공정; (1) fluorinated at least one member selected from the group consisting of tetrachloroethylene, 2,2-dichloro-1,1,1-trifluoroethane and 2-chloro-1,1,1,2-tetrafluoroethane Reacting with hydrogen fluoride in the presence of a catalyst to obtain pentafluoroethane; (2)공정(1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 수소와 접촉시키는 공정, 공정 (1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 산소 및/또는 산소 함유 화합물과 접촉시키는 공정, 또는 공정(1)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 수소와 접촉시키고, 이어서 산소 및/또는 산소 함유 화합물과 접촉시키는 공정; 및(2) contacting pentafluoroethane obtained in step (1) with hydrogen; contacting pentafluoroethane obtained in step (1) with oxygen and / or an oxygen-containing compound, or obtained in step (1) Contacting pentafluoroethane with hydrogen, followed by contact with oxygen and / or an oxygen containing compound; And (3)공정(2)에서 얻어진 펜타플루오로에탄을 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 기재된 방법을 사용하여 정제시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 펜타플루오로에탄의 제조방법.(3) A process for producing pentafluoroethane comprising the step of purifying the pentafluoroethane obtained in the step (2) using the method according to any one of claims 1 to 4. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 기재된 방법을 사용하여 정제된 펜타플루오로에탄과 불소 가스를 반응시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 헥사플루오로에탄의 제조방법.A method for producing hexafluoroethane comprising the step of reacting purified pentafluoroethane with fluorine gas using the method according to any one of claims 1 to 4. 삭제delete
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