KR100580390B1 - 액정 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

기판 위에 게이트선이 형성되어 있고, 게이트선을 게이트 절연막이 덮고 있으며, 게이트 절연막 위에는 공통 전극이 형성되어 있다. 게이트 절연막보다 얇은 두께의 층간 절연막이 공통 전극을 덮고 있고, 일부 게이트선 상부의 층간 절연막 위에 비정질 규소 패턴이 일부 형성되어 있다. 또한, 비정질 규소 패턴을 중심으로 양 가장자리에는 소스 전극 및 드레인 전극이 중첩되어 있고, 비정질 규소 패턴과 소스 및 드레인 전극이 중첩하는 부분에는 금속막과 반도체막간의 접촉 특성을 향상시키기 위한 오믹 접촉층인 도핑된 비정질 규소 패턴이 형성되어 있다. 또한, 층간 절연막 위에는 화소 전극이 공통 전극과 비껴 형성되어 있다. 소스 및 드레인 전극 및 화소 전극을 보호막이 덮고 있으며, 데이터선 단선을 방지하기 위해, 데이터선 상부의 보호막 위에 데이터선을 따라 보조 데이터선이 형성되어 있다.

Description

액정 표시 장치
본 발명은 횡전계 구동 방식의 액정 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치는 두 장의 기판 사이에 액정을 주입하고, 여기에 가하는 전장의 세기를 조절하여 광 투과량을 조절하는 구조로 되어 있다.
두 기판 사이에서 액정 분자의 장축의 방향이 연속적으로 변화하는 구조를 가지고 있는 비틀린 네마틱(twisted nematic:TN) 방식의 액정 표시 장치에서는, 노멀리 블랙 모드(normally black mode)인 경우 전기장이 인가되지 않은 상태에서 입사한 빛이 완전히 차단되지 않기 때문에 대비비가 좋지 않다.
이와는 달리, 횡전계 구동 방식 액정 표시 장치는 한 기판 위에 대향 전극과 화소 전극이 모두 형성되어 있는 방식의 액정 표시 장치로서, 전압이 인가되면 기판에 대해 수평한 방향의 전계가 형성되고 액정 분자들은 수평 전계에 따라 기판과 평행한 면 내에서 회전한다. 따라서, 거시적으로 관찰되는 액정의 굴절율이 다른 방식의 표시 장치에 비해 작게되어 향상된 대비비 및 넓은 시야각을 구현할 수 있다.
이러한 종래의 횡전계 구동 방식 액정 표시 장치에 대하여 다음에서 설명한다.
도 1은 종래의 기술에 따른 횡전계 구동 방식 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 2는 도 1의 II-II 선에 대한 단면도이고, 도 3은 도 1의 III-III' 선에 대한 단면도이다.
도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 기판(1) 위에 가로 방향으로 게이트선(100)이 형성되어 있고, 게이트선(100)과 평행하게 제1 공통 전극선(121) 및 제2 공통 전극선(122)이 형성되어 있으며, 제1 및 제2 공통 전극선(121, 122)을 잇는 형태로 공통 전극(123)이 세로 방향으로 형성되어 있다.
게이트선(100), 제1 및 제2 공통 전극선(121, 122) 및 공통 전극(123)을 게이트 절연막(2)이 덮고 있다.
게이트선(100) 일부 상부의 게이트 절연막(2) 위에 비정질 규소 패턴(310)이 형성되어 있는데, 비정질 규소 패턴(310) 하부에 놓인 게이트선(100)은 게이트 전극이 된다.
또한, 게이트 절연막(2) 위에는 세로 방향으로 데이터선(400)이 형성되어 있고, 데이터선(400)으로부터 연장된 소스 전극(410)이 비정질 규소 패턴(310)의 한쪽 가장자리와 중첩되어 있으며, 소스 전극(410)의 반대편에서는 드레인 전극(420)이 비정질 규소 패턴(310)의 가장자리와 중첩되어 있다. 비정질 규소 패턴(310)과 소스 및 드레인 전극(420)이 중첩하는 부분에는 오믹 접촉(Ohmic contact)층인 도핑된 비정질 규소 패턴(320)이 형성되어 있다.
드레인 전극(420)으로부터 일부가 연장되어 제1 공통 전극선(121)과 중첩되는 형태로 제1 화소 전극선(430)이 형성되어 있으며, 제2 공통 전극선(122)과 중첩되는 제2 화소 전극선(450)이 제1 화소 전극선(430)과 나란하게 형성되어 있다. 제1 및 제2 화소 전극선(430, 450)을 연결하는 화소 전극(440)이 공통 전극(123)의 사이에 공통 전극(123)과 나란하게 형성되어 있다. 이때, 서로 중첩되는 제1 및 제2 화소 전극선(430, 450)과 제1 및 제2 공통 전극선(121, 122) 사이에서는 유지 용량이 형성된다.
데이터선(400), 소스 및 드레인 전극(410, 420), 제1 및 제2 화소 전극선(430, 450) 및 화소 전극(440)을 보호막(3)이 덮고 있다.
데이터선(400)의 단선을 방지하기 위해, 데이터선(400) 상부의 보호막(3) 위에 데이터선(400)을 따라 보조 데이터선(500)이 더 형성되어 있을 수도 있다.
이러한 종래의 액정 표시 장치에서는 제1 및 제2 공통 전극선(430, 450) 및 공통 전극(123) 등의 공통 배선과 게이트선(100) 등과 같은 게이트 배선이 같은 층에 형성되어 있기 때문에 파티클(paticle) 등에 의해 두 배선 사이의 단락이 발생하기 쉽다. 이 경우, 단락 지점을 찾아내는 것이 어려워 레이저 조사 방법으로 수리를 하는 것이 쉽지 않다.
게다가, 데이터선(400) 등의 데이터 배선과 게이트 배선 사이에는 게이트 절연막(2) 한층이 개재되어 있어서, 데이터선(400) 등을 형성하는 과정에서 식각액이 게이트 절연막(2)을 통과하여 게이트 배선층까지 침투하고 게이트 배선이 단선되는 등의 손상을 가한다.
또한, 종래의 기술에 따른 액정 표시 장치에서는 도 3에 도시한 바와 같이 게이트 절연막(2)을 사이에 두고 중첩되어 있는 화소 전극선(450) 및 공통 전극선(122)이 서로 중첩되는 면적을 증감시켜 유지 용량의 크기를 조절한다. 따라서, 비교적 충분한 유지 용량을 형성하기 위해서는 화소 전극선(450) 및 공통 전극선(122)을 넓게 형성하여야 하므로 개구율이 줄어든다.
본 발명의 과제는 게이트 배선과 공통 전극 배선 사이의 단락을 줄이는 것이다.
본 발명의 다른 과제는 개구율의 감소 없이 유지 용량을 증가시키는 것이다.
이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 횡전계 구동 방식 액정 표시 장치에서는 공통 전극과 게이트 배선을 다른 층에 형성한다.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는 절연 기판 위에 주사 신호가 인가되는 게이트선이 형성되어 있고, 게이트선과 다른 층에 공통 전압이 인가되는 공통 전극이 형성되어 있으며, 화상 신호가 인가되는 화소 전극이 공통 전극과 나란하게 비껴 형성되어 있다.
여기에서, 게이트선을 게이트 절연막이 덮고 있고, 공통 전극과 화소 전극 사이에 층간 절연막이 형성되어 있는 것이 바람직한데, 공통 전극 또는 화소 전극이 게이트 절연막 위에 형성되어 있을 수 있다.
공통 전극과 연결되어 있는 공통 전극선이 가로 방향으로 형성되어 있고, 화소 전극과 연결되는 화소 전극선이 공통 전극과 중첩되어 유지 용량을 형성할 수 있다. 이때, 두 전극선 사이의 층간 절연막의 두께는 게이트 절연막의 두께보다 얇게 형성되어 있는 것이 바람직하다.
화소 전극과 같은 층에 데이터선이 형성되어 있으며, 데이터선의 단선을 방지하기 위한 보조 데이터선이 화소 전극 및 데이터선을 덮고 있는 보호막 위에 형성되어 있을 수도 있다. 또한, 보조 데이터선은 데이터선과 전기적으로 연결되어 있을 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는 공통 전극이 기판 위에 형성되어 있고, 게이트선과는 절연막을 사이에 두고 분리되어 있다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 횡전계 구동 방식 액정 표시 장치에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세하게 설명한다.
먼저, 본 발명의 실시예에 따른 횡전계 구동 방식 액정 표시 장치의 구조에 대하여 도 4 내지 도 6을 참고로 설명한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 횡전계 구동 방식의 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 5는 도 4의 V-V' 선에 대한 단면도이며, 도 6은 도 4의 VI-VI' 선에 대한 단면도로서, 공통 전극 배선과 게이트 배선이 다른 층에 형성되어 있는 구조를 보여준다.
도 4 내지 도 5에 도시한 바와 같이, 기판(1) 위에 주사 신호를 인가하기 위한 게이트선(100)이 가로 방향으로 형성되어 있고, 게이트선(100)을 게이트 절연막(2)이 덮고 있다.
게이트 절연막(2) 위에는 공통 전압을 인가하기 위한 제1 공통 전극선(210) 및 제2 공통 전극선(220)이 게이트선(100)과 평행하게 형성되어 있고, 제1 및 제2 공통 전극선(210, 220)을 잇는 형태로 공통 전극(230)이 세로 방향으로 형성되어 있으며, 제1 및 제2 공통 전극선(210, 220) 및 공통 전극(230)을 층간 절연막(4) 덮고 있다. 이때, 층간 절연막(4)은 게이트 절연막(2)보다 얇은 두께로 형성되어 있다.
게이트선(100) 상부의 층간 절연막(4) 위에 비정질 규소 패턴(310)이 일부 형성되어 있다. 이때, 비정질 규소 패턴(310) 하부에 놓인 게이트선(100)이 게이트 전극의 역할을 한다.
또한, 층간 절연막(2) 위에는 화상 신호를 인가하기 위한 데이터선(400)이 세로 방향으로 형성되어 있고, 데이터선(400)으로부터 연장된 소스 전극(410)이 비정질 규소 패턴(310)의 한쪽 가장자리와 중첩되어 있으며, 소스 전극(410)의 반대편에서는 드레인 전극(420)이 비정질 규소 패턴(310)의 가장자리와 중첩되어 있다. 비정질 규소 패턴(310)과 소스 및 드레인 전극(420)이 중첩하는 부분에는 오믹 접촉층인 도핑된 비정질 규소 패턴(320)이 형성되어 있다.
드레인 전극(420)으로부터 일부가 연장되어 제1 공통 전극선(210)과 중첩되는 형태로 제1 화소 전극선(431)이 형성되어 있으며, 제2 공통 전극선(220)과 중첩되는 제2 화소 전극선(451)이 제1 화소 전극선(431)과 나란하게 형성되어 있다. 제1 및 제2 화소 전극선(430, 450)을 연결하는 화소 전극(440)이 공통 전극(230)의 사이에 엇갈리는 형태로 공통 전극(230)과 나란하게 비껴 형성되어 있다. 이때, 서로 중첩되는 제1 및 제2 화소 전극선(431, 451)과 제1 및 제2 공통 전극선(210, 220) 사이에서는 유지 용량이 형성된다.
데이터선(400), 소스 및 드레인 전극(410, 420), 제1 및 제2 화소 전극선(431, 451) 및 화소 전극(440)을 보호막(3)이 덮고 있다.
데이터선(400)의 단선을 방지하기 위해, 데이터선(400) 상부의 보호막(3) 위에 데이터선(400)을 따라 보조 데이터선(500)이 더 형성되어 있을 수도 있다.
이처럼, 공통 전극(230), 제1 및 제2 공통 전극선(210, 220) 등의 공통 전극 배선과 게이트선(100) 등의 게이트 배선이 서로 다른 층에 형성되어 있기 때문에 공통 전극 배선과 게이트 배선 사이에 단락이 발생할 우려가 없다. 또한, 게이트 배선과 데이터 배선 사이에 층간 절연막(4) 층이 하나 더 생기므로, 데이터 배선 식각액 등에 의한 게이트 배선이 단선되는 등의 결함이 발생하지 않는다.
또한, 도 6에 도시한 바와 같이, 화소 전극선(451)과 공통 전극선(220)은 게이트 절연막(2)보다 얇은 층간 절연막(4)을 사이에 두고 중첩되어 있으므로, 종래의 구조보다 유지 용량을 확보하는데 이점이 있다. 다시 말해, 화소 전극선(451)과 공통 전극선(220)을 좁게 형성하여 두 선(451, 220) 사이의 중첩 면적을 작게 가져가더라도 액정 표시 장치의 구동시 필요로 하는 만큼의 충분한 유지 용량을 형성하는 것이 가능하다. 결과적으로, 개구율도 향상된다.
도 7 및 도 8은 도 4의 V-V' 선에 대한 다른 단면도이다.
도 7에 도시한 바와 같이, 기판(1) 위에 제1 및 제2 공통 전극선(210, 230) 및 공통 전극(230) 등의 공통 전극 배선이 형성되어 있고, 그 위에 절연막(5)이 덮여 있으며, 이 절연막(5) 위에 게이트선(100)이 형성되어 있다. 즉, 공통 전극 배선이 게이트 배선 및 화소 전극(440)이 형성되어 있는 층보다 하부에 형성되어 있을 수 있다.
도 8에서와 같이, 공통 전극 배선이 화소 전극(440)이 형성되어 있는 보호막(3) 위에 보조 데이터선(500)과 같은 층 또는 다른 층에 형성되어 있고, 그 위에 절연막(5)이 형성되어 있을 수도 있다.
도 7 및 도 8의 구조에서는, 공통 전극 배선이 게이트 배선과 다른 층에 형성되어 있어서 공통 전극 배선과 게이트 배선과의 단락이 발생하지 않는다.
이상에서와 같이, 본 발명에 따른 횡전계 구동 방식 액정 표시 장치에서는 게이트선의 단선, 게이트선과 공통 전극 배선의 단락 등의 결함이 줄어들고 개구율도 향상된다.
도 1은 종래의 기술에 따른 횡전계 구동 방식의 액정 표시 장치의 배치도이고,
도 2는 도 1의 II-II' 선에 대한 단면도이고,
도 3은 도 1의 III-III' 선에 대한 단면도이고,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 횡전계 구동 방식의 액정 표시 장치의 배치도이고,
도 5는 도 4의 V-V' 선에 대한 단면도이고,
도 6은 도 4의 VI-VI' 선에 대한 단면도이고,
도 7은 도 4의 V-V 선에 대한 다른 단면도이고,
도 8은 도 4의 V-V' 선에 대한 또 다른 단면도이다.

Claims (12)

  1. 절연 기판,
    상기 절연 기판 위에 형성되어 있으며 주사 신호가 인가되는 게이트선,
    상기 절연 기판의 위이며, 상기 게이트선과 다른 층에 세로 방향으로 형성되어 있으며 공통 전압이 인가되는 공통 전극,
    상기 공통 전극과 나란하게 비껴 형성되어 있고, 상기 공통 전극과 서로 다른 층에 형성되어 있으며, 화상 신호가 인가되는 화소 전극
    을 포함하는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 게이트선을 덮고 있는 게이트 절연막, 상기 공통 전극과 상기 화소 전극 사이에 형성되어 있는 층간 절연막을 더 포함하며,
    상기 공통 전극은 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 공통 전극과 연결되어 있으며 가로 방향으로 형성되어 있는 공통 전극선, 상기 화소 전극과 연결되어 있으며 상기 공통 전극과 중첩되어 유지 용량을 형성하는 화소 전극선을 더 포함하며,
    상기 층간 절연막의 두께는 상기 게이트 절연막의 두께보다 얇게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  4. 제2항에서,
    상기 화소 전극과 같은 층에 상기 화소 전극과 나란하게 형성되어 있는 제1 데이터선, 상기 화소 전극 및 상기 제1 데이터선을 덮는 보호막, 상기 보호막 위에 상기 제1 데이터선을 따라 형성되어 있는 제2 데이터선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 제2 데이터선은 상기 보호막에 뚫려 있는 접촉구를 통해 상기 제1 데이터선과 접촉하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 게이트선을 덮고 있는 제1 절연막, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 형성되어 있는 제2 절연막을 더 포함하며,
    상기 화소 전극은 상기 제1 절연막 위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 공통 전극과 연결되어 있으며 가로 방향으로 형성되어 있는 공통 전극선, 상기 화소 전극과 연결되어 있으며 상기 공통 전극과 중첩되어 유지 용량을 형성하는 화소 전극선을 더 포함하며,
    상기 제2 절연막의 두께는 상기 제1 절연막의 두께보다 얇게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  8. 제6항에서,
    상기 화소 전극과 같은 층에 상기 화소 전극과 나란하게 형성되어 있는 제1 데이터선, 상기 화소 전극 및 상기 제1 데이터선을 덮으며 상기 제1 절연막과 상기 제2 절연막 사이에 형성되어 있는 제3 절연막, 상기 제3 절연막 위에 상기 제1 데이터선을 따라 형성되어 있는 제2 데이터선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 제2 데이터선은 상기 제1 데이터선과 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  10. 절연 기판,
    상기 절연 기판 위에 세로 방향으로 형성되어 있으며 공통 전압이 인가되는 공통 전극,
    상기 공통 전극을 덮는 제1 절연막,
    상기 제1 절연막 위에 형성되어 있으며 주사 신호가 인가되는 게이트선,
    상기 게이트선을 덮는 제2 절연막,
    상기 제2 절연막 위에 상기 공통 전극과 나란하게 비껴 형성되어 있으며 화상 신호가 인가되는 화소 전극
    을 포함하는 액정 표시 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 제2 절연막 위에 상기 화소 전극과 나란하게 형성되어 있는 제1 데이터선, 상기 화소 전극 및 상기 제1 데이터선을 덮는 제3 절연막, 상기 제3 절연막 위에 상기 제1 데이터선을 따라 형성되어 있는 제2 데이터선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 제2 데이터선은 상기 제1 데이터선과 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09269497A (ja) * 1996-01-31 1997-10-14 Hosiden Corp 液晶表示素子
KR19980031798A (ko) * 1996-10-31 1998-07-25 김광호 평면 구동 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR19980037086A (ko) * 1996-11-20 1998-08-05 구자홍 액정표시소자
JPH10221705A (ja) * 1997-02-07 1998-08-21 Hoshiden Philips Display Kk 液晶表示素子

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09269497A (ja) * 1996-01-31 1997-10-14 Hosiden Corp 液晶表示素子
KR19980031798A (ko) * 1996-10-31 1998-07-25 김광호 평면 구동 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR19980037086A (ko) * 1996-11-20 1998-08-05 구자홍 액정표시소자
JPH10221705A (ja) * 1997-02-07 1998-08-21 Hoshiden Philips Display Kk 液晶表示素子

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