KR100569555B1 - Temperature detecting circuit - Google Patents

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KR100569555B1
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우현택
김영준
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어보브반도체 주식회사
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Abstract

본 발명은 온도 감지회로에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이중 바이폴라 트랜지스터를 구비하여 기준전압을 온도에 반비례하도록 제어함으로써 비교대상이 되는 비교전압의 기울기와 기준전압의 기울기차를 최대한 크게 만들어 공정변화를 최소화하여 정확한 온도를 감지할 수 있도록 하는 기술을 개시한다.The present invention relates to a temperature sensing circuit, and more particularly, a dual bipolar transistor is provided so as to control the reference voltage in inverse proportion to temperature, thereby making the process change by making the gradient difference of the comparison voltage and the reference voltage as large as possible larger. Disclosed is a technique for minimizing accurate temperature sensing.

이를 위한 본 발명은 온도의 변화에 따른 전류를 발생하는 밴드갭 레퍼런스 발생부와, 상기 온도의 변화에 반비례하도록 기준전압을 제어하고, 상기 기준전압과 상기 온도의 변화에 따라 비례하는 비교전압을 발생하는 비교전압 발생부와, 상기 기준전압과 상기 비교전압을 비교하여 온도를 감지하는 온도 감지부를 포함하여 구성함을 특징으로 한다.The present invention for this purpose is to control the reference voltage to be inversely proportional to the change in the temperature and the bandgap reference generator for generating a current according to the change in temperature, and generates a comparison voltage proportional to the change in the reference voltage and the temperature And a temperature sensing unit configured to sense a temperature by comparing the reference voltage and the comparison voltage.

Description

온도 감지 회로{temperature detecting circuit}Temperature detecting circuit

도 1a 및 도 1b는 종래의 온도 감지 회로의 동작을 설명하기 위한 온도변화에 따른 베이스에미터 전압과 열전압의 그래프.1A and 1B are graphs of a base emitter voltage and a thermal voltage according to temperature change for explaining the operation of a conventional temperature sensing circuit.

도 2는 종래의 온도 감지회로의 구성도.2 is a block diagram of a conventional temperature sensing circuit.

도 3은 도 2의 온도 감지회로의 전압 변화를 나타내는 그래프.3 is a graph illustrating a change in voltage of the temperature sensing circuit of FIG. 2.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 온도 감지 회로의 구성도.4 is a configuration diagram of a temperature sensing circuit according to an embodiment of the present invention.

도 5는 도 4의 온도 감지 회로의 전압 변화를 나타내는 그래프.5 is a graph illustrating a change in voltage of the temperature sensing circuit of FIG. 4.

도 6은 도 4의 온도 감지부의 다른 실시예의 구성도.6 is a configuration diagram of another embodiment of the temperature sensing unit of FIG. 4.

본 발명은 온도 감지회로에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이중 바이폴라 트랜지스터를 구비하여 기준전압을 온도에 반비례하도록 제어함으로써 비교대상이 되는 비교전압의 기울기와 기준전압의 기울기차를 최대한 크게 만들어 공정변화를 최소화하여 정확한 온도를 감지할 수 있도록 하는 기술이다.The present invention relates to a temperature sensing circuit, and more particularly, a dual bipolar transistor is provided so as to control the reference voltage in inverse proportion to temperature, thereby making the process change by making the gradient difference of the comparison voltage and the reference voltage as large as possible larger. It is a technology that can detect the correct temperature by minimizing.

일반적으로, 반도체 칩은 허용범위 외의 온도 환경에서 오동작하게 된다. 특히, 디램 및 플래쉬 메모리 등에 사용되는 센스앰프 회로 등은 온도변화에 특히 민 감하여 온도가 증가하면 비트라인 프리차지전압 또는 풀업전압을 조정할 때 충분한 마진을 확보하기 어렵다. 그에 따라, 디지털 집적회로 및 반도체 칩의 허용범위 외의 온도를 감지하여 그로 인한 오동작을 방지하고 마진으을 확보하기 위해 온도 감지 회로를 사용한다.In general, semiconductor chips malfunction in a temperature environment outside the permissible range. In particular, the sense amplifier circuits used in DRAMs and flash memories are particularly sensitive to temperature changes, and when the temperature increases, it is difficult to secure sufficient margin when adjusting the bit line precharge voltage or the pullup voltage. Accordingly, a temperature sensing circuit is used to sense a temperature outside the allowable range of the digital integrated circuit and the semiconductor chip, thereby preventing a malfunction and securing a margin.

도 1a 및 도 1b는 종래의 온도 감지 회로의 동작을 설명하기 위한 온도변화에 따른 베이스에미터 전압과 열전압의 그래프이다.1A and 1B are graphs of a base emitter voltage and a thermal voltage according to temperature change for explaining the operation of a conventional temperature sensing circuit.

도 1a에 도시한 바와 같이, BJT의 베이스에미터전압(base-emitter voltage: VBE)은 전압의 변화에는 무관하나 온도의 변화에는 민감하여, 온도가 증가함에 따라 전압이 일정하게 감소하는 CTAT(Complementary to Absolute Temperature)이다.As shown in FIG. 1A, the base-emitter voltage (V BE ) of the BJT is irrelevant to a change in voltage but sensitive to a change in temperature. Complementary to Absolute Temperature).

베이스에미터전압 VBE을 수식적으로 표현하면 아래 수학식 1과 같다.When the base emitter voltage V BE is expressed mathematically, Equation 1 below.

[수학식 1][Equation 1]

Figure 112004050687105-pat00001
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여기서, VT는 열전압, I는 총전류, Is는 이론 역포화전류이고, T는 절대온도이다.Where V T is the thermal voltage, I is the total current, Is is the theoretical reverse saturation current, and T is the absolute temperature.

도 1b에 도시한 바와 같이, 열전압 VT(thermal voltage)은 온도가 증가하면 같이 증가하는 PTAT(Proportional to Absolute Temperature)이다. 이러한 열전압 VT을 수식적으로 표현하면 아래 수학식 2와 같다.As shown in FIG. 1B, the thermal voltage (V T ) is Proportional to Absolute Temperature (PTAT) which increases with increasing temperature. If the thermal voltage V T is expressed as a formula (2) below.

[수학식 2][Equation 2]

Figure 112004050687105-pat00002
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여기서, k는 볼츠만 상수이고, q는 전자의 전하이다.Where k is Boltzmann's constant and q is the charge of the electron.

도 2는 종래의 온도 감지회로의 구성도이다.2 is a block diagram of a conventional temperature sensing circuit.

종래의 온도 감지회로는 밴드갭 레퍼런스 발생부(10), 비교전압 발생부(20), 및 온도감지부(30)를 구비한다.The conventional temperature sensing circuit includes a bandgap reference generator 10, a comparison voltage generator 20, and a temperature detector 30.

밴드갭 레퍼런스 발생부(10)는 밴드갭(bandgap) 타입 형태로 바이폴라의 비율과 저항을 이용하여 열전압 VT에 비례하는 전류를 출력하고, 정전류원(12, 13), 저항 R1, 바이폴라 트랜지스터 Q1, Q2, 및 비교기(11)를 구비한다.The bandgap reference generator 10 outputs a current proportional to the thermal voltage V T using a ratio and resistance of the bipolar in the form of a bandgap type, and includes the constant current sources 12 and 13, the resistor R1, and the bipolar transistor. Q1, Q2, and the comparator 11 are provided.

정전류원(12, 13)은 전원전압 VDD을 이용하여 정전류 Is를 공급하고, 저항 R3은 정전류원(13)의 출력단에 그 일측이 연결되고 타측에 바이폴라 트랜지스터 Q2의 에미터에 연결된다. 바이폴라 트랜지스터 Q1, Q2의 베이스와 콜렉터는 모두 접지전압 VSS에 연결되고 바이폴라 트랜지스터 Q1의 에미터는 정전류원(12)의 출력단에 연결된다.The constant current sources 12 and 13 supply a constant current Is using the power supply voltage VDD, and the resistor R3 is connected to one end of the output terminal of the constant current source 13 and the emitter of the bipolar transistor Q2 to the other side. The base and collector of the bipolar transistors Q1 and Q2 are all connected to the ground voltage VSS and the emitter of the bipolar transistor Q1 is connected to the output terminal of the constant current source 12.

비교기(11)는 정전류원(12, 13)의 출력단에 두 입력단이 연결되어 두 입력을 비교하여 정전류원(12, 13, 21)을 제어한다.Comparator 11 is connected to the output terminal of the constant current source (12, 13) is connected to the two input terminals to control the constant current source (12, 13, 21).

저항 R1에 걸리는 전압 ΔVBE은 The voltage ΔV BE across resistor R1 is

Figure 112004050687105-pat00003
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따라서, 저항 R1에 걸리는 전류는 VTln(n)/R1으로 온도가 올라감에 따라 ln(n)/R1*δVT/δT 만큼 변화한다. Thus, the current across the resistor R1 is changed by ln (n) / R1 * δV T / δT in accordance with the temperature ascent to V T ln (n) / R1 .

이와같이, 기준전압 VREF은 저항 R1과 연결된 바이폴라 트랜지스터 Q2에 의하여 도 3과 같이 어느정도 온도와 무관한 특성을 갖는다.As described above, the reference voltage VREF has a temperature-independent characteristic to some extent as shown in FIG. 3 by the bipolar transistor Q2 connected to the resistor R1.

비교전압 발생부(20)는 정전류원(21) 및 저항 R2를 구비하여 비교전압 VCMP는 저항 R2에 의해 온도의 변화에 따라 증가하는 특성을 갖는다.The comparison voltage generator 20 includes a constant current source 21 and a resistor R2 so that the comparison voltage VCMP increases with the change of temperature by the resistor R2.

즉, 기준전압 VREF은 정전류원(12)과 바이폴라 트랜지스터 Q2에 의해 온도의 변화에 관계없이 일정한 레벨을 유지하고, 비교전압 VCMP의 전위는 바이폴라 트랜지스터를 구비하지 않고 저항 R2에만 연결되어 온도가 증가하면 같이 증가하는 비교전압이 된다.That is, the reference voltage VREF is maintained at a constant level regardless of the temperature change by the constant current source 12 and the bipolar transistor Q2, and the potential of the comparison voltage VCMP is connected only to the resistor R2 without the bipolar transistor, so that the temperature increases. The comparison voltage increases as well.

온도감지부(30)는 비교기(31)를 구비하고, 비교기(31)는 기준전압 VREF과 비교전압 VCMP를 비교하여 온도의 변화를 감지한다. 즉, 온도의 변화에 무관한 기준전압 VREF을 기준으로 온도의 변화에 민감한 비교전압 VCMP의 변화를 측정함으로써 온도 변화를 감지한다.The temperature detector 30 includes a comparator 31, and the comparator 31 senses a change in temperature by comparing the reference voltage VREF with the comparison voltage VCMP. That is, the temperature change is sensed by measuring the change in the comparative voltage VCMP sensitive to the change in temperature based on the reference voltage VREF independent of the change in temperature.

도 3은 도 2의 온도 감지회로의 전압 변화를 나타내는 그래프이다.3 is a graph illustrating a change in voltage of the temperature sensing circuit of FIG. 2.

기준전압 VREF이 온도의 변화에 거의 무관하게 일정하게 유지되고 비교전압 VCMP는 온도의 변화에 따라 기울기가 달라지게 된다. 이때, 기준전압 VREF의 기울기와 비교전압 VCMP의 기울기의 교차점에서 온도를 감지하는데, 도 3과 같이, 기준전압 VREF의 기울기와 비교전압 VCMP의 기울기가 작아 교차점이 처음 생긴 지점과 마지막 교차점이 생긴 지점의 폭이 크게 되어 오차범위 VR1가 커지게 된다. The reference voltage VREF remains constant almost independent of the change in temperature, and the comparison voltage VCMP changes its slope as the temperature changes. At this time, the temperature is sensed at the intersection point of the slope of the reference voltage VREF and the slope of the comparison voltage VCMP, as shown in FIG. The width of the signal is increased so that the error range VR1 becomes large.

이와같이, 종래의 온도감지회로는 온도변화의 오차범위가 커서 공정의 변화에 취약한 문제점이 있다. As such, the conventional temperature sensing circuit has a problem that the error range of the temperature change is large and vulnerable to the change of the process.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 본 발명은 기준전압을 온도에 반비례하도록 제어함으로써 비교대상이 되는 비교전압의 기울기와 기준전압의 기울기차를 최대한 크게 만들어 공정변화를 최소화하여 정확한 온도를 감지할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.The present invention was created to solve the above problems, the present invention by controlling the reference voltage to be inversely proportional to the temperature by minimizing the process change by making the slope difference of the comparison voltage and the reference voltage to be compared as large as possible The purpose is to enable accurate temperature sensing.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 온도 감지 회로는, 온도의 변화에 따른 전류를 발생하는 밴드갭 레퍼런스 발생부와, 상기 온도의 변화에 반비례하도록 기준전압을 제어하고, 상기 기준전압과 상기 온도의 변화에 따라 비례하는 비교전압을 발생하는 비교전압 발생부와, 상기 기준전압과 상기 비교전압을 비교하여 온도를 감지하는 온도 감지부를 포함하여 구성함을 특징으로 한다.The temperature sensing circuit of the present invention for achieving the above object, the bandgap reference generator for generating a current according to the change of temperature, the reference voltage is controlled to be inversely proportional to the change in the temperature, the reference voltage and the temperature And a temperature sensing unit configured to generate a proportional comparison voltage according to a change, and a temperature sensing unit sensing the temperature by comparing the reference voltage with the comparison voltage.

상술한 목적 및 기타의 목적과 본 발명의 특징 및 이점은 첨부도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통해 보다 분명해질 것이다.The above and other objects and features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 온도 감지 회로의 구성도이다.4 is a configuration diagram of a temperature sensing circuit according to an embodiment of the present invention.

온도 감지 회로는 밴드갭 레퍼런스 발생부(100), 비교전압 발생부(200), 및 온도 감지부(300)를 구비한다. The temperature sensing circuit includes a bandgap reference generator 100, a comparison voltage generator 200, and a temperature detector 300.

밴드갭 레퍼런스 발생부(100)는 비교기(101), 정전류원(102 ~ 104), 제 1 및 제 2 전압출력부(105, 106), 및 기울기 제어부(107)를 구비한다.The bandgap reference generator 100 includes a comparator 101, constant current sources 102 to 104, first and second voltage output units 105 and 106, and a slope controller 107.

정전류원(102 ~ 104)은 전원전압 VDD를 이용하여 비교기(101)의 입력단에 정전류를 공급한다.The constant current sources 102 to 104 supply a constant current to the input terminal of the comparator 101 using the power supply voltage VDD.

제 1 전압출력부(105)는 바이폴라 트랜지스터 Q3를 구비하여, 온도의 변화에 따라 변하는 일정전압을 출력하고, 제 2 전압출력부(106)는 정전류원(103)의 출력단과 접지전압단 사이에 직렬연결되는 저항 R3 및 바이폴라 트랜지스터 Q4를 구비하여, 온도의 변화에 무관한 변화전압을 출력한다. The first voltage output section 105 includes a bipolar transistor Q3, and outputs a constant voltage which changes according to the change in temperature, and the second voltage output section 106 is disposed between the output terminal of the constant current source 103 and the ground voltage terminal. A resistor R3 and a bipolar transistor Q4 connected in series are provided to output a change voltage independent of a change in temperature.

이때, 저항 R3은 정전류원(103)의 출력단에 일측이 접속되고 타측이 바이폴라 트랜지스터 Q4의 에미터에 접속된다. 바이폴라 트랜지스터 Q3는 정전류원(102)의 출력단에 에미터가 연결되고 바이폴라 트랜지스터 Q3, Q4의 베이스 및 컬렉터는 접지전압단에 접속된다.At this time, one side of the resistor R3 is connected to the output terminal of the constant current source 103, and the other side thereof is connected to the emitter of the bipolar transistor Q4. The bipolar transistor Q3 is connected to the emitter at the output terminal of the constant current source 102, and the base and collector of the bipolar transistors Q3 and Q4 are connected to the ground voltage terminal.

비교기(101)는 일정전압과 변화전압을 비교하여 그 결과에 따라 정전류원(102~ 104)을 제어한다.The comparator 101 compares the constant voltage and the change voltage and controls the constant current sources 102 to 104 according to the result.

기울기 제어부(107)는 바이폴라 트랜지스터 Q5, Q6를 이중으로 구비한다.The tilt control unit 107 includes bipolar transistors Q5 and Q6 in duplicate.

즉, 바이폴라 트랜지스터 Q5는 에미터가 정전류원(104)의 출력단에 접속되고 컬렉터는 접지전압단에 접속되며 베이스는 바이폴라 트랜지스터 Q6의 에미터에 연결된다. 바이폴라 트랜지스터 Q5의 베이스와 컬렉터는 접지전압에 접속된다. That is, the bipolar transistor Q5 has an emitter connected to the output terminal of the constant current source 104, the collector connected to the ground voltage terminal, and the base connected to the emitter of the bipolar transistor Q6. The base and collector of the bipolar transistor Q5 are connected to the ground voltage.

그에 따라, 정전류원(104)과 기울기제어부(107)의 공통노드를 통해 출력되는 기준전압 VREF은 도 5와 같이, 온도에 반비례하도록 제어되어 CTAT(Complementary to Absolute Temperature) 특성을 갖는다.Accordingly, the reference voltage VREF output through the common node of the constant current source 104 and the slope control unit 107 is controlled to be inversely proportional to the temperature as shown in FIG. 5 to have a Complementary to Absolute Temperature (CTAT) characteristic.

비교전압 발생부(200)는 정전류원(201) 및 저항 R4을 구비한다.The comparison voltage generator 200 includes a constant current source 201 and a resistor R4.

정전류원(201)은 비교기(101)에 의해 제어되어 전원전압 VDD을 이용하여 정전류를 출력한다. 저항 R4은 정전류원(201)의 출력단에 일측이 연결되고 타측은 접지전압단에 연결된다. 이때, 정전류원(201)과 저항 R4의 공통노드를 통해 출력되는 비교전압 VCMP은 도 5와 같이, 온도에 비례하는 PTAT(Proportional to Absolute Temperature) 특성을 갖는다.The constant current source 201 is controlled by the comparator 101 and outputs a constant current using the power supply voltage VDD. The resistor R4 is connected to one end of the output terminal of the constant current source 201 and the other end thereof to the ground voltage terminal. In this case, the comparison voltage VCMP output through the common node of the constant current source 201 and the resistor R4 has a property of proportional to absolute temperature (PTAT) as shown in FIG. 5.

이와같이, 저항 R3와 바이폴라 트랜지스터 Q4가 연결된 밴드갭 레퍼런스 발생부의 출력단의 전압을 사용하지 않고, 이중 바이폴라 트랜지스터 Q5, Q6를 구비하여 기준전압 VREF를 온도에 반비례하도록 제어함으로써 비교전압 VCMP과 기준전압 VREF의 기울기 각도를 크게하여 오차범위를 줄일 수 있다. 이때, 저항 R4의 값을 조절하여 비교전압 VCMP를 제어할 수도 있으나, 저항 R4의 변경에 한계가 있어 기준전압 VREF을 이중 바이폴라 트랜지스터 Q5, Q6를 이용하여 제어하는 방법이 더 용이하다.As such, without using the voltage at the output terminal of the bandgap reference generator in which the resistor R3 and the bipolar transistor Q4 are connected, the bipolar transistors Q5 and Q6 are provided to control the reference voltage VREF in inverse proportion to the temperature so that the reference voltage VVC and the reference voltage VREF are controlled. The error range can be reduced by increasing the tilt angle. In this case, the comparison voltage VCMP may be controlled by adjusting the value of the resistor R4. However, since the change of the resistor R4 is limited, it is easier to control the reference voltage VREF using the dual bipolar transistors Q5 and Q6.

본 발명에서는 2단의 바이폴라 트랜지스터를 예로 도시하고 있으나, 구비되는 바이폴라 트랜지스터의 수가 많을 수록 기준전압 VREF의 기울기를 크게 할 수 있다. 다만, 공급전압에 따라 바이폴라 트랜지스터의 수가 결정하는 것이 바람직하다.In the present invention, the bi-stage bipolar transistor is illustrated as an example, but as the number of bipolar transistors provided increases, the slope of the reference voltage VREF can be increased. However, it is desirable to determine the number of bipolar transistors according to the supply voltage.

온도 감지부(300)는 비교기(301)를 구비한다. The temperature sensing unit 300 includes a comparator 301.

비교기(301)는 기준전압 VREF과 비교전압 VCMP을 비교하여 그 결과에 따라 온도를 감지한다. 즉, 비교기(301)는 도 5의 기준전압 VREF과 비교전압 VCMP 크로스 포인트를 감지하여 온도를 감지한다.The comparator 301 compares the reference voltage VREF with the comparison voltage VCMP and senses the temperature according to the result. That is, the comparator 301 senses the temperature by detecting the reference voltage VREF and the comparison voltage VCMP cross point of FIG. 5.

이와같이, 본원 발명은 종래에 온도에 무관했던 기준전압을 2단의 바이폴라 트랜지스터를 이용하여 온도에 반비례하도록 기울기를 가파르게 제어함으로써 온도 감지의 오차범위를 줄여 정확한 온도를 감지할 수 있다.As described above, the present invention can reduce the error range of the temperature sensing to detect the correct temperature by steeply controlling the slope so as to be inversely proportional to the temperature using the two-stage bipolar transistor.

도 6은 도 4의 온도 감지부(300)의 다른 실시예의 구성도이다.6 is a configuration diagram of another embodiment of the temperature sensing unit 300 of FIG. 4.

본 발명의 다른 실시예의 온도 감지부(300)는 전압분배부(400) 및 온도 디텍터(500)를 구비한다.The temperature sensing unit 300 according to another embodiment of the present invention includes a voltage divider 400 and a temperature detector 500.

전압분배부(400)는 비교기(401) 및 저항 R5, R6을 구비하고, 도 4의 비교전압 발생부(200)의 기준전압 VREF을 일정레벨로 분배한다. The voltage divider 400 includes a comparator 401 and resistors R5 and R6, and distributes the reference voltage VREF of the comparison voltage generator 200 of FIG. 4 to a predetermined level.

저항 R5, R6은 비교기(401)의 출력단과 접지전압단 사이에 직렬연결되고, 비교기(401)는 저항 R5, R6에 의해 분배된 전압과 기준전압 VREF을 비교하여 그 결과를 출력한다.The resistors R5 and R6 are connected in series between the output terminal of the comparator 401 and the ground voltage terminal, and the comparator 401 compares the voltage divided by the resistors R5 and R6 with the reference voltage VREF and outputs the result.

온도 디텍터(500)는 복수개의 저항 R7~R10과 복수개의 비교기(501~ 503)를 구비한다. 도 6에서는 4개의 저항과 3개의 비교기만을 도시하였으나, 바람직하게는 저항 및 비교기의 개수는 전압 분배에 따라 다양하게 설정할 수 있다.The temperature detector 500 includes a plurality of resistors R7 to R10 and a plurality of comparators 501 to 503. Although only four resistors and three comparators are shown in FIG. 6, the number of resistors and comparators may be variously set according to voltage distribution.

저항 R7~ R10은 비교전압 VCMP을 일정레벨로 분배하고, 복수개의 비교기(501~ 503)는 전압분배부(400)의 출력과 저항 R7~R10에 의해 분배된 전압을 비교하여 그 결과를 각각 출력한다.The resistors R7 to R10 distribute the comparison voltage VCMP to a predetermined level, and the plurality of comparators 501 to 503 compare the output of the voltage divider 400 with the voltages divided by the resistors R7 to R10 and output the results, respectively. do.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 2단의 바이폴라 트랜지스터를 구비하여 기준전압을 온도와 반비례하도록 제어하여 기준전압과 비교전압의 기울기차를 최대화함으로써 온도를 정확하고 능동적으로 감지하여 고온 동작시 디지털 회로의 마진을 확보하고 온도변화에 따른 오동작을 방지하는 효과가 있다.As described above, the present invention includes a bipolar transistor of two stages to control the reference voltage in inverse proportion to the temperature to maximize the slope difference between the reference voltage and the comparative voltage to accurately and actively sense the temperature to operate the digital circuit during high temperature operation. It is effective in securing margin of and preventing malfunction due to temperature change.

아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허 청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허 청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.In addition, a preferred embodiment of the present invention is for the purpose of illustration, those skilled in the art will be able to various modifications, changes, replacements and additions through the spirit and scope of the appended claims, such modifications and changes are the following claims It should be seen as belonging to a range.

Claims (10)

온도의 변화에 반비례하는 기준전압을 출력하는 밴드갭 레퍼런스 발생부;A bandgap reference generator for outputting a reference voltage in inverse proportion to a change in temperature; 상기 온도의 변화에 따라 비례하는 비교전압을 발생하는 비교전압 발생부; 및A comparison voltage generator for generating a comparison voltage proportional to the change in temperature; And 상기 기준전압과 상기 비교전압을 비교하여 그 결과에 따라 온도를 감지하는 온도 감지부;A temperature sensing unit comparing the reference voltage with the comparison voltage and sensing a temperature according to the result; 를 포함하여 구성함을 특징으로 하는 온도 감지 회로.Temperature sensing circuit, characterized in that configured to include. 제 1항에 있어서, 상기 밴드갭 레퍼런스 발생부는,The method of claim 1, wherein the band gap reference generation unit, 전원전압을 이용하여 복수의 정전류를 제공하는 복수개의 정전류원;A plurality of constant current sources for providing a plurality of constant currents using a power supply voltage; 상기 복수개의 정전류원 중 제 1 출력단에 접속되어 상기 온도의 변화에 따라 변하는 변화전압을 출력하는 제 1 전압출력부;A first voltage output unit connected to a first output terminal of the plurality of constant current sources and outputting a change voltage which changes according to a change in the temperature; 상기 복수개의 정전류원 중 제 2 출력단에 접속되어 상기 온도의 변화에 무관한 일정전압을 출력하는 제 2 전압출력부;A second voltage output unit connected to a second output terminal of the plurality of constant current sources and outputting a constant voltage regardless of the temperature change; 상기 일정전압과 상기 변화전압을 비교하여 출력과 상기 공통노드의 출력을 비교하여 상기 복수개의 정전류원을 제어하는 비교기; 및A comparator for comparing the constant voltage and the change voltage to control the plurality of constant current sources by comparing an output with an output of the common node; And 상기 복수개의 정전류원 중 제 3 출력단에 접속되어 상기 기준전압을 상기 온도의 변화에 반비례하도록 제어하는 기울기 제어부;A tilt control unit connected to a third output terminal of the plurality of constant current sources to control the reference voltage in inverse proportion to a change in the temperature; 를 구비함을 특징으로 하는 온도 감지 회로.Temperature sensing circuit comprising a. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 전압출력부는,The method of claim 2, wherein the first voltage output unit, 상기 복수개의 정전류원 중 제 1 출력단에 그 에미터가 접속되고 베이스 및 컬렉터는 접지전압단에 접속되는 제 1 바이폴라 트랜지스터;A first bipolar transistor having an emitter connected to a first output terminal of the plurality of constant current sources, and a base and a collector connected to a ground voltage terminal; 를 구비함을 특징으로 하는 온도 감지 회로.Temperature sensing circuit comprising a. 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 전압출력부는,The method of claim 2, wherein the second voltage output unit, 상기 복수개의 정전류원 중 제 2 출력단에 일측이 연결되는 저항; 및A resistor having one side connected to a second output terminal of the plurality of constant current sources; And 상기 저항의 타측에 그 에미터가 접속되고 베이스 및 컬렉터는 접지전압단에 접속되는 제 2 바이폴라 트랜지스터;A second bipolar transistor having an emitter connected to the other side of the resistor and a base and a collector connected to a ground voltage terminal; 를 구비함을 특징으로 하는 온도 감지 회로.Temperature sensing circuit comprising a. 제 2 항에 있어서, 상기 기울기 제어부는,The method of claim 2, wherein the tilt control unit, 에미터가 상기 정전류원의 출력단에 접속되고 컬렉터는 상기 접지전압단에 접속되는 제 1 바이폴라 트랜지스터; 및A first bipolar transistor having an emitter connected to an output terminal of the constant current source and a collector connected to the ground voltage terminal; And 에미터가 상기 제 1 바이폴라 트랜지스터의 베이스에 접속되고 그 컬렉터와 베이스는 상기 접지전압단에 접속되는 제 2 바이폴라 트랜지스터;A second bipolar transistor having an emitter connected to a base of the first bipolar transistor and a collector and a base connected to the ground voltage terminal; 를 구비함을 특징으로 하는 온도 감지 회로.Temperature sensing circuit comprising a. 제 2 항에 있어서, 상기 비교전압 발생부는,The method of claim 2, wherein the comparison voltage generating unit, 상기 비교기의 출력에 의해 제어되어 상기 정전류를 제공하는 정전류원; 및A constant current source controlled by the output of the comparator to provide the constant current; And 상기 정전류원의 출력단에 그 일측이 연결되고 타측은 접지전압단에 접속되어 상기 온도에 비례하는 상기 비교전압을 출력하는 저항;A resistor having one side connected to an output terminal of the constant current source and the other side connected to a ground voltage terminal for outputting the comparison voltage in proportion to the temperature; 을 구비함을 특징으로 하는 온도 감지 회로.Temperature sensing circuit comprising a. 제 2 항에 있어서, 상기 온도 감지부는,The method of claim 2, wherein the temperature sensing unit, 상기 기준전압과 상기 비교전압을 비교하여 그 결과를 출력하는 비교기를 구비함을 특징으로 하는 온도 감지 회로.And a comparator for comparing the reference voltage with the comparison voltage and outputting a result. 제 2 항에 있어서, 상기 온도 감지부는,The method of claim 2, wherein the temperature sensing unit, 상기 기준전압을 전압분배하는 전압분배부; 및A voltage divider configured to voltage divide the reference voltage; And 상기 비교전압을 분배하고 그 분배된 출력과 상기 전압분배부의 출력을 비교하는 온도 디텍터;A temperature detector for distributing the comparison voltage and comparing the divided output with the output of the voltage divider; 를 구비함을 특징으로 하는 온도 감지 회로.Temperature sensing circuit comprising a. 제 8 항에 있어서, 상기 전압분배부는,The method of claim 8, wherein the voltage divider, 상기 기준전압과 피드백 전압을 비교하는 비교기; 및A comparator for comparing the reference voltage with a feedback voltage; And 상기 비교기의 출력을 분배하여 상기 피드백 전압을 출력하는 복수개의 저항;A plurality of resistors for distributing the output of the comparator to output the feedback voltage; 를 구비함을 특징으로 하는 온도 감지 회로.Temperature sensing circuit comprising a. 제 9 항에 있어서, 상기 온도 디텍터는,The method of claim 9, wherein the temperature detector, 상기 비교전압을 분배하는 복수개의 저항; 및A plurality of resistors for distributing the comparison voltage; And 상기 전압분배부의 출력과 상기 복수개의 저항에 의해 분배된 전압을 각각 비교하는 복수개의 비교기;A plurality of comparators for comparing outputs of the voltage divider and voltages divided by the plurality of resistors, respectively; 를 구비함을 특징으로 하는 온도 감지 회로.Temperature sensing circuit comprising a.
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