KR100567888B1 - Cleansing apparatus and method for operation thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 세정 장치 및 그 작동 방법에 관한 것으로, 특히 본원 발명의 방법은 반도체 웨이퍼를 회전시키면서 세정 용액을 공급하고 진동 발생수단을 통해 반도체 웨이퍼 표면에 진동을 발생하여 세정 공정을 진행하고, 반도체 웨이퍼 표면 상의 습도를 측정하고, 측정된 습도값을 검출받아 이를 기준값과 비교한 후에, 측정된 습도값이 기준값 미만일 경우 진동 발생수단의 오작동을 알리는 경고음 또는 경고 표시한다. 그러므로 본 발명은 습도 센서에 의해 세정 공정시 진동 발생수단이 정상적으로 작동하는지를 모니터링함으로써 세정 공정시 진동 발생수단의 오작동을 알려주어 반도체 소자의 제조 수율을 향상시킬 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor cleaning apparatus and a method of operating the same. In particular, the method of the present invention provides a cleaning solution while rotating a semiconductor wafer, and generates a vibration on the surface of the semiconductor wafer through vibration generating means, thereby performing a cleaning process. After the humidity on the wafer surface is measured, the measured humidity value is detected and compared with the reference value, and when the measured humidity value is less than the reference value, a warning sound or a warning signal indicating a malfunction of the vibration generating means is displayed. Therefore, the present invention can improve the manufacturing yield of the semiconductor device by notifying the malfunction of the vibration generating means during the cleaning process by monitoring whether the vibration generating means is normally operated by the humidity sensor during the cleaning process.

CMP 장비, 세정, 습도 센서, 진동 발생수단CMP equipment, cleaning, humidity sensor, vibration generating means

Description

반도체 세정 장치 및 그 작동 방법{CLEANSING APPARATUS AND METHOD FOR OPERATION THEREOF}Semiconductor cleaning device and its operation method {CLEANSING APPARATUS AND METHOD FOR OPERATION THEREOF}

도 1은 종래 기술에 의한 반도체 CMP 장비를 간략하게 나타낸 도면,1 is a view schematically showing a semiconductor CMP apparatus according to the prior art,

도 2는 종래 기술에 의한 반도체 세정 장치를 설명하기 위한 도면,2 is a view for explaining a semiconductor cleaning apparatus according to the prior art,

도 3은 본 발명에 따른 반도체 세정 장치를 설명하기 위한 도면,3 is a view for explaining a semiconductor cleaning apparatus according to the present invention,

도 4는 본 발명에 따른 반도체 세정 장치의 작동 과정을 나타낸 흐름도.Figure 4 is a flow chart showing the operation of the semiconductor cleaning apparatus according to the present invention.

＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞<Description of the code | symbol about the principal part of drawing>

100 : 척 110 : 진동 발생수단100: chuck 110: vibration generating means

120 : 모터 구동부 130 : 용액 저장부120: motor drive unit 130: solution storage unit

132 : 밸브 134 : 노즐132 valve 134 nozzle

136 : 세정 용액 140 : 습도 센서136: cleaning solution 140: humidity sensor

150 : 검출부 160 : 제어부150 detection unit 160 control unit

170 : 경고부170: warning unit

본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로서, 특히 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 이후 세정 공정을 진행하는 반도체 세정 장치 및 그 작동 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a semiconductor cleaning device and a method of operating the same, which undergo a cleaning process after chemical mechanical polishing (CMP).

반도체 소자의 표면을 평탄화하기 위하여 CMP 장비가 널리 사용되고 있는데, CMP 장비는 화학적 연마와 기계적 연마를 한꺼번에 수행하여 반도체 소자의 표면을 평탄화한다.CMP equipment is widely used to planarize the surface of a semiconductor device. The CMP equipment performs chemical polishing and mechanical polishing at the same time to planarize the surface of a semiconductor device.

도 1은 종래 기술에 의한 반도체 CMP 장비를 간략하게 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing a semiconductor CMP device according to the prior art.

도 1을 참조하면, 종래 CMP 장비(10)는 반도체 웨이퍼(미도시됨)를 홀딩하는 연마 헤드(30) 및 웨이퍼 캐리어(20)를 포함한다. 웨이퍼 캐리어(20)는 유지링(22)을 포함한다. 웨이퍼 캐리어(20)는 구동 모터(50)에 의해 연속적으로 회전한다.Referring to FIG. 1, a conventional CMP apparatus 10 includes a polishing head 30 and a wafer carrier 20 that hold a semiconductor wafer (not shown). The wafer carrier 20 includes a retaining ring 22. The wafer carrier 20 is continuously rotated by the drive motor 50.

또한 CMP 장비는 반도체 웨이퍼(미도시됨)가 장착되는 위치에 연마 플레튼(polishing platen)(70)이 구동 모터(90)에 의해 연속적으로 회전된다. 블로운 폴리우레탄(blown polyurethane)과 같은 물질로 형성된 연마 패드(60)는 연마 플래튼(70)상부에 설치된다. 알칼리 용액 또는 산성 용액에 실리카 또는 알루미나 연마 입자들과 같은 연마 액체가 혼합된 슬러리는 용액 저장부(80)로부터 공급관(82)을 통해서 연마 패드(60) 상부 표면에 공급된다.In addition, in the CMP apparatus, a polishing platen 70 is continuously rotated by the drive motor 90 at a position where a semiconductor wafer (not shown) is mounted. A polishing pad 60 formed of a material such as blown polyurethane is provided on the polishing platen 70. The slurry in which the polishing liquid such as silica or alumina abrasive particles is mixed in the alkaline solution or the acidic solution is supplied from the solution reservoir 80 to the upper surface of the polishing pad 60 through the supply pipe 82.

상부의 연마 헤드(30)와 하부의 연마 패드(60)는 서로 접촉되면서 회전을 하게 되므로 반도체 웨이퍼 표면이 기계적으로 연마되고, 공급관(82)을 통해 연마 패드(60)에 공급되는 슬러리에 의해 반도체 웨이퍼 표면이 화학적으로 연마된다.Since the upper polishing head 30 and the lower polishing pad 60 rotate in contact with each other, the surface of the semiconductor wafer is mechanically polished, and the semiconductor is supplied by the slurry supplied to the polishing pad 60 through the supply pipe 82. The wafer surface is chemically polished.

최근의 CMP 장비는 연마 공정의 청정화를 도모하고 설치공간을 줄이기 위해 연마 공정 및 세정 공정을 수행하고 반도체 웨이퍼를 건조한 상태로 장비내에 넣어 처리한 후에 연마 및 세정된 반도체 웨이퍼를 건조한 상태로 장비로부터 인출하는 드라이인(dry-in) 및 드라이아웃(dry-out) 방식이 도입되었다.Recent CMP equipments perform polishing and cleaning processes in order to clean the polishing process and reduce installation space, and process the semiconductor wafers in the dry state and then withdraw the polished and cleaned semiconductor wafers from the equipment in the dry state. Dry-in and dry-out methods have been introduced.

이에 CMP 장비는 반도체 웨이퍼의 연마 공정을 진행한 다음, 연마 공정시 발생한 파티클을 제거하기 위한 세정 공정을 진행한다. 세정 공정은 주로 반도체 웨이퍼를 일정 속도로 회전하면서 웨이퍼에 초순수(DI : DeIonized water)를 스프레이로 뿌려주거나 흘려주면서 연마로 인해 발생된 파티클을 제거한다.Accordingly, the CMP apparatus performs a polishing process of the semiconductor wafer and then performs a cleaning process for removing particles generated during the polishing process. The cleaning process mainly removes particles generated by grinding by spraying or flowing ultra pure water (DI) onto the wafer while rotating the semiconductor wafer at a constant speed.

도 2는 종래 기술에 의한 반도체 세정 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 2를 참조하면, 반도체 CMP 장비의 세정 장치는 반도체 웨이퍼(미도시됨)를 홀딩하는 척(chuck)(100)과, 척(100)을 회전시키는 모터 구동부(120)를 포함한다. 세정 용액인 초순수(DI)를 공급하여 스프레이식으로 뿌려주거나 흘려주는 공급관(미도시됨) 및 노즐(134)을 포함한다.2 is a view for explaining a semiconductor cleaning apparatus according to the prior art. Referring to FIG. 2, the cleaning apparatus of the semiconductor CMP apparatus includes a chuck 100 holding a semiconductor wafer (not shown) and a motor driver 120 rotating the chuck 100. It includes a supply pipe (not shown) and a nozzle 134 for spraying or spraying by supplying ultrapure water (DI) that is a cleaning solution.

그런데, 이러한 CMP 장비의 세정 장치는 척(100)에 진동 발생수단(110)을 장착하여 반도체 웨이퍼 표면에 진동을 발생시켜 반도체 웨이퍼에 붙어 있는 파티클을 진동으로 떨어뜨리고 이를 세정 용액으로 제거하도록 한다. 진동 발생수단(110)은 음향 발생수단 또는 초음파 발생수단로 구성된다.However, the cleaning device of the CMP device is equipped with the vibration generating means 110 on the chuck 100 to generate vibration on the surface of the semiconductor wafer to drop the particles attached to the semiconductor wafer with vibration and to remove it with the cleaning solution. The vibration generating means 110 is composed of sound generating means or ultrasonic generating means.

그러므로 종래 기술에 의한 세정 장치는 진동 발생수단(110)인 음향 발생수단 또는 초음파 발생수단을 함께 작동해서 반도체 웨이퍼 표면 상의 세정 용액에 음향 진동 또는 초음파 진동을 주어 세정 공정의 효과를 더욱 높일 수 있다.Therefore, the cleaning apparatus according to the related art may operate the sound generating means or the ultrasonic generating means, which are the vibration generating means 110, to give an acoustic vibration or an ultrasonic vibration to the cleaning solution on the semiconductor wafer surface, thereby further increasing the effect of the cleaning process.

하지만 이와 같이 CMP 장비의 세정 공정시 진동 발생수단을 작동시키더라도 발생수단이 제대로 작동하는지를 모니터링할 수 없었다. 만약 진동 발생수단이 정상적으로 작동하지 못하게 되면 연마 공정시 발생된 파티클을 효과적으로 제거하기 어려웠다.However, even when the vibration generating means is operated during the cleaning process of the CMP equipment, it was not possible to monitor whether the generating means worked properly. If the vibration generating means did not operate normally, it was difficult to effectively remove particles generated during the polishing process.

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 진동 발생수단이 작동할 경우 발생되는 수증기를 검출하는 습도 센서에 의해 세정 공정시 진동 발생수단이 정상적으로 작동하는지를 모니터링함으로써 세정 공정시 진동 발생수단의 오작동을 알려주어 반도체 소자의 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 세정 장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to generate a vibration during the cleaning process by monitoring whether the vibration generating means in the cleaning process is normally operated by a humidity sensor for detecting the steam generated when the vibration generating means is operated to solve the problems of the prior art as described above. It is to provide a semiconductor cleaning device that can notify the malfunction of the means to improve the manufacturing yield of the semiconductor device.

본 발명의 다른 목적은 연마 공정이후 세정 공정시 습도를 측정하고 측정된 습도값과 기준값을 비교하여 그 비교 결과, 측정된 값이 기준값미만일 경우 경고 신호를 발생함으로써 CMP 장비의 세정 공정시 진동 발생수단의 오작동을 바로 알려주어 반도체 소자의 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 세정 장치의 작동 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to measure the humidity in the cleaning process after the polishing process and compare the measured humidity value and the reference value, as a result of the comparison, by generating a warning signal when the measured value is less than the reference value vibration generating means in the cleaning process of the CMP equipment It is to provide a method of operating a semiconductor cleaning device that can immediately notify the malfunction of the semiconductor device can improve the manufacturing yield of the semiconductor device.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 반도체 웨이퍼 표면을 세정하는 장치에 있어서, 반도체 웨이퍼를 홀딩하는 척과, 척을 회전시키는 모터 구동부와, 척내에 장착되어 반도체 웨이퍼 표면에 진동을 발생하는 진동 발생수단와, 반도체 웨이퍼 표면으로 세정 용액을 공급하는 공급관 및 노즐과, 반도체 웨이퍼 표면 상의 습도를 측정하는 습도 센서와, 진동 발생수단의 오작동시 경고음 또는 경고 표시를 하는 경고부와, 습도 센서에서 측정된 습도값을 검출받아 이를 기준값과 비교하여 측정된 습도값이 기준값 미만일 경우 경고부에 경고 신호를 발생하는 제어부를 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a device for cleaning a semiconductor wafer surface, comprising: a chuck for holding a semiconductor wafer, a motor driver for rotating the chuck, vibration generating means mounted in the chuck to generate vibration on the surface of the semiconductor wafer, Supply pipes and nozzles for supplying a cleaning solution to the semiconductor wafer surface, a humidity sensor for measuring humidity on the surface of the semiconductor wafer, a warning unit for sounding a warning sound or a warning when the vibration generating means malfunctions, and a humidity value measured at the humidity sensor. The controller may include a controller configured to generate a warning signal in the warning part when the detected humidity value is less than the reference value by detecting the measured value.

상기 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 반도체 웨이퍼 표면을 세정하는 장치를 작동하는 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼를 회전시키면서 세정 용액을 공급하고 진동 발생수단을 통해 반도체 웨이퍼 표면에 진동을 발생하여 세정 공정을 진행하는 단계와, 반도체 웨이퍼 표면 상의 습도를 측정하는 단계와, 측정된 습도값을 검출받아 이를 기준값과 비교하는 단계와, 비교 결과, 측정된 습도값이 기준값 미만일 경우 진동 발생수단의 오작동을 알리는 경고음 또는 경고 표시를 하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above another object, the present invention provides a method for operating an apparatus for cleaning a semiconductor wafer surface, the cleaning process is supplied by rotating the semiconductor wafer and generating vibration on the surface of the semiconductor wafer through the vibration generating means to perform the cleaning process. Proceeding, measuring the humidity on the surface of the semiconductor wafer, detecting the measured humidity value and comparing it with a reference value, and as a result of the comparison, if the measured humidity value is less than the reference value, a warning sound indicating a malfunction of the vibration generating means Or displaying a warning.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 세정 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 3에 도시된 본 발명의 세정 장치에서 도 2의 종래 장치와 동일한 부분은 동일한 도면 부호로 표시한다. 3 is a view for explaining a semiconductor cleaning apparatus according to the present invention. In the cleaning apparatus of the present invention shown in FIG. 3, the same parts as those of the conventional apparatus of FIG. 2 are denoted by the same reference numerals.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 CMP 장비의 세정 장치는 반도체 웨이퍼(미도시됨)를 홀딩하는 척(100)과, 척(100)을 회전시키는 모터 구동부(120)를 포함한다. 용액 저장부(130)의 세정 용액인 초순수(DI)를 공급하여 스프레이식으로 뿌려주거나 흘려주는 공급관(미도시됨) 및 노즐(134)을 포함한다. 여기서, 132는 공급관의 밸브를 나타낸다. 또한 척(100)에 음향 발생수단 또는 초음파 발생수단 등의 진동 발생수단(110)이 장착되어 있어 반도체 웨이퍼 표면에 진동을 발생시켜 반도체 웨이퍼에 붙어 있는 CMP 파티클을 진동으로 떨어뜨리고 이를 세정 용액으로 제거하도록 한다.Referring to FIG. 3, the cleaning apparatus of the CMP apparatus according to the present invention includes a chuck 100 holding a semiconductor wafer (not shown), and a motor driver 120 rotating the chuck 100. A supply pipe (not shown) and a nozzle 134 are sprayed or sprayed by supplying ultrapure water (DI), which is a cleaning solution of the solution storage unit 130, to be sprayed. Here, 132 denotes a valve of the supply pipe. In addition, the chuck 100 is equipped with vibration generating means 110 such as an acoustic generating means or an ultrasonic generating means to generate vibration on the surface of the semiconductor wafer to drop the CMP particles attached to the semiconductor wafer with vibration and remove it with a cleaning solution. Do it.

그리고 본 발명의 세정 장치는 반도체 웨이퍼 표면 상의 습도를 측정하는 습도 센서(140)와, 습도 센서(140)에서 측정된 습도값을 전기적인 신호로 변환하는 검출부(150)와, 진동 발생수단(110)의 오작동시 경고음 또는 경고 표시를 하는 경고부(170)를 포함한다. 또한 본 발명의 세정 장치는 검출부(150)로부터 습도 센서(140)에서 측정된 습도값을 검출받아 이를 설정된 기준값과 비교하여 측정된 습도값이 기준값 미만일 경우 경고부(170)에 경고 신호를 발생하며 모터 구동부(120)와 공급 밸브(132)의 작동을 정지시키는 제어부(160)를 포함한다. 만약 제어부(160)는 측정된 습도값이 기준값이상일 경우 모터 구동부(120)와 공급 밸브(132)의 작동을 계속 유지시키도록 제어한다.The cleaning apparatus of the present invention includes a humidity sensor 140 for measuring humidity on a semiconductor wafer surface, a detector 150 for converting a humidity value measured by the humidity sensor 140 into an electrical signal, and vibration generating means 110. Warning unit 170 that gives a warning sound or warning when malfunctioning). In addition, the cleaning apparatus of the present invention detects the humidity value measured by the humidity sensor 140 from the detection unit 150 and compares it with the set reference value and generates a warning signal to the warning unit 170 when the measured humidity value is less than the reference value. And a controller 160 for stopping the operation of the motor driver 120 and the supply valve 132. If the measured humidity value is greater than or equal to the reference value, the controller 160 controls to maintain the operation of the motor driving unit 120 and the supply valve 132.

도 4는 본 발명에 따른 반도체 세정 장치의 작동 과정을 나타낸 흐름도이다. 도 3 및 도 4를 참조하면 본 발명의 반도체 세정 장치는 다음과 같이 작동한다.4 is a flowchart illustrating an operation of the semiconductor cleaning apparatus according to the present invention. 3 and 4, the semiconductor cleaning apparatus of the present invention operates as follows.

우선 도 1에 도시된 CMP 장비에서 연마 패드에 슬러리를 공급하면서 연마 헤드와 연마 패드를 서로 접촉시키면서 회전하여 반도체 웨이퍼 표면을 화학적기계적으로 연마(CMP)시킨다.(S10)First, while supplying a slurry to the polishing pad in the CMP apparatus shown in FIG. 1, the polishing head and the polishing pad are rotated while contacting each other to chemically mechanically polish the surface of the semiconductor wafer (CMP) (S10).

CMP 공정이후, 본 발명에 따른 세정 장치를 이용하여 세정 공정을 진행한다. 모터 구동부(120)를 작동시켜 반도체 웨이퍼를 일정 속도로 회전하면서 공급 밸브(132)를 온(on)으로 하여 노즐(134)을 통해 용액 저장부(130)에 저장된 세정 용액(136)인 초순수(DI)를 웨이퍼 표면에 스프레이로 뿌려주거나 흘려준다. 이때 진동 발생수단(110)을 작동시켜 반도체 웨이퍼 표면에 있는 세정 용액에 진동을 발생시켜 CMP 연마 공정의 파티클을 제거한다.(S20)After the CMP process, the cleaning process is performed using the cleaning apparatus according to the present invention. The ultra pure water, which is the cleaning solution 136 stored in the solution storage unit 130 through the nozzle 134 with the supply valve 132 turned on while operating the motor driver 120 to rotate the semiconductor wafer at a constant speed, Spray DI) onto the wafer surface or spray it. At this time, by operating the vibration generating means 110 generates vibration in the cleaning solution on the surface of the semiconductor wafer to remove the particles of the CMP polishing process (S20).

이러한 세정 공정시 본 발명은 습도 센서(140)를 통해 반도체 웨이퍼 표면 상의 습도를 측정한다.(S30) 음향 또는 초음파 등의 진동 발생수단(110)이 정상적으로 작동하게 되면 반도체 웨이퍼의 세정 용액으로부터 수증기가 발생하게 된다. 본 발명은 이점에 착안하여 습도 센서(140)를 통해 웨이퍼 표면의 습도를 측정하는 것이다. 그리고 습도 센서(140)에서 측정된 신호는 검출부(150)로 보내져 측정된 습도값을 전기적인 신호로 변환한 후에 변환된 전기적인 신호를 제어부(160)에 보낸다.In the cleaning process, the present invention measures the humidity on the surface of the semiconductor wafer through the humidity sensor 140. (S30) When the vibration generating means 110 such as sound or ultrasonic wave is normally operated, water vapor may be removed from the cleaning solution of the semiconductor wafer. Will occur. The present invention focuses on this and measures the humidity of the wafer surface through the humidity sensor 140. The signal measured by the humidity sensor 140 is sent to the detector 150 to convert the measured humidity value into an electrical signal, and then sends the converted electrical signal to the controller 160.

제어부(160)는 검출부(150)로부터 습도 센서(140)에서 측정된 습도값을 전달받아 이를 설정된 기준값과 비교하는데, 측정된 습도값이 기준값 미만인지를 비교한다.(S40)The controller 160 receives the humidity value measured by the humidity sensor 140 from the detector 150 and compares the humidity value with a set reference value, and compares whether the measured humidity value is less than the reference value.

S40의 비교 결과, 측정된 습도값이 기준값 미만일 경우 제어부(160)는 경고부(170)에 경고 신호를 발생하고, 경고부(170)는 제어부(160)의 경고 신호에 응답하여 진동 발생수단(110)의 오작동을 알리기 위한 경고음 또는 경고 표시를 한다.(S50) 그리고 제어부(160)는 모터 구동부(120)의 작동을 정지시키고 공급 밸브(132)를 오프(off)로 하여 노즐(134)을 통해 세정 용액(136)인 초순수(DI)가 공급되지 않도록 하고, 진동 발생수단(110)의 작동을 정지시켜 세정 공정을 정지한다.(S60)As a result of the comparison of S40, when the measured humidity value is less than the reference value, the controller 160 generates a warning signal to the warning unit 170, and the warning unit 170 responds to the warning signal of the control unit 160 to generate vibration ( A warning sound or a warning display for notifying a malfunction of the 110 is performed (S50). The controller 160 stops the operation of the motor driving unit 120 and turns off the supply valve 132 to turn off the nozzle 134. The ultrapure water DI, which is the cleaning solution 136, is not supplied thereto, and the operation of the vibration generating unit 110 is stopped to stop the cleaning process.

반면에 S40의 비교 결과, 측정된 습도값이 설정된 기준값이상일 경우 제어부(160)는 진동 발생수단(110)을 이용한 세정 공정을 계속 진행한다.(S70) 즉, 모터 구동부(120)를 작동시켜 반도체 웨이퍼를 일정 속도로 회전하면서 공급 밸브(132)를 온(on)으로 하여 노즐(134)을 통해 용액 저장부(130)에 저장된 세정 용액(136)인 초순수(DI)를 웨이퍼 표면에 스프레이로 뿌려주거나 흘려주고, 진동 발생수단(110)을 작동시켜 반도체 웨이퍼 표면에 있는 세정 용액에 진동을 발생시켜 CMP 연마 공정의 파티클을 제거한다.On the other hand, as a result of the comparison of S40, when the measured humidity value is greater than or equal to the set reference value, the controller 160 continues the cleaning process using the vibration generating means 110. (S70) That is, the motor driving unit 120 operates the semiconductor Spraying the ultrapure water (DI), the cleaning solution 136 stored in the solution storage unit 130 through the nozzle 134, with the supply valve 132 on while rotating the wafer at a constant speed, onto the wafer surface with a spray In addition, the vibration generating means 110 is operated to generate vibration in the cleaning solution on the surface of the semiconductor wafer to remove particles of the CMP polishing process.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 연마 공정이후 세정 공정시 진동 발생수단이 정상적으로 작동하는지를 습도 센서를 이용하여 모니터링함으로써 세정 공정시 진동 발생수단의 오작동을 바로 알려주어 반도체 소자의 제조 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention monitors whether the vibration generating means operates normally in the cleaning process after the polishing process by using a humidity sensor to immediately notify the malfunction of the vibration generating means in the cleaning process, thereby improving the manufacturing yield of the semiconductor device. It works.

한편, 본 발명은 상술한 실시예에 국한되는 것이 아니라 후술되는 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다.On the other hand, the present invention is not limited to the above-described embodiment, various modifications are possible by those skilled in the art within the spirit and scope of the present invention described in the claims to be described later.

Claims (6)

반도체 웨이퍼 표면을 세정하는 세정 장치에 있어서,A cleaning apparatus for cleaning a semiconductor wafer surface, 상기 반도체 웨이퍼를 홀딩하는 척과 상기 척을 회전시키는 모터 구동부와,A chuck holding the semiconductor wafer and a motor driver rotating the chuck; 상기 척내에 장착되어 상기 반도체 웨이퍼 표면에 진동을 발생하는 진동 발생수단와,Vibration generating means mounted in the chuck to generate vibration on the surface of the semiconductor wafer; 상기 반도체 웨이퍼 표면으로 세정 용액을 공급하는 공급관 및 노즐과,A supply pipe and a nozzle for supplying a cleaning solution to the semiconductor wafer surface; 상기 반도체 웨이퍼 표면 상의 습도를 측정하는 습도 센서와,A humidity sensor for measuring humidity on a surface of the semiconductor wafer; 상기 진동 발생수단의 오작동시 경고음 또는 경고 표시를 하는 경고부와,A warning unit for outputting a warning sound or warning when the vibration generating means is malfunctioning; 상기 습도 센서에서 측정된 습도값을 검출받아 이를 기준값과 비교하여 측정된 습도값이 기준값 미만일 경우 상기 경고부에 경고 신호를 발생하는 제어부A control unit for detecting a humidity value measured by the humidity sensor and comparing it with a reference value and generating a warning signal to the warning unit when the measured humidity value is less than the reference value 를 포함하는 반도체 세정 장치. Semiconductor cleaning device comprising a. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제어부는 상기 측정된 습도값이 기준값미만일 경우 상기 모터 구동부와 상기 공급관 및 노즐의 작동을 정지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 장치.And the control unit stops the operation of the motor driving unit, the supply pipe, and the nozzle when the measured humidity value is less than the reference value. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제어부는 상기 측정된 습도값이 기준값이상일 경우 상기 모터 구동부와 상기 공급관 및 노즐의 작동을 계속 유지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 장치.And the control unit maintains operation of the motor driving unit, the supply pipe, and the nozzle when the measured humidity value is equal to or greater than a reference value. 반도체 웨이퍼 표면을 세정하는 장치를 작동하는 방법에 있어서,A method of operating an apparatus for cleaning a semiconductor wafer surface, 상기 반도체 웨이퍼를 회전시키면서 세정 용액을 공급하고 진동 발생수단을 통해 상기 반도체 웨이퍼 표면에 진동을 발생하여 세정 공정을 진행하는 단계와,Supplying a cleaning solution while rotating the semiconductor wafer, and generating a vibration on the surface of the semiconductor wafer through vibration generating means to perform a cleaning process; 상기 반도체 웨이퍼 표면 상의 습도를 측정하는 단계와,Measuring humidity on the semiconductor wafer surface; 상기 측정된 습도값을 검출받아 이를 기준값과 비교하는 단계와,Receiving the measured humidity value and comparing it with a reference value; 상기 비교 결과, 상기 측정된 습도값이 기준값 미만일 경우 진동 발생수단의 오작동을 알리는 경고음 또는 경고 표시를 하는 단계As a result of the comparison, if the measured humidity value is less than the reference value to give a warning sound or a warning indicating a malfunction of the vibration generating means 를 포함하는 반도체 세정 장치의 작동 방법. Method of operating a semiconductor cleaning device comprising a. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 경고음 또는 경고 표시를 하는 단계 이후에,After the beeping or warning indication, 상기 세정 공정을 정지시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 장치의 작동 방법.And stopping the cleaning process. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 비교 결과, 상기 측정된 습도값이 기준값이상일 경우 상기 세정 공정을 계속 진행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 장치의 작동 방법.And further comprising continuing the cleaning process when the measured humidity value is equal to or greater than a reference value.
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