KR100574061B1 - 친수성 무기도막 형성방법 - Google Patents

친수성 무기도막 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 무기도막 형성방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 무기도료를 저온에서 코팅할 수 있으며, 소성 과정에서 발생하는 화학적 변화에 의하여 모재와의 밀착도 및 도막 특성이 우수한 도막을 형성시키는 무기도막 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은,
1) 무기도료 조성물을 혼합하고 교반하는 단계;
2) 모재를 소정 온도에서 예열 처리하는 단계;
3) 무기도료 조성물을 모재의 표면에 코팅하는 단계;
4) 코팅된 모재를 소정 시간동안 건조하는 단계; 및
5) 건조된 모재를 소정 온도에서 소정 시간동안 소성하는 단계;
를 포함하는 무기도막 형성방법을 제공한다.
무기도료, 친수성, 무기도막 형성방법, 소성

Description

친수성 무기도막 형성방법{Method for forming hydrophilic inorganic layer}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 무기도막 형성방법의 공정도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 소성 공정의 온도 변화 그래프이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 무기도막 형성방법에 의하여 형성되는 도막의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 무기도막 형성방법에 의하여 형성되는 도막 표면 및 내부 구조를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 무기도막 형성방법에 의하여 형성되는 도막의 분자 구조를 입체적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 무기도막 형성방법에 의하여 형성되는 도막 표면에 유기물질이 오염된 경우의 모습을 나타내는 도면이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 도막
20 : 모재
30 : 인산 피막
40 : 유기물질
50 : 수산기(OH) 단분자막
본 발명은 무기도막 형성방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 무기도료를 저온에서 코팅할 수 있으며, 소성 과정에서 발생하는 화학적 변화에 의하여 모재와의 밀착도 및 도막 특성이 우수한 도막을 형성시키는 무기도막 형성방법에 관한 것이다.
종래의 코팅은 법랑의 경우 550 ~ 800℃의 온도에서 소성공정을 진행하므로 그 소성온도가 매우 고온이다. 또한 종래의 코팅방법에 의한 도막은 유기물질로 이루어지며, 그 표면에는 소수성(hydrophobic) 물질이 노출되어 있다. 따라서 유기물질, 예를 들어 각종 기름, 락카 스프레이, 유성 매직 등에 의하여 도막 표면이 오염되는 경우 물로 제거되지 않는 문제점이 있다.
또한 모재와의 밀착도가 모재 표면에 샌딩 처리 등 별도의 처리를 실시하여야 하는 불편함이 있다.
본 발명의 목적은 무기도료를 저온에서 코팅할 수 있는 무기도막 형성방법을 제공함에 있다.
또한 본 발명의 목적은 물을 용제로 사용할 수 있으며, 모재와의 밀착도 및 특성이 우수한 도막을 형성시키며, 도막면에 친수성 단분자막이 형성되는 무기도막 형성방법을 제공함에 있다.
전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
1) 무기도료 조성물을 혼합하고 교반하는 단계;
2) 모재를 소정 온도에서 예열 처리하는 단계;
3) 무기도료 조성물을 모재의 표면에 코팅하는 단계;
4) 코팅된 모재를 소정 시간동안 건조하는 단계; 및
5) 건조된 모재를 소정 온도에서 소정 시간동안 소성하는 단계;
를 포함하는 무기도막 형성방법을 제공한다.
또한 본 발명은, 상기 3), 4), 5) 단계를 적어도 1회 반복하여 실시하도록 하여 형성되는 도막의 두께를 다양하게 할 수 있도록 한다.
또한 본 발명은, 1) 단계 수행전에 모재 표면에 소정의 처리를 실시하는 전처리 단계;를 더 포함하여 모재를 보호하고 도막형성이 효율적으로 이루어지도록 한다.
이때 전처리 공정으로는, 아노다이징(anodizing), 에칭(etching), 탈지 세척 공정 등의 처리가 바람직하다.
또한 본 발명은, 40±10℃의 온도하에서 모재에 대한 예열처리를 수행함으로써, 무기도료 도막의 소성이 용이하게 한다.
또한 본 발명에서는, 무기도료 조성물을 6 ~ 200 ㎛의 두께로 코팅하여 도막을 형성시키는 것이 바람직하다.
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또한 본 발명은,
e) 상기 모재를 제1 소성 온도에서 소정 시간 동안 1차 소성시키는 1차 소성단계;
f) 상기 모재를 제2 소성 온도에서 소정 시간 동안 2차 소성시키는 2차 소성 단계;
g) 소성된 모재를 식히는 단계;
의 소단계로 소성 공정이 이루어지도록 하여 도막이 완벽하게 소성되도록 한다.
이때 제1 소성온도는 110±40℃로 하고, 제2 소성온도는 230±20℃로 하는 것이 바람직하다.
그리고 본 발명에서 사용하는 모재는 230±20℃ 의 온도에서도 변형되지 않는 기재를 사용하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에서 사용하는 무기도료 조성물은 경화제, 베이스, 촉매제를 혼합, 교반하여 이루어지며, 필요에 따라 안료를 더 혼합할 수도 있다.
또한 발명에서는 상기 1) 단계에서, 무기도료 조성물을 40 ~ 100 RPM으로 회전시켜서 교반하도록 한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다.
본 실시예에 따른 무기도막 형성방법은, 모재의 표면에 무기질 도료를 견고하게 코팅하고 소성하는 방법이다. 도 1은 본 실시예에 따른 무기도막 형성방법의 각 공정을 설명하는 공정도이다.
우선 모재 표면에 대한 전처리 공정(P110)이 진행된다. 모재 표면이 깨끗한 하고 오염되지 않은 경우에는 본 공정이 필요하지 않을 수 있다. 다만, 더 우수한 도막을 얻기 위하여 모재 표면에 대한 전처리 공정을 수행하는 것이다.
이러한 전처리 공정으로는 먼저 모재 표면의 불순물을 제거하기 위한 탈지 세척 공정을 들 수 있다. 즉, 모재 표면에 이물질이 묻어 있는 경우에는 그 부분에 대한 코팅이 비정상적으로 발생할 수 있으며, 도막면의 평활성 등에 이상이 발생할 수도 있기 때문이다.
또한 모재 표면에 대한 전처리 공정으로는 아노다이징 또는 에칭을 들 수 있다. 이러한 전처리 공정은 모재 표면이 산화되는 것을 방지하거나 모재 표면에 특정 형상을 형성시키기 위한 것이다. 또한 모재 표면을 고르게 하고, 불순물을 제고하기 위해 샌딩 공정을 거칠수도 있다.
다음으로는 예열 처리공정(P120)이 진행된다. 즉, 모재를 소정 온도로 가열하는 단계이다. 본 실시예에서는 모재를 약 40±10℃ 정도의 온도로 예열한다. 이 단계는 모재 표면에 무기도료 조성물이 효율적으로 코팅되도록 하기 위한 것이다.
다음으로는 코팅 공정이 진행된다. 본 실시예에서는 이 코팅 공정을 1차 코팅단계(P130), 건조단계(P140), 2차 코팅 단계(P150) 등의 소단계로 나누어 수행한다. 즉, 한 번에 도막을 형성시키는 것이 아니라 2번에 나누어서 도막을 형성시키는 것이다. 이렇게 코팅 공정을 2번에 나누어 실시하게 되면 도막이 치밀해지고, 도막면의 평활성이 향상된다.
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한편 한번의 코팅 공정으로 도막을 형성시킬 수도 있다. 이 경우에는 도막의 두께가 약 30±10㎛ 정도 되도록 코팅 공정을 수행하는 것이 바람직하다. 이렇게 한번의 코팅으로 코팅 공정을 마무리하는 경우에는 코팅 공정이 단순해지고, 시간을 단축할 수 있는 장점이 있다.
또한 상술한 코팅 공정을 진행함에 있어서, 1차 코팅을 한 후에 모재를 건조시키고, 110±40℃의 온도에서 예비소성시킨 후 다시 2차 코팅을 진행할 수도 있다.
다음으로는 건조공정(P160)이 진행된다. 코팅 공정을 한번에 진행하는 경우는 물론이고, 2번에 걸쳐서 진행하는 경우에도 코팅 공정이 완료된 후에는 형성된 도막을 건조시키는 건조 공정이 필요하다. 본 공정을 거치면서 모재 표면에 형성된 도막이 1차적으로 경화되는 것이다. 본 실시예서는 이러한 건조 공정을 10 ~ 40 ℃ 정도의 온도에서 10분 이상의 시간동안 진행한다.
다음으로는 형성된 도막을 완전히 경화시키는 소성 공정이 진행된다. 본 실시예에서는 소성 공정이 1차 소정 공정(P170), 2차 소성공정(P180), 냉각공정(P190)의 소단계로 나뉘어서 진행된다.
먼저 도막이 형성된 모재를 소성로에 투입하고, 소성로 내부의 온도를 서서히 상승시킨다. 도 2에 도시된 바와 같이, 소성로 내부 온도가 제1 소성온도에 도달하면 온도를 더이상 상승시키지 않고, 소성로 내부 온도를 제1 소성온도로 유지하면서 1차 소성 공정(P170)을 소정 시간 동안 진행한다. 이때 제1 소성 온도는 110±40℃인 것이 바람직하다.
물론 이 제1 소성 온도보다 낮은 온도에서 10 분 이상 온도를 일정하게 유지시켜서 보조적으로 소성시키는 보조 소성 단계가 더 진행될 수도 있다.
그리고 1차 소성 공정이 완료되면 다시 소성로 내부의 온도를 다시 서서히 상승시킨다. 소성로 내부 온도가 제2 소성온도에 도달하면 도 2에 도시된 바와 같이, 온도를 더이상 상승시키지 않고 소성로 내부 온도를 제2 소성온도로 유지하면서 2차 소성 공정(P180)을 소정 시간동안 진행한다. 이때 제2 소성 온도는 230±20℃인 것이 바람직하다.
또한 제1 소성 온도와 제2 소성 온도 사이의 온도에서 10 분 이상 온도를 일정하게 유지시켜서 보조적으로 소성시키는 보조 소성 단계가 더 진행될 수도 있다.
이렇게 하여 1, 2차 소성 공정이 완료되면 소성된 모재를 상온으로 식히는 냉각 공정(P190)이 진행된다. 이 냉각 공정에서는 모재에 특별한 처리를 하는 것이 아니고 모재의 온도를 상온으로 낮추는 과정이다. 이때 이 냉각 공정을 1, 2차 소성 공정과 마찬가지로 온도를 하강시키다가 소정 온도에서 일정시간동안 머물게 하고 다시 온도를 하강시키는 방법으로 진행할 수도 있다.
본 실시예에서는 도막을 230℃ 이상의 온도에서 소성시키므로 도막이 형성되는 모재는 이 온도에서 견딜 수 있는 기재로 마련되어야 한다. 따라서 본 실시예에 사용되는 모재는 230±20℃ 이상의 온도에서 변형되지 않는 금속 또는 무기질 세라믹 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 실시예에 따른 무기도막 형성방법을 사용하고, 무기도료로 친수성 무기도료를 사용하여 모재에 코팅 작업을 실시하면 도 3에 도시된 바와 같은, 도막(10)이 형성된다. 즉, 모재(20)와 도막(10) 사이에 강력한 접착력을 가지는 인산 피막(30)이 형성되며, 도 4에 도시된 바와 같이, 도막(10) 표면에는 친수성을 가진 OH 단분자막이 형성된다.
친수성 무기도료 조성물을 사용하는 경우에는 무기도료 조성물을 혼합 교반하는 단계를 더 거치는 것이 바람직하다. 이때 무기도료 조성물을 교반하는 교반 속도는 40 ~ 100 RPM인 것이 바람직하다.
이하에서는 전술한 친수성 무기도료 조성물을 설명한다.
친수성 무기도료 조성물은 경화제, 베이스, 촉매제, 안료로 이루어진다.
이때 경화제는, 도막의 경화를 촉진하는 역할을 하며, 도막의 주 구성 물질이 된다. 즉, 경화제는 본 실시예에서 사용하는 무기도료 조성물을 사용하여 코팅하는 경우 도막을 형성하는 물질인 알칼리 실리케이트(소성식 : M20·nSiO2·mH2 O, M은 알칼리 금속임.)를 형성한다.
여기에서 알칼리 실리케이트(alkali silicate)의 구조는 도 5에 도시된 바와 같다. 즉, 알칼리 실리케이트는, 정사면체 구조 내부에 알칼리 금속 원자가 봉해지는 입체구조를 가지는 것이다.
이러한 경화제는 알칼리 금속 산화물(alkali metal oxide)과 알칼리 실리케 이트로 이루어지는 것이 바람직하다. 이때 상기 알칼리 금속 산화물은, 산화 칼륨(K2O), 산화 나트륨(Na2O), 산화 리튬(Li2O) 등으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 선택하고 혼합하여 형성되는 것이 바람직하다.
다음으로 베이스는 도 3에 도시된 도막 구조에서 모재(20)와 도막(10) 사이에 형성되는 인산 피막(30)을 형성시키는 역할을 한다.
이때 인산 피막이 형성되는 과정은 다음과 같다.
H3PO4 + Al(OH)3 -> Al(H2PO4), Al2(HPO 4)3, AlPO4
Al(H2PO4) + MO -> AlPO4 + M(H2PO4)2
M(H2PO4)2 -> MHPO4·3H2O
본 실시예에 따른 친수성 무기도료에 있어서, 인산 피막(30)은 도막(10)과 모재(20)를 강력하게 접착시키는 역할을 한다. 즉, 본 실시예에 따른 무기도료 코팅방법에서 별도의 하도 공정 및 센딩 공정을 수행하지 않아도 무기도료 조성물 자체의 구성성분의 반응에 의하여 인산 피막이 생성되므로 단 한번의 코팅으로 강력한 밀착도를 가진 도막을 형성시킬 수 있는 장점이 있는 것이다.
이러한 베이스는 금속 산화물(metal oxide)과 금속 인산화물(metal phosphate) 및 알칼리 실리케이트 등으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이때, 상기 금속 산화물은, 산화 아연(ZnO), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 칼슘(CaO), 산화 마그네슘(MgO) 중에서 선택되는 어느 하나로 이루어지거나 또는 둘 이상을 선택하고 혼합하여 형성되는 것이 바람직하다. 그리고 상기 금속 인산화물은, 알루미늄 인산화물 또는 아연 인산화물 중 어느 하나이거나, 그 혼합물로 형성되는 것이 바람직하다.
그리고 본 실시예에서 사용하는 무기도료 조성물은, 경화제 30 ~ 70 중량 %, 베이스 30 ~ 70 중량 %의 비율이 되도록, 경화제와 베이스를 혼합하여 형성되는 것이 바람직하다. 이때 상기 경화제와 베이스를 합한 중량의 2 ~ 25 중량 %가 되도록 상기 촉매제 및 안료를 더 첨가하여 마련되는 것이 반응 속도의 향상을 위하여 더욱 바람직하다. 안료는 모재에 형성되는 도막이 다양한 색상을 나타내도록 하는 것이며, 본 실시예에서는 전체 조성물 중량의 0.01 ~ 20 중량 %의 비율로 첨가되는 것이 바람직하다.
이하에서는 본 친수성 무기도료 조성물에 의하여 도막이 형성될때 진행되는 화학 반응을 설명한다.
< 화학식 1 >
Figure 112004022454634-pat00001
즉, 경화제, 베이스, 촉매제, 안료를 물에 혼합하고 용해 시킨다.
< 화학식 2 >
Figure 112004022454634-pat00002
이렇게 되면 알칼리 실리케이트 안에 알칼리 금속(K+)가 분리되고, 동시에 탈수축합반응이 시작된다.
< 화학식 3 >
Figure 112004022454634-pat00003
탈수 축합반응과 동시에 칼륨의 겔화가 시작되고 3차원 구조가 형성된다.
< 화학식 4 >
Figure 112004022454634-pat00004
( M : K, Mn, Ca, Zn, Mg 등)
겔화된 칼륨산(K+)은 소성에 의해 실리카의 정사면체 입체구조를 형성하고, 알칼리 및 다른 금속 이온은 입체구조 바구니안에 봉해져서 도막이 형성된다. 이과정에서 도막 표면으로는 OH 기가 노출된다.
이러한 실리카 입체구조의 완전성형에는 건조온도의 제어와 동시에 경화제의 촉매활성을 높이는 것이 중요하다.
본 발명에 따른 무기도막 형성방법은 여러가지 무기도료의 도막 형성에 효과적으로 사용될 수 있다. 이때 형성되는 도막의 경도가 우수하고, 평활성이 우수한 장점이 있다.
특히 친수성 무기도료 조성물을 모재에 코팅하면, 도 3에 도시된 바와 같은 도막이 형성된다. 이 도막(10) 표면에 유기물질(예를 들어, 각종 기름, 유성 매직, 락카 스프레이 등)이 묻어서 오염이 발생하더라도, 물로 세척하여 손쉽게 유기물질을 제거할 수 있는 장점이 있다. 즉, 도 6a에 도시된 바와 같이, 도막 표면에 유기물질(40)로 된 오염이 발생하는 경우, 본 실시예에 따른 친수성 무기도료 조성물에 의하여 형성된 도막 표면에는 친수성 OH기로 이루어진 단분자막(50)이 존재하여 유기물질이 도막과 강하게 결합하지 못한다. 오히려 도 6b에 도시된 바와 같이 물이 묻으면 도막(10) 표면의 OH 기와 물이 결합하여 유기 물질(40)을 띄우는 현상이 발생한다. 따라서 유기물질이 물에 의하여 손쉽게 제거될 수 있는 것이다.
또한 본 발명에 따른 무기도막 형성방법에 의하여 형성되는 도막은 모재와의 밀착도가 우수하다. 따라서 모재에 별도의 하도 공정을 하거나, 센딩을 할 필요성이 없어서, 공정이 간단해지며, 모재에 변형을 주지않는 장점이 있다. 그러므로 0.4 mm 이상의 두께를 가지는 모재에는 코팅이 가능하다.
그리고 본 발명에 따른 무기도막 형성방법에 의하여 형성되는 도막에서는 금속이 실리카의 정사면체 구조내에 봉인되어지므로 외부에 노출되지 않아서, 외부로부터의 변화에 강한 저항성을 가진다. 즉, 강한 내후성, 내구성, 내약품성 등의 특징을 가지는 것이다. 따라서 그 수명이 반영구적인 장점이 있다. 본 발명의 무기도막 형성방법에 의하여 형성되는 도막은, 산소가 100%인 주위 상황에서도 지속적인 연소가 이루어지지 않는다. 따라서 불연제로서 사용이 가능하다.
또한 강산/강알칼리 5 ~ 10% 반응 검사에서도 24시간 동안 변화가 없는 것으로 나타나며, 단열 효과가 뛰어나다.
또한 본 발명의 무기도막 형성방법에 의하여 형성되는 도막은 그 소성 과정에서 발생하는 화학적 변화에 의하여 모재와의 뛰어난 접착성을 가질 뿐만아니라 우수한 내충격성 및 도막 경도를 가진다. 일반적인 도막이 4Hv의 경도를 가지는 반면 본 발명의 무기도막 형성방법에 의하여 형성되는 도막은 8Hv 이상의 높은 도막경도를 가지는 장점이 있다.
또한 본 발명의 무기도막 형성방법에 의하여 형성되는 도막은 1500V 의 전압을 가하여도 방전현상이 발생하지 않으므로 병실, 전기실 등의 방전을 요하는 용도에 적합한 장점이 있다. 더구나 정전기 발생을 극소화하며 절연성이 우수하여 절연 코팅용으로도 적용이 가능하다.
또한 본 발명에 따른 무기도막 형성 방법에서는 물을 용제로 사용할 수 있으므로 오염물질이 발생하지 않는 장점이 있다.

Claims (24)

1) 알칼리 금속 산화물(alkali metal oxide)과 알칼리 실리케이트(alkali silicate)를 혼합하여 이루어지는 경화제와,
금속 산화물(metal oxide)과 금속 인산화물(metal phosphate) 및 알칼리 실리케이트(alkali silicate)를 혼합하여 이루어지는 베이스와, 촉매제 및 안료로 이루어지는 무기도료 조성물을 혼합하고 교반하는 단계;
2) 모재를 소정 온도에서 예열 처리하는 단계;
3) 무기도료 조성물을 모재의 표면에 코팅하는 단계;
4) 코팅된 모재를 소정 시간동안 건조하는 단계; 및
5) 건조된 모재를 소성로 내에서 소성시키되, 상기 소성로 내의 온도를 서서히 상승시키면서 특정한 소성 온도에서는 일정 시간동안 상기 소성 온도를 유지하고, 다시 온도를 상승시키는 소성 공정을 적어도 1번 이상 수행하는 소성 단계;
를 포함하는 무기도막 형성방법.
제1항에 있어서,
상기 3), 4), 5) 단계를 전체로 1회 이상 반복하여 실시하는 것을 특징으로 하는 무기도막 형성방법.
제1항에 있어서,
상기 2) 단계 수행전에 모재 표면에 소정의 처리를 실시하는 전처리 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기도막 형성방법.
제3항에 있어서, 상기 전처리 단계는,
상기 모재 표면을 아노다이징(anodizing) 처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 무기도막 형성방법.
제3항에 있어서, 상기 전처리 단계는,
상기 모재 표면을 에칭(etching) 처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 무기도막 형성방법.
제3항에 있어서, 상기 전처리 단계는,
상기 모재 표면을 탈지, 세척하여 불순물을 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 무기도막 형성방법.
제1항에 있어서, 상기 2) 단계는,
40±10℃의 온도하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 무기도막 형성방법.
제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 3) 단계에서는,
상기 무기도료 조성물을 6 ~ 200㎛의 두께로 코팅하는 것을 특징으로 하는 무기도막 형성방법.
제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 3) 단계는,
a) 상기 모재 표면에 1차적으로 상기 무기도료 조성물을 코팅하는 1차 코팅단계;
b) 1차 코팅된 모재를 건조하는 건조 단계;
c) 건조된 모재 표면에 2차적으로 상기 무기도료 조성물을 코팅하는 2차 코팅단계;
의 소단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 무기도막 형성방법.
제9항에 있어서, 상기 a) 단계에서는,
상기 무기도료 조성물을 25±10㎛의 두께로 코팅하는 것을 특징으로 하는 무기도막 형성방법.
제9항에 있어서, 상기 b) 단계에서는,
상기 무기도료 조성물을 20±10㎛의 두께로 코팅하는 것을 특징으로 하는 무기도막 형성방법.
제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 3) 단계는,
a) 상기 모재 표면에 1차적으로 상기 무기도료 조성물을 코팅하는 1차 코팅단계;
b) 1차 코팅된 모재를 건조하는 건조 단계;
c) 건조된 모재를 110±40℃의 온도에서 예비적으로 소성하는 예비 소성단계;
d) 상기 모재 표면에 2차적으로 상기 무기도료 조성물을 코팅하는 2차 코팅단계;
의 소단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 무기도막 형성방법.
제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 4) 단계는,
적어도 10분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 무기도막 형성방법.
제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 5) 단계는,
e) 상기 모재를 제1 소성 온도에서 소정 시간 동안 1차 소성시키는 1차 소성공정;
f) 상기 모재를 제2 소성 온도에서 소정 시간 동안 2차 소성시키는 2차 소성 공정;
g) 소성된 모재를 냉각시키는 냉각 공정;
을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 무기도막 형성방법.
제14항에 있어서, 상기 제1 소성온도는,
110±40℃인 것을 특징으로 하는 무기도막 형성방법.
제14항에 있어서, 상기 제2 소성온도는,
230±20℃인 것을 특징으로 하는 무기도막 형성방법.
제14항에 있어서,
상기 e) 단계 수행 전에, 상기 제1 소성 온도보다 낮은 온도에서 적어도 10분 이상 소성하는 보조 소성단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 무기도막 형성방법.
제14항에 있어서,
상기 e) 단계 수행 후에, 상기 제2 소성 온도보다 낮은 온도에서 적어도 10분 이상 소성하는 보조 소성단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 무기도막 형성방법.
제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 모재는,
230±20℃의 온도에서 변형되지 않는 기재인 것을 특징으로 하는 무기도막 형성방법.
삭제
제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 1) 단계는,
상기 무기도료 조성물을 40 ~ 100 RPM 으로 회전시켜 교반하는 것을 특징으로 하는 무기도막 형성방법.
삭제
삭제
삭제
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