KR100567641B1 - A method for reducing the metal ion content of aminoaromatic chromophores and using it for the synthesis of bottom antireflective coatings for low photoresist metals. - Google Patents
A method for reducing the metal ion content of aminoaromatic chromophores and using it for the synthesis of bottom antireflective coatings for low photoresist metals. Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 특별히 처리된 음이온 교환 수지를 사용하여 금속 이온 함량이 매우 낮은 하부 반사 방지 피복 조성물을 제조하는 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 이러한 하부 반사 방지 피복 조성물을 사용하여 기판에 포토이미지를 형성시키므로써 반도체 디바이스를 제작하는 방법을 제공한다. The present invention provides a process for preparing a bottom antireflective coating composition having a very low metal ion content using a specially treated anion exchange resin. The present invention also provides a method of fabricating a semiconductor device by forming a photoimage on a substrate using such a bottom antireflective coating composition.
Description
본 발명은 금속 이온, 특히 나트륨 및 철 함량이 매우 낮은 포토레지스트용 저부 반사 방지 코팅 용액을 제조하는 방법과, 감광성 포토레지스트 조성물과 함께 이러한 하부 반사 방지 코팅 용액을 사용하는 반도체 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이들 저부 반사 방지 코팅 용액으로 기판을 코팅하고, 이어서 포토레지스트로 코팅하며, 이미지화한 후, 이 감광성 포토레지스트 조성물을 현상하는 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for preparing a bottom anti-reflective coating solution for photoresists with very low content of metal ions, especially sodium and iron, and to a semiconductor device using such a bottom anti-reflective coating solution in combination with a photosensitive photoresist composition. It is about. The present invention also relates to a method of coating a substrate with these bottom antireflective coating solutions, followed by photoresist, imaging and developing the photosensitive photoresist composition.
박막 간섭 효과는 광학적 미세 석판 인쇄술의 공정을 조절하는 데 중추적인 역할을 한다. 레지스트의 두께 또는 레지스트 아래 박막의 두께가 조금만 변하여도 노광에 큰 변화가 있다. 다시 말하면, 바람직하지 못한 두 부류의 라인 너비 변형이 일어난다. Thin film interference effects play a pivotal role in controlling the process of optical microlithography. Even a slight change in the thickness of the resist or the thickness of the thin film under the resist causes a great change in exposure. In other words, two undesirable classes of line width deformation occur.
1. 박막 두께는 실행마다, 웨이퍼마다 또는 웨이퍼를 횡단하면서 변화하므로, 라인 너비도 실행마다, 웨이퍼마다 또는 웨이퍼를 횡단하면서 변화한다. 1. The thin film thickness varies from run to run, from wafer to wafer or across the wafer, so the line width also varies from run to run, from wafer to wafer or across the wafer.
2. 웨이퍼 토포그래피 위에 패턴 형성이 이루어지므로, 레지스트 두께는 레지스트가 단부를 교차함에 따라 토포그래피 단부에서 불가피하게 변화하여 라인 너비를 변화시킨다. 2. Since pattern formation is made on the wafer topography, the resist thickness inevitably changes at the topography end as the resist crosses the end, thereby changing the line width.
이같은 박막 간섭 효과를 피하는 것이 X선 석판 인쇄술 또는 다층 레지스트 시스템과 같은 진보된 공정의 주된 이점 중 하나이다. 그러나, 반도체 제조 라인에서는 단일층 레지스트(SLR) 공정들이 주로 사용되는 데, 그 이유는 단순함, 그리고 효율적인 비용과 더불어 건식 현상 공정에 비해 습식 현상 공정이 상대적으로 청결하기 때문이다. Avoiding such thin film interference effects is one of the main advantages of advanced processes such as X-ray lithography or multilayer resist systems. However, single layer resist (SLR) processes are commonly used in semiconductor manufacturing lines because the wet development process is relatively clean compared to the dry development process with simplicity and cost effectiveness.
박막 간섭 효과는 투명한 포지티브형 포토레지스트를 클리어하는 데 요구되는 노광량(소위, 도즈-투-클리어; dose-to-clear) 대 포토레지스트 두께의 플롯에 주기적인 기복을 만든다. 광학적으로, 레지스트가 코팅된 기판상에서는 저부 거울로부터 반사된 광선이(기판 + 박막의 효과로 인해) 정상부 거울(레지스트/공기 계면)의 반사를 방해한다. The thin film interference effect creates periodic relief in the plot of exposure (so-called dose-to-clear) versus photoresist thickness required to clear the transparent positive type photoresist. Optically, the light reflected from the bottom mirror on the resist coated substrate (due to the effect of the substrate + thin film) interferes with the reflection of the top mirror (resist / air interface).
광학적 석판 인쇄술이 더 짧은 파장을 선호하는 추세이므로 박막 간섭 효과는 점점 중요해지고 있다. 파장이 감소함에 따라 세기의 진폭은 더욱 커진다. Since optical lithography tends to prefer shorter wavelengths, thin film interference effects are becoming increasingly important. As the wavelength decreases, the amplitude of the intensity becomes larger.
박막 간섭 효과를 감소시키는 하나의 방안은 흡수성 반사 방지 코팅을 사용하여 기판 반사도를 감소시키는 것이다. 이를 수행하는 한가지 방법은 포토레지스트로 코팅하기 전 및 노광 전에 저부에 반사 방지 코팅을 도포하는 것이다. One way to reduce the thin film interference effect is to reduce the substrate reflectivity using an absorbent antireflective coating. One way to do this is to apply an antireflective coating to the bottom before coating with photoresist and prior to exposure.
컴퓨터 칩 및 집적 회로의 조립에서와 같은 소형 전자 부품을 제조하는 미세석판 인쇄 공정에서는 포토레지스트 조성물을 사용한다. 일반적으로, 이 공정에서는 포토레지스트 조성물로 된 필름의 얇은 코팅을 기판 재료, 예컨대 집적 회로의 제조에 사용되는 실리콘 웨이퍼에 먼저 도포한다. 그 후, 코팅된 기판을 소성하여 포토레지스트 조성물 내 모든 용매를 증발시켜서 상기 코팅을 기판에 고착시킨다. 이어서, 소성된 기판의 코팅된 표면을 이미지화 방식으로 복사선에 노광시킨다. Photoresist compositions are used in the microlithographic printing process for producing small electronic components such as in the assembly of computer chips and integrated circuits. Generally, in this process a thin coating of a film of photoresist composition is first applied to a substrate material, such as a silicon wafer used in the manufacture of integrated circuits. The coated substrate is then baked to evaporate all solvents in the photoresist composition to adhere the coating to the substrate. The coated surface of the fired substrate is then exposed to radiation in an imaging manner.
이 복사선 노광에 의해 코팅 표면의 노광된 영역에서 화학적인 변형이 일어난다. 가시광선, 자외선(UV), 전자빔 및 X-선 복사 에너지는 오늘날 미세 석판 인쇄 공정에서 통용되는 복사 유형이다. 이 이미지화 방식의 노광 후, 코팅된 기판을 현상제 용액으로 처리하여 포토레지스트 및 반사 방지 코팅의 복사선에 노광된 영역 또는 복사선에 노광되지 않은 영역을 용해시킴으로써 기판의 표면으로부터 제거한다. 상기 반사 방지 코팅은 추가로 플라스마 에칭법에 의해 제거될 수 있다. 이때, 포토레지스트 이미지는 마스크 역할을 한다. This radiation exposure causes chemical deformation in the exposed areas of the coating surface. Visible light, ultraviolet (UV) light, electron beam and X-ray radiant energy are radiation types commonly used in microlithography processes today. After exposure of this imaging method, the coated substrate is treated with a developer solution to remove it from the surface of the substrate by dissolving the areas exposed to the radiation of the photoresist and the antireflective coating or the areas not exposed to the radiation. The antireflective coating may further be removed by plasma etching. In this case, the photoresist image serves as a mask.
오랫동안 금속 오염물은 고밀도 집적 회로 및 컴퓨터 칩의 조립시 큰 문제가 되어왔다. 즉, 종종 결함을 증가시키며, 수율을 저하시키고 성능을 감소시키는 것과 같은 문제를 야기하여 왔다. 플라스마 공정에서, 나트륨 및 철과 같은 금속은 이들이 포토레지스트 또는 포토레지스트 상의 코팅 중에 존재하는 경우, 오염을 일으킬 수 있는 데, 특히 플라스마 스트리핑시 오염을 일으킬 수 있다. 그러나, 이러한 문제는, 예컨대 고온 소둔 사이클 도중 오염물을 HCl 게터링(gettering)함으로써 극복되어왔다. Metal contaminants have long been a major problem in the assembly of high density integrated circuits and computer chips. That is, it often causes problems such as increasing defects, lowering yields and decreasing performance. In the plasma process, metals such as sodium and iron can cause contamination if they are present in the photoresist or coating on the photoresist, in particular during plasma stripping. However, this problem has been overcome, for example, by gettering HCl with contaminants during hot annealing cycles.
그러나, 반도체 디바이스가 더욱 복잡해짐에 따라, 이러한 문제를 해결하기가 더욱 어려워졌다. 실리콘 웨이퍼를 액상 포지티브형 포토레지스트로 코팅하고, 이어서 이를 산소 마이크로웨이브 플라스마법과 같은 방법으로 스트리핑하는(strip off) 경우, 반도체 디바이스의 성능 및 안정성이 종종 감소되는 것으로 보인다. 플라스마 스트리핑 공정을 반복함에 따라, 종종 디바이스의 분해가 더 많이 일어난다. 이러한 문제의 주된 원인은 웨이퍼 상 반사 방지 코팅 내의 금속 오염물, 특히 나트륨 이온 및 철 이온일 수 있다. 0.1 ppm 정도의 낮은 금속 함량이라도 상기 반도체 디바이스의 성질에 악영향을 미칠 수 있다. However, as semiconductor devices become more complex, these problems become more difficult to solve. When a silicon wafer is coated with a liquid positive photoresist and then stripped off by a method such as oxygen microwave plasma, the performance and stability of the semiconductor device often appears to be reduced. As the plasma stripping process is repeated, often more decomposition of the device occurs. The main cause of this problem can be metal contaminants in the antireflective coating on the wafer, in particular sodium ions and iron ions. Even a metal content as low as 0.1 ppm may adversely affect the properties of the semiconductor device.
포토레지스트 조성물에는 두가지 유형, 즉 포지티브형 및 네가티브형이 있다. 네가티브형 포토레지스트 조성물을 이미지화 방식으로 복사선에 노광시키는 경우, 복사선에 노광된 레지스트 조성물의 영역은 현상제 용액에 잘 용해되지 않는 반면(예를 들면, 가교 반응이 일어남), 포토레지스트 코팅의 노광되지 않은 영역은 상기 용액에 비교적 잘 용해된다. 따라서, 노광된 네가티브형 레지스트를 현상제로 처리하면, 포토레지스트의 노광되지 않은 영역이 제거되어 네가티브형 이미지가 코팅 내에 형성된다. 이로 인해 포토레지스트 조성물이 침착되었던 중첩 기판 표면의 소정 부분이 드러난다. There are two types of photoresist compositions, positive and negative. When the negative photoresist composition is exposed to radiation in an imaging manner, the area of the resist composition exposed to radiation is poorly soluble in the developer solution (e.g., a crosslinking reaction occurs), while the photoresist coating is not exposed. The undissolved areas dissolve relatively well in the solution. Thus, when the exposed negative resist is treated with a developer, the unexposed areas of the photoresist are removed to form a negative image in the coating. This reveals certain portions of the overlapping substrate surface on which the photoresist composition has been deposited.
이에 반해, 포지티브형 포토레지스트 조성물을 이미지화 방식으로 복사선에 노광시키는 경우, 복사선에 노광된 레지스트 조성물의 영역은 현상제 용액에 더 잘 용해되는 반면(예를 들면, 전위 반응이 일어남), 포토레지스트 코팅의 노광되지 않은 영역은 상기 현상제 용액에 비교적 잘 용해되지 않는다. 따라서, 노광된 포지티브형 포토레지스트를 현상제로 처리하면, 포토레지스트의 노출된 영역이 제거되어 포지티브형 이미지가 포토레지스트 코팅 내에 형성된다. 다시 말하면, 중첩 기판 표면의 소정 부분이 드러난다. In contrast, when the positive photoresist composition is exposed to radiation in an imaging manner, the area of the resist composition exposed to radiation is better dissolved in the developer solution (eg, a potential reaction occurs), while the photoresist coating The unexposed regions of do not dissolve relatively well in the developer solution. Thus, treating the exposed positive photoresist with a developer removes the exposed areas of the photoresist to form a positive image in the photoresist coating. In other words, certain portions of the superposed substrate surface are revealed.
이러한 현상 과정 후, 이제는 부분적으로 보호되지 않은 반사 방지 코팅을 에칭제 용액 또는 플라스마 가스 등으로 처리한다. 에칭제 용액 또는 플라스마 가스는 현상 중 포토레지스트 코팅이 제거되었던 곳에서부터 반사 방지 코팅의 부분을 에칭시킨다. 포토레지스트 코팅이 여전히 남아있는 기판 영역은 보호되므로, 에칭된 패턴이 기판 물질 중에 형성된다. 이는 복사선에 이미지화 방식으로 노광시키는 데 사용되는 포토마스크에 해당한다. 추가의 공정, 예를 들면 에칭 공정 및 도핑 공정도 수행할 수 있다. 이후, 포토레지스트 코팅이 남아 있는 부분을 스트리핑 조작 중에 제거할 수 있으며 이로써 깨끗한 에칭된 기판을 얻게 된다. 경우에 따라서는, 남아 있는 포토레지스트 층을 현상 단계 후 및 에칭 단계 전에 열처리하여 중첩 기판에 대한 접착성 및 에칭 용액에 대한 내성을 증가시키는 것이 바람직하다. After this development, the partially unprotected antireflective coating is now treated with etchant solution or plasma gas or the like. The etchant solution or plasma gas etches the portion of the antireflective coating from where the photoresist coating was removed during development. Since the area of the substrate where the photoresist coating still remains is protected, an etched pattern is formed in the substrate material. This corresponds to a photomask used for imaging exposure to radiation. Additional processes may also be performed, such as etching and doping processes. The remaining portion of the photoresist coating can then be removed during the stripping operation, resulting in a clean etched substrate. In some cases, it is desirable to heat-treat the remaining photoresist layer after the developing step and before the etching step to increase the adhesion to the overlapping substrate and the resistance to the etching solution.
현재, 포지티브형 포토레지스트 조성물은 네가티브형 포토레지스트 조성물에 비해 선호된다. 왜냐하면 포지티브형 포토레지스트 조성물이 일반적으로 분해능과 패턴 전이 특성이 더 좋기 때문이다. 포토레지스트 분해능이란 노광 후, 그리고 현상 후에 레지스트 조성물이 높은 이미지 단부 정확도로 포토마스크로부터 기판에 전달할 수 있는 최소의 상으로 정의된다. 오늘날 많은 제조 용도에서, 약 1 ㎛ 미만의 레지스트 분해능이 요구된다. 또한, 현상된 포토레지스트 월 프로파일(wall profile)은 기판에 대해 거의 수직인 것이 대체로 바람직하다. 포토레지스트 코팅의 현상된 영역과 현상되지 않은 영역간의 이 같은 경계(demarcation)는 기판에 대한 마스크 이미지의 정확한 패턴 전달로 해석된다.Currently, positive photoresist compositions are preferred over negative photoresist compositions. This is because positive type photoresist compositions generally have better resolution and pattern transfer properties. Photoresist resolution is defined as the smallest image that the resist composition can transfer from the photomask to the substrate after exposure and after development with high image end accuracy. In many manufacturing applications today, resist resolution of less than about 1 μm is required. In addition, it is generally desirable that the developed photoresist wall profile be nearly perpendicular to the substrate. This demarcation between developed and undeveloped areas of the photoresist coating translates to accurate pattern transfer of the mask image to the substrate.
발명의 개요Summary of the Invention
본 발명은 금속 이온, 특히 나트륨 이온 및 철 이온의 함량이 매우 낮은 저부 반사 방지 코팅 용액을 제조하는 방법 및 이러한 코팅을 사용하여 포토이미지를 형성시키는 방법에 관한 것으로서, 상기 반사 방지 코팅 용액은 금속 함량을 감소시킨 아미노방향족 발색단과 무수물을 포함한 중합체와의 반응 생성물이다. 본 발명의 방법은 아미노방향족 발색단의 여과 용액을 예비 세척한 음이온 교환 수지에 통과시키고, 극성 용매를 증류 제거하여 금속 함량이 100 ppb 미만, 바람직하게는 50 ppb 미만, 가장 바람직하게는 10 ppb 미만인 물질을 얻고, 추가로 상기 아미노방향족 발색단을 무수물 기를 함유한 중합체와 반응시킨 후, 이 반응 생성물을 탈이온수로 세척하고, 잔류한 물을 제거하며, 주조 용매로 고형분 함량을 조절하여 나트륨 및 철의 금속 함량이 각각 100 ppb 미만, 바람직하게는 각각 50 ppb 미만, 가장 바람직하게는 각각 10 ppb 미만이고, 고체 함량이 약 2 중량% 내지 약 15 중량% 범위인 반사 방지 코팅 용액을 얻는 단계로 이루어진다. 본 발명은 또한 이같은 포토레지스트용 저부 반사 방지 코팅을 사용하는 반도체 디바이스를 제작하는 방법, 그리고 이러한 방법을 사용하여 제조된 반도체 디바이스에 관한 것이다. The present invention relates to a method for preparing a bottom antireflective coating solution having a very low content of metal ions, in particular sodium ions and iron ions, and to a method of forming a photoimage using such a coating, wherein the antireflective coating solution comprises a metal content. Is the reaction product of an aminoaromatic chromophore with reduced polymer and an anhydride. The process of the present invention allows the filtered solution of the aminoaromatic chromophore to pass through a pre-washed anion exchange resin and distilled off the polar solvent to give a metal content of less than 100 ppb, preferably less than 50 ppb, most preferably less than 10 ppb. And further react the aminoaromatic chromophore with a polymer containing anhydride groups, then wash the reaction product with deionized water, remove residual water and adjust the solids content with a casting solvent to control the metals of sodium and iron. Obtaining an antireflective coating solution having a content of less than 100 ppb each, preferably less than 50 ppb each, most preferably less than 10 ppb each, and a solids content ranging from about 2% to about 15% by weight. The present invention also relates to a method of manufacturing a semiconductor device using such a bottom anti-reflective coating for photoresist, and a semiconductor device manufactured using such a method.
본 발명의 방법은 금속 이온 함량이 매우 낮은 저부 반사 방지 코팅 용액을 제공한다. 이 반사 방지 코팅을 포토레지스트 보다 먼저 도포한다. 포토레지스트로는 포지티브형 포토레지스트가 바람직하기는 하나, 네가티브형 또는 포지티브형 중 어느 것이라도 가능하다. The method of the present invention provides a bottom antireflective coating solution having a very low metal ion content. This antireflective coating is applied before the photoresist. The photoresist is preferably a positive photoresist, but may be either negative or positive.
본 발명은 금속 이온, 특히 나트륨 및 철의 함량이 매우 낮은 저부 반사 방지 코팅을 제조하는 방법 및 이러한 저부 반사 방지 코팅을 사용하는 반도체 디바이스를 제공한다. 본 발명은 음이온 교환 수지를 이용하여 아미노방향족 발색단을 정화시키며, 이 발색단과 중합체를 반응시켜 금속 이온 함량이 매우 낮은 반사 방지 코팅을 제조하는 신규한 방법을 기술한 것이다. The present invention provides a method for producing a bottom antireflective coating having a very low content of metal ions, especially sodium and iron, and a semiconductor device using such a bottom antireflective coating. The present invention describes a novel method of purifying aminoaromatic chromophores using anion exchange resins and reacting the chromophores with polymers to produce antireflective coatings with very low metal ion contents.
본 발명에 사용된 반사 방지 코팅은 1 종 이상의 아미노방향족 발색단과, 무수물을 함유하는 중합체의 이미드 반응 생성물을 포함하는 필름 형성용 조성물로 이루어진다. 그 아미노방향족 발색단은 그것에 결합되어 있는 일차 아미노 부분 또는 이차 아미노 부분을 함유하는 임의의 방향족 화합물로서, N-아릴 아미노 화합물, 벤질 아민 또는 또 다른 아미노 방향족 화합물일 수 있으며, 여기서 아미노기는 중간체기를 통해 방향족 화합물에 결합되어 있다. 아미노 방향족 발색단은 일차 아미노기를 함유하는 것이 바람직하다. 아미노방향족 발색단은 N-아릴 결합을 통해 방향족 화합물에 결합되어 있는 일차 아미노기를 함유하는 것이 더욱 바람직하다. 아미노방향족 발색단은 1-아미노안트라센, 2-아미노안트라센, 1-아미노나프탈렌, 2-아미노나프탈렌, N-(2,4-디니트로페닐)-1,4-벤젠디아민, p-(2,4-디니트로페닐아조)아닐린, p-(4-N,N-디메틸아미노페닐아조)아닐린, 4-아미노-2-(9-(6-히드록시-3-크산텐오일)-벤조산, 2,4-디니트로페닐히드라진, 디니트로아닐린, 아미노벤조티아졸린 및 아미노플루오렌온으로 이루어진 군 중에서 선택되는 것이 바람직하다. 아미노방향족 발색단과 반응시키는 데 유용한 중합체는 무수물 기를 함유하는 임의의 중합체를 포함한다. 구체적인 예로는, 폴리디메틸글루타르이미드, 말레산 무수물-메틸메타크릴레이트 공중합체, 말레산 무수물-비닐메틸에테르 공중합체, 스티렌-말레산 무수물 공중합체, 폴리(아크릴산 무수물)과 이들의 유도체, 공중합체 및 조합물을 포함하나 이것에 한정하는 것은 아니다. The antireflective coating used in the present invention consists of a film forming composition comprising at least one aminoaromatic chromophore and an imide reaction product of a polymer containing anhydrides. The aminoaromatic chromophore is any aromatic compound containing a primary amino moiety or a secondary amino moiety attached thereto, which may be an N-aryl amino compound, benzyl amine or another amino aromatic compound, wherein the amino group is aromatic via an intermediate group. Is bound to the compound. The amino aromatic chromophore preferably contains a primary amino group. More preferably, the aminoaromatic chromophore contains a primary amino group bonded to the aromatic compound via an N-aryl bond. Aminoaromatic chromophores include 1-aminoanthracene, 2-aminoanthracene, 1-aminonaphthalene, 2-aminonaphthalene, N- (2,4-dinitrophenyl) -1,4-benzenediamine, p- (2,4- Dinitrophenylazo) aniline, p- (4-N, N-dimethylaminophenylazo) aniline, 4-amino-2- (9- (6-hydroxy-3-xanthenoyl) -benzoic acid, 2,4 It is preferably selected from the group consisting of dinitrophenylhydrazine, dinitroaniline, aminobenzothiazoline and aminofluorenone Polymers useful for reacting with aminoaromatic chromophores include any polymer containing anhydride groups. Specific examples include polydimethylglutarimide, maleic anhydride-methylmethacrylate copolymer, maleic anhydride-vinylmethylether copolymer, styrene-maleic anhydride copolymer, poly (acrylic anhydride) and derivatives thereof, and air Including but not limited to coalescing and combinations It is not decided.
본 발명에 사용되는 반사 방지 코팅은 다양한 용매(이하, 주조 용매라고 함) 중에 용해되어 박막 형성에 유용한 조성물을 제공할 수 있다. 용매의 구체적인 예로는 부티로락톤, 시클로펜탄온, 시클로헥산온, 디메틸아세트아미드, 디메틸포름아미드, 디메틸 술폭시드, N-메틸 피롤리돈, 테트라히드로푸르푸랄 알콜 또는 이들의 조합물을 들 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 바람직한 용매로는 부티로락톤, 시클로펜탄온 및 시클로헥산온이 있다. 계면활성제와 같은 첨가제 또한 저함량으로 첨가되어, 3M의 Fluorad(등록상표) FC-430과 같이 코팅 성능을 개선시킬 수 있다. The antireflective coating used in the present invention may be dissolved in various solvents (hereinafter referred to as casting solvents) to provide compositions useful for thin film formation. Specific examples of the solvent include butyrolactone, cyclopentanone, cyclohexanone, dimethylacetamide, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, N-methyl pyrrolidone, tetrahydrofurfural alcohol or combinations thereof. It is not limited to this. Preferred solvents include butyrolactone, cyclopentanone and cyclohexanone. Additives such as surfactants may also be added in low amounts to improve coating performance, such as 3M's Fluorad® FC-430.
본 발명의 방법은 하기 (a) 내지 (c)단계:The method of the present invention comprises the following steps (a) to (c):
(a) 1. 아미노방향족 발색단을 시클로헥산온 또는 시클로펜탄온과 같은 전자 등급 주조 용매 중에 용해시킨 용액을 제조하고, (a) 1. Prepare a solution in which an aminoaromatic chromophore is dissolved in an electronic grade casting solvent such as cyclohexanone or cyclopentanone,
2. 아세톤, 메탄올, 에탄올 또는 프로판올과 같이 저융점의 극성 유기 용매와 같은 전자 등급 극성 용매를 첨가하여 균질 용액을 제조하며(이 때, 전자 등급 주조 용매 대 전자 등급 극성 용매의 비는 약 1:0.2 내지 약 1:3의 범위임), 2. Prepare a homogeneous solution by adding an electronic grade polar solvent, such as a low melting polar organic solvent, such as acetone, methanol, ethanol or propanol, wherein the ratio of electronic grade casting solvent to electronic grade polar solvent is about 1: 0.2 to about 1: 3),
3. 그 용액을, 예컨대 Teflon(등록상표) 필터(폴리테트라플루오로에틸렌)를 통해 여과시키고, 3. The solution is filtered through, for example, a Teflon® filter (polytetrafluoroethylene),
4. 여과된 용액을, 나트륨 이온 및 철 이온의 함량을 각각 50 ppb 미만, 바람직하게는 각각 20 ppb 미만, 가장 바람직하게는 각각 5 ppb 미만으로 감소시키기에 충분한 체류 시간을 제공하는 속도로 Amberlyst(등록상표) A21 또는 BioRad(등록상표) 컬럼과 같은 예비 세척한 음이온 교환 수지에 통과시키며, 4. The filtered solution was treated with Amberlyst at a rate that provided sufficient retention time to reduce the content of sodium ions and iron ions to less than 50 ppb, preferably less than 20 ppb and most preferably less than 5 ppb each. Pass through a pre-washed anion exchange resin such as A21 or BioRad® column,
5. 전자 등급 극성 용매를 증류 제거하여 나트륨 이온 및 철 이온의 함량이 각각 100 ppb 미만, 바람직하게는 각각 50 ppb 미만, 가장 바람직하게는 각각 10 ppb 미만인 금속 함량이 낮은 용액을 제공하는 단계, 또는5. distilling off the electronic grade polar solvent to provide a low metal solution having a content of sodium ions and iron ions of less than 100 ppb, preferably less than 50 ppb, most preferably less than 10 ppb each, or
(a) 1. 아미노방향족 발색단을 아세톤, 메탄올, 에탄올 또는 프로판올과 같이 저융점의 극성 유기 용매와 같은 전자 등급 극성 용매 중에 용해시킨 용액을 제조하고, (a) 1. Prepare a solution in which an aminoaromatic chromophore is dissolved in an electronic grade polar solvent such as acetone, methanol, ethanol or propanol, such as a low melting polar organic solvent,
2. 그 용액을, 예컨대 Teflon(등록상표) 필터(폴리테트라플루오로에틸렌)를 통해 여과시키고, 2. The solution is filtered through, for example, a Teflon® filter (polytetrafluoroethylene),
3. 여과된 용액을, 나트륨 이온 및 철 이온의 함량을 각각 50 ppb 미만, 바람직하게는 각각 20 ppb 미만, 가장 바람직하게는 각각 5 ppb 미만으로 감소시키기에 충분한 체류 시간을 제공하는 속도로 Amberlyst(등록상표) A21 또는 BioRad(등록상표) 컬럼과 같은 예비 세척한 음이온 교환 수지에 통과시키고, 3. The filtered solution was treated with Amberlyst at a rate that provided sufficient residence time to reduce the content of sodium ions and iron ions to less than 50 ppb, preferably less than 20 ppb and most preferably less than 5 ppb each. Passed through a pre-washed anion exchange resin such as A21 or BioRad® column,
4. 시클로헥산온 또는 시클로펜탄온과 같은 전자 등급 주조 용매를 첨가하고(이 때, 전자 등급 주조 용매 대 전자 등급 극성 용매의 비는 약 1:0.2 내지 약 1:3의 범위임), 4. Add an electronic grade casting solvent, such as cyclohexanone or cyclopentanone, wherein the ratio of electronic grade casting solvent to electronic grade polar solvent ranges from about 1: 0.2 to about 1: 3,
5. 전자 등급 극성 용매를 증류 제거하여 나트륨 이온 및 철 이온의 함량이 각각 100 ppb 미만, 바람직하게는 각각 50 ppb 미만, 가장 바람직하게는 각각 10 ppb 미만인 금속 함량이 낮은 용액을 제공하는 단계, 5. distilling off the electronic grade polar solvent to provide a low metal solution having a content of sodium ions and iron ions of less than 100 ppb, preferably less than 50 ppb, most preferably less than 10 ppb each;
(b) 상기 금속 함량이 낮은 용액과 무수물 기를 함유한 중합체를 약 120℃ 내지 160℃의 온도에서 약 6 시간 내지 약 8 시간 동안 반응시켜서 gpc(겔 투과 크로마토그래피) 중량 평균 분자량이 약 50,000 내지 약 2,000,000인 반응 생성물을 얻는 단계, (b) reacting the low-metal solution and the polymer containing anhydride groups at a temperature of about 120 ° C. to 160 ° C. for about 6 hours to about 8 hours to obtain a gpc (gel permeation chromatography) weight average molecular weight of about 50,000 to about Obtaining a reaction product of 2,000,000,
(c) 그 반응 생성물에 탈이온수를 첨가하여 약 30 분 내지 약 90 분 동안 교반한 후, 수층을 경사 분리하고 증류하여 잔류한 물을 제거하고, 필요한 경우 반응 생성물의 고형분 함량을 전자 등급 주조 용매를 사용하여 조절함으로써 나트륨 이온 및 철 이온 함량이 각각 100 ppb 미만, 바람직하게는 각각 50 ppb 미만, 가장 바람직하게는 각각 10 ppb 미만이고 고형분 함량은 약 2 중량% 내지 약 15 중량%, 바람직하게는 3 중량% 내지 10 중량%, 가장 바람직하게는 4 중량% 내지 8 중량%인 저부 반사 방지 코팅 용액을 제조하는 단계(c) deionized water was added to the reaction product and stirred for about 30 minutes to about 90 minutes, then the aqueous layer was decanted and distilled to remove residual water, and if necessary, the solids content of the reaction product was converted to an electronic grade casting solvent. By adjusting with the sodium and iron ion contents are respectively less than 100 ppb, preferably less than 50 ppb each, most preferably less than 10 ppb each and the solids content is from about 2% to about 15% by weight, preferably Preparing a bottom anti-reflective coating solution that is 3 to 10 weight percent, most preferably 4 to 8 weight percent
를 포함한다.It includes.
음이온 교환 수지로 각각의 아미노방향족 발색단(염료) 또는 공중합체 성분을 처리하기 전에, 그 음이온 교환 수지로 처리하고자 하는 성분 또는 혼합 성분들에 대한 용매와 동일하거나 이들과 적어도 상용성인 용매로 음이온 교환 수지를 처리한다. 상기 음이온 교환 수지를 충분한 양의 새로운 용매로 처리하여 기타 용매를 거의 제거하고 이온 교환 수지를 새로운 용매로 포화시키는 것이 가장 바람직하다. Before treating each aminoaromatic chromophore (dye) or copolymer component with an anion exchange resin, the anion exchange resin with a solvent that is the same or at least compatible with the solvent for the component or mixed components to be treated with the anion exchange resin. To process Most preferably, the anion exchange resin is treated with a sufficient amount of fresh solvent to substantially eliminate other solvents and saturate the ion exchange resin with fresh solvent.
스티렌/디비닐벤젠 음이온 교환 수지와 같은 음이온 교환 수지를 본 발명의 방법에 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 음이온 교환 수지로는 Rohm & Hass 컴파니에서, 예를 들면 Amberlyst(등록상표) A-21 수지, Amberlyst(등록상표) A-26 수지, Amberlyst(등록상표) A-27 수지로 시판하거나 또는 BioRad 코오포레이숀에서 시판한다. 이들 수지는 전형적으로 나트륨 및 철을 80,000 ppb 내지 200,000 ppb 또는 그 이상으로 함유한다. 본 발명의 방법에 음이온 교환 수지를 사용하기 전, 이것을 탈이온수로 세척한 후 수산화암모늄 용액으로 세척하는 방법으로 예비 세척하여야 한다. 음이온 교환 수지를 먼저 탈이온수로 헹구어준 후, 수산화 암모늄 용액으로 헹구고, 이어서 헹굼액이 18 ㏁ 전도도를 가질 때까지 탈이온수로 다시 헹구는 것이 바람직하다.It is preferable to use an anion exchange resin such as styrene / divinylbenzene anion exchange resin in the method of the present invention. Such anion exchange resins are commercially available from Rohm & Hass Company, for example Amberlyst® A-21 resin, Amberlyst® A-26 resin, Amberlyst® A-27 resin or BioRad. It is marketed by Kopo Race. These resins typically contain 80,000 ppb to 200,000 ppb or more of sodium and iron. Before using the anion exchange resin in the method of the present invention, it should be prewashed by washing with deionized water and then with ammonium hydroxide solution. It is preferable to rinse the anion exchange resin with deionized water first, then with ammonium hydroxide solution, and then rinse again with deionized water until the rinse has an 18 kPa conductivity.
또한, 본 발명은 이같은 반사 방지 코팅을 사용하는 반도체 디바이스를 제작하는 방법 및 이러한 방법을 사용하여 제조된 반도체 디바이스를 제공한다. 본 발명의 방법은 하기 (a) 내지 (i)단계:The present invention also provides a method of manufacturing a semiconductor device using such an antireflective coating and a semiconductor device manufactured using the method. The method of the present invention comprises the following steps (a) to (i):
(a) 1. 아미노방향족 발색단을 시클로헥산온 또는 시클로펜탄온과 같은 전자 등급 주조 용매 중에 용해시킨 용액을 제조하고, (a) 1. Prepare a solution in which an aminoaromatic chromophore is dissolved in an electronic grade casting solvent such as cyclohexanone or cyclopentanone,
2. 아세톤, 메탄올, 에탄올 또는 프로판올처럼 저융점의 극성 유기 용매와 같은 전자 등급 극성 용매를 첨가하여 균질 용액을 제조하며(이 때, 전자 등급 주조 용매 대 전자 등급 극성 용매의 비는 약 1:0.2 내지 약 1:3의 범위임), 2. Prepare a homogeneous solution by adding an electronic grade polar solvent such as a low melting point polar organic solvent such as acetone, methanol, ethanol or propanol (where the ratio of the electronic grade casting solvent to the electronic grade polar solvent is about 1: 0.2). To about 1: 3),
3. 그 용액을, 예컨대 Teflon(등록상표) 필터(폴리테트라플루오로에틸렌)를 통해 여과시키고, 3. The solution is filtered through, for example, a Teflon® filter (polytetrafluoroethylene),
4. 여과된 용액을, 나트륨 이온 및 철 이온의 함량을 각각 50 ppb 미만, 바람직하게는 각각 20 ppb 미만, 가장 바람직하게는 각각 5 ppb 미만으로 감소시키기에 충분한 체류 시간을 제공하는 속도로 Amberlyst(등록상표) A21 또는 BioRad(등록상표) 컬럼과 같은 예비 세척한 음이온 교환 수지에 통과시키며, 4. The filtered solution was treated with Amberlyst at a rate that provided sufficient retention time to reduce the content of sodium ions and iron ions to less than 50 ppb, preferably less than 20 ppb and most preferably less than 5 ppb each. Pass through a pre-washed anion exchange resin such as A21 or BioRad® column,
5. 전자 등급 극성 용매를 증류 제거하여 나트륨 이온 및 철 이온의 함량이 각각 100 ppb 미만, 바람직하게는 각각 50 ppb 미만, 가장 바람직하게는 각각 10 ppb 미만인 금속 함량이 낮은 용액을 제공하는 단계, 또는 5. distilling off the electronic grade polar solvent to provide a low metal solution having a content of sodium ions and iron ions of less than 100 ppb, preferably less than 50 ppb, most preferably less than 10 ppb each, or
(a) 1. 아미노방향족 발색단을 아세톤, 메탄올, 에탄올 또는 프로판올과 같이 저융점의 극성 유기 용매와 같은 전자 등급 극성 용매 중에 용해시킨 용액을 제조하고, (a) 1. Prepare a solution in which an aminoaromatic chromophore is dissolved in an electronic grade polar solvent such as acetone, methanol, ethanol or propanol, such as a low melting polar organic solvent,
2. 그 용액을, 예컨대 Teflon(등록상표) 필터(폴리테트라플루오로에틸렌)를 통해 여과시키며, 2. The solution is filtered through, for example, a Teflon® filter (polytetrafluoroethylene),
3. 여과된 용액을, 나트륨 이온 및 철 이온의 함량을 각각 50 ppb 미만, 바람직하게는 각각 20 ppb 미만, 가장 바람직하게는 각각 5 ppb 미만으로 감소시키기에 충분한 체류 시간을 제공하는 속도로 Amberlyst(등록상표) A21 또는 BioRad(등록상표) 컬럼과 같은 예비 세척한 음이온 교환 수지에 통과시키고, 3. The filtered solution was treated with Amberlyst at a rate that provided sufficient residence time to reduce the content of sodium ions and iron ions to less than 50 ppb, preferably less than 20 ppb and most preferably less than 5 ppb each. Passed through a pre-washed anion exchange resin such as A21 or BioRad® column,
4. 시클로헥산온 또는 시클로펜탄온과 같은 전자 등급 주조 용매를 첨가하며(이 때, 전자 등급 주조 용매 대 전자 등급 극성 용매의 비는 약 1:0.2 내지 약 1:3의 범위임), 4. Add an electronic grade casting solvent, such as cyclohexanone or cyclopentanone, wherein the ratio of electronic grade casting solvent to electronic grade polar solvent ranges from about 1: 0.2 to about 1: 3,
5. 전자 등급 극성 용매를 증류 제거하여 나트륨 이온 및 철 이온의 함량이 각각 100 ppb 미만, 바람직하게는 각각 50 ppb 미만, 가장 바람직하게는 각각 10 ppb 미만인 금속 함량이 낮은 용액을 제공하는 단계, 5. distilling off the electronic grade polar solvent to provide a low metal solution having a content of sodium ions and iron ions of less than 100 ppb, preferably less than 50 ppb, most preferably less than 10 ppb each;
(b) 상기 금속 함량이 낮은 용액과 무수물 기를 함유한 중합체를 약 120℃ 내지 160℃의 온도에서 약 6 시간 내지 약 8 시간 동안 반응시켜서 gpc(겔 투과 크로마토그래피) 중량 평균 분자량이 약 50,000 내지 약 2,000,000인 반응 생성물을 얻는 단계,(b) reacting the low-metal solution and the polymer containing anhydride groups at a temperature of about 120 ° C. to 160 ° C. for about 6 hours to about 8 hours to obtain a gpc (gel permeation chromatography) weight average molecular weight of about 50,000 to about Obtaining a reaction product of 2,000,000,
(c) 그 반응 생성물에 탈이온수를 첨가하여, 약 30 분 내지 약 90 분 동안 교반한 후, 수층을 경사 분리하고 증류하여 잔류한 물을 제거하고, 필요한 경우 반응 생성물의 고형분 함량을 전자 등급 주조 용매를 사용하여 조절함으로써 나트륨 이온 및 철 이온 함량이 각각 100 ppb 미만, 바람직하게는 각각 50 ppb 미만, 가장 바람직하게는 각각 10 ppb 미만이고, 고형분 함량은 약 2 중량% 내지 약 15 중량%, 바람직하게는 3 중량% 내지 10 중량%, 가장 바람직하게는 4 중량% 내지 8 중량%인 저부 반사 방지 코팅 용액을 제조하는 단계, (c) deionized water is added to the reaction product, stirred for about 30 minutes to about 90 minutes, the water layer is decanted and distilled to remove residual water and, if necessary, the solids content of the reaction product is cast in electronic grade. By adjusting with a solvent, the sodium and iron ion contents are each less than 100 ppb, preferably less than 50 ppb each, most preferably less than 10 ppb each, and the solids content is from about 2% to about 15% by weight, preferably Preparing a bottom antireflective coating solution, preferably from 3% to 10% by weight, most preferably from 4% to 8% by weight,
(d) 1. 포토레지스트 조성물을 감광시키기에 충분한 양의 감광성 성분, 2. 거의 균일한 포토레지스트 조성물을 형성시키기에 충분한 양의 수불용성, 수성 알칼리 가용성 필름 형성용 노볼락 수지 및 3. 적당한 포토레지스트 용매로 이루어진 혼합물을 제공함으로써 포토레지스트 조성물 용액을 조제하는 단계, (d) 1. sufficient amount of photosensitive component to photosensitive photoresist composition, 2. sufficient amount of water-insoluble, novolak resin for forming aqueous alkali-soluble film, and 3. suitable photo to form almost uniform photoresist composition. Preparing a photoresist composition solution by providing a mixture consisting of a resist solvent,
(e) 적당한 기판을 (c) 단계에서 얻은 저부 반사 방지 조성물로 먼저 코팅시키는 단계,(e) first coating a suitable substrate with the bottom antireflective composition obtained in step (c),
(f) 전자 등급 주조 용매를 거의 제거하기에 충분한 온도로 기판을 가열하는 단계, (f) heating the substrate to a temperature sufficient to substantially remove the electronic grade casting solvent,
(g) 그 기판을 포토레지스트 조성물로 코팅하는 단계, (g) coating the substrate with a photoresist composition,
(h) 거의 모든 포토레지스트 용매가 제거될 때까지 코팅된 기판을 열처리하고, 이미지화 방식으로 상기 포토레지스트 조성물을 노광시킨 후, 포토레지스트 조성물을 수성 알칼리 현상제와 같은 적당한 현상제로 현상시키는 단계, (h) heat-treating the coated substrate until almost all of the photoresist solvent is removed, exposing the photoresist composition by imaging, and then developing the photoresist composition with a suitable developer, such as an aqueous alkali developer,
(i) 임의로, 현상 단계(h) 직전 또는 직후에 기판을 가열하는 단계(i) optionally, heating the substrate immediately before or after the developing step (h)
를 포함한다.It includes.
본 발명의 처리된 저부 반사 방지 코팅 용액을 포토레지스트 분야에 사용된 임의의 종래 방법(예, 침지법, 분무법, 와동법 및 스핀 코팅법)에 따라 기판에 도포할 수 있다. 스핀 코팅법을 사용하는 경우, 예를 들면 코팅 용액의 고형분 함량%(소정 두께의 코팅을 제공하기 위한 것), 사용된 스핀 장치의 유형 및 스핀 공정에 허용되는 시간에 따라 코팅 용액을 조절할 수 있다. 적당한 기판으로는 규소, 알루미늄, 중합체 수지, 이산화규소, 도핑 이산화규소, 질화 규소, 탄탈륨, 구리, 폴리실리콘, 세라믹, 알루미늄/구리 혼합물, 갈륨 비소화물 및 기타 주기율표 III/V 족 화합물을 들 수 있다. The treated bottom antireflective coating solution of the present invention may be applied to the substrate according to any conventional method used in the field of photoresist (eg, dipping, spraying, vortexing and spin coating). When using the spin coating method, the coating solution can be adjusted according to, for example, the percent solids content of the coating solution (to provide a coating of a certain thickness), the type of spin device used and the time allowed for the spin process. . Suitable substrates include silicon, aluminum, polymer resins, silicon dioxide, doped silicon dioxide, silicon nitride, tantalum, copper, polysilicon, ceramics, aluminum / copper mixtures, gallium arsenides and other periodic table III / V compounds. .
본 발명에 의해 제조된 저부 반사 방지 코팅은, 특히 열적으로 성장한 규소/이산화규소 코팅 웨이퍼에 도포하는 데 특히 적당하다. 이는 마이크로프로세서 및 기타 소형 집적회로 부품의 제조시에도 사용된다. 또한 알루미늄/산화알루미늄 웨이퍼도 사용할 수 있다. 기판은 또한 다양한 중합체 수지, 특히 폴리에스테르와 같은 투명한 중합체를 포함할 수 있다. 기판은 적당한 조성을 갖는 접착 촉진층, 예를 들면 헥사알킬 디실라잔을 함유하는 접착 촉진층을 포함할 수 있다. The bottom antireflective coating produced by the present invention is particularly suitable for applying to thermally grown silicon / silicon dioxide coated wafers. It is also used in the manufacture of microprocessors and other small integrated circuit components. Aluminum / aluminum oxide wafers can also be used. The substrate may also comprise various polymeric resins, in particular transparent polymers such as polyesters. The substrate may comprise an adhesion promoter layer having a suitable composition, for example, an adhesion promoter layer containing hexaalkyl disilazane.
본 발명의 저부 반사 방지 코팅은 적당한 기판에 코팅되며 약 80℃ 내지 약 240℃의 온도로 가열하여 주조 용매를 거의 제거하고, 이어서 기판을 포토레지스트 조성물로 코팅한 후, 기판을 약 70℃ 내지 약 120℃의 온도에서 약 30 초 내지 약 180 초 동안 핫 플레이트 상에서 처리하거나 또는 대류 오븐에서 약 15 분 내지 약 90 분 동안 처리한다. 이 온도 처리는 포토레지스트와 반사 방지 코팅 내 잔류한 용매의 농도를 감소시키기 위해 수행되는 것으로서, 감광제의 실질적인 열분해를 일으키지 않아야 한다. The bottom antireflective coating of the present invention is coated onto a suitable substrate and heated to a temperature of about 80 ° C. to about 240 ° C. to substantially remove the casting solvent, and then the substrate is coated with the photoresist composition, and then the substrate is about 70 ° C. to about The treatment is carried out on a hot plate at a temperature of 120 ° C. for about 30 seconds to about 180 seconds or in a convection oven for about 15 minutes to about 90 minutes. This temperature treatment is performed to reduce the concentration of solvent remaining in the photoresist and antireflective coating, and should not cause substantial thermal degradation of the photosensitizer.
일반적으로, 반사 방지 코팅과 포토레지스트 모두에서 용매 농도를 최소화하는 것이 요구되며, 상기 온도 처리는 거의 모든 용매가 증발되어 포토레지스트 조성물의 얇은 코팅, 약 1 ㎛의 두께가 기판 상에 남게 될 때까지 수행된다. 바람직한 실시양태에서는, 상기 온도가 약 80℃ 내지 약 120℃이다. 상기 처리는 용매 제거 속도 변화가 비교적 무시할 정도가 될 때까지 수행된다. 사용되는 온도와 시간은 사용자가 요구하는 포토레지스트 특성 뿐아니라 사용된 장치 및 시판품에서 요구되는 코팅 시간에 좌우된다. 그 후, 코팅용 기판을 마스크, 네가티브, 스텐실, 템플레이트 등을 적당히 사용하여 원하는 패턴으로 활성복사선, 예를 들면 약 300 ㎚ 내지 약 450 ㎚ 파장 범위의 자외선, X-선, 전자빔, 이온빔 또는 레이저 복사선에 노광시킬 수 있다. In general, it is desired to minimize the solvent concentration in both the antireflective coating and the photoresist, and the temperature treatment is performed until almost all of the solvent is evaporated until a thin coating of the photoresist composition, a thickness of about 1 μm, remains on the substrate. Is performed. In a preferred embodiment, the temperature is about 80 ° C to about 120 ° C. The treatment is carried out until the solvent removal rate change is relatively negligible. The temperature and time used depend on the photoresist properties required by the user as well as the coating time required on the device and commercial product used. Subsequently, the substrate for coating is used in a desired pattern using a mask, negative, stencil, template, or the like in an appropriate radiation pattern, for example, ultraviolet, X-ray, electron beam, ion beam or laser radiation in the wavelength range of about 300 nm to about 450 nm. Can be exposed to.
반사 방지 코팅의 상단에 광 이미지화 층을 스핀 코팅시키는데 사용되는 포토레지스트 용액은 알칼리 가용성, 수불용성 필름 형성용 수지, 감광성 화합물 및 용매를 포함한다. 전형적인 알칼리 가용성 수지로는 노볼락 수지 및 폴리히드록시스티렌이 있다. 전형적인 감광성 화합물로는 디아조나프토퀴논이 있는데, 이는 2,1,5-나프토퀴논 디아지드 및/또는 2,1,4-나프토퀴논 디아지드를 폴리히드록시페놀성 화합물과 반응시킴으로써 얻어진다. 다가 히드록시벤조페논, 다가 히드록시페닐 알칸 및 페놀성 올리고머는 사용되는 많은 유형의 밸러스트(ballast) 그룹의 예이다. 추가로, 디아조 화합물도 알칼리 가용성 수지와 반응할 수 있다. 폴리프로필렌 글리콜 모노-메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노-알킬 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸 락테이트, 에틸 에톡시 프로피오네이트, 2-헵타논, 부틸 아세테이트, 크실렌, 디글림과 같은 용매 또는 용매들의 혼합물을 사용할 수 있다. 또한 첨가제, 예를 들면 염료, 용해 억제제, 찰흔 방지제, 광속 강화제, 포토레지스 안정화제 등을 포토레지스트 조성물 내에 혼입시킬 수 있다. 또한 반사 방지 코팅은 원자외선(deep uv) 포토레지스트로 코팅할 수 있다. 전형적으로, 이들 포토레지스트는 광산(photoacid) 발생 물질, 수지, 용해 억제제 및 용매를 포함한다. 상기 수지는 수불용성이고, 알칼리 가용성인 중합체로서, 그 예로는 폴리비닐페놀, 노볼락 또는 이들의 공중합체를 들 수 있다. 기타 공지된 원자외선 포토레지스트 시스템은 광산 발생 물질, 수지 및 용매를 포함한다. 이 경우, 수지는 폴리비닐페놀 또는 그것의 공중합체와 같은, 산 존재 하에 분열될 수 있는 기로 캡핑된 중합체이다. The photoresist solution used to spin coat the light imaging layer on top of the antireflective coating includes alkali soluble, water insoluble film forming resins, photosensitive compounds and solvents. Typical alkali soluble resins are novolak resins and polyhydroxystyrenes. Typical photosensitive compounds include diazonaphthoquinone, which is obtained by reacting 2,1,5-naphthoquinone diazide and / or 2,1,4-naphthoquinone diazide with a polyhydroxyphenolic compound. . Polyhydric hydroxybenzophenones, polyhydric hydroxyphenyl alkanes and phenolic oligomers are examples of the many types of ballast groups used. In addition, diazo compounds may also react with alkali-soluble resins. Solvents such as polypropylene glycol mono-methyl ether acetate, propylene glycol mono-alkyl ether, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethyl lactate, ethyl ethoxy propionate, 2-heptanone, butyl acetate, xylene, diglyme, or Mixtures of solvents can be used. In addition, additives such as dyes, dissolution inhibitors, anti-scratches, luminous flux enhancers, photoresist stabilizers and the like can be incorporated into the photoresist compositions. The antireflective coating can also be coated with deep uv photoresist. Typically, these photoresists include photoacid generating materials, resins, dissolution inhibitors and solvents. The resin is a water-insoluble, alkali-soluble polymer, and examples thereof include polyvinylphenol, novolac or copolymers thereof. Other known ultraviolet photoresist systems include photoacid generators, resins and solvents. In this case, the resin is a polymer capped with a group that can be cleaved in the presence of an acid, such as polyvinylphenol or a copolymer thereof.
그 후, 임의로 기판을 노광 후 제2 소성 처리하거나 또는 현상 전 또는 현상 후에 열처리한다. 가열 온도는 약 90℃ 내지 약 120℃, 바람직하게는 약 95℃ 내지 약 120℃이다. 가열은 약 30 초 내지 약 2 분, 바람직하게는 약 60 초 내지 약 90 초 동안 핫 플레이트 상에서 수행하거나 약 30 분 내지 약 45 분동안 대류 오븐에서 수행할 수 있다. Thereafter, the substrate is optionally subjected to a second baking treatment after exposure or heat treatment before or after development. The heating temperature is about 90 ° C to about 120 ° C, preferably about 95 ° C to about 120 ° C. The heating can be performed on a hot plate for about 30 seconds to about 2 minutes, preferably about 60 seconds to about 90 seconds, or in a convection oven for about 30 minutes to about 45 minutes.
그 후, 노광된 반사 방지 코팅/포토레지스트 코팅된 기판을 현상 용액(예를 들면, 수성 알칼리 용액) 중에 침지하는 방법에 의해 현상하여 포토레지스트의 이미지화 방식으로 노광시킨 영역을 제거하거나, 또는 분무 현상 공정에 의해 현상한다. 상기 용액은 질소 방출 교반(nitrogen burst agitation)과 같은 방법으로 교반하는 것이 바람직하다. 기판은 포토레지스트 조성물 전부 또는 거의 전부가 노광된 영역으로부터 용해될 때까지 현상제 중에 두어야 한다. 현상제는 수산화암모늄의 수용액을 포함할 수 있다. 바람직한 한 수산화물은 테트라메틸 수산화암모늄이다. 코팅된 웨이퍼를 현상제 용액으로부터 제거한 후, 임의의 현상 후 열처리 단계 또는 소성 단계를 수행하여 코팅의 접착성 및 에칭 용액과 기타 기판에 대한 내성을 증가시킨다. 현상 후 열처리는 코팅의 연화점 이하로 코팅 및 기판을 오븐 소성하는 과정을 포함할 수 있다. 공업적인 용도로, 특히 규소/이산화규소 유형의 기판에 미소회로 유닛을 제조하는 경우, 현상된 기판은 완충된 불화수소산을 주성분으로 하는 에칭 용액으로 처리할 수 있다. Thereafter, the exposed antireflective coating / photoresist coated substrate is developed by immersion in a developing solution (e.g., an aqueous alkaline solution) to remove the exposed areas by imaging the photoresist, or spray developing It develops by a process. The solution is preferably stirred by a method such as nitrogen burst agitation. The substrate should be placed in the developer until all or almost all of the photoresist composition is dissolved from the exposed areas. The developer may include an aqueous solution of ammonium hydroxide. One preferred hydroxide is tetramethyl ammonium hydroxide. After the coated wafer is removed from the developer solution, any post-development heat treatment or firing steps are performed to increase the adhesion of the coating and resistance to etching solutions and other substrates. The post-development heat treatment may include a process of oven firing the coating and the substrate below the softening point of the coating. For industrial use, especially when producing microcircuit units on substrates of the silicon / silicon dioxide type, the developed substrates can be treated with an etching solution mainly composed of buffered hydrofluoric acid.
다음 구체적인 실시예들은 본 발명의 조성물을 제조하고 사용하는 방법을 상술하는 것이다. 그러나, 이들 실시예는 본 발명의 범위를 어떤 식으로든 한정하고자하는 것은 아니며 본 발명을 실시하기 위해 배타적으로 사용되는 조건, 변수 또는 값들을 제공하는 것으로 이해하여서는 안된다. The following specific examples detail the methods of making and using the compositions of the present invention. However, these examples are not intended to limit the scope of the present invention in any way and should not be understood as providing conditions, variables or values exclusively used to practice the present invention.
실시예 1Example 1
Amberlyst(등록상표) 21 음이온 교환 수지 비드를 원추형 플라스크에 넣고, 탈이온수를 첨가하여 모든 수지 비드가 물에 잠기게 하였다. 플라스크를 밀봉하고, 하룻밤 동안 방치하여 수지 비드를 팽윤시켰다. 다음날 아침, 물을 경사 분리하고, 탈이온수를 첨가하여 수지 비드를 덮었으며, 플라스크를 서서히 진탕하였다. 물을 다시 경사 분리하였다. 탈이온수로 헹구고, 경사 분리하는 단계를 3 회 반복하였다. 얻어진 이온 교환 수지 슬러리를 다공성 디스크와 꼭지가 장착된 유리 칼럼에 부었다. 수지를 바닥에 침강시키고 칼럼을 25 분간 탈이온수로 역 세정하였다. 수지를 다시 바닥에 침강시켰다.Amberlyst® 21 anion exchange resin beads were placed in a conical flask and deionized water was added to immerse all resin beads in water. The flask was sealed and left overnight to swell the resin beads. The next morning, the water was decanted, deionized water was added to cover the resin beads, and the flask was shaken slowly. The water was decanted again. The step of rinsing with deionized water and decanting was repeated three times. The obtained ion exchange resin slurry was poured into a glass column equipped with a porous disk and a tap. The resin was allowed to settle to the bottom and the column was back washed with deionized water for 25 minutes. The resin settled back to the bottom.
베드 길이를 측정하여 베드 부피를 98 ㎖로 계산하였다. 상기 수지 비드에 10 중량%의 황산 용액을 약 10 ㎖/분의 속도로 체류 시간이 12 분이 되도록 아래로 통과시켰다. 이어서, 6 베드 부피의 산용액을 거의 동일한 유속으로 수지 비드를 통해 아래로 통과시켰다. 그 후, 6 베드 부피의 탈이온수를 수지 비드에 통과시켰다. 6 베드 부피의 전자 등급 수산화암모늄 용액(6 중량%)을 전술한 것과 동일한 속도로 칼럼을 통과시킨 후, 충분한 탈이온수를 통과시켜서 과량의 수산화암모늄을 제거하였다. 유출수의 pH가 신선한 탈이온수에 대한 pH인 6이 되었는지 확인하기 위해 유출수의 pH를 측정하였으며, 유출물의 전도도는 18 ㏁었다. 2 베드 부피의 전자 등급 메탄올을 전술한 것과 동일한 속도로 칼럼을 통과시켜서 물을 제거하였다. The bed length was measured and the bed volume calculated to 98 ml. A 10 wt% sulfuric acid solution was passed through the resin beads at a rate of about 10 ml / min down to a residence time of 12 minutes. A six bed volume of acid solution was then passed down through the resin beads at about the same flow rate. Thereafter, six bed volumes of deionized water were passed through the resin beads. A six bed volume of electronic grade ammonium hydroxide solution (6% by weight) was passed through the column at the same rate as described above, followed by sufficient deionized water to remove excess ammonium hydroxide. The pH of the effluent was measured to determine whether the pH of the effluent was 6, which is pH for fresh deionized water, and the conductivity of the effluent was 18 kPa. Two bed volumes of electronic grade methanol were passed through the column at the same rate as described above to remove water.
비이커에 Disperse Yellow-9(2,4 디니트로페닐-1,4-벤젠 디아민) 용액을 아세톤 중에 제조하였다(아세톤 400 g 중의 60.0 g, 6 중량% ∼ 8 중량%). 한 시료를 금속 이온 시험(대조)용으로서 취했다. 그 용액을 0.1 ㎛ Teflon(등록상표) 필터(폴리테트라플루오로에틸렌)를 통해 여과하고 하나의 시료를 금속 이온 시험용으로 취하였다. 여과된 용액을 예비 세척한 Amberlyst(등록상표) 21 음이온 교환 칼럼에 체류 시간이 12 분(체류 시간 = 베드 부피/유속, 칼럼 매체는 아세톤이며, 어떠한 채널링(channeling)도 생기지 않게 함)이 되도록 통과시켰다. 그 시료를 금속 이온 시험에 사용하였다. 탈이온화된 물질을 진공 증류 장치가 장착된 (깨끗하고, 금속 이온이 없는) 플라스크에 주입하였다. 동량의 시클로헥산온을 첨가하고, 아세톤을 진공 하에서 증류하였다. 모든 시료를 금속 이온 함량에 대해 시험하였으며 이를 하기 표 1에 요약하였다. A Disperse Yellow-9 (2,4 dinitrophenyl-1,4-benzenediamine) solution in a beaker was prepared in acetone (60.0 g, 6 wt% to 8 wt%) in 400 g of acetone. One sample was taken for the metal ion test (control). The solution was filtered through a 0.1 μm Teflon® filter (polytetrafluoroethylene) and one sample was taken for metal ion testing. The pre-washed filtered solution was passed through an Amberlyst® 21 anion exchange column with a residence time of 12 minutes (retention time = bed volume / flow rate, column medium is acetone, without any channeling). I was. The sample was used for the metal ion test. Deionized material was injected into a flask (clean, free of metal ions) equipped with a vacuum distillation apparatus. Equal amounts of cyclohexanone were added and acetone was distilled off under vacuum. All samples were tested for metal ion content and summarized in Table 1 below.
[표 1]TABLE 1
실시예 2Example 2
Amberlyst(등록상표) 21 음이온 교환 수지 비드를 원추형 플라스크에 넣고, 탈이온수를 첨가하여 모든 수지 비드가 물에 잠기게 하였다. 플라스크를 밀봉하고, 하룻밤 동안 방치하여 수지 비드를 팽윤시켰다. 다음날 아침, 물을 경사 분리하고, 탈이온수를 첨가하여 수지 비드를 덮었으며, 플라스크를 서서히 진탕하였다. 물을 다시 경사 분리하였다. 탈이온수로 헹구고, 경사 분리하는 단계를 3 회 더 반복하였다. 얻어진 음이온 교환 수지 슬러리를 다공성 디스크와 꼭지가 장착된 유리 칼럼에 부었다. 수지를 바닥에 침강시키고, 칼럼을 25 분간 탈이온수로 역 세정하였다. 수지를 다시 바닥에 침강시켰다.Amberlyst® 21 anion exchange resin beads were placed in a conical flask and deionized water was added to immerse all resin beads in water. The flask was sealed and left overnight to swell the resin beads. The next morning, the water was decanted, deionized water was added to cover the resin beads, and the flask was shaken slowly. The water was decanted again. The step of rinsing with deionized water and decanting was repeated three more times. The resulting anion exchange resin slurry was poured into a glass column equipped with a porous disk and a tap. The resin was allowed to settle to the bottom and the column was back washed with deionized water for 25 minutes. The resin settled back to the bottom.
베드 길이를 측정하여 베드 부피를 162 ㎖로 계산하였다. 상기 수지 비드에 10 중량%의 황산 용액을 약 10 ㎖/분의 속도로 체류 시간이 12 분이 되도록 아래로 통과시켰다. 이어서, 6 베드 부피의 산 용액을 수지 비드에 통과시켰다. 그 후, 6 베드 부피의 탈이온수를 전술한 것과 거의 동일한 유속으로 수지 비드를 통해 아래로 통과시켰다. 6 베드 부피의 전자 등급 수산화암모늄 용액(6 중량%)을 전술한 것과 동일한 속도로 칼럼을 통과시킨 후, 충분한 탈이온수를 통과시켜서 과량의 수산화암모늄을 제거하였다. 유출수의 pH가 신선한 탈이온수에 대한 pH인 6이 되었는지 확인하기 위해 유출수의 pH를 측정하였다. 두 개 베드 부피의 전자 등급 메탄올을 전술한 것과 동일한 속도로 칼럼을 통과시켜서 물을 제거하였다.The bed length was measured and the bed volume calculated to 162 ml. A 10 wt% sulfuric acid solution was passed through the resin beads at a rate of about 10 ml / min down to a residence time of 12 minutes. A 6 bed volume of acid solution was then passed through the resin beads. Thereafter, a 6 bed volume of deionized water was passed down through the resin beads at a flow rate nearly the same as that described above. A six bed volume of electronic grade ammonium hydroxide solution (6% by weight) was passed through the column at the same rate as described above, followed by sufficient deionized water to remove excess ammonium hydroxide. The pH of the effluent was measured to see if the pH of the effluent reached 6, the pH for fresh deionized water. Two bed volumes of electronic grade methanol were passed through the column at the same rate as described above to remove water.
비이커에 Disperse Yellow-9 용액을 시클로헥산온 중에 준비하고(시클로헥산온 376.5 g 중의 24.15 g), 동량의 아세톤을 비이커에 첨가하였다. 하나의 시료를 금속 이온 시험(대조)용으로서 취하였다. 그 용액을 0.1 ㎛ Teflon(등록상표) 필터를 통해 여과하고, 한 시료를 금속 이온 시험용으로 취하였다. 여과된 용액을 예비세척한 Amberlyst(등록상표) 21 칼럼에 체류 시간이 12 분(체류 시간 = 베드 부피/유속, 칼럼 매체는 아세톤이며, 어떠한 채널링도 생기지 않게 함)이 되도록 통과시켰다. 하나의 시료를 금속 이온 시험용으로 취하였다. 탈이온화된 물질을 진공 증류 장치가 장착된 (깨끗하고, 금속 이온이 없는) 플라스크에 주입하였다. 아세톤을 진공 하에서 증류하였다. 모든 시료를 금속 이온 함량에 대해 시험하였으며 이를 하기 표 2에 요약하였다. In a beaker, a Disperse Yellow-9 solution was prepared in cyclohexanone (24.15 g in 376.5 g of cyclohexanone) and the same amount of acetone was added to the beaker. One sample was taken for the metal ion test (control). The solution was filtered through a 0.1 μm Teflon® filter and one sample was taken for metal ion testing. The filtered solution was passed through a pre-washed Amberlyst® 21 column with a residence time of 12 minutes (retention time = bed volume / flow rate, column medium is acetone and no channeling occurred). One sample was taken for the metal ion test. Deionized material was injected into a flask (clean, free of metal ions) equipped with a vacuum distillation apparatus. Acetone was distilled off under vacuum. All samples were tested for metal ion content and summarized in Table 2 below.
[표 2]TABLE 2
실시예 3Example 3
Amberlyst(등록상표) 21 음이온 교환 수지 비드를 원추형 플라스크에 넣고, 탈이온수를 첨가하여 모든 수지 비드가 물에 잠기게 하였다. 플라스크를 밀봉하고, 하룻밤 동안 방치하여 수지 비드를 팽윤시켰다. 다음날 아침, 물을 경사 분리하고, 탈이온수를 첨가하여 수지 비드를 덮었으며, 플라스크를 서서히 진탕하였다. 물을 다시 경사 분리하였다. 탈이온수로 헹구고 경사 분리하는 단계를 3 회 더 반복하였다. 얻어진 음이온 교환 수지 슬러리를 다공성 디스크와 꼭지가 장착된 유리 칼럼에 부었다. 수지를 바닥에 침강시키고 칼럼을 25 분간 탈이온수로 역 세정하였다. 수지를 다시 바닥에 침강시켰다.Amberlyst® 21 anion exchange resin beads were placed in a conical flask and deionized water was added to immerse all resin beads in water. The flask was sealed and left overnight to swell the resin beads. The next morning, the water was decanted, deionized water was added to cover the resin beads, and the flask was shaken slowly. The water was decanted again. The step of rinsing with deionized water and decanting was repeated three more times. The resulting anion exchange resin slurry was poured into a glass column equipped with a porous disk and a tap. The resin was allowed to settle to the bottom and the column was back washed with deionized water for 25 minutes. The resin settled back to the bottom.
베드 길이를 측정하여 베드 부피를 98 ㎖로 계산하였다. 상기 수지 비이드에 10 중량%의 황산 용액을 약 10 ㎖/분의 속도로 체류 시간이 12 분이 되도록 아래로 통과시켰다. 이어서, 6 베드 부피의 산 용액을 수지 비드에 통과시켰다. 그 후, 6 베드 부피의 탈이온수를 전술한 것과 거의 동일한 유속으로 수지 비드를 통해 아래로 통과시켰다. 6 베드 부피의 전자 등급 수산화암모늄 용액(6 중량%)을 전술한 것과 동일한 속도로 칼럼을 통과시킨 후, 충분한 탈이온수를 통과시켜서 과량의 수산화암모늄을 제거하였다. 유출수의 pH가 신선한 탈이온수에 대한 pH인 6이 되었는지 확인하기 위해 유출수의 pH를 측정하였으며, 유출물의 전도도는 18 ㏁이었다. 두 개 베드 부피의 전자 등급 메탄올을 전술한 것과 동일한 속도로 칼럼을 통과시켜서 물을 제거하였다. The bed length was measured and the bed volume calculated to 98 ml. A 10 wt% sulfuric acid solution was passed through the resin beads at a rate of about 10 ml / min down to a residence time of 12 minutes. A 6 bed volume of acid solution was then passed through the resin beads. Thereafter, a 6 bed volume of deionized water was passed down through the resin beads at a flow rate nearly the same as that described above. A six bed volume of electronic grade ammonium hydroxide solution (6% by weight) was passed through the column at the same rate as described above, followed by sufficient deionized water to remove excess ammonium hydroxide. The pH of the effluent was measured to determine whether the pH of the effluent reached 6, which is pH for fresh deionized water, and the conductivity of the effluent was 18 kPa. Two bed volumes of electronic grade methanol were passed through the column at the same rate as described above to remove water.
비이커에 Disperse Yellow-9의 용액을 아세톤 중에 준비하였다(아세톤 400 g 중의 60.0 g, 6 중량% 내지 8 중량%). 한 시료를 금속 이온 시험(대조)용으로서 취하였다. 그 용액을 0.1 ㎛ Teflon(등록상표) 필터를 통해 여과하고, 한 시료를 금속 이온 시험용으로 취하였다. 여과된 용액을 예비 세척한 Amberlyst(등록상표) 21 칼럼에 체류 시간이 12 분(체류 시간 = 베드 부피/유속, 칼럼 매체는 아세톤이며, 어떠한 수로도 생기지 않게함)이 되도록 통과시켰다. 한 시료를 금속 이온 시험용으로 취하였다. A solution of Disperse Yellow-9 was prepared in acetone in a beaker (60.0 g in 400 g of acetone, 6 wt% to 8 wt%). One sample was taken for the metal ion test (control). The solution was filtered through a 0.1 μm Teflon® filter and one sample was taken for metal ion testing. The filtered solution was passed through a pre-washed Amberlyst® 21 column with a residence time of 12 minutes (retention time = bed volume / flow rate, column medium is acetone and no water). One sample was taken for metal ion testing.
탈이온화된 물질을 진공 증류 장치가 장착된(깨끗하고, 금속 이온이 없는) 플라스크에 주입하였다. 동량의 시클로헥산온을 첨가하고, 아세톤을 진공 하에서 증류하여 나트륨 및 철이온을 5 ppb 미만으로 함유하는 Disperse Yellow-9(6% 고형분)을 얻었다. Disperse Yellow-9(6% 고형분) 170 g 및 Gantrez(고체, 메틸비닐 에테르와 말레산 무수물의 공중합체) 5.5 g을 20℃ 내지 25℃에서 12 시간 동안 혼합하고, 140℃에서 8 시간 동안 가열하였다. 반응 혼합물을 탈이온수로 3 회 추출하고, 잔류한 물을 진공 하에서 증류 제거하여 나트륨 및 철 이온 함량이 20 ppb 미만인 저부 반사 방지 코팅 용액을 얻었다. The deionized material was injected into a flask equipped with a vacuum distillation apparatus (clean, free of metal ions). Equal amounts of cyclohexanone were added and acetone was distilled under vacuum to give Disperse Yellow-9 (6% solids) containing less than 5 ppb sodium and iron ions. 170 g of Disperse Yellow-9 (6% solids) and 5.5 g of Gantrez (copolymer of solid, methylvinyl ether and maleic anhydride) were mixed at 20 ° C. to 25 ° C. for 12 hours and heated at 140 ° C. for 8 hours. . The reaction mixture was extracted three times with deionized water and the remaining water was distilled off under vacuum to obtain a bottom antireflective coating solution having a sodium and iron ion content of less than 20 ppb.
실시예 4Example 4
실시예 3에서 얻은 저부 반사 방지 코팅 용액으로 웨이퍼를 코팅하고, 가열하여 두께 0.25 ㎛인 필름을 형성하였다. 그 웨이퍼를 AZ(등록상표) 7700 포토레지스트(AZ 포토레지스트 프로덕츠, 훽스트 셀라니스 코오포레이숀에서 시판함)로 된 1.08 ㎛ 필름으로 코팅하였다. 그것을 90℃에서 90 초간 연소성하였다. 그 후, 웨이퍼를 Nikon(등록상표) 0.54 NA i-라인 스텝퍼를 사용하여 마스크를 통해 노광시키고, 70 초간 AZ(등록상표) 300 MIF 현상제(AZ 포토레지스트 프로덕츠, 훽스트 셀라니스 코오포레이숀에서 시판함)를 사용하여 분무 퍼들에 의해 현상시켰다. 또 다른 웨이퍼를 1.08 ㎛ AZ(등록상표) 7700 (AZ 포토레지스트 프로덕츠, 훽스트 셀라니스 코오포레이숀에서 시판함)으로 코팅하였으나, 대조로서 반사 방지 코팅을 사용하지 않았다. 석판 인쇄 데이터를 하기 표 3에 수록하였다. 저부 반사 방지 코팅에서 요구되는 기능의 석판 인쇄 특성은 본 발명의 금속 함량 감소 공정을 사용함으로써 유지되었다. The wafer was coated with the bottom antireflective coating solution obtained in Example 3 and heated to form a film having a thickness of 0.25 탆. The wafer was coated with a 1.08 μm film of AZ® 7700 photoresist (AZ Photoresist Products, commercially available from Hoechst Celanis Corporation). It was combustible at 90 ° C. for 90 seconds. The wafer was then exposed through a mask using a Nikon® 0.54 NA i-line stepper and subjected to AZ® 300 MIF developer (AZ Photoresist Products, Hoechst Celanis Coporation) for 70 seconds. Commercially available). Another wafer was coated with 1.08 μm AZ® 7700 (AZ Photoresist Products, commercially available from Hoechst Celanis Coporation), but no antireflective coating was used as a control. Lithographic data is listed in Table 3 below. The lithographic properties of the functions required for bottom antireflective coatings were maintained by using the metal content reduction process of the present invention.
[표 3]TABLE 3
진폭 및 스윙률은 모두 레지스트의 필름 두께 변화에 따른 노광 에너지의 변화를 반영하는 것이다. 최소의 변형이 바람직하다. Both the amplitude and the swing rate reflect the change in exposure energy with the change in film thickness of the resist. Minimal deformation is preferred.
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